CN115420155A - 一种采用sip封装的集成电子数码***模块 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种采用SIP封装的集成电子数码***模块,包括:***框架支架,所述***框架支架的一端设置有AB脚线焊盘,所述***框架支架内通过3D引线依次串联有桥堆整流芯片、***控制芯片、***发火电容和桥丝点火控制NMOS管,所述采用SIP封装的集成电子数码***模块还包括与所述桥丝点火控制NMOS管通过3D引线连接的桥丝电阻、与所述桥丝电阻通过3D引线连接的***晶圆,所述桥丝电阻外设置保护罩。相对于现有技术,本发明可避免桥丝电阻在运输、存储过程或***工作现场损坏,改善良率,提升使用安全性,并降低生产成本。

Description

一种采用SIP封装的集成电子数码***模块
技术领域
本发明涉及电子数码***技术领域,特别涉及一种采用SIP封装的集成电子数码***模块。
背景技术
如图1和图2所示,在数码电子***行业,现有的数码电子***包括数字电子***芯片1、桥堆整流芯片2、AB极线夹3、TVS二极管4、芯片工作电容5、***发火电容6、桥丝点火控制NMOS管7和桥丝电阻8。
数码电子***的工作原理是:数码电子***通过AB线与***连接,多发数码电子***按一定的方式接到AB母线上,组成多发的***网络。组网成功后,***会先进行单发功能检测、整个网络扫描、延时参数设置等;再进入起爆流程,含***发火电容6充电、***起爆密码鉴权等操作。进入起爆流程后,单发数码电子***与***AB母线断开独立工作,延时结束后,数字电子***芯片1桥丝点火控制NMOS管7使得***发火电容6至桥丝电阻8的电路导通,桥丝电阻8发出电弧引爆药头,药头再引爆包在***管壳外部的***而实施***。
现有技术中,电子***芯片1必须自带封装贴在PCBA板上,成本较高;现有***在生产过程中,需要把贴合在PCBA板的桥丝电阻8上再涂上敏感***来生产,因桥丝太细,外部并没有保护,后续易在运输、存储及***现场易碰断或误爆等不良情况发生。
发明内容
本发明的主要目的在于提出一种采用SIP封装的集成电子数码***模块,旨在避免桥丝电阻在运输、存储过程或***工作现场损坏,改善良率,并降低生产成本。
为实现上述目的,本发明提供了一种采用SIP封装的集成电子数码***模块,包括:***框架支架,所述***框架支架的一端设置有AB脚线焊盘,所述***框架支架内通过3D引线依次串联有桥堆整流芯片、***控制芯片、***发火电容和桥丝点火控制NMOS管,所述采用SIP封装的集成电子数码***模块还包括与所述桥丝点火控制NMOS管通过3D引线连接的桥丝电阻、与所述桥丝电阻通过3D引线连接的***晶圆,所述桥丝电阻外设置保护罩。
本发明进一步的技术方案是,所述***框架支架外注塑有低温硅胶。
本发明进一步的技术方案是,所述桥丝电阻为下凹型桥丝电阻。
本发明进一步的技术方案是,所述桥丝电阻为上凸型桥丝电阻。
本发明采用SIP封装的集成电子数码***模块的有益效果是:本发明通过上述技术方案,***框架支架,所述***框架支架的一端设置有AB脚线焊盘,所述***框架支架内通过3D引线依次串联有桥堆整流芯片、***控制芯片、***发火电容和桥丝点火控制NMOS管,所述采用SIP封装的集成电子数码***模块还包括与所述桥丝点火控制NMOS管通过3D引线连接的桥丝电阻、与所述桥丝电阻通过3D引线连接的***晶圆,所述桥丝电阻外设置保护罩,可避免桥丝电阻在运输、存储过程或***工作现场损坏,改善良率,提升使用安全性,并降低生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1是现有技术中数码电子***第一角度的整体结构示意图;
图2是现有技术中数码电子***第二角度的整体结构示意图;
图3是本发明采用SIP封装的集成电子数码***模块较佳实施例第一角度的整体结构示意图;
图4是本发明采用SIP封装的集成电子数码***模块较佳实施例第二角度的整体结构示意图;
图5是下凹型桥丝电阻的结构示意图;
图6是上凸型桥丝电阻的结构示意图;
图7是新型点火电阻的结构示意图;
图8是AB脚线焊盘的电路结构示意图;
图9是桥堆整流芯片的结构示意图;
图10是起爆控制IC示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明,若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……),则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
另外,若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述,则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,全文中出现的“和/或”的含义,包括三个并列的方案,以“A和/或B”为例,包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本发明要求的保护范围之内。
请参照图3至图10,本发明提出一种采用SIP封装的集成电子数码***模块,本发明采用SIP封装的集成电子数码***模块较佳实施例包括***框架支架1,所述***框架支架1的一端设置有AB脚线焊盘2,所述***框架支架1内通过3D引线3依次串联有桥堆整流芯片4、***控制芯片5、***发火电容6和桥丝点火控制NMOS管7,所述采用SIP封装的集成电子数码***模块还包括与所述桥丝点火控制NMOS管7通过3D引线3连接的桥丝电阻8、与所述桥丝电阻8通过3D引线3连接的***晶圆9,所述桥丝电阻8外设置保护罩10。所述AB脚线焊盘2与所述桥堆整流芯片4通过3D引线3连接。
本实施例中,通过在所述桥丝电阻8外设置所述保护罩10,可以保证在运输、存储过程中或者工作现场不易损坏,从而改善良率,提升使用安全性。
本实施例中,所述***晶圆9通过SIP技术直接以3D引线3的方式,不需要额外做封装,有利于降低生产成本。
本实施例中,所述***框架支架1外注塑有低温硅胶11。
本实施例中的电子***晶圆9通过SIP技术,以3D引线3与其他器件联通,相对于现有技术,本实施例省去了***晶圆9封装,省去了PCB板基材,从而节省了生产成本,3D引线3相当于PCB板内部走线,所述***框架支架1相当于器件封装,再在外部通过低温硅胶11注塑所有器件固定成型,框住整个架构。
本实施例中,所述桥丝电阻8通过3D引线3连接到所述桥丝点火控制NMOS管7及***晶圆9,当所述***晶圆9通过3D引线3接收到起爆信号,使得外有保护帽的桥丝电阻8加热后将敏感***点火引爆******而实施***。
本实施例中,所述桥丝电阻8的形态可以采用下凹型桥丝电阻、或者上凸型桥丝电阻、或者新型点火电阻,本发明对此不做限定。
以下结合图8至图10对本发明采用SIP封装的集成电子数码***模块的工作原理进行详细阐述,其中,图8是所述AB脚线焊盘的电路结构示意图,图9是所述桥堆整流芯片的结构示意图,图10是起爆控制IC示意图。
本发明采用SIP封装的集成电子数码***模块的工作原理是:
***通过母线、脚线,将AB极的信号接入***的J5铆接头,此AB极的既可以供电也可以通信。AB极信号经过桥对整流芯片U2,供给数字***控制芯片U1,当AB极电压为16V时,处于正常通信模式,当电压为32V时为充电起爆模式。
在正常通信模式下,***通过AB极与数字***控制芯片U1进行扫描、驻码、状态监测等操作;在起爆模式下,***通过AB极给数字***控制芯片U1供电,数字***控制芯片U1对发火电容C1、C2供电,点燃包裹在桥丝电阻外的药头,继而引爆***包。
本发明采用SIP封装的集成电子数码***模块的有益效果是:本发明通过上述技术方案,***框架支架,所述***框架支架的一端设置有AB脚线焊盘,所述***框架支架内通过3D引线依次串联有桥堆整流芯片、***控制芯片、***发火电容和桥丝点火控制NMOS管,所述采用SIP封装的集成电子数码***模块还包括与所述桥丝点火控制NMOS管通过3D引线连接的桥丝电阻、与所述桥丝电阻通过3D引线连接的***晶圆,所述桥丝电阻外设置保护罩,可避免桥丝电阻在运输、存储过程或***工作现场损坏,改善良率,提升使用安全性,并降低生产成本。
以上所述仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是在本发明的构思下,利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (4)

1.一种采用SIP封装的集成电子数码***模块,其特征在于,包括:***框架支架,所述***框架支架的一端设置有AB脚线焊盘,所述***框架支架内通过3D引线依次串联有桥堆整流芯片、***控制芯片、***发火电容和桥丝点火控制NMOS管,所述采用SIP封装的集成电子数码***模块还包括与所述桥丝点火控制NMOS管通过3D引线连接的桥丝电阻、与所述桥丝电阻通过3D引线连接的***晶圆,所述桥丝电阻外设置保护罩。
2.根据权利要求1所述的采用SIP封装的集成电子数码***模块,其特征在于,所述***框架支架外注塑有低温硅胶。
3.根据权利要求1所述的采用SIP封装的集成电子数码***模块,其特征在于,所述桥丝电阻为下凹型桥丝电阻。
4.根据权利要求1所述的采用SIP封装的集成电子数码***模块,其特征在于,所述桥丝电阻为上凸型桥丝电阻。
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