CN115472725A - 一种芯片巨量修补方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种芯片巨量修补方法及显示装置，在对显示基板进行芯片巨量转移之后，确定出产生芯片空缺的缺陷位置坐标，再根据缺陷位置坐标构建出只在空缺位置设置芯片的转移基板，采用该转移基板对显示基板进行一次性修补，将产生空缺的位置一次性转移芯片。由此避免进行多次修补的繁复步骤，提高修补效率；同时只需要对显示基板加热一次即可完成所有转移的芯片与显示基板键合，避免反复加热对显示基板产生损伤，提高良率。

Description

一种芯片巨量修补方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种芯片巨量修补方法及显示装置。
背景技术
微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，简称Micro LED)显示技术是指发光芯片直接作为发光单元的显示技术。Micro LED继承了传统发光二极管的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。
Micro LED面板的驱动方式可以分为有源和无源两种，其中有源驱动模式具有低功耗、抗串扰、驱动成本低等优势。
目前的有源驱动方式需要将驱动基板与Micro LED分别制作，再通过巨量转移的方式将Micro LED与驱动基板对组。然而目前的巨量转移过工艺难度大，巨量转移之后会在驱动基板上出现大量的芯片空缺。
发明内容
本发明一些实施例中，在显示基板进行芯片巨量转移之后，确定出产生芯片空缺的缺陷位置坐标，再根据缺陷位置坐标构建出只在空缺位置设置芯片的转移基板，采用该转移基板对显示基板进行一次性修补，将产生空缺的位置一次性转移芯片。由此避免针对空缺位置进行多次修补的繁复步骤，提高修补效率；同时只需要对显示基板加热一次即可完成所有转移的芯片与显示基板键合，避免反复加热对显示基板产生损伤，提高良率。
本发明一些实施例中，芯片为显示芯片，具体为微型发光二极管。
本发明一些实施例中，在进行芯片巨量转移之后，可能会在显示基板上产生多个未转移成功Micro LED的空缺位置，通过对显示基板进行获取图像，从而根据图像分析确定出产生Micro LED空缺的缺陷位置坐标。
本发明一些实施例中，根据各缺陷位置坐标构建转移基板，具体包括：提供修复基板和空白基板；将修复基板和空白基板相对设置，修复基板上的各Micro LED面向空白基板设置；将修复基板上对应于各缺陷位置坐标处的Micro LED移至空白基板上，形成转移基板。
本发明一些实施例中，修复基板上的Micro LED与显示基板上的Micro LED的排列规则相同，且修复基板上的Micro LED的阵列规模大于或等于显示基板上的Micro LED的阵列规模。
本发明一些实施例中，空白基板上未设置有Micro LED，根据缺陷位置坐标在空白基板上设置Micro LED之后可以形成转移基板，再采用转移基板对显示基板进行巨量修补。
本发明一些实施例中，修复基板与各Micro LED之间采用光解材料进行粘结；通过对修复基板上对应于各缺陷位置坐标处进行激光照射，可以使对应位置的光解材料在光照作用下分解，对应位置的Micro LED从修复基板上脱落至空白基板上，最终形成转移基板。
本发明一些实施例中，空白基板面向修复基板的表面设置一层光解材料，从修复基板上脱落的Micro LED可以通过光解材料固定在空白基板的相应位置处，从而形成转移基板。
本发明一些实施例中，采用转移基板对显示基板进行巨量修补，具体包括：将转移基板设置于待修补的显示基板之上，转移基板上的各Micro LED面向待修补的显示基板设置；对转移基板进行激光照射，以使对应于各缺陷位置坐标处的微型发光二极管脱落至显示基板上。
本发明一些实施例中，在采用转移基板对显示基板进行巨量修补之后，将显示基板上的各Micro LED与显示基板键合，从而完成对显示基板的修补。
本发明一些实施例中，Micro LED与显示基板之间采用金属共晶的方式进行固定以及电连接，因此可以采用热固化或光固化的方式对显示基板进行加热，从而使Micro LED固定在显示基板之上。
本发明一些实施例中，由于产生Micro LED空缺的位置随机分布，因此修复基板即使已用于构建转移基板，在下一次进行巨量修补时，修复基板上剩余的Micro LED很大概率可以再次构建其它转移基板，因此同一个修复基板可以重复利用，有利于降低成本，提高修复基板上Micro LED的利用率。
本发明一些实施例中，显示基板包括至少两种颜色的Micro LED，用于实现彩色显示。
本发明一些实施例中，对于彩色显示基板进行巨量修补时，需要提供多个修复基板，修复基板的数量与显示基板包含的Micro LED的颜色种类的数量相同，同一个修复基板上的各Micro LED的颜色相同，不同修复基板上的Micro LED的颜色不同。
本发明一些实施例中，在准备好修复基板之后，依次将各修复基板上对应于该修复基板颜色的各缺陷位置坐标处的Micro LED转移至空白基板，以形成转移基板。
本发明一些实施例中，在采用转移基板对显示基板进行巨量修补之前，需要首先确定转移基板上的各Micro LED的电极方向是否与待修补的显示基板上的Micro LED的电极方向相匹配；在转移基板上的各Micro LED的电极方向与待修补的显示基板上的MicroLED的电极方向匹配时，采用转移基板对显示基板直接进行巨量修补。而在转移基板上的各Micro LED的电极方向与待修补的显示基板上的Micro LED的电极方向不匹配时，则需要重复执行以下操作直到更新的转移基板上的Micro LED的电极方向与待修补的显示基板上的Micro LED的电极方向匹配为止：将转移基板与另一空白基板相对设置，使转移基板上的Micro LED面向空白基板设置；将转移基板上的各Micro LED转移至空白基板上，形成更新的转移基板；采用最后一次更新的转移基板对显示基板进行巨量修补。
本发明一些实施例中，提供一种采用上述巨量补修方法得到的显示装置，采用上述巨量修补方法得到的显示装置上无缺失的Micro LED，且修补效率高，不会对显示装置中的显示基板产生过多的损伤，有利于提高良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所介绍的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的芯片巨量修补方法的流程图；
图2a为本发明实施例提供的显示基板的俯视示意图之一；
图2b为本发明实施例提供的显示基板的截面示意图之一；
图3为本发明实施例提供的构建转移基板的示意图之一；
图4为本发明实施例提供的巨量修补的示意图之一；
图5a为本发明实施例提供的巨量修补后的显示基板的截面示意图之一；
图5b为本发明实施例提供的巨量修补后的显示基板的俯视示意图之一；
图6a为本发明实施例提供的显示基板的俯视示意图之二；
图6b为本发明实施例提供的显示基板的截面示意图之二；
图7a-图7c为本发明实施例提供的构建转移基板的示意图；
图8为本发明实施例提供的巨量修补的示意图之二；
图9a为本发明实施例提供的巨量修补后的显示基板的截面示意图之二；
图9b为本发明实施例提供的巨量修补后的显示基板的俯视示意图之二；
图10为本发明实施例提供的转移基板的示意图；
图11为本发明实施例提供的更新转移基板的示意图；
图12为本发明实施例提供的更新的转移基板的示意图。
其中，100-显示基板，20-芯片、Micro LED，20r-红色Micro LED，20g-绿色MicroLED，20b-蓝色Micro LED，30-芯片空缺，400-修复基板，400r-红色修复基板，400g-绿色修复基板，400b-蓝色修复基板，500-转移基板，500’-更新的转移基板，50-空白基板。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。
发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)具有功耗小、使用寿命长和无污染等优势。LED的核心结构为PN结，具有正向导通、反射截止等特性，当向PN结加正向偏压时，n型区的电子和p型区的空穴会在外加电场的作用下运动，电子和空穴发生带间复合之后产生的能量以光子的形式释放，从而发光。但是这种同质结构的LED的发光效率较低，因此常引入多异质结结构制作LED来提高发光效率。
具有多量子阱结构的LED器件在正向偏转时，电子和空穴在外加电场的作用下运动至多量子阱层，增大了电子与空穴波函数的重合率，提高了其复合发光效率。
Micro LED是将LED微缩化，Micro LED继承了LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。Micro LED通常指Micro LED芯片，目前的Micro LED显示装置通常需要将驱动基板和Micro LED单独制作，在采用巨量转移技术将Micro LED转移至驱动基板进行对组，在这个过程中需要采用数量巨大的Micro LED转移至驱动基板之上，再对Micro LED与驱动基板键合。
然而单次巨量转移的成功率并不是很高，在执行巨量转移操作之后驱动基板之上会存在许多芯片空缺的位置，此时则需要依次对产生芯片空缺的位置转移Micro LED，然而每次转移Micro LED之后均需要对驱动基板进行加热固化等操作才能实现Micro LED与驱动基板的键合，无疑会对驱动基板产生损伤，导致使用寿命缩短以及良率下降等问题。
有鉴于此，本发明实施例提供一种芯片巨量修补方法，可以将显示基板产生芯片空缺的位置一次性进行修补，从而避免对显示基板重复加热的步骤，提高显示基板良率以及对显示基板的修复效率。
图1为本发明实施例提供的显示基板的巨量修补方法的流程图。
参照图1，本发明实施例提供的芯片巨量修补方法，包括：
S10、在对显示基板进行芯片巨量转移之后，确定产生芯片空缺的缺陷位置坐标；
S20、根据各缺陷位置坐标构建转移态基板；转移基板在各缺陷位置坐标处设置有待转移的芯片；
S30、采用转移基板对显示基板进行巨量修补，以使转移基板上的各芯片转移至显示基板的各缺陷位置坐标处。
首先需要说明的是，本发明实施例中的芯片为发光芯片，具体可以为Micro LED，Micro LED为芯片级尺寸，通常可以设置在100μm以下，达到像素级尺寸，Micro LED可以作为显示装置的显示器件直接用于图像显示。本发明实施例中的显示基板可以为用于对Micro LED进行有源驱动的驱动基板或驱动背板，在此不做限定。
本发明实施例提供的上述巨量修补方法在显示基板进行芯片巨量转移之后，确定出产生Micro LED空缺的缺陷位置坐标，再根据缺陷位置坐标构建出只在空缺位置设置Micro LED的转移基板，采用该转移基板对显示基板进行一次性修补，将产生空缺的位置一次性转移Micro LED。由此避免针对空缺位置的Micro LED进行多次修补的繁复步骤，提高修补效率；同时只需要对显示基板加热一次即可完成所有转移的Micro LED与显示基板键合，避免反复加热对显示基板产生损伤，提高良率。
具体地，在上述步骤S10中，确定产生微型发光二极管空缺的缺陷位置坐标，具体包括：
获取进行芯片巨量转移之后的显示基板的图像；
根据获取的图像确定产生芯片空缺的缺陷位置坐标。
举例来说，当显示基板上的用于显示的芯片为Micro LED时，在对显示基板进行巨量转移之后，可能会在显示基板上产生多个未转移成功Micro LED的空缺位置，此时可以通过对显示基板进行获取图像，从而根据图像分析确定出产生Micro LED空缺的缺陷位置坐标。除此之外，还可以采用其它方法确定产生Micro LED空缺的缺陷位置坐标，在此不做限定。
图2a为本发明实施例提供的显示基板的俯视示意图之一，图2b为本发明实施例提供的显示基板的截面示意图之一。
如图2a所示，在进行巨量转移之后，在显示基板100具有呈阵列排布的芯片20，以及产生6个芯片空缺30的位置，如果按照行和列的位置对其进行坐标化，则产生芯片空缺30的缺陷位置坐标分别为(2,2)、(2,4)、(2,5)、(3,3)、(3,5)、(4,4)。为了说明巨量修补过程，以第二行的位置产生的截面结构进行说明，如图2b所示，第二行的第二、第四和第五个位置产生芯片空缺30，即缺陷位置坐标为(2,2)、(2,4)、(2,5)。
在确定出了产生芯片空缺的缺陷位置坐标之后，根据缺陷位置坐标构建转移基板。具体地，在上述步骤S20中，根据各缺陷位置坐标构建转移基板，具体包括：
提供修复基板和空白基板；
将修复基板和空白基板相对设置，修复基板上的各芯片面向空白基板设置；
将修复基板上对应于各缺陷位置坐标处的芯片转移至空白基板上，形成转移基板。
图3为本发明实施例提供的构建转移基板的示意图之一。
如图3所示，修复基板400上设置有呈阵列排布的多个芯片20，该芯片为MicroLED。在下文中出现的芯片20均可以理解为Micro LED。
修复基板400用于构建转移基板500，修复基板上的Micro LED与显示基板上的Micro LED的排列规则相同，且修复基板上的Micro LED的阵列规模大于或等于显示基板上的Micro LED的阵列规模。在第一次使用之前，修复基板400上的Micro LED不会产生任何空缺位置。
空白基板上未设置有Micro LED，根据缺陷位置坐标在空白基板上设置Micro LED之后可以形成转移基板500，转移基板500是对显示基板进行巨量修补用的基板。
如图3所示，在根据缺陷位置坐标构建转移基板500时，可以先将修复基板400与一空白基板相对设置，以使得修复基板400上的各Micro LED(20)面向空白基板，再根据各缺陷位置坐标将修复基板400上对应的位置的Micro LED(20)转移至空白基板之上，即将坐标为(2,2)、(2,4)、(2,5)的Micro LED转移至空白基板上的对应位置，从而形成转移基板500。
在具体实施时，修复基板400与各芯片20之间采用光解材料401进行粘结；那么通过对修复基板400上对应于各缺陷位置坐标处进行激光照射，可以使对应位置的光解材料在光照作用下分解，对应位置的芯片20从修复基板400上脱落至空白基板上，最终形成转移基板500。
空白基板面向修复基板400的表面也可以相应的设置一层光解材料501，那么从修复基板400上脱落的芯片20可以通过光解材料501固定在空白基板的相应位置处，从而形成转移基板500。
进一步地，在上述的步骤S30中，采用转移基板对显示基板进行巨量修补，具体包括：
将转移基板设置于待修补的显示基板之上，转移基板上的各芯片面向待修补的显示基板设置；
对转移基板进行激光照射，以使对应于各缺陷位置坐标处的芯片脱落至显示基板上。
图4为本发明实施例提供的巨量修补的示意图之一。
如图4所示，将构建出的转移基板500与显示基板100相对设置，使得转移基板500上的各Micro LED(20)与显示基板上的各Micro LED(20)相对设置，其中转移基板500上的各Micro LED与显示基板上产生Micro LED空缺的位置一一对应。
由于转移基板500上也设置了光解材料501，在将转移基板500与显示基板100进行对位之后，对转移基板500进行激光照射，可以使光解材料501在光照作用下分解，即可使转移基板500上坐标(2,2)、(2,4)、(2,5)处的Micro LED(20)脱落至显示基板100上的缺陷位置坐标处，从而对显示基板进行巨量修补。
图5a为本发明实施例提供的巨量修补后的显示基板的截面示意图之一，图5b为本发明实施例提供的巨量修补后的显示基板的俯视示意图之一。
如图5a和图5b所示，在进行巨量修补之后显示基板100上的各Micro LED(20)呈阵列排布，且在任意坐标位置均不再有空缺，由此可以对产生空缺的Micro LED一次性转移。
在采用转移基板500对显示基板100进行巨量修补之后，将显示基板上的各芯片20与显示基板100键合，从而完成对显示基板的修补。
通常情况下，芯片20与显示基板100之间采用金属共晶的方式进行固定以及电连接，因此可以采用热固化或光固化的方式对显示基板进行加热，从而使芯片20固定在显示基板100之上，且与显示基板之间电连接，由此通过显示基板可以驱动各芯片20进行图像显示。
在应用过程中，由于产生芯片空缺30的位置随机分布，因此修复基板400即使已用于构建转移基板，在下一次进行巨量修补时，修复基板400上剩余的Micro LED很大概率可以再次构建其它转移基板，因此同一个修复基板400通常可以重复利用，有利于降低成本，提高修复基板上Micro LED的利用率。
在一些实施例中，显示基板包括至少两种颜色的芯片20，例如，显示基板可以包括红色Micro LED、绿色Micro LED和蓝色Micro LED，且三种颜色的Micro LED按照设定顺序重复排列，相邻的一个红色Micro LED、一个绿色Micro LED和一个蓝色Micro LED构成一个像素单元，采用上述三种颜色的Micro LED可以实现全彩显示。
对于彩色显示基板进行巨量修补时，需要提供多个修复基板400，修复基板400的数量与显示基板包含的芯片20的颜色种类的数量相同，同一个修复基板上的各芯片20的颜色相同，不同修复基板上的芯片的颜色不同。
例如，图6a为本发明实施例提供的显示基板的俯视示意图之二，图6b为本发明实施例提供的显示基板的截面示意图之二。
如图6a所示，显示基板100包括红色Micro LED(20r)、绿色Micro LED(20g)和蓝色Micro LED(20b)，在进行巨量转移之后，在显示基板100具有呈阵列排布的Micro LED，以及产生7个芯片空缺30的位置，如果按照行和列的位置对其进行坐标化，则产生芯片空缺30的缺陷位置坐标分别为(2,2)、(2,4)、(2,5)、(2,6)、(3,3)、(3,5)、(4,4)。其中，产生红色Micro LED空缺的位置为(2,4)、(4,4)，产生绿色Micro LED空缺的位置为(2,2)、(2,5)、(3,5)，产生蓝色Micro LED空缺的位置为(2,6)、(3,3)。
为了说明巨量修补过程，以第二行的位置产生的截面结构进行说明，如图6b所示，第二行的第二、第四、第五和第六个位置产生芯片空缺30，其中，红色Micro LED的缺陷位置坐标为(2,4)，绿色Micro LED的缺陷位置坐标为(2,2)、(2,5)，蓝色Micro LED的缺陷位置坐标为(2,6)。
此时需要提供三个修复基板，分别为红色修复基板、绿色修复基板和蓝色修复基板；其中，红色修复基板上的Micro LED均为红色Micro LED，绿色修复基板上的Micro LED均为绿色Micro LED，蓝色修复基板上的Micro LED均为蓝色Micro LED。
在准备好修复基板之后，依次将各修复基板上对应于该修复基板颜色的各缺陷位置坐标处的芯片转移至空白基板。
图7a-图7c为本发明实施例提供的构建转移基板的示意图。
如图7a所示，先将红色修复基板400r与一空白基板相对设置，以使得修复基板400上的各红色Micro LED(20r)面向空白基板，再根据红色Micro LED的缺陷位置坐标将红色修复基板400r上对应的位置的红色Micro LED(20r)转移至空白基板之上，即将坐标为(2,4)的红色Micro LED转移至空白基板上的对应位置。
如图7b所示，再将绿色修复基板400g与形成了红色Micro LED的转移基板500相对设置，以使得绿色修复基板400g上的各绿色Micro LED(20g)面向转移基板500，再根据绿色Micro LED的缺陷位置坐标将绿色修复基板400g上对应的位置的绿色Micro LED(20g)转移至转移基板500之上，即将坐标为(2,2)、(2,5)的绿色Micro LED转移至转移基板500上的对应位置。
如图7c所示，再将蓝色修复基板400b与形成了红色Micro LED和绿色Micro LED的转移基板500相对设置，以使得蓝色修复基板400b上的各蓝色Micro LED(20b)面向转移基板500，再根据蓝色Micro LED的缺陷位置坐标将蓝色修复基板400b上对应的位置的蓝色Micro LED(20b)转移至转移基板500之上，即将坐标为(2,6)的蓝色Micro LED转移至转移基板500上的对应位置，由此经过三次Micro LED转移，形成用于修补显示基板的修复基板500。
再采用修复基板500对显示基板进行巨量修补，从而可以对显示基板上产生的芯片空缺位置一次性修补。
图8为本发明实施例提供的巨量修补的示意图之二。
如图8所示，将构建出的转移基板500与显示基板100相对设置，使得转移基板500上的红色Micro LED(20r)、绿色Micro LED(20g)和蓝色Micro LED(20b)与显示基板上的各Micro LED相对设置，其中转移基板500上的各Micro LED与显示基板上产生Micro LED空缺的位置一一对应。
同样地，转移基板500上设置了光解材料501，在将转移基板500与显示基板100进行对位之后，对转移基板500进行激光照射，可以使光解材料501在光照作用下分解，即可使转移基板500坐标(2,4)处的红色Micro LED(20r)，坐标(2,2)、(2,5)处的绿色Micro LED(20g)以及坐标(2,6)处的蓝色Micro LED(20b)脱落至显示基板100上的缺陷位置坐标处，从而对显示基板进行巨量修补。
图9a为本发明实施例提供的巨量修补后的显示基板的截面示意图之二，图9b为本发明实施例提供的巨量修补后的显示基板的俯视示意图之二。
如图9a和图9b所示，在进行巨量修补之后显示基板100上的各颜色的Micro LED按照设定的顺序呈阵列排布，且在任意坐标位置均不再有空缺，由此可以对产生空缺的MicroLED一次性转移。
在采用转移基板500对显示基板100进行巨量修补之后，将显示基板上的各芯片与显示基板100键合，从而完成对显示基板的修补，从而避免对显示基板进行反复加热，提升对显示基板的修复效率。
需要注意的是，显示基板上的Micro LED的电极具有设定方向，其中，Micro LED可以为分为水平结构的Micro LED和垂直结构的Micro LED。水平结构的Micro LED的两个电极位于Micro LED的同一侧，而垂直结构的Micro LED的两个电极分别位于Micro LED的两侧。
当采用水平结构的Micro LED时，Micro LED的两个电极通常会面向显示基板设置，将Micro LED的两个电极焊接到显示基板的焊盘上可以实现Micro LED与显示基板之间的电连接；当采用垂直结构的Micro LED时，面向显示基板一侧的电极需要为Micro LED的同一侧的电极，例如可以是Micro LED的正极靠近显示基板设置，或者也可以是Micro LED的负极靠近显示基板设置，在此不做限定。
那么在采用转移基板对显示基板进行巨量修补之前，需要首先确定转移基板上的各芯片的电极方向是否与待修补的显示基板上的芯片的电极方向相匹配。
具体地，转移基板上的各Micro LED的结构需要与显示基板上已经存在的MicroLED的结构相同，且转移基板上的Micro LED的电极方向需要与显示基板上已经存在的Micro LED的电极方向相匹配。
举例来说，如果显示基板上已经存在的Micro LED为水平结构，且电极靠近显示基板设置，由于转移基板在对显示基板进行巨量修补时需要与显示基板相对设置，那么转移基板上的Micro LED也需要为水平结构，且电极远离转移基板设置，这样在对转移基板进行激光照射之后，Micro LED脱落至显示基板时其电极方向与显示基板上已存在的Micro LED的电极方向相同。
因此，本发明实施例在采用转移基板对显示基板进行巨量修补之前，需要确定转移基板上的芯片的电极方向是否与显示基板上的芯片的电极方向相匹配，在转移基板上的芯片的电极方向与待修补的显示基板上的芯片的电极方向匹配时，采用转移基板对显示基板直接进行巨量修补。
而在转移基板上的各芯片的电极方向与待修补的显示基板上的芯片的电极方向不匹配时，则需要重复执行以下操作直到更新的转移基板上的芯片的电极方向与待修补的显示基板上的芯片的电极方向匹配为止：
将转移基板与另一空白基板相对设置，使转移基板上的芯片面向空白基板设置；
将转移基板上的各芯片转移至空白基板上，形成更新的转移基板；
采用最后一次更新的转移基板对显示基板进行巨量修补。
图10为本发明实施例提供的转移基板的示意图，图11为本发明实施例提供的更新的转移基板的示意图。
如图10所示，如果根据缺陷位置坐标构建的转移基板500上的各Micro LED的电极面向转移基板500一侧设置，从而导致采用这样的转移基板500对显示基板100进行巨量修补之后Micro LED的电极方向与显示基板不匹配时，需要对转移基板500进行更新。
如图11所示，具体来说，可以将转移基板500与一空白基板50相对设置，其中，转移基板500与Micro LED之间存在一层光解材料501，同样地，空白基板50面向转移基板500的一侧也设置一层光解材料501。在对转移基板500进行激光照射时，光解材料在光照作用下分解，转移基板500上的Micro LED脱落并固定到空白基板50上，此时形成如图12所示的更新的转移基板500’。
更新的转移基板500’上Micro LED的电极方向与显示基板上已存在的Micro LED的电极方向相匹配，在采用图12中更新的转移基板500’对显示基板进行巨量转移的情况可以参照图4，具体的修补方法可以参见上述实施例，在此不做限定。
由此，通过重复更新转移基板的步骤最终可以使最后一次更新的转移基板上的Micro LED电极方向与显示基板相匹配，上述方法不仅适用于水平结构的Micro LED，同样适用于垂直结构的Micro LED，具体操作过程此处不再赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例提供一种显示装置，该显示装置采用上述任一巨量修补方法进行巨量修补得到。采用本发明实施例提供的巨量修补方法得到的显示装置上无缺失的芯片，且修补效率高，不会对显示装置中的显示基板产生过多的损伤，有利于提高良率。
本发明实施例提供的显示装置可以为Micro LED显示装置，该Micro LED显示装置可以为手机、电脑、平板、电视、电子相框等用于图像显示的显示设备，在此不做限定。显示装置除包括上述显示基板以外，还绑定有用于控制显示基板进行图像显示的驱动芯片以及封装结构。
根据第一发明构思，在对显示基板进行芯片巨量转移之后，确定出产生芯片空缺的缺陷位置坐标，再根据缺陷位置坐标构建出只在空缺位置设置芯片的转移基板，采用该转移基板对显示基板进行一次性修补，将产生空缺的位置一次性转移芯片。由此避免针对空缺位置进行多次修补的繁复步骤，提高修补效率；同时只需要对显示基板加热一次即可完成所有转移的芯片与显示基板键合，避免反复加热对显示基板产生损伤，提高良率。
根据第二发明构思，在进行芯片巨量转移之后，可能会在显示基板上产生多个未转移成功Micro LED的空缺位置，通过对显示基板进行获取图像，从而根据图像分析确定出产生Micro LED空缺的缺陷位置坐标。
根据第三发明构思，根据各缺陷位置坐标构建转移基板，具体包括：提供修复基板和空白基板；将修复基板和空白基板相对设置，修复基板上的各Micro LED面向空白基板设置；将修复基板上对应于各缺陷位置坐标处的Micro LED转移至空白基板上，形成转移基板。
根据第四发明构思，修复基板上的Micro LED与显示基板上的Micro LED的排列规则相同，且修复基板上的Micro LED的阵列规模大于或等于显示基板上的Micro LED的阵列规模。空白基板上未设置有Micro LED，根据缺陷位置坐标在空白基板上设置Micro LED之后可以形成转移基板，再采用转移基板对显示基板进行巨量修补。
根据第五发明构思，修复基板与各Micro LED之间采用光解材料进行粘结；通过对修复基板上对应于各缺陷位置坐标处进行激光照射，可以使对应位置的光解材料在光照作用下分解，对应位置的Micro LED从修复基板上脱落至空白基板上。空白基板面向修复基板的表面设置一层光解材料，从修复基板上脱落的Micro LED可以通过光解材料固定在空白基板的相应位置处，从而形成转移基板。
根据第六发明构思，采用转移基板对显示基板进行巨量修补，具体包括：将转移基板设置于待修补的显示基板之上，转移基板上的各Micro LED面向待修补的显示基板设置；对转移基板进行激光照射，以使对应于各缺陷位置坐标处的Micro LED脱落至显示基板上。
根据第七发明构思，在采用转移基板对显示基板进行巨量修补之后，将显示基板上的各Micro LED与显示基板键合，从而完成对显示基板的修补。Micro LED与显示基板之间采用金属共晶的方式进行固定以及电连接，因此可以采用热固化或光固化的方式对显示基板进行加热，从而使Micro LED固定在显示基板之上。
根据第八发明构思，由于产生Micro LED空缺的位置随机分布，因此修复基板即使已用于构建转移基板，在下一次进行巨量修补时，修复基板上剩余的Micro LED很大概率可以再次构建其它转移基板，因此同一个修复基板可以重复利用，有利于降低成本，提高修复基板上Micro LED的利用率。
根据第九发明构思，显示基板包括至少两种颜色的Micro LED，用于实现彩色显示。对于彩色显示基板进行巨量修补时，需要提供多个修复基板，修复基板的数量与显示基板包含的Micro LED的颜色种类的数量相同，同一个修复基板上的各Micro LED的颜色相同，不同修复基板上的Micro LED的颜色不同。
根据第十发明构思，在准备好修复基板之后，依次将各修复基板上对应于该修复基板颜色的各缺陷位置坐标处的Micro LED转移至空白基板，以形成转移基板。
根据第十一发明构思，在采用转移基板对显示基板进行巨量修补之前，需要首先确定转移基板上的各Micro LED的电极方向是否与待修补的显示基板上的Micro LED的电极方向相匹配；在转移基板上的各Micro LED的电极方向与待修补的显示基板上的MicroLED的电极方向匹配时，采用转移基板对显示基板直接进行巨量修补。而在转移基板上的各Micro LED的电极方向与待修补的显示基板上的Micro LED的电极方向不匹配时，则需要重复执行以下操作直到更新的转移基板上的Micro LED的电极方向与待修补的显示基板上的Micro LED的电极方向匹配为止：将转移基板与另一空白基板相对设置，使转移基板上的Micro LED面向空白基板设置；将转移基板上的各Micro LED转移至空白基板上，形成更新的转移基板；采用最后一次更新的转移基板对显示基板进行巨量修补。
根据第十二发明构思，提供一种显示装置，采用上述巨量修补方法得到的显示装置上无缺失的Micro LED，且修补效率高，不会对显示装置中的显示基板产生过多的损伤，有利于提高良率。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种芯片巨量修补方法，其特征在于，包括：
在对显示基板进行芯片巨量转移之后，确定产生芯片空缺的缺陷位置坐标；
根据各所述缺陷位置坐标构建转移态基板；所述转移基板在各所述缺陷位置坐标处设置有待转移的芯片；
采用所述转移基板对显示基板进行巨量修补，以使所述转移基板上的各芯片转移至所述显示基板的各所述缺陷位置坐标处。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定产生芯片空缺的缺陷位置坐标，包括：
获取进行芯片巨量转移之后的显示基板的图像；
根据获取的图像确定产生芯片空缺的缺陷位置坐标。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据各所述缺陷位置坐标构建转移基板，包括：
提供修复基板和空白基板；所述修复基板上设置有多个芯片，所述空白基板上未设置芯片；
将所述修复基板和所述空白基板相对设置，所述修复基板上的各芯片面向所述空白基板设置；
将所述修复基板上对应于各所述缺陷位置坐标处的芯片转移至所述空白基板上，形成所述转移基板。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述修复基板与各芯片之间采用光解材料进行粘结；
所述将所述修复基板上对应于各所述缺陷位置坐标处的芯片转移至所述空白基板上，包括：
对所述修复基板上对应于各所述缺陷位置坐标处进行激光照射，以使对应于各所述缺陷位置坐标处的芯片脱落至所述空白基板上。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述显示基板包括至少两种颜色的芯片；
所述提供修复基板，包括：
提供至少两个修复基板；所述修复基板的数量与所述显示基板包含的芯片的颜色种类的数量相同，同一个所述修复基板上的各芯片的颜色相同，不同所述修复基板上的芯片的颜色不同；
所述将所述修复基板上对应于各所述缺陷位置坐标处的芯片转移至所述空白基板上，包括：
依次将各所述修复基板上对应于该修复基板颜色的各缺陷位置坐标处的芯片转移至所述空白基板。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述转移基板与各芯片之间采用光解材料层进行粘结；
所述采用所述转移基板对显示基板进行巨量修补，包括：
将所述转移基板设置于待修补的显示基板之上，所述转移基板上的各芯片面向待修补的显示基板设置；
对所述转移基板进行激光照射，以使对应于各所述缺陷位置坐标处的芯片脱落至显示基板上。
7.如权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，在采用所述转移基板对显示基板进行巨量修补之前，还包括：
确定所述转移基板上的各芯片的电极方向是否与待修补的显示基板上的芯片的电极方向相匹配；
在所述转移基板上的各芯片的电极方向与待修补的显示基板上的芯片的电极方向匹配时，采用所述转移基板对显示基板进行巨量修补；
在所述转移基板上的各芯片的电极方向与待修补的显示基板上的芯片的电极方向不匹配时，重复执行以下操作直到更新的转移基板上的芯片的电极方向与待修补的显示基板上的芯片的电极方向匹配为止：
将所述转移基板与另一空白基板相对设置，使所述转移基板上的芯片面向所述空白基板设置；
将所述转移基板上的各芯片转移至所述空白基板上，形成更新的转移基板；
采用最后一次更新的转移基板对所述显示基板进行巨量修补。
8.如权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，还包括：
将所述芯片与所述显示基板键合。
9.如权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述芯片为微型发光二极管芯片。
10.一种显示装置，其特征在于，采用如权利要求1-9任一项所述的方法进行芯片巨量修补得到。
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