CN115579304B - 晶圆检测方法、装置、计算机设备及可读存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种晶圆检测方法、装置、计算机设备及可读存储介质，所述晶圆检测方法包括：获取参考晶圆；对所述参考晶圆的厚度数据进行检测，得到参考厚度信息；验证所述参考厚度信息的数据合理性；将数据合理性通过的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模板中；响应于针对待检测晶圆的检测操作，基于所述光谱模板输出所述待检测晶圆的检测结果。本申请提供的晶圆检测方案可以减少晶圆检测的时间，从而提高生产效率。

Description

晶圆检测方法、装置、计算机设备及可读存储介质

技术领域

本申请涉及晶圆检测领域，具体涉及一种晶圆检测方法、装置、计算机设备及可读存储介质。

背景技术

目前，制造型半导体企业量测晶圆薄膜厚度时，需要等晶圆到站且获得相应薄膜结构的光谱后，才一一进行拟合，需要耗费相当多的时间，导致生产效率低下。

发明内容

针对上述技术问题，本申请提供一种晶圆检测方法、装置、计算机设备及可读存储介质，可以减少晶圆检测的时间，从而提高生产效率。

为解决上述技术问题，本申请提供一种晶圆检测方法，包括：

获取参考晶圆；

对所述参考晶圆的厚度数据进行检测，得到参考厚度信息；

验证所述参考厚度信息的数据合理性；

将数据合理性通过的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模板中；

响应于针对待检测晶圆的检测操作，基于所述光谱模板输出所述待检测晶圆的检测结果。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述验证所述参考厚度信息的数据合理性，包括：

从所述参考厚度信息中提取所述参考晶圆的膜厚值以及膜厚拟合率；

检测所述膜厚值是否满足第一预设条件；

当检测到所述膜厚值满足所述第一预设条件时，则检测所述膜厚拟合率是否满足第二预设条件；

当检测到所述膜厚拟合率满足所述第二预设条件时，则输出所述参考厚度信息的数据合理性通过。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述检测所述膜厚值是否满足第一预设条件，包括：

对所述参考晶圆进行切片，得到切片晶圆；

检测所述参考晶圆对应的第一膜厚值与第一预设值是否匹配，以及；

检测所述切片晶圆对应的第二膜厚值与第二预设值是否匹配；

当检测到所述参考晶圆对应的第一膜厚值与所述第一预设值匹配，且所述切片晶圆对应的第二膜厚值与所述第二预设值匹配时，则确定所述膜厚值满足所述第一预设条件。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述检测所述膜厚拟合率是否满足第二预设条件，包括：

计算所述参考晶圆每个检测点对应的膜厚拟合率对应的平均值，得到平均拟合率；

计算所述膜厚拟合率对应的相关参数；

检测所述平均拟合率与预设拟合率是否匹配，以及；

根据所述相关参数对所述膜厚拟合率进行验证；

当检测到所述平均拟合率与所述预设拟合率匹配，且根据所述相关参数对所述膜厚拟合率验证通过时，则确定所述膜厚拟合率满足所述第二预设条件。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述当检测到所述膜厚拟合率满足所述第二预设条件时，则输出所述参考厚度信息的数据合理性通过，包括：

当检测到所述膜厚拟合率满足所述第二预设条件时，将所述膜厚拟合率满足第二预设条件的参考晶圆确定为候选晶圆；

识别所述候选晶圆的批次为连续批次，且所述候选晶圆的数量大于或等于预设数量，则输出所述参考厚度信息的数据合理性通过。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述将数据合理性通过的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模板中，包括：

将数据合理性通过的参考晶圆确定为目标晶圆；

获取所述目标晶圆的晶圆标识、晶圆类型以及膜厚值；

对获取的晶圆标识、晶圆类型以及膜厚值进行关联，得到关联数据；

将所述关联数据与所述目标晶圆的光谱进行绑定，并将绑定后的光谱存储至预设光谱模板中。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述响应于针对待检测晶圆的检测操作，基于所述光谱模板输出所述待检测晶圆的检测结果，包括：

响应于针对待检测晶圆的检测操作，获取所述待检测晶圆的结构特征；

根据所述结构特征以及所述光谱模板输出所述待检测晶圆的检测结果。

相应的，本申请还提供一种晶圆检测装置，包括：

获取模块，用于获取参考晶圆；

检测模块，用于对所述参考晶圆的厚度数据进行检测，得到参考厚度信息；

验证模块，用于验证所述参考厚度信息的数据合理性；

存储模块，用于将数据合理性通过的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模板中；

输出模块，用于响应于针对待检测晶圆的检测操作，基于所述光谱模板输出所述待检测晶圆的检测结果。

本申请还提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述方法的步骤。

本申请还提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述方法的步骤。

如上所述，本申请提供一种晶圆检测方法、装置、计算机设备及可读存储介质，获取参考晶圆，然后，对所述参考晶圆的厚度数据进行检测，得到参考厚度信息，接着，验证所述参考厚度信息的数据合理性，再然后，将数据合理性通过的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模板中，最后，响应于针对待检测晶圆的检测操作，基于所述光谱模板输出所述待检测晶圆的检测结果。在本申请提供的晶圆检测方案中，可以预先将符合条件的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模板中，在实际检测时，可以基于所述光谱模板输出所述待检测晶圆的检测结果，无需要等晶圆到站且获得相应薄膜结构的光谱后，才执行检测的流程，由此，可以减少待检测晶圆光谱获取的时间，从而提高生产效率。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请提供的晶圆检测方法的场景示意图；

图2是本申请提供的晶圆检测方法的流程示意图；

图3是本申请提供的晶圆检测装置的结构示意图。

本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。通过上述附图，已示出本申请明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本申请构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本申请不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义，也可能具有不同含义，其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

在后续的描述中，使用用于表示元件的诸如“模块”、“部件”或者“单元”的后缀仅为了有利于本申请的说明，其本身没有特定的意义。因此，“模块”、“部件”或者“单元”可以混合地使用。

以下对本申请涉及的实施例进行具体描述，需要说明的是，在本申请中对实施例的描述顺序不作为对实施例优先顺序的限定。

本申请实施例提供一种晶圆检测方法、装置、计算机设备及可读存储介质。

例如，请参阅图1，本申请提供一种晶圆检测***，包括待检测晶圆10、参考晶圆20以及晶圆检测装置30，晶圆检测装置30预先对述参考晶圆的厚度数据进行检测，得到参考厚度信息，然后，晶圆检测装置30验证参考厚度的数据合理性，紧接着，晶圆检测装置30将数据合理性通过的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模板中，最后，晶圆检测装置30响应于针对待检测晶圆10的检测操作，基于光谱模板S输出待检测晶圆10的检测结果。

本申请提供的晶圆检测方案，可以预先将符合条件的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模板中，在实际检测时，可以基于所述光谱模板输出所述待检测晶圆的检测结果，无需要等晶圆到站且获得相应薄膜结构的光谱后，才执行检测的流程，由此，可以减少待检测晶圆光谱获取的时间，从而提高生产效率。

以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优先顺序的限定。

一种晶圆检测方法，包括：获取参考晶圆；对参考晶圆的厚度数据进行检测，得到参考厚度信息；验证参考厚度信息的数据合理性；将数据合理性通过的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模板中；响应于针对待检测晶圆的检测操作，基于光谱模板输出所述待检测晶圆的检测结果。

请参阅图2，图2为本申请实施例提供的晶圆检测方法的流程示意图。该数晶圆检测方法的具体流程可以如下：

101、获取参考晶圆。

其中，晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。

该参考晶圆可以从待检测晶圆中随机抽样得到的，也可以是将其他晶圆确定为参考晶圆，具体可以根据实际情况进行设置，在此不再赘述。

102、对参考晶圆的厚度数据进行检测，得到参考厚度信息。

例如，可以利用椭偏术对参考晶圆的厚度数据进行检测，得到参考厚度信息，椭偏术是一种用来量测薄膜厚度的光学方法，其原理是利用偏振光束在界面或者薄膜上的反射或透射时出现的偏振态的改变来研究表面薄膜的厚度、光学常数、膜性质和结构、基体光学性质和结构等。通过椭偏仪量测，得到相应薄膜材料的光谱，并通过计算机进行光谱拟合，从而得到薄膜的厚度，故，可以理解的是，该参考厚度信息可以包括膜厚值以及膜厚拟合率。

103、验证参考厚度信息的数据合理性。

为了提高后续晶圆检测的准确性，故，在本申请中，需要对参考厚度信息中的数据进行数据合理性验证，如，验证参考晶圆的膜厚值的数据合理性、和/或验证参考晶圆的膜厚拟合率的数据合理性，即，可选地，在一些实施例中，步骤“验证参考厚度信息的数据合理性”，具体可以包括：

（11）从参考厚度信息中提取参考晶圆的膜厚值以及膜厚拟合率；

（12）检测膜厚值是否满足第一预设条件；

（13）当检测到膜厚值满足第一预设条件时，则检测膜厚拟合率是否满足第二预设条件；

（14）当检测到膜厚拟合率满足第二预设条件时，则输出参考厚度信息的数据合理性通过。

在本申请中，为了提高后续晶圆检测的可靠性，在验证参考厚度信息的数据合理性时，依次验证膜厚值是否满足第一预设条件、以及验证膜厚拟合率是否满足第二预设条件，当检测到膜厚值不满足第一预设条件时或膜厚拟合率不满足第二预设条件，则输出参考厚度信息的数据合理性验证不通过，此时，则获取下一个参考晶圆，并执行步骤101。

其中，第一预设条件和第二预设条件可以是由工程人员预先进行设置的，比如，第一预设条件可以为：检测膜厚值与预设值是否匹配；第二预设条件可以为：检测膜厚拟合率与预设拟合率是否匹配。

可选地，在一些实施例中，考虑到晶圆在制作的过程中，由于工艺的限制，可能会存在同一块晶圆上不同位置的膜厚不同，故，步骤“检测膜厚值是否满足第一预设条件”，具体可以包括：

（21）对参考晶圆进行切片，得到切片晶圆；

（22）检测参考晶圆对应的第一膜厚值与第一预设值是否匹配，以及检测切片晶圆对应的第二膜厚值与第二预设值是否匹配；

（23）当检测到参考晶圆对应的第一膜厚值与第一预设值匹配，且切片晶圆对应的第二膜厚值与第二预设值匹配时，则确定膜厚值满足第一预设条件。

首先，需要介绍晶圆和切片晶圆的区别，以硅工艺为例，一般把整片的硅片叫做晶圆（wafer），通过工艺流程后每一个单元会被划片，单个单元的裸片叫做切片晶圆（die），此外，在晶圆制造工艺中，晶圆薄膜生长的均匀性，尤为重要，尤其会影响光刻工艺的曝光能力，为了后续能够复用参考晶圆的光谱，在该步骤下需要对参考晶圆的膜厚进行检测，避免出现在后续检测待检测晶圆时，利用不符合工艺规格的晶圆进行检测，导致晶圆检测的可靠性不佳，可以理解的是，在本申请中，通过检测晶圆整体的膜厚值与预设值是否匹配，以及检测晶圆局部的膜厚值与预设值是否匹配，从而可以确定膜厚值满足第一预设条件。

椭圆偏振光谱仪是一种先进的光学薄膜无损测量仪器，获得的原始测量数据必须通过经典数据拟合方法（比如洛伦兹振子模型、柯西模型等）解谱分析得到样品的最终光学参数及厚度。在本申请中，可以基于循环神经网络模型确定膜厚拟合率，也可以通过经典数据拟合方式（如洛伦兹振子模型、柯西模型等）确定膜厚拟合率，具体可以根据实际情况进行选择。可选地，在一些实施例中，基于循环神经网络模型确定膜厚拟合率，此方法与常规拟合方法相比，更加高速、准确。

可选地，在一些实施例中，在得到膜厚拟合率后，可以计算膜厚拟合率对应的相关参数，并基于该相关参数对膜厚拟合率进行验证，即，步骤“检测膜厚拟合率是否满足第二预设条件”，具体可以包括：

（31）计算参考晶圆每个检测点对应的膜厚拟合率对应的平均值，得到平均拟合率；

（32）计算膜厚拟合率对应的相关参数；

（33）检测平均拟合率与预设拟合率是否匹配，以及根据相关参数对所述膜厚拟合率进行验证；

（34）当检测到平均拟合率与预设拟合率匹配，且根据相关参数对膜厚拟合率验证通过时，则确定膜厚拟合率满足第二预设条件。

例如，具体的，相关参数的表现形式可以为（-n*sigma，+n*sigma），其中，sigma为根据一定数量的原始测量数据，计算得到的标准差。如果原始数据越稳定，越集中，则sigma越小，反之，如果数据越发散，越异常，sigma越大。

比如，可以取n为5，那么相关参数则为（-5*sigma，+5*sigma），当膜厚拟合率验证落在该（-5*sigma，+5*sigma）的区间内，则根据相关参数对膜厚拟合率验证通过。

另外，在实际测量时，可能会存在两个参考晶圆属于不同批次的情况，故，为了提高后续晶圆检测结果的可靠性，可选地，在一些实施例中，步骤“当检测到膜厚拟合率满足第二预设条件时，则输出参考厚度信息的数据合理性通过”，具体可以包括：

（41）当检测到膜厚拟合率满足第二预设条件时，将膜厚拟合率满足第二预设条件的参考晶圆确定为候选晶圆；

（42）识别候选晶圆的批次为连续批次，且候选晶圆的数量大于或等于预设数量，则输出参考厚度信息的数据合理性通过。

例如，可以通过识别候选晶圆的标识信息，确定候选晶圆的批次是否为连续批次。

104、将数据合理性通过的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模板中。

可选地，预设光谱模板可以由工程人员预先构建，该光谱模板中至少包括晶圆类型、晶圆标识、膜厚值以及晶圆对应的光谱，故，在一些实施例中，可以将数据合理性通过的参考晶圆相应的数据存储至预设光谱模板中，以便后续的复用。

可选地，在一些实施例中，步骤“将数据合理性通过的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模板中”，具体可以包括：

（51）将数据合理性通过的参考晶圆确定为目标晶圆；

（52）获取目标晶圆的晶圆标识、晶圆类型以及膜厚值；

（53）对获取的晶圆标识、晶圆类型以及膜厚值进行关联，得到关联数据；

（54）将关联数据与目标晶圆的光谱进行绑定，并将绑定后的光谱存储至预设光谱模板中。

105、响应于针对待检测晶圆的检测操作，基于光谱模板输出待检测晶圆的检测结果。

在对待检测晶圆进行检测时，可以根据其对应的结构特征，通过查询光谱模板的方式，确定该待检测晶圆对应的光谱，即，可选地，在一些实施例中，步骤“响应于针对待检测晶圆的检测操作，基于光谱模板输出待检测晶圆的检测结果”，具体可以包括：

（61）响应于针对待检测晶圆的检测操作，获取待检测晶圆的结构特征；

（62）根据结构特征以及光谱模板输出待检测晶圆的检测结果。

其中，该结构特征可以是待检测晶圆的形状、尺寸、膜层数量、晶圆类型等等，具体可以根据实际情况而定，在此不再赘述。

以上完成本申请的晶圆检测流程。

由上可知，本申请提供一种晶圆检测方法，在获取参考晶圆后，对参考晶圆的厚度数据进行检测，得到参考厚度信息，接着，验证参考厚度信息的数据合理性，再然后，将数据合理性通过的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模板中，最后，响应于针对待检测晶圆的检测操作，基于光谱模板输出待检测晶圆的检测结果，在本申请提供的晶圆检测方案中，可以预先将符合条件的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模板中，在实际检测时，可以基于所述光谱模板输出所述待检测晶圆的检测结果，无需要等晶圆到站且获得相应薄膜结构的光谱后，才执行检测的流程，由此，可以减少待检测晶圆光谱获取的时间，从而提高生产效率。

为便于更好的实施本申请的晶圆检测方法，本申请还提供一种基于上述晶圆检测装置。其中名词的含义与上述晶圆检测方法中相同，具体实现细节可以参考方法实施例中的说明。

请参阅图3，图3为本申请提供的晶圆检测装置的结构示意图，其中该晶圆检测装置可以包括获取模块201、检测模块202、验证模块203、存储模块204以及输出模块205，具体可以如下：

获取模块201，用于获取参考晶圆。

该参考晶圆可以从待检测晶圆中随机抽样得到的，也可以是将其他晶圆确定为参考晶圆，具体可以根据实际情况进行设置，在此不再赘述

检测模块202，用于对参考晶圆的厚度数据进行检测，得到参考厚度信息。

验证模块203，用于验证参考厚度信息的数据合理性。

可选地，在一些实施例中，验证模块203具体可以包括：

提取单元，用于从参考厚度信息中提取参考晶圆的膜厚值以及膜厚拟合率；

第一检测单元，用于检测膜厚值是否满足第一预设条件；

第二检测单元，用于当检测到膜厚值满足第一预设条件时，则检测膜厚拟合率是否满足第二预设条件；

输出单元，用于当检测到膜厚拟合率满足第二预设条件时，则输出参考厚度信息的数据合理性通过。

可选地，在一些实施例中，第一检测单元具体可以用于：对参考晶圆进行切片，得到切片晶圆；检测参考晶圆对应的第一膜厚值与第一预设值是否匹配，以及检测切片晶圆对应的第二膜厚值与第二预设值是否匹配；当检测到参考晶圆对应的第一膜厚值与第一预设值匹配，且切片晶圆对应的第二膜厚值与第二预设值匹配时，则确定膜厚值满足第一预设条件。

可选地，在一些实施例中，第二检测单元具体可以用于：计算参考晶圆每个检测点对应的膜厚拟合率对应的平均值，得到平均拟合率；计算膜厚拟合率对应的相关参数；检测平均拟合率与预设拟合率是否匹配，以及根据相关参数对所述膜厚拟合率进行验证；当检测到平均拟合率与预设拟合率匹配，且根据相关参数对膜厚拟合率验证通过时，则确定膜厚拟合率满足第二预设条件。

可选地，在一些实施例中，输出单元具体可以用于：当检测到膜厚拟合率满足第二预设条件时，将膜厚拟合率满足第二预设条件的参考晶圆确定为候选晶圆；识别候选晶圆的批次为连续批次，且候选晶圆的数量大于或等于预设数量，则输出参考厚度信息的数据合理性通过。

存储模块204，用于将数据合理性通过的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模板中。

存储模块204可以将数据合理性通过的参考晶圆相应的数据存储至预设光谱模板中，以便后续的复用。

可选地，在一些实施例中，存储模块204具体可以用于：将数据合理性通过的参考晶圆确定为目标晶圆；获取目标晶圆的晶圆标识、晶圆类型以及膜厚值；对获取的晶圆标识、晶圆类型以及膜厚值进行关联，得到关联数据；将关联数据与目标晶圆的光谱进行绑定，并将绑定后的光谱存储至预设光谱模板中。

输出模块205，用于响应于针对待检测晶圆的检测操作，基于光谱模板输出待检测晶圆的检测结果。

可选地，在一些实施例中，输出模块205具体可以用于：响应于针对待检测晶圆的检测操作，获取待检测晶圆的结构特征；根据结构特征以及光谱模板输出待检测晶圆的检测结果。

由上可知，本申请提供一种晶圆检测装置，获取模块201在获取参考晶圆后，检测模块202对参考晶圆的厚度数据进行检测，得到参考厚度信息，接着，验证模块203验证参考厚度信息的数据合理性，再然后，存储模块204将数据合理性通过的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模板中，最后，输出模块205响应于针对待检测晶圆的检测操作，基于光谱模板输出待检测晶圆的检测结果，在本申请提供的晶圆检测方案中，可以预先将符合条件的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模板中，在实际检测时，可以基于所述光谱模板输出所述待检测晶圆的检测结果，无需要等晶圆到站且获得相应薄膜结构的光谱后，才执行检测的流程，由此，可以减少待检测晶圆光谱获取的时间，从而提高生产效率。

本领域普通技术人员可以理解，上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤可以通过指令来完成，或通过指令控制相关的硬件来完成，该指令可以存储于一计算机可读存储介质中，并由处理器进行加载和执行。

为此，本申请实施例提供一种存储介质，其中存储有多条指令，该指令能够被处理器进行加载，以执行本申请实施例所提供的任一种晶圆检测方法中的步骤。

以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。

其中，该存储介质可以包括：只读存储器（ROM，Read Only Memory）、随机存取记忆体（RAM，Random Access Memory）、磁盘或光盘等。

由于该存储介质中所存储的指令，可以执行本申请实施例所提供的任一种数据检测方法中的步骤，因此，可以实现本申请实施例所提供的任一种晶圆检测方法所能实现的有益效果，详见前面的实施例，在此不再赘述。

本申请实施例还提供一种芯片，包括存储器和处理器，存储器用于存储计算机程序，处理器用于从存储器中调用并运行计算机程序，使得安装有芯片的设备执行如上各种可能的实施方式中的方法。

可以理解，上述场景仅是作为示例，并不构成对于本申请实施例提供的技术方案的应用场景的限定，本申请的技术方案还可应用于其他场景。例如，本领域普通技术人员可知，随着***架构的演变和新业务场景的出现，本申请实施例提供的技术方案对于类似的技术问题，同样适用。

本申请实施例方法中的步骤可以根据实际需要进行顺序调整、合并和删减。

本申请实施例设备中的单元可以根据实际需要进行合并、划分和删减。

在本申请中，对于相同或相似的术语概念、技术方案和/或应用场景描述，一般只在第一次出现时进行详细描述，后面再重复出现时，为了简洁，一般未再重复阐述，在理解本申请技术方案等内容时，对于在后未详细描述的相同或相似的术语概念、技术方案和/或应用场景描述等，可以参考其之前的相关详细描述。

在本申请中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

本申请技术方案的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本申请记载的范围。

在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本申请实施例的流程或功能。计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络，或者其他可编程装置。计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线（例如同轴电缆、光纤、数字用户线）或无线（例如红外、无线、微波等）方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。可用介质可以是磁性介质，（例如，软盘、存储盘、磁带）、光介质（例如，DVD），或者半导体介质（例如固态存储盘Solid State Disk (SSD)）等。

以上对本申请实施例所提供的一种晶圆检测方法、晶圆检测装置以及存储介质进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (9)

1.一种晶圆检测方法，其特征在于，包括：

获取参考晶圆；

对所述参考晶圆的厚度数据进行检测，得到参考厚度信息；

从所述参考厚度信息中提取所述参考晶圆的膜厚值以及膜厚拟合率；

检测所述膜厚值是否满足第一预设条件；

当检测到所述膜厚值满足所述第一预设条件时，则检测所述膜厚拟合率是否满足第二预设条件；

当检测到所述膜厚拟合率满足所述第二预设条件时，则输出所述参考厚度信息的数据合理性通过；

将数据合理性通过的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模板中；

响应于针对待检测晶圆的检测操作，基于所述光谱模板输出所述待检测晶圆的检测结果。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测所述膜厚值是否满足第一预设条件，包括：

对所述参考晶圆进行切片，得到切片晶圆；

检测所述参考晶圆对应的第一膜厚值与第一预设值是否匹配，以及；

检测所述切片晶圆对应的第二膜厚值与第二预设值是否匹配；

当检测到所述参考晶圆对应的第一膜厚值与所述第一预设值匹配，且所述切片晶圆对应的第二膜厚值与所述第二预设值匹配时，则确定所述膜厚值满足所述第一预设条件。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测所述膜厚拟合率是否满足第二预设条件，包括：

计算所述参考晶圆每个检测点对应的膜厚拟合率对应的平均值，得到平均拟合率；

计算所述膜厚拟合率对应的相关参数；

检测所述平均拟合率与预设拟合率是否匹配，以及；

根据所述相关参数对所述膜厚拟合率进行验证；

当检测到所述平均拟合率与所述预设拟合率匹配，且根据所述相关参数对所述膜厚拟合率验证通过时，则确定所述膜厚拟合率满足所述第二预设条件。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述当检测到所述膜厚拟合率满足所述第二预设条件时，则输出所述参考厚度信息的数据合理性通过，包括：

当检测到所述膜厚拟合率满足所述第二预设条件时，将所述膜厚拟合率满足第二预设条件的参考晶圆确定为候选晶圆；

识别所述候选晶圆的批次为连续批次，且所述候选晶圆的数量大于或等于预设数量，则输出所述参考厚度信息的数据合理性通过。

5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述将数据合理性通过的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模板中，包括：

将数据合理性通过的参考晶圆确定为目标晶圆；

获取所述目标晶圆的晶圆标识、晶圆类型以及膜厚值；

对获取的晶圆标识、晶圆类型以及膜厚值进行关联，得到关联数据；

将所述关联数据与所述目标晶圆的光谱进行绑定，并将绑定后的光谱存储至预设光谱模板中。

6.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述响应于针对待检测晶圆的检测操作，基于所述光谱模板输出所述待检测晶圆的检测结果，包括：

响应于针对待检测晶圆的检测操作，获取所述待检测晶圆的结构特征；

根据所述结构特征以及所述光谱模板输出所述待检测晶圆的检测结果。

7.一种晶圆检测装置，其特征在于，包括：

获取模块，用于获取参考晶圆；

检测模块，用于对所述参考晶圆的厚度数据进行检测，得到参考厚度信息；

提取单元，用于从参考厚度信息中提取参考晶圆的膜厚值以及膜厚拟合率；

第一检测单元，用于检测膜厚值是否满足第一预设条件；

第二检测单元，用于当检测到膜厚值满足第一预设条件时，则检测膜厚拟合率是否满足第二预设条件；

输出单元，用于当检测到膜厚拟合率满足第二预设条件时，则输出参考厚度信息的数据合理性通过；

存储模块，用于将数据合理性通过的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模板中；

输出模块，用于响应于针对待检测晶圆的检测操作，基于所述光谱模板输出所述待检测晶圆的检测结果。

8.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至6中任一项所述晶圆检测方法的步骤。

9.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至6中任一项所述晶圆检测方法的步骤。

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