CN115483327A - Micro LED微显示芯片及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本申请披露了一种Micro LED微显示芯片及其制造方法，该Micro LED微显示芯片包括：驱动面板；多个LED单元，排布在所述驱动面板上，所述多个LED单元具有一一对应的多个LED台面，每一所述LED单元能够由所述驱动面板单独驱动；具有多个栅格孔的栅栏结构，所述多个栅格孔分别围绕所述多个LED台面设置，所述LED台面与对应的所述栅格孔之间形成凹陷区域；波长转换层设置于栅栏结构上，所述波长转换层包括第一波长转换层，所述第一波长转换层具有多个第一波长转换单元，所述第一波长转换单元填充对应的所述凹陷区域，所述LED单元发射第一颜色光，所述第一波长转换单元将所述第一颜色光转换为第二颜色光。

Description

Micro LED微显示芯片及其制造方法
技术领域
本申请实施例涉及LED显示技术领域，并且更为具体地，涉及一种Micro LED微显示芯片及其制造方法。
背景技术
现代社会已经进入信息化并向智能化方向发展，显示是实现信息交换和智能化的关键环节。在目前众多显示技术中，Micro LED显示技术被认为是具有颠覆性的下一代显示技术，并受到了广泛关注。Micro LED显示技术是一种自发光显示技术，通过将阵列化的微米级LED单元（也称LED发光单元）集成在有源寻址驱动面板上，以实现单独控制和点亮，从而输出显示图像。
随着Micro LED微显示技术的出现，使得显示设备如增强现实（augmentedreality，AR）显示设备、虚拟现实（virtual reality，VR）显示设备、近眼显示（near-eyedisplay，NED）以及抬头显示（head up display，HUD）设备等的微型化和高分辨率成为可能。
Micro LED微显示芯片一般会包括多个LED自发光单元，但是，在工作过程中，LED单元发出光比较分散或波长转换材料较少，从而导致Micro LED微显示芯片中波长转换层的波长转换效率较低。
发明内容
本申请实施例提供一种Micro LED微显示芯片及其制造方法。下面对本申请实施例涉及的各个方面进行介绍。
第一方面，提供一种Micro LED微显示芯片，包括：驱动面板；多个LED单元，排布在所述驱动面板上，所述多个LED单元具有一一对应的多个LED台面，每一所述LED单元能够由所述驱动面板单独驱动；具有多个栅格孔的栅栏结构，所述多个栅格孔分别围绕所述多个LED台面设置，所述LED台面与对应的所述栅格孔之间形成凹陷区域；波长转换层设置于栅栏结构上，所述波长转换层包括第一波长转换层，所述第一波长转换层具有多个第一波长转换单元，所述第一波长转换单元填充对应的所述凹陷区域，所述LED单元发射第一颜色光，所述第一波长转换单元将所述第一颜色光转换为第二颜色光。
作为一种可能的实现方式，所述第一波长转换层的上部设置有第一滤光层，所述第一滤光层用于过滤其他颜色光并使所述第二颜色光通过。
作为一种可能的实现方式，所述波长转换层还包括第二波长转换层，所述第二波长转换层具有多个第二波长转换单元，所述第二波长转换单元填充对应的所述凹陷区域，所述第二波长转换单元将所述第一颜色光转换为第三颜色光。
作为一种可能的实现方式，所述第二波长转换层上设置有第二滤光层，所述第二滤光层用于过滤其他颜色光并使所述第三颜色光通过。
作为一种可能的实现方式，所述波长转换层还包括第三波长转换层，所述第三波长转换层具有多个第三波长转换单元，所述第三波长转换单元填充对应的所述凹陷区域，所述第三波长转换单元将所述第一颜色光转换为第四颜色光。
作为一种可能的实现方式，所述第三波长转换层的上部设置有第三滤光层，所述第三滤光层用于过滤其他颜色光并使所述第四颜色光通过。
作为一种可能的实现方式，所述波长转换层的材料包括波长转换粒子以及光刻胶，所述波长转换粒子为荧光粉和/或量子点。
作为一种可能的实现方式，所述波长转换层的顶表面齐平或低于所述栅栏结构的顶表面。
作为一种可能的实现方式，所述栅栏结构的表面设置有反光层，所述反光层设置在所述栅格孔的侧壁和所述栅栏结构的顶表面。
作为一种可能的实现方式，所述LED单元的尺寸为0.1-10微米。
第二方面，提供一种制造Micro LED微显示芯片的方法，包括：提供一驱动面板；在所述驱动面板上形成多个LED单元，所述多个LED单元具有一一对应的多个LED台面，每一所述LED单元能够由所述驱动面板单独驱动；形成具有多个栅格孔的栅栏结构，所述多个栅格孔分别围绕所述多个LED台面设置，所述LED台面与对应的所述栅格孔之间形成凹陷区域；在所述栅栏结构上形成波长转换层，所述波长转换层包括第一波长转换层，所述第一波长转换层具有多个第一波长转换单元，所述第一波长转换单元填充对应的所述凹陷区域，所述LED单元发射第一颜色光，所述第一波长转换单元将所述第一颜色光转换为第二颜色光。
作为一种可能的实现方式，在所述栅栏结构上形成波长转换层，包括：在所述栅栏结构上形成第一波长转换材料层；根据图形化掩膜，对所述第一波长转换材料层进行曝光显影，以形成所述第一波长转换层。
作为一种可能的实现方式，所述方法还包括：在所述第一波长转换层的上部形成第一滤光层，所述第一滤光层用于过滤其他颜色光并使所述第二颜色光通过。
作为一种可能的实现方式，在所述栅栏结构上形成波长转换层，包括：在所述栅栏结构上形成第二波长转换材料层；根据图形化掩膜，对所述第二波长转换材料层进行曝光显影，以形成第二波长转换层；其中，所述第二波长转换层具有多个第二波长转换单元，所述第二波长转换单元填充对应的所述凹陷区域，所述第二波长转换单元将所述第一颜色光转换为第三颜色光。
作为一种可能的实现方式，所述方法还包括：在所述第二波长转换层的上部形成第二滤光层，所述第二滤光层用于过滤其他颜色光并使所述第三颜色光通过。
作为一种可能的实现方式，在所述栅栏结构上形成波长转换层，包括：在所述栅栏结构上形成第三波长转换材料层；根据图形化掩膜，对所述第三波长转换材料层进行曝光显影，以形成第三波长转换层；其中，所述第三波长转换层具有多个第三波长转换单元，所述第三波长转换单元填充对应的所述凹陷区域，所述第三波长转换单元将所述第一颜色光转换为第四颜色光。
作为一种可能的实现方式，所述方法还包括：在所述第三波长转换层的上部形成第三滤光层，所述第三滤光层用于过滤其他颜色光并使所述第四颜色光通过。
作为一种可能的实现方式，在所述栅栏结构上形成波长转换层之前，所述方法还包括：在所述多个栅格孔的栅栏结构表面形成反光层。
作为一种可能的实现方式，在所述栅栏结构表面形成反光层，包括：在所述多个LED台面和所述栅栏结构之上形成反光材料层；对所述多个LED台面上的反光材料层进行刻蚀去除，以在所述栅格孔的侧壁和所述栅栏结构的顶表面形成所述反光层。
作为一种可能的实现方式，在所述驱动面板上形成多个LED单元，包括：在所述驱动面板上形成LED外延层；根据图形化掩膜设计的MESA图形，对所述LED外延层进行刻蚀，以形成所述多个LED单元。
本申请实施例中的Micro LED微显示芯片，包括多个LED单元、具有多个栅格孔的栅栏结构和波长转换层。多个LED单元具有一一对应的多个LED台面，多个栅格孔分别围绕该多个LED台面设置，且LED台面与对应的栅格孔之间形成凹陷区域，波长转换层设置与栅栏结构上，波长转换层中的第一波长转换单元可以对应的填充在对应的凹陷区域。一方面，本方案中第一波长转换单元直接覆盖LED单元，且填充对应凹陷区域，使得波长转换单元更加靠近LED单元，LED单元出光面和侧面的出光都能得到有效利用，填充的波长转换材料也更多，从而提升了波长转换效率。另一方面，栅栏结构围绕LED单元设置，可以防止LED单元的侧壁漏光，且可以聚拢、准直LED发出的光线，进一步提升了Micro LED微显示芯片的波长转换效率。
附图说明
通过结合附图对本申请实施例进行更详细的描述，本申请的上述以及其他目的、特征和优势将变得更加明显。附图用来提供对本申请实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请实施例一起用于解释本申请，并不构成对本申请的限制。在附图中，相同的参考标号通常代表相同部件或步骤。
图1是本申请实施例提供的Micro LED微显示芯片的一种可能的结构示意图。
图2是图1中示出的Micro LED微显示芯片的另一种可能的结构示意图。
图3是本申请一实施例提供的制造Micro LED微显示芯片的方法的流程示意图。
图4是本申请一实施例提供的衬底和外延层的结构示意图。
图5是在图4中示出的外延层上部设置键合层后所得的结构示意图。
图6是图2示出的驱动面板的结构示意图。
图7是在图6中示出的驱动面板上部设置键合层后所得的结构示意图。
图8是本申请一实施例提供的驱动面板与外延层键合的结构示意图。
图9是对图8中示出的外延层进行减薄后所得的结构示意图。
图10是对图9中示出的外延层进行刻蚀后所得的LED单元的结构示意图。
图11是在刻蚀图10中示出的键合层后所得的第一电极层的结构示意图。
图12是在图11中示出的LED单元外部设置钝化层后所得的结构示意图。
图13是在图12中示出的LED单元上部设置第二电极层后所得的结构示意图。
图14是在图13中示出的多个LED单元上部设置刻蚀阻挡层后所得的结构示意图。
图15是在图14中示出的刻蚀阻挡层上部设置栅栏材料层后所得的结构示意图。
图16是在图15中示出栅栏材料层刻蚀后所得的具有多个栅格孔的栅栏结构的结构示意图。
图17是在图16中示出的多个碗状的栅栏结上部设置反光层后所得的结构示意图。
图18是在图17中示出的反光层上部设置牺牲层后所得的结构示意图。
图19是在去除图18中示出的多个栅格孔上部的牺牲层后所得的结构示意图。
图20是在刻蚀图19中示出的多个栅格孔上部的反光层后所得的结构示意图。
图21是在去除图20中示出的多个栅栏结构上部的牺牲层后所得的结构示意图。
图22是在图21中示出的栅栏结构上形成第一波长转换层后所得的结构示意图。
图23是在图22中示出的第一波长转换层上部设置掩膜层后所得的结构示意图。
图24是对图23中示出的第一波长转换层进行曝光显影后所得的结构示意图。
图25是在图24基础上形成第二波长转换单元和第三波长转换单元后所得的结构示意图。
图26是在图25中示出的波长转换层上形成第一滤光层后所得的结构示意图。
图27是在图26中示出的第一滤光层上形成掩膜层后所得的结构示意图。
图28是对图27中示出的第一滤光层进行刻蚀后所得的结构示意图。
图29是去除图28中示出的掩膜层后所得的结构示意图。
图30是在图29基础上形成第二滤光单元和第三滤光单元后所得的结构示意图。
图31是图30中示出的Micro LED微显示芯片不包括反光层的结构示意图。
图32是本申请一实施例提供的显示装置的结构示意图。
图33是本申请一实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。
需要说明的是，需要特别说明，在本申请的描述中，术语“在…上”、“在…之上”、“在…上面”、“在…上方”的含义应该以最广义的方式解释，意味着包含这些术语的描述解释为“部件可以以直接接触的方式设置在另一部件上，也可以在部件与部件之间存在中间部件或层”。
此外，为了便于描述，本申请还可能使用诸如“在…下”、“在…下方”、“在…之下”、“在…上”、“在…之上”、“在…上方”、“下部”、“上部”等空间相对术语来描述一个元件或部件与附图中所示的另一元件或部件的关系。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖装置在使用或操作中的不同方位。设备可以以其他方式定向（旋转90°或以其他定向），并且在本申请中使用的空间相对描述语可以被同样地相应地解释。
本申请中所使用的术语“层”是指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个下层或上层结构上延伸，或者可以在下层或上层结构的局部范围延伸。此外，层可以是均质或不均质连续结构的区域，其厚度小于连续结构的厚度。例如，层可以位于连续结构的顶表面和底表面之间或在其之间的任何一对水平平面之间。层可以水平地、垂直地和/或沿着锥形表面延伸。
现代社会已经进入信息化并向智能化方向发展，显示是实现信息交换和智能化的关键环节。
近年来，Micro-LED因其功耗低、响应快、寿命长、光效率高等特点，被认为是继LCD和OLED之后颠覆产业的“终极显示技术”，也是未来显示技术的主流趋势和发展方向，各大科技巨头纷纷加大布局力度。虽然该领域的关注度持续升温，但不可否认的是，作为一项“资历尚浅”的新技术，在Micro-LED的高亮度、高分辨率及单片全彩方面，仍存在诸多挑战与瓶颈。
在目前众多显示技术中，Micro LED显示技术被认为是具有颠覆性的下一代显示技术，并受到了广泛关注。Micro LED显示技术是一种自发光显示技术，通过将阵列化的微米级LED单元（也称LED单元）集成在有源寻址驱动面板上，以实现单独控制和点亮，从而输出显示图像。
Micro LED显示具有自发光、高效率、低功耗、高集成度、高稳定性等诸多优点，且体积小、灵活性高、易于拆解与合并，能够应用于现有从小尺寸到大尺寸的任何显示应用场合中。
Micro LED又称微型发光二极管，尺寸一般为几百微米。随着Micro LED微显示技术的出现，使得显示设备如增强现实（augmented reality，AR）显示设备、虚拟现实（virtual reality，VR）显示设备、近眼显示（near-eye display，NED）以及抬头显示（headup display，HUD）设备等的微型化和高分辨率成为可能，在这些应用场景中，Micro LED的尺寸大小通常为0.1-10微米。
Micro LED微显示芯片一般会包括多个LED自发光单元，但是，在工作过程中，LED单元发出光比较分散或波长转换材料较少，从而导致Micro LED微显示芯片中波长转换层的波长转换效率较低。
针对上述问题，本申请实施例中的Micro LED微显示芯片，包括多个LED单元、具有多个栅格孔的栅栏结构和波长转换层。多个LED单元具有一一对应的多个LED台面，多个栅格孔分别围绕该多个LED台面设置，且LED台面与对应的栅格孔之间形成凹陷区域，波长转换层设置与栅栏结构上，波长转换层中的第一波长转换单元可以对应的填充在对应的凹陷区域。一方面，本方案中第一波长转换单元直接覆盖LED单元，且填充对应凹陷区域，使得波长转换单元更加靠近LED单元，LED单元出光面和侧面的出光都能得到有效利用，填充的波长转换材料也更多，从而提升了波长转换效率。另一方面，栅栏结构围绕LED单元设置，可以防止LED单元的侧壁漏光，且可以聚拢、准直LED发出的光线，进一步提升了Micro LED微显示芯片的波长转换效率。
图1为本申请实施例提供的Micro LED微显示芯片的一种可能的剖面结构示意图。如图1所示，Micro LED微显示芯片100可以包括驱动面板101、多个LED单元102、具有多个栅格孔的栅栏结构103和波长转换层116。
多个LED单元102可以以规律或者不规律的方式排布在驱动面板101上，作为MicroLED微显示芯片的像素。多个LED单元102可以具有与该多个LED单元102一一对应的多个LED台面，LED单元102也可以称为Micro LED单元，该LED单元102的尺寸大小为0.1-10微米，优选方案中，LED单元102的尺寸小于5微米。
在一些实施方式中，LED单元102可以是微型发光二极管，也可以是微型有机发光二极管，其中，微型发光二极管是基于无机半导体材料形成的，例如，无机半导体材料可以是氮化镓、铝镓氮、砷化镓、铝镓铟磷等，微型有机发光二极管基于有机材料形成的，例如，所述有机材料可以是小分子、聚合物、磷光材料等。
在一些实施例中，LED单元102可以发出第一颜色光，第一颜色光包括但不限于：红光、绿光、蓝光、黄光或紫外光中的任意一种。
在一些实施例中，多个LED台面可以呈梯形结构。该LED台面的侧壁可以为斜面，LED台面的侧壁与顶表面之间的夹角可以为钝角，从而可以提升LED单元的聚光效果。应理解，多个LED台面也可以为柱状结构，此时，LED台面的侧壁与顶表面之间的夹角为直角。
在多个LED单元102的上部还包括栅栏材料层，该栅栏材料层可以是具有多个栅格孔的栅栏结构103，具有多个栅格孔的栅栏结构103包括多个栅格孔和栅栏结构103。该多个栅格孔可以以规律或者不规律的方式进行排布。栅格孔的数量可以与多个LED单元102一一对应设置。多个栅格孔可以分别围绕多个LED台面设置，使得LED台面与对应栅格孔之间形成凹陷区域，该凹陷区可以呈碗状或喇叭状。在一些实施例中，为了提高LED单元102发光的均匀性，可以将LED单元102设置在栅格孔的中心位置，从而使得第一颜色光可以均匀穿过栅格孔。
在一些实施例中，栅栏材料层中的栅格孔可以采用干法刻蚀形成，例如可以将栅格孔的侧壁刻蚀为斜面，且栅格孔的侧壁与栅栏结构的顶表面之间的夹角为钝角。作为一个示例，如图1所示，沿第一方向，栅格孔的横截面尺寸可以逐渐变大，其中，栅格孔横截面为平行于出光面106的截面，一般地，该截面可以为圆形截面或者方形截面，当然该截面也可以为不规则形状截面。栅格孔的结构可以是碗状结构或喇叭状结构，从而可以对LED的发射光线进行准直。
需要说明的是，本申请实施例对具有多个栅格孔的栅栏结构103的材料不做具体限制，具有多个栅格孔的栅栏结构103的材料例如可以包括有机树脂，有机黑矩阵光刻胶、彩色滤光光刻胶、以及聚酰亚胺等。
在一些实施例中，可以将LED台面的侧壁设置为斜面，且LED台面的侧壁与顶表面之间的夹角可以为钝角，同时将栅格孔的侧壁刻蚀为斜面，且栅格孔的侧壁与栅栏结构的顶表面之间的夹角为钝角。通过上述将LED台面的斜面侧壁与上述栅格孔的斜面侧壁组合使用，使光线在二者的斜面上经过多次反射，可以进一步提高LED单元的发光亮度。
波长转换层116设置在栅栏结构103上。波长转换层116包括第一波长转换层1161，第一波长转换层1161可以包括多个第一波长转换单元1161a，第一波长转换单元1161a填充对应的凹陷区域。第一波长转换单元1161a可以填充至少部分的栅格孔，也可以填充所有的栅格孔。第一波长转换单元1161a可以将LED单元102发出的第一颜色光转换为第二颜色光。应理解，第一颜色光与第二颜色光不相同。
在一些实施例中，多个波长转换层116可以完全覆盖多个LED单元102，需要说明的是，第一波长转换单元1161a与LED单元102的正投影可以完全重合，或者，LED单元102位于第一波长转换单元1161a的正投影内。
在一些实施例中，波长转换层116直接覆盖LED单元102，具有多方面的优点。第一方面，波长转换层116包覆LED单元102，使得LED单元102的出光面和侧面的出光都能得到有效利用，对LED单元102的出光利用更完全。第二方面，波长转换层116对LED单元102具有一定的保护作用，且使得波长转换层116不容易脱落，提升良率。同时，最大程度的减小了波长转换层116与LED单元102之间的距离，从而可以提升Micro LED微显示芯片的光转换效率。
在一些实施例中，波长转换层116的顶表面可以齐平或低于栅栏结构103的顶表面。优选方案中，波长转换层116的顶表面可以齐平栅栏结构103的顶表面，齐平的结构不仅可以有效防止相邻LED单元102之间光串扰，还可以保证Micro LED微显示芯片结构的平整性、稳定性，便于后续的生产工艺。
在一些实施例中，LED单元102的尺寸可以在1-2微米之间，栅栏结构103的顶表面与LED单元102出光表面之间的深度为2-4微米。即，栅栏结构103的顶表面与LED单元102出光表面之间的深度大约为LED尺寸的1-2倍。由此，既可以保证Micro LED微显示芯片的光转换效率，又可以保证光亮度。
需要说明的是，LED单元102的尺寸是指LED单元102的出光面尺寸。作为一个示例，当LED单元102为圆柱体时，LED单元102的出光面尺寸为该圆柱体的直径。作为另一个示例，当LED单元102为方体时，LED单元102的出光面尺寸为该方体的边长。
在一些实施例中，波长转换层116的材料包括波长转换粒子和光刻胶，该波长转换粒子例如可以为荧光粉和/或量子点等，本申请实施例对此不做具体限制，比如量子点可以是胶体量子点。波长转换层116可以通过曝光显影工艺获得，制备过程更简单可控。
在一些实施例中，由于栅栏结构103包裹波长转换层116，使得在曝光过程中，波长转换层116可以不完全固化到底部（该底部可以是指靠近LED单元102的底部），进一步地，可以增大底部波长转换粒子的浓度，以提高波长转换效率。示例性地，相较于传统中波长转换粒子的浓度最多为150mg/ml（约40%）的方案，本发明可以将波长转换粒子的浓度提升至300mg/ml（约80%），显著的提高了Micro LED微显示芯片的波长转换效率。
需要说明的是，本申请实施例中的光刻胶包括但不限于Overcoat胶，SU8（近紫外负性光刻胶），苯并环丁烯（benzocyclobutene，BCB）等，也可以为SiO2，Al2O3，Si3N4等。
需要说明的是，荧光粉可以是钇铝石榴石、铈荧光粉、（氧）氮化物荧光粉、硅酸盐荧光粉和Mn4+激活的氟化物荧光粉等。量子点可以包括CdSe、CdS、CdZnSe、CdZnS、CdZnSeS、ZnSeS、ZnSe、CuInS、CuInSe、InP、InZnP以及钙钛矿量子点等中的一种或多种的组合，本申请对此不做具体限制。
在一些实施例中，由于波长转换层116的第一波长转换单元1161a填充于栅格孔中，使得栅栏结构103能够对波长转换层116予以支撑，从而使得波长转换层116可以做的更厚，能大幅提升光转换效率。同时，波长转换层116的侧表面部分地被栅栏结构103包裹，接触面积增大，能够增加粘附性，从而提高良率，拉大工艺窗口。
在一些实施例中，波长转换层116可以包括第一波长转换层1161和第二波长转换层1162。第二波长转换层1162具有多个第二波长转换单元1162a，第一波长转换单元1161a和第二波长转换单元1162a填充于不同的栅格孔；也就是说，第一波长转换单元1161a填充对应的凹陷区域，该对应的凹陷区域包括部分的栅格孔。第二波长转换单元1162a可填充对应的其余凹陷区域，该其余凹陷区域可以为其余所有栅格孔，也可以为中其余所有栅格孔中的部分栅格孔；第二波长转换单元1162a可以将第一颜色光转换为第三颜色光。
在一些实施例中，波长转换层116还包括第三波长转换层1163。第三波长转换层1163具有多个第三波长转换单元1163a；第一波长转换单元1161a、第二波长转换单元1162a以及第三波长转换单元1163a填充对应的凹陷区域，即填充于不同的栅格孔中。也就是说，第一波长转换单元1161a填充部分的栅格孔，第二波长转换单元1162a填充其余的栅格孔中部分的栅格孔，第三波长转换单元1163a填充剩余的部分或者所有栅格孔。第三波长转换单元1163a可以将第一颜色光转换为第四颜色光。
可以理解的是，第二波长转换单元1162a和第三波长转换单元1163a相对于栅格孔的形状构造尺寸，均与第一波长转换单元1163a类似，因结构而产生的有益效果也与第一波长转换单元1161a的效果相同，在此不再重复赘述。
在一些实施例中，第一波长转换单元1161a的材料包括光刻胶、量子点和/或荧光粉；第二波长转换单元1162a的材料包括光刻胶、量子点和/或荧光粉；第三波长转换单元1163a的材料包括光刻胶、量子点和/或荧光粉。
可以理解的是，第一颜色光、第二颜色光、第三颜色光以及第四颜色光均不相同。
可以理解的是，第二颜色光、第三颜色光以及第四颜色光的波长比第一颜色光的波长更长。
可以理解的是，如果第一颜色光为实现的微显示需要的某一波长的光，那么该波长的光对应的波长转换层可以省略。下面以第一波长转换层1161为红光波长转换层，第二波长转换层1162为绿光波长转换层，第三波长转换层1163为蓝光波长转换层为例进行说明。
例如，若LED单元102发出的第一颜色光为蓝光，则第一波长转换层1161为红光波长转换层，第二波长转换层1162为绿光波长转换层。那么相应的蓝色波长转换层就不需要再做。
又如，若LED单元102发出的第一颜色光为紫外光，则第一波长转换层1161为红光波长转换层，第二波长转换层1162为绿光波长转换层，第三波长转换层1163为绿光波长转换层。应理解，与上述波长转换层对应的第一波长转换单元1161a为红色，第二波长转换单元1162a为绿色，第三波长转换单元1163a为蓝色。
在一些实施例中，第一波长转换层1161、第二波长转换层1162和第三波长转换层1163与RGB（red，green，blue）任意对应。
在一些实施例中，在波长转换层116上还可以设置滤光层117。
在一些实施例中，形成滤光层117的材料包括但不限于有机滤色器光刻胶、布拉格分布式反射器等。
在一些实施例中，滤光层117的图形化方案可以任意选择，例如刻蚀、转移。
在一些实施例中，滤光层117包括第一滤光层1171，第一滤光层1171具有多个第一滤光单元1171b，一个第一滤光单元1171b对应一个第一波长转换单元1161a设置，第一滤光单元1171b用于过滤其他颜色光并使允许第二颜色光通过。
在一些实施例中，滤光层117还可以包括第二滤光层1172，第二滤光层1172具有多个第二滤光单元1172b，一个第二滤光单元1172b对应一个第二波长转换单元1162a设置，第二滤光单元1172b用于过滤其他颜色光并使允许第三颜色光通过。
在一些实施例中，滤光层117包括第三滤光层1173，第三滤光层1173具有多个第三滤光单元1173b，一个第三滤光单元1173b对应一个第三波长转换单元1163a设置，第三滤光单元1173b用于过滤其他颜色光并使允许第四颜色光通过。
在一些实施例中，可以在波长转换层116中的各波长转换单元依次制作完成之后，再对滤光层117中的各滤光单元进行制作。与传统中波长转换单元与滤光单元交替制作的方案相比，本方案可以保证结构的平整性，有利于后续其他波长转换单元的制备。
在一些实施例中，在LED台面的侧壁以及顶表面可以设置有刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层107可以覆盖多个LED单元102，以防止刻蚀损伤LED台面或第二电极层109。并且刻蚀阻挡层107可以透射LED单元102发出的光，从而刻蚀阻挡层107应具备足够的透明度，一般地可采用二氧化硅、氮化硅、氧化铝等材质。
参见图1，需要说明的是，刻蚀阻挡层107是连续的膜层结构，位于栅栏材料层的下部，且位于LED单元的上部。刻蚀阻挡层107包括LED台面上部的刻蚀阻挡层和第二电极层109上部的刻蚀阻挡层。
在一些实施例中，刻蚀阻挡层107的厚度例如可以为300～800nm，当然，刻蚀阻挡层107的厚度也可以根据具体情况进行选择。
在一些实施例中，刻蚀阻挡层107例如可以包括依次设置的粘附层、阻挡层等，其中，粘附层的材料例如可以为铬Cr等粘附性好的金属材料，可提高刻蚀阻挡层107的粘附力，以避免刻蚀阻挡层107的脱落；阻挡层的材料例如为铂Pt等性质稳定且不与刻蚀气体反应的材料，以保护LED单元102不会被刻蚀。
参见图2，在一些实施例中，具有多个栅格孔的栅栏结构103的表面还可以设置有反光层104，该反光层104不仅可以有效阻挡LED单元102的侧壁漏光，还可以反射LED单元102发出的光线，且设置有反光层104的栅栏结构103还聚拢和准直反光层104的反射光线和LED单元102发射的光线，这样可以进一步提升波长转换层116的波长转换效率。
在一些实施例中，可以以栅栏结构103作为基础形成反光层104，能够避免在MicroLED微显示芯片的LED单元102之间的微小间隙中进行加工，从而大幅降低了加工难度，拉大工艺窗口，提升加工良率，可应用于高分辨率和高像素密度的产品。
本申请实施例对反光层104的材料不作具体限制。在一些实施例中，反光层104可以采用有机材料制成，可选的有机材料包括但不限于高反有机涂料。反光层104也可以采用无机材料制成，可选的无机材料包括但不限于金属材料，例如Al，Cu，Ag等。
在一些实施例中，反光层104可以通过原子层沉积（atomic layer deposition，ALD），化学气相沉积（chemical vapor deposition，CVD），蒸发，溅射等方式沉积到栅栏结构103表面。
在一些实施例中，也可以采用干法刻蚀形成反光层104，其中所称的干法刻蚀包括但不限于离子束刻蚀（ion beam etch，IBE），电感耦合等离子体（inductively coupledplasma，ICP）刻蚀。在一些实施例中，采用上述的干法刻蚀方式，可以在反光层104沉积后整面刻蚀，使得LED单元102的上部的反光层104被刻蚀干净，同时刻蚀过程中反光层104会有等离子体再沉积（re-deposition）效应，导致侧壁反光层104加厚，增强反光效果，强化栅栏结构103以及整体结构的稳定性。如此，能使制备工艺更加简化，不需要额外的光刻步骤来制作刻蚀掩膜。应理解，在对栅格孔中的反光层104进行蚀刻去除的过程中，刻蚀阻挡层107可以减少蚀刻工艺对LED台面和第二电极层109的破坏。
在一些实施例中，可以对反光层104的表面进行粗化处理，以形成粗化表面。经粗化处理后的反光层104可以增加光反射能力。
需要说明的是，本申请实施例对反光层104的粗化方式不做具体限制，例如可以对反光层104进行腐蚀粗化处理，以反光层104的材料为Al为例，比如可以利用盐酸（氯化氢溶液）对反光层104进行腐蚀粗化处理。
需要说明的是，本申请实施例对粗化后的反光层104的表面结构不做具体限制，反光层104的粗化表面可以呈无规则的凹凸状结构，也可以是有序的凹凸状结构。作为一个示例，反光层104的粗化表面可以呈折线凹凸状，比如呈梯形锯齿状或锯齿状等。作为另一个示例，反光层204的粗化表面也可以呈弧线凹凸状，比如呈波浪状。
在一些实施例中，可以在LED单元102侧壁处淀积钝化层105。钝化层105的材质包括无机材料或者有机材料，无机材料包括SiO2、Al2O3、ZrO2、TiO2、Si3N4、HfO2中任意一种或几种的组合；有机材料包括黑矩阵光刻胶、彩色滤光光刻胶、聚酰亚胺、挡墙胶（BANK）、Overcoat胶、近紫外光负光刻胶、苯丙环丁烯中任意一种或几种的组合。
在一些实施例中，驱动面板101可以包括衬底、驱动电路以及与驱动电路连接的多个触点，LED单元102与该多个触点电连接。应理解，驱动面板101还设置有包括互补金属氧化物半导体（complementary metal oxide semiconductor，CMOS）器件或者TFT器件等的电路层，这些CMOS器件或者TFT器件可以构成驱动电路。其中，衬底的材料可以为硅、碳化硅、氮化镓、锗、砷化镓、磷化铟等半导体材料，也可以为玻璃、塑料或蓝宝石晶片等非导电材料。
在一些实施例中，多个触点包括第一电极触点110以及第二电极触点111，第一电极触点110可以分别与每一LED单元对应电连接，第二电极触点111与多个LED单元电连接，以单独驱动多个LED单元102中的任一LED单元发光。
需要说明的是，第一电极触点110可以为阳极金属触点，第二电极触点111可以为阴极金属触点。第一电极触点110与第一电极层108电连接，第二电极触点111与第二电极层109电连接。第二电极触点111可以是多个LED单元102的公共电极触点。第一电极触点110可以与每个LED单元102独立连接，本申请实施例中通过第一电极触点110可以向LED单元102单独的施加阳极电压，提供单独的驱动信号，从而可以达到单独控制每个LED单元发光的目的。
在一些实施例中，LED单元102的连接结构可以是共阴极的或者共阳极的或者各自独立的。作为一个示例，可通过连续的阴极半导体层的连接实现共阴极结构。作为另一个示例，还可以采用共阳极结构或者各自独立的结构，只要能够实现LED单元102单独点亮发光即可。
在一些实施例中，在LED单元102与驱动面板101之间也可以具有其他膜层，如具有键合层。该LED单元102可以通过键合层粘附或键合在驱动面板101的表面。
在一些实施例中，LED单元102包括依次堆叠设置在驱动面板101上的第一半导体层1021、发光层1022和第二半导体层1023。其中，发光层1022和第二半导体层1023可以不连续设置，但多个LED单元102的键合层和第一半导体层1021可以连续设置，以提高外延结构层与驱动面板101的粘附力，避免外延结构层从驱动面板101上剥离脱落。当然，本申请并不仅限于此，在另一些实施例中，多个LED单元102的键合层和第一半导体层1021也可以不连续设置，在此不再赘述。
其中，第二半导体层1023为n型半导体层，相应的，第一半导体层1021为p型半导体层，第二电极层109为N极金属层，相应的，第一电极层108为P极金属层。第一电极触点110为阳极金属触点，即，第一半导体层1021被施加阳极电压；第二电极触点111为阴极金属触点，即，第二半导体层1023被施加阴极电压，因此，可以驱动LED单元102的发光层1022发光。
需要说明的是，第一电极层108和第二电极层109的材料可以为氧化铟锡、Cr、Ti、Pt、Au、Al、Cu、Ge或Ni等。
需要说明的是，第一半导体层1021可以为p型半导体层，该p型半导体层可以是经过掺杂或离子注入等方式形成的，如可以是p型GaN或InGaN层等，第一半导体层1021可以为多层结构。第二半导体层1023为n型半导体层，该n型半导体层可以为经过掺杂或离子注入等方式形成的，如可以是n型GaN或InGaN层等，第二半导体层1023可以为多层结构。发光层1022是从第一半导体层1021提供的空穴和从第二半导体层1023提供的电子重新结合并且输出特定波长的光的层，并且发光层1022可以具有单量子阱结构或多量子阱（MQW）结构以及阱层和势垒层交替层叠。其中，注入的离子可以为H+、He+、N+、O+、F+、Mg+和Ar+等。
在一些实施例中，第一电极层108例如可以是键合层的一部分，键合层的材料可以为导电材料，如金属材料或金属合金材料，具体包括Au、Sn、In、Cu或Ti等。当然，键合层的材料也可以为非导电材料，如聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷或Su-8光刻胶等。可以理解的是，若键合层的材料为非导电材料，则键合层并不能和第一半导体层1021一起作为阳极，此时，可以再单独设置第一电极层108。
需要说明的是，本发明实施例中的Micro LED微显示芯片还可以包括封装层，封装层（图中未示出）可以设置在反光层104远离驱动面板101的一侧。在本实施例中，反光层104覆盖在发光栅栏结构103的表面，反光层104表面会随着栅栏结构103呈凹凸不平状，通过封装层可以平整该Micro LED微显示芯片，以便于后续的加工。
上文结合图1至图2，详细描述了本申请的装置实施例，下面结合图3，详细描述本申请的方法实施例。应理解，方法实施例的描述与装置实施例的描述相互对应，因此，未详细描述的部分可以参见前面装置实施例。
图3所示为本申请一实施例提供的制造Micro LED微显示芯片的方法流程图。如图3所示，制造Micro LED微显示芯片的方法300包括步骤：S310~S340。
在步骤S310，提供一驱动面板。
在步骤S320，在驱动面板上形成多个LED单元，多个LED单元具有一一对应的多个LED台面，每一LED单元能够由驱动面板单独驱动。
需要说明的是，在提供驱动面板的同时，还可以提供一衬底，并可以在该衬底上形成LED外延层。
在一些实施例中，在提供驱动面板的基础上，还可以在该驱动面板上形成键合层，用于将驱动面板和衬底上的LED外延层键合，进一步地，可以对驱动面板上的LED外延层进行刻蚀，以形成多个LED单元。后文会结合图4至图31，对多个LED单元的制造过程进行详细描述，在此不做详细描述。
在步骤S330，形成具有多个栅格孔的栅栏结构，多个栅格孔分别围绕多个LED台面设置，LED台面与对应的栅格孔之间形成凹陷区域。也就是说，多个LED台面和栅栏结构可以共同形成与多个LED台面的位置一一对应的多个凹陷区域。
在步骤S340，在栅栏结构上形成波长转换层，波长转换层包括第一波长转换层，第一波长转换层具有多个第一波长转换单元，第一波长转换单元填充对应的所述凹陷区域，LED单元发射第一颜色光，第一波长转换单元将所述第一颜色光转换为第二颜色光。
为了更好的理解本申请实施例中的制造Micro LED微显示芯片的方法300，下面结合图4至图31，对制造Micro LED微显示芯片的方法300进行详细介绍。
图4至图31示例性的示出了Micro LED微显示芯片400在制备过程中不同阶段的结构示意图。应理解，Micro LED微显示芯片400与上文中的Micro LED微显示芯片100相对应。在该部分没有详细描述的内容，可以参见Micro LED微显示芯片100部分的描述。
在一些实施例中，参见图4，可以先提供一衬底421，在衬底421上可以生长形成外延层422。
进一步地，参见图5，可以在外延结构层422上形成键合层424，键合层424可用于将衬底421上的LED外延层422与后文中的驱动面板401键合。
参阅图6，根据步骤S310，提供一驱动面板401，驱动面板401中可以包括由互补金属氧化物半导体CMOS器件或者TFT器件等构成的电路层。这些CMOS器件或者TFT器件在驱动面板401中可以形成驱动电路。驱动面板401还可以包括与驱动电路连接的多个触点，多个LED单元402与该多个触点电连接。应理解，本申请实施例对提供衬底421和驱动面板401的顺序不做具体限制。
在一些实施例中，多个触点包括第一电极触点410以及第二电极触点411，第一电极触点410可以分别与每一LED单元对应电连接，第二电极触点411与多个LED单元电连接，以单独驱动多个LED单元中的任一LED单元发光。
在一些实施例中，参见图7，可以在驱动面板401上形成键合层423，键合层423可用于将驱动面板401和衬底421上的LED外延层422键合。
在一些实施例中，键合层423和键合层424可以通过沉积方式形成。
参见图8，可以将衬底421上的LED外延层422翻转，并可以通过将键合层423和键合层424融合，形成键合层425。从而可以将外延层422键合至驱动面板401上，然后从LED外延层422上将衬底421剥离掉，从而可以在驱动面板401上形成LED外延层422。
在一些实施例中，衬底421的剥离方法包括但不限于激光剥离、干法刻蚀、湿法刻蚀、机械抛光等。
在一些实施例中，参见图9，对翻转后的LED外延层422还可以进行减薄操作，减薄操作包括干法刻蚀、湿法刻蚀或者机械抛光。
在一些实施例中，参见图10，可以根据图形化掩膜设计MESA图形，对LED外延层422进行刻蚀，以形成多个具有LED台面的LED单元402，LED单元402为功能化的台阶结构，LED单元402包括第一半导体层4021、发光层4022和第二半导体层4023。应理解，刻蚀包括干法或湿法的方式。
在一些实施例中，第一半导体层4021可以为p型半导体层，该p型半导体层可以是经过掺杂或离子注入等方式形成的，如可以是p型GaN或InGaN层等，第一半导体层4021可以为多层结构。第二半导体层4023为n型半导体层，该n型半导体层可以为经过掺杂或离子注入等方式形成的，如可以是n型GaN或InGaN层等，第二半导体层4023可以为多层结构。发光层4022是从第一半导体层4021提供的空穴和从第二半导体层4023提供的电子重新结合并且输出特定波长的光的层，并且发光层4022可以具有单量子阱结构或多量子阱（MQW）结构以及阱层和势垒层交替层叠。
在一些实施例中，本申请实施例中的键合方式为金属键合。参见图11，通过刻蚀键合层425，可以形成多个第一电极层408，多个第一电极层408与多个LED单元402一一对应设置。且使得相邻LED单元402之间不能通过第一电极层408电连接。第一电极层408与第一电极触点410电连接，驱动面板401中的驱动电路可以通过第一电极触点410单独的向LED单元402施加阳极电压，提供单独的驱动信号，从而可以达到单独控制该每个LED单元402发光的目的。
在一些实施例中，LED单元402可以发出第一颜色光，第一颜色光包括但不限于：红光、绿光、蓝光、黄光或紫外光中的任意一种。
在一些实施例中，参见图12，可以在LED单元402侧壁表面淀积钝化层405。钝化层405的材质包括无机材料或者有机材料。
在一些实施例中，参见图13，可以在LED单元402之间设置第二电极层409，第二电极层409可以位于驱动面板401的上部，且在钝化层405的外部。第二电极层409可以连接多个LED单元402的第一半导体层，第二电极层409为Micro LED微显示芯片的共阴极电极层，第二电极触点411可与第二电极层409连接，从而可以与第一电极触点410之间形成导电回路，以驱动LED单元402发光。
应理解，第二半导体层4023为n型半导体层，相应的，第一半导体层4021为p型半导体层，第二电极层409为N极金属层，相应的，第一电极层408为P极金属层。
参阅图14，在一些实施例中，可以在LED台面的侧壁以及顶表面形成刻蚀阻挡层407。刻蚀阻挡层407覆盖多个LED单元402和第二电极层409。可以看出，刻蚀阻挡层107是连续的膜层结构，刻蚀阻挡层407可以包括LED台面上部的刻蚀阻挡层和第二电极409上部的刻蚀阻挡层。刻蚀阻挡层可以防止对LED台面或第二电极层409的刻蚀损伤。并且刻蚀阻挡层407可以透射LED单元402发出的光，也就是说，刻蚀阻挡层407应具备足够的透明度，一般地可采用二氧化硅、氮化硅、氧化铝等材质。
参阅图15，可以在多个LED单元402的上部形成栅栏材料层426。栅栏材料层426的材料如可以包括有机树脂，有机黑矩阵光刻胶、彩色滤光光刻胶、以及聚酰亚胺等。
参阅图16，对栅栏材料层426进行刻蚀，以形成具有多个栅格孔的栅栏结构403。多个栅格孔可以分别围绕多个LED台面设置，LED台面与对应的栅格孔之间形成凹陷区域。应理解，多个栅格孔与多个LED单元402一一对应设置，以使得LED单元402发出的光可以通过栅格孔出射。
在一些实施例中，栅栏材料层426设置于刻蚀阻挡层407之上，栅栏结构403的栅格孔可以采用干法刻蚀形成，且栅格孔暴露刻蚀阻挡层407。由于刻蚀阻挡层407覆盖LED台面的上部和第二电极层409的上部，因此在蚀刻栅格孔的过程中，可以防止对LED台面和第二电极层409的损伤。
在一些实施例中，可以将栅格孔的侧壁刻蚀为斜面，且栅格孔的侧壁与栅栏结构的顶表面之间的夹角为钝角。作为一个示例，沿着远离LED单元402的方向（如图1中的第一方向所示），栅格孔的横截面尺寸逐渐变大，其中，栅格孔横截面为平行于出光面406的截面，一般地，该截面可以为圆形截面或者方形截面，当然该截面也可以为不规则形状截面。栅格孔的形状可以呈碗状结构或喇叭状结构。
在一些实施例中，如图17所示，为了提升对LED单元402发出的光线的反射效果，可以在多个LED台面和栅栏结构403之上形成反光材料层。该反光材料层可以包括栅栏结构403表面上的反光层404和暴露在栅格孔中的反光层412。
在一些实施例中，反光材料层可以通过原子层沉积ALD，化学气相沉积CVD，蒸发，溅射等方式沉积到多个LED台面和栅栏结构403上部。应理解，反光材料层位于刻蚀阻挡层407的上部。
在一些实施例中，可以对多个LED台面上的反光材料层进行刻蚀去除，以在栅格孔的侧壁和栅栏结构的顶表面形成反光层404。
参阅图18，在一些实施例中，对多个LED台面上的反光材料层进行刻蚀去除之前，还可以在反光材料层上形成牺牲涂层，该牺牲涂层可以包括栅栏结构403上部的牺牲涂层413和暴露在栅格孔上部的牺牲涂层414。
参阅图19，可以先除去暴露在栅格孔上部的牺牲涂层414，暂时保留栅栏结构403上部的牺牲涂层413。牺牲层413可用于保护多个栅格孔的栅栏结构403表面上的反光层404，以避免在蚀刻栅格孔上部的反光层412的过程中，对多个栅格孔的栅栏结构403表面上的反光层404造成破坏。
参阅图20，对多个LED台面上部的反光层412进行刻蚀，以去除多个LED台面上的反光层412，以形成反光层404。在刻蚀反光层412的过程中，上文提及的刻蚀阻挡层407可以避免刻蚀对LED台面和第二电极层409的破坏。
在一些实施例中，也可以采用干法刻蚀形成反光层404，其中所称的干法刻蚀包括但不限于离子束刻蚀IBE，电感耦合等离子体ICP刻蚀。在一些实施例中，采用上述的干法刻蚀方式，可以在反光层404沉积后整面刻蚀，使得LED单元402的上部的反光层104被刻蚀干净，同时刻蚀过程中反光层404会有等离子体再沉积（re-deposition）效应，导致侧壁反光层404加厚，增强反光效果，强化栅栏结构403以及整体结构的稳定性。如此，能使制备工艺更加简化，不需要额外的光刻步骤来制作刻蚀掩膜。
参阅图21，在栅栏结构表面形成反光层404之后，可以对栅栏结构403上的剩余的牺牲涂层413进行去除。
在一些实施例中，在栅栏结构403上形成波长转换层416包括形成第一波长转换层4161，形成第一波长转换层4161包括形成第一波长转换单元4161a。
参阅图22，先在栅栏结构403上形成第一波长转换层4161，例如可以通过旋涂、烘干形成第一波长转换层4161。第一波长转换层4161的材料包括波长转换粒子和光刻胶，该波长转换粒子例如可以为荧光粉和/或量子点等。
参阅图23，通过光照射需要形成第一波长转换单元的区域，例如可以通过掩膜层427遮挡其余区域来实现。比如，可以在黄光的环境下，采用紫外光进行照射。
进一步地，去除掩膜层427，然后利用显影液对第一波长转换层4161进行显影。由于只有第一波长转换单元的区域进行了光照固化，因此在显影液的作用的下，其余部分会被去除，从而可以形成多个第一波长转换单元4161a。如图24所示。应理解，第一波长转换单元4161a至少填充部分或者全部的栅格孔。
同理，还可以在栅栏结构上形成多个第二波长转换单元4162a和多个第三波长转换单元4163a，如图25所示。应理解，第一波长转换单元4161a、第二波长转换单元4162a以及第三波长转换单元4163a填充对应的凹陷区域，即填充于不同的栅格孔中。也就是说，第一波长转换单元4161a填充部分的栅格孔，第二波长转换单元4162a填充其余的栅格孔中部分的栅格孔，第三波长转换单元4163a填充剩余的部分或者所有栅格孔。
需要说明的是，第一波长转换单元4161a可以将第一颜色光转换为第二颜色光。第二波长转换单元4162a可以将第一颜色光转换为第三颜色光。第三波长转换单元4163a可以将第一颜色光转换为第四颜色光。
在一些实施例中，在波长转换层416上形成滤光层417包括形成第一滤光单元4171b。
参见图26，可以在波长转换层416上形成第一滤光层4171，第一滤光层4171的材料包括但不限于有机滤色器光刻胶、布拉格分布式反射器等。
参见图27，可以在第一滤光层4171上设置掩膜层428。应理解，掩膜层428覆盖区域与第一波长转换单元4161a的区域相对应。
参见图28，通过刻蚀第一滤光层4171，去除掩膜层428覆盖区域之外的其余滤光层区域。例如可以采用干法刻蚀或湿法刻蚀。
参见图29，去除掩膜层28，以形成第一滤光单元4171b。第一滤光单元4171b用于过滤其他颜色光并允许第二颜色光通过。一个第一滤光单元4171b对应一个第一波长转换单元4161a设置。
同理，还可以形成多个第二滤光单元4172b和多个第三滤光单元4173b。
在一些实施例中，如果设置反光层404，则在设置波长转换层416之前，还可以对反光层404的表面进行粗化处理，以形成粗化表面。应理解，经粗化处理后的反光层404可以增加光反射能力。
需要说明的是，本申请实施例对反光层404的粗化方式不做具体限制，例如可以对反光层404进行腐蚀粗化处理。以反光层404的材料为Al为例，比如可以利用盐酸（即氯化氢溶液）对反光层404进行腐蚀粗化处理。
在一些实施例中，Micro LED微显示芯片中也可以不设置反光层404。即，在形成具有多个栅格孔的栅栏结构403之后，参见图31，第一波长转换单元4161a、第二波长转换单元4162a和第三波长转换单元4163a可以填充对应的凹陷区域，接着，可以在第一波长转换单元4161a、第二波长转换单元4162a和第三波长转换单元4163a上对应设置第一滤光单元4171b、第二滤光单元4172b和第三滤光单元4173b，以形成新的Micro LED微显示芯片结构。
需要说明的是，本申请实施例对上文中的制造Micro LED微显示芯片的方法的步骤顺序不作具体限定。
需要说明的是，本申请中关于制作方法的实施例中仅对制作流程或步骤进行说明，未说明的器件结构、形状以及材料等可以参照上述关于Micro LED微显示芯片的实施例，在此不再赘述。
作为本申请公开内容的另一种可选实现，如图32所示，本申请实施例还提供了一种显示装置3200，该显示装置3200包括Micro LED微显示芯片3210，该Micro LED微显示芯片3210可以是如上任一实施例提供的Micro LED微显示芯片。显示装置3200例如可以是包括Micro LED微显示芯片3210的部件或器件，比如可以是包括封装层的Micro LED微显示芯片器件。
作为本申请公开内容的另一种可选实现，如图33所示，本申请实施例还提供了一种电子设备3300，需要说明的是，图33中的虚线框表示该单元或模块为可选的。该电子设备3300例如可以包括Micro LED微显示芯片3310或显示装置3200。其中Micro LED微显示芯片3310是如上任一实施例提供的Micro LED微显示芯片。
本申请实施例中的电子设备3300包括但不限于：显示设备如增强现实AR显示设备、虚拟现实VR显示设备、近眼显示NED以及抬头显示HUD设备等。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (20)

1.一种Micro LED微显示芯片，其特征在于，包括：
驱动面板；
多个LED单元，排布在所述驱动面板上，所述多个LED单元具有一一对应的多个LED台面，每一所述LED单元能够由所述驱动面板单独驱动；
具有多个栅格孔的栅栏结构，所述多个栅格孔分别围绕所述多个LED台面设置，所述LED台面与对应的所述栅格孔之间形成凹陷区域；
波长转换层设置于栅栏结构上，所述波长转换层包括第一波长转换层，所述第一波长转换层具有多个第一波长转换单元，所述第一波长转换单元填充对应的所述凹陷区域，所述LED单元发射第一颜色光，所述第一波长转换单元将所述第一颜色光转换为第二颜色光。
2.根据权利要求1所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述第一波长转换层的上部设置有第一滤光层，所述第一滤光层用于过滤其他颜色光并使所述第二颜色光通过。
3.根据权利要求1所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述波长转换层还包括第二波长转换层，所述第二波长转换层具有多个第二波长转换单元，所述第二波长转换单元填充对应的所述凹陷区域，所述第二波长转换单元将所述第一颜色光转换为第三颜色光。
4.根据权利要求3所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述第二波长转换层上设置有第二滤光层，所述第二滤光层用于过滤其他颜色光并使所述第三颜色光通过。
5.根据权利要求3所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述波长转换层还包括第三波长转换层，所述第三波长转换层具有多个第三波长转换单元，所述第三波长转换单元填充对应的所述凹陷区域，所述第三波长转换单元将所述第一颜色光转换为第四颜色光。
6.根据权利要求5所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述第三波长转换层的上部设置有第三滤光层，所述第三滤光层用于过滤其他颜色光并使所述第四颜色光通过。
7.根据权利要求1所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述波长转换层的材料包括波长转换粒子以及光刻胶，所述波长转换粒子为荧光粉和/或量子点。
8.根据权利要求1所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述波长转换层的顶表面齐平或低于所述栅栏结构的顶表面。
9.根据权利要求1所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述栅栏结构的表面设置有反光层，所述反光层设置在所述栅格孔的侧壁和所述栅栏结构的顶表面。
10.根据权利要求1所述的Micro LED微显示芯片，其特征在于，所述LED单元的尺寸为0.1-10微米。
11.一种制造Micro LED微显示芯片的方法，其特征在于，包括：
提供一驱动面板；
在所述驱动面板上形成多个LED单元，所述多个LED单元具有一一对应的多个LED台面，每一所述LED单元能够由所述驱动面板单独驱动；
形成具有多个栅格孔的栅栏结构，所述多个栅格孔分别围绕所述多个LED台面设置，所述LED台面与对应的所述栅格孔之间形成凹陷区域；
在所述栅栏结构上形成波长转换层，所述波长转换层包括第一波长转换层，所述第一波长转换层具有多个第一波长转换单元，所述第一波长转换单元填充对应的所述凹陷区域，所述LED单元发射第一颜色光，所述第一波长转换单元将所述第一颜色光转换为第二颜色光。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述栅栏结构上形成波长转换层，包括：
在所述栅栏结构上形成第一波长转换材料层；
根据图形化掩膜，对所述第一波长转换材料层进行曝光显影，以形成所述第一波长转换层。
13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述第一波长转换层的上部形成第一滤光层，所述第一滤光层用于过滤其他颜色光并使所述第二颜色光通过。
14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述栅栏结构上形成波长转换层，包括：
在所述栅栏结构上形成第二波长转换材料层；
根据图形化掩膜，对所述第二波长转换材料层进行曝光显影，以形成第二波长转换层；
其中，所述第二波长转换层具有多个第二波长转换单元，所述第二波长转换单元填充对应的所述凹陷区域，所述第二波长转换单元将所述第一颜色光转换为第三颜色光。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述第二波长转换层的上部形成第二滤光层，所述第二滤光层用于过滤其他颜色光并使所述第三颜色光通过。
16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在所述栅栏结构上形成波长转换层，包括：
在所述栅栏结构上形成第三波长转换材料层；
根据图形化掩膜，对所述第三波长转换材料层进行曝光显影，以形成第三波长转换层；
其中，所述第三波长转换层具有多个第三波长转换单元，所述第三波长转换单元填充对应的所述凹陷区域，所述第三波长转换单元将所述第一颜色光转换为第四颜色光。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述第三波长转换层的上部形成第三滤光层，所述第三滤光层用于过滤其他颜色光并使所述第四颜色光通过。
18.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述栅栏结构上形成波长转换层之前，所述方法还包括：
在所述多个栅格孔的栅栏结构表面形成反光层。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，在所述栅栏结构表面形成反光层，包括：
在所述多个LED台面和所述栅栏结构之上形成反光材料层；
对所述多个LED台面上的反光材料层进行刻蚀去除，以在所述栅格孔的侧壁和所述栅栏结构的顶表面形成所述反光层。
20.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述驱动面板上形成多个LED单元，包括：
在所述驱动面板上形成LED外延层；
根据图形化掩膜设计的MESA图形，对所述LED外延层进行刻蚀，以形成所述多个LED单元。
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