CN115411067A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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CN115411067A CN202110587584.7A CN202110587584A CN115411067A CN 115411067 A CN115411067 A CN 115411067A CN 202110587584 A CN202110587584 A CN 202110587584A CN 115411067 A CN115411067 A CN 115411067A
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Abstract

本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括像素区和拉伸孔区，拉伸孔区包括孔区和隔断区；所述显示基板包括基底、结构层以及封装结构层，隔断区包括至少一个隔断结构，隔断结构环绕所述孔区；孔区包括设置在基底上的基底孔和贯通结构层的结构孔，基底孔和结构孔连通，结构孔的至少部分内壁被封装结构层中的至少一个封装材料层覆盖，基底孔的内壁包括未被封装材料层覆盖的基底材料段。本公开通过在拉伸孔中的基底孔形成未被封装材料层覆盖的基底材料段，使得显示基板与玻璃衬底的剥离界面只有基底材料，避免了显示基板的膜层不能与玻璃衬底分离的情况，避免了剥离过程中出现拉拽裂缝。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开所要解决的技术问题是，提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，以有效保证显示基板的封装效果。
一方面，本公开提供了一种显示基板，包括像素区和拉伸孔区，所述像素区包括至少一个子像素，所述拉伸孔区包括至少一个孔区和环绕所述孔区的隔断区；所述显示基板包括基底、设置在基底上的结构层以及设置在所述结构层远离基底一侧的封装结构层，所述隔断区包括至少一个隔断结构，所述隔断结构环绕所述孔区；所述孔区包括设置在所述基底上的基底孔和贯通所述结构层的结构孔，所述基底孔和结构孔连通，所述结构孔的至少部分内壁被所述封装结构层中的至少一个封装材料层覆盖，所述基底孔的内壁包括未被所述封装材料层覆盖的基底材料段。
在示例性实施方式中，所述基底孔的内壁还包括被所述封装材料层覆盖的封装材料段，所述封装材料段位于所述基底材料段靠近所述结构孔的一侧。
在示例性实施方式中，所述基底孔包括贯通所述基底的通孔，或者包括未贯通所述基底的盲孔。
在示例性实施方式中，所述隔断结构包括环绕所述孔区的第一隔断层和设置在所述第一隔断层远离所述基底一侧的第二隔断层，所述第一隔断层上设置有环绕所述孔区的第一隔断孔，所述第二隔断层上设置有环绕所述孔区的第二隔断孔，所述第二隔断孔和第一隔断孔连通形成隔断槽；位于所述第二隔断孔周边的第二隔断层相对于所述第一隔断孔的侧壁具有突出部，所述突出部和所述第一隔断孔的侧壁形成内陷结构。
在示例性实施方式中，所述隔断结构设置在所述结构层与所述封装结构层之间。
在示例性实施方式中，所述基底孔的开口尺寸小于所述结构孔的开口尺寸。
在示例性实施方式中，所述封装结构层包括第一封装层，所述第一封装层覆盖所述结构层和所述隔断结构，所述孔区的第一封装层上设置有封装孔，所述封装孔与所述结构孔连通。
在示例性实施方式中，所述封装孔的内壁在基底上的正投影与所述结构孔的内壁在基底上的正投影基本上重叠。
在示例性实施方式中，所述封装结构层还包括第二封装层；所述第二封装层设置在所述像素区的第一封装层远离基底的一侧，或者，所述第二封装层设置在所述像素区和隔断区的第一封装层远离基底的一侧。
在示例性实施方式中，所述封装结构层还包括作为所述封装材料层的第三封装层；所述第三封装层设置在所述第二封装层远离基底的一侧，所述第三封装层覆盖所述结构孔和封装孔的内壁，所述第三封装层未覆盖所述基底孔的基底材料段。
在示例性实施方式中，所述第三封装层覆盖部分基底孔的内壁，在所述基底孔内形成被所述第三封装层覆盖的封装材料段，或者，所述第三封装层未覆盖基底孔的内壁，所述基底孔的内壁均为所述基底材料段。
在示例性实施方式中，所述孔区的结构层远离所述基底一侧设置有发光块，所述发光块上设置有发光块孔，所述发光块孔与所述结构孔连通，所述第三封装层覆盖所述发光块孔的内壁。
在示例性实施方式中，所述孔区的发光块远离所述基底一侧设置有阴极块，所述第一封装层设置在所述阴极块远离基底的一侧，所述阴极块上设置有阴极块孔，所述阴极块孔与所述发光块孔和封装孔连通，所述第三封装层覆盖所述阴极块孔的内壁。
另一方面，本公开还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。
又一方面，本公开还提供了一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括像素区和拉伸孔区，所述像素区包括至少一个子像素，所述拉伸孔区包括至少一个孔区和环绕所述孔区的隔断区；所述制备方法包括：
形成基底、设置在基底上的结构层以及设置在所述结构层上的封装结构层，所述隔断区包括至少一个隔断结构，所述隔断结构环绕所述孔区；
在所述孔区形成拉伸孔，所述拉伸孔包括设置在所述基底上的基底孔和贯通所述结构层的结构孔，所述基底孔和结构孔连通，所述结构孔的至少部分内壁被所述封装结构层中的至少一个封装材料层覆盖，所述基底孔的内壁包括未被封装材料层覆盖的基底材料段。
在示例性实施方式中，所述基底孔的内壁还包括被所述封装材料层覆盖的封装材料段，所述封装材料段位于所述基底材料段靠近所述结构孔的一侧。
在示例性实施方式中，所述基底孔包括贯通所述基底的通孔，或者包括未贯通所述基底的盲孔。
在示例性实施方式中，在所述孔区形成拉伸孔，包括：
形成封装结构层和过渡孔；所述封装结构层包括叠设的第一封装层、第二封装层和作为所述封装材料层的第三封装层；所述过渡孔位于所述孔区，所述过渡孔中的第一封装层和结构层被去掉，所述第三封装层覆盖所述过渡孔的内壁；
对所述过渡孔进行刻蚀形成拉伸孔；所述拉伸孔包括所述过渡孔和设置在所述基底上的基底孔，所述基底孔和过渡孔连通，所述基底孔的内壁包括未被所述第三封装层覆盖的基底材料段。
在示例性实施方式中，所述第一封装层和第三封装层的材料包括无机材料，所述第二封装层的材料包括有机材料；形成封装结构层和过渡孔，包括：
形成第一封装层，第一封装层覆盖所述结构层和所述隔断结构；
通过图案化工艺在所述孔区形成过渡孔，所述过渡孔中的第一封装层和结构层被去掉；
形成第二封装层，所述第二封装层设置在所述像素区和隔断区的第一封装层远离基底的一侧，或者，所述第二封装层中的第一有机材料层设置在所述像素区的第一封装层远离基底的一侧，所述第二封装层中的第二有机材料层设置在所述隔断区的第一封装层远离基底的一侧；
形成作为所述封装材料层的第三封装层，所述第三封装层设置在所述第二封装层远离基底的一侧，所述第三封装层覆盖所述过渡孔的内壁。
本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，通过在拉伸孔中的基底孔形成未被封装材料层覆盖的基底材料段，使得显示基板与玻璃衬底的剥离界面只有基底材料，避免了显示基板的膜层不能与玻璃衬底分离的情况，避免了剥离过程中出现拉拽裂缝，有效保证了显示基板的封装效果。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为一种显示基板的结构示意图；
图2为一种显示基板的平面结构示意图；
图3为一种OLED像素驱动电路的等效电路示意图；
图4为一种像素驱动电路的工作时序图；
图5为本公开示例性实施例一种显示基板的剖面结构示意图；
图6为本公开实施例形成像素驱动电路图案后的示意图；
图7本公开实施例形成第二平坦层和隔断结构图案后的示意图；
图8为本公开实施例形成阳极图案后的示意图；
图9为本公开实施例形成像素定义层图案后的示意图；
图10为本公开实施例形成有机发光层和发光块图案后的示意图；
图11为本公开实施例形成阴极和阴极块图案后的示意图；
图12为本公开实施例形成第一封装薄膜图案后的示意图；
图13a和图13b为本公开实施例形成过渡孔图案后的示意图；
图14a和图14b为本公开实施例形成第二封装层图案后的示意图；
图15a和图15b为本公开实施例形成第三封装层图案后的示意图；
图16a至和图16d为本公开实施例形成拉伸孔图案后的示意图。
附图标记说明:
1—玻璃载板； 10—基底； 11—第一有源层；
12—第一栅电极； 13—第一源电极； 14—第一漏电极；
15—连接电极； 20—驱动结构层； 21—第一电容电极；
22—第二电容电极； 30—结构层； 31—第一平坦层；
32—第二平坦层； 33—无机层； 41—第一隔断层；
42—第二隔断层； 50—孔区； 51—隔断区；
60—隔断槽； 70—发光结构层； 71—阳极；
72—像素定义层； 73—有机发光层； 74—发光块；
75—阴极； 76—阴极块； 80—封装结构层；
81—第一封装层； 82—第二封装层； 83—第三封装层；
91—第一绝缘层； 92—第二绝缘层； 93—第三绝缘层；
94—第四绝缘层； 100—像素区； 101—晶体管；
102—存储电容； 200—拉伸孔区； 500—拉伸孔。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
图1为一种显示装置的结构示意图。如图1所示，OLED显示装置可以包括时序控制器、数据信号驱动器、扫描信号驱动器、发光信号驱动器和像素阵列，像素阵列可以包括多个扫描信号线(S1到Sm)、多个数据信号线(D1到Dn)、多个发光信号线(E1到Eo)和多个子像素Pxij。在示例性实施方式中，时序控制器可以将适合于数据信号驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据信号驱动器，可以将适合于扫描信号驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描信号驱动器，可以将适合于发光信号驱动器的规格的时钟信号、发射停止信号等提供到发光信号驱动器。数据信号驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线D1、D2、D3、……和Dn的数据电压。例如，数据信号驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线D1至Dn，n可以是自然数。扫描信号驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线S1、S2、S3、……和Sm的扫描信号。例如，扫描信号驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线S1至Sm。例如，扫描信号驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号，m可以是自然数。发光信号驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、发射停止信号等来产生将提供到发光信号线E1、E2、E3、……和Eo的发射信号。例如，发光信号驱动器可以将具有截止电平脉冲的发射信号顺序地提供到发光信号线E1至Eo。例如，发光信号驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以截止电平脉冲形式提供的发光停止信号传输到下一级电路的方式产生发光信号，o可以是自然数。像素阵列可以包括多个子像素Pxij。每个子像素Pxij可以连接到对应的数据信号线、对应的扫描信号线和对应的发光信号线，i和j可以是自然数。子像素Pxij可以指其中晶体管连接到第i扫描信号线且连接到第j数据信号线的子像素。
目前，柔性OLED显示装置为单轴弯曲，屏幕变形量小，通过在显示基板上开设微孔的方式，可以提高显示基板的拉伸性能。柔性显示基板可以采用岛桥结构，岛桥结构是将发光器件设置在像素区，包括微孔的孔区设置在像素区之间，连接线设置在像素区之间以及孔区之间的连接桥区。施加外力拉伸显示基板时，形变主要发生在孔区和连接桥区，像素区的发光器件基本保持形状，可以保证像素区的发光器件不会受到破坏。
图2为一种显示基板的平面结构示意图。如图2所示，显示基板可以包括多个间隔设置的像素区，多个像素区可以采用矩阵方式排布。在示例性实施方式中，像素区可以包括至少一个像素单元P，像素单元P可以包括出射第一颜色光线的第一子像素P1、出射第二颜色光线的第二子像素P2和出射第三颜色光线的第三子像素P3，子像素可以包括像素驱动电路和发光器件。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的像素驱动电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向发光器件输出相应的电流。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的发光器件分别与所在子像素的像素驱动电路连接，发光器件被配置为响应所在子像素的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。
在示例性实施方式中，第一子像素P1可以是红色(R)子像素，第二子像素P2可以是绿色(G)子像素，第三子像素P3可以是蓝色(B)子像素。在示例性实施方式中，像素单元P可以包括四个子像素，如红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。在示例性实施方式中，像素单元中子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形。像素单元包括三个子像素时，三个发光单元可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列，像素单元包括四个子像素时，四个发光单元可以采用水平并列、竖直并列或正方形(Square)方式排列，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，显示基板可以包括多个间隔设置的拉伸孔500，拉伸孔500设置在像素区之间，拉伸孔500配置为增加显示基板的可变形量。在垂直于显示基板的平面上，拉伸孔500中的基底和结构膜层被全部去掉，形成通孔结构，或者，拉伸孔500中的部分基底和结构膜层被去掉，形成盲孔结构。在平行于显示基板的平面上，拉伸孔的形状可以包括如下任意一种或多种：“I”字形、“T”字形、“L”字形和“H”字形，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，多个拉伸孔500可以包括第一方向拉伸孔和第二方向拉伸孔，第一方向拉伸孔是沿着第一方向X延伸的条形状孔，第二方向拉伸孔是沿着第二方向Y延伸的条形状孔，第一方向X与第二方向Y交叉。在示例性实施方式中，在第一方向X，第一方向拉伸孔和第二方向拉伸孔交替设置，第一方向拉伸孔设置在两个第二方向拉伸孔之间，或者，第二方向拉伸孔设置在两个第一方向拉伸孔之间。在第二方向Y，第一方向拉伸孔和第二方向拉伸孔交替设置，第一方向拉伸孔设置在两个第二方向拉伸孔之间，或者，第二方向拉伸孔设置在两个第一方向拉伸孔之间。
在示例性实施方式中，像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C、7T1C或8T2C等结构。图3为一种像素驱动电路的等效电路示意图。如图3所示，像素驱动电路可以包括7个晶体管(第一晶体管T1到第七晶体管T7)、1个存储电容C和7个信号线(第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E、数据信号线D、初始信号线INIT、第一电源线VDD和第二电源线VSS)。
在示例性实施方式中，存储电容C的第一端与第一电源线VDD连接，存储电容C的第二端与第二节点N2连接，即存储电容C的第二端与第三晶体管T3的控制极连接。
第一晶体管T1的控制极与第二扫描信号线S2连接，第一晶体管T1的第一极与初始信号线INIT连接，第一晶体管的第二极与第二节点N2连接。当导通电平扫描信号施加到第二扫描信号线S2时，第一晶体管T1将初始化电压传输到第三晶体管T3的控制极，以使第三晶体管T3的控制极的电荷量初始化。
第二晶体管T2的控制极与第一扫描信号线S1连接，第二晶体管T2的第一极与第二节点N2连接，第二晶体管T2的第二极与第三节点N3连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第二晶体管T2使第三晶体管T3的控制极与第二极连接。
第三晶体管T3的控制极与第二节点N2连接，即第三晶体管T3的控制极与存储电容C的第二端连接，第三晶体管T3的第一极与第一节点N1连接，第三晶体管T3的第二极与第三节点N3连接。第三晶体管T3可以称为驱动晶体管，第三晶体管T3根据其控制极与第一极之间的电位差来确定在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间流动的驱动电流的量。
第四晶体管T4的控制极与第一扫描信号线S1连接，第四晶体管T4的第一极与数据信号线D连接，第四晶体管T4的第二极与第一节点N1连接。第四晶体管T4可以称为开关晶体管、扫描晶体管等，当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第四晶体管T4使数据信号线D的数据电压输入到像素驱动电路。
第五晶体管T5的控制极与发光信号线E连接，第五晶体管T5的第一极与第一电源线VDD连接，第五晶体管T5的第二极与第一节点N1连接。第六晶体管T6的控制极与发光信号线E连接，第六晶体管T6的第一极与第三节点N3连接，第六晶体管T6的第二极与发光器件的第一极连接。第五晶体管T5和第六晶体管T6可以称为发光晶体管。当导通电平发光信号施加到发光信号线E时，第五晶体管T5和第六晶体管T6通过在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间形成驱动电流路径而使发光器件发光。
第七晶体管T7的控制极与第一扫描信号线S1连接，第七晶体管T7的第一极与初始信号线INIT连接，第七晶体管T7的第二极与发光器件的第一极连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第七晶体管T7将初始化电压传输到发光器件的第一极，以使发光器件的第一极中累积的电荷量初始化或释放发光器件的第一极中累积的电荷量。
在示例性实施方式中，发光器件的第二极与第二电源线VSS连接，第二电源线VSS的信号为低电平信号，第一电源线VDD的信号为持续提供高电平信号。第一扫描信号线S1为本显示行像素驱动电路中的扫描信号线，第二扫描信号线S2为上一显示行像素驱动电路中的扫描信号线，即对于第n显示行，第一扫描信号线S1为S(n)，第二扫描信号线S2为S(n-1)，本显示行的第二扫描信号线S2与上一显示行像素驱动电路中的第一扫描信号线S1为同一信号线，可以减少显示面板的信号线，实现显示面板的窄边框。
在示例性实施方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示面板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以包括P型晶体管和N型晶体管。
在示例性实施方式中，第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E和初始信号线INIT沿水平方向延伸，第二电源线VSS、第一电源线VDD和数据信号线D沿竖直方向延伸。
在示例性实施方式中，发光器件可以是有机电致发光二极管(OLED)，包括叠设的第一极(阳极)、有机发光层和第二极(阴极)。
图4为一种像素驱动电路的工作时序图。下面通过图3示例的像素驱动电路的工作过程说明本公开示例性实施例，图3中的像素驱动电路包括7个晶体管(第一晶体管T1到第六晶体管T7)、1个存储电容C和7个信号线(数据信号线D、第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E、初始信号线INIT、第一电源线VDD和第二电源线VSS)，7个晶体管均为P型晶体管。
在示例性实施方式中，像素驱动电路的工作过程可以包括：
第一阶段A1，称为复位阶段，第二扫描信号线S2的信号为低电平信号，第一扫描信号线S1和发光信号线E的信号为高电平信号。第二扫描信号线S2的信号为低电平信号，使第一晶体管T1导通，初始信号线INIT的信号提供至第二节点N2，对存储电容C进行初始化，清除存储电容中原有数据电压。第一扫描信号线S1和发光信号线E的信号为高电平信号，使第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7断开，此阶段OLED不发光。
第二阶段A2、称为数据写入阶段或者阈值补偿阶段，第一扫描信号线S1的信号为低电平信号，第二扫描信号线S2和发光信号线E的信号为高电平信号，数据信号线D输出数据电压。此阶段由于存储电容C的第二端为低电平，因此第三晶体管T3导通。第一扫描信号线S1的信号为低电平信号使第二晶体管T2、第四晶体管T4和第七晶体管T7导通。第二晶体管T2和第四晶体管T4导通使得数据信号线D输出的数据电压经过第一节点N1、导通的第三晶体管T3、第三节点N3、导通的第二晶体管T2提供至第二节点N2，并将数据信号线D输出的数据电压与第三晶体管T3的阈值电压之差充入存储电容C，存储电容C的第二端(第二节点N2)的电压为Vd-|Vth|，Vd为数据信号线D输出的数据电压，Vth为第三晶体管T3的阈值电压。第七晶体管T7导通使得初始信号线INIT的初始电压提供至OLED的第一极，对OLED的第一极进行初始化(复位)，清空其内部的预存电压，完成初始化，确保OLED不发光。第二扫描信号线S2的信号为高电平信号，使第一晶体管T1断开。发光信号线E的信号为高电平信号，使第五晶体管T5和第六晶体管T6断开。
第三阶段A3、称为发光阶段，发光信号线E的信号为低电平信号，第一扫描信号线S1和第二扫描信号线S2的信号为高电平信号。发光信号线E的信号为低电平信号，使第五晶体管T5和第六晶体管T6导通，第一电源线VDD输出的电源电压通过导通的第五晶体管T5、第三晶体管T3和第六晶体管T6向OLED的第一极提供驱动电压，驱动OLED发光。
在像素驱动电路驱动过程中，流过第三晶体管T3(驱动晶体管)的驱动电流由其栅电极和第一极之间的电压差决定。由于第二节点N2的电压为Vdata-|Vth|，因而第三晶体管T3的驱动电流为：
I＝K*(Vgs-Vth)2＝K*[(Vdd-Vd+|Vth|)-Vth]2＝K*[(Vdd-Vd]2
其中，I为流过第三晶体管T3的驱动电流，也就是驱动OLED的驱动电流，K为常数，Vgs为第三晶体管T3的栅电极和第一极之间的电压差，Vth为第三晶体管T3的阈值电压，Vd为数据信号线D输出的数据电压，Vdd为第一电源线VDD输出的电源电压。
在示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面内，显示基板可以包括设置在基底上的驱动结构层、设置在驱动结构层上的发光结构层以及设置在发光元件上的封装层，驱动结构层包括像素驱动电路，发光结构层包括发光器件，发光器件与像素驱动电路连接。
图5为本公开示例性实施例一种显示基板的剖面结构示意图，示意了像素区和拉伸孔区交界处的剖面结构，为图2中A-A向的剖视图。显示基板可以包括像素区100和拉伸孔区200，像素区100可以包括至少一个子像素，拉伸孔区200可以包括孔区50和环绕孔区50的隔断区51。在垂直于显示基板的平面内，显示基板可以包括基底、设置在基底上的结构层和设置在结构层上的封装结构层。如图5所示，在示例性实施方式中，像素区100的结构层可以包括设置在基底10上驱动结构层20和设置在驱动结构层20远离基底一侧的发光结构层70。在示例性实施方式中，驱动结构层20可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图5中仅以一个晶体管101和一个存储电容102作为示例。发光结构层70可以包括阳极71、像素定义层72、有机发光层73和阴极75，阳极71通过连接电极15过孔与晶体管101的漏电极连接，有机发光层73与阳极71连接，阴极75与有机发光层73连接，有机发光层73在阳极71和阴极75驱动下出射相应颜色的光线。在示例性实施方式中，像素区100的封装结构层80设置在发光结构层70远离基底一侧，可以包括叠设的第一封装层81、第二封装层82和第三封装层83，第一封装层81和第三封装层83可以采用无机材料，第二封装层82可以采用有机材料，第二封装层82设置在第一封装层81和第三封装层83之间，可以保证外界水汽无法进入发光器件。
在示例性实施方式中，孔区50可以包括基底10和设置在基底10上的结构层30，基底10上设置有基底孔，结构层30上设置有贯通整个结构层的结构孔，基底孔和结构孔连通。结构孔的至少部分内壁或全部内壁可以被封装结构层中的至少一个封装材料层覆盖，基底孔的内壁可以包括未被封装材料层覆盖的封装材料段，或者，基底孔的内壁可以包括被封装材料层覆盖的基底材料段和未被封装材料层覆盖的封装材料段，封装材料段位于基底材料段靠近结构孔的一侧。在示例性实施方式中，封装材料层可以包括第三封装层83。
在示例性实施方式中，孔区50的结构层30可以包括如下任意一个或多个膜层：第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第一平坦层。在示例性实施方式中，孔区50的结构层30可以包括沿着远离基底方向依次叠设的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第一平坦层。
在示例性实施方式中，基底孔可以是贯通整个基底10的通孔，或者可以是未完全贯通基底10的盲孔。
在示例性实施方式中，隔断区51可以包括基底10、设置在基底10上的结构层30和设置在结构层30远离基底一侧的至少一个隔断结构，隔断结构环绕孔区50。在示例性实施方式中，隔断结构可以包括环绕孔区50的第一隔断层41和设置在第一隔断层41上的第二隔断层42，第一隔断层41上设置有环绕孔区50的第一隔断孔，第二隔断层42上设置有环绕孔区50的第二隔断孔，第二隔断孔和第一隔断孔连通，形成环绕孔区50的隔断槽60。在示例性实施方式中，位于第二隔断孔周边的第二隔断层42相对于第一隔断孔的侧壁具有突出部421，突出部421和第一隔断孔的侧壁形成内陷结构。
在示例性实施方式中，在远离孔区50的方向，第二隔断孔的宽度小于第一隔断孔的宽度，且第二隔断孔的轮廓在基底上的正投影位于第一隔断孔的轮廓在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，第一隔断层可以与驱动结构层中的第二平坦层同层设置，且通过同一次图案化工艺同时形成。
在示例性实施方式中，在隔断区51，第一封装层81覆盖隔断结构，第二封装层82设置在第一封装层81远离基底的一侧，且填充隔断槽60，第三封装层83设置在第二封装层82远离基底的一侧。第一封装层81覆盖隔断结构是指，第一封装层81覆盖第一隔断层41和第二隔断层42暴露的外表面以及覆盖隔断槽60的内壁，形成对隔断结构的完整包裹。
在示例性实施方式中，在孔区50，第一封装层81上设置有第一封装孔，第一封装层81上的第一封装孔与结构层30上的结构孔连通，第一封装孔的内壁与结构孔的内壁基本平齐，第一封装孔的内壁在基底上的正投影与结构孔的内壁在基底上的正投影基本上重叠，第三封装层83覆盖第一封装孔的内壁。
在示例性实施方式中，孔区50还包括发光块74，发光块74设置在结构层30远离基底的一侧。发光块上设置有发光块孔，发光块孔与结构层30上的结构孔连通，发光块孔的内壁与结构孔的内壁基本平齐，第三封装层83覆盖发光块孔的内壁。
在示例性实施方式中，孔区50还包括阴极块76，阴极块76设置在发光块74远离基底的一侧，第一封装层81设置在阴极块76远离基底的一侧。阴极块76上设置有阴极块孔，阴极块孔与发光块孔、第一封装孔和结构孔连通，阴极块孔的内壁与发光块孔的内壁、第一封装孔的内壁和结构孔的内壁基本平齐，第三封装层83覆盖阴极块孔的内壁。
在示例性实施方式中，基底孔的开口尺寸可以小于结构孔的开口尺寸。
下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。
在示例性实施方式中，显示基板的制备过程可以包括如下操作。
(1)在玻璃载板上制备基底。在一种示例性实施方式中，基底可以包括形成在玻璃载板上的柔性材料层。在另一种示例性实施方式中，基底可以包括在玻璃载板上叠设的第一柔性材料层和第二柔性材料层。在又一种示例性实施方式中，基底可以包括在玻璃载板上叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一柔性材料层和第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一无机材料层和第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高基底的抗水氧能力，第一无机材料层和第二无机材料层可以称为阻挡(Barrier)层或缓冲(Buffer)层。在示例性实施方式中，以叠层结构PI1/Barrier1/PI2/Barrier2为例，其制备过程可以包括：先在玻璃载板1上涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第一柔性(PI1)层；随后在第一柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第一柔性层的第一阻挡(Barrier1)层；然后在第一阻挡层上再涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第二柔性(PI2)层；然后在第二柔性层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第二柔性层的第二阻挡(Barrier2)层，完成基底的制备。
在示例性实施方式中，第一阻挡层和第二无机材料层之间可以设置非晶硅(a-si)层，基底可以包括在玻璃载板上叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。
在示例性实施方式中，形成第一阻挡层过程中，可以通过图案化工艺在第一阻挡层上形成无机孔，无机孔的位置可以与后续形成的通孔的位置相对应。
(2)在基底10上制备驱动结构层图案。在示例性实施方式中，驱动结构层可以包括构成像素驱动电路的晶体管和存储电容，制备驱动结构层图案的过程可以包括：
在基底10上依次沉积第一绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，在基底10上形成第一绝缘层91，以及设置在第一绝缘层91上的半导体层图案，半导体层图案至少包括第一有源层11。
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过图案化工艺对第一金属薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层92，以及设置在第二绝缘层92上的第一金属层图案，第一金属层图案至少包括第一栅电极12和第一电容电极21。
随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过图案化工艺对第二金属薄膜进行图案化，形成覆盖第一金属层图案的第三绝缘层93，以及设置在第三绝缘层93上的第二金属层图案，第二金属层图案至少包括第二电容电极22，第二电容电极22的位置与第一电容电极21的位置相对应。
随后，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺对第四绝缘薄膜进行图案化，形成覆盖第二金属层图案的第四绝缘层94，第四绝缘层94上开设有多个过孔。多个过孔可以包括第一有源过孔和第二有源过孔，第一有源过孔和第二有源过孔内的第四绝缘层94、第三绝缘层93和第二绝缘层92被刻蚀掉，分别暴露出第一有源层11两端的源极区域和漏极区域。
随后，沉积第三金属薄膜，通过图案化工艺对第三金属薄膜进行图案化，在第四绝缘层94上形成第三金属层图案，第三金属层图案至少包括第一源电极13和第一漏电极14，第一源电极13和第一漏电极14分别通过第一有源过孔和第二有源过孔与第一有源层11两端的源极区域和漏极区域连接。
随后，涂覆第一平坦薄膜，通过图案化工艺对第一平坦薄膜进行图案化，形成覆盖第三金属层图案的第一平坦层31，第一平坦层31上开设有连接过孔，连接过孔内的第一平坦层31被去掉，暴露出第一漏电极14的表面。
随后，沉积第四金属薄膜，通过图案化工艺对第四金属薄膜进行图案化，在第一平坦层31上形成第四金属层图案，第四金属层图案至少包括连接电极15，连接电极15通过连接过孔与第一漏电极14连接，连接电极15配置为与后续形成的阳极连接，如图6所示，图为图2中A-A向的剖视图。
至此，制备完成像素驱动电路，像素驱动电路以一个晶体管和存储电容进行示意。在示例性实施方式中，第一有源层11、第一栅电极12、第一源电极13和第一漏电极14组成像素驱动电路的第一晶体管101，第一电容电极21和第二电容电极22组成像素驱动电路的第一存储电容102。在示例性实施方式中，第一晶体管101可以是像素驱动电路中的驱动晶体管。
在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层可以称为缓冲层，第二绝缘层和第三绝缘层可以称为(GI)层，第四绝缘层可以称为层间绝缘(ILD)层。第一平坦层可以采用有机材料，如树脂等。第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。
在示例性实施方式中，拉伸孔区域200可以包括至少一个孔区50和环绕孔区50的隔断区51。本次图案化工艺后，孔区50和隔断区51包括基底10和设置在基底10上的结构层30，结构层30可以包括在基底10上叠设的第一绝缘层91、第二绝缘层92、第三绝缘层93、第四绝缘层94和第一平坦层31。
(3)形成第二平坦层和隔断结构图案。在示例性实施方式中，形成第二平坦层和隔断结构图案可以包括：在形成前述图案的基底上先涂覆一层第二平坦薄膜，然后在第二平坦薄膜上沉积一层无机薄膜，通过图案化工艺对无机薄膜和第二平坦薄膜进行图案化，在像素区形成覆盖第四金属层图案的第二平坦层32以及设置在第二平坦层32上的无机层33，在拉伸孔区域形成隔断结构图案，如图7所示，图7为图2中A-A向的剖视图。
在示例性实施方式中，像素区的无机层33和第二平坦层32上开设有阳极过孔，阳极过孔内的无机薄膜和第二平坦薄膜被去掉，暴露出连接电极15的表面，阳极过孔配置为使后续形成的阳极通过该过孔与连接电极15连接。
在示例性实施方式中，隔断结构图案形成在隔断区51，为环绕孔区50的环形状。环形状的隔断结构靠近孔区50一侧的无机薄膜和第二平坦薄膜被去掉，形成第一开口K1，第一开口K1暴露出孔区50的第一平坦层31的表面，环形状的隔断结构远离孔区50一侧的无机薄膜和第二平坦薄膜被去掉，在隔断结构与第二平坦层32之间形成环形状的第二开口K2，第二开口K2暴露出第一平坦层31的表面。
在示例性实施方式中，在垂直于显示基板平面内，隔断结构图案包括设置在第一平坦层31远离基底一侧的第一隔断层41和设置在第一隔断层41远离基底一侧的第二隔断层42，环形状的第一隔断层41上开设有第一隔断孔，环形状的第二隔断层42上开设有第二隔断孔，环形状的第一隔断孔和环形状的第二隔断孔相互连通，第一隔断孔和第二隔断孔组成隔断槽60。
在示例性实施方式中，在垂直于基底的平面内，第一隔断层41的剖面形状可以为梯形状，第一隔断层41远离基底一侧的宽度小于第一隔断层41靠近基底一侧的宽度。
在示例性实施方式中，形成隔断结构图案的过程可以包括：先在无机薄膜上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，显影后形成完全曝光区域和未曝光区域，完全曝光区域的光刻胶被去除，未曝光区域的光刻胶被保留。然后采用刻蚀工艺对完全曝光区域的无机薄膜进行刻蚀，形成环形状的第二隔断层42以及设置在第二隔断层42上环形状的第二隔断孔。随后，对暴露出的第二平坦薄膜继续刻蚀，形成环形状的第一隔断层41以及设置在第一隔断层41上的环形状第一隔断孔，第一隔断孔和第二隔断孔相互连通组成隔断槽60。
在示例性实施方式中，可以采用干法刻蚀工艺进行刻蚀，且采用有机/无机刻蚀比较大的气体，如O2、CF4、CHF3等。由于有机/无机刻蚀比较大，即刻蚀有机材料的刻蚀速率大于刻蚀无机材料的刻蚀速率，因而在刻蚀第一隔断孔时，第一隔断孔存在横向刻蚀，第一隔断层41上的第一隔断孔相对于第二隔断层42的第二隔断孔外扩一段距离，形成具有侧蚀结构的隔断槽60。
在示例性实施方式中，在垂直于基底的平面内，第一隔断层41上的第一隔断孔的截面形状为倒梯形状，第一隔断孔远离基底一侧上开口的宽度大于第一隔断孔靠近基底一侧下开口的宽度。在示例性实施方式中，倒梯形状第一隔断孔的侧边可以为弧形。
在示例性实施方式中，位于第二隔断孔周边的第二隔断层相对于第一隔断孔上开口的侧壁具有突出部421，突出部421和第一隔断孔上开口的侧壁形成内陷结构。
在示例性实施方式中，第一隔断层41上第一隔断孔的开口尺寸小于第二隔断层42上第二隔断孔上开口的开口尺寸，第二隔断孔在基底上的正投影位于第一隔断孔上开口在基底上的正投影的范围之内。在隔断槽60内，第二隔断层42具有凸出第一隔断孔上开口的边缘(突出部421)，形成一个“屋檐”结构，第二隔断孔的轮廓线在基底上的正投影位于第一隔断孔上开口的轮廓线在基底上的正投影的范围之内。本公开中，通过设置带有“屋檐”结构的隔断槽60，可以有效隔断后续蒸镀的有机发光层、阴极和光学耦合层，有效阻断来自孔区的水氧入侵。
在示例性实施方式中，第二隔断层42凸出第一隔断孔上开口边缘的宽度可以约为1μm至3μm，即第一隔断孔相对于第二隔断孔外扩1μm至3μm。
在示例性实施方式中，第一隔断层41、设置在第一隔断层41上的第二隔断层42、设置在第一隔断层41上的第一隔断孔以及设置在第二隔断层42上的第二隔断孔组成隔断结构，隔断结构形成在环绕孔区50的隔断区51，为环绕孔区50的环形结构。此外，朝向第一开口K1和第二开口K2一侧的第二隔断层42可以具有凸出第一隔断层41的“屋檐”结构。
在示例性实施方式中，第二平坦层可以采用有机材料，如树脂等。无机层可以采用SiOx、SiNx和SiON中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层，无机层可以称为钝化层(PVX)。
至此，在像素区制备完成驱动结构层。在示例性实施方式中，驱动结构层可以包括叠设的第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层、第三金属层、第一平坦层、第四金属层、第二平坦层和无机层。
本次工艺后，孔区50包括设置在基底10上的结构层30，隔断区51包括设置在基底上的结构层30和设置在结构层30远离基底一侧的隔断结构，隔断结构为环绕孔区50的环形状。
(4)形成阳极图案。在示例性实施方式中，形成阳极图案可以包括：在形成前述图案的基底上沉积导电薄膜，通过图案化工艺对导电薄膜进行图案化，形成阳极71图案，如图8所示，图8为图2中A-A向的剖视图。
在示例性实施方式中，阳极71设置在像素区的第二平坦层32上，阳极71通过阳极过孔与连接电极15连接。由于连接电极15通过连接过孔与第一晶体管101的第一漏电极连接，因而实现了阳极71通过连接电极15与第一晶体管101的连接。
在示例性实施方式中，导电薄膜可以采用金属材料或者透明导电材料，金属材料可以包括银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，透明导电材料可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。在示例性实施方式中，导电薄膜可以是单层结构，或者是多层复合结构，如ITO/Al/ITO等。
本次工艺后，孔区50和隔断区51的结构与前一次图案化工艺后的结构基本上相同。
(5)形成像素定义层图案。在示例性实施方式中，形成像素定义层图案可以包括：在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，在像素区形成像素定义层72图案，如图9所示，图9为图2中A-A向的剖视图。
在示例性实施方式中，像素定义层72上开设有像素开口，像素开口内的像素定义层被去掉，暴露出阳极71的表面。在示例性实施方式中，可以在形成像素定义层时形成隔垫柱图案，隔垫柱配置为在后续蒸镀工艺中支撑掩膜板(Mask)。在示例性实施方式中，隔垫柱可以设置在像素开口的外侧，像素定义层和隔垫柱图案可以通过半色调掩膜版(Half ToneMask)通过同一次图案化工艺形成，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。在平行于显示基板的平面内，像素开口的形状可以是三角形、矩形、多边形、圆形或椭圆形等。在垂直于显示基板的平面内，像素开口的截面形状可以是矩形或者梯形等，本公开在此不做限定。
本次工艺后，孔区50和隔断区51的结构与前一次图案化工艺后的结构基本上相同。
(6)形成有机发光层和发光块图案。在示例性实施方式中，形成有机发光层和发光块图案可以包括：在形成前述图案的基底上，通过蒸镀方式或喷墨打印方式形成有机发光层73和发光块74图案，如图10所示，图10为图2中A-A向的剖视图。
在示例性实施方式中，在像素区，有机发光层73形成在像素定义层72上，且通过像素开口与阳极71连接。
在示例性实施方式中，在拉伸孔区，即在第一开口K1、第二开口K2和隔断结构所在区域，由于第二隔断层42具有凸出第一隔断层41的“屋檐”结构，且隔断槽60的内壁为侧蚀结构，因而有机发光材料在第一开口K1和第二开口K2的边缘处断开，在隔断槽60的“屋檐”结构处断开，在隔断槽60的底部、第一开口K1和第二开口K2的底部以及隔断结构的第二隔断层42上形成发光块74，发光块74与有机发光层73相互隔离设置。本公开通过设置隔断结构使有机发光层断开，可以截断水氧的传输通道，有效阻断来自孔区的水氧入侵。
在示例性实施方式中，有机发光层可以包括发光层(EML)，以及如下任意一种或多种：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。在示例性实施方式中，有机发光层可以通过采用精细金属掩模版(Fine Metal Mask，简称FMM)或者开放式掩膜版(Open Mask)蒸镀制备形成，或者采用喷墨工艺制备形成。
在示例性实施方式中，可以采用如下制备方法制备有机发光层。先采用开放式掩膜版依次蒸镀空穴注入层和空穴传输层，在像素区形成空穴注入层和空穴传输层的共通层。随后，采用精细金属掩模版在红色子像素蒸镀电子阻挡层和红色发光层，在绿色子像素蒸镀电子阻挡层和绿色发光层，在蓝色子像素蒸镀电子阻挡层和蓝色发光层，相邻子像素的电子阻挡层和发光层可以有少量的交叠(例如，交叠部分占各自发光层图案的面积小于10％)，或者可以是隔离的。随后，采用开放式掩膜版依次蒸镀空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，在像素区形成空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层的共通层。
在示例性实施方式中，电子阻挡层可以作为发光器件的微腔调节层，通过设计电子阻挡层的厚度，可以使得阴极和阳极之间有机发光层的厚度满足微腔长度的设计。在一些示例性实施方式中，可以采用有机发光层中的空穴传输层、空穴阻挡层或电子传输层作为发光器件的微腔调节层，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，发光层可以包括主体(Host)材料和掺杂在主体材料中的客体(Dopant)材料，发光层客体材料的掺杂比例为1％至20％。在该掺杂比例范围内，一方面发光层主体材料可将激子能量有效转移给发光层客体材料来激发发光层客体材料发光，另一方面发光层主体材料对发光层客体材料进行了“稀释”，有效改善了发光层客体材料分子间相互碰撞、以及能量间相互碰撞引起的荧光淬灭，提高了发光效率和器件寿命。在示例性实施方式中，掺杂比例是指客体材料的质量与发光层的质量之比，即质量百分比。在示例性实施方式中，可以通过多源蒸镀工艺共同蒸镀主体材料和客体材料，使主体材料和客体材料均匀分散在发光层中，可以在蒸镀过程中通过控制客体材料的蒸镀速率来调控掺杂比例，或者通过控制主体材料和客体材料的蒸镀速率比来调控掺杂比例。在示例性实施方式中，发光层的厚度可以约为10nm至50nm。
在示例性实施方式中，空穴注入层可以采用无机的氧化物，如钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物或锰氧化物，或者可以采用强吸电子体系的p型掺杂剂和空穴传输材料的掺杂物。在示例性实施方式中，空穴注入层的厚度可以约为5nm至20nm。
在示例性实施方式中，在示例性实施方式中，空穴传输层可以采用空穴迁移率较高的材料，如芳胺类化合物，其取代基团可以是咔唑、甲基芴、螺芴、二苯并噻吩或呋喃等。在示例性实施方式中，空穴传输层的厚度可以约为40nm至150nm。
在示例性实施方式中，空穴阻挡层和电子传输层可以采用芳族杂环化合物，例如苯并咪唑衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并咪唑并菲啶衍生物等咪唑衍生物；嘧啶衍生物、三嗪衍生物等嗪衍生物；喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等包含含氮六元环结构的化合物(也包括在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物)等。在示例性实施方式中，空穴阻挡层的厚度可以约为5nm至15nm，电子传输层的厚度可以约为20nm至50nm。
在示例性实施方式中，电子注入层可以采用碱金属或者金属，例如氟化锂(LiF)、镱(Yb)、镁(Mg)或钙(Ca)等材料，或者这些碱金属或者金属的化合物等。在示例性实施方式中，电子注入层的厚度可以约为0.5nm至2nm。
本次工艺后，孔区50包括设置在基底10上的结构层30和设置在结构层30远离基底一侧的发光块74。隔断区51包括设置在基底10上的结构层30、设置在结构层30远离基底一侧的隔断结构、设置在隔断结构中第二隔断层42远离基底一侧的发光块74以及设置在隔断结构中隔断槽60底部的发光块74。
(7)形成阴极和阴极块图案。在示例性实施方式中，形成阴极图案可以包括：在形成前述图案的基底上，通过蒸镀方式形成阴极75和阴极块76图案，如图11所示，图11为图2中A-A向的剖视图。在示例性实施方式中，阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。
在示例性实施方式中，可拉伸的阴极75可以是连通在一起的整体结构。在像素区，阴极75与有机发光层73连接，实现了有机发光层73同时与阳极71和阴极75连接。
在示例性实施方式中，在拉伸孔区，即在第一开口K1、第二开口K2和隔断结构所在区域，由于第二隔断层42具有凸出第一隔断层41的“屋檐”结构，且隔断槽60的内壁为侧蚀结构，因而阴极在第一开口K1和第二开口K2的边缘处断开，在隔断槽60的“屋檐”结构处断开，在隔断槽60的底部、第一开口K1和第二开口K2的底部以及隔断结构的发光块74上形成阴极块76，阴极块76与阴极75相互隔离设置。本公开通过设置隔断结构使阴极断开，可以截断水氧的传输通道，有效阻断来自孔区的水氧入侵。
至此，在像素区制备完成发光结构层。在示例性实施方式中，发光结构层可以包括阳极71、有机发光层73和阴极75，有机发光层73设置在阳极71和阴极75之间。
本次工艺后，孔区50包括设置在基底10上的结构层30、设置在结构层30远离基底一侧的发光块74和设置在发光块74远离基底一侧的阴极块76。隔断区51包括设置在基底10上的结构层30、设置在结构层30远离基底一侧的隔断结构、设置在隔断结构中第二隔断层42远离基底一侧的发光块74、设置在隔断结构中隔断槽60底部的发光块74以及设置在发光块74远离基底一侧的阴极块76。
在示例性实施方式中，形成阴极和阴极块图案后，可以包括形成光学耦合层和光学耦合块图案的步骤。光学耦合层可以是连通在一起的整体结构，设置在阴极上，光学耦合块在“屋檐”结构处断开，设置在阴极块上。在示例性实施方式中，光学耦合层的折射率可以大于阴极的折射率，有利于光取出并增加出光效率。光学耦合层的材料可以采用有机材料，或者采用无机材料，或者采用有机材料和无机材料，可以是单层、多层或复合层，本公开在此不做限定。
(8)形成第一封装层图案。在示例性实施方式中，形成第一封装层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，沉积第一封装薄膜80，如图12所示，图12为图2中A-A向的剖视图。
在示例性实施方式中，第一封装薄膜80可以采用化学气相沉积(CVD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等方式沉积形成，在像素区，第一封装薄膜80设置在阴极75远离基底的一侧，在第一开口K1、第二开口K2和隔断结构所在区域，第一封装薄膜80覆盖第二隔断层42上的发光块74和阴极块76、覆盖第一开口K1、第二开口K2和隔断槽60底部的发光块74和阴极块76、以及覆盖第一开口K1、第二开口K2和隔断槽60的侧壁，形成完全包覆隔断结构的包裹结构。
本次工艺后，孔区50包括设置在基底10上的结构层、设置在结构层远离基底一侧的发光块74、设置在发光块74远离基底一侧的阴极块76和设置在阴极块76远离基底一侧的第一封装薄膜80。
随后，通过图案化工艺对孔区50进行刻蚀，形成第一封装层81和位于孔区50的过渡孔H1图案，如图13a和图13b所示，图13a和图13b为图2中A-A向的剖视图。
在一种示例性实施方式中，对孔区50的第一封装薄膜80、阴极块76、发光块74和结构层30进行刻蚀，过渡孔H1中的第一封装层、阴极块、发光块、第一平坦层和复合绝缘层被去掉，过渡孔H1的底部位于复合绝缘层与基底的交界面，形成盲孔结构的过渡孔H1，如图13a所示。
在示例性实施方式中，过渡孔H1可以包括开设在第一封装层81上的第一封装孔、开设在阴极块76上的阴极块孔、开设在发光块74上的发光块孔和开设在结构层30上的结构孔，第一封装孔、阴极块孔、发光块孔和结构孔相互连通。在示例性实施方式中，第一封装孔、阴极块孔、发光块孔和结构孔的内壁基本上平齐，第一封装孔的内壁在基底上的正投影、阴极块孔的内壁在基底上的正投影、发光块孔的内壁在基底上的正投影和结构孔的内壁在基底上的正投影基本上重叠。结构孔可以包括开设在第一平坦层上的平坦孔和开设在复合绝缘层上的绝缘孔，平坦孔和绝缘孔相互连通。
在另一种示例性实施方式中，对孔区50的第一封装薄膜80、阴极块76、发光块74和结构层30和部分厚度的基底10进行刻蚀，过渡孔H1中的第一封装层、阴极块、发光块、第一平坦层、复合绝缘层和部分厚度的基底被去掉，过渡孔H1的底部位于基底内，形成盲孔结构的过渡孔H1，如图13b所示。
在示例性实施方式中，过渡孔H1可以包括开设在第一封装层81上的第一封装孔、开设在阴极块76上的阴极块孔、开设在发光块74上的发光块孔、开设在结构层30上的结构孔以及开设在基底10部分厚度上的过渡基底孔，第一封装孔、阴极块孔、发光块孔、结构孔和过渡基底孔相互连通。在示例性实施方式中，第一封装孔、阴极块孔、发光块孔、结构孔和过渡基底孔的内壁基本上平齐，第一封装孔的内壁在基底上的正投影、阴极块孔的内壁在基底上的正投影、发光块孔的内壁在基底上的正投影、结构孔的内壁在基底上的正投影和过渡基底孔在基底上的正投影基本上重叠。
在示例性实施方式中，过渡孔H1的内壁可以包括第一封装孔的封装材料内壁、阴极块孔的阴极材料内壁、发光块孔的发光材料内壁、平坦孔的平坦材料内壁、绝缘孔的绝缘材料内壁和过渡基底孔的基底材料内壁。其中，封装材料内壁和绝缘材料内壁可以为无机材料，平坦材料内壁和基底材料内壁可以为有机材料，发光材料内壁可以为小分子有机材料，阴极材料内壁可以为金属材料。
在示例性实施方式中，由于过渡孔H1刻蚀中包括刻蚀无机材料层和有机材料层，而刻蚀有机材料的刻蚀速率大于刻蚀无机材料的刻蚀速率，因而使得过渡孔H1的侧壁在基底10与复合绝缘层30的交界面形成台阶，基底10上盲孔的开口相对于复合绝缘层上盲孔外扩一段距离，过渡孔H1内壁中复合绝缘层具有凸出基底的“屋檐”结构。
在示例性实施方式中，基底上过渡基底孔的开口尺寸可以大于结构层上结构孔的开口尺寸，结构层上结构孔的轮廓在玻璃衬底上的正投影位于基底上过渡基底孔的轮廓在玻璃衬底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，在隔断区51，第一封装层81覆盖隔断结构暴露出的外表面以及隔断槽60的内壁，形成对隔断结构的完整包裹。第一封装层81对隔断结构的完整包裹，保证了封装完整性，不仅有效隔绝了来自孔区的水氧，而且隔断槽对封装层形成钉扎点，可以防止膜层边缘的剥离失效。
(9)形成第二封装层图案。在示例性实施方式中，形成第二封装层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，利用喷墨打印或涂覆等工艺形成第二封装薄膜，对第二封装薄膜进行图案化，去掉孔区50及孔区50附近的第二封装薄膜，固化成膜后，形成第二封装层82，如图14a和图14b所示，图14a和图14b为图2中A-A向的剖视图。
在示例性实施方式中，第二封装层82设置在孔区50以外的第一封装层81上，并完全填充隔断槽60，形成包裹隔断结构的无机材料。孔区50的第二封装层82被去掉，暴露出过渡孔H1，孔区附近区域的第二封装层82被去掉，暴露出第一封装层81的表面。
在示例性实施方式中，形成第二封装层图案可以采用喷墨打印+涂覆的工艺，先利用喷墨打印方式在像素区形成第一有机材料层，然后利用涂覆工艺在隔离区形成第二有机材料层，第二有机材料层包裹隔断结构的外表面并填充隔断槽。在示例性实施方式中，第一有机材料层和第二有机材料层的材料可以相同，或者可以不同。
(10)形成第三封装层图案。在示例性实施方式中，形成第三封装层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，沉积第三封装薄膜，形成第三封装层83，如图15a和图15b所示，图15a和图15b为图2中A-A向的剖视图。
在示例性实施方式中，第三封装层83可以采用化学气相沉积(CVD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等方式沉积形成，在孔区50以外区域，第三封装层83设置在第二封装层82上，在孔区50，第三封装层83覆盖过渡孔H1的内壁，形成对过渡孔H1的完整包裹。
在一种示例性实施方式中，第三封装层83覆盖过渡孔H1的内壁是指，第三封装层83覆盖：封装孔的内侧壁，阴极块孔的内侧壁，发光块孔的内侧壁，平坦孔的内侧壁和绝缘孔的内侧壁和底部，如图15a所示。在另一种示例性实施方式中，第三封装层83覆盖过渡孔H1的内壁是指，第三封装层83覆盖：封装孔的内侧壁，阴极块孔的内侧壁，发光块孔的内侧壁，平坦孔的内侧壁，绝缘孔的内侧壁，过渡基底孔的内侧壁和过渡基底孔的底部，如图15b所示。这样，过渡孔H1中无机材料内壁和有机材料内壁等均被无机材料的第三封装层83覆盖，有效隔绝了来自孔区的水氧。
至此，制备完成封装结构层。在示例性实施方式中，封装结构层可以包括叠设的第一封装层81、第二封装层82和第三封装层83，第一封装层和第三封装层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层，可以保证外界水氧无法进入发光结构层。第二封装层可以采用树脂材料，起到包覆显示基板各个膜层的作用，以提高结构稳定性和平坦性。在孔区50以外区域，封装层形成无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构，在孔区50，封装结构层中的第三封装层(封装材料层)完整包敷过渡孔H1的内壁，保证了封装完整性，可以有效隔绝来自孔区和外界的水氧。
(11)形成拉伸孔图案。在示例性实施方式中，形成拉伸孔图案可以包括：在形成前述图案的基底上，通过图案化工艺对过渡孔H1进行刻蚀，形成拉伸孔H2图案，如图16a、图16b、图16c和图16d所示，图16a、图16b、图16c和图16d均为图2中A-A向的剖视图。
在示例性实施方式中，拉伸孔H2的刻蚀工艺基本上是沿着覆盖过渡孔H1的第三封装层83的外表面进行刻蚀，先刻蚀掉过渡孔H1底部的第三封装层83，形成第三封装孔，然后继续刻蚀基底10，形成基底孔，基底孔、第三封装孔和过渡孔组成拉伸孔H2。在示例性实施方式中，通过刻蚀工艺形成拉伸孔可以理解为是在第三封装层上开设第三封装孔和在基底上开设基底孔，过渡孔、第三封装孔和基底孔相互连通，过渡孔的内壁、第三封装孔的内壁和基底孔的内壁基本上平齐，过渡孔的内壁在基底上的正投影、第三封装孔的内壁在基底上的正投影和基底孔的内壁在基底上的正投影基本上重叠。
这样刻蚀形成的拉伸孔H2，拉伸孔H2的内壁可以包括未被封装材料层(第三封装层83)覆盖的基底材料段和被封装材料层覆盖的封装材料段，封装材料段位于基底孔靠近结构孔的一侧，即基底材料段位于封装材料段靠近玻璃衬底1的一侧，使得显示基板与玻璃衬底的剥离界面只有基底材料，有效避免了后续剥离工艺中显示基板不能与玻璃衬底分离的情况，避免了剥离过程中出现拉拽裂缝，有效保证了显示基板的封装效果。
在示例性实施方式中，拉伸孔可以是盲孔，即拉伸孔内的基底被部分去掉，拉伸孔的底部暴露出基底的表面，如图16a和图16b所示。在一种示例性实施方式中，第三封装层83仅覆盖第一封装孔、阴极块孔、发光块孔和结构孔的内壁，基底孔的内壁均为未被第三封装层83覆盖的基底材料段，如图16a所示。在另一种示例性实施方式中，第三封装层83不仅覆盖第一封装孔、阴极块孔、发光块孔和结构孔的内壁，而且覆盖部分基底孔的内壁，基底孔的内壁包括被第三封装层83覆盖的封装材料段和未被第三封装层83覆盖的基底材料段，封装材料段位于基底材料段靠近结构层的一侧，如图16b所示。
在示例性实施方式中，拉伸孔可以是通孔，即拉伸孔内的基底被全部去掉，拉伸孔的底部暴露出剥离衬底的表面，如图16c和图16d所示。在一种示例性实施方式中，第三封装层83仅覆盖第一封装孔、阴极块孔、发光块孔和结构孔的内壁，基底孔的内壁均为未被第三封装层83覆盖的基底材料段，如图16c所示。在另一种示例性实施方式中，第三封装层83不仅覆盖第一封装孔、阴极块孔、发光块孔和结构孔的内壁，而且覆盖部分基底孔的内壁，基底孔的内壁包括被第三封装层83覆盖的封装材料段和未被第三封装层83覆盖的基底材料段，封装材料段位于基底材料段靠近结构层的一侧，如图16d所示。
在示例性实施方式中，基底孔的开口尺寸小于结构孔的开口尺寸，基底孔上开口轮廓在基底上的正投影位于结构孔上开口轮廓在基底上的正投影的范围之内。
或者，基底孔的内壁可以包括被封装材料层覆盖的基底材料段和未被封装材料层覆盖的封装材料段，封装材料段位于基底材料段靠近结构孔的一侧。
在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面内，拉伸孔的宽度可以约为5μm至15μm。
在示例性实施方式中，制备完成封装结构层后，可以在封装结构层上形成触摸结构层(TSP)，触摸结构层可以包括触控电极层，或者包括触控电极层和触控绝缘层，本公开在此不作限定。
后续工艺中，可以通过激光剥离工艺将显示基板与玻璃衬底剥离，随后可以包括贴附背膜、切割等工艺，本公开在此不作限定。
一种设置拉伸孔的显示基板中，存在剥离过程中膜层不能有效剥离的问题，进而导致封装失效。研究发现，剥离过程中膜层不能有效剥离在一定程度上是由于拉伸孔内存在无机封装层残留造成的。目前的孔区刻蚀工艺中，很难完全刻蚀掉孔区内的结构层，特别是直接沉积在玻璃衬底上的无机封装层，使得孔区底部会残留有部分贴合在玻璃衬底上的无机封装层。当孔区底部残留有部分无机封装层时，由于无机封装层与玻璃衬底之间的粘着力较强，使得剥离工艺中部分无机封装层未能与玻璃衬底分离，而残留在玻璃衬底上的无机封装层会使封装层出现拉拽裂缝(Crack)，进而导致封装失效。
通过本公开示例性实施例显示基板的结构及其制备过程可以看出，本公开示例性实施例通过在形成第一封装层后形成过渡孔，利用第三封装层覆盖过渡孔的内壁后形成拉伸孔，在拉伸孔中的基底孔形成未被封装材料层覆盖的基底材料段，使得显示基板与玻璃衬底的剥离界面只有基底材料，没有无机材料，由于基底材料可以与玻璃衬底无损分离，避免了显示基板的膜层不能与玻璃衬底分离的情况，避免了剥离过程中出现拉拽裂缝，有效保证了显示基板的封装可靠性。本公开示例性实施例通过在环绕拉伸孔的隔断区设置隔断结构，且封装结构层包裹隔断结构，最大限度地隔断了来自孔区水氧，提高了封装效果。本公开示例性实施例显示基板的制备过程具有良好的工艺兼容性，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。
本公开示例性实施例显示基板的结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。在示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少图案化工艺。例如，孔区外侧可以设置多个依次套设的隔断结构，本公开在此不做限定。
本公开还提供了一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括像素区和拉伸孔区，所述像素区包括至少一个子像素，所述拉伸孔区包括至少一个孔区和环绕所述孔区的隔断区。在示例性实施方式中，制备方法可以包括：
形成基底、设置在基底上的结构层以及设置在所述结构层上的封装结构层，所述隔断区包括至少一个隔断结构，所述隔断结构环绕所述孔区；
在所述孔区形成拉伸孔，所述拉伸孔包括设置在所述基底上的基底孔和贯通所述结构层的结构孔，所述基底孔和结构孔连通，所述结构孔的至少部分内壁被所述封装结构层中的至少一个封装材料层覆盖，所述基底孔的内壁包括未被封装材料层覆盖的基底材料段。
在示例性实施方式中，所述基底孔的内壁还包括被所述封装材料层覆盖的封装材料段，所述封装材料段位于所述基底材料段靠近所述结构孔的一侧。
在示例性实施方式中，所述基底孔包括贯通所述基底的通孔，或者包括未贯通所述基底的盲孔。
在示例性实施方式中，在所述孔区形成拉伸孔，可以包括：
形成封装结构层和过渡孔；所述封装结构层包括叠设的第一封装层、第二封装层和作为所述封装材料层的第三封装层；所述过渡孔位于所述孔区，所述过渡孔中的第一封装层和结构层被去掉，所述第三封装层覆盖所述过渡孔的内壁；
对所述过渡孔进行刻蚀形成拉伸孔；所述拉伸孔包括所述过渡孔和设置在所述基底上的基底孔，所述基底孔和过渡孔连通，所述基底孔的内壁包括未被所述第三封装层覆盖的基底材料段。
在示例性实施方式中，所述第一封装层和第三封装层的材料包括无机材料，所述第二封装层的材料包括有机材料；形成封装结构层和过渡孔，可以包括：
形成第一封装层，第一封装层覆盖所述结构层和所述隔断结构；
通过图案化工艺在所述孔区形成过渡孔，所述过渡孔中的第一封装层和结构层被去掉；
形成第二封装层，所述第二封装层设置在所述像素区和隔断区的第一封装层远离基底的一侧，或者，所述第二封装层中的第一有机材料层设置在所述像素区的第一封装层远离基底的一侧，所述第二封装层中的第二有机材料层设置在所述隔断区的第一封装层远离基底的一侧；
形成作为所述封装材料层的第三封装层，所述第三封装层设置在所述第二封装层远离基底的一侧，所述第三封装层覆盖所述过渡孔的内壁。
本公开提供了一种显示基板的制备方法，通过在拉伸孔中的基底孔形成未被封装材料层覆盖的基底材料段，使得显示基板与玻璃衬底的剥离界面只有基底材料，避免了显示基板的膜层不能与玻璃衬底分离的情况，避免了剥离过程中出现拉拽裂缝，有效保证了显示基板的封装效果。本公开显示基板的制备方法具有良好的工艺兼容性，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。
本公开还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (19)

1.一种显示基板，其特征在于，包括像素区和拉伸孔区，所述像素区包括至少一个子像素，所述拉伸孔区包括至少一个孔区和环绕所述孔区的隔断区；所述显示基板包括基底、设置在基底上的结构层以及设置在所述结构层远离基底一侧的封装结构层，所述隔断区包括至少一个隔断结构，所述隔断结构环绕所述孔区；所述孔区包括设置在所述基底上的基底孔和贯通所述结构层的结构孔，所述基底孔和结构孔连通，所述结构孔的至少部分内壁被所述封装结构层中的至少一个封装材料层覆盖，所述基底孔的内壁包括未被所述封装材料层覆盖的基底材料段。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述基底孔的内壁还包括被所述封装材料层覆盖的封装材料段，所述封装材料段位于所述基底材料段靠近所述结构孔的一侧。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述基底孔包括贯通所述基底的通孔，或者包括未贯通所述基底的盲孔。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述隔断结构包括第一隔断层和设置在所述第一隔断层远离所述基底一侧的第二隔断层，所述第一隔断层上设置有环绕所述孔区的第一隔断孔，所述第二隔断层上设置有环绕所述孔区的第二隔断孔，所述第二隔断孔和第一隔断孔连通形成隔断槽；位于所述第二隔断孔周边的第二隔断层相对于所述第一隔断孔的侧壁具有突出部，所述突出部和所述第一隔断孔的侧壁形成内陷结构。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述隔断结构设置在所述结构层与所述封装结构层之间。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述基底孔的开口尺寸小于所述结构孔的开口尺寸。
7.根据权利要求1至6任一项所述的显示基板，其特征在于，所述封装结构层包括第一封装层，所述第一封装层覆盖所述结构层和所述隔断结构，所述孔区的第一封装层上设置有封装孔，所述封装孔与所述结构孔连通。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述封装孔的内壁在基底上的正投影与所述结构孔的内壁在基底上的正投影基本上重叠。
9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述封装结构层还包括第二封装层；所述第二封装层设置在所述像素区的第一封装层远离基底的一侧，或者，所述第二封装层设置在所述像素区和隔断区的第一封装层远离基底的一侧。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述封装结构层还包括作为所述封装材料层的第三封装层；所述第三封装层设置在所述第二封装层远离基底的一侧，所述第三封装层覆盖所述结构孔和封装孔的内壁，所述第三封装层未覆盖所述基底孔的基底材料段。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述第三封装层覆盖部分基底孔的内壁，在所述基底孔内形成被所述第三封装层覆盖的封装材料段，或者，所述第三封装层未覆盖基底孔的内壁，所述基底孔的内壁均为所述基底材料段。
12.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述孔区的结构层远离所述基底一侧设置有发光块，所述发光块上设置有发光块孔，所述发光块孔与所述结构孔连通，所述第三封装层覆盖所述发光块孔的内壁。
13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述孔区的发光块远离所述基底一侧设置有阴极块，所述第一封装层设置在所述阴极块远离基底的一侧，所述阴极块上设置有阴极块孔，所述阴极块孔与所述发光块孔和封装孔连通，所述第三封装层覆盖所述阴极块孔的内壁。
14.一种显示装置，其中，包括权利要求1至13任一项所述的显示基板。
15.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板包括像素区和拉伸孔区，所述像素区包括至少一个子像素，所述拉伸孔区包括至少一个孔区和环绕所述孔区的隔断区；所述制备方法包括：
形成基底、设置在基底上的结构层以及设置在所述结构层上的封装结构层，所述隔断区包括至少一个隔断结构，所述隔断结构环绕所述孔区；
在所述孔区形成拉伸孔，所述拉伸孔包括设置在所述基底上的基底孔和贯通所述结构层的结构孔，所述基底孔和结构孔连通，所述结构孔的至少部分内壁被所述封装结构层中的至少一个封装材料层覆盖，所述基底孔的内壁包括未被封装材料层覆盖的基底材料段。
16.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述基底孔的内壁还包括被所述封装材料层覆盖的封装材料段，所述封装材料段位于所述基底材料段靠近所述结构孔的一侧。
17.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述基底孔包括贯通所述基底的通孔，或者包括未贯通所述基底的盲孔。
18.根据权利要求15至17任一项所述的制备方法，在所述孔区形成拉伸孔，包括：
形成封装结构层和过渡孔；所述封装结构层包括叠设的第一封装层、第二封装层和作为所述封装材料层的第三封装层；所述过渡孔位于所述孔区，所述过渡孔中的第一封装层和结构层被去掉，所述第三封装层覆盖所述过渡孔的内壁；
对所述过渡孔进行刻蚀形成拉伸孔；所述拉伸孔包括所述过渡孔和设置在所述基底上的基底孔，所述基底孔和过渡孔连通，所述基底孔的内壁包括未被所述第三封装层覆盖的基底材料段。
19.根据权利要求18所述的制备方法，其特征在于，所述第一封装层和第三封装层的材料包括无机材料，所述第二封装层的材料包括有机材料；形成封装结构层和过渡孔，包括：
形成第一封装层，第一封装层覆盖所述结构层和所述隔断结构；
通过图案化工艺在所述孔区形成过渡孔，所述过渡孔中的第一封装层和结构层被去掉；
形成第二封装层，所述第二封装层设置在所述像素区和隔断区的第一封装层远离基底的一侧，或者，所述第二封装层中的第一有机材料层设置在所述像素区的第一封装层远离基底的一侧，所述第二封装层中的第二有机材料层设置在所述隔断区的第一封装层远离基底的一侧；
形成作为所述封装材料层的第三封装层，所述第三封装层设置在所述第二封装层远离基底的一侧，所述第三封装层覆盖所述过渡孔的内壁。
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