CN115509466B - 一种数据管理方法、装置及电子设备和存储介质 - Google Patents

一种数据管理方法、装置及电子设备和存储介质 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种数据管理方法、装置及电子设备和存储介质，涉及数据存储技术领域，该方法包括：在存储器中确定第一存储块和第二存储块；按照预设划分方式将所述第一存储块划分为第一部分和第二部分、将所述第二存储块划分为第三部分和第四部分；将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页、所述第四部分的第三目标页和第四目标页；其中，所述第一目标页在所述第一部分中的偏移与所述第三目标页在所述第四部分中的偏移相同，所述第二目标页在所述第一部分中的偏移与所述第四目标页在所述第四部分中的偏移相同。由此可见，本申请提高了数据记录的准确性。

Description

一种数据管理方法、装置及电子设备和存储介质
技术领域
本申请涉及数据存储技术领域，更具体地说，涉及一种数据管理方法、装置及一种电子设备和一种计算机可读存储介质。
背景技术
NAND Flash目前广泛应用于各种存储场合，理想的闪存存储器应该满足尺寸小，操作速度快，编程电压低，抗擦写能力强，保持时间久等特点。
NAND Flash由块构成，而块又由页组成，块是擦写的最小单位，页是写入的最小单位，在使用过程中，会有各类记录信息，包括坏块信息，负载均衡信息，垃圾回收信息等，因此，这类信息的记录至关重要，一般会从整个NAND中选取若干有效块作为管理块进行信息的记录。
不可否认，管理块也是会出错的，这一般是不允许发生的，因为管理信息记录错误会导致NAND使用异常，信息无法恢复，严重者报废等，这都代表着NAND的稳健性变差。因此，如何有效地利用块记录信息，较大可能性地避免错误地发生，是非常重要的一项研究内容。
双块同步记录法是目前常用的记录方法：是指从NAND坏块表中选择两个有效block（块）进行信息的记录，记录方法是同步从page0开始按照顺序往下写，等到整个block的所有page（页）均被写满后，执行crase擦除动作，再进行下一轮的记录。这种方法通常可以避免单个block出现UNC（硬盘检测中的一个错误），可以及时从另一个block中将有效信息进行同步恢复。
如上所述，当某个block出现UNC的情况，可以通过信息同步的方法使用另一个block进行信息的恢复。但是，不同block同序号的page容易同时出现UNC，所以在记录过程中，两个页同时出现UNC的概率较大。另外。双block记录过程中都写满，此时需要同时进行擦写动作，若此时发生掉电，则信息会全部丢失。
因此，如何提高数据记录的准确性是本领域技术人员需要解决的技术问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种数据管理方法、装置及一种电子设备和一种计算机可读存储介质，提高了数据记录的准确性。
为实现上述目的，本申请提供了一种数据管理方法，包括：
在存储器中确定第一存储块和第二存储块；
按照预设划分方式将所述第一存储块划分为第一部分和第二部分、将所述第二存储块划分为第三部分和第四部分；
将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页、所述第四部分的第三目标页和第四目标页；其中，所述第一目标页在所述第一部分中的偏移与所述第三目标页在所述第四部分中的偏移相同，所述第二目标页在所述第一部分中的偏移与所述第四目标页在所述第四部分中的偏移相同。
其中，所述在存储器中确定第一存储块和第二存储块，包括：
利用高温技术筛选法在存储器中确定第一存储块和第二存储块。
其中，所述利用高温技术筛选法在存储器中确定第一存储块和第二存储块，包括：
向存储器中的所有存储块写入相同的目标内容；
读取所述所有所述存储块的内容，通过对比读取到的内容与所述目标内容确定每个所述存储块的第一错误率；
对所述存储器进行加热操作，读取所有所述存储块的内容，通过对比读取到的内容与所述目标内容确定每个所述存储块的第二错误率；
将所述第一错误率与所述第二错误率相差最小的两个存储块确定为第一存储块和第二存储块。
其中，所述利用高温技术筛选法在存储器中确定第一存储块和第二存储块，包括：
向存储器中的所有存储块写入相同的目标内容；
对所述存储器进行加热操作，读取所有所述存储块的内容，通过对比读取到的内容与所述目标内容确定每个所述存储块的错误率；
将所述错误率最低的两个存储块确定为第一存储块和第二存储块。
其中，所述将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页、所述第四部分的第三目标页和第四目标页，包括：
按照所述第一部分中的页顺序将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页，按照所述第四部分中的页顺序将目标数据记录至所述第四部分的第三目标页和第四目标页；其中，所述第二目标页为所述第一目标页的后一页，所述第四目标页为所述第三目标页的后一页。
其中，所述按照所述第一部分中的页顺序将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页，按照所述第四部分中的页顺序将目标数据记录至所述第四部分的第三目标页和第四目标页之后，还包括：
当接收到所述目标数据的读取命令时，读取所述第一部分中的最后一条数据。
其中，所述读取所述第一部分中的最后一条数据之后，还包括：
若所述第一部分中的最后一条数据读取错误，则读取所述第一部分中的倒数第二条数据。
其中，所述读取所述第一部分中的倒数第二条数据之后，还包括：
若所述第一部分中的最后一条数据和倒数第二条数据均读取错误，则读取所述第四部分中的最后一条数据。
其中，所述读取所述第四部分中的最后一条数据之后，还包括：
若所述第四部分中的最后一条数据读取错误，则读取所述第四部分中的倒数第二条数据。
其中，所述目标数据为所述存储器的管理信息，所述管理信息包括坏块信息、负载均衡信息、垃圾回收信息中任一项或任几项的组合。
其中，所述将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页、所述第四部分的第三目标页和第四目标页之后，还包括：
当所述第一部分写满时，擦除所述第一部分中的所有数据；
读取所述第四部分中最后一条数据，将所述最后一条数据记录至所述第一部分；
擦除所述第四部分中的所有数据，并将所述第一部分中的最后一条数据同步至所述第四部分。
其中，将所述目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页之后，将所述目标数据记录至所述第四部分的第三目标页和第四目标页之前，还包括：
若所述第二存储块出现掉电异常，则在所述第二存储块上电后，将所述第一部分中的最后一条数据同步至所述第四部分。
为实现上述目的，本申请提供了一种数据管理装置，包括：
确定模块，用于在存储器中确定第一存储块和第二存储块；
划分模块，用于按照预设划分方式将所述第一存储块划分为第一部分和第二部分、将所述第二存储块划分为第三部分和第四部分；
记录模块，用于将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页、所述第四部分的第三目标页和第四目标页；其中，所述第一目标页在所述第一部分中的偏移与所述第三目标页在所述第四部分中的偏移相同，所述第二目标页在所述第一部分中的偏移与所述第四目标页在所述第四部分中的偏移相同。
其中，所述确定模块具体用于：利用高温技术筛选法在存储器中确定第一存储块和第二存储块。
其中，所述确定模块具体用于：向存储器中的所有存储块写入相同的目标内容；读取所述所有所述存储块的内容，通过对比读取到的内容与所述目标内容确定每个所述存储块的第一错误率；对所述存储器进行加热操作，读取所有所述存储块的内容，通过对比读取到的内容与所述目标内容确定每个所述存储块的第二错误率；将所述第一错误率与所述第二错误率相差最小的两个存储块确定为第一存储块和第二存储块。
其中，所述确定模块具体用于：向存储器中的所有存储块写入相同的目标内容；对所述存储器进行加热操作，读取所有所述存储块的内容，通过对比读取到的内容与所述目标内容确定每个所述存储块的错误率；将所述错误率最低的两个存储块确定为第一存储块和第二存储块。
其中，所述记录模块具体用于：按照所述第一部分中的页顺序将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页，按照所述第四部分中的页顺序将目标数据记录至所述第四部分的第三目标页和第四目标页；其中，所述第二目标页为所述第一目标页的后一页，所述第四目标页为所述第三目标页的后一页。
其中，还包括：
第一读取模块，用于当接收到所述目标数据的读取命令时，读取所述第一部分中的最后一条数据。
其中，还包括：
第二读取模块，用于若所述第一部分中的最后一条数据读取错误，则读取所述第一部分中的倒数第二条数据。
其中，还包括：
第三读取模块，用于若所述第一部分中的最后一条数据和倒数第二条数据均读取错误，则读取所述第四部分中的最后一条数据。
其中，还包括：
第四读取模块，用于若所述第四部分中的最后一条数据读取错误，则读取所述第四部分中的倒数第二条数据。
其中，所述目标数据为所述存储器的管理信息，所述管理信息包括坏块信息、负载均衡信息、垃圾回收信息中任一项或任几项的组合。
其中，还包括：
擦除模块，用于当所述第一部分写满时，擦除所述第一部分中的所有数据；读取所述第四部分中最后一条数据，将所述最后一条数据记录至所述第一部分；擦除所述第四部分中的所有数据，并将所述第一部分中的最后一条数据同步至所述第四部分。
其中，还包括：
同步模块，用于所述第二存储块出现掉电异常，则在所述第二存储块上电后，将所述第一部分中的最后一条数据同步至所述第四部分。
为实现上述目的，本申请提供了一种电子设备，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上述数据管理方法的步骤。
为实现上述目的，本申请提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述数据管理方法的步骤。
通过以上方案可知，本申请提供的一种数据管理方法，包括：在存储器中确定第一存储块和第二存储块；按照预设划分方式将所述第一存储块划分为第一部分和第二部分、将所述第二存储块划分为第三部分和第四部分；将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页、所述第四部分的第三目标页和第四目标页；其中，所述第一目标页在所述第一部分中的偏移与所述第三目标页在所述第四部分中的偏移相同，所述第二目标页在所述第一部分中的偏移与所述第四目标页在所述第四部分中的偏移相同。
本申请提供的数据管理方法，采用双block的异步记录法，不同block同序号的page同时出现UNC，也即第一存储块中的第一部分和第二存储块中的第三部分同时出现UNC时，可以基于第二存储块中的第四部分进行数据的记录和读取。也即本申请可以保证重要的信息能够被准确记录并读取，能够最大程度的使NAND的信息及时修复，保证NAND***不会由于信息记录的错误而瘫痪。由此可见，本申请提供的数据管理方法，提高了数据记录的准确性。本申请还公开了一种数据管理装置及一种电子设备和一种计算机可读存储介质，同样能实现上述技术效果。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：
图1为根据一示例性实施例示出的一种数据管理方法的流程图；
图2为根据一示例性实施例示出的另一种数据管理方法的流程图；
图3为根据一示例性实施例示出的一种数据管理装置的结构图；
图4为根据一示例性实施例示出的一种电子设备的结构图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。另外，在本申请实施例中，“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
本申请实施例公开了一种数据管理方法，提高了数据记录的准确性。
参见图1，根据一示例性实施例示出的一种数据管理方法的流程图，如图1所示，包括：
S101：在存储器中确定第一存储块和第二存储块；
在本实施例中，在存储器中确定错误率较低的两个存储块作为记录目标数据的存储块，也即第一存储块blockA和第二存储块blockB，本实施例中的存储器可以具体为NAND。作为一种优选实施方式，本步骤可以包括：利用高温技术筛选法在存储器中确定第一存储块和第二存储块。
作为一种可行的实施方式，所述利用高温技术筛选法在存储器中确定第一存储块和第二存储块，包括：向存储器中的所有存储块写入相同的目标内容；对所述存储器进行加热操作，读取所有所述存储块的内容，通过对比读取到的内容与所述目标内容确定每个所述存储块的错误率；将所述错误率最低的两个存储块确定为第一存储块和第二存储块。
在具体实施中，擦写整个存储器，向存储器中的所有存储块写入相同的目标内容，例如全0，尽量不使用全1，因为擦写后的NAND内容为全1，此时无法保证电压跳变最大化。将存储器放入高温箱进行若干小时的加热操作，取出存储器，对存储器进行读取操作，统计所有存储块的错误率情况，选择错误率最低的两个存储块作为第一存储块和第二存储块，分布在奇偶block上。
作为另一种可行的实施方式，所述利用高温技术筛选法在存储器中确定第一存储块和第二存储块，包括：向存储器中的所有存储块写入相同的目标内容；读取所述所有所述存储块的内容，通过对比读取到的内容与所述目标内容确定每个所述存储块的第一错误率；对所述存储器进行加热操作，读取所有所述存储块的内容，通过对比读取到的内容与所述目标内容确定每个所述存储块的第二错误率；将所述第一错误率与所述第二错误率相差最小的两个存储块确定为第一存储块和第二存储块。
在具体实施中，擦写整个存储器，向存储器中的所有存储块写入相同的目标内容，例如全0，尽量不使用全1，因为擦写后的NAND内容为全1，此时无法保证电压跳变最大化。读取整个存储器统计所有存储块的错误率情况。存储器放入高温箱进行若干小时的加热操作，取出存储器，在此对存储器进行读取操作，统计所有存储块的错误率情况，选择错误率差值最小的两个存储块作为第一存储块和第二存储块，分布在奇偶block上。
S102：按照预设划分方式将所述第一存储块划分为第一部分和第二部分、将所述第二存储块划分为第三部分和第四部分；
在本步骤中，将第一存储块和第二存储块按照相同的划分方式划分为两个部分，也即将第一存储块划分为第一部分和第二部分、将第二存储块划分为第三部分和第四部分。其中，第一部分、第二部分、第三部分和第四部分均包含多个页，第一部分在第一存储块中的偏移与第三部分在第二存储块中的偏移相同，第二部分在第一存储块中的偏移与第四部分在第二存储块中的偏移相同，也即第一部分和第三部分容易同时出现UNC，第二部分和第四部分同时出现UNC。
S103：将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页、所述第四部分的第三目标页和第四目标页；其中，所述第一目标页在所述第一部分中的偏移与所述第三目标页在所述第四部分中的偏移相同，所述第二目标页在所述第一部分中的偏移与所述第四目标页在所述第四部分中的偏移相同。
在具体实施中，按照所述第一部分中的页顺序将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页，按照所述第四部分中的页顺序将目标数据记录至所述第四部分的第三目标页和第四目标页；其中，所述第二目标页为所述第一目标页的后一页，所述第四目标页为所述第三目标页的后一页。本实施例中的目标数据可以为存储器的管理信息，该管理信息可以包括坏块信息、负载均衡信息、垃圾回收信息等，本实施例不进行具体限定。
对于有N个page的block来说，记录方式一般从page0开始，到page(N-1)结束。例如，blockA划分为第一部分pageA和第二部分pageB，blockB划分为第三部分pageA和第四部分pageB。为了方便记录，将所有的pageA从0开始编号，所有的pageB也从0开始编号，第i个page分别记为pageAi和pageBi。blockA内记录过程中只写pageA，blockB内只写pageB。而且，为了保证信息的可靠性，每个block在信息记录过程中，都重复写两个page。blockA的pageA(x)记录的信息=blockA的pageA(x+1)记录的信息，x为偶数序列号，blockB的pageB（x）记录的信息=blockB的pageB(x+1)记录的信息，且有：blockA的pageAi记录的信息=blockB的pageBi记录的信息。
本申请实施例提供的数据管理方法，采用双block的异步记录法，不同block同序号的page同时出现UNC，也即第一存储块中的第一部分和第二存储块中的第三部分同时出现UNC时，可以基于第二存储块中的第四部分进行数据的记录和读取。也即本申请实施例可以保证重要的信息能够被准确记录并读取，能够最大程度的使NAND的信息及时修复，保证NAND***不会由于信息记录的错误而瘫痪。由此可见，本申请实施例提供的数据管理方法，提高了数据记录的准确性。
在上述实施例的基础上，作为一种优选实施方式，还包括：当接收到所述目标数据的读取命令时，读取所述第一部分中的最后一条数据。若所述第一部分中的最后一条数据读取错误，则读取所述第一部分中的倒数第二条数据。若所述第一部分中的最后一条数据和倒数第二条数据均读取错误，则读取所述第四部分中的最后一条数据。若所述第四部分中的最后一条数据读取错误，则读取所述第四部分中的倒数第二条数据。
在具体实施中，读blockA的最后一条有效记录，如果不产生UNC，有效信息被得到。读blockA的最后一条有效记录，有UNC，则读取倒数第二条有效信息，不产生UNC，则获得有效信息。读取pageA的最后两条记录均为UNC；则读取blockB的最后两条记录，直到找到非UNC的记录为止。
本申请实施例公开了一种数据管理方法，相对于上一实施例，本实施例对技术方案作了进一步的说明和优化。具体的：
参见图2，根据一示例性实施例示出的另一种数据管理方法的流程图，如图2所示，包括：
S201：当所述第一部分写满时，擦除所述第一部分中的所有数据；
S202：读取所述第四部分中最后一条数据，将所述最后一条数据记录至所述第一部分；
S203：擦除所述第四部分中的所有数据，并将所述第一部分中的最后一条数据同步至所述第四部分。
可以理解的是，不同的MLC（Multi-LevelCell）NAND的pageA和pageB排列并不一致，总数也会不同。当blockA中的pageA或blockB中的pageB有一方写满时，另一个block往往还没有写满。此时便要进行同步处理。例如blockA写满，则需要进行擦除动作，读取blockB的最后一条有效信息，更新到blockA的pageA0和pageA1上，此时将blockB擦除，再将blockA的有效信息同步到blockB的pageB0和pageB1上。
在上述实施例的基础上，作为一种优选实施方式，还包括：若所述第二存储块出现掉电异常，则在所述第二存储块上电后，将所述第一部分中的最后一条数据同步至所述第四部分。
在具体实施中，若block A已经记录完成，block B尚未记录，出现掉电，将blockA的有效信息同步给block B即可。其他情况下，如果发生掉电，重启后读取的均是block A的最后一条有效记录。
下面介绍本申请提供的一种应用实施例，以L06B NAND进行说明，其包括512个block，单个block有256个页。
步骤一：高温筛选块，将所有的块（除去坏块和block0，block1）写入0x00，读出此时每个block的BER（Bit Error Ratio，比特出错概率），放入高温箱85度左右大概一天的时间，重新读取每个block的BER，从中选出错误率较低的两个block，即blockA，blockB，测试中选取的是block9,block20。
步骤二：blockA只写pageA，遇到PageB，便填充全1，blockB只写pageB,遇到pageA,填充全1；每一条有效信息对于两个block都会重复两次，即有效信息实际上记录了四次。
步骤三：blockA写满，擦除blockA,将blockB的信息同步给blockA,然后，擦blockB，同步blockA的有效信息到blockB上。
进行以下几种情况的测试，保证能够得到准确数据：
1、记录单条信息，读取blockA pageA0和pageA1,blockB pageB0和pageB1，对比内容，一致；
2、进行数据读取，blockA的pageA1返回错误，则读pageA0获取记录。
3、blockA的两条记录均有错，从blockB的pageB0或者pageB1能读取有效记录。
4、掉电情况的异常处理。
本发明使用的高温块筛选法，双block的异步记录法，以及 block写满后的同步化处理，都是为了保证重要的信息能够被准确记录，并读取；在任意一方数据丢失的情况下，能够从对方块提取有效信息，甚至是在出现掉电等各类异常情况下，能够最大程度的使NAND的信息及时修复，保证NAND***不会由于信息记录的错误而瘫痪。从block的筛选阶段到信息的记录过程，都最大限度的增强block的健壮性和记录的准确性。不仅解决因页同步出错导致的信息记录错误，还会避免掉电导致的信息丢失等问题。在实际开发或者测试过程中，若需要进行信息实时记录，更新或者恢复 ，可以借鉴上述方法，选择块间横向，块内纵向记录法，保证同时有四条有效记录，可以从一方内或者多方中得到正确的数据。
下面对本申请实施例提供的一种数据管理装置进行介绍，下文描述的一种数据管理装置与上文描述的一种数据管理方法可以相互参照。
参见图3，根据一示例性实施例示出的一种数据管理装置的结构图，如图3所示，包括：
确定模块301，用于在存储器中确定第一存储块和第二存储块；
在本实施例中，在存储器中确定错误率较低的两个存储块作为记录目标数据的存储块，也即第一存储块blockA和第二存储块blockB，本实施例中的存储器可以具体为NAND。作为一种优选实施方式利用高温技术筛选法在存储器中确定第一存储块和第二存储块。
作为一种可行的实施方式，向存储器中的所有存储块写入相同的目标内容；对所述存储器进行加热操作，读取所有所述存储块的内容，通过对比读取到的内容与所述目标内容确定每个所述存储块的错误率；将所述错误率最低的两个存储块确定为第一存储块和第二存储块。
在具体实施中，擦写整个存储器，向存储器中的所有存储块写入相同的目标内容，例如全0，尽量不使用全1，因为擦写后的NAND内容为全1，此时无法保证电压跳变最大化。将存储器放入高温箱进行若干小时的加热操作，取出存储器，对存储器进行读取操作，统计所有存储块的错误率情况，选择错误率最低的两个存储块作为第一存储块和第二存储块，分布在奇偶block上。
作为另一种可行的实施方式，向存储器中的所有存储块写入相同的目标内容；读取所述所有所述存储块的内容，通过对比读取到的内容与所述目标内容确定每个所述存储块的第一错误率；对所述存储器进行加热操作，读取所有所述存储块的内容，通过对比读取到的内容与所述目标内容确定每个所述存储块的第二错误率；将所述第一错误率与所述第二错误率相差最小的两个存储块确定为第一存储块和第二存储块。
在具体实施中，擦写整个存储器，向存储器中的所有存储块写入相同的目标内容，例如全0，尽量不使用全1，因为擦写后的NAND内容为全1，此时无法保证电压跳变最大化。读取整个存储器统计所有存储块的错误率情况。存储器放入高温箱进行若干小时的加热操作，取出存储器，在此对存储器进行读取操作，统计所有存储块的错误率情况，选择错误率差值最小的两个存储块作为第一存储块和第二存储块，分布在奇偶block上。
划分模块302，用于按照预设划分方式将所述第一存储块划分为第一部分和第二部分、将所述第二存储块划分为第三部分和第四部分；
在具体实施中，将第一存储块和第二存储块按照相同的划分方式划分为两个部分，也即将第一存储块划分为第一部分和第二部分、将第二存储块划分为第三部分和第四部分。其中，第一部分、第二部分、第三部分和第四部分均包含多个页，第一部分在第一存储块中的偏移与第三部分在第二存储块中的偏移相同，第二部分在第一存储块中的偏移与第四部分在第二存储块中的偏移相同，也即第一部分和第三部分容易同时出现UNC，第二部分和第四部分同时出现UNC。
记录模块303，用于将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页、所述第四部分的第三目标页和第四目标页；其中，所述第一目标页在所述第一部分中的偏移与所述第三目标页在所述第四部分中的偏移相同，所述第二目标页在所述第一部分中的偏移与所述第四目标页在所述第四部分中的偏移相同。
在具体实施中，按照所述第一部分中的页顺序将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页，按照所述第四部分中的页顺序将目标数据记录至所述第四部分的第三目标页和第四目标页；其中，所述第二目标页为所述第一目标页的后一页，所述第四目标页为所述第三目标页的后一页。本实施例中的目标数据可以为存储器的管理信息，该管理信息可以包括坏块信息、负载均衡信息、垃圾回收信息等，本实施例不进行具体限定。
对于有N个page的block来说，记录方式一般从page0开始，到page(N-1)结束。例如，blockA划分为第一部分pageA和第二部分pageB，blockB划分为第三部分pageA和第四部分pageB。为了方便记录，将所有的pageA从0开始编号，所有的pageB也从0开始编号，第i个page分别记为pageAi和pageBi。blockA内记录过程中只写pageA，blockB内只写pageB。而且，为了保证信息的可靠性，每个block在信息记录过程中，都重复写两个page。blockA的pageA(x)记录的信息=blockA的pageA(x+1)记录的信息，x为偶数序列号，blockB的pageB（x）记录的信息=blockB的pageB(x+1)记录的信息，且有：blockA的pageAi记录的信息=blockB的pageBi记录的信息。
本申请实施例提供的数据管理装置，采用双block的异步记录法，不同block同序号的page同时出现UNC，也即第一存储块中的第一部分和第二存储块中的第三部分同时出现UNC时，可以基于第二存储块中的第四部分进行数据的记录和读取。也即本申请实施例可以保证重要的信息能够被准确记录并读取，能够最大程度的使NAND的信息及时修复，保证NAND***不会由于信息记录的错误而瘫痪。由此可见，本申请实施例提供的数据管理装置，提高了数据记录的准确性。
在上述实施例的基础上，作为一种优选实施方式，所述确定模块301具体用于：利用高温技术筛选法在存储器中确定第一存储块和第二存储块。
在上述实施例的基础上，作为一种优选实施方式，所述确定模块301具体用于：向存储器中的所有存储块写入相同的目标内容；读取所述所有所述存储块的内容，通过对比读取到的内容与所述目标内容确定每个所述存储块的第一错误率；对所述存储器进行加热操作，读取所有所述存储块的内容，通过对比读取到的内容与所述目标内容确定每个所述存储块的第二错误率；将所述第一错误率与所述第二错误率相差最小的两个存储块确定为第一存储块和第二存储块。
在上述实施例的基础上，作为一种优选实施方式，所述确定模块301具体用于：向存储器中的所有存储块写入相同的目标内容；对所述存储器进行加热操作，读取所有所述存储块的内容，通过对比读取到的内容与所述目标内容确定每个所述存储块的错误率；将所述错误率最低的两个存储块确定为第一存储块和第二存储块。
在上述实施例的基础上，作为一种优选实施方式，所述记录模块303具体用于：按照所述第一部分中的页顺序将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页，按照所述第四部分中的页顺序将目标数据记录至所述第四部分的第三目标页和第四目标页；其中，所述第二目标页为所述第一目标页的后一页，所述第四目标页为所述第三目标页的后一页。
在上述实施例的基础上，作为一种优选实施方式，还包括：
第一读取模块，用于当接收到所述目标数据的读取命令时，读取所述第一部分中的最后一条数据。
在上述实施例的基础上，作为一种优选实施方式，还包括：
第二读取模块，用于若所述第一部分中的最后一条数据读取错误，则读取所述第一部分中的倒数第二条数据。
在上述实施例的基础上，作为一种优选实施方式，还包括：
第三读取模块，用于若所述第一部分中的最后一条数据和倒数第二条数据均读取错误，则读取所述第四部分中的最后一条数据。
在上述实施例的基础上，作为一种优选实施方式，还包括：
第四读取模块，用于若所述第四部分中的最后一条数据读取错误，则读取所述第四部分中的倒数第二条数据。
在具体实施中，读blockA的最后一条有效记录，如果不产生UNC，有效信息被得到。读blockA的最后一条有效记录，有UNC，则读取倒数第二条有效信息，不产生UNC，则获得有效信息。读取pageA的最后两条记录均为UNC；则读取blockB的最后两条记录，直到找到非UNC的记录为止。
在上述实施例的基础上，作为一种优选实施方式，所述目标数据为所述存储器的管理信息，所述管理信息包括坏块信息、负载均衡信息、垃圾回收信息中任一项或任几项的组合。
在上述实施例的基础上，作为一种优选实施方式，还包括：
擦除模块，用于当所述第一部分写满时，擦除所述第一部分中的所有数据；读取所述第四部分中最后一条数据，将所述最后一条数据记录至所述第一部分；擦除所述第四部分中的所有数据，并将所述第一部分中的最后一条数据同步至所述第四部分。
可以理解的是，不同的MLC NAND的pageA和pageB排列并不一致，总数也会不同。当blockA中的pageA或blockB中的pageB有一方写满时，另一个block往往还没有写满。此时便要进行同步处理。例如blockA写满，则需要进行擦除动作，读取blockB的最后一条有效信息，更新到blockA的pageA0和pageA1上，此时将blockB擦除，再将blockA的有效信息同步到blockB的pageB0和pageB1上。
在上述实施例的基础上，作为一种优选实施方式，还包括：
同步模块，用于所述第二存储块出现掉电异常，则在所述第二存储块上电后，将所述第一部分中的最后一条数据同步至所述第四部分。
在具体实施中，若block A已经记录完成，block B尚未记录，出现掉电，将blockA的有效信息同步给block B即可。其他情况下，如果发生掉电，重启后读取的均是block A的最后一条有效记录。
关于上述实施例中的装置，其中各个模块执行操作的具体方式已经在有关该方法的实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。
基于上述程序模块的硬件实现，且为了实现本申请实施例的方法，本申请实施例还提供了一种电子设备，图4为根据一示例性实施例示出的一种电子设备的结构图，如图4所示，电子设备包括：
通信接口1，能够与其它设备比如网络设备等进行信息交互；
处理器2，与通信接口1连接，以实现与其它设备进行信息交互，用于运行计算机程序时，执行上述一个或多个技术方案提供的数据管理方法。而所述计算机程序存储在存储器3上。
当然，实际应用时，电子设备中的各个组件通过总线***4耦合在一起。可理解，总线***4用于实现这些组件之间的连接通信。总线***4除包括数据总线之外，还包括电源总线、控制总线和状态信号总线。但是为了清楚说明起见，在图4中将各种总线都标为总线***4。
本申请实施例中的存储器3用于存储各种类型的数据以支持电子设备的操作。这些数据的示例包括：用于在电子设备上操作的任何计算机程序。
可以理解，存储器3可以是易失性存储器或非易失性存储器，也可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器（ROM，Read Only Memory）、可编程只读存储器（PROM，Programmable Read-Only Memory）、可擦除可编程只读存储器（EPROM，Erasable Programmable Read-Only Memory）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM，Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）、磁性随机存取存储器（FRAM，ferromagnetic random access memory）、快闪存储器（Flash Memory）、磁表面存储器、光盘、或只读光盘（CD-ROM，Compact Disc Read-Only Memory）；磁表面存储器可以是磁盘存储器或磁带存储器。易失性存储器可以是随机存取存储器（RAM，Random AccessMemory），其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的RAM可用，例如静态随机存取存储器（SRAM，Static Random Access Memory）、同步静态随机存取存储器（SSRAM，Synchronous Static Random Access Memory）、动态随机存取存储器（DRAM，Dynamic Random Access Memory）、同步动态随机存取存储器（SDRAM，SynchronousDynamic Random Access Memory）、双倍数据速率同步动态随机存取存储器（DDRSDRAM，Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory）、增强型同步动态随机存取存储器（ESDRAM，Enhanced Synchronous Dynamic Random Access Memory）、同步连接动态随机存取存储器（SLDRAM，SyncLink Dynamic Random Access Memory）、直接内存总线随机存取存储器（DRRAM，Direct Rambus Random Access Memory）。本申请实施例描述的存储器3旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。
上述本申请实施例揭示的方法可以应用于处理器2中，或者由处理器2实现。处理器2可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器2中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器2可以是通用处理器、DSP，或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。处理器2可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者任何常规的处理器等。结合本申请实施例所公开的方法的步骤，可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于存储介质中，该存储介质位于存储器3，处理器2读取存储器3中的程序，结合其硬件完成前述方法的步骤。
处理器2执行所述程序时实现本申请实施例的各个方法中的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。
在示例性实施例中，本申请实施例还提供了一种存储介质，即计算机存储介质，具体为计算机可读存储介质，例如包括存储计算机程序的存储器3，上述计算机程序可由处理器2执行，以完成前述方法所述步骤。计算机可读存储介质可以是FRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory、磁表面存储器、光盘、CD-ROM等存储器。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：移动存储设备、ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
或者，本申请上述集成的单元如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请实施例的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台电子设备（可以是个人计算机、服务器、网络设备等）执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分。而前述的存储介质包括：移动存储设备、ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种数据管理方法，其特征在于，包括：
在存储器中确定第一存储块和第二存储块；
按照预设划分方式将所述第一存储块划分为第一部分和第二部分、将所述第二存储块划分为第三部分和第四部分；其中，所述第一部分在所述第一存储块中的偏移与所述第三部分在所述第二存储块中的偏移相同，所述第二部分在所述第一存储块中的偏移与所述第四部分在所述第二存储块中的偏移相同；
将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页、所述第四部分的第三目标页和第四目标页；其中，所述第一目标页在所述第一部分中的偏移与所述第三目标页在所述第四部分中的偏移相同，所述第二目标页在所述第一部分中的偏移与所述第四目标页在所述第四部分中的偏移相同；
其中，所述在存储器中确定第一存储块和第二存储块，包括：
利用高温技术筛选法在存储器中确定第一存储块和第二存储块；其中，所述第一存储块和第二存储块为对所述存储器进行加热操作前后错误率相差最小的两个存储块，或，所述第一存储块和第二存储块为对所述存储器进行加热操作之后错误率最低的两个存储块。
2.根据权利要求1所述数据管理方法，其特征在于，所述利用高温技术筛选法在存储器中确定第一存储块和第二存储块，包括：
向存储器中的所有存储块写入相同的目标内容；
读取所述所有所述存储块的内容，通过对比读取到的内容与所述目标内容确定每个所述存储块的第一错误率；
对所述存储器进行加热操作，读取所有所述存储块的内容，通过对比读取到的内容与所述目标内容确定每个所述存储块的第二错误率；
将所述第一错误率与所述第二错误率相差最小的两个存储块确定为第一存储块和第二存储块。
3.根据权利要求1所述数据管理方法，其特征在于，所述利用高温技术筛选法在存储器中确定第一存储块和第二存储块，包括：
向存储器中的所有存储块写入相同的目标内容；
对所述存储器进行加热操作，读取所有所述存储块的内容，通过对比读取到的内容与所述目标内容确定每个所述存储块的错误率；
将所述错误率最低的两个存储块确定为第一存储块和第二存储块。
4.根据权利要求1所述数据管理方法，其特征在于，所述将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页、所述第四部分的第三目标页和第四目标页，包括：
按照所述第一部分中的页顺序将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页，按照所述第四部分中的页顺序将目标数据记录至所述第四部分的第三目标页和第四目标页；其中，所述第二目标页为所述第一目标页的后一页，所述第四目标页为所述第三目标页的后一页。
5.根据权利要求4所述数据管理方法，其特征在于，所述按照所述第一部分中的页顺序将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页，按照所述第四部分中的页顺序将目标数据记录至所述第四部分的第三目标页和第四目标页之后，还包括：
当接收到所述目标数据的读取命令时，读取所述第一部分中的最后一条数据。
6.根据权利要求5所述数据管理方法，其特征在于，所述读取所述第一部分中的最后一条数据之后，还包括：
若所述第一部分中的最后一条数据读取错误，则读取所述第一部分中的倒数第二条数据。
7.根据权利要求6所述数据管理方法，其特征在于，所述读取所述第一部分中的倒数第二条数据之后，还包括：
若所述第一部分中的最后一条数据和倒数第二条数据均读取错误，则读取所述第四部分中的最后一条数据。
8.根据权利要求7所述数据管理方法，其特征在于，所述读取所述第四部分中的最后一条数据之后，还包括：
若所述第四部分中的最后一条数据读取错误，则读取所述第四部分中的倒数第二条数据。
9.根据权利要求1所述数据管理方法，其特征在于，所述目标数据为所述存储器的管理信息，所述管理信息包括坏块信息、负载均衡信息、垃圾回收信息中任一项或任几项的组合。
10.根据权利要求1所述数据管理方法，其特征在于，所述将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页、所述第四部分的第三目标页和第四目标页之后，还包括：
当所述第一部分写满时，擦除所述第一部分中的所有数据；
读取所述第四部分中最后一条数据，将所述最后一条数据记录至所述第一部分；
擦除所述第四部分中的所有数据，并将所述第一部分中的最后一条数据同步至所述第四部分。
11.根据权利要求1所述数据管理方法，其特征在于，将所述目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页之后，将所述目标数据记录至所述第四部分的第三目标页和第四目标页之前，还包括：
若所述第二存储块出现掉电异常，则在所述第二存储块上电后，将所述第一部分中的最后一条数据同步至所述第四部分。
12.一种数据管理装置，其特征在于，包括：
确定模块，用于在存储器中确定第一存储块和第二存储块；
划分模块，用于按照预设划分方式将所述第一存储块划分为第一部分和第二部分、将所述第二存储块划分为第三部分和第四部分；其中，所述第一部分在所述第一存储块中的偏移与所述第三部分在所述第二存储块中的偏移相同，所述第二部分在所述第一存储块中的偏移与所述第四部分在所述第二存储块中的偏移相同；
记录模块，用于将目标数据记录至所述第一部分中的第一目标页和第二目标页、所述第四部分的第三目标页和第四目标页；其中，所述第一目标页在所述第一部分中的偏移与所述第三目标页在所述第四部分中的偏移相同，所述第二目标页在所述第一部分中的偏移与所述第四目标页在所述第四部分中的偏移相同；
其中，所述确定模块具体用于：利用高温技术筛选法在存储器中确定第一存储块和第二存储块；其中，所述第一存储块和第二存储块为对所述存储器进行加热操作前后错误率相差最小的两个存储块，或，所述第一存储块和第二存储块为对所述存储器进行加热操作之后错误率最低的两个存储块。
13.一种电子设备，其特征在于，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至11任一项所述数据管理方法的步骤。
14.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至11任一项所述数据管理方法的步骤。
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