CN115548196A - 一种显示装置及其制作方法 - Google Patents

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张廷斌
刘晓伟
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Abstract

本发明公开了一种显示装置及其制作方法，包括驱动基板，位于驱动基板之上的多个微型发光二极管，覆盖驱动基板和各微型发光二极管的表面的绝缘层，以及位于绝缘层背离驱动基板一侧的多个侧壁电极。绝缘层包括暴露驱动基板的第一开口和暴露微型发光二极管背离驱动基板一侧表面的第二开口；一个微型发光二极管对应一个第一开口和一个第二开口；一个侧壁电极对应一个微型发光二极管，侧壁电极的部分区域覆盖绝缘层背离微型发光二极管侧壁的表面，侧壁电极通过第一开口与驱动基板电连接。绝缘层对微型发光二极管的侧壁缺陷进行修复，对侧壁电极施加电极可以抑制微型发光二极管的侧壁漏电流，减小非辐射复合的发生，提高了微型发光二极管的发光效率。

Description

一种显示装置及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置及其制作方法。
背景技术
微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，简称Micro LED)显示技术是指发光芯片直接作为发光单元的显示技术。Micro LED继承了传统发光二极管的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。
目前，微型发光二极管在制作时先形成大尺寸的外延片，在对外延片进行刻蚀形成微型发光二极管芯片，在蚀刻工艺中会对芯片的侧壁造成损伤，形成较多的悬空键。这些悬空键连接在一起会形成稳定的漏电通道，导致电流的非辐射复合，影响发光效率。
发明内容
本发明一些实施例中，在微型发光二极管的侧壁设置绝缘层可以对微型发光二极管的侧壁缺陷进行修复，一定程度上抑制载流子非辐射复合。
本发明一些实施例中，在绝缘层背离微型发光二极管侧壁的表面设置侧壁电极可以抑制微型发光二极管的侧壁漏电流，减小非辐射复合的发生，提高微型发光二极管的发光效率。
本发明一些实施例中，在侧壁电极和绝缘层背离驱动基板的一侧还设置的填充层，用于对侧壁电极进行绝缘保护，并使得显示装置的表面平整化。
本发明一些实施例中，公共电极位于填充层背离驱动基板的一侧，公共电极整层设置，通过绝缘层的第二开口与微型发光二极管电连接。
本发明一些实施例中，微型发光二极管包括靠近驱动基板的第一掺杂层，远离驱动基板的第二掺杂层和位于第一掺杂层和第二掺杂层之间的发光层。其中第一掺杂层和第二掺杂层采用的基质材料相同，掺杂类型相反；发光层为多量子阱层。
本发明一些实施例中，侧壁电极位于第一掺杂层侧壁表面的绝缘层上，侧壁电极通过绝缘层的第一开口与驱动基板电连接。侧壁电极背离驱动基板一侧的表面不会超过发光层背离驱动基板一侧的表面。该侧壁电极在施加电信号之后对第一掺杂层内的载流子具有推动作用，对第二掺杂层无影响，由此可以减小漏电流。
本发明一些实施例中，位于第一掺杂层一侧的侧壁电极的电位与第一掺杂层施加的电位相等。
本发明一些实施例中，侧壁电极位于第一填充层之上，位于第二掺杂层侧壁表面的绝缘层上，侧壁电极通过绝缘层的第一开口和第一填充层的第三开口与驱动基板电连接。侧壁电极面向驱动基板一侧的表面不会超过发光层面向驱动基板一侧的表面。侧壁电极在施加电信号之后对第二掺杂层内的载流子具有推动作用，对第一掺杂层无影响，由此可以减小漏电流。
本发明一些实施例中，位于第二掺杂层一侧的侧壁电极的电位与第二掺杂层施加的电位相等。
本发明一些实施例中，侧壁电极包括第一侧壁电极和第二侧壁电极。第一侧壁电极位于第一掺杂层侧壁表面的绝缘层上，第一侧壁电极通过绝缘层的第一部与驱动基板电连接；第一填充层位于第一侧壁电极上，第二侧壁电极位于第一填充层上，位于第二掺杂层侧壁表面的绝缘层上，侧壁电极通过绝缘层的第二部和第一填充层的第三开口与驱动基板电连接。第一侧壁电极在施加电信号之后对第一掺杂层内的载流子具有推动作用，对第二掺杂层无影响，第二侧壁电极在施加电信号之后对第二掺杂层内的载流子具有推动作用，对第一掺杂层无影响，由此可以减小漏电流。
本发明一些实施例中，位于第一掺杂层一侧的第一侧壁电极的电位与第一掺杂层施加的电位相等，位于第二掺杂层一侧的第二侧壁电极的电位与第二掺杂层施加的电位相等。
本发明一些实施例中，第一开口的形状为点状或环状。
本发明一些实施例中，显示装置的制作方法包括：
将各微型发光二极管转移至驱动基板上；
在各微型发光二极管和驱动基板上形成绝缘层；绝缘层包括暴露驱动基板的第一开口和暴露微型发光二极管背离驱动基板一侧表面的第二开口；一个微型发光二极管对应一个第一开口和一个第二开口；
在绝缘层背离驱动基板的一侧形成侧壁电极；一个侧壁电极对应一个微型发光二极管，侧壁电极的部分区域覆盖绝缘层背离微型发光二极管侧壁的表面；侧壁电极通过第一开口与驱动基板电连接。
本发明一些实施例中，在绝缘层背离驱动基板的一侧形成侧壁电极，包括：
在绝缘层背离驱动基板的表面形成侧壁电极；侧壁电极覆盖绝缘层背离微型发光二极管侧壁的部分区域背离驱动基板一侧的表面不超过发光层背离驱动基板一侧的表面；
在侧壁电极和绝缘层背离驱动基板的一侧形成填充层；
在填充层和微型发光二极管背离驱动基板的一侧形成公共电极；公共电极通过第二开口与第二掺杂层电连接；
本发明一些实施例中，在绝缘层背离驱动基板的一侧形成侧壁电极，包括：
在绝缘层背离驱动基板的一侧形成第一填充层；第一填充层包括暴露驱动基板的第三开口，第三开口与第一开口一一对应；
在第一填充层和绝缘层背离驱动基板一侧的表面形成侧壁电极；侧壁电极覆盖绝缘层背离微型发光二极管侧壁的部分区域面向驱动基板一侧的表面不超过发光层面向驱动基板一侧的表面；侧壁电极通过第一开口和第三开口与驱动基板电连接；
在侧壁电极和第一填充层背离驱动基板的一侧形成第二填充层；
在第二填充层和微型发光二极管背离驱动基板的一侧形成公共电极；公共电极通过第二开口与第二掺杂层电连接；
本发明一些实施例中，侧壁电极分为第一侧壁电极和第二侧壁电极，第一开口分为第一部和第二部；
在绝缘层背离驱动基板的一侧形成侧壁电极，包括：
在绝缘层背离驱动基板的表面形成第一侧壁电极；第一侧壁电极覆盖绝缘层背离微型发光二极管侧壁的部分区域背离驱动基板一侧的表面不超过发光层背离驱动基板一侧的表面；第一侧壁电极通过第一部与驱动基板电连接；
在第一侧壁电极和绝缘层背离驱动基板的一侧形成第一填充层；第一填充层包括暴露驱动基板的第三开口，第三开口与第二部一一对应；
在第一填充层和绝缘层背离驱动基板一侧的表面形成第二侧壁电极；第二侧壁电极覆盖绝缘层背离微型发光二极管侧壁的部分区域面向驱动基板一侧的表面不超过发光层面向驱动基板一侧的表面；第二侧壁电极通过第三开口和第二部与驱动基板电连接；
在第二侧壁电极和第一填充层背离驱动基板的一侧形成第二填充层；
在第二填充层和微型发光二极管背离驱动基板的一侧形成公共电极；公共电极通过第二开口与第二掺杂层电连接。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所介绍的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之一；
图1b为本发明实施例提供的显示装置的俯视图之一；
图2a为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之二；
图2b为本发明实施例提供的显示装置的俯视图之二；
图3为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之三；
图4为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之四；
图5为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之五；
图6为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之六；
图7为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之七；
图8为本发明实施例提供的显示装置的制作方法的流程示意图；
图9a-图9d为本发明实施例提供的显示装置的制作方法各步骤对应的截面结构示意图；
图10a-图10c为本发明实施例提供的另一显示装置的制作方法各步骤对应的截面结构示意图；
图11a-图11e为本发明实施例提供的另一显示装置的制作方法各步骤对应的截面结构示意图。
其中，10-驱动基板，20-微型发光二极管，30-绝缘层，40-侧壁电极，41-第一侧壁电极，42-第二侧壁电极，50-填充层，51-第一填充层，52-第二填充层，60-公共电极，101-衬底基板，102-驱动线路层，201-第一掺杂层，202-发光层，203-第二掺杂层，S1-第一开口，S2-第二开口，S3-第三开口，S1-1-第一部，S1-2-第二部，P-焊盘。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。
发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)具有功耗小、使用寿命长和无污染等优势。LED的核心结构为PN结，具有正向导通、反射截止等特性，当向PN结加正向偏压时，n型区的电子和p型区的空穴会在外加电场的作用下运动，电子和空穴发生带间复合之后产生的能量以光子的形式释放，从而发光。但是这种同质结构的LED的发光效率较低，因此常引入多异质结结构制作LED来提高发光效率。
具有多量子阱结构的LED器件在正向偏转时，电子和空穴在外加电场的作用下运动至多量子阱层，增大了电子与空穴波函数的重合率，提高了其复合发光效率。
Micro LED继承了LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。目前的微型发光二极管在制作时先形成大尺寸的外延片，在对外延片进行刻蚀形成微型发光二极管芯片，在蚀刻工艺中会对芯片的侧壁造成损伤，形成较多的悬空键。这些悬空键连接在一起会形成稳定的漏电通道，导致电流的非辐射复合，影响发光效率。
有鉴于此，本发明实施例提供一种显示装置，可以在不改变微型发光二极管芯片尺寸的情况下，对芯片侧壁缺陷进行修复，并且可以进一步制作外部电极增加外部偏压，减小非辐射复合的发生，提高微型发光二极管芯片的发光效率。
图1a为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之一。图1b为本发明实施例提供的显示装置的俯视图之一。
参照图1a，显示装置包括：驱动基板10、多个微型发光二极管20、绝缘层30和多个侧壁电极40。
驱动基板10包括衬底基板101和驱动线路层102。衬底基板101位于显示装置的底部，具有支撑和承载作用。衬底基板101通常情况下为一矩形结构，当应用于异形显示装置时，其形状适应于显示装置的形状。
在本发明实施例中，衬底基板101采用的材料可以为热导系数较高的玻璃，采用热导系数较高的玻璃制作衬底基板101，可以使显示装置在显示时发出的热量很快地散发出去，避免了温度过高引起的降低发光效率的问题，另外，玻璃基板表面光滑平整，有利于后期的加工制作；此外，衬底基板101也可以采用柔性材料进行制作，形成柔性显示装置，在此不做限定。
驱动线路层102位于衬底基板101之上，驱动线路层102包括用于驱动微型发光二极管20进行发光的驱动元件以及信号线。本发明实施例提供的驱动线路层102可以采用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)制作工艺制备。
驱动线路层102由多个金属层以及绝缘层组成，通过对金属层以及绝缘层进行构图形成具有特定连接关系的薄膜晶体管、电容以及电阻等驱动元件组成的电路。将驱动线路层102与微型发光二极管20电连接之后，可以由驱动线路层102向微型发光二极管20提供驱动信号，控制微型发光二极管20进行发光。
微型发光二极管20位于驱动线路层102之上，驱动线路层102制作完成后会在其表面形成用于焊接微型发光二极管20的焊盘P，微型发光二极管20焊接于该焊盘P上，从而可以通过控制驱动线路层102的驱动信号驱动微型发光二极管20发光。
微型发光二极管20不同于普通的发光二极管，其尺寸远小于发光二极管的尺寸，具体指微型发光二极管芯片，微型发光二极管可以为Micro LED，具有高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具有自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。在本发明提供的实施例中，微型发光二极管20可以制作成像素级尺寸，直接采用Micro LED作为子像素单元进行图像显示。例如，微型发光二极管20的尺寸可以小于50μm，在此不做限定。
具体地，如图1a所示，微型发光二极管20包括：第一掺杂层201、发光层202和第二掺杂层203。
第一掺杂层201位于焊盘P之上，与驱动线路层102电连接；发光层202位于第一掺杂层201背离驱动线路层102的一侧，发光层202可以采用多量子阱层来提高发光效率；第二掺杂层203位于发光层202背离第一掺杂层201的一侧。
在本发明提供的实施例中，第一掺杂层201和第二掺杂层203位于发光层202的两侧，且两个掺杂层的掺杂类型相反，如果第一掺杂层201进行N型掺杂构成N型掺杂层，则第二掺杂层203进行P型掺杂构成P型掺杂层；如果第一掺杂层201进行P型掺杂构成P型掺杂层，则第二掺杂层203进行N型掺杂构成N型掺杂层。在具体实施时，上述两种结构均可应用，在此不做限定。
绝缘层30覆盖驱动基板10和各微型发光二极管20的表面。绝缘层30包括暴露驱动基板10的第一开口S1和暴露微型发光二极管20背离驱动基板10一侧表面的第二开口S2，并且一个微型发光二极管20对应一个第一开口S1和一个第二开口S2；其中，第二开口S2暴露第二掺杂层203。
绝缘层30可采用化学气相沉积(Chemical Vapr Deposition，简称CVD)或者原子层沉积(Atomic Layer Depostion，简称ALD)等工艺进行制作，具体地，可以将SiO2、SiN2或Al2O3等绝缘材料沉积到驱动线路层102和各微型发光二极管20的表面，然后对绝缘层30进行刻蚀，形成第一开口S1和第二开口S2。
在本发明提供的实施例中，覆盖微型发光二极管20侧壁的绝缘层30可以对微型发光二极管20的侧壁缺陷进行修复，一定程度上避免了微型发光二极管20侧壁漏电流的现象，从而减小非辐射复合的发生，提高微型发光二极管20的发光效率，降低显示装置的整体功耗。
为了进一步抑制微型发光二极管侧壁漏电流，本发明实施例还在覆盖在微型发光二极管20侧壁上的绝缘层30上形成侧壁电极40。
侧壁电极40位于绝缘层30背离驱动基板10的一侧，一个侧壁电极40对应一个微型发光二极管20。其中，侧壁电极40的部分区域覆盖绝缘层30背离微型发光二极管20侧壁的表面，整体呈环形状包围微型发光二极管20侧壁上的绝缘层30，侧壁电极40通过第一开口S1与驱动线路层102电连接。
在本发明提供的实施例中，通过驱动基板10向侧壁电极40提供一定的电位，该电位用于限制载流子在微型发光二极管20内的走向，使载流子向芯片内部推动(如图中箭头方向所示)，抑制微型发光二极管20的侧壁漏电流，进一步地减小了非辐射复合的发生，提高了微型发光二极管20的发光效率。
在具体实施时，可以采用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称PVD)或蒸镀等工艺制作侧壁电极40。侧壁电极40可以采用金属等导电材料进行制作，在此不做限定。
在本发明提供的实施例中，第一开口S1用于暴露出驱动基板中的线路，这样在形成侧壁电极40时可以使侧壁电极40与驱动基板10互联，由驱动基板10向其提供电信号。
在具体实施时，上述第一开口S1可以为过孔，采用现有技术中的刻蚀工艺形成，此时第一开口S1可以只在设置位置开孔即可(参照图1b)，由此可以简化工艺。
图2a为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之二。图2b为本发明实施例提供的显示装置的俯视图之二。
参照图2a和图2b，在一些实施例中，上述第一开口S1也可以设置为暴露驱动基板10的环形通槽，即第一开口S1可以设置为如图2b所示的环形状，相应地，驱动基板10对应环形开口的位置设置有用于连接侧壁电极的信号线或电连接结构。侧壁电极40在通过上述的环形第一开口S1与驱动基板电连接时，可以增加侧壁电极40与驱动基板10之间的接触面积，从而降低两者的接触电阻。
当侧壁电极40同时了微型发光二极管中第一掺杂层201和第二掺杂层203表面的绝缘层30时，在对侧壁电极40施加一电位之后，由于第一掺杂层201和第二掺杂层203所施加的电位不同，因此侧壁电极40仅会对与其电位相同的一侧的掺杂层起到排斥载流子的作用，减小漏电流；而对于另一侧的掺杂层起到吸引载流子的作用，反而会增大漏电流的产生。
有鉴于此，在本发明提供将侧壁电极仅设置于微型发光二极管其中一侧的掺杂层所对应的位置，且侧壁电极40以发光层202为分界，不会超过发光层的位置，由此避免上述问题发生。
图3为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之三。
参照图3，在一些实施例中，侧壁电极40覆盖绝缘层30背离驱动基板10一侧的表面；且部分侧壁电极40会覆盖在微型发光二极管侧壁的绝缘层上。其中，侧壁电极40覆盖在微型发光二极管侧壁的绝缘层上的部分区域背离驱动基板10一侧的表面不超过发光层202背离驱动基板10一侧的表面。由图3可以看出，侧壁电极40的上表面不会高于发光层202的上表面。此时，侧壁电极40在施加电信号之后，只会对第一掺杂层201的载流子起到推动作用，而不会影响到第二掺杂层203。侧壁电极40施加电信号之后可以有效的抑制第一掺杂层201区域的侧壁漏电流，减小非辐射复合的发生，提高了微型发光二极管20的发光效率。
在具体实施时，对侧壁电极40施加的电位可以等于焊盘P向第一掺杂层201提供的电位。这样可以使侧壁电极40和焊盘共用一条信号线。
具体地，如图2a所示，可以将侧壁电极40通过第一开口S1连接到驱动基板10上的信号线上，该信号线通过驱动基板10中的线路与焊盘P互联，由此，可以向侧壁电极40和焊盘P施加相同的电位。
或者，如图3所示，也可以增大焊盘P的宽度，使得第一开口S1可以暴露出焊盘P，那么在制作侧壁电极40时可以使侧壁电极40与焊盘P直接接触，从而在向焊盘P施加电信号时，焊盘P和侧壁电极40上的电位相等。
如图3所示，显示装置还包括：填充层50和公共电极60。
填充层50，覆盖侧壁电极40和绝缘层30背离驱动基板10一侧的表面。填充层50整层设置，对侧壁电极40起到绝缘保护的作用，同时可以使显示装置的表面平整。
填充层50可以采用有机树脂层、SiNX或SiOX等材料进行制作，在此不做限定。
公共电极60位于填充层50和微型发光二极管20背离驱动基板10的一侧，公共电极60通过第二开口S2与第二掺杂层203电连接。
公共电极60整层设置，驱动基板10的边缘位置可以设置一圈公共电极线，通过在公共电极线对应的填充层50和绝缘层30形成环形通槽，可以使公共电极60和公共电极线互联。采用这样的方式设置连接公共电极60可以改善公共电极产生的压降问题。
在具体实施时，公共电极60可以采用的透明导电材料，如ITO、IZO或较薄的金属层进行制作，从而可以保证微型发光二极管20发出的光可以顺利出射。
图4为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之四。
参照图4，在一些实施例中，填充层包括第一填充层51和第二填充层52。
第一填充层51位于绝缘层30背离驱动基板10一侧的表面，且对第一填充51进行构图，形成暴露驱动基板10的第三开口S3，该第三开口S3与第一开口S1一一对应，第一开口S1和第三开口S3相互贯通，暴露出驱动基板10。
侧壁电极40位于第一填充层51背离驱动基板10一侧的表面，且部分侧壁电极覆盖在微型发光二极管侧壁的绝缘层上。其中，侧壁电极40在微型发光二极管侧壁的绝缘层上的部分区域面向驱动基板10一侧的表面不超过发光层202面向驱动基板10一侧的表面。由图4可以看出，侧壁电极40的下表面不会超过发光层202的下表面。此时，对侧壁电极40在施加电信号之后，只会对第二掺杂层203的载流子起到推动作用，而不会影响到第一掺杂层201。侧壁电极40施加电信号之后可以有效的抑制第二掺杂层203区域的侧壁漏电流，减小非辐射复合的发生，提高了微型发光二极管20的发光效率。
侧壁电极40可以采用气相沉积或蒸镀工艺进行制作，侧壁电极40通过第一开口S1和第三开口S3与驱动基板10电连接。
在具体实施时，侧壁电极40的电位由驱动基板10独立控制，对侧壁电极40施加的电位可以等于公共电极60向第二掺杂层203提供的电位。具体地，可以驱动基板的表面制作电连接侧壁电极40的连接结构，再将连接结构通过驱动基板10的线路与公共电极信号线互联，从而对侧壁电极40施加公共电极相同的信号。或者，也可以根据实际情况向侧壁电极40施加合适的电位，在此不做限定。
进一步地，在侧壁电极40和第一填充层51背离驱动基板10一侧的表面还设置有第二填充层52。第二填充层52整层设置，具有对侧壁电极40进行绝缘保护的作用，同时可以使显示装置的表面平整。
第一填充层51和第二填充层52均可以采用有机树脂层、SiNX或SiOX等材料进行制作，在此不做限定。
公共电极60位于第二填充层52和微型发光二极管20背离驱动基板10的一侧，公共电极60通过第二开口S2与第二掺杂层203电连接。
图5为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之五。
参照图5，在一些实施例中，在制作侧壁电极40时，可以使侧壁电极40的上表面增高，使侧壁电极的上表面与第二掺杂层203或绝缘层30齐平。这样再制作公共电极60时，可以使公共电极60与侧壁电极40直接接触，使得侧壁电极40与公共电极60电连接。此时，驱动基板10提供给侧壁电极40的信号与公共电极60信号的电位相等。
图6为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之六，图7为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之七。
参照图6和图7，在一些实施例中，侧壁电极包括第一侧壁电极41和第二侧壁电极42，填充层包括第一填充层51和第二填充层52，第一开口包括第一部S1-1和第二部S1-2。
第一侧壁电极41覆盖绝缘层30背离驱动基板10一侧的表面，且部分第一侧壁电极41会覆盖在微型发光二极管侧壁的绝缘层上。第一侧壁电极41通过第一部S1-1与驱动基板电连接。
其中，第一侧壁电极41覆盖在微型发光二极管侧壁的绝缘层上的部分区域背离驱动基板10一侧的表面不超过发光层202背离驱动基板10一侧的表面。由图5可以看出，第一侧壁电极40的上表面不会高于发光层202的上表面。此时，第一侧壁电极41在施加电信号之后，只会对第一掺杂层201的载流子起到推动作用，而不会影响到第二掺杂层203。第一侧壁电极41施加电信号之后可以有效的抑制第一掺杂层201区域的侧壁漏电流，减小非辐射复合的发生，提高了微型发光二极管20的发光效率。
第一填充层51覆盖第一侧壁电极41和绝缘层30背离驱动基板10一侧的表面。第一填充层51整层设置，对侧壁电极40起到绝缘保护的作用。对第一填充51进行构图，形成暴露驱动基板10的第三开口S3，该第三开口S3与第一开口S1一一对应，第一开口S1和第三开口S3相互贯通，暴露出驱动基板10。
第二侧壁电极42位于第一填充51背离驱动基板10一侧的表面，且部分侧壁电极覆盖在微型发光二极管侧壁的绝缘层上。第二侧壁电极42通过第三开口S3和第二部S1-2与驱动基板10电连接。
其中，第二侧壁电极42在微型发光二极管侧壁的绝缘层上的部分区域面向驱动基板10一侧的表面不超过发光层202面向驱动基板10一侧的表面。由图5可以看出，第二侧壁电极42的下表面不会超过发光层202的下表面。此时，对第二侧壁电极42在施加电信号之后，只会对第二掺杂层203的载流子起到推动作用，而不会影响到第一掺杂层201。第二侧壁电极42施加电信号之后可以有效的抑制第二掺杂层203区域的侧壁漏电流，减小非辐射复合的发生，提高了微型发光二极管20的发光效率。
由此，通过在第一掺杂层201和第二掺杂层203分别制作第一侧壁电极41和第二侧壁电极42用于抑制对应位置的漏电流，可以有效提高微型发光二极管的发光效率。
第二填充层52覆盖第二侧壁电极42和第一填充层51背离驱动基板10一侧的表面。第二填充层52整层设置，具有对第二侧壁电极42进行绝缘保护的作用，同时可以使显示装置的表面平整。
第一填充层51和第二填充层52均可以采用有机树脂层、SiNX或SiOX等材料进行制作，在此不做限定。
公共电极60位于第二填充层52和微型发光二极管20背离驱动基板10的一侧，公共电极60通过第二开口S2与第二掺杂层203电连接。
在具体实施时，第一侧壁电极41和第二侧壁电极42均与驱动基板10电连接，驱动基板10可以独立地对第一侧壁电极41和第二侧壁电极42施加电位。
驱动基板向第一侧壁电极41提供的电极与向第一掺杂层201提供的电位可以相等，或者也可以根据实际需要对施加在第一侧壁电极41的电位进行调整。
如图6所示，第二侧壁电极42与公共电极不接触，第二侧壁电极42的电位可以等于公共电极的电位，也可以根据实际需要进行调整。
如图7所示，第二侧壁电极42与公共电极接触，两者之间电连接，此时，驱动基板可以向第二侧壁电极42提供公共电极的电位，由此也可以通过第二侧壁电极42向公共电极施加信号。
本发明实施例的另一方面，提供了一种显示装置的制作方法。图8为本发明实施例提供的显示装置的制作方法的流程示意图。
参照图8，本发明实施例提供的显示装置的制作方法，包括：
S10、将各微型发光二极管转移至驱动基板上；
S20、在各微型发光二极管和驱动基板上形成绝缘层；
S30、在绝缘层背离驱动基板的一侧形成侧壁电极。
其中，所述绝缘层包括暴露驱动基板的第一开口，侧壁电极通过第一开口与驱动基板电连接。
本发明实施例先提供一用于提供驱动信号的驱动基板，驱动基板上设置有多个焊盘，将各微型发光二极管转移至驱动基板上，与对应的焊盘焊接；再在各微型发光二极管和驱动基板上形成绝缘层，其中，绝缘层包括暴露驱动基板的第一开口和暴露微型发光二极管背离驱动基板一侧表面的第二开口，并且一个微型发光二极管对应一个第一开口和一个所述第二开口；最后在绝缘层背离驱动基板的一侧形成侧壁电极，其中，一个侧壁电极对应一个微型发光二极管，并且侧壁电极的部分区域覆盖绝缘层背离微型发光二极管侧壁的表面，侧壁电极通过第一开口与驱动基板电连接。由此，可以通过控制驱动基板的驱动信号为侧壁电极提供一定的电位，该电位用于限制载流子在微型发光二极管内的走向，抑制微型发光二极管的侧壁漏电流，减小了非辐射复合的发生，提高了微型发光二极管20的发光效率。
图9a至图9d为本发明实施例提供的显示装置的制作方法各步骤对应的截面结构示意图。
具体地，参照图9a，本发明实施例提供的显示装置的制作方法，先提供一用于提供驱动信号的驱动基板10，驱动基板10包括衬底基板101和驱动线路层102。驱动线路层102的表面具设置有用于焊接微型发光二极管的焊盘P。将各微型发光二极管20转移到驱动基板10的上方与焊盘P进行对位后，将各微型发光二极管20焊接到驱动基板10对应的焊盘P上。
微型发光二极管20包括靠近驱动基板10一侧的第一掺杂层201，位于第一掺杂层201背离驱动基板10一侧的发光层202和位于发光层202背离第一掺杂层201一侧的第二掺杂层203。第一掺杂层201可以为P型掺杂层，第二掺杂层203可以为N型掺杂层；或者第一掺杂层201可以为N型掺杂层，第二掺杂层203可以为P型掺杂层；发光层202可以为多量子阱层。
参照图9b，在各微型发光二极管20和驱动基板10上形成绝缘层30，绝缘层30可采用CVD或者ALD工艺将SiO2、SiN2或Al2O3等绝缘材料沉积到驱动线路层102和各微型发光二极管20的表面，然后对绝缘层30进行刻蚀，形成第一开口S1和第二开口S2。其中，第一开口S1暴露驱动基板10，第二开口S2暴露第二掺杂层203。
绝缘层30可以对微型发光二极管20的侧壁缺陷进行修复，一定程度上避免了微型发光二极管20侧壁漏电流的现象，从而减小非辐射复合的发生，提高微型发光二极管20的发光效率。
参照图9c，在绝缘层30背离驱动基板10的表面以及绝缘层30背离微型发光二极管20的第一掺杂层201的表面形成侧壁电极40，侧壁电极40覆盖绝缘层30背离微型发光二极管20侧壁的部分区域背离驱动基板10一侧的表面不超过发光层202背离驱动基板10一侧的表面，侧壁电极40通过第一开口S1与驱动线路层102电连接。
侧壁电极40的高度不超过发光层202，因此侧壁电极40位于第一掺杂层201所在的位置。在对侧壁电极40施加电信号之后，只会对第一掺杂层201的载流子起到推动作用，而不会影响到第二掺杂层203。对侧壁电极40施加电信号之后可以有效的抑制第一掺杂层201区域的侧壁漏电流，减小非辐射复合的发生，提高了微型发光二极管20的发光效率。
参照图9d，在侧壁电极40和绝缘层30背离驱动基板10的一侧形成填充层50。最后在填充层50和微型发光二极管20背离驱动基板10的一侧形成公共电极60，公共电极60通过第二开口S2与第二掺杂层203电连接，最终完成如图1a所示的显示装置的制作。
图10a至图10c为本发明实施例提供的另一显示装置的制作方法各步骤对应的截面结构示意图。
参照图10a，本发明提供的实施例在形成绝缘层30后，在绝缘层30背离驱动基板10的一侧形成第一填充层51，第二填充层51包括暴露驱动基板10的第三开口S3，第三开口S3与第一开口S1一一对应。
参照图10b，在第一填充层51背离绝缘层30的一侧以及绝缘层30背离微型发光二极管20的第二掺杂层203的表面形成侧壁电极40。侧壁电极40覆盖绝缘层30背离微型发光二极管20侧壁的部分区域面向驱动基板10一侧的表面不超过发光层202面向驱动基板10一侧的表面，侧壁电极40通过第一开口S1和第三开口S3与驱动基板10电连接。
侧壁电极40的最低高度不超过发光层202的最低高度，因此侧壁电极40位于第二掺杂层203所在的位置。在对侧壁电极40施加电信号之后，只会对第二掺杂层203的载流子起到推动作用，而不会影响到第一掺杂层201。对侧壁电极40施加电信号之后可以有效的抑制第二掺杂层203区域的侧壁漏电流，减小非辐射复合的发生，提高了微型发光二极管20的发光效率。
参照图10c，在侧壁电极40背离第一填充层51的一侧形成第二填充层52。最后在第二填充层52和微型发光二极管20背离驱动基板10的一侧形成公共电极60，公共电极60通过第二开口S2与第二掺杂层203电连接，最终完成如图5所示的显示装置的制作。
图11a至图11e为本发明实施例提供的另一显示装置的制作方法各步骤对应的截面结构示意图。
参照图11a，在形成驱动基板10和微型发光二极管20后，再在各微型发光二极管20和驱动基板10上形成绝缘层30，在对绝缘层构图之后形成第一开口的第一部S1-1和第二部S1-2，以及第二开口S2。其中，第一部S1-1和第二部S1-2暴露驱动基板，第二开口S2暴露第二掺杂层203。
参照图11b，在绝缘层30背离驱动基板10的表面以及绝缘层30背离微型发光二极管20的第一掺杂层201的表面形成第一侧壁电极41，第一侧壁电极41通过第一部S1-1与驱动基板10电连接。
其中，第一侧壁电极41覆盖绝缘层30背离微型发光二极管20侧壁的部分区域背离驱动基板10一侧的表面不超过发光层202背离驱动基板10一侧的表面。第一侧壁电极41的高度不超过发光层202，因此第一侧壁电极41位于第一掺杂层201所在的位置。在对第一侧壁电极41施加电信号之后，只会对第一掺杂层201的载流子起到推动作用，而不会影响到第二掺杂层203。对第一侧壁电极41施加电信号之后可以有效的抑制第一掺杂层201区域的侧壁漏电流，减小非辐射复合的发生，提高了微型发光二极管20的发光效率。
参照图11c，在第一侧壁电极41和绝缘层30背离驱动基板10的一侧形成第一填充层51，对第一填充层51构图形成第三开口S3，第三开口S2与第二部S1-2一一对应，可以暴露出驱动基板10。
参照图11d，在第一填充层51背离绝缘层30的一侧以及绝缘层30背离微型发光二极管20的第二掺杂层203的表面形成第二侧壁电极42，第二侧壁电极42通过第三开口S3和第二部S1-2与驱动基板10电连接。
其中，第二侧壁电极42覆盖绝缘层30背离微型发光二极管20侧壁的部分区域面向驱动基板10一侧的表面不超过发光层202面向驱动基板10一侧的表面。第二侧壁电极42的最低高度不超过发光层202的最低高度，因此第二侧壁电极42位于第二掺杂层203所在的位置。在对第二侧壁电极42施加电信号之后，只会对第二掺杂层203的载流子起到推动作用，而不会影响到第一掺杂层201。对第二侧壁电极42施加电信号之后可以有效的抑制第二掺杂层202区域的侧壁漏电流，减小非辐射复合的发生，提高了微型发光二极管20的发光效率。
参照图11e，在第二侧壁电极42背离第一填充层51的一侧形成第二填充层52。最后在第二填充层52和微型发光二极管20背离驱动基板10的一侧形成公共电极60，公共电极60通过第二开口S2与第二掺杂层203电连接，最终完成如图7所示的显示装置的制作。
根据第一发明构思，在微型发光二极管的侧壁设置绝缘层可以对微型发光二极管的侧壁缺陷进行修复，一定程度上抑制载流子非辐射复合。
根据第二发明构思，在绝缘层背离微型发光二极管侧壁的表面设置侧壁电极可以抑制微型发光二极管的侧壁漏电流，减小非辐射复合的发生，提高微型发光二极管的发光效率。
根据第三发明构思，在侧壁电极和绝缘层背离驱动基板的一侧还设置的填充层，用于对侧壁电极进行绝缘保护，并使得显示装置的表面平整化。公共电极位于填充层背离驱动基板的一侧，通过绝缘层的第二开口与微型发光二极管电连接。
根据第四发明构思，公共电极整层设置，驱动基板的边缘位置设置一圈公共电极线，填充层和绝缘层对应公共电极线的位置形成环形通槽，公共电极通过环形通槽和公共电极线互联，由此改善公共电极产生的压降问题。
根据第五发明构思，微型发光二极管包括靠近驱动基板的第一掺杂层，远离驱动基板的第二掺杂层和位于第一掺杂层和第二掺杂层之间的发光层。其中第一掺杂层和第二掺杂层采用的基质材料相同，掺杂类型相反；发光层为多量子阱层。微型发光二极管可以采用垂直结构或水平结构。
根据第六发明构思，侧壁电极位于第一掺杂层侧壁表面的绝缘层上，侧壁电极通过绝缘层的第一开口与驱动基板电连接。侧壁电极背离驱动基板一侧的表面不会超过发光层背离驱动基板一侧的表面。该侧壁电极在施加电信号之后对第一掺杂层内的载流子具有推动作用，对第二掺杂层无影响，由此可以减小漏电流。
根据第七发明构思，位于第一掺杂层一侧的侧壁电极的电位与第一掺杂层施加的电位相等。侧壁电极可以通过驱动基板与焊盘相连，或者直接连接在焊盘上。
根据第八发明构思，侧壁电极位于第一填充层之上，位于第二掺杂层侧壁表面的绝缘层上，侧壁电极通过绝缘层的第一开口和第一填充层的第三开口与驱动基板电连接。侧壁电极面向驱动基板一侧的表面不会超过发光层面向驱动基板一侧的表面。侧壁电极在施加电信号之后对第二掺杂层内的载流子具有推动作用，对第一掺杂层无影响，由此可以减小漏电流。
根据第九发明构思，位于第二掺杂层一侧的侧壁电极的电位与第二掺杂层施加的电位相等。
根据第十发明构思，侧壁电极包括第一侧壁电极和第二侧壁电极。第一侧壁电极位于第一掺杂层侧壁表面的绝缘层上，第一侧壁电极通过绝缘层的第一部与驱动基板电连接；第一填充层位于第一侧壁电极上，第二侧壁电极位于第一填充层上，位于第二掺杂层侧壁表面的绝缘层上，侧壁电极通过绝缘层的第二部和第一填充层的第三开口与驱动基板电连接。第一侧壁电极在施加电信号之后对第一掺杂层内的载流子具有推动作用，对第二掺杂层无影响，第二侧壁电极在施加电信号之后对第二掺杂层内的载流子具有推动作用，对第一掺杂层无影响，由此可以减小漏电流。
根据第十一发明构思，位于第一掺杂层一侧的第一侧壁电极的电位与第一掺杂层施加的电位相等，位于第二掺杂层一侧的第二侧壁电极的电位与第二掺杂层施加的电位相等。
根据第十二发明构思，第一开口的形状设置为点状，简化形成过孔的工艺。
根据第十三发明构思，第一开口的形状设置为环状，增大侧壁电极与驱动基板的接触面积，降低接触电阻。
根据第十四发明构思，显示装置的制作方法包括：
将各微型发光二极管转移至驱动基板上；
在各微型发光二极管和驱动基板上形成绝缘层；绝缘层包括暴露驱动基板的第一开口和暴露微型发光二极管背离驱动基板一侧表面的第二开口；一个微型发光二极管对应一个第一开口和一个第二开口；
在绝缘层背离驱动基板的一侧形成侧壁电极；一个侧壁电极对应一个微型发光二极管，侧壁电极的部分区域覆盖绝缘层背离微型发光二极管侧壁的表面；侧壁电极通过第一开口与驱动基板电连接。
根据第十五发明构思，在绝缘层背离驱动基板的一侧形成侧壁电极，包括：
在绝缘层背离驱动基板的表面形成侧壁电极；侧壁电极覆盖绝缘层背离微型发光二极管侧壁的部分区域背离驱动基板一侧的表面不超过发光层背离驱动基板一侧的表面；
在侧壁电极和绝缘层背离驱动基板的一侧形成填充层；
在填充层和微型发光二极管背离驱动基板的一侧形成公共电极；公共电极通过第二开口与第二掺杂层电连接；
根据第十六发明构思，在绝缘层背离驱动基板的一侧形成侧壁电极，包括：
在绝缘层背离驱动基板的一侧形成第一填充层；第一填充层包括暴露驱动基板的第三开口，第三开口与第一开口一一对应；
在第一填充层和绝缘层背离驱动基板一侧的表面形成侧壁电极；侧壁电极覆盖绝缘层背离微型发光二极管侧壁的部分区域面向驱动基板一侧的表面不超过发光层面向驱动基板一侧的表面；侧壁电极通过第一开口和第三开口与驱动基板电连接；
在侧壁电极和第一填充层背离驱动基板的一侧形成第二填充层；
在第二填充层和微型发光二极管背离驱动基板的一侧形成公共电极；公共电极通过第二开口与第二掺杂层电连接；
根据第十七发明构思，侧壁电极分为第一侧壁电极和第二侧壁电极，第一开口分为第一部和第二部；
在绝缘层背离驱动基板的一侧形成侧壁电极，包括：
在绝缘层背离驱动基板的表面形成第一侧壁电极；第一侧壁电极覆盖绝缘层背离微型发光二极管侧壁的部分区域背离驱动基板一侧的表面不超过发光层背离驱动基板一侧的表面；第一侧壁电极通过第一部与驱动基板电连接；
在第一侧壁电极和绝缘层背离驱动基板的一侧形成第一填充层；第一填充层包括暴露驱动基板的第三开口，第三开口与第二部一一对应；
在第一填充层和绝缘层背离驱动基板一侧的表面形成第二侧壁电极；第二侧壁电极覆盖绝缘层背离微型发光二极管侧壁的部分区域面向驱动基板一侧的表面不超过发光层面向驱动基板一侧的表面；第二侧壁电极通过第三开口和第二部与驱动基板电连接；
在第二侧壁电极和第一填充层背离驱动基板的一侧形成第二填充层；
在第二填充层和微型发光二极管背离驱动基板的一侧形成公共电极；公共电极通过第二开口与第二掺杂层电连接。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
驱动基板，用于提供驱动信号；
多个微型发光二极管，位于所述驱动基板之上，与所述驱动基板电连接；
绝缘层，覆盖所述驱动基板和各所述微型发光二极管的表面；所述绝缘层包括暴露所述驱动基板的第一开口和暴露所述微型发光二极管背离所述驱动基板一侧表面的第二开口；一个所述微型发光二极管对应一个所述第一开口和一个所述第二开口；
多个侧壁电极，位于所述绝缘层背离所述驱动基板的一侧；一个所述侧壁电极对应一个所述微型发光二极管，所述侧壁电极的部分区域覆盖所述绝缘层背离所述微型发光二极管侧壁的表面；所述侧壁电极通过所述第一开口与所述驱动基板电连接。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述微型发光二极管包括：
第一掺杂层，位于所述驱动基板之上，与所述驱动基板电连接；
发光层，位于所述第一掺杂层背离所述驱动基板的一侧；
第二掺杂层，位于所述发光层背离所述第一掺杂层的一侧；所述第二开口暴露所述第二掺杂层；
所述第一掺杂层为P型掺杂层，所述第二掺杂层为N型掺杂层；或者，所述第一掺杂层为N型掺杂层，所述第二掺杂层为P型掺杂层；所述发光层为量子阱层。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，还包括：
填充层，覆盖所述绝缘层和所述侧壁电极背离所述驱动基板一侧的表面；
公共电极，位于所述填充层和所述微型发光二极管背离所述驱动基板的一侧；所述公共电极通过所述第二开口与所述第二掺杂层电连接。
4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述侧壁电极覆盖所述绝缘层背离所述驱动基板一侧的表面；
所述侧壁电极覆盖所述绝缘层背离所述微型发光二极管侧壁的部分区域背离所述驱动基板一侧的表面不超过所述发光层背离所述驱动基板一侧的表面。
5.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述填充层包括第一填充层和第二填充层；
所述第一填充层覆盖所述绝缘层背离所述驱动基板一侧的表面；所述第一填充层包括暴露所述驱动基板的第三开口，所述第三开口与所述第一开口一一对应；
所述侧壁电极覆盖所述第一填充层和所述绝缘层背离所述驱动基板一侧的表面；所述侧壁电极覆盖所述绝缘层背离所述微型发光二极管侧壁的部分区域面向所述驱动基板一侧的表面不超过所述发光层面向所述驱动基板一侧的表面；所述侧壁电极通过所述第一开口和所述第三开口与所述驱动基板电连接；
所述第二填充层覆盖所述侧壁电极和所述第一填充层背离所述驱动基板一侧的表面；
所述公共电极位于所述第二填充层和所述微型发光二极管背离所述驱动基板的一侧。
6.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述侧壁电极包括第一侧壁电极和第二侧壁电极；所述填充层包括第一填充层和第二填充层；所述第一开口分为第一部和第二部；
所述第一侧壁电极覆盖所述绝缘层背离所述驱动基板一侧的表面，所述第一侧壁电极覆盖所述绝缘层背离所述微型发光二极管侧壁的部分区域背离所述驱动基板一侧的表面不超过所述发光层背离所述驱动基板一侧的表面；所述第一侧壁电极通过所述第一部与所述驱动基板电连接；
所述第一填充层覆盖所述绝缘层和所述第一侧壁电极背离所述驱动基板一侧的表面；所述第一填充层包括暴露所述驱动基板的第三开口，所述第三开口与所述第二部一一对应；
所述第二侧壁电极覆盖所述第一填充层和所述绝缘层背离所述驱动基板一侧的表面；所述第二侧壁电极覆盖所述绝缘层背离所述微型发光二极管侧壁的部分区域面向所述驱动基板一侧的表面不超过所述发光层面向所述驱动基板一侧的表面；所述第二侧壁电极通过所述第二部和所述第三开口与所述驱动基板电连接；
所述第二填充层覆盖所述第二侧壁电极和所述第一填充层背离所述驱动基板一侧的表面；
所述公共电极位于所述第二填充层和所述微型发光二极管背离所述驱动基板的一侧。
7.如权利要求1-6任一项所述的显示装置，其特征在于，所述第一开口的形状为点状或圆环状。
8.如权利要求4-6任一项所述的显示装置，其特征在于，所述侧壁电极的电位与该侧壁电极靠近的掺杂层一侧的电位相等。
9.一种显示装置的制作方法，其特征在于，包括：
将各微型发光二极管转移至所述驱动基板上；
在各所述微型发光二极管和所述驱动基板上形成绝缘层；所述绝缘层包括暴露所述驱动基板的第一开口和暴露所述微型发光二极管背离所述驱动基板一侧表面的第二开口；一个所述微型发光二极管对应一个所述第一开口和一个所述第二开口；
在所述绝缘层背离所述驱动基板的一侧形成侧壁电极；一个所述侧壁电极对应一个所述微型发光二极管，所述侧壁电极的部分区域覆盖所述绝缘层背离所述微型发光二极管侧壁的表面；所述侧壁电极通过所述第一开口与所述驱动基板电连接。
10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述微型发光二极管包括靠近所述驱动基板的第一掺杂层，位于所述第一掺杂层背离所述驱动基板一侧的发光层和位于所述发光层背离所述第一掺杂层一侧的第二掺杂层；
所述在所述绝缘层背离所述驱动基板的一侧形成侧壁电极，包括：
在所述绝缘层背离所述驱动基板的表面形成侧壁电极；所述侧壁电极覆盖所述绝缘层背离所述微型发光二极管侧壁的部分区域背离所述驱动基板一侧的表面不超过所述发光层背离所述驱动基板一侧的表面；
在所述侧壁电极和所述绝缘层背离所述驱动基板的一侧形成填充层；
在所述填充层和所述微型发光二极管背离所述驱动基板的一侧形成公共电极；所述公共电极通过所述第二开口与所述第二掺杂层电连接；
或者，所述在所述绝缘层背离所述驱动基板的一侧形成侧壁电极，包括：
在所述绝缘层背离所述驱动基板的一侧形成第一填充层；所述第一填充层包括暴露所述驱动基板的第三开口，所述第三开口与所述第一开口一一对应；
在所述第一填充层和所述绝缘层背离所述驱动基板一侧的表面形成侧壁电极；所述侧壁电极覆盖所述绝缘层背离所述微型发光二极管侧壁的部分区域面向所述驱动基板一侧的表面不超过所述发光层面向所述驱动基板一侧的表面；所述侧壁电极通过所述第一开口和所述第三开口与所述驱动基板电连接；
在所述侧壁电极和所述第一填充层背离所述驱动基板的一侧形成第二填充层；
在所述第二填充层和所述微型发光二极管背离所述驱动基板的一侧形成公共电极；所述公共电极通过所述第二开口与所述第二掺杂层电连接；
或者，所述侧壁电极分为第一侧壁电极和第二侧壁电极，所述第一开口分为第一部和第二部；
所述在所述绝缘层背离所述驱动基板的一侧形成侧壁电极，包括：
在所述绝缘层背离所述驱动基板的表面形成所述第一侧壁电极；所述第一侧壁电极覆盖所述绝缘层背离所述微型发光二极管侧壁的部分区域背离所述驱动基板一侧的表面不超过所述发光层背离所述驱动基板一侧的表面；所述第一侧壁电极通过所述第一部与所述驱动基板电连接；
在所述第一侧壁电极和所述绝缘层背离所述驱动基板的一侧形成第一填充层；所述第一填充层包括暴露所述驱动基板的第三开口，所述第三开口与所述第二部一一对应；
在所述第一填充层和所述绝缘层背离所述驱动基板一侧的表面形成第二侧壁电极；所述第二侧壁电极覆盖所述绝缘层背离所述微型发光二极管侧壁的部分区域面向所述驱动基板一侧的表面不超过所述发光层面向所述驱动基板一侧的表面；所述第二侧壁电极通过所述第三开口和所述第二部与所述驱动基板电连接；
在所述第二侧壁电极和所述第一填充层背离所述驱动基板的一侧形成第二填充层；
在所述第二填充层和所述微型发光二极管背离所述驱动基板的一侧形成公共电极；所述公共电极通过所述第二开口与所述第二掺杂层电连接。
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