CN115473507A - 声波谐振器封装件 - Google Patents

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韩相宪
李华善
严在君
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Abstract

本公开提供一种声波谐振器封装件。所述声波谐振器封装件包括：声波谐振器，包括在基板的第一表面上的声波谐振器；盖，设置为面向所述基板的所述第一表面；结合构件，设置在所述基板与所述盖之间，并且被构造为将所述声波谐振器的结合表面与所述盖彼此结合，其中，所述结合构件包括玻璃熔块，并且所述声波谐振器的结合到所述结合构件的所述结合表面可利用介电材料形成。

Description

声波谐振器封装件
本申请要求于2021年6月10日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0075581号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
以下描述涉及声波谐振器封装件。
背景技术
近来，已经开发出具有小型化形式的无线通信装置。例如，可使用利用半导体薄膜晶片制造技术实现的体声波(BAW)谐振器型滤波器。
当薄膜型元件基于其压电特性使用硅晶片(半导体基板)上的压电材料引起谐振时形成BAW。BAW可被实现为滤波器。
发明内容
提供本发明内容以按照简化的形式介绍所选择的构思，并在以下具体实施方式中进一步描述这些构思。本发明内容不意在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面，一种声波谐振器封装件包括：声波谐振器，设置在基板的第一表面上；盖，设置为面向所述基板的所述第一表面；结合构件，设置在所述基板与所述盖之间，并且被构造为将所述声波谐振器的结合表面与所述盖彼此结合，其中，所述结合构件包含玻璃熔块，并且其中，所述声波谐振器的所述结合表面利用介电材料形成。
所述盖可利用玻璃材料形成。
所述结合构件可沿着所述盖的边缘设置，并且设置为连续地围绕所述声波谐振器。
所述结合构件可包含V2O3、TaO2、B2O3、ZnO和Bi2O3中的任意一种。
所述声波谐振器的所述结合表面可利用SiO2、Si3N4、TiO2、Al2O3、AlN、ZrO2、非晶硅和多晶硅中的任意一种形成。
所述声波谐振器可包括具有依次堆叠在所述基板上的第一电极、压电层和第二电极的谐振器。
所述声波谐振器还可包括沿着所述声波谐振器的表面设置的保护层。
所述结合构件可结合到所述保护层。
所述保护层可利用SiO2、Si3N4、TiO2、Al2O3、AlN、ZrO2、非晶硅(a-Si)和多晶硅(PolySi)中的任意一种形成。
所述声波谐振器还可包括支撑层，所述支撑层设置在所述谐振器和所述基板之间，并且被构造为将所述谐振器和所述基板间隔开预定距离，并且其中，所述结合构件结合到所述支撑层。
所述支撑层可利用多晶硅(Poly Si)材料形成。
所述声波谐振器封装件还可包括支撑部，所述支撑部设置在所述声波谐振器上，并且可被构造为面向所述结合构件，其中，所述支撑部的上表面可被构造为形成所述声波谐振器的结合表面。
所述支撑部的上端可设置为比所述声波谐振器的上端更靠近所述盖。
所述盖可被构造为在面向所述声波谐振器的区域中具有凹槽。
所述声波谐振器还可包括沿着所述声波谐振器的表面设置的疏水层。
所述声波谐振器封装件还可包括：连接端子，设置在所述基板的第二表面上；以及连接导体，设置为穿过所述基板并将所述声波谐振器和所述连接端子电连接。
在一个总体方面，一种声波谐振器封装件包括：声波谐振器，设置在基板的第一表面上；盖，利用玻璃材料形成，并且设置为面向所述基板的所述第一表面；以及结合构件，设置在所述基板和所述盖之间，并且被构造为将所述声波谐振器和所述盖彼此结合，其中，所述结合构件包含玻璃熔块，并且其中，所述盖被构造为在面向所述声波谐振器的区域中具有凹槽。
在一个总体方面，一种声波谐振器封装件包括：谐振器，设置在基板的第一表面上；盖，设置在所述谐振器上方；绝缘层，设置在所述基板的上表面上；以及结合构件，被构造为将所述盖结合到所述绝缘层；其中，所述盖利用玻璃材料形成，并且其中，所述结合构件包括玻璃熔块。
所述结合构件可利用V2O3、TaO2、B2O3、ZnO和Bi2O3中的一种形成。
通过以下具体实施方式和附图，其它特征和方面将是易于理解的。
附图说明
图1是根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器的平面图。
图2是沿图1的线I-I'截取的示例截面图。
图3是沿图1的线II-II'截取的示例截面图。
图4是沿图1的线III-III'截取的示例截面图。
图5是示意性地示出根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器封装件的示例截面图。
图6A和图6B是示出制造图5所示的示例声波谐振器封装件的示例方法的示图。
图7是图5中所示的盖和结合构件的示例仰视立体图。
图8是示意性地示出根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器封装件的示例截面图。
图9是示意性地示出根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器封装件的示例截面图。
图10是示意性地示出根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器封装件的示例截面图。
在整个附图和具体实施方式中，除非另外描述或提供，否则相同的附图标记将被理解为指示相同的元件、特征和结构。附图可不按比例绘制，并且为了清楚、示出和方便起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或***的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，在此描述的方法、设备和/或***的各种改变、修改和等同方案将是易于理解的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于在此阐述的顺序，而是除了必须按照特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本申请的公开内容之后将是易于理解的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略在理解本申请的公开内容之后已知的特征的描述。
在此使用的术语仅用于描述各种示例，并且将不用于限制本公开。除非上下文另外清楚指出，否则单数形式也意在包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的要素被描述为“在”另一要素“上”、“连接到”另一要素或“结合到”另一要素时，该要素可直接“在”另一要素“上”、直接“连接到”另一要素或直接“结合到”另一要素，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其它要素。相比之下，当要素被描述为“直接在”另一要素“上”、“直接连接到”另一要素或“直接结合到”另一元素时，不存在介于它们之间的其它要素。
如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一项或任意两项或更多项的任意组合。
尽管在此可使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分将不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用来将一个构件、组件、区域、层或部分与另一个构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
除非另有定义，否则在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员在理解本申请的公开内容之后通常理解的含义相同的含义。除非在此明确定义，否则术语(诸如在常用词典中定义的那些)应被解释为具有与其在相关领域的上下文和本申请的公开内容中的含义一致的含义，并且不应被解释为理想化或过于正式的意义。
图1是根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器的平面图，图2是沿着图1的线I-I'截取的示例截面图，图3是沿着图1的线II-II'截取的示例截面图，并且图4是沿着图1的线III-III'截取的示例截面图。
参照图1至图4，作为非限制性示例，根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器100可以是体声波(BAW)谐振器，并且可包括基板110、绝缘层115、谐振器120和盖60(图5)。在此，应当注意，关于示例或实施例的术语“可”的使用，例如，关于示例或实施例可包括或实现的内容，意味着存在包括或实现这样的特征的至少一个示例或实施例，而不限于所有示例和实施例都包括或实现这样的特征。
基板110可以是硅基板。在一个或更多个示例中，硅晶片或绝缘体上硅(SOI)型基板可用作基板110。
绝缘层115可设置在基板110的上表面上，以将基板110与谐振器120电隔离。另外，当在声波谐振器的制造工艺中形成腔C时，绝缘层115可帮助防止基板110被蚀刻气体蚀刻。
在一个或更多个示例中，绝缘层115可利用二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)中的至少一种形成，并且可通过诸如但不限于化学气相沉积(CVD)、RF磁控溅射和蒸镀的工艺形成。
支撑层140可形成在绝缘层115上，并且可设置在腔C周围。蚀刻停止部145可围绕腔C，并且可设置在支撑层140内部。
腔C可形成为空隙，并且可通过去除支撑层140的一部分来形成。支撑层140可形成为牺牲材料的剩余部分。
支撑层140可利用诸如但不限于相对容易蚀刻的多晶硅或聚合物的材料形成。然而，支撑层140不限于此。
蚀刻停止部145可沿着腔C的边界设置。蚀刻停止部145可设置为防止在形成腔C的工艺期间超出腔区域执行蚀刻。
膜层150可形成在支撑层140上，并且可形成腔C的上表面。因此，膜层150也可利用在形成腔C的工艺中不易去除的材料形成。
在一个或更多个示例中，当使用诸如氟(F)、氯(Cl)等的卤基蚀刻气体来去除支撑层140的一部分(例如，腔区域)时，膜层150可利用与蚀刻气体具有低反应性的材料形成。在这样的示例中，膜层150可包括二氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)中的至少一种。
另外，膜层150可利用包含氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)和氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)中的至少一种材料的介电层或包含铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、铂(Pt)、镓(Ga)和铪(Hf)中的至少一种材料的金属层形成。然而，一个或更多个示例的构造不限于此。
谐振器120包括第一电极121、压电层123和第二电极125。谐振器120被构造为使得第一电极121、压电层123和第二电极125从示例声波谐振器100的底部到顶部依次堆叠。因此，谐振器120中的压电层123可设置在第一电极121和第二电极125之间。
由于谐振器120可形成在膜层150上，因此膜层150、第一电极121、压电层123和第二电极125依次堆叠在基板110上，以形成谐振器120。
谐振器120可根据施加到第一电极121和第二电极125的信号使压电层123谐振，以产生谐振频率和反谐振频率。
谐振器120可被分成中央部S和延伸部E，在中央部S中第一电极121、压电层123和第二电极125堆叠成大致平坦的，在延伸部E中***层170介于第一电极121和压电层123之间。
示例声波谐振器100的中央部S是设置在谐振器120的中央的区域，并且延伸部E是沿着中央部S的外周设置的区域。因此，延伸部E是从中央部S向外延伸的区域，并且可表示形成为具有沿着中央部S的外周的连续环形形状的区域。然而，如果需要，延伸部E可被构造为具有一些区域断开的不连续的环形形状。
因此，如图2所示，在谐振器120的截取为穿过中央部S的截面中，延伸部E可分别设置在中央部S的两端。***层170可设置在延伸部E的两侧上。
***层170的倾斜部可具有倾斜表面L，随着距中央部S的距离增加，倾斜部的厚度变大。
在延伸部E中，压电层123和第二电极125可设置在***层170上。因此，位于延伸部E中的压电层123和第二电极125可具有沿着***层170的形状的倾斜表面。
在一个或更多个示例中，延伸部E可包括在谐振器120中，因此，谐振也可发生在延伸部E中。然而，一个或更多个示例不限于此，并且根据延伸部E的结构，谐振可不发生在延伸部E中，并且谐振可仅发生在中央部S中。
第一电极121和第二电极125可利用导体形成，诸如但不限于金、钼、钌、铱、铝、铂、钛、钨、钯、钽、铬、镍或包含它们中至少一种的合金，但不限于此。
在谐振器120中，第一电极121可形成为具有比第二电极125的表面面积更大的表面面积，并且第一金属层180可沿着第一电极121的外周设置在第一电极121上。因此，第一金属层180可设置为与第二电极125间隔开预定距离，并且可设置为围绕谐振器120的形式。
由于第一电极121可设置在膜层150上，因此第一电极121可形成为完全平坦。另一方面，由于第二电极125设置在压电层123上，因此第二电极125可以以与压电层123的形状相对应的方式形成为弯曲的。
第一电极121可用作分别输入和输出诸如射频(RF)信号等的电信号的输入电极和输出电极中的任意一个。
在非限制性示例中，第二电极125可完全设置在中央部S中，并且可部分地设置在延伸部E中。因此，第二电极125可被分成稍后将描述的设置在压电层123的压电部123a上的部分和设置在压电层123的弯曲部123b上的部分。
在一个或更多个示例中，第二电极125可设置为覆盖压电层123的压电部123a的全部和倾斜部1231的一部分。因此，设置在延伸部E中的第二电极(图4中的125a)可形成为具有比倾斜部1231的倾斜表面的面积更小的面积，并且谐振器120中的第二电极125形成为具有比压电层123的面积更小的面积。
因此，如图2所示，在谐振器120的截取为穿过中央部S的截面中，第二电极125的端部可设置在延伸部E中。另外，第二电极125的设置在延伸部E中的端部可设置为使得其至少一部分与***层170重叠。这里，“重叠”意味着如果第二电极125投影到其上设置有***层170的平面上，则第二电极125的投影在该平面上的形状将与***层170重叠或设置在***层170上方。
第二电极125可用作输入电极和输出电极中的任意一个，以输入和输出诸如射频(RF)信号等的电信号。也就是说，当第一电极121实现为输入电极时，第二电极125可实现为输出电极，并且当第一电极121实现为输出电极时，第二电极125可实现为输入电极。
在一个或更多个示例中，如图4所示，当第二电极125的端部位于将稍后描述的压电层123的倾斜部1231上时，由于谐振器120的声阻抗的局部结构可从中央部S以稀疏/密集/稀疏/密集结构形成，因此向谐振器120内部反射横向波的反射界面增加。因此，由于大多数横向波可不向谐振器120外流动，并且可反射然后传播到谐振器120的内部，因此可改善声波谐振器的性能。
压电层123是示例声波谐振器100的发生将电能转换成弹性波形式的机械能的压电效应的部分。压电层123可形成在第一电极121和***层170上，如将稍后描述的。
作为压电层123的材料，可选择性地使用氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、掺杂氮化铝、锆钛酸铅、石英等。在掺杂氮化铝的示例中，可进一步包括稀土金属、过渡金属或碱土金属。稀土金属可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的至少一种。过渡金属可包括铪(Hf)、钛(Ti)、锆(Zr)、钽(Ta)和铌(Nb)中的至少一种。此外，碱土金属可包括镁(Mg)。
根据一个或更多个实施例的压电层123可包括设置在示例声波谐振器100的中央部S中的压电部123a和设置在示例声波谐振器100的延伸部E中的弯曲部123b。
压电部123a是可直接堆叠在第一电极121的上表面上的部分。因此，压电部123a可介于第一电极121和第二电极125之间，并且可与第一电极121和第二电极125一起形成为平坦形状。
压电层123的弯曲部123b可被限定为从压电层123的压电部123a向外延伸的区域，并且可位于延伸部E中。
如稍后描述的，弯曲部123b可设置在***层170上，并且可形成为其上表面沿着***层170的形状升高的形状。因此，压电层123可在压电部123a与弯曲部123b之间的边界处弯曲，并且弯曲部123b可对应于***层170的厚度和形状而升高。
弯曲部123b可分成倾斜部1231和延伸部1232。
如稍后描述的，倾斜部1231表示压电层123的可形成为沿着***层170的倾斜表面L倾斜的部分。延伸部1232表示压电层123的从压电层123的倾斜部1231向外延伸的部分。
倾斜部1231可形成为平行于***层170的倾斜表面L，并且倾斜部1231的倾斜角可形成为与***层170的倾斜表面L的倾斜角相同。
***层170可沿着由膜层150、第一电极121和蚀刻停止部145形成的表面设置。因此，***层170可部分地设置在谐振器120中，并且可设置在第一电极121和压电层123之间。
***层170可设置在中央部S周围以支撑压电层123的弯曲部123b。因此，压电层123的弯曲部123b可根据***层170的形状分成倾斜部1231和延伸部1232。
在一个或更多个示例中，***层170可设置在除了中央部S之外或在中央部S外部的区域中。在非限制性示例中，***层170可设置在除了中央部S之外或在中央部S外部的整个区域中，或者仅设置在基板110上的一些区域中(例如，在延伸部E中)。
***层170可形成为具有随着距中央部S的距离增加而增加的厚度。因此，***层170可形成为具有倾斜表面L，该倾斜表面L具有设置为邻近中央部S的侧表面的恒定倾斜角θ。
当***层170的侧表面的倾斜角θ形成为小于5°时，为了制造***层的侧表面的倾斜角θ，由于***层170的厚度应形成为非常薄或者倾斜表面L的面积应形成为过大，因此可能难以实现。
另外，当***层170的侧表面的倾斜角θ形成为大于70°时，堆叠在***层170上的压电层123或第二电极125的倾斜角也可形成为大于70°。在这样的示例中，由于堆叠在倾斜表面L上的压电层123或第二电极125过度弯曲，因此可能在弯曲部中产生裂纹。
因此，在一个或更多个示例中，倾斜表面L的倾斜角θ可形成在5°或更大且70°或更小的范围内。
此外，在一个或更多个示例中，压电层123的倾斜部1231可沿着***层170的倾斜表面L形成。因此，与***层170的倾斜表面L类似，倾斜部1231的倾斜角可形成在5°或更大且70°或更小的范围内。该构造也可同样地应用于堆叠在***层170的倾斜表面L上的第二电极125。
***层170可利用电介质形成，诸如但不限于二氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)等，并且可利用与压电层123的材料不同的材料形成。
另外，***层170可利用金属材料实现。当一个或更多个示例的声波谐振器用于5G通信时，因为高水平的热量可从谐振器产生，所以从谐振器120产生的热量可被平稳地排出。因此，一个或更多个示例的***层170可利用含钪(Sc)的铝合金材料形成。
谐振器120可设置为通过形成为空隙的腔C与基板110间隔开。
在声波谐振器的制造工艺期间，可通过向注入孔(图1中的H)供应蚀刻气体(或蚀刻溶液)来去除支撑层140的一部分，从而形成腔C。
因此，腔C可由空间构成，其中上表面(顶表面)和侧表面(壁面)由膜层150形成，下表面由基板110或绝缘层115形成。
在非限制性示例中，膜层150可仅形成在腔C的上表面(顶表面)上。
在示例中，保护层160可沿着声波谐振器100的表面设置，以保护声波谐振器100不受外部环境因素的影响。保护层160可沿着由第二电极125和压电层123的弯曲部123b形成的表面设置。
在示例中，在制造工艺期间的最后工艺中可部分地去除保护层160用于频率控制。在示例中，可在制造工艺期间通过频率修整来控制保护层160的厚度。
因此，保护层160可包括适用于频率微调的二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)、非晶硅(a-Si)和多晶硅(p-Si)中的一个。然而，示例不限于此，并且可进行各种修改，诸如以金刚石薄膜来形成保护层160从而增加散热效果。
第一电极121和第二电极125可在谐振器120外部的方向上延伸。第一金属层180和第二金属层190可分别设置在延伸部E的上表面上。
第一金属层180和第二金属层190可利用金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)、铜-锡(Cu-Sn)合金、铝(Al)和铝合金中的任意一种材料形成。这里，铝合金可以是铝-锗(Al-Ge)合金或铝-钪(Al-Sc)合金。
第一金属层180和第二金属层190可被实现为电连接声波谐振器的设置在基板110上的电极121和125与彼此相邻设置的其它声波谐振器的电极的连接件。
第一金属层180的至少一部分可与保护层160接触，并且可结合到第一电极121。
另外，在谐振器120中，第一电极121可形成为具有比第二电极125更大的面积，并且第一金属层180可形成在第一电极121的***部中。因此，第一金属层180可设置在谐振器120的外周，并且因此，可设置为围绕第二电极125。然而，一个或更多个示例不限于此。
接下来，将描述根据一个或更多个实施例的声波谐振器封装件。
图5是示意性地示出根据一个或更多个实施例的声波谐振器封装件的截面图。
参照图5，根据一个或更多个实施例，声波谐振器封装件可包括保护声波谐振器100的谐振器120不受外部环境影响的盖60。
根据一个或更多个实施例，作为非限制性示例，盖60可利用玻璃材料形成，并且可通过结合构件80结合到基板110。
结合构件80可设置为连续地围绕声波谐振器。因此，由结合构件80和盖60限定的内部空间P可形成为封闭空间。
在示例中，声波谐振器是大体上产生声波的部分，并且可包括谐振器120、第一金属层180和第二金属层190。然而，本示例不限于此。
作为盖60的结合方法，可使用利用玻璃熔块的玻璃熔块结合方法。玻璃熔块是通过在高温下溶解玻璃原材料而淬火的玻璃块，并且含有玻璃熔块的膏体可用作本实施例的结合构件80。
图6A至图7是示出制造图5所示的声波谐振器封装件的方法的示图。这里，图7是图5所示的盖和结合构件的仰视立体图。
首先，参照图6A，在根据一个或更多个实施例的制造声波谐振器封装件的方法中，可执行首先将结合构件80应用于盖60的操作。
如上所述，可将包含玻璃熔块的膏体用作结合构件80。
如图7所示，结合构件80可沿着盖60的边缘设置，并且可被应用为连续地围绕声波谐振器。另外，结合构件80可应用于与声波谐振器100的结合表面相对应的位置。
公开了将结合构件80应用于盖60的一个或更多个示例。然而，一个或更多个示例不限于此，并且如果需要，结合构件80可应用于声波谐振器100。
随后，如图6B所示，可执行将盖60和声波谐振器100结合的操作。在这样的示例中，盖60和声波谐振器100可通过结合构件80彼此间隔开预定距离而不彼此接触。
随后，可执行通过激光照射装置90将激光照射到结合构件80来将盖60和基板110熔融结合的操作。在示例操作中，激光可穿过利用玻璃形成的盖60照射到结合构件80。因此，结合构件80可被固化以将盖60和声波谐振器100彼此牢固地结合。
因此，在一个或更多个示例中，结合构件80可包括通过激光吸收来固化的玻璃熔块，并且可包括例如V2O3、TaO2、B2O3、ZnO和Bi2O3中的任意一种。
在上述结合构件80的示例中，可向利用玻璃形成的盖60提供高结合强度，但是与声波谐振器100的结合强度可根据声波谐振器100的结合表面的材料而降低。
因此，为了确保结合构件80与声波谐振器100之间的结合可靠性，需要以与结合构件80具有高结合强度的材料来形成声波谐振器100的结合表面。
因此，在一个或更多个示例的声波谐振器100中，将要结合到结合构件80的结合表面可利用介电材料形成。
介电材料可包括SiO2、Si3N4、TiO2、Al2O3、AlN、ZrO2、非晶硅(a-Si)和多晶硅(Poly-Si)中的任意一种，但不限于此。
如上所述，一个或更多个示例的保护层160可利用上述介电材料中的任意一种形成。因此，在一个或更多个示例中，结合构件80可结合到保护层160。
然而，一个或更多个示例不限于此，并且如上所述，由于***层170、膜层150、支撑层140和绝缘层115可全部利用上述介电材料形成，因此本公开的结合构件80可结合到***层170、膜层150、支撑层140和绝缘层115中的任意一个。
在示例中，如图9所示，结合构件80可结合到支撑层140。在这样的示例中，结合构件80可穿过堆叠在支撑层140上的膜层150和保护层160，并且可结合到支撑层140。
在示例中，在根据一个或更多个实施例的声波谐振器封装件制造方法中，可在晶片的一个表面上制造多个声波谐振器100，并且覆盖晶片的整个表面的盖60可结合到晶片，从而可批量制造多个声波谐振器封装件。
根据一个或更多个实施例，由于如上所述构造的声波谐振器封装件可形成封闭空间，谐振器通过使用玻璃基板和玻璃熔块设置在该封闭空间中，所以可容易地制造声波谐振器封装件。另外，与通过共晶键合或金属键合将盖结合到声波谐振器的示例相比，可使制造成本最小化。
一个或更多个示例的构造不限于上述实施例，并且可进行各种修改。
图8是示意性地示出根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器封装件的截面图。
参照图8，根据一个或更多个实施例的声波谐振器封装件可包括支撑部40。
支撑部40可设置在基板110和盖60之间，以确保盖60和基板110之间的间隔距离。
当盖60与谐振器120之间的间隔距离窄时，声波谐振器可能与盖60接触，并且可能在声波谐振器100操作时被损坏。因此，应确保可防止盖60和谐振器120之间的上述接触的间隔距离。
由于结合构件80可以以膏体的形式应用，因此当结合构件80在固化期间收缩时，结合构件80可减小到小于上述间隔距离。因此，在一个或更多个示例中，可设置支撑部40以确保间隔距离。
在非限制性示例中，支撑部40可设置在声波谐振器100上以面向结合构件80。在示例中，支撑部40可沿着上述声波谐振器封装件中在结合构件80与声波谐振器100结合的接触表面处设置。
另外，一个或更多个示例的结合构件80可结合到支撑部40的上表面。因此，在一个或更多个示例中，支撑部40的上表面可形成上述结合表面。
参照图8，由于可设置支撑部40以确保上述间隔距离，因此支撑部40的上端可设置为比声波谐振器的上端更靠近盖60。
为了确保与结合构件80的结合可靠性，支撑部40可利用介电材料形成。然而，一个或更多个示例不限于此，并且诸如用金属材料形成支撑部40并且仅在支撑部40的上表面上形成介电层的各种修改是可行的。
即使在使用平盖60时，如上所述构造的一个或更多个示例的声波谐振器封装件也可通过使用支撑部40稳定确保设置有声波谐振器的内部空间，从而确保操作可靠性。
图9是示意性地示出根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器封装件的截面图。
参照图9，在示例声波谐振器封装件中，凹槽65可形成在盖60的内表面中。
凹槽65可形成为使设置有声波谐振器的内部空间扩展。因此，凹槽65可形成为使盖60的厚度减小，并且可形成在面向声波谐振器的区域中。
凹槽65可形成至可防止盖60与声波谐振器之间接触的深度。因此，当结合构件80的厚度厚时，凹槽65的深度可以浅，并且当结合构件80的厚度薄时，凹槽65的深度可形成为相对深。
在非限制性示例中，凹槽65可通过蚀刻方法等形成，但不限于此。
在示例中，凹槽65可不形成在结合构件80与盖60结合的区域中。因此，一个或更多个示例的盖60可形成为具有容纳声波谐振器的内部空间的帽的形式。
因此，一个或更多个示例的盖60可包括侧壁61和连接侧壁61的上部的上表面部62，并且可以以侧壁61围绕声波谐振器的形式结合到声波谐振器100。
即使没有设置单独的支撑部，如上所述构造的一个或更多个示例的声波谐振器封装件也可确保设置有声波谐振器的内部空间，从而减少制造时间和制造成本。
图10是示意性地示出根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器封装件的截面图。
参照图10，示例声波谐振器封装件可被构造为与图5所示的示例声波谐振器封装件类似，并且还可包括疏水层130。
疏水层130可沿着声波谐振器100的表面形成。在示例中，疏水层130可形成在声波谐振器100的可与空气接触的整个表面上。
因此，在示例声波谐振器封装件中，疏水层130可沿着声波谐振器的表面设置，并且除此之外，疏水层也可设置在腔C的内壁上。然而，本公开的构造不限于此，并且如果需要，疏水层130也可部分地形成。
当设置疏水层130时，可抑制在结合构件80固化到声波谐振器100的表面的工艺中产生的诸如雾和烟的颗粒的吸附。
这些颗粒可通过改变谐振器120的质量来作为增加谐振频率的波动量和标准偏差的因子。然而，当如本实施例中那样设置疏水层130时，由于声波谐振器100的表面能低且稳定，因此水和羟基(OH基团)可不容易被吸附到表面。因此，可使频率的波动最小化，从而可保持声波谐振器100的性能一致。
疏水层130可利用自组装单层(SAM)形成材料而不是聚合物形成。当疏水层130利用聚合物形成时，聚合物的质量可能影响谐振器120。然而，在根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器100中，由于疏水层130利用自组装单层形成，因此可使声波谐振器100的谐振频率的波动最小化。
疏水层130可通过在具有疏水性的前驱体上执行气相沉积来形成。在这样的示例中，疏水层130可沉积为
Figure BDA0003463030900000151
或更小(例如，几
Figure BDA0003463030900000152
至几十
Figure BDA0003463030900000153
)厚度的单层。具有疏水性的前驱体材料可利用沉积后与水的接触角为90°或更大的材料形成。在示例中，疏水层130可含有氟(F)组分，并且可包括氟(F)和硅(Si)。具体地，可使用具有硅头的碳氟化合物，但不限于此。
在示例中，为了改善构成疏水层130的自组装单层与保护层160之间的粘附性，可在形成疏水层130之前首先在保护层160的表面上形成结合层(未示出)。
可通过在保护层160的表面上的具有疏水性官能团的前驱体上执行气相沉积来形成结合层。
用于沉积结合层的前驱体可以是具有硅头的碳氢化合物或具有硅头的硅氧烷，但不限于此。
另外，一个或更多个实施例的基板110可包括在厚度方向上穿透基板的通路孔112。另外，连接导体117可设置在每个通路孔112内。
连接导体117可以以涂覆在内表面上的形式形成在通路孔112的整个内表面上。然而，本公开不限于此，并且也可仅形成在内表面的一部分上。另外，可形成为填充通路孔112的整个内部。
连接导体117可具有连接到形成在基板110的下表面上的连接焊盘118的一端，以及电连接到第一电极121或第二电极125的另一端。因此，连接导体117可设置为穿透基板110以将声波谐振器和连接端子119电连接。
在一个或更多个示例中，仅示出和描述了两个通路孔112和两个连接导体117。然而，示例不限于此，并且可根据需要设置更多数量的通路孔112和连接导体117。
连接导体117的至少一部分可延伸到基板110的下表面。
多个连接焊盘118可设置在基板110的下表面上。连接端子119结合到相应的连接焊盘118。
连接焊盘118可利用导电材料形成，并且可设置为堆叠在连接导体117上，连接导体117设置在基板110的下表面上。
下保护层114可形成在基板110的下表面上。下保护层114可利用诸如阻焊剂的绝缘膜形成，但不限于此。
连接焊盘118的至少一部分可向下保护层114外部暴露，并且连接端子119可附接到暴露区域。
连接端子119可设置在基板110的下表面上，并且在将声波谐振器封装件安装在主板上时，可用作将声波谐振器封装件和主板彼此结合的元件。
因此，连接端子119可利用导电材料形成，并且可以以焊料球或焊料凸块的形式形成。然而，一个或更多个示例不限于此，并且只要主板和声波谐振器100可电连接和物理连接，连接端子119就可以各种形状形成。
如上所述，在根据本公开的声波谐振器中，由于使用玻璃基板和玻璃熔块形成设置有声波谐振器的封闭空间，因此可容易地制造根据本公开的声波谐振器。另外，与通过共晶键合或金属键合将盖结合到基板的示例相比，可使制造成本最小化。
例如，尽管已使用体声波谐振器作为示例描述了上述实施例，但也可将上述实施例应用于表面声波谐振器(SAWR)。
虽然本公开包括具体示例，但是在理解本申请的公开内容之后将易于理解的是，在不脱离权利要求及其等同方案的精神和范围的情况下，可在形式和细节上对这些示例做出各种改变。在此描述的示例仅被认为是描述性含义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其它示例中的类似特征或方面。如果按照不同的顺序执行描述的技术，和/或如果按照不同的方式组合所描述的***、架构、装置或电路中的组件，和/或由其它组件或其等同组件来替换或添加所描述的***、架构、装置或电路中的组件，则可获得合适的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同方案限定，并且在权利要求及其等同方案的范围内的全部变型将被解释为包含在本公开中。

Claims (18)

1.一种声波谐振器封装件，包括：
声波谐振器，设置在基板的第一表面上；
盖，设置为面向所述基板的所述第一表面；
结合构件，设置在所述基板与所述盖之间，并且被构造为将所述声波谐振器的结合表面与所述盖彼此结合，
其中，所述结合构件包含玻璃熔块，并且
其中，所述声波谐振器的所述结合表面利用介电材料形成。
2.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述盖利用玻璃材料形成。
3.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述结合构件沿着所述盖的边缘设置，并且设置为连续地围绕所述声波谐振器。
4.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述结合构件包含V2O3、TaO2、B2O3、ZnO和Bi2O3中的任意一种。
5.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述声波谐振器的所述结合表面利用SiO2、Si3N4、TiO2、Al2O3、AlN、ZrO2、非晶硅和多晶硅中的任意一种形成。
6.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述声波谐振器包括具有依次堆叠在所述基板上的第一电极、压电层和第二电极的谐振器。
7.如权利要求6所述的声波谐振器封装件，其中，所述声波谐振器还包括沿着所述声波谐振器的表面设置的保护层，并且
其中，所述结合构件结合到所述保护层。
8.如权利要求7所述的声波谐振器封装件，其中，所述保护层利用SiO2、Si3N4、MgO、ZrO2、TiO2、Al2O3、AlN、锆钛酸铅、GaAs、HfO2、ZrO2、ZnO、金刚石、非晶硅和多晶硅中的任意一种形成。
9.如权利要求6所述的声波谐振器封装件，其中，所述声波谐振器还包括支撑层，所述支撑层设置在所述谐振器和所述基板之间，并且被构造为将所述谐振器和所述基板间隔开预定距离，并且
其中，所述结合构件结合到所述支撑层。
10.如权利要求9所述的声波谐振器封装件，其中，所述支撑层利用多晶硅材料形成。
11.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，所述声波谐振器封装件还包括支撑部，所述支撑部设置在所述声波谐振器上，并且被构造为面向所述结合构件，
其中，所述支撑部的上表面被构造为形成所述声波谐振器的结合表面。
12.如权利要求11所述的声波谐振器封装件，其中，所述支撑部的上端设置为比所述声波谐振器的上端更靠近所述盖。
13.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述盖被构造为在面向所述声波谐振器的区域中具有凹槽。
14.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述声波谐振器还包括沿着所述声波谐振器的表面设置的疏水层。
15.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，所述声波谐振器封装件还包括：
连接端子，设置在所述基板的第二表面上；以及
连接导体，设置为穿过所述基板并将所述声波谐振器和所述连接端子电连接。
16.一种声波谐振器封装件，包括：
声波谐振器，设置在基板的第一表面上；
盖，利用玻璃材料形成，并且设置为面向所述基板的所述第一表面；以及
结合构件，设置在所述基板和所述盖之间，并且被构造为将所述声波谐振器和所述盖彼此结合，
其中，所述结合构件包含玻璃熔块，并且
其中，所述盖被构造为在面向所述声波谐振器的区域中具有凹槽。
17.一种声波谐振器封装件，包括：
谐振器，设置在基板的第一表面上；
盖，设置在所述谐振器上方；
绝缘层，设置在所述基板的上表面上；以及
结合构件，被构造为将所述盖结合到所述绝缘层，
其中，所述盖利用玻璃材料形成，并且
其中，所述结合构件包括玻璃熔块。
18.如权利要求17所述的声波谐振器封装件，其中，所述结合构件利用V2O3、TaO2、B2O3、ZnO和Bi2O3中的一种形成。
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