CN115442991A - 电子装置 - Google Patents

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layer
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蔡百琪
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Innolux Display Corp
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Abstract

本揭露提供一种电子装置。电子装置包括支撑基板、第一基板、半导体组件以及黏着层。第一基板设置于支撑基板上。半导体组件设置于第一基板上。黏着层设置于支撑基板与第一基板之间。黏着层包括多个沟槽。本揭露实施例的电子装置可通过黏着层的沟槽改善黏着层与其它叠层之间的气泡所造成的外观平整度问题。

Description

电子装置
技术领域
本揭露涉及一种电子装置，尤其涉及一种可通过黏着层的沟槽改善黏着层与其它叠层之间的气泡所造成的外观平整度问题的电子装置。
背景技术
电子装置或拼接电子装置已广泛地应用于通讯、显示、车用或航空等不同领域中。随电子装置蓬勃发展，电子装置朝向轻薄化开发，因此对于电子装置的可靠度、质量与整体外观的平整度要求越高。
发明内容
本揭露是提供一种电子装置，其可通过黏着层的沟槽改善黏着层与其它叠层之间的气泡所造成的外观平整度问题。
根据本揭露的实施例，电子装置包括支撑基板、第一基板、半导体组件以及黏着层。第一基板设置于支撑基板上。半导体组件设置于第一基板上。黏着层设置于支撑基板与第一基板之间。黏着层包括多个沟槽。
附图说明
包含附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。
图1A为本揭露一实施例的电子装置的局部剖面示意图；
图1B为图1A的电子装置的黏着层的下视示意图；
图1C为图1A的电子装置的黏着层的局部放大图；
图2为本揭露另一实施例的电子装置的黏着层的下视示意图；
图3为本揭露另一实施例的电子装置的黏着层的下视示意图；
图4为本揭露另一实施例的电子装置的局部剖面示意图；
图5为本揭露另一实施例的电子装置的局部剖面示意图。
附图标号说明
100、100c、100d：电子装置；
110：支撑基板；
120：第一基板；
130：半导体组件；
140、140a、140b：黏着层；
141：第一侧；
142：第二侧；
143、143a、143b：沟槽；
1431、1432：侧壁；
144：边缘；
150：黏着层；
151：第一侧；
152：第二侧；
153：沟槽；
154：边缘；
160：驱动基板；
170：保护层；
180：黏着层；
181：第一侧；
182：第二侧；
183：沟槽；
184：边缘；
190：装饰板；
G：缝隙；
V：顶角；
X、Y、Z：方向；
θ：角度。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定组件并非依照实际比例绘图。此外，图中各组件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。
在下文说明书与权利要求中，“含有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。
应了解到，当组件或膜层被称为在另一个组件或膜层“上”或“连接到”另一个组件或膜层时，它可以直接在此另一组件或膜层上或直接连接到此另一组件或层，或者两者之间存在有***的组件或膜层(非直接情况)。相反地，当组件被称为“直接”在另一个组件或膜层“上”或“直接连接到”另一个组件或膜层时，两者之间不存在有***的组件或膜层。
虽然术语“第一”、“第二”、“第三”…可用以描述多种组成组件，但组成组件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成组件与其它组成组件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中组件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成组件在权利要求中可能为第二组成组件。
于文中，“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的用语通常表示在一给定值10％内、或5％内、或3％之内、或2％之内、或1％之内、或0.5％之内的范围。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的含义。
在本揭露一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构系直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语“耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段。
在本揭露一些实施例中，可使用光学显微镜(optical microscopy，OM)、扫描式电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪、或其它合适的方式测量各组件的面积、宽度、厚度或高度、或组件之间的距离或间距。详细而言，根据一些实施例，可使用扫描式电子显微镜取得包含欲测量的组件的剖面结构图像，并测量各组件的面积、宽度、厚度或高度、或组件之间的距离或间距。
本揭露的电子装置可包括显示设备、背光装置、天线装置、感测装置或拼接装置，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。显示设备可为非自发光型显示设备或自发光型显示设备。天线装置可为液晶型态的天线装置或非液晶型态的天线装置，感测装置可为感测电容、光线、热能或超声波的感测装置，但不以此为限。电子装置所包含的半导体组件可包括被动组件与主动组件，例如电容、电阻、电感、二极管、晶体管等。二极管可包括发光二极管或光电二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic lightemitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot LED)，但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。下文将以电子装置说明本揭露内容。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其它实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
现将详细地参考本揭露的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1A为本揭露一实施例的电子装置的局部剖面示意图。图1B为图1A的电子装置的黏着层的下视示意图。图1C为图1A的电子装置的黏着层的局部放大图。
请参照图1A，本实施例的电子装置100包括支撑基板110、第一基板120、半导体组件130以及黏着层140。其中，支撑基板110可以为硬性基板、软性基板或前述的组合。举例来说，支撑基板110的材料可包括玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、硅晶圆、碳化硅晶圆、陶瓷、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚甲基丙烯酸甲酯、硅氧烷、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其它合适的基板材料、或前述的组合，但不以此为限。此外，在本实施例中，电子装置100还包括：黏着层150位于支撑基板110上、驱动基板160位于第一基板120与支撑基板110之间，以及保护层170位于第一基板120上，且与半导体组件130同时位于第一基板120的同一侧。
在本实施例，方向X、方向Y以及方向Z分别为不同的方向。方向X例如是支撑基板110的延伸方向，方向Y例如是支撑基板110的法线方向。其中，方向X大致上垂直于方向Y，且方向X与方向Y则分别大致上垂直于方向Z，但不以此为限。
具体来说，黏着层150设置于支撑基板110上，且设置于支撑基板110与第一基板120之间，例如黏着层150位于支撑基板110与驱动基板160之间。在本实施例中，黏着层150可例如是以大气贴合或真空贴合的方式贴合于支撑基板110上。黏着层150的材料可例如是光学胶(optically clear adhesive；OCA)、透明光学胶(optical clear resin；OCR)、压敏胶(pressure sensitive adhesive；PSA)、其它合适的黏着材料、或前述的组合，但不以此为限。黏着层150的杨氏模量可例如是0.001MPa至500MPa(0.001MPa≦杨氏模量≦500MPa)，但不以此为限。
驱动基板160设置于黏着层150上。驱动基板160可为主动式驱动基板或被动式驱动基板，例如驱动基板160可包括扫描线、数据线和/或晶体管等所构成的驱动电路(未示出)，但不以此为限。驱动基板160可耦接第一基板120，且驱动基板160可通过第一基板120驱动半导体组件130。在本实施例中，驱动基板160可以为硬性基板、软性基板或前述的组合。举例来说，驱动基板160的材料可包括玻璃、石英、蓝宝石、硅晶圆、碳化硅晶圆、陶瓷、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、硅氧烷、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、其它合适的基板材料、或前述的组合，但不以此为限。在一些实施例中，驱动基板160为可弯折。
多个黏着层140(图1A示意地以2个为例，但不以此为限)设置于驱动基板160上，且相邻的两个黏着层140之间具有缝隙G。黏着层140设置于支撑基板110与第一基板120之间。黏着层140可位于驱动基板160与第一基板120之间。黏着层140可例如是以大气贴合或真空贴合的方式贴合于驱动基板160上。黏着层140的材料可例如是光学胶、透明光学胶、压敏胶、其它合适的黏着材料、或前述的组合，但不以此为限。黏着层140的杨氏模量例如是0.001MPa至500MPa(0.001MPa≦杨氏模量≦500MPa)，但不以此为限。
详细来说，黏着层140具有彼此相对的第一侧141与第二侧142。第一侧141为黏着层140面向支撑基板110的一侧，且为黏着层140面向驱动基板160的一侧。第二侧142为黏着层140面向半导体组件130的一侧，且为黏着层140面向第一基板120的一侧。在本实施例中，黏着层140包括多个沟槽143。其中，多个沟槽143例如是位于黏着层140面向支撑基板110的一侧(即第一侧141)，以使黏着层140的第一侧141为非平面，但不以此为限。多个沟槽143不会将黏着层140断开，且多个沟槽143不会连接第一侧141与第二侧142。
请参照图1B，在黏着层140的下视示意图中，多个沟槽143可沿着一个或多个方向延伸至黏着层140的四个边缘144，且多个沟槽143的形状设计及其排列方式可产生一固定的纹路或重复性的图案。举例来说，如图1B所示，多个长条形的沟槽143可交错排列，而在位于第一侧141的黏着层140的表面形成一菱格纹的图案，但本揭露并不以此为限。例如在图2与图3所示的实施例中，多个沟槽也可以为菱形或其他形状，且位于第一侧的黏着层也可以为圆形、六边形或其他形状，只要多个沟槽于单位面积内为可重复的形状且多个沟槽可以延伸至黏着层的边缘即可。
由于基板贴合时容易产生气泡，在本实施例中，多个沟槽143可作为排气道，以具有排气的功能。藉此，可使黏着层140与驱动基板160之间的气泡可通过并沿着多个沟槽143(即排气道)而朝向黏着层140的边缘144排出，以减少第一基板120与驱动基板160之间因气泡而导致电性连接不佳的问题。其中，所述气泡例如是在黏着层140贴合至驱动基板160时产生，也例如是在黏着层140贴合至驱动基板160后的其他后制程(例如高温)时产生，但不以此为限。
请参照图1C，在黏着层140的局部剖面示意图中，黏着层140的厚度T可例如是10微米(μm)至50微米(10微米≦黏着层的厚度≦50微米)，以使第一基板120可通过贯穿黏着层140的焊锡(未绘出)而电性连接至驱动基板160，但不以此为限。在兼顾沟槽排气能力与黏着层140的结构的整体性的前提下，在一些实施例中，多个沟槽143的高度H可例如介于3微米至黏着层140的厚度T的一半的范围(3微米≦沟槽高度≦1/2T)。例如当黏着层140的厚度T为50微米时，沟槽143的高度H可介于3微米至25微米之间的范围(3微米≦沟槽高度≦25微米)。也就是说，沟槽143的高度H至少须为3微米，使气泡可以通过多个沟槽143排出；而当黏着层140的厚度T为50微米时，沟槽143的高度H不应超过25微米，以免破坏黏着层140的结构的整体性，进而使得黏着层140在与离型层(未示出)分离时有断开的风险；而在一些实施例中，多个沟槽143的高度H可为黏着层140的厚度T的1/3至1/2(即1/3×T≦H≦1/2×T)，但本揭露并不以此为限。其中，厚度T例如是黏着层140沿着支撑基板110的法线方向(即方向Y)进行测量到的最大厚度。高度H例如是沟槽143沿着支撑基板110的法线方向(即方向Y)进行测量到的最大高度。此外，在本实施例中，在图1B的黏着层140的下视示意图中，多个沟槽143的面积约为黏着层140的总面积的4％至10％(4％≦沟槽面积与黏着层的总面积的比例≦10％)，但不以此为限。
请继续参照图1C，在黏着层140的局部剖面示意图中，多个沟槽143的形状可例如是三角形，多个沟槽143的剖面具有顶角V，且顶角V可以由沟槽143的侧壁1431与侧壁1432定义出。在本实施例中，顶角V的角度θ(即侧壁1431与侧壁1432之间的夹角)可例如是60度至110度(60度≦顶角≦110度)，以使沟槽143的结构稳固且可支撑黏着层140，但不以此为限。当角度θ小于60度时，则可能会使侧壁1431与侧壁1432黏合在一起。当角度θ大于110度时，则可能会使沟槽143崩塌。在一些实施例中，沟槽143的顶部形状也可以是弧形、多边形或不规则的形状，但不以此为限。
多个第一基板120(图1A示意地以2个为例，但不以此为限)设置于支撑基板110上，且相邻的两个第一基板120之间具有缝隙G。在本实施例中，小尺寸的第一基板120可通过黏着层140而以拼接的方式设置于大尺寸的驱动基板160上或设置于大尺寸的支撑基板110上。第一基板120具有电路层(未示出)，所述电路层可包含但不限于导线和/或晶体管的组件，且所述电路层可与半导体组件130耦接。在本实施例中，第一基板120可以为硬性基板、软性基板或前述的组合。举例来说，第一基板120的材料可包括玻璃、石英、蓝宝石、硅晶圆、碳化硅晶圆、陶瓷、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、硅氧烷、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、其它合适的基板材料、或前述的组合，但不以此为限。在一些实施例中，第一基板120为可弯折。
半导体组件130设置于第一基板120上。在本实施例中，半导体组件130可例如是发光二极管，但不以此为限。在一些实施例中，半导体组件130也可以为芯片等的半导体组件。
保护层170设置于半导体组件130上。保护层170可覆盖半导体组件130与第一基板120。在本实施例中，保护层170材料可例如是聚对苯二甲酸乙二酯或其它合适的透明材料，但不以此为限。
在本实施例中，虽然是将多个沟槽143设置于位于驱动基板160与第一基板120之间的黏着层140中，且将多个沟槽143设置于黏着层140面向支撑基板110的一侧(即第一侧141)，但本揭露中沟槽143所在的位置并不以此为限，只要使设置于黏着层中的沟槽可延伸至黏着层的边缘即可。举例来说，在一些实施例中，多个沟槽也可以设置于黏着层140面向第一基板120的一侧(即第二侧142)(未示出)。在一些实施例中，多个沟槽也可以同时设置于黏着层140的第一侧141与第二侧142(未示出)。在一些实施例中，多个沟槽也可以设置于位于支撑基板110与驱动基板160之间的黏着层150中，如图4所示。在一些实施例中，多个沟槽也可以同时设置于黏着层140与黏着层150中(未示出)。
在一些实施例中，当支撑基板为具有电路设计的电路板或线路基板时，则可不需额外设置驱动基板与黏着层，此时，第一基板则可通过黏着层而直接贴合至支撑基板上(未示出)。
以下将列举其它实施例以作为说明。在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的组件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的组件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图2为本揭露另一实施例的电子装置的黏着层的下视示意图。请同时参考图1B与图2，本实施例的黏着层140a与图1B中的黏着层140相似，惟二者差异之处在于：在本实施例的黏着层140a中，多个沟槽143a大致上可以为含有弧形边缘的菱形，且位于第一侧141的黏着层140a的表面可以为圆形。
具体来说，请参照图2，在黏着层140a的表面的下视示意图中，多个沟槽143a可沿着方向X与方向Z延伸至黏着层140a的四个边缘144。其中，多个菱形的沟槽143a的边缘为内凹的弧形，且多个菱形的沟槽143a是以数组排列且彼此相连的方式设计，因而将位于第一侧141的黏着层140a分成多个圆形，进而产生一固定的纹路或重复性的图案。
图3为本揭露另一实施例的电子装置的黏着层的下视示意图。请同时参考图1B与图3，本实施例的黏着层140b与图1B中的黏着层140相似，惟二者差异之处在于：在本实施例的黏着层140b中，多个沟槽143b大致上可以为含有直线边缘的菱形，且位于第一侧141的黏着层140b的表面可以为六边形。
具体来说，请参照图3，在黏着层140b的下视示意图中，多个沟槽143b可沿着方向X与方向Z延伸至黏着层140b的四个边缘144。其中，多个菱形的沟槽143b的边缘为直线，且多个菱形的沟槽143b是以数组排列且彼此相连的方式设计，因而将位于第一侧141的黏着层140b分成多个六边形，进而产生一固定的纹路或重复性的图案。
图4为本揭露另一实施例的电子装置的局部剖面示意图。请同时参考图1A与图4，本实施例的电子装置100c与图1A中的电子装置100相似，惟二者差异之处在于：在本实施例的电子装置100c中，黏着层150包括多个沟槽153，且黏着层150的厚度可介于50微米到500微米之间(50微米≦黏着层的厚度≦500微米)。
具体来说，请参照图4，黏着层150位于支撑基板110与驱动基板160之间，且黏着层150具有彼此相对的第一侧151与第二侧152。其中，第一侧151为黏着层150面向支撑基板110的一侧。第二侧152为黏着层140面向第一基板120的一侧，且为黏着层150面向驱动基板160的一侧。
在本实施例中，将多个沟槽153设置于黏着层150中。多个沟槽153例如是位于黏着层150面向支撑基板110的一侧(即第一侧151)，但不以此为限。在一些实施例中，多个沟槽也可以位于黏着层150面向驱动基板160的一侧(即第二侧152)(未示出)。在一些实施例中，多个沟槽也可以同时设置于黏着层150的第一侧151与第二侧152(未示出)。在一些实施例中，多个沟槽也可以同时设置于黏着层140与黏着层150中(未示出)。
在本实施例中，多个沟槽153的设计方式大致上相同或相似于图1A至图1C、图2或图3中的多个沟槽143的设计方式，故不再重复赘述。因此，多个沟槽153也可以作为排气道，以使黏着层150与支撑基板110之间的气泡可通过并沿着多个沟槽153而朝向黏着层150的边缘154排出，以提高基板贴合时，电子装置100c的整体外观平整度。
图5为本揭露另一实施例的电子装置的局部剖面示意图。请同时参考图1A与图5，本实施例的电子装置100d与图1A中的电子装置100相似，惟二者差异之处在于：本实施例的电子装置100d还包括黏着层180与装饰板190。其中，黏着层180包括多个沟槽183。
具体来说，请参照图5，装饰板190设置于支撑基板110背向第一基板120或驱动基板160的一侧。驱动基板160与装饰板190可分别位于支撑基板110的相对两侧。其中，装饰板190可以为硬性基板、软性基板或前述的组合。举例来说，装饰板190材料可包括金属、聚碳酸酯、其它合适的装饰板材料、或前述的组合，但不以此为限。
黏着层180设置于装饰板190与支撑基板110之间。黏着层180具有彼此相对的第一侧181与第二侧182。其中，第一侧181为黏着层180面向装饰板190的一侧。第二侧182为黏着层180面向支撑基板110的一侧，且黏着层180的厚度可介于50微米到500微米之间(50微米≦黏着层的厚度≦500微米)。
在本实施例中，多个沟槽183例如是位于黏着层180面向支撑基板110的一侧(即第二侧182)，但不以此为限。在一些实施例中，多个沟槽也可以位于黏着层180面向装饰板190的一侧(即第一侧181)(未示出)。在一些实施例中，多个沟槽也可以同时设置于黏着层180的第一侧181与第二侧182(未示出)。在一些实施例中，多个沟槽也可以同时设置于黏着层140、黏着层150和/或黏着层180中(未示出)。
在本实施例中，多个沟槽183的设计方式大致上相同或相似于图1A至图1C中的多个沟槽143的设计方式，故不再重复赘述。因此，多个沟槽183也可以作为排气道，以使黏着层180与支撑基板110之间的气泡可通过并沿着多个沟槽183而朝向黏着层180的边缘184排出，以提高贴合时，电子装置100d的整体外观平整度。
综上所述，在本揭露实施例的电子装置中，黏着层具有多个沟槽(即排气道)，黏着层与其它叠层之间(例如是黏着层与驱动基板之间)的气泡可通过多个沟槽而朝向黏着层的边缘排出，以减少因气泡而导致电子装置的整体外观平整度不佳的问题。通过调整多个沟槽的高度范围，可使气泡可通过多个沟槽排出，且可使黏着层在与离型层分离时不会有断开的风险。而多个沟槽的顶角的角度是60度至110度，因而可使沟槽的结构稳固，以支撑黏着层。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。

Claims (15)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
支撑基板；
第一基板，设置于所述支撑基板上；
半导体组件，设置于所述第一基板上；以及
黏着层，设置于所述支撑基板与所述第一基板之间，且包括多个沟槽。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述多个沟槽位于所述黏着层面向所述第一基板的一侧。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述多个沟槽位于所述黏着层面向所述支撑基板的一侧。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：
驱动基板，耦接所述第一基板，其中所述黏着层位于所述驱动基板与所述第一基板之间。
5.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述驱动基板与所述第一基板为可弯折。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：
驱动基板，耦接所述第一基板，其中所述黏着层位于所述支撑基板与所述驱动基板之间。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述半导体组件为发光二极管。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：
装饰板，设置于所述支撑基板背向所述第一基板的一侧。
9.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述多个沟槽的高度为所述黏着层的厚度的1/3至1/2。
10.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述多个沟槽的高度为介于3微米至所述黏着层的厚度的一半之间。
11.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述多个沟槽的剖面具有顶角，且所述顶角为60度至110度。
12.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述黏着层的厚度为10微米至50微米。
13.根据权利要求1所述的电子装置的制作方法，其特征在于，所述第一基板具有电路层，且所述电路层与所述半导体元件耦接。
14.根据权利要求1所述的电子装置，还包括：
保护层，覆盖所述半导体组件与所述第一基板。
15.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述多个沟槽交错排列而形成菱格纹的图案。
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