CN115428169A - 用于电子产品的表面活性剂 - Google Patents

用于电子产品的表面活性剂 Download PDF

Info

Publication number
CN115428169A
CN115428169A CN202080099375.1A CN202080099375A CN115428169A CN 115428169 A CN115428169 A CN 115428169A CN 202080099375 A CN202080099375 A CN 202080099375A CN 115428169 A CN115428169 A CN 115428169A
Authority
CN
China
Prior art keywords
formulation
less
acid
surfactant
texturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080099375.1A
Other languages
English (en)
Inventor
E·阿西瓦坦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advansix Resins and Chemicals LLC
Original Assignee
Advansix Resins and Chemicals LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advansix Resins and Chemicals LLC filed Critical Advansix Resins and Chemicals LLC
Publication of CN115428169A publication Critical patent/CN115428169A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0834—Compounds having one or more O-Si linkage
    • C07F7/0838—Compounds with one or more Si-O-Si sequences
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K23/00—Use of substances as emulsifying, wetting, dispersing, or foam-producing agents
    • C09K23/54—Silicon compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/38—Cationic compounds
    • C11D1/52—Carboxylic amides, alkylolamides or imides or their condensation products with alkylene oxides
    • C11D1/528—Carboxylic amides (R1-CO-NR2R3), where at least one of the chains R1, R2 or R3 is interrupted by a functional group, e.g. a -NH-, -NR-, -CO-, or -CON- group
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2003—Alcohols; Phenols
    • C11D3/2065—Polyhydric alcohols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0041—Photosensitive materials providing an etching agent upon exposure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Emulsifying, Dispersing, Foam-Producing Or Wetting Agents (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

预织构化剂、蚀刻剂和光致抗蚀剂剥离剂可以配制为包含来自一个或多个表面活性剂类别的一种或多种表面活性剂，如具有表面活性性质的氨基酸的硅氧烷衍生物。

Description

用于电子产品的表面活性剂
相关申请的交叉引用
本申请要求2020年2月5日提交的美国临时申请62/970,356的优先权，其公开内容经此引用全文并入本文。
技术领域
本公开涉及用于电子产品的表面活性剂。更具体而言，本公开涉及通过蚀刻和去除光致抗蚀剂涂层制备电路板中的表面活性剂。此类表面活性剂可包括氨基酸的硅氧烷衍生物，其中该硅氧烷衍生物具有表面活性性质。
背景技术
表面活性剂（具有表面活性性质的分子）在清洁剂、蚀刻剂和光致抗蚀剂剥离剂中广泛用于制造电路板。可包含表面活性剂作为乳化剂、润湿剂、发泡剂、分散剂和/或改善铺展性的试剂。
表面活性剂可以是不带电荷的、两性离子的、阳离子的或阴离子的。尽管原则上任何表面活性剂类别（例如阳离子型、阴离子型、非离子型、两性型）均是合适的，但配制物可包含来自两种或更多种表面活性剂类别的两种或更多种表面活性剂的组合。
通常，表面活性剂是两亲性分子，具有相对不溶于水的疏水性“尾部”基团和相对水溶性的亲水性“头部”基团。 这些化合物可以吸附在界面处，如两种液体、液体与气体、或液体与固体之间的界面。在包含相对极性和相对非极性组分的体系中，疏水性尾部优先与相对非极性的一种或多种组分相互作用，而亲水性头部优先与相对极性的一种或多种组分相互作用。在水和油之间的界面的情况下，亲水性头部基团优先延伸到水中，而疏水性尾部优先延伸到油中。当添加到水-气体界面时，亲水性头部基团优先延伸到水中，而疏水性尾部优先延伸到气体中。表面活性剂的存在破坏了水分子之间的至少一些分子间相互作用，用至少一些水分子与表面活性剂之间通常较弱的相互作用替代了水分子之间的至少一些相互作用。这导致表面张力降低，并也可用于稳定该界面。
在足够高的浓度下，表面活性剂可能形成聚集体，其用于限制疏水性尾部暴露于极性溶剂。一种此类聚集体是胶束。在典型的胶束中，分子排列成球形，一种或多种表面活性剂的疏水性尾部优先位于球体内，而一种或多种表面活性剂的亲水性头部优先位于胶束的外侧，在那里头部优先与极性更高的溶剂相互作用。所给化合物对表面张力的影响及其形成胶束的浓度可作为表面活性剂的定义特性。
发明概述
本公开提供了用于预织构化剂（pre-texturing agent）、蚀刻剂和光致抗蚀剂剥离剂的配制物。这些产品可以配制为包含来自一种或多种本文中公开的表面活性剂类别的一种或多种表面活性剂。该表面活性剂可以用作乳化剂、润湿剂、分散剂和/或改善铺展性的试剂。
本公开提供了具有表面活性性质的氨基酸的硅氧烷衍生物形式的用于预织构化剂、蚀刻剂和光致抗蚀剂剥离剂的表面活性剂。该氨基酸可以是天然存在的或合成氨基酸，或它们可以经由分子如内酰胺（例如己内酰胺）的开环反应来获得。该氨基酸可以用不同类型的硅氧烷基团官能化以形成具有表面活性性质的化合物。特征性地，这些化合物可具有低临界胶束浓度（CMC）和/或降低液体表面张力的能力。
本公开提供了用于预织构化剂的配制物，包含至少一种式I的表面活性剂，
Figure 324139DEST_PATH_IMAGE001
其中R1和R2可以相同或不同，并包含至少一个选自C1-C6烷基的基团，任选该C1-C6烷基可包含一个或多个氧、氮或硫原子或包含至少一个这些原子的基团，并且该烷基链可任选被一个或多个选自羟基、氨基、酰胺基、磺酰基、磺酸根、羰基、羧基和羧酸根的取代基取代；n是1至12的整数；该末端氮任选进一步被R3取代，其中R3选自氢、氧、羟基和C1-C6烷基；与该化合物缔合的任选的抗衡离子，其如果存在的话选自氯离子、溴离子和碘离子；一种或多种消泡剂、任选的一种或多种酸、任选的一种或多种碱、任选的一种或多种螯合剂、和一种或多种溶剂。
本公开进一步提供了用于蚀刻剂的配制物，包含至少一种式I的表面活性剂，
Figure 241279DEST_PATH_IMAGE002
其中R1和R2可以相同或不同，并包含至少一个选自C1-C6烷基的基团，任选该C1-C6烷基可包含一个或多个氧、氮或硫原子或包含至少一个这些原子的基团，并且该烷基链可任选被一个或多个选自羟基、氨基、酰胺基、磺酰基、磺酸根、羰基、羧基和羧酸根的取代基取代；n是1至12的整数；该末端氮任选进一步被R3取代，其中R3选自氢、氧、羟基和C1-C6烷基；与该化合物缔合的任选的抗衡离子，其如果存在的话选自氯离子、溴离子和碘离子；氢氟酸（HF）、一种或多种溶剂、任选的一种或多种氧化剂、和一种或多种络合剂。
本公开还提供了用于光致抗蚀剂剥离剂的配制物，包含至少一种式I的表面活性剂，
Figure 896383DEST_PATH_IMAGE003
其中R1和R2可以相同或不同，并包含至少一个选自C1-C6烷基的基团，任选该C1-C6烷基可包含一个或多个氧、氮或硫原子或包含至少一个这些原子的基团，并且该烷基链可任选被一个或多个选自羟基、氨基、酰胺基、磺酰基、磺酸根、羰基、羧基和羧酸根的取代基取代；n是1至12的整数；该末端氮任选进一步被R3取代，其中R3选自氢、氧、羟基和C1-C6烷基；与该化合物缔合的任选的抗衡离子，其如果存在的话选自氯离子、溴离子和碘离子；链烷醇胺；亚砜或砜化合物；和二醇醚。
本公开的上述和其它特征以及实现它们的方式将通过参考下文结合附图对实施方案的描述而变得更加明显且将被更好地理解。
附图概述
图1显示了如实施例1b中所述在pH = 7下测得的具有氯离子抗衡离子的表面活性剂2的表面张力vs浓度的曲线图。
图 2显示了如实施例2b中所述的表面活性剂3的表面张力vs浓度的曲线图。
图3显示了如实施例2b中所述的表面活性剂3的作为表面张力的变化vs时间的动态表面张力的曲线图。
图4显示了如实施例3b中所述的表面活性剂4的表面张力vs浓度的曲线图。
图5显示了如实施例3b中所述的表面活性剂4的作为表面张力的变化vs时间的动态表面张力的曲线图。
图6显示了如实施例4b中所述的表面活性剂5的表面张力vs浓度的曲线图。
图7显示了如实施例4b中所述的表面活性剂5的作为表面张力的变化vs时间的动态表面张力的曲线图。
发明详述
本文中所用的短语“在使用这些端点的任意范围内”在字面上是指任何范围均可选自此短语前列出的任意两个值，无论这些值是在列表的下半部还是在列表的上半部。例如，可以从两个较低的值、两个较高的值或较低的值与较高的值中选择一对值。
本文中所用的词语“烷基”是指任何饱和碳链，其可以是直链或支链。
本文中所用的短语“表面活性”是指相关化合物能够降低其至少部分溶于其中的介质的表面张力和/或与其它相的界面张力，并因此可以至少部分吸附在液体/蒸气和/或其它界面处。术语“表面活性剂”可应用于此类化合物。
关于不精确性的术语，术语“大约”和“大致”可互换地用于指代包括所述测量值并还包括与所述测量值相当接近的任何测量值的测量值。如相关领域普通技术人员所理解和容易确定的那样，与所述测量值相当接近的测量值与所述测量值相差相当小的量。例如，此类偏差可归因于测量误差或为优化性能而进行的微小调整。在确定相关领域普通技术人员不容易查明此类相当小的差异的值的情况下，术语“大约”和“大致”可理解为是指所述值的±10%。
本公开提供了预织构化剂、蚀刻剂和光致抗蚀剂剥离剂的配制物。
I．预织构化剂
本公开提供了用于织构化光伏晶片表面的配制物和方法。为了改善光能转化为电能的效率，需要非常低反射的硅表面。例如，对于单晶硅，这通过各向异性蚀刻(100)Si晶片以便在表面上形成金字塔结构来实现，该方法称为织构化。在硅晶片的表面上需要金字塔的均匀和密集的分布以实现低反射率，需要金字塔高度小于10 μm且尺寸均匀。较小且均匀的金字塔结构确保了钝化层的良好覆盖，所述钝化层再次沉积在织构化表面的顶部以防止效率损失。较小且均匀的金字塔结构还确保了印刷在硅表面上的金属接触线较窄，允许更多的光传递至硅表面以进行光电转换。
本公开的预织构化配制物可用于在本文中所述的织构化方法中处理硅晶片、基材或沉积在不同类型基材上的硅膜（术语基材或晶片在本文中可互换使用）。用本公开的预织构化配制物和/或方法处理的硅晶片可用于制造光伏电池。与未施以该处理的晶片相比，施以本公开的预织构化配制物和/或方法的晶片可显示出在织构化均匀性方面的改善和降低的反射率。
采用本公开的方法和/或配制物可实现的附加益处可包括以下的一种或多种：1）在晶片表面上产生具有高密度和具有小于10 μm、或小于8 μm、或小于5 μm、或小于4 μm的平均高度的金字塔结构；2）织构化表面的反射率降低；3）形成金字塔和/或形成具有低反射率的织构化表面所需的时间减少；4）织构化品质对织构化方法中异丙醇浓度的敏感度降低，在一些实施方案中，可以在一种或多种织构化组合物中没有任何异丙醇或促进织构化所需的任何其它添加剂的情况下进行织构化；5）当本公开的预织构化配制物和/或方法用在织构化方法中时，可以降低或消除对织构化（蚀刻）组合物或蚀刻溶液中用于改善织构化的品质和吞吐量的添加剂的需求；6）可以减少织构化步骤中蚀刻的硅的总量；7）可以提高织构化组合物（也称为织构化或蚀刻溶液）的浴寿命；8）可以改善钝化层的覆盖；9）印刷在晶片前部的金属接触线可以更窄；和10）可以提高织构化前硅表面的润湿性。
与已知方法和配制物相比，使用本公开的预织构化配制物的预织构化以及本文中描述的织构化方法可以减少用于织构化的时间。这可以导致减少的加工时间，因此提高晶片加工的吞吐量。此外，当采用本公开的预织构化配制物和/或方法时，可能几乎不随时间而改变，或几乎不显示对织构化方法过程中一个或多个织构化浴中一种或多种织构化组合物的浓度的敏感度，由此改善工艺的稳健性；因此，如果存在工艺扰动（process upset），可采用更长或更短的织构化时间，而不会损害光伏器件的性能。
光伏单晶硅晶片加工通常涉及清洁以去除任何污染物和去除切割晶片（从晶锭上切割）的锯损伤的一个或多个第一步骤（通常在浓碱溶液中），随后在稀碱溶液中织构化以便在表面上产生金字塔织构，这降低了表面的反射率并使更多光转化为电能，由此提高晶片的效率。对多晶硅晶片而言，加工可涉及清洁以去除任何污染物的一个或多个第一步骤，随后直接进行织构化。合意的是具有尽可能低的反射率。本公开提供了改善晶片的表面织构化的预织构化配制物和方法。本公开提供了用预织构化配制物处理晶片表面的方法，所述预织构化配制物包含一种或多种表面活性剂或在溶液中的一种或多种表面活性剂。该配制物改变晶片表面，并在织构化单晶硅晶片的情况下导致金字塔的高成核（nucleation）密度，从而产生所需小金字塔的均匀分布。对多晶硅晶片来说，表面改性改善织构化表面的均匀性，并可导致较低的表面反射率。
本公开提供的预织构化配制物可包含选自一个或多个表面活性剂类别的一种或多种表面活性剂、一种或多种消泡剂、任选的一种或多种酸、任选的一种或多种碱、任选的一种或多种螯合剂、和一种或多种溶剂。
1．表面活性剂
本公开的预织构化剂包含一种或多种表面活性剂，也称为表面活性剂体系。一种或多种表面活性剂的选择可以取决于它或它们改变晶片表面以使金字塔成核和清洁晶片表面的能力。
适用于本公开的预织构化配制物的表面活性剂包含式I的一种或多种表面活性剂和/或助表面活性剂，
Figure 291592DEST_PATH_IMAGE004
其中R1和R2可以相同或不同，并包含至少一个选自C1-C6烷基的基团，任选该C1-C6烷基可包含一个或多个氧、氮或硫原子或包含至少一个这些原子的基团，并且该烷基链可任选被一个或多个选自羟基、氨基、酰胺基、磺酰基、磺酸根、羰基、羧基和羧酸根的取代基取代；n是1至12的整数；该末端氮任选进一步被R3取代，其中R3选自氢、氧、羟基和C1-C6烷基；以及与该化合物缔合的任选的抗衡离子，其如果存在的话选自氯离子、溴离子和碘离子。
特别地，合适的表面活性剂或助表面活性剂可包括任何本文中所述的表面活性剂1-6中的一种或多种。
该预织构化配制物中表面活性剂体系的量可以为大约0.01重量%或更大、大约0.1重量%或更大、大约1重量%或更大、大约5重量%或更大、大约10重量%或更大、大约15重量%或更大、或大约20重量%或更小、大约25重量%或更小、大约30重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内。
2．消泡剂
本公开的预织构化配制物可进一步包含一种或多种消泡剂/防沫剂。该消泡剂可选自但不限于：硅酮、有机磷酸酯、含有聚乙二醇和聚丙二醇共聚物的基于环氧乙烷/环氧丙烷（EO/PO）的消泡剂、醇、白油或植物油和蜡，长链脂肪醇、脂肪酸皂或酯。一些试剂，如一些硅酮表面活性剂和本公开的表面活性剂，可以既充当消泡剂又充当表面活性剂。
该消泡剂可以大约0.0001重量%或更大、大约0.001重量%或更大、大约0.01重量%或更大、大约0.1重量%或更大、大约0.2重量%或更大、大约0.5重量%或更大、或大约1.0重量%或更小、大约1.5重量%或更小、大约2.0重量%或更小、大约3.0重量%或更小、大约3.5重量%或更小、大约4.0重量%或更小、大约4.5重量%或更小、大约5.0重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量存在于该预织构化配制物中。
3．酸
有机酸用于改善痕量金属、有机和无机残余物的去除。有机酸可选自多种酸，包括但不限于：草酸、柠檬酸、马来酸、苹果酸、丙二酸、葡糖酸、戊二酸、抗坏血酸、甲酸、乙酸、乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、甘氨酸、丙氨酸、胱氨酸、磺酸、磺酸的各种衍生物、或其混合物。也可以使用这些酸的盐。还可以使用这些酸/盐的混合物。
该预织构化配制物可进一步包含无机酸和/或它们的盐。该无机酸和/或它们的盐可与其它有机酸和/或它们的盐组合使用。合适的无机酸包括盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、氢氟酸、氨基磺酸等。还可以使用这些酸/盐的混合物。
本公开的预织构化组合物可包含大约0重量%或更大、大约0.1重量%或更大、大约5重量%或更大、大约10重量%或更大、或大约15重量%或更小、大约20重量%或更小、大约25重量%或更小、大约30重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量的酸和/或它们的盐（酸/盐）。
酸和盐的组合也可用于在所需pH水平下缓冲该溶液。在向预织构化配制物中加入酸/盐时，它们可以大约0.2重量%或更大、大约0.3重量%或更大、大约0.5重量%或更大、大约1重量%或更大、大约3重量%或更大、或大约5重量%或更小、大约7重量%或更小、大约9重量%或更小、大约10重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量存在。
4．碱
本公开的预织构化配制物可进一步包含一种或多种碱。合适的碱包括但不限于：氢氧化铵、氢氧化钾、季铵氢氧化物、胺、碳酸胍和有机碱。所述碱可以单独使用，或与其它碱组合使用。合适的有机碱的实例包括但不限于：羟胺、乙二醇、甘油、有机胺如伯、仲或叔脂族胺、脂环族胺、芳族胺和杂环胺，氨水和季铵氢氧化物，如羟胺（NH2OH）、N-甲基羟胺、N,N-二甲基羟胺、N,N-二乙基羟胺、单乙醇胺、乙二胺、2-(2-氨基乙基氨基)乙醇、二乙醇胺、N-甲基氨基乙醇、二丙胺、2-乙基氨基乙醇、二甲基氨基乙醇、乙基二乙醇胺、环己胺、二环己胺、苄胺、二苄胺、N-甲基苄胺、吡咯、吡咯烷、吡咯烷酮、吡啶、吗啉、吡嗪、哌啶、N-羟乙基哌啶、噁唑、噻唑、四甲基氢氧化铵（TMAH）、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、三甲基乙基氢氧化铵、(2-羟乙基)三甲基氢氧化铵、(2-羟乙基)三乙基氢氧化铵、(2-羟乙基)三丙基氢氧化铵和(1-羟丙基)三甲基氢氧化铵。
该预织构化配制物可以大约0重量%或更大、大约1重量%或更大、大约5重量%或更大、或大约10重量%或更小、大约15重量%或更小、大约20重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量包含碱。
也可以通过调节酸和碱的浓度来控制该预织构化配制物的pH。pH可以是控制表面活性剂在基材表面上的吸附并由此控制织构化步骤中所得织构化的品质的一个因素。
5．任选的螯合剂
本发明的预织构化和/或织构化组合物可进一步包含一种或多种螯合剂。该螯合剂可选自但不限于：乙二胺四乙酸（EDTA）、N-羟乙基乙二胺三乙酸（NHEDTA）、氨三乙酸（NTA）、二亚乙基三胺五乙酸（DPTA）、乙醇二甘氨酸、柠檬酸、葡糖酸、草酸、磷酸、酒石酸、甲基二膦酸、氨基三亚甲基膦酸、亚乙基-二膦酸、1-羟基亚乙基-1,1-二膦酸、1-羟基亚丙基-1,1-二膦酸、乙基氨基双亚甲基膦酸、十二烷基氨基双亚甲基膦酸、次氮基三亚甲基膦酸、乙二胺双亚甲基膦酸、乙二胺四亚甲基膦酸、己二胺四亚甲基膦酸、二亚乙基三胺五亚甲基膦酸和1,2-丙二胺四亚甲基膦酸或铵盐、有机胺盐、丙二酸、琥珀酸、二巯基琥珀酸、戊二酸、马来酸、邻苯二甲酸、富马酸、多元羧酸如丙三酸（tricarbaryl acid）、丙烷-1,1,2,3-四甲酸、丁烷-1,2,3,4-四甲酸、苯均四甲酸，含氧羧酸（oxycarboxylic acid）如乙醇酸、β-羟基丙酸、柠檬酸、苹果酸、酒石酸、丙酮酸、二甘醇酸、水杨酸、没食子酸，多酚类如邻苯二酚、连苯三酚，磷酸类如焦磷酸、多聚磷酸，杂环化合物如8-羟基喹啉，和二酮类如α-联吡啶乙酰丙酮。
本公开的预织构化配制物可以大约0重量%或更大、大约1重量%或更大、大约2重量%或更大、大约3重量%或更大、大约4重量%或更大、大约5重量%或更大、或大约6重量%或更小、大约7重量%或更小、大约8重量%或更小、大约9重量%或更小、大约10重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量包含螯合剂。
6．溶剂
该预配制物可以是包含水（如水、去离子水或纯化水）作为溶剂的水性组合物；但是，如本领域技术人员已知的那样，可以使用普通溶剂代替水或与水一起使用普通溶剂，包括醇、二醇、丙酮等。该预织构化配制物基于该配制物的总重量计可包含大于50重量%的水。
7．其它添加剂
包含表面活性剂的预织构化组合物还可包含一种或多种添加剂以促进清洁和/或织构化（蚀刻）晶片表面。即使在例如锯损伤去除步骤（如果有的话）后，清洁添加剂也有助于去除残留在表面上的碎屑。任选地，本发明的预织构化组合物可包含一种或多种附加组分，其包括无机或有机酸、碱、螯合剂、分散剂和消泡剂或其混合物。酸和碱和其它添加剂可添加到预织构化组合物中，例如以改善其清洁性能。
本公开的预织构化配制物可进一步包含一种或多种分散剂。合适的分散剂包括本公开的表面活性剂，以及月桂基硫酸三乙醇胺、月桂基硫酸铵、聚氧乙烯烷基醚硫酸三乙醇胺、丙烯酰胺-甲基-丙烷磺酸盐、聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯鲸蜡基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯油基醚、聚氧乙烯高级醇醚、聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚、聚氧乙烯衍生物、聚氧乙烯脱水山梨糖醇醚单月桂酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇醚单棕榈酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇醚单硬脂酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇醚三硬脂酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇醚单油酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇醚三油酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇醚四油酸酯、聚乙二醇单月桂酸酯、聚乙二醇单硬脂酸酯、聚乙二醇二硬脂酸酯、聚乙二醇单油酸酯、聚氧乙烯烷基胺、聚氧乙烯硬化蓖麻油、烷基链烷醇酰胺、聚乙烯基吡咯烷酮、椰油胺乙酸酯、硬脂胺乙酸酯、月桂基甜菜碱、硬脂基甜菜碱、月桂基二甲基氧化胺和2-烷基-N-羧甲基-N-羟乙基咪唑啉鎓甜菜碱。
该分散剂可以大约0重量%或更大、大约0.1重量%或更大、大约0.5重量%或更大、大约1.0重量%或更大、大约1.5重量%或更大、或大约2.0重量%或更小、大约2.5重量%或更小、大约3.0重量%或更小、大约3.5重量%或更小、大约4.0重量%或更小、大约4.5重量%或更小、大约5.0重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量存在于该预织构化配制物中。
该预织构化配制物可进一步包含其它添加剂，如糖或糖醇，如木糖醇、甘露糖、葡萄糖等。该预织构化配制物可以大约0重量%或更大、大约1重量%或更大、大约10重量%或更大、大约20重量%或更大、或大约30重量%或更小、大约40重量%或更小、大约50重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量包含这些添加剂。
该预织构化配制物还可包含氧化剂如硝酸、过氧化物和次氯酸盐。该氧化剂可以大约0重量%或更大、大约1重量%或更大、大约10重量%或更大、大约20重量%或更大、或大约30重量%或更小、大约40重量%或更小、大约50重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量存在。
该预织构化配制物还可包含腐蚀抑制剂以保护工艺设备材料免受暴露于预织构化处理组合物或织构化蚀刻组合物造成的腐蚀。
合适的腐蚀抑制剂可包括诸如1,2,4-***、氨基***、苯并***、甲苯***、巯基苯并噻唑的化合物。该配制物还可包含性质上为化学还原性的腐蚀抑制剂，例如抗坏血酸。
8．使用方法
本公开的预织构化配制物可以在织构化晶片的多步骤方法中用于至少一个预织构化步骤，所述晶片可以是单晶基材（例如Si<100>或Si<111>）、微晶硅基材、多晶硅基材、应变硅基材、非晶硅基材、掺杂或未掺杂的多晶硅基材、玻璃、蓝宝石或任何类型的含硅基材。该基材还可以是沉积在不同类型基材（如金属、玻璃或聚合物）上的硅膜。在织构化步骤之前的预织构化步骤是预处理步骤，涉及使用本公开的配制物，其在溶液中包含表面活性剂或超过一种表面活性剂的混合物。
据信，包含一种或多种表面活性剂的预织构化配制物在一个或多个预织构化步骤和一个或多个织构化步骤之后或期间改善（降低）晶片的反射率。该预织构化步骤将使用包含表面活性剂的本公开的预织构化配制物，该织构化步骤可以是使用任何已知的蚀刻组合物或蚀刻溶液（通常也称为湿蚀刻剂）的任何标准织构化或蚀刻步骤。例如，该织构化步骤可以在标准织构化浴中使用标准织构化溶液。
本公开的预织构化配制物在用于预织构化步骤时可提供清洁硅表面的附加益处。在织构化方法完成后，改善织构化品质，对单晶硅的情况形成高密度的小金字塔，对多晶硅的情况形成更均匀的织构化表面，导致更低的反射率。
本公开进一步提供了包括用本文中公开的一种或多种预织构化配制物润湿所述晶片的步骤的织构化硅晶片的方法，和包括用本文中所述的预织构化配制物润湿所述晶片的步骤的织构化硅晶片的方法，织构化硅晶片的方法包括以下步骤：用本文中所述的预织构化配制物润湿所述晶片；用蚀刻组合物润湿所述晶片。任何上述预织构化配制物可用于本公开的方法。
本公开的织构化方法可以是至少包括预织构化步骤和随后的织构化步骤的多步骤织构化方法。该多步骤织构化方法还可包括一个或多个冲洗步骤、一个或多个清洁步骤、一个或多个任选的锯损伤去除步骤、和/或其它步骤。可以在锯损伤去除步骤之前、在织构化（蚀刻）步骤之前、或在锯损伤去除步骤与织构化步骤二者之前用本公开的预织构化配制物润湿该晶片。
可以在预织构化和/或织构化步骤之前和之后在单独的冲洗步骤中冲洗该晶片。润湿可以在室温或提高的温度下进行。可以用本公开的预织构化配制物润湿晶片一段时间，所述时间可以根据将本公开的预织构化配制物施加到晶片上的方法而变化。
II．蚀刻剂
本公开提供了蚀刻剂配制物。半导体工业正在迅速减小微电子器件、硅芯片、液晶显示器、MEMS（微电子机械***）、印刷线路板等中的电子电路和电子组件的尺寸并提高其密度。其中的集成电路被分层或堆叠，其中每个电路层之间的绝缘层的厚度不断减小，且特征尺寸越来越小。随着特征尺寸缩小，图案变得更小，并且器件性能参数更紧密和更稳健。结果，由于更小的特征尺寸，此前尚可容忍的各种问题无法再容忍或已经变为更大的问题。
在先进集成电路的生产中，为了尽量减少与更高密度相关的问题并优化性能，已经采用了高k和低k绝缘体以及各种阻挡层材料。
钽（Ta）和氮化钽（TaN）用于半导体器件、液晶显示器、MEMS（微电子机械***）、印刷线路板等，并用作贵金属、铝（Al）和铜（Cu）布线的接地层和覆盖层。在半导体器件中，其可用作阻挡金属、硬掩模或栅极材料。
在用于这些应用的器件的构造中，常常需要蚀刻Ta和TaN。在Ta和TaN的各种类型的用途和器件环境中，在蚀刻这两种材料的同时，接触或以其它方式暴露其它层。在存在这些其它材料（例如金属导体、电介质和硬掩模）的情况下对Ta和TaN的高选择性蚀刻是器件产量和长寿命所需的。
本公开包括用于蚀刻剂的配制物，所述蚀刻剂用于相对于半导体器件中存在的金属导体层、硬掩模层和低-k介电层选择性蚀刻Ta和/或TaN的方法。更具体而言，本公开涉及用于相对于铜和低-k介电层选择性蚀刻Ta和/或TaN的组合物和方法。
本公开的蚀刻剂配制物可具有相对高的Ta/Cu和/或TaN/Cu蚀刻选择性（即Ta蚀刻率对Cu蚀刻率的高比率和/或TaN蚀刻率对Cu蚀刻率的高比率）。在一些实施方案中，该蚀刻组合物可具有大约2或更大、大约3或更大、大约4或更大、大约5或更大、大约6或更大、大约7或更大、大约8或更大、大约9或更大、大约10或更大、大约15或更大、大约20或更大、大约30或更大、大约40或更大、大约50或更大、或大约60或更小、大约70或更小、大约80或更小、大约90或更小、大约100或更小，或在使用这些端点的任意范围内的Ta/Cu和/或TaN/Cu蚀刻选择性。
本公开的蚀刻剂配制物可具有相对高的Ta/介电材料（例如SiO2或低-k材料）和/或TaN/介电材料蚀刻选择性（即Ta蚀刻率对介电材料蚀刻率的高比率和/或TaN蚀刻率对介电材料蚀刻率的高比率）。在一些实施方案中，该蚀刻组合物可具有大约2或更大、大约3或更大、大约4或更大、大约5或更大、大约6或更大、大约7或更大、大约8或更大、大约9或更大、大约10或更大、大约15或更大、大约20或更大、大约30或更大、大约40或更大、大约50或更大、或大约60或更小、大约70或更小、大约80或更小、大约90或更小、大约100或更小，或在使用这些端点的任意范围内的Ta/介电材料和/或TaN/介电材料蚀刻选择性。
本公开的蚀刻剂可包含氢氟酸（HF）、选自一个或多个表面活性剂类别的一种或多种表面活性剂、一种或多种溶剂、任选的一种或多种氧化剂、和一种或多种络合剂。
1．氢氟酸
据信，氢氟酸可促进和增强蚀刻方法过程中半导体基材上的Ta和/或TaN的去除。
氢氟酸可以大约0.1重量%或更大、大约0.2重量%或更大、大约0.4重量%或更大、0.5重量%或更大、大约0.6重量%或更大、大约0.8重量%或更大、大约1.0重量%或更大、大约1.2重量%或更大、大约1.4重量%或更大、大约1.5重量%或更大、或大约2.0重量%或更小、大约2.5重量%或更小、大约3重量%或更小、大约3.5重量%或更小、大约4.0重量%或更小、大约4.5重量%或更小、大约5.0重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量存在于该蚀刻剂配制物中。
2．表面活性剂
本公开的蚀刻剂配制物包含一种或多种表面活性剂，也称为表面活性剂体系。该表面活性剂可促进蚀刻组合物的均匀性并有助于在溶剂中溶解组分（例如磺酸）。
适用于本公开的蚀刻剂配制物的表面活性剂包括式I的一种或多种表面活性剂和/或助表面活性剂，
Figure 981330DEST_PATH_IMAGE005
其中R1和R2可以相同或不同，并包含至少一个选自C1-C6烷基的基团，任选该C1-C6烷基可包含一个或多个氧、氮或硫原子或包含至少一个这些原子的基团，并且该烷基链可任选被一个或多个选自羟基、氨基、酰胺基、磺酰基、磺酸根、羰基、羧基和羧酸根的取代基取代；n是1至12的整数；该末端氮任选进一步被R3取代，其中R3选自氢、氧、羟基和C1-C6烷基；以及与该化合物缔合的任选的抗衡离子，其如果存在的话选自氯离子、溴离子和碘离子。
特别地，合适的表面活性剂或助表面活性剂可包括任何本文中所述的表面活性剂1-6中的一种或多种。
该表面活性剂可以大约0.0001重量%或更大、大约0.01重量%或更大、大约0.1重量%或更大、大约0.2重量%或更大、大约0.3重量%或更大、大约0.4重量%或更大、大约0.5重量%或更大、或大约0.6重量%或更小、大约0.7重量%或更小、大约0.8重量%或更小、大约0.9重量%或更小、大约1.0重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量存在于该蚀刻剂配制物中。
3．溶剂
本公开的蚀刻剂配制物可包含一种或多种溶剂。该蚀刻组合物可包含第一溶剂，其为羧酸。用作第一溶剂的羧酸可促进和增强蚀刻方法过程中半导体基材上Ta和/或TaN的去除。
合适的第一溶剂可包括下式的羧酸：R—COOH，其中R是H或C1-C6烷基，如甲酸、乙酸、三氟乙酸、丙酸、乳酸、丁酸、戊酸和己酸。
该第一溶剂可以是本公开的蚀刻剂配制物的主要组分。例如，该第一溶剂可以大约70重量%或更大、大约75重量%或更大、大约80重量%或更大、大约85重量%或更大、或大约90重量%或更小、大约95重量%或更小、大约96重量%或更小、大约97重量%或更小、大约98重量%或更小、大约99重量%或更小、大约99.9重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量存在于该蚀刻剂配制物中。
或者，本公开的蚀刻剂配制物可包含两种或更多种溶剂。例如，该蚀刻组合物可包含至少一种选自有机溶剂（其不是羧酸）和无机溶剂的第二溶剂。合适的无机溶剂包括水和水溶液。水可以是去离子的和超纯的，不含有机污染物，并具有大约4至大约17兆欧姆、或至少大约17兆欧姆的最小电阻率。
该至少一种第二溶剂（例如水）可以大约0.01重量%或更大、大约0.1重量%或更大、大约0.5重量%或更大、大约1重量%或更大、大约2重量%或更大、大约4重量%或更大、大约5重量%或更大、或大约6重量%或更小、大约7重量%或更小、大约8重量%或更小、大约9重量%或更小、大约10重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量存在。
该第二溶剂可以是并非羧酸的有机溶剂。例如，该有机溶剂可以是具有大约0或更大、大约0.1或更大、大约0.2或更大、大约0.3或更大、大约0.5或更大、大约1.0或更大、大约1.5或更大、大约2.0或更大、或大约2.5或更小、大约3.0或更小、大约3.5或更小、大约4.0或更小、大约4.5或更小、大约5.0或更小，或在使用这些端点的任意范围内的分配系数（logP）的疏水性有机溶剂。
如本文中所用，分配系数log P获自正辛醇和水的两相体系。在一些实施方案中，该有机溶剂可以是醇或醚。醚可以是亚烷基二醇醚（例如二亚烷基二醇醚、三亚烷基二醇醚和四亚烷基二醇醚）。此类有机溶剂的实例包括苄醇、二乙二醇丁基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、二丙二醇二乙基醚、四乙二醇二甲基醚和二丙二醇二甲基醚。不希望受理论束缚，据信使用疏水性有机溶剂可以在蚀刻方法过程中抑制Cu的去除而不减少Ta或TaN的去除。
该至少一种第二溶剂（例如有机溶剂）可以大约0.1重量%或更大、大约0.2重量%或更大、大约0.4重量%或更大、大约0.5重量%或更大、大约0.6重量%或更大、大约0.8重量%或更大、大约1.0重量%或更大、大约1.5重量%或更大、大约2.0重量%或更大、大约2.5重量%或更大、大约5.0重量%或更大、或大约6.0重量%或更小、大约8.0重量%或更小、大约10重量%或更小、大约15重量%或更小、大约20重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量存在。
4．氧化剂
本公开的蚀刻剂配制物可任选包含适用于微电子应用的任何氧化剂。该氧化剂可促进和增强半导体基材上Ta和/或TaN的去除。合适的氧化剂包括但不限于氧化性酸或其盐（例如硝酸、高锰酸或高锰酸钾）、过氧化物（例如过氧化氢、二烷基过氧化物、脲过氧化氢）、过磺酸（例如六氟丙烷过磺酸、甲烷过磺酸、三氟甲烷过磺酸或对甲苯过磺酸）及其盐、臭氧、过碳酸（例如过乙酸）及其盐、过磷酸及其盐、过硫酸及其盐（例如过硫酸铵或四甲基过硫酸铵）、高氯酸及其盐（例如高氯酸铵、高氯酸钠或四甲基高氯酸铵）、和高碘酸及其盐（例如，高碘酸、高碘酸铵或四甲基高碘酸铵）。这些氧化剂可以单独使用或组合使用。
该氧化剂可以大约0.01重量%或更大、大约0.02重量%或更大、大约0.04重量%或更大、大约0.05重量%或更大、大约0.06重量%或更大、大约0.08重量%或更大、大约0.1重量%或更大、大约0.15重量%或更大、大约0.2重量%或更大、或大约0.25重量%或更小、大约0.3重量%或更小、大约0.35重量%或更小、大约0.4重量%或更小、大约0.45重量%或更小、大约0.5重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量存在于该蚀刻剂配制物中。
或者，本公开的蚀刻剂配制物可不包含氧化剂（例如硝酸）。在此类实施方案中，该蚀刻组合物仍然能够在图案化半导体基材（例如图案化晶片）中相对于其它材料（例如金属导体层、硬掩模层和低-k介电层）选择性蚀刻Ta和/或TaN。
5．络合剂
本公开的蚀刻剂配制物可包含任何合适的络合剂。该络合剂可以在蚀刻方法过程中促进和增强半导体基材上Ta和/或TaN的去除，同时抑制暴露于蚀刻组合物的Cu的去除。合适的络合剂可选自多元羧酸和羟基羧酸。本文中所用的术语“多元羧酸”是指含有两个或更多个（例如两个、三个或四个）羧基（COOH）的化合物。合适的多元羧酸的实例包括草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸和己二酸。本文中所用的术语“羟基羧酸”是指含有至少一个（例如两个、三个或四个）羟基（OH）和至少一个（例如两个、三个或四个）羧基（COOH）的化合物。合适的羟基羧酸的实例包括柠檬酸和2-羟基苯甲酸。在一些实施方案中，该多元羧酸不包含羟基。在一些实施方案中，该羟基羧酸仅包含一个羟基。
该络合剂可以大约0.1重量%或更大、大约0.2重量%或更大、大约0.4重量%或更大、大约0.5重量%或更大、大约0.6重量%或更大、大约0.8重量%或更大、大约1.0重量%或更大、大约1.5重量%或更大、大约2.0重量%或更大、大约2.5重量%或更大、大约5.0重量%或更大、或大约6.0重量%或更小、大约6.5重量%或更小、大约7.0重量%或更小、大约7.5重量%或更小、大约8.0重量%或更小、大约8.5重量%或更小、大约9.0重量%或更小、大约9.5重量%或更小、大约10重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量包含在该蚀刻剂配制物中。
6．其它添加剂
本公开的蚀刻剂配制物可进一步包含至少一种六氟硅酸盐化合物。下述六氟硅酸盐化合物可以在蚀刻方法过程中促进和增强半导体基材上Ta和/或TaN的去除，同时抑制暴露于蚀刻组合物的介电材料（SiO2）的去除。合适的六氟硅酸盐化合物包括六氟硅酸（H2SiF6）及其盐。六氟硅酸盐化合物的具体实例包括H2SiF6、Na2SiF6、K2SiF6和(NH4)2SiF6。
该六氟硅酸盐化合物可以大约0.1重量%或更大、大约0.2重量%或更大、大约0.4重量%或更大、0.5重量%或更大、大约0.6重量%或更大、大约0.8重量%或更大、大约1.0重量%或更大、大约1.2重量%或更大、大约1.4重量%或更大、大约1.5重量%或更大、或大约2.0重量%或更小、大约2.5重量%或更小、大约3重量%或更小、大约3.5重量%或更小、大约4.0重量%或更小、大约4.5重量%或更小、大约5.0重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量存在于该蚀刻剂配制物中。
本公开的蚀刻剂配制物可进一步包含至少一种磺酸。该磺酸可促进和增强蚀刻方法过程中半导体基材上Ta和/或TaN的去除。合适的磺酸的实例包括对甲苯磺酸、甲磺酸或十二烷基苯磺酸。
该磺酸可以大约0.1重量%或更大、大约0.2重量%或更大、大约0.4重量%或更大、大约0.5重量%或更大、大约0.6重量%或更大、大约0.8重量%或更大、大约1.0重量%或更大、大约1.5重量%或更大、大约2.0重量%或更大、大约2.5重量%或更大、大约5.0重量%或更大、或大约6.0重量%或更小、大约6.5重量%或更小、大约7.0重量%或更小、大约7.5重量%或更小、大约8.0重量%或更小、大约8.5重量%或更小、大约9.0重量%或更小、大约9.5重量%或更小、大约10重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量存在于该蚀刻剂配制物中。
此外，本公开的蚀刻剂配制物可含有附加的添加剂，如pH调节剂、腐蚀抑制剂、附加的表面活性剂、附加的有机溶剂、杀生物剂和消泡剂作为任选组分。
7．制造方法
本公开的蚀刻组合物可以通过将组分简单地混合在一起来制备，或者可以通过共混试剂盒中的两种组合物来制备。试剂盒中的第一组合物可以是氧化剂（例如硝酸）的水溶液。试剂盒中的第二组合物可以浓缩形式以预定比率含有本公开的蚀刻组合物的剩余组分，以使两种组合物的共混将产生本公开的所需蚀刻组合物。
8．使用方法
本公开提供了蚀刻含有Ta和/或TaN（例如含有Ta和/或TaN的特征）的半导体基材的方法。该方法包括使含有Ta和/或TaN的半导体基材与本公开的蚀刻组合物接触以去除Ta和/或TaN。该方法可进一步包括在接触步骤之后用冲洗溶剂冲洗该半导体基材和/或在冲洗步骤之后干燥该半导体基材。在一些实施方案中，该方法基本不去除半导体基材中的Cu或介电材料（例如SiO2）。例如，该方法不去除半导体基材中的Cu或介电材料的超过大约5重量%（例如超过大约3重量%或超过大约1重量%）。
该蚀刻方法可包括以下步骤：1）提供含有Ta和/或TaN的半导体基材；2）使该半导体基材与本文中描述的蚀刻组合物接触；3）用一种或多种合适的冲洗溶剂冲洗该半导体基材；和4）任选地，干燥该半导体基材（例如通过去除该冲洗溶剂且不损害半导体基材的完整性的任何合适的手段）。
要在该方法中蚀刻的含有Ta和/或TaN的半导体基材可含有有机和有机金属残余物，以及也可在蚀刻方法过程中去除的一系列金属氧化物。半导体基材（例如晶片）通常由硅、硅锗、第III-V族化合物（如GaAs）或其任意组合构成。该半导体基材可附加地含有暴露的集成电路结构，如互连特征（例如金属线和介电材料）。用于互连特征的金属和金属合金包括但不限于铝、与铜合金化的铝、铜、钛、钽、钴、硅、氮化钛、氮化钽和钨。该半导体基材还可以含有层间电介质、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化钛和碳掺杂氧化硅的层。
可以通过任何合适的方法使半导体基材与蚀刻组合物接触，如将蚀刻组合物置于槽中并将半导体基材浸没和/或浸入蚀刻组合物中，将蚀刻组合物喷涂到半导体基材上，使蚀刻组合物流动到半导体基材上，或其任意组合。
III．光致抗蚀剂剥离剂
本公开进一步提供了光致抗蚀剂剥离剂的配制物。液晶面板的半导体集成电路和器件电路具有非常精细的结构。精细电路通常通过在涂覆在基材上的绝缘膜或导电金属膜（例如分别为氧化物膜或Al合金膜）上均匀地涂覆光致抗蚀剂，并使光致抗蚀剂曝光和显影以形成特定图案并通过使用图案化的光致抗蚀剂作为掩模蚀刻该金属膜或绝缘膜，并然后通过去除不需要的光致抗蚀剂来制造。
光致抗蚀剂剥离配制物用于从基材上去除光致抗蚀剂。通常，光致抗蚀剂剥离配制物在低温和高温下都应具有高剥离力，并且应当在基材上不留下残余物。此外，考虑到在大规模液晶显示面板电路的制造中使用大量的剥离组合物，合意的剥离剂不应腐蚀金属膜，同时对人和环境几乎没有危害。
本公开提供了适于剥离光致抗蚀剂的单晶片处理方法和浸渍方法的光致抗蚀剂剥离配制物，特别是即使在应用使用气刀方法的单晶片处理方法来剥离光致抗蚀剂时在基材上也不留下杂质的配制物。
本公开进一步提供了光致抗蚀剂剥离组合物，其对涂覆在基材上的各种类型的膜具有良好的剥离力，并在清洁裸玻璃时防止形成杂质粒子。
为了适于使用高气压（气刀）的单晶片处理光致抗蚀剂剥离方法和浸渍方法，光致抗蚀剂剥离配制物必须具有良好的剥离力，并且是非腐蚀性的，并且在基材上不形成杂质粒子。
为了有效防止基材上的任何杂质，该剥离配制物应当容易被各种LCD层，如氧化铟锡（ITO）膜、铝、铬、氮化硅膜和非晶硅膜吸收。此外，该剥离配制物应当与LCD层表现出均匀的低表面张力。此外，其应当具有低挥发性和粘度。此外，LCD层表面与落在表面上的剥离配制物之间的接触角应该小并保持恒定。
此外，合意的是该剥离配制物对各种类型的LCD层显示出均匀的物理特性，并且在LCD制造设施内测试杂质粒子的存在时，该剥离配制物能够防止在裸玻璃上形成杂质粒子。
本公开的光致抗蚀剂剥离配制物包含链烷醇胺、亚砜或砜化合物、二醇醚、和选自一个或多个表面活性剂类别的一种或多种表面活性剂。
1．链烷醇胺
链烷醇胺从基材上剥离该光致抗蚀剂。合适的链烷醇胺包括单异丙醇胺和单乙醇胺。
链烷醇胺以大约5重量%或更大、大约6重量%或更大、大约7重量%或更大、大约8重量%或更大、大约9重量%或更大、或大约10重量%或更小、大约11重量%或更小、大约12重量%或更小、大约13重量%或更小、大约14重量%或更小、大约15重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量存在于该光致抗蚀剂剥离剂配制物中。
2．亚砜或砜
提供亚砜或砜化合物作为溶解光致抗蚀剂的溶剂，并且其控制剥离组合物与LCD层之间的表面张力。合适的化合物包括二乙基亚砜、二甲基亚砜、二乙基砜、或二甲基砜。
该亚砜或砜化合物可以大约35重量%或更大、大约40重量%或更大、或大约45重量%或更小、大约50重量%或更小、大约55重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量包含在光致抗蚀剂剥离配制物中。
3．二醇醚
二醇醚与前述亚砜或砜化合物组合用于溶解该光致抗蚀剂，并控制该化合物与LCD层之间的表面张力，以便与由二甲基亚砜和单乙醇胺组成的组合物相比大大增强气刀光致抗蚀剂剥离能力。即使二甲基亚砜本身用于增强气刀光致抗蚀剂剥离能力，其与单乙醇胺组合大大降低了气刀光致抗蚀剂剥离能力。但是，在由二甲基亚砜和单乙醇胺组成的化合物中加入二醇醚提高了气刀光致抗蚀剂剥离能力和该化合物的光致抗蚀剂剥离力。
合适的二醇醚化合物包括乙基二甘醇、甲基二甘醇或丁基二甘醇。
该二醇醚可以大约35重量%或更大、大约40重量%或更大、或大约45重量%或更小、大约50重量%或更小、大约55重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量包含在光致抗蚀剂剥离配制物中。
4．表面活性剂
在该光致抗蚀剂剥离剂配制物中可包含一种或多种表面活性剂。表面活性剂可防止冲洗裸玻璃时杂质粒子在基材上的产生和残留。适用于本公开的光致抗蚀剂剥离剂配制物的表面活性剂包括一种或多种式I的表面活性剂和/或助表面活性剂，
Figure 803793DEST_PATH_IMAGE005
其中R1和R2可以相同或不同，并包含至少一个选自C1-C6烷基的基团，任选该C1-C6烷基可包含一个或多个氧、氮或硫原子或包含至少一个这些原子的基团，并且该烷基链可任选被一个或多个选自羟基、氨基、酰胺基、磺酰基、磺酸根、羰基、羧基和羧酸根的取代基取代；n是1至12的整数；该末端氮任选进一步被R3取代，其中R3选自氢、氧、羟基和C1-C6烷基；以及与该化合物缔合的任选的抗衡离子，其如果存在的话选自氯离子、溴离子和碘离子。
特别地，合适的表面活性剂或助表面活性剂可包括任何本文中所述的表面活性剂1-6中的一种或多种。
该光致抗蚀剂剥离剂配制物可以大约0.05重量%或更大、大约0.1重量%或更大、大约0.2重量%或更大、或大约0.3重量%或更小、大约0.4重量%或更小、大约0.5重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量包含一种或多种表面活性剂。
5．其它添加剂
本公开的光致抗蚀剂剥离剂配制物可以1重量%或更大、大约2重量%或更大、大约3重量%或更大、大约4重量%或更大、大约5重量%或更大、或大约6重量%或更小、大约7重量%或更小、大约8重量%或更小、大约9重量%或更小、大约10重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量进一步包含四甲基氢氧化铵。
该光致抗蚀剂剥离剂配制物还可以大约3重量%或更大、大约4重量%或更大、大约5重量%或更大、大约6重量%或更大、大约7重量%或更大、大约8重量%或更大、大约9重量%或更大、或大约10重量%或更小、大约11重量%或更小、大约12重量%或更小、大约13重量%或更小、大约14重量%或更小、大约15重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量包含苯二酚。
该光致抗蚀剂剥离配制物还可以大约1重量%或更大、大约2重量%或更大、大约3重量%或更大、大约4重量%或更大、大约5重量%或更大、大约6重量%或更大、大约7重量%或更大、大约8重量%或更大、大约9重量%或更大、或大约10重量%或更小、大约11重量%或更小、大约12重量%或更小、大约13重量%或更小、大约14重量%或更小、大约15重量%或更小，或在使用这些端点的任意范围内的量包含烷基磺酸。
VI．表面活性剂
本公开提供了氨基酸的硅氧烷衍生物形式的用于预织构化剂、蚀刻剂和光致抗蚀剂剥离剂的表面活性剂。该氨基酸可以是天然存在的或合成的，或它们可以获自内酰胺（如己内酰胺）的开环反应。本公开的化合物已经显示具有表面活性性质，并可用作例如表面活性剂和润湿剂。特别地，本公开提供了下文显示的式I的化合物：
Figure 70826DEST_PATH_IMAGE006
其中R1和R2可以相同或不同，并包含至少一个选自C1-C6烷基的基团，任选该C1-C6烷基可包含一个或多个氧、氮或硫原子或包含至少一个这些原子的取代基，该烷基链可任选被一个或多个选自羟基、氨基、酰胺基、磺酰基、磺酸根、羰基、羧基和羧酸根的取代基取代；
n是1至12的整数；
该末端氮任选进一步被R3取代，其中R3选自氢、氧、羟基和C1-C6烷基；和
可与该化合物缔合的任选的抗衡离子，并且如果存在的话，该抗衡离子选自氯离子、溴离子和碘离子。
本公开进一步提供了式Ia的化合物：
Figure 145092DEST_PATH_IMAGE007
其中R1和R2可以相同或不同，并包含至少一个选自C1-C6烷基的基团，任选该C1-C6烷基可包含一个或多个氧、氮或硫原子或包含至少一个这些原子的基团，并且该烷基链可任选被一个或多个选自羟基、氨基、酰胺基、磺酰基、磺酸根、羰基、羧基和羧酸根的取代基取代；
m是1至6的整数；
该末端氮任选进一步被R3取代，其中R3选自氢、氧和C1-C6烷基，其中该烷基链任选被一个或多个选自羧基、羧酸根和磺酸根的取代基取代；和
可与该化合物缔合的任选的抗衡离子，并且如果存在的话，该抗衡离子选自氯离子、溴离子和碘离子。
本公开附加地提供了式Ib的化合物：
Figure 813971DEST_PATH_IMAGE008
其中R1和R2可以相同或不同，并包含至少一个选自C1-C6烷基的基团，任选该C1-C6烷基可包含一个或多个氧、氮或硫原子或包含至少一个这些原子的基团，并且该烷基链可任选被一个或多个选自羟基、氨基、酰胺基、磺酰基、磺酸根、羰基、羧基和羧酸根的取代基取代；
p为5；
该末端氮任选进一步被R3取代，其中R3选自氢、氧和C1-C6烷基，其中该烷基链任选被一个或多个选自羧基、羧酸根和磺酸根的取代基取代；和
可与该化合物缔合的任选的抗衡离子，并且如果存在的话，该抗衡离子选自氯离子、溴离子和碘离子。
本公开提供的一种特定化合物是6-(二甲基氨基)-N-(3-(1,1,1,5,5,5-六甲基-3-((三甲基甲硅烷基)氧基)三硅氧烷-3-基)丙基)己酰胺（表面活性剂1），其具有下式：
Figure 807335DEST_PATH_IMAGE009
。
本公开提供的第二特定化合物是6-(二甲基氨基)-N-(3-(1,1,1,5,5,5-六甲基-3-((三甲基甲硅烷基)氧基)三硅氧烷-3-基)丙基)氯化己酰胺鎓（表面活性剂2），其具有下式：
Figure 702610DEST_PATH_IMAGE010
。
本公开提供的第三特定化合物是6-((3-(1,1,1,5,5,5-六甲基-3-((三甲基甲硅烷基)氧基)三硅氧烷-3-基)丙基)氨基)-N,N,N-三甲基-6-氧代己烷-1-碘化胺鎓（表面活性剂3），其具有下式：
Figure 439622DEST_PATH_IMAGE011
。
本公开提供的第四特定化合物是6-((3-(1,1,1,5,5,5-六甲基-3-((三甲基甲硅烷基)氧基)三硅氧烷-3-基)丙基)氨基)-N,N-二甲基-6-氧代己烷-1-氧化胺（表面活性剂4），其具有下式：
Figure 572794DEST_PATH_IMAGE012
。
在上述结构中，符号“N→O”意在表达氮与氧之间的非离子键合相互作用。
本公开提供的第五特定化合物是4-((6-((3-(1,1,1,5,5,5-六甲基-3-((三甲基甲硅烷基)氧基)三硅氧烷-3-基)丙基)氨基)-6-氧代己基)二甲基铵基)丁-1-磺酸盐（表面活性剂5），其具有下式：
Figure 2638DEST_PATH_IMAGE013
。
本公开提供的第六特定化合物是5-((6-((3-(1,1,1,5,5,5-六甲基-3-((三甲基甲硅烷基)氧基)三硅氧烷-3-基)丙基)氨基)-6-氧代己基)二甲基铵基)戊-1-磺酸盐（表面活性剂6），其具有下式：
Figure 119630DEST_PATH_IMAGE014
。
这些化合物可以通过各种方法合成。一种此类方法包括使氨基酸，如N-烷基化或N-酰基化的氨基酸与硅氧烷反应以便将氨基酸C端转化成所需的硅氧烷衍生物。氨基酸N端可以进一步被质子化、烷基化或氧化以产生例如季胺或N-氧化物。
该氨基酸可以是天然存在的或合成的，或者可以衍生自内酰胺（如己内酰胺）的开环反应。该开环反应可以是酸或碱催化的反应，酸催化的反应的实例显示在下面的方案1中。
方案1
Figure 394753DEST_PATH_IMAGE015
该氨基酸在N端和C端之间可具有少至1个或多至12个碳。该烷基链可以是支链或直链。该烷基链可以被氮、氧或硫***。该烷基链可以进一步被一个或多个选自羟基、氨基、酰氨基、磺酰基、磺酸根、羧基和羧酸根的取代基取代。N端氮可以用一个或多个烷基酰化或烷基化。例如，该氨基酸可以是6-(二甲基氨基)己酸。
该硅氧烷可以被一个或多个烷氧基如甲氧基、乙氧基、异丙氧基、叔丁氧基等取代。该硅氧烷可以进一步被一个或多个烷基如丙基取代，其中该烷基还可进一步被合适的官能团（如氮）取代以允许硅氧烷与氨基酸偶联。例如，该硅氧烷可以是3-氨基丙基三(三甲基甲硅烷氧基)硅烷。
该氨基酸的硅氧烷衍生物可以如下文在方案2中所示来合成。如所示那样，将6-氨基己酸在甲酸中在回流下用甲醛处理以获得6-(二甲基氨基)己酸。随后将游离羧酸在回流的甲苯中偶联到3-氨基丙基(三甲基甲硅烷氧基)硅烷上以获得所需的硅氧烷衍生物。
方案2
Figure 38224DEST_PATH_IMAGE016
该N端氮可进一步衍生以改变或改善水溶性和表面活性性质。样品合成方案显示在下面的方案3中，其中将N端氮用盐酸处理以获得相应的盐酸盐。
方案3
Figure 248757DEST_PATH_IMAGE017
该N端氮可以被烷基化。样品合成方案如下所示，其中将N端氮用甲基碘处理以获得相应的季胺盐。
方案4
Figure 977679DEST_PATH_IMAGE018
该N端氮可以在水中在回流下用过氧化氢处理以获得相应的N-氧化物，如下面的样品合成方案5所示。
方案5
Figure 56493DEST_PATH_IMAGE019
本公开的化合物表现出表面活性性质。这些性质可通过各种方法来测量和描述。可以描述表面活性剂的一种方法是通过分子的临界胶束浓度（CMC）。CMC可以定义为胶束形成时表面活性剂的浓度，并且高于该浓度，所有附加的表面活性剂均并入胶束中。
随着表面活性剂浓度提高，表面张力降低。一旦表面完全被表面活性剂分子覆盖，胶束开始形成。这个点代表CMC以及最小表面张力。进一步加入表面活性剂将不会进一步影响表面张力。因此可以通过观察表面张力随表面活性剂浓度的变化来测定CMC。测量该值的一种此类方法是Wilhemy板法。Wilhelmy板通常是薄的铱-铂板，其通过线材连接到天平并垂直于空气-液体界面放置。天平用于测量通过润湿施加在板上的力。随后根据等式1使用该值来计算表面张力（γ）：
等式1：γ = F/l cos θ
其中 l等于润湿周长（2w + 2d，其中w和d分别是板的厚度和宽度），且cosθ，液体与板之间的接触角，在没有现有文献值的情况下假定为0。
用于评价表面活性剂性能的另一参数是动态表面张力。动态表面张力是对于特定表面或界面寿命的表面张力值。在添加表面活性剂的液体的情况下，这可能不同于平衡值。在表面刚产生之后，表面张力等于纯液体的表面张力。如上所述，表面活性剂降低表面张力；因此，表面张力下降，直到达到平衡值。达到平衡所需的时间取决于表面活性剂的扩散速率和吸附速率。
测量动态表面张力的一种方法依赖于气泡压力张力计。该装置通过毛细管测量在液体中形成的气泡的最大内部压力。测量的值对应于在特定表面寿命（即从气泡形成开始到出现压力最大值的时间）处的表面张力。表面张力对表面寿命的依赖性可以通过改变产生气泡的速度来测量。
表面活性化合物还可以通过它们在固体基质上的润湿能力来评估，所述润湿能力通过接触角来量度。当液滴在第三介质如空气中与固体表面接触时，在液体、气体和固体之间形成三相线。作用于三相线并与液滴相切的表面张力单位矢量与表面之间的角度被描述为接触角。接触角（也称为润湿角）是固体被液体润湿的量度。在完全润湿的情况下，液体完全铺展在固体上，接触角为0°。通常在1-100×CMC的浓度下测量给定化合物的润湿性质，但是，其并非依赖于浓度的性质，因此润湿性质的测量可以在更高或更低的浓度下测量。
在一种方法中，可使用光学接触角测角仪来测量接触角。该装置使用数码相机和软件通过分析表面上固着液滴的轮廓形状来提取接触角。
本公开的表面活性化合物的潜在应用包括用作洗发水、护发素、洗涤剂、无斑点漂洗液、地板和地毯清洁剂、用于去除涂鸦的清洁剂、用于作物保护的润湿剂、用于作物保护的助剂和用于气溶胶喷涂的润湿剂的配制物。
本领域技术人员将理解的是，化合物之间小的差异可导致显著不同的表面活性剂性质，使得不同的化合物可在不同的应用中与不同的基材一起使用。
提供下列非限制性实施方案以展示不同表面活性剂的不同性质。在下表1中，表面活性剂的简称与它们相应的化学结构相关。
表1
Figure 429837DEST_PATH_IMAGE021
五种化合物中的每一种都可有效地作为表面活性剂，可用于润湿剂或发泡剂、分散剂、乳化剂和洗涤剂等。
表面活性剂1和2是用于各种表面清洁和个人护理产品配制物中的发泡剂或润湿剂的候选物。
表面活性剂3是阳离子的。这些表面活性剂可用于上述应用和一些其它特殊应用如表面处理、如个人毛发护理产品，并且还可用于生成防水表面。
表面活性剂4是非离子的，并可用于洗发水、洗涤剂、硬表面清洁剂和多种其它表面清洁配制物。
表面活性剂5是两性离子的。这些表面活性剂可用作所有上述应用中的助表面活性剂。
本文中公开的化合物在配制物中的用量可以低至大约0.001重量%、大约0.05重量%、大约0.1重量%、大约0.5重量%、大约1重量%、大约2重量%、或大约5重量%，或高至大约8重量%、大约10重量%、大约15重量%、大约20重量%、或大约25重量%，或在使用前述值的任意两个的任意范围内。
实施例
在Bruker 500 MHz光谱仪上进行核磁共振（NMR）光谱法。通过Wilhelmy板方法在23℃下用配有Pt-Ir板的张力计（DCAT 11, DataPhysics Instruments GmbH）测定临界胶束浓度（CMC）。用气泡压力张力计（Krüss BP100, Krüss GmbH）在23℃下测定动态表面张力。用配有数码相机的光学接触角测角仪（OCA 15 Pro, DataPhysics GmbH）测定接触角。
实施例1a:
合成6-(二甲基氨基)-N-(3-(1,1,1,5,5,5-六甲基-3-((三甲基甲硅烷基)氧基) 三硅氧烷-3-基)丙基)己酰胺（表面活性剂1）和6-((3-(1,1,1,5,5,5-六甲基-3-((三甲基 甲硅烷基)氧基)三硅氧烷-3-基)丙基)氨基)-N,N-二甲基-6-氧代己-1-胺鎓盐（表面活性 剂2）
Figure 201484DEST_PATH_IMAGE022
在配有Dean Stark阱的100毫升圆底烧瓶中，将6-(二甲基氨基)己酸（2.00克，12.56毫摩尔，1当量）溶解在甲苯（50毫升）中，随后加入3-氨基丙基三(三甲基甲硅烷氧基)硅烷（5.48毫升，13.81毫摩尔，1.1当量）。加热反应容器，反应物回流24小时，直到在DeanStark管中不再分离出水。在真空下去除溶剂，得到作为黄色油的表面活性剂1，产率为94%。1HNMR (500 MHz, DMSO) δ: 0.09 (s, 27H), 0.28-0.31 (m, 2H), 1.12-1.26 (m, 2H),1.27-1.30 (m, 4H), 1.38-1.41 (m, 2H), 1.94 (t, J = 7.3 Hz, 2H), 2.00 (s, 6H),2.06 – 2.03 (m, 2H), 2.89 (dd, J = 12.9, 6.8 Hz, 2H)。
在其中性形式下，表面活性剂1在不添加助水溶剂或其它表面活性剂的情况下微溶于纯水，但在微酸性条件下质子化后，其变为界面活性的（表面活性剂2）。该酸性条件可以通过加入pH范围为4-7的任何酸或酸性缓冲液来生成。表面活性剂2也可以在非水性溶液中制备，例如通过在表面活性剂1的存在下将气态HCl鼓入甲苯中来制备。
实施例1b:
测定表面活性剂2的临界胶束浓度（CMC）
用氯离子抗衡离子来测试表面活性剂2的临界胶束浓度（CMC），并测定为大约2毫摩尔。该表面活性剂可达到的最小表面张力的平台值为大约23 mN/m。图1是这些结果的曲线图，显示了表面张力vs浓度。
实施例2a：
合成6-((3-(1,1,1,5,5,5-六甲基-3-((三甲基甲硅烷基)氧基)三硅氧烷-3-基) 丙基)氨基)-N,N,N-三甲基-6-氧代己烷-1-碘化胺鎓（表面活性剂3）
Figure 27488DEST_PATH_IMAGE023
在100毫升圆底烧瓶中，将表面活性剂1（1.00克，2.02毫摩尔，1当量）溶解在乙腈（10毫升）中。接着加入Na2CO3（0.26克，2.42毫摩尔，1.2当量），并将该混合物搅拌10分钟。加入甲基碘（0.377毫升，6.06毫摩尔，3当量），将该反应物在40℃下加热24小时。过滤冷却的反应混合物，在真空下去除溶剂以定量产率得到作为浅黄色固体的表面活性剂3。-H NMR(500 MHz, DMSO) δ 0.09 (s, 27H), 0.38-0.42 (m, 2H), 1.23-1.26 (m, 2H), 1.37-1.40 (m, 2H), 1.52-1.55 (m, 2H), 1.65-1.69 (m, 2H),2.08 (t, J = 7.4 Hz, 2H),2.99 (dd, J = 13, 6.9 Hz, 2H), 3.04 (s, 9H), ), 3.24 – 3.33 (m, 2H)。
该纯产物可溶于水并具有表面活性剂性质。卤素阴离子可以直接获自N-烷基化反应，其它所需抗衡阴离子可以通过阴离子交换获得。
实施例2b：
确定表面活性剂3的物理性质
测定表面活性剂3的临界胶束浓度（CMC）。根据表面张力随水中浓度的变化，测得CMC为大约1.6毫摩尔。该表面活性剂可达到的最小表面张力的平台值为大约20 mN/m，表明该表面活性剂具有突出的界面活性。这些结果作为表面张力vs浓度绘制在图2中。
用测量新产生的空气-水界面的表面张力随时间变化的气泡压力张力计来测定表面活性剂3的动态表面张力。图3显示了作为表面张力vs时间的结果的曲线图，并且表明表面活性剂3在小于500 ms内完全饱和该界面，使得其在界面吸附方面异乎寻常地快。
除了表面活性剂3降低界面和表面张力的能力外，仅含有表面活性剂的配制物具有优异的润湿性。例如，疏水性基材如聚乙烯和聚丙烯表现出0°接触角的总表面润湿。在疏油性和疏水性基材如特氟龙上，测得的接触角极低，为10.5°（表2）。
表2
基材 表面活性剂3的CA(<sup>o</sup>) 浓度 水的CA(<sup>o</sup>)
特氟龙 10.5 10×CMC 119
聚乙烯 0 10×CMC 91.5
聚丙烯 0 10×CMC 93.3
尼龙 0 10×CMC 50
聚对苯二甲酸乙二醇酯 0 10×CMC 65.3
实施例3a：
合成6-((3-(1,1,1,5,5,5-六甲基-3-((三甲基甲硅烷基)氧基)三硅氧烷-3-基) 丙基)氨基)-N,N-二甲基-6-氧代己烷-1-氧化胺（表面活性剂4）
Figure 909994DEST_PATH_IMAGE024
在100毫升圆底烧瓶中，将表面活性剂1（1.00克，2.02毫摩尔，1当量）加入蒸馏水（80毫升）中，接着加入50%过氧化氢（1.15毫升，20.2毫摩尔，10当量）。将该反应物回流12小时，随后真空浓缩。用丙酮洗涤残余物三次以获得表面活性剂4，产率为99%。1H NMR (500MHz, DMSO) δ 0.09 (s, 27H), 0.38-0.44 (m, 2H), 1.21-1.25 (m, 2H), 1.35-1.42(m, 2H), 1.50-1.55 (m, 2H), 1.71-1.75 (m, 2H), 2.05-2.08 (m, 2H),2.97-3.00(m, 2H), 3.01 (s, 9H),3.11 – 3.14 (m, 2H)。
实施例3b：
确定表面活性剂4的物理性质
测定表面活性剂4的临界胶束浓度（CMC）。根据表面张力随水中浓度的变化，测得CMC为大约0.49毫摩尔。该表面活性剂可达到的最小表面张力的平台值为大约20 mN/m，表明该表面活性剂具有突出的界面活性。这些结果作为表面张力vs浓度绘制在图4中。
用气泡压力张力计来测定表面活性剂4的动态表面张力。图5显示了作为表面张力vs时间的结果的曲线图，并且表明表面活性剂4在一秒或更短的时间内完全饱和新生成的空气-水界面，使得其在界面吸附方面非常快。
除了表面活性剂4降低界面和表面张力的能力外，仅以1-100×CMC的浓度含有表面活性剂4的配制物具有优异的润湿性。例如，浓度为10×CMC的表面活性剂4在水中的溶液在疏水性基材如聚乙烯和聚丙烯上表现出0°的接触角，在疏油性和疏水性基材如特氟龙上表现出10.6°的接触角。这些接触角与水在相同基材上的接触角相比极低（表3）。
表3
基材 表面活性剂4的CA(<sup>o</sup>) 浓度 水的CA(<sup>o</sup>)
特氟龙 10.6 10×CMC 119
聚乙烯 0 10×CMC 91.5
聚丙烯 0 10×CMC 93.3
尼龙 0 10×CMC 50
聚对苯二甲酸乙二醇酯 0 10×CMC 65.3
实施例4a：
合成4-((6-((3-(1,1,1,5,5,5-六甲基-3-((三甲基甲硅烷基)氧基)三硅氧烷-3- 基)丙基)氨基)-6-氧代己基)二甲基铵基)丁-1-磺酸盐（表面活性剂5）
Figure 262478DEST_PATH_IMAGE025
在100毫升圆底烧瓶中，将表面活性剂1（1.00克，2.02毫摩尔，1当量）加入到乙酸乙酯（EtOAc）（30毫升）中，随后加入1,2-丁磺酸内酯（0.27毫升，2.2毫摩尔，1.1当量）。将该反应物回流12小时，随后去除溶剂，用丙酮洗涤所得白色蜡状固体以获得表面活性剂5，产率为50%。1H NMR (500 MHz, DMSO) δ 0.10 (s, 27H), 0.38-0.46 (m, 2H), 1.23-1.27(m, 2H), 1.37-1.68 (m, 10H), 1.73-1.78 (m, 2H), 2.45-2.48 (m, 2H), 2.97-3.01(m, 8H), 3.18-3.21 (m, 2H), 3.23-3.27 (m, 2H)。
实施例4b：
确定表面活性剂5的物理性质
测量表面活性剂5的临界胶束浓度（CMC）。根据表面张力随水中浓度的变化，CMC测定为大约0.39毫摩尔。该表面活性剂可达到的最小表面张力的平台值为大约21 mN/m，表明该表面活性剂具有突出的界面活性。这些结果作为表面张力vs浓度绘制在图6中。
用气泡压力张力计来测定表面活性剂5的动态表面张力。图7显示了作为表面张力vs时间的结果的曲线图，并且表明表面活性剂5在一秒或更短的时间内完全饱和新生成的空气-水界面，使得其在界面吸附方面非常快。
最后，浓度为10×CMC的表面活性剂5在水中的溶液在疏水性基材如聚乙烯和聚丙烯上表现出0°的接触角，在疏油性和疏水性基材如特氟龙上表现出10.2°的接触角。这些接触角与水在相同基材上的接触角相比极低（表4）。
表4
基材 表面活性剂5的CA(<sup>o</sup>) 浓度 水的CA(<sup>o</sup>)
特氟龙 10.2 10×CMC 119
聚乙烯 0 10×CMC 91.5
聚丙烯 0 10×CMC 93.3
聚对苯二甲酸乙二醇酯 0 10×CMC 65.3
尼龙 0 10×CMC 50
聚乙烯-HD 0 10×CMC 93.6
实施例5：
用于预织构化剂的配制物
在该实施例中，提供了用于预织构化剂的配制物。该配制物的组分显示在下表5中。
表5
组分 功能 重量%
表面活性剂 润湿剂 0.01-30
草酸 清洁剂 0.1-30
水 60-99.89
实施例6：
用于蚀刻剂的配制物
在该实施例中，提供了用作蚀刻剂的配制物。该配制物显示在下表6中。
表6
组分 功能 重量%
氢氟酸 蚀刻剂 0.1-5
表面活性剂 乳化剂 0.0001-1
硝酸 氧化剂 0.01-0.5
草酸 络合剂 0.1-10
水 83.5-99.9
实施例7：
用于光致抗蚀剂剥离剂的配制物
在该实施例中，提供了用作光致抗蚀剂剥离剂的配制物。该配制物显示在下表7中。
表7
组分 功能 重量%
链烷醇胺 剥离剂 5-15
砜 溶解剂 35-55
二醇醚 溶解剂 35-55
表面活性剂 清洁剂 0.05-0.5
方面
方面1是用于预织构化剂的配制物，包含：至少一种式I的表面活性剂，
Figure 80392DEST_PATH_IMAGE026
其中R1和R2可以相同或不同，并包含至少一个选自C1-C6烷基的基团，任选该C1-C6烷基可包含一个或多个氧、氮或硫原子或包含至少一个这些原子的基团，并且该烷基链可任选被一个或多个选自羟基、氨基、酰胺基、磺酰基、磺酸根、羰基、羧基和羧酸根的取代基取代；n是1至12的整数；该末端氮任选进一步被R3取代，其中R3选自氢、氧、羟基和C1-C6烷基；与该化合物缔合的任选的抗衡离子，其如果存在的话选自氯离子、溴离子和碘离子；以及一种或多种溶剂和一种或多种消泡剂中的至少一种。
方面2是用于预织构化剂的配制物，包含：至少一种式I的表面活性剂，
Figure 518327DEST_PATH_IMAGE027
其中R1和R2可以相同或不同，并包含至少一个选自C1-C6烷基的基团，任选该C1-C6烷基可包含一个或多个氧、氮或硫原子或包含至少一个这些原子的基团，并且该烷基链可任选被一个或多个选自羟基、氨基、酰胺基、磺酰基、磺酸根、羰基、羧基和羧酸根的取代基取代；n是1至12的整数；该末端氮任选进一步被R3取代，其中R3选自氢、氧、羟基和C1-C6烷基；与该化合物缔合的任选的抗衡离子，其如果存在的话选自氯离子、溴离子和碘离子；和一种或多种溶剂。
方面3是方面1或方面2的配制物，进一步包含一种或多种酸。
方面4是方面1-3任一项的配制物，进一步包含一种或多种碱。
方面5是方面1-4任一项的配制物，进一步包含一种或多种螯合剂。
方面6是用于预织构化剂的配制物，包含：至少一种式I的表面活性剂，
Figure 938944DEST_PATH_IMAGE028
其中R1和R2可以相同或不同，并包含至少一个选自C1-C6烷基的基团，任选该C1-C6烷基可包含一个或多个氧、氮或硫原子或包含至少一个这些原子的基团，并且该烷基链可任选被一个或多个选自羟基、氨基、酰胺基、磺酰基、磺酸根、羰基、羧基和羧酸根的取代基取代；n是1至12的整数；该末端氮任选进一步被R3取代，其中R3选自氢、氧、羟基和C1-C6烷基；与该化合物缔合的任选的抗衡离子，其如果存在的话选自氯离子、溴离子和碘离子；和一种或多种消泡剂。
方面7是方面6的配制物，进一步包含一种或多种酸。
方面8是方面6或方面7的配制物，进一步包含一种或多种碱。
方面9是方面6-8任一项的配制物，进一步包含一种或多种螯合剂。
方面10是方面6-9任一项的配制物，进一步包含一种或多种溶剂。
方面11是用于蚀刻剂的配制物，包含：至少一种式I的表面活性剂，
Figure 286879DEST_PATH_IMAGE029
其中R1和R2可以相同或不同，并包含至少一个选自C1-C6烷基的基团，任选该C1-C6烷基可包含一个或多个氧、氮或硫原子或包含至少一个这些原子的基团，并且该烷基链可任选被一个或多个选自羟基、氨基、酰胺基、磺酰基、磺酸根、羰基、羧基和羧酸根的取代基取代；n是1至12的整数；该末端氮任选进一步被R3取代，其中R3选自氢、氧、羟基和C1-C6烷基；与该化合物缔合的任选的抗衡离子，其如果存在的话选自氯离子、溴离子和碘离子；和氢氟酸（HF）。
方面12是方面11的配制物，进一步包含一种或多种氧化剂。
方面13是方面11或方面12的配制物，进一步包含一种或多种络合剂。
方面14是用于光致抗蚀剂剥离配制物的配制物，包含：至少一种式I的表面活性剂，
Figure 400329DEST_PATH_IMAGE030
其中R1和R2可以相同或不同，并包含至少一个选自C1-C6烷基的基团，任选该C1-C6烷基可包含一个或多个氧、氮或硫原子或包含至少一个这些原子的基团，并且该烷基链可任选被一个或多个选自羟基、氨基、酰胺基、磺酰基、磺酸根、羰基、羧基和羧酸根的取代基取代；n是1至12的整数；该末端氮任选进一步被R3取代，其中R3选自氢、氧、羟基和C1-C6烷基；与该化合物缔合的任选的抗衡离子，其如果存在的话选自氯离子、溴离子和碘离子；和链烷醇胺。
方面15是方面14的配制物，进一步包含亚砜。
方面16是方面15的配制物，进一步包含砜。
方面17是方面14-16任一项的配制物，进一步包含二醇醚。

Claims (11)

1.用于预织构化剂的配制物，包含：
至少一种式I的表面活性剂，
Figure DEST_PATH_IMAGE001
其中R1和R2可以相同或不同，并包含至少一个选自C1-C6烷基的基团，任选所述C1-C6烷基可包含一个或多个氧、氮或硫原子或包含至少一个这些原子的基团，并且烷基链可任选被一个或多个选自羟基、氨基、酰胺基、磺酰基、磺酸根、羰基、羧基和羧酸根的取代基取代；
n是1至12的整数；
末端氮任选进一步被R3取代，其中R3选自氢、氧、羟基和C1-C6烷基；
与所述化合物缔合的任选的抗衡离子，其如果存在的话选自氯离子、溴离子和碘离子；以及
一种或多种溶剂和一种或多种消泡剂中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的配制物，进一步包含一种或多种酸。
3.根据权利要求1所述的配制物，进一步包含一种或多种碱。
4.根据权利要求1所述的配制物，进一步包含一种或多种螯合剂。
5.用于蚀刻剂的配制物，包含：
至少一种式I的表面活性剂，
Figure 91152DEST_PATH_IMAGE002
其中R1和R2可以相同或不同，并包含至少一个选自C1-C6烷基的基团，任选所述C1-C6烷基可包含一个或多个氧、氮或硫原子或包含至少一个这些原子的基团，并且烷基链可任选被一个或多个选自羟基、氨基、酰胺基、磺酰基、磺酸根、羰基、羧基和羧酸根的取代基取代；
n是1至12的整数；
末端氮任选进一步被R3取代，其中R3选自氢、氧、羟基和C1-C6烷基；
与所述化合物缔合的任选的抗衡离子，其如果存在的话选自氯离子、溴离子和碘离子；以及
氢氟酸（HF）。
6.根据权利要求5所述的配制物，进一步包含一种或多种氧化剂。
7.根据权利要求5所述的配制物，进一步包含一种或多种络合剂。
8.用于光致抗蚀剂剥离配制物的配制物，包含：
至少一种式I的表面活性剂，
Figure DEST_PATH_IMAGE003
其中R1和R2可以相同或不同，并包含至少一个选自C1-C6烷基的基团，任选所述C1-C6烷基可包含一个或多个氧、氮或硫原子或包含至少一个这些原子的基团，并且烷基链可任选被一个或多个选自羟基、氨基、酰胺基、磺酰基、磺酸根、羰基、羧基和羧酸根的取代基取代；
n是1至12的整数；
末端氮任选进一步被R3取代，其中R3选自氢、氧、羟基和C1-C6烷基；
与所述化合物缔合的任选的抗衡离子，其如果存在的话选自氯离子、溴离子和碘离子；以及
链烷醇胺。
9.根据权利要求8所述的配制物，进一步包含亚砜。
10.根据权利要求8所述的配制物，进一步包含砜。
11.根据权利要求8所述的配制物，进一步包含二醇醚。
CN202080099375.1A 2020-02-05 2020-12-18 用于电子产品的表面活性剂 Pending CN115428169A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202062970356P 2020-02-05 2020-02-05
US62/970356 2020-02-05
PCT/US2020/066031 WO2021158301A1 (en) 2020-02-05 2020-12-18 Surfactants for electronics

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115428169A true CN115428169A (zh) 2022-12-02

Family

ID=74186950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080099375.1A Pending CN115428169A (zh) 2020-02-05 2020-12-18 用于电子产品的表面活性剂

Country Status (11)

Country Link
US (2) US11427760B2 (zh)
EP (1) EP4101009B1 (zh)
JP (1) JP2023513523A (zh)
KR (1) KR20220137703A (zh)
CN (1) CN115428169A (zh)
AU (1) AU2020427412B2 (zh)
BR (1) BR112022015536A2 (zh)
CA (1) CA3165634A1 (zh)
DK (1) DK4101009T3 (zh)
MX (1) MX2022009562A (zh)
WO (1) WO2021158301A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220045042A (ko) * 2019-08-22 2022-04-12 어드밴식스 레진즈 앤드 케미컬즈 엘엘씨 표면-활성 특성을 갖는 아미노산의 실록산 유도체
EP4076369A1 (en) 2019-12-19 2022-10-26 AdvanSix Resins & Chemicals LLC Surfactants for use in personal care and cosmetic products
KR20220116518A (ko) 2019-12-19 2022-08-23 어드밴식스 레진즈 앤드 케미컬즈 엘엘씨 농업용 제품을 위한 계면활성제
EP4077616A1 (en) 2019-12-20 2022-10-26 AdvanSix Resins & Chemicals LLC Surfactants for cleaning products
KR20220114639A (ko) 2019-12-20 2022-08-17 어드밴식스 레진즈 앤드 케미컬즈 엘엘씨 건강관리 제품에 사용하기 위한 계면활성제
CN115151623B (zh) 2019-12-31 2023-09-12 艾德凡斯化学公司 用于油气生产的表面活性剂
DK4101009T3 (da) * 2020-02-05 2024-06-10 Advansix Resins & Chemicals Llc Overfladeaktive stoffer til elektronik

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3624120A (en) 1969-12-22 1971-11-30 Procter & Gamble Quaternary ammonium salts of cyclic siloxane polymers
AT330930B (de) 1973-04-13 1976-07-26 Henkel & Cie Gmbh Verfahren zur herstellung von festen, schuttfahigen wasch- oder reinigungsmitteln mit einem gehalt an calcium bindenden substanzen
US4605509A (en) 1973-05-11 1986-08-12 The Procter & Gamble Company Detergent compositions containing sodium aluminosilicate builders
DE2433485A1 (de) 1973-07-16 1975-02-06 Procter & Gamble Zur verwendung in waschmitteln geeignete aluminosilikat-ionenaustauscher
US3929678A (en) 1974-08-01 1975-12-30 Procter & Gamble Detergent composition having enhanced particulate soil removal performance
DE3413571A1 (de) 1984-04-11 1985-10-24 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verwendung von kristallinen schichtfoermigen natriumsilikaten zur wasserenthaertung und verfahren zur wasserenthaertung
DE3930344A1 (de) 1989-09-12 1991-03-14 Merck Patent Gmbh Silanderivate
US5041590A (en) 1990-01-04 1991-08-20 Dow Corning Corporation Quaternary ammonium functional siloxane surfactants
ATE267822T1 (de) 1998-10-30 2004-06-15 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung von luteolin und luteolin-derivaten
US6013683A (en) 1998-12-17 2000-01-11 Dow Corning Corporation Single phase silicone and water compositions
US6521580B2 (en) 2000-02-22 2003-02-18 General Electric Company Siloxane dry cleaning composition and process
KR101273907B1 (ko) 2004-07-02 2013-06-14 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 작용성 실록산 및 실란 그리고 이들의 비닐 공-중합체
US7632796B2 (en) * 2005-10-28 2009-12-15 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
WO2007056424A2 (en) 2005-11-07 2007-05-18 Penwest Pharmaceuticals, Co. Controlled-release emulsion compositions
DE102005056620A1 (de) 2005-11-25 2007-06-06 Merck Patent Gmbh Amphiphile Silane
US7622512B2 (en) 2005-12-21 2009-11-24 Bausch & Lomb Incorporated Cationic hydrophilic siloxanyl monomers
GB0611217D0 (en) 2006-06-08 2006-07-19 Dow Corning Amino-acid functional siloxanes,methods of preparation and applications
US20080152540A1 (en) 2006-12-22 2008-06-26 Bausch & Lomb Incorporated Packaging solutions
US20090173912A1 (en) 2007-12-26 2009-07-09 Momentive Performance Materials Inc. Mixtures of hydrolysis resistant organomodified trisiloxane ionic surfactants
JP5760921B2 (ja) 2010-10-14 2015-08-12 信越化学工業株式会社 アミノ酸変性オルガノポリシロキサンの製造方法
US20120295447A1 (en) * 2010-11-24 2012-11-22 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions and Methods for Texturing of Silicon Wafers
FI127433B (fi) 2011-06-14 2018-05-31 Pibond Oy Menetelmä siloksaanimonomeerien syntetisoimiseksi sekä näiden käyttö
US20130130508A1 (en) * 2011-09-02 2013-05-23 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions and Methods for Texturing of Silicon Wafers
CN102614808B (zh) 2012-03-08 2013-11-20 齐齐哈尔大学 以低碳链缩水甘油醚为连接基的乙酰胺二聚三硅氧烷表面活性剂的制备方法
US10053619B2 (en) 2013-03-14 2018-08-21 Flotek Chemistry, Llc Siloxane surfactant additives for oil and gas applications
DE102013106906A1 (de) * 2013-07-01 2015-01-08 Evonik Industries Ag Siloxan-Polymere mit zentralem Polysiloxan-Polymerblock mit terminalen organofunktionellen Resten umfassend Harnstoff- und/oder Carbamat-Gruppen sowie Aminosäure-Reste
JP6373271B2 (ja) * 2013-09-19 2018-08-15 攝津製油株式会社 半導体基板用エッチング液
KR20150108143A (ko) * 2014-03-17 2015-09-25 동우 화인켐 주식회사 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법
CN104826140B (zh) 2015-04-08 2018-07-03 中山大学 一种载药硅脂质超声造影剂的制备方法和应用
US9816026B2 (en) 2015-05-26 2017-11-14 Baker Hughes, LLC Methods of extracting hydrocarbons from subterranean formations
JP2017105753A (ja) 2015-12-04 2017-06-15 信越化学工業株式会社 両末端に異なる官能基を有する直鎖オルガノポリシロキサン、及びその製造方法
WO2017189703A1 (en) 2016-04-27 2017-11-02 Dow Corning Corporation Detergent composition comprising a carbinol functional trisiloxane
US10577533B2 (en) 2016-08-28 2020-03-03 Linde Aktiengesellschaft Unconventional enhanced oil recovery
JP6990982B2 (ja) 2017-04-10 2022-01-12 信越化学工業株式会社 ポリシロキサンモノマー及びその製造方法
JP6803304B2 (ja) 2017-08-01 2020-12-23 信越化学工業株式会社 シロキサン化合物及びその製造方法
CN107497365A (zh) 2017-09-13 2017-12-22 常熟理工学院 一种Gemini型氨基酸改性有机硅表面活性剂及其制备方法
CN107522726A (zh) 2017-09-13 2017-12-29 常熟理工学院 一种氨基酸改性三硅氧烷表面活性剂及其制备方法
CN107602862A (zh) 2017-09-13 2018-01-19 常熟理工学院 一种氨基酸改性聚硅氧烷表面活性剂及其制备方法
CN107698615A (zh) 2017-09-13 2018-02-16 常熟理工学院 一种氨基酸改性四硅氧烷表面活性剂及其制备方法
KR20220045042A (ko) 2019-08-22 2022-04-12 어드밴식스 레진즈 앤드 케미컬즈 엘엘씨 표면-활성 특성을 갖는 아미노산의 실록산 유도체
KR20220116518A (ko) 2019-12-19 2022-08-23 어드밴식스 레진즈 앤드 케미컬즈 엘엘씨 농업용 제품을 위한 계면활성제
EP4076369A1 (en) 2019-12-19 2022-10-26 AdvanSix Resins & Chemicals LLC Surfactants for use in personal care and cosmetic products
CN115103884B (zh) 2019-12-19 2024-07-02 艾德凡斯化学公司 用于油墨、油漆和黏合剂的表面活性剂
KR20220114639A (ko) 2019-12-20 2022-08-17 어드밴식스 레진즈 앤드 케미컬즈 엘엘씨 건강관리 제품에 사용하기 위한 계면활성제
EP4077616A1 (en) 2019-12-20 2022-10-26 AdvanSix Resins & Chemicals LLC Surfactants for cleaning products
CN115151623B (zh) * 2019-12-31 2023-09-12 艾德凡斯化学公司 用于油气生产的表面活性剂
DK4101009T3 (da) * 2020-02-05 2024-06-10 Advansix Resins & Chemicals Llc Overfladeaktive stoffer til elektronik

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021158301A1 (en) 2021-08-12
CA3165634A1 (en) 2021-08-12
KR20220137703A (ko) 2022-10-12
DK4101009T3 (da) 2024-06-10
BR112022015536A2 (pt) 2022-10-04
US20220380669A1 (en) 2022-12-01
US11999890B2 (en) 2024-06-04
AU2020427412A1 (en) 2022-09-22
JP2023513523A (ja) 2023-03-31
MX2022009562A (es) 2022-09-09
EP4101009B1 (en) 2024-04-17
EP4101009A1 (en) 2022-12-14
AU2020427412B2 (en) 2024-04-04
US11427760B2 (en) 2022-08-30
US20210238479A1 (en) 2021-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU2020427412B2 (en) Surfactants for electronics
JP7465366B2 (ja) エレクトロニクス製品のための界面活性剤
JP6550123B2 (ja) エッチング組成物
KR101146389B1 (ko) 수성 세정액용 플루오르화 설폰아미드 계면활성제
US11164738B2 (en) Compositions and methods for removing ceria particles from a surface
WO2007010679A1 (ja) 剥離剤組成物
JP7470249B2 (ja) エレクトロニクス製品のための分岐鎖状アミノ酸界面活性剤
TW202113039A (zh) 蝕刻組成物
TW202346643A (zh) 蝕刻組成物
KR101101378B1 (ko) Ｔｆｔ-ｌｃｄ용 세정액 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination