CN115548142A - 一种太阳能电池及光伏组件 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及一种太阳能电池及光伏组件，包括基底和第一电极，第一电极设置于基底的表面，并与基底电连接，其中，沿基底的厚度方向，第一电极设置有第一导电层、第二导电层以及第一传输层，第一传输层位于第一导电层与第二导电层之间，第一传输层为半导体材料，用于使第一导电层与第二导电层电连接。这样设计有利于降低太阳能电池发生尖楔效应的可能性，从而有利于减少太阳能电池的复合损失，提高太阳能电池的短路电压以及电池效率，另一方面，还有利于减少高成本的金属浆料的用量，从而有利于降低第一电极的生产成本，进而有利于降低整个太阳能电池的生产成本。

Description

一种太阳能电池及光伏组件
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件。
背景技术
随着技术的发展，太阳能电池的应用领域越来越广泛，太阳能电池中的电极通常由金属浆料制备而成，金属浆料在烧结的过程中容易发生尖楔效应，容易对太阳能电池的整体性能产生影响，且目前电极所需的金属浆料成本较高，导致整个太阳能电池的生产成本增加。
发明内容
本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件，用于解决太阳能电池容易发生尖楔效应的问题，并能够降低太阳能电池的生产成本。
本申请实施例提供了一种太阳能电池，包括基底和第一电极，所述第一电极设置于所述基底的表面，并与所述基底电连接，其中，沿所述基底的厚度方向，所述第一电极设置有第一导电层、第二导电层以及第一传输层，所述第一传输层位于所述第一导电层与所述第二导电层之间，所述第一传输层为半导体材料，用于使所述第一导电层与所述第二导电层电连接。
在一种可能的实施方式中，所述第一导电层和所述第二导电层的电导率大于所述第一传输层的电导率。
在一种可能的实施方式中，所述半导体材料包括多晶硅、微晶硅、非晶硅、纳米晶硅中的至少一种。
在一种可能的实施方式中，所述第一传输层为掺杂半导体层，所述第一传输层与所述第一导电层和/或所述第二导电层之间形成有掺杂区，所述掺杂区为P型掺杂区或N型掺杂区。
在一种可能的实施方式中，所述第一传输层为本征半导体层。
在一种可能的实施方式中，所述第一导电层和所述第二导电层为金属材料层，其中，所述第一导电层包括的金属成分与所述第二导电层包括的金属成分不同。
在一种可能的实施方式中，所述第一导电层位于所述第一传输层靠近所述基底的表面的一侧，所述第一导电层通过银铝浆料烧结而成，所述第二导电层通过铝浆料或银铝浆料烧结而成。
在一种可能的实施方式中，沿所述基底的厚度方向，所述第一导电层厚度D1满足：1μm≤D1≤10μm，所述第一传输层厚度D2满足：10μm≤D2≤1000μm，所述第二导电层厚度D3满足：5μm≤D2≤50μm。
在一种可能的实施方式中，所述基底沿厚度方向具有相对设置的第一表面和第二表面，所述太阳能电池还包括第二电极，所述第二电极能够与所述基底电连接，在所述第一表面和所述第二表面中，一者设置有所述第一电极，另一者设置有所述第二电极。
在一种可能的实施方式中，所述第二电极沿厚度方向设置有第三导电层、第四导电层和第二传输层，所述第二传输层位于所述第三导电层与所述第四导电层之间，所述第二传输层为半导体材料，用于使所述第三导电层与所述第四导电层电连接。
在一种可能的实施方式中，所述基底沿厚度方向具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一电极设置在所述第一表面和所述第二表面。
在一种可能的实施方式中，沿远离所述基底的方向，所述第一表面依次设置有发射极以及第一钝化膜，所述第一电极设置于所述第一钝化膜远离所述发射极的一侧，所述第一电极能够穿透所述第一钝化膜，并与所述发射极电连接。
在一种可能的实施方式中，所述基底为具有第一掺杂极性的硅基底，所述第一传输层为具有第二掺杂极性的半导体层，所述第一掺杂极性和所述第二掺杂极性相反。
在一种可能的实施方式中，沿远离所述基底的方向，所述第二表面依次设置有隧穿层、掺杂导电层以及第二钝化膜，所述第一电极设置于所述第二钝化膜远离所述隧穿层的一侧，所述第一电极能够穿透所述第二钝化膜，并与所述掺杂导电层电连接。
在一种可能的实施方式中，所述基底为具有第一掺杂极性的硅基底，所述第一传输层为具有第二掺杂极性的半导体层，所述第一掺杂极性和所述第二掺杂极性相同，且所述第二掺杂极性与所述掺杂导电层的掺杂极性相同。
本申请实施例还提供了一种光伏组件，包括至少一个电池串、封装层和盖板，所述电池串由多个以上任一项中太阳能电池电连接组成，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。
本申请实施例提供了一种太阳能电池及光伏组件，包括基底和第一电极，第一电极设置于基底的表面，并与基底电连接，其中，沿基底的厚度方向，第一电极设置有第一导电层、第二导电层以及第一传输层，第一传输层位于第一导电层与第二导电层之间，第一传输层为半导体材料，用于使第一导电层与第二导电层电连接。这样的设计在保证第一电极具有良好的电流传输的力能的同时，有利于降低太阳能电池发生尖楔效应的可能性，有利于减少太阳能电池的复合损失，提高太阳能电池的短路电压以及电池效率，另一方面，还有利于减少高成本的金属浆料的用量，从而有利于降低第一电极的生产成本，进而有利于降低整个太阳能电池的生产成本。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。
附图说明
图1为本申请实施例所提供的一种太阳能电池在第一实施例中的示意图；
图2为本申请实施例所提供的一种太阳能电池在第二实施例中的示意图；
图3为本申请实施例所提供的一种太阳能电池在第三实施例中的示意图；
图4为本申请实施例所提供的一种太阳能电池在第四实施例中的示意图；
图5为本申请实施例所提供的一种光伏组件的示意图。
附图标记：
10-太阳能电池；
1-基底；
11-第一表面；
12-第二表面；
2-第一电极；
21-第一导电层；
22-第二导电层；
23-第一传输层；
231-掺杂区；
3-第二电极；
31-第三导电层；
32-第四导电层；
33-第二传输层；
4-发射极；
5-第一钝化膜；
6-隧穿层；
7-掺杂导电层；
8-第二钝化膜；
100-电池串；
200-封装层；
300-盖板。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
具体实施方式
为了更好的理解本申请的技术方案，下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。
应当明确，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
需要注意的是，本申请实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本申请实施例的限定。此外，在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件连接在另一个元件“上”或者“下”时，其不仅能够直接连接在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接连接在另一个元件“上”或者“下”。
如图1所示，本申请实施例提供了一种太阳能电池10，包括基底1和第一电极2，第一电极2设置于基底1的表面，并与基底1电连接，其中，沿基底1的厚度方向，第一电极2设置有第一导电层21、第二导电层22以及第一传输层23，第一传输层23位于第一导电层21与第二导电层22之间，第一传输层23为半导体材料，用于使第一导电层21与第二导电层22电连接。
第一传输层23是一种半导体材料，并非纯金属材料、金属氧化物材料以及者绝缘材料，并且第一传输层23的导电性能介于导体与绝缘体之间。而第一导电层21和第二导电层22可以通过金属浆料进行制备，因此第一导电层21和第二导电层22可以具备较为良好的导电性能。在本申请实施例中，第一电极2可以采用叠层结构的设计，将第一电极2分为三层结构，并在第一导电层21和第二导电层22之间设置第一传输层23，其中，第一传输层23能够对第一导电层21和第二导电层22起到物理隔离以及电学连通作用，不仅降低了第一导电层21和第二导电层22直接接触的可能，还可以实现第一导电层21和第二导电层22之间实现电连接。
在目前的太阳能电池中，硅基底表面会设置金属电极，金属电极可以由金属浆料制备而成，在金属浆料烧结的过程中，会发生尖楔效应，即金属电极的电极晶粒可以形成类似于楔形的结构与硅基底接触，并穿入到硅基底中，尖楔效应容易导致太阳能电池的复合增加，并对太阳能电池的短路电压以及电池效率造成影响。在相关技术中，金属电极通常为纯金属电极，例如纯银电极或者银铝电极，这些电极在与基底电连接时，容易发生尖楔效应，导致太阳能电池的复合增加，太阳能电池的短路电压以及电池效率降低。另一方面，为了保证电极的电学性能，相关技术中通常会使用足量的金属浆料来制备电极，金属浆料中会包含银等贵金属元素，导致电极的生产成本较高，从而增加了太阳能电池的生产制造的成本。
相较于相关技术而言，本申请实施例中的太阳能电池10中的第一电极2通过采取叠层结构的设计，将第一电极2的结构分为第一导电层21、第一传输层23以及第二导电层22三层结构，使第一导电层21和第二导电层22通过第一传输层23进行物理隔离，并能够通过第一传输层23实现电流传输。由于第一传输层23为半导体材料，因此第一传输层23有利于降低第一导电层21和第二导电层22二者之间电导率，同时有利于降低了第一导电层21和第二导电层22二者直接接触可能，即降低了第一导电层21和第二导电层22之间直接电连接的可能，从而有利于降低了第一导电层21中的电极晶粒和第二导电层22中的电极晶粒相互掺杂，并一同向基底1发生扩散而导致尖楔效应发生的可能。这样的设计在保证第一电极2具有良好的电流传输的力能的同时，还有利于降低第一电极2的电极晶粒穿入基底1的可能性，即有利于降低太阳能电池10发生尖楔效应的可能，进而有利于减少太阳能电池10的复合损失，提高太阳能电池10的短路电压以及电池效率。另一方面，通过叠层结构的设计，使得第一导电层21和第二导电层22各自的材料能够实现分开设计，从而在二者能够进行电连接的前提下，可以在其中一层设置成本较低的材料，减少高成本的金属浆料的用量，从而有利于降低第一电极2的生产成本，进而有利于降低整个太阳能电池10的生产成本。
在一种可能的实施方式中，第一导电层21和第二导电层22的电导率大于第一传输层23的电导率。
由于第一导电层21和第二导电层22可以为金属材料，例如金属铝、金属银金属铜或金属镍等，而第一传输层23为半导体材料，例如多晶硅、微晶硅等，因此，第一导电层21和第二导电层22的电导率可以大于第一传输层23的电导率。其中，在常温的条件下，第一传输层23的电导率的范围可以在0.1S/m~10S/m，可选地，第一传输层23的电导率可以为0.1S/m、3S/m、5S/m、8S/m或者10S/m。而第一导电层21和第二导电层22由于所含有的金属成分不同，二者在电导率上也会有所差异，其中，第一导电层21可以位于第一传输层23靠近基底1的一侧，其电导率的范围可以在60S/m~100S/m，可选地，第一导电层21的电导率可以为60S/m、75S/m、85S/m、95S/m或者100S/m。而第二导电层22可以位于第一传输层23远离基底1的一侧，其电导率的范围可以在40S/m~60S/m，可选地，第二导电层22的电导率可以为40S/m、45S/m、50S/m、55S/m或者60S/m。
这样设计可以使第一传输层23在实现第一导电层21和第二导电层22电连接的同时，还可以降低第一导电层21和第二导电层22之间的电导率，即发挥了半导体的作用，从而在保证第一电极2的电学性能的同时，还能够降低太阳能电池10发生尖楔效应的可能。
在一种可能的实施方式中，半导体材料包括多晶硅、微晶硅、非晶硅、纳米晶硅中的至少一种。
第一传输层23可以包括多晶硅、微晶硅、非晶硅以及纳米晶硅这些材料中的一种或者多种。其中，这些半导体材料可以为本征半导体材料，或者，也可以是掺杂有其他元素的掺杂半导体材料，具体地，根据所掺杂元素的不同，掺杂半导体的掺杂极性可以为P型或者N型。
通过将第一传输层23设置为半导体层，在对第一导电层21和第二导电层22实现物理隔离作用的同时，又可以实现第一导电层21和第二导电层22之间实现电连接，从而使第一电极2实现较为良好的电流传输性能。
如图1所示，在一种可能的实施方式中，第一传输层23为掺杂半导体层，第一传输层23与第一导电层21和/或第二导电层22之间形成有掺杂区231，掺杂区231为P型掺杂区或N型掺杂区。
具体地，当第一传输层23为掺杂半导体时，由于第一导电层21和第二导电层22的材料与第一传输层23的材料不同，因此第一导电层21和/或第二导电层22中的一部分组分元素会向第一传输层23中发生掺杂，从形成掺杂区231。根据第一导电层21、第二导电层22以及第一传输层23具体的材料，掺杂区231的掺杂极性可以P型或者N型。其中，掺杂区231的掺杂极性需要与第一传输层23的掺杂极性保持相同，具体地，当第一传输层23为一种P型多晶硅时，导电层与第一传输层23所形成的掺杂区231的掺杂极性也对应地为P型。
使掺杂区231的掺杂极性与第一传输层23的掺杂极性保持相同，有利于降低掺杂区231对第一传输层23的性能造成影响的可能，从而有利于使第一传输层23发挥半导体的作用，实现对第一导电层21和第二导电层22起到物理隔离以及电学连通的功能。
在一种可能的实施方式中，第一传输层23为本征半导体层。
具体地，在第一电极2中，第一传输层23可以为一种本征半导体，本征半导体即为不含掺杂元素的纯净的半导体，相较于掺杂半导体而言，本征半导体的导电能力较弱。第一传输层23可以在掺杂半导体或本征半导体中进行选择，这样设计有利于提高第一电极2的使用范围，以满足不同太阳能电池10的使用需要。
在一种可能的实施方式中，第一导电层21和第二导电层22为金属材料层，其中，第一导电层21包括的金属成分与第二导电层22包括的金属成分不同。
第一导电层21和第二导电层22可以通过相应的金属浆料进行制备，其中，金属浆料之间所含的金属成分不同。需要说明的是，第一导电层21与第二导电层22所包括的组分元素的种类可以相同，但二者中各个组分元素的比例含量互不相同。具体地，第一导电层21和第二导电层22均可以由银铝浆料烧结而成，即二者的组分元素均为银元素和铝元素，但第一导电层21中银元素与铝元素的比例与第二导电层22中的比例不同，具体地，第一导电层21中银元素的质量分数约在85%~92%之间，铝元素的质量分数约在0.5%~3%之间，而第二导电层22中银元素的质量分数约在0%~2%之间，铝元素的质量分数约在70%~95%之间，其中，第二导电层中银元素的含量可以为0。
因第一导电层21和第二导电层22为金属材料层，相较于为半导体层的第一传输层23而言，第一导电层21和第二导电层22具有较高的电导率，有利于实现第一电极2与基底1之间良好电连接关系，从而有利于提高太阳能电池10的工作的稳定性。另一方面，第二导电层22相较于第一导电层21而言银元素的含量大幅降低，从而有利于节省第一电极2中银的使用量，进而有利于降低第一电极2的生产成本。
在一种可能的实施方式中，第一导电层21位于第一传输层23靠近基底1的表面的一侧，第一导电层21通过银铝浆料烧结而成，第二导电层22通过铝浆料或银铝浆料烧结而成。
第二导电层22可以位于第一传输层23远离基底1的一侧，第二导电层22可以含有少量的银元素，或者也可以不含银元素，即第二导电层22可以为纯金属铝层。在第一电极2中，为了使第一导电层21能够与基底1形成良好的电连接，并使第一电极2具有较低的电阻以及良好的电流传输能力，可以使用足量的铝浆料对第二导电层22进行制备，且铝浆料的成本较低，使用铝浆料有利于降低第一电极2的生产成本。在本实施方式中，第一传输层23可以为掺杂半导体层，其掺杂极性可以为P型，此时，第二导电层22中可以有少量的铝元素扩散到第一传输层23中，因铝元素可以在第一传输层23中形成P型掺杂，所以掺杂区231的掺杂极性与第一传输层23的掺杂极性相同。
相关技术中，金属电极在制备过程中通常需要使用足量银铝浆料，其中由于银的成本较高，从而导致整个太阳能电池的生产成本增加。且足量的银铝浆料也容易导致太阳能电池发生尖楔效应，具体的原因是因为基底中的硅元素在铝元素中的溶解度比较大，当基底中的硅元素向金属电极中发生扩散时，金属电极中的铝元素也会向基底中扩散，若此时硅元素和铝元素扩散得不均匀,那么铝元素会在硅基底上会形成楔形结构，即发生尖楔效应，从而对太阳电池的性能造成影响。
相较于现有技术而言，本申请实施例通过对第一电极2进行叠层设计，可以使第一导电层21和第二导电层22分别由不同的金属材料组成，而其中铝浆料的使用成本较低，因此这样设计可以有利于降低银铝浆料的用量，从而有利于减少银的用量，进而有利于降低电极的生产成本，以降低太阳能电池10的生产成本。另一方面，使用足量的铝浆料可以使第一电极2具有良好的电学性能，且由于在第一导电层21与第二导电层22之间设置有第一传输层23，有利于降低了第二导电层22中的铝元素向第一导电层21中进行扩散的可能，从而有利于降低第一导电层21中铝元素的含量，进而有利于降低太阳能电池10发生尖楔效应的可能，以减少太阳能电池10的复合损失，提高太阳能电池10的短路电压以及电池效率。
在一种可能的实施方式中，沿基底1的厚度方向，第一导电层21厚度D1满足：1μm≤D1≤10μm，第一传输层23厚度D2满足：10μm≤D2≤1000μm，第二导电层22厚度D3满足：5μm≤D2≤50μm。
可选地，第一导电层21的厚度D1可以为1μm、3μm、5μm、8μm或10μm，也可以是上述范围内的其他值，在此不做限定。
可选地，第一传输层23厚度D2可以为10μm、50μm、100μm、500μm或1000μm，也可以是上述范围内的其他值，在此不做限定。
可选地，第二导电层22厚度D3可以为5μm、10μm、20μm、35μm或50μm，也可以是上述范围内的其他值，在此不做限定。
通过对第一导电层21、第一传输层23以及第二导电层22的厚度进行设计，有利于满足第一电极2对各个层的使用需要，进而有利于第一电极2在太阳能电池10中的使用，以降低太阳能电池10发生尖楔效应的可能，并且有利于降低第一电极2的生产成本。
如图1和图2所示，在一种可能的实施方式中，基底1沿厚度方向具有相对设置的第一表面11和第二表面12，太阳能电池10还包括第二电极3，第二电极3能够与基底1电连接，在第一表面11和第二表面12中，一者设置有第一电极2，另一者设置有第二电极3。
具体地，第一表面11可以是基底1的正面，即面向太阳，用于接收太阳光的一面，而第二表面12可以为基底1的背面。第一电极2和第二电极3可以分别设置在第一表面11和第二表面12上，其中，第二电极3可以为一种纯金属电极，即第二电极3可以为不具有叠层结构设计的电极。更具体地，第二电极3可以是一种纯银电极。第二电极3可以在设置在基底1的背面，而第一电极2设置在基底1的正面。或者，第二电极3可以设置在基底1的正面，而第一电极2设置在基底1的背面。
这样设计有利于提高第一电极2使用的灵活性，在第二电极3的配合下，第一电极2可以根据太阳能电池10的实际的使用需要设置基底1的正面或基底1的背面，从而有利于提高太阳能电池10的性能，降低太阳能电池10的生产成本。
如图3所示，在一种可能的实施方式中，第二电极3沿厚度方向设置有第三导电层31、第四导电层32和第二传输层33，第二传输层33位于第三导电层31与第四导电层32之间，第二传输层33为半导体材料，用于使第三导电层31与第四导电层32电连接。
具体地，第二电极3可以具有与第一电极2相同的叠层结构设计，其中，第三导电层31、第四导电层32均可以为金属材料层，第二传输层33可以为本征半导体层或者掺杂半导体层，其中，第二传输层33的电导率小于第三导电层31与第四导电层32。第二电极3与第一电极2在结构上可以相同，而第二电极3中第三导电层31、第二传输层33以及第四导电层32各自的材料可以与第一电极2的不同，具体可以根据太阳能电池10实际的使用需要进行设置。
这样设置使基底1的两侧均可以设置有具有叠层结构设计的电极，从而进一步有利于降低基底1两侧均发生尖楔效应可能，有利于减少太阳能电池10发生的复合损耗，提高太阳能电池10的电池效率。另一方面，这样设计进一步有利于节省银这类贵金属的用量，从而有利于降低太阳能电池10的生产成本。
如图4所示，在一种可能的实施方式中，基底1沿厚度方向具有相对设置的第一表面11和第二表面12，第一电极2设置在第一表面11和第二表面12。
在本实施方式中，基底1的正面和背面可以均设置有第一电极2，当两个第一电极2的第一传输层23均为掺杂半导体层时，两个第一传输层23的掺杂极性可以相反。
通过在基底1的两侧设置第一电极2，同样有利于降低基底1两侧均发生尖楔效应可能，有利于减少太阳能电池10发生的复合损耗，提高太阳能电池10的电池效率，并有利于节省银浆的用量，从而降低太阳能电池10的生产成本。
如图4所示，在一种可能的实施方式中，沿远离基底1的方向，第一表面11依次设置有发射极4以及第一钝化膜5，第一电极2设置于第一钝化膜5远离发射极4的一侧，第一电极2能够穿透第一钝化膜5，并与发射极4电连接。
具体地，第一表面11可以是基底1的正面，基底1与发射极4可以共同形成PN结结构，其中，基底1可以为P型硅基底，发射极4可以为N型发射极，P型硅基底和N型发射极可以共同组成PN结结构，或者，基底1可以为N型硅基底，而发射极4可以为P型发射极。可选地，基底1包括但不限于单晶硅基底、多晶硅基底、纳米晶硅基底等。在发射极4远离基底1的一侧设置有第一钝化膜5，第一钝化膜5可以对第一表面11起到钝化作用，从而有利于提高太阳能电池10的性能，具体地，第一钝化膜5可以包括氮化硅、氧化铝等组分，且第一钝化膜5可以采用叠层设计，其中，每一层的折射率以及厚度均可以做出相应的设计。
将第一电极2设置在基底1的正面，有利于降低第一电极2的电极晶粒穿透发射极4的可能性，进而有利于降低基底1的正面发生尖楔效应的可能，从而有利于减少太阳能电池10的复合损失，提升太阳能电池10的短路电压以及电池效率，并有利于降低整个太阳能电池10的生产成本。
在一种可能的实施方式中，基底1为具有第一掺杂极性的硅基底，第一传输层23为具有第二掺杂极性的半导体层，第一掺杂极性和第二掺杂极性相反。
具体地，当基底1为N型硅基底时，连接到基底1正面的第一电极2的第一传输层23可为P型半导体层，而当基底1为P型硅基底时，第一传输层23可为N型半导体层。且在第一电极2设置在基底1的正面时，第一传输层23的掺杂极性可以与发射极4的掺杂极性相同。
这样设计有利于提高发射极4性能的稳定性，降低了在第一电极2对发射极4性能造成影响的可能，进而有利于提高基底1与发射极4之间形成的PN结结构的稳定性，从而有利于保证太阳能电池10的性能。
如图4所示，在一种可能的实施方式中，沿远离基底1的方向，第二表面12依次设置有隧穿层6、掺杂导电层7以及第二钝化膜8，第一电极2设置于第二钝化膜8远离隧穿层6的一侧，第一电极2能够穿透第二钝化膜8，并与掺杂导电层7电连接。
具体地，第二表面12可以为基底1的背面，隧穿层6可以为氧化硅层，其厚度范围可以设置在0.5nm~2.5nm。隧穿层6能够作为多数载流子的隧穿层，同时能够对基底1的表面进行化学钝化，从而有利于减少界面态。掺杂导电层7可以在基底1的背面形成能带弯曲，实现载流子的选择性传输，有利于减少复合损失，保证了载流子的传输效率。当基底1为N型硅基底时，掺杂导电层7可以为一种N型多晶硅层。第一电极2可以与掺杂导电层7电连接，且第一电极2可以不穿透隧穿层6，从而能够保持良好的界面钝化。第二钝化膜8可以包括氮化硅、氧化铝等组分，并能够对基底1的背面起到钝化作用。第二钝化膜8也可以采用叠层设计，第二钝化膜8中每一层的折射率以及厚度均可以做出相应的设计，从而使第二钝化膜8能够作为太阳能电池10的光学匹配层来使用。
将第一电极2设置在基底1的背面，有利于降低第一电极2的电极晶粒穿透隧穿层6的可能性，进而有利于降低基底1的背面发生尖楔效应的可能，从而有利于减少太阳能电池10的复合损失，提升太阳能电池10的短路电压以及电池效率，并有利于降低整个太阳能电池10的生产成本。
在一种可能的实施方式中，基底1为具有第一掺杂极性的硅基底，第一传输层23为具有第二掺杂极性的半导体层，第一掺杂极性和第二掺杂极性相同，且第二掺杂极性与掺杂导电层7的掺杂极性相同。
具体地，当基底1为N型硅基底时，连接到基底1背面的第一电极2的第一传输层23可以为N型半导体层，且掺杂导电层7也为N型掺杂导电层。
这样设计有利于降低第一电极2影响掺杂导电层7的性能可能，从而有利于使掺杂导电层7对基底1的背面起到钝化作用，进而有利于使掺杂导电层7实现载流子的选择性传输，减少太阳能电池10的复合损失，有利于提升太阳能电池10的电池效率。
如图5所示，本申请实施例还提供了一种光伏组件，包括至少一个电池串100、封装层200和盖板300，电池串100由多个上述的太阳能电池10电连接组成，封装层200用于覆盖电池串100的表面，盖板300用于覆盖封装层200远离电池串100的表面。
在电池串100中，多个太阳能电池10以串联和/或并联的形式进行电连接。通过层压工艺可以将盖板300，封装层200以及电池串100按照一定的顺序进行压制从而得到层压组件，后续可以给层压组件安装边框以形成光伏组件。光伏组件通过电池串100可以起到光电转化的作用，即可以将太阳能电池10吸收的光能转化为电能。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (16)

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
基底（1）；
第一电极（2），所述第一电极（2）设置于所述基底（1）的表面，并与所述基底（1）电连接；
其中，沿所述基底（1）的厚度方向，所述第一电极（2）设置有第一导电层（21）、第二导电层（22）以及第一传输层（23），所述第一传输层（23）位于所述第一导电层（21）与所述第二导电层（22）之间，所述第一传输层（23）为半导体材料，用于使所述第一导电层（21）与所述第二导电层（22）电连接。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一导电层（21）和所述第二导电层（22）的电导率大于所述第一传输层（23）的电导率。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述半导体材料包括多晶硅、微晶硅、非晶硅、纳米晶硅中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一传输层（23）为掺杂半导体层，所述第一传输层（23）与所述第一导电层（21）和/或所述第二导电层（22）之间形成有掺杂区（231），所述掺杂区（231）为P型掺杂区或N型掺杂区。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一传输层（23）为本征半导体层。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一导电层（21）和所述第二导电层（22）为金属材料层，其中，所述第一导电层（21）包括的金属成分与所述第二导电层（22）包括的金属成分不同。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一导电层（21）位于所述第一传输层（23）靠近所述基底（1）的表面的一侧，所述第一导电层（21）通过银铝浆料烧结而成，所述第二导电层（22）通过铝浆料或银铝浆料烧结而成。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，沿所述基底（1）的厚度方向，所述第一导电层（21）厚度D1满足：1μm≤D1≤10μm，所述第一传输层（23）厚度D2满足：10μm≤D2≤1000μm，所述第二导电层（22）厚度D3满足：5μm≤D3≤50μm。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底（1）沿厚度方向具有相对设置的第一表面（11）和第二表面（12），所述太阳能电池（10）还包括第二电极（3），所述第二电极（3）能够与所述基底（1）电连接，在所述第一表面（11）和所述第二表面（12）中，一者设置有所述第一电极（2），另一者设置有所述第二电极（3）。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二电极（3）沿厚度方向设置有第三导电层（31）、第四导电层（32）和第二传输层（33），所述第二传输层（33）位于所述第三导电层（31）与所述第四导电层（32）之间，所述第二传输层（33）为半导体材料，用于使所述第三导电层（31）与所述第四导电层（32）电连接。
11.根据权利要求1至4中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底（1）沿厚度方向具有相对设置的第一表面（11）和第二表面（12），所述第一电极（2）设置在所述第一表面（11）和所述第二表面（12）。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于，沿远离所述基底（1）的方向，所述第一表面（11）依次设置有发射极（4）以及第一钝化膜（5），所述第一电极（2）设置于所述第一钝化膜（5）远离所述发射极（4）的一侧，所述第一电极（2）能够穿透所述第一钝化膜（5），并与所述发射极（4）电连接。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底（1）为具有第一掺杂极性的硅基底，所述第一传输层（23）为具有第二掺杂极性的半导体层，所述第一掺杂极性和所述第二掺杂极性相反。
14.根据权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于，沿远离所述基底（1）的方向，所述第二表面（12）依次设置有隧穿层（6）、掺杂导电层（7）以及第二钝化膜（8），所述第一电极（2）设置于所述第二钝化膜（8）远离所述隧穿层（6）的一侧，所述第一电极（2）能够穿透所述第二钝化膜（8），并与所述掺杂导电层（7）电连接。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底（1）为具有第一掺杂极性的硅基底，所述第一传输层（23）为具有第二掺杂极性的半导体层，所述第一掺杂极性和所述第二掺杂极性相同，且所述第二掺杂极性与所述掺杂导电层（7）的掺杂极性相同。
16.一种光伏组件，其特征在于，包括：
至少一个电池串（100），所述电池串（100）由多个所述权利要求1至15中任一项所述的太阳能电池（10）电连接组成；
封装层（200），所述封装层（200）用于覆盖所述电池串（100）的表面；
盖板（300），所述盖板（300）用于覆盖所述封装层（200）远离所述电池串（100）的表面。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117276364A (zh) * 2023-11-22 2023-12-22 天合光能股份有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏***
CN117457760A (zh) * 2023-12-22 2024-01-26 隆基绿能科技股份有限公司 一种太阳能电池及其制造方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014054457A1 (ja) * 2012-10-04 2014-04-10 トヨタ自動車株式会社 光起電装置及びその製造方法
CN104157726A (zh) * 2013-05-15 2014-11-19 联景光电股份有限公司 太阳能电池及其制造方法
JP2014229633A (ja) * 2013-05-17 2014-12-08 株式会社カネカ 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール
CN111969071A (zh) * 2020-08-25 2020-11-20 常州时创能源股份有限公司 一种金属化方法和太阳能电池
CN113629155A (zh) * 2021-08-06 2021-11-09 常州时创能源股份有限公司 一种晶硅太阳能电池
CN114600255A (zh) * 2020-09-09 2022-06-07 株式会社东芝 透明电极、透明电极的制造方法和电子器件
CN114649424A (zh) * 2022-03-28 2022-06-21 常州时创能源股份有限公司 晶硅太阳能电池的电极结构
CN115172477A (zh) * 2022-07-26 2022-10-11 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及光伏组件
CN115207159A (zh) * 2022-07-07 2022-10-18 隆基绿能科技股份有限公司 太阳能电池制备方法、太阳能电池及电池组件
CN115241299A (zh) * 2022-07-27 2022-10-25 浙江晶科能源有限公司 一种太阳能电池以及光伏组件
CN115347059A (zh) * 2022-09-01 2022-11-15 浙江晶科能源有限公司 一种太阳能电池及光伏组件

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080041434A1 (en) * 2006-08-18 2008-02-21 Nanosolar, Inc. Methods and devices for large-scale solar installations
EP3223318A1 (en) * 2016-03-23 2017-09-27 Meyer Burger (Germany) AG Hetero junction photovoltaic cell and method of manufacturing same

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014054457A1 (ja) * 2012-10-04 2014-04-10 トヨタ自動車株式会社 光起電装置及びその製造方法
CN104157726A (zh) * 2013-05-15 2014-11-19 联景光电股份有限公司 太阳能电池及其制造方法
JP2014229633A (ja) * 2013-05-17 2014-12-08 株式会社カネカ 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール
CN111969071A (zh) * 2020-08-25 2020-11-20 常州时创能源股份有限公司 一种金属化方法和太阳能电池
CN114600255A (zh) * 2020-09-09 2022-06-07 株式会社东芝 透明电极、透明电极的制造方法和电子器件
CN113629155A (zh) * 2021-08-06 2021-11-09 常州时创能源股份有限公司 一种晶硅太阳能电池
CN114649424A (zh) * 2022-03-28 2022-06-21 常州时创能源股份有限公司 晶硅太阳能电池的电极结构
CN115207159A (zh) * 2022-07-07 2022-10-18 隆基绿能科技股份有限公司 太阳能电池制备方法、太阳能电池及电池组件
CN115172477A (zh) * 2022-07-26 2022-10-11 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及光伏组件
CN115241299A (zh) * 2022-07-27 2022-10-25 浙江晶科能源有限公司 一种太阳能电池以及光伏组件
CN115347059A (zh) * 2022-09-01 2022-11-15 浙江晶科能源有限公司 一种太阳能电池及光伏组件

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117276364A (zh) * 2023-11-22 2023-12-22 天合光能股份有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏***
CN117276364B (zh) * 2023-11-22 2024-04-12 天合光能股份有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏***
CN117457760A (zh) * 2023-12-22 2024-01-26 隆基绿能科技股份有限公司 一种太阳能电池及其制造方法
CN117457760B (zh) * 2023-12-22 2024-04-30 隆基绿能科技股份有限公司 一种太阳能电池及其制造方法

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