CN115369282A - 高精密蚀刻引线框架用铜合金材料及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种高精密蚀刻引线框架用铜合金材料及其制备方法，涉及铜合金技术领域。本发明提供的高精密蚀刻引线框架用铜合金材料，按质量百分比计包括：Cr 0.18%‑0.38%、Sn 0.18%‑0.32%、Zn 0.12%‑0.32%、Si 0.002%‑0.05%，余量为Cu以及不可避免的杂质。该铜合金材料具有蚀刻性能优异、耐高温性能好、应力松弛性能好、内应力低、表面质量高、折弯性能优秀、中等强度高导电率等特点，实际应用中表现优异，填补了有关市场的空白，有效避免了关键核心材料技术“卡脖子”困境。

Description

高精密蚀刻引线框架用铜合金材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及铜合金技术领域，尤其是涉及一种高精密蚀刻引线框架用铜合金材料及其制备方法。
背景技术
我国是引线框架材料消费大国，市场需求巨大，年增幅8%以上。引线框架是集成电路（IC）中支撑芯片、连接外部电路、散走热量的关键部件。目前最广泛应用的引线框架材料是美国环球金属制品有限公司最早开发的中强高导型Cu-Fe-P系合金（C19400、KFC等），具有低成本、强度中等、导热及导电性好、浸润及加工成型性优良、钎焊性好等特点。
随着电路集成度的提高，引线框架向高精密化、节距微细化、多脚化方向发展。由于冲压法的加工精度较差，无法满足日益增高的应用要求，蚀刻法正在或者已经成为制造极大规模集成电路引线框架的主流方法。
市场现有的诸如C19400、C19010等引线框架材料，在过去的应用场景表现良好，但面对极大规模集成电路引线框架等领域日益增高的应用要求，在应力松弛性能（C19400应力松弛性能见附图3）、耐高温性能（C19400耐高温性能见附图4）、导电性（C19400硬态下导电率只在60%IACS左右）、强度（C19400硬态下抗拉强度只有410-490MPa）、蚀刻性能（C19400存在蚀刻过程中微区蚀刻不均匀现象）等方面逐渐展现不足。
在部分高端引线框架材料领域，我国的品种存在蚀刻过程中易变形、微区腐蚀速率差异明显、蚀刻后表面处理一致性差等问题，在材料本身以及表面质量、内应力控制等方面与国外有较明显的差距，不能满足高精密蚀刻引线框架用材料的应用要求，致使高精密蚀刻引线框架用材料依赖于日本、韩国、欧洲等地区，严重制约我国半导体产业的持续稳定发展，属于关键核心材料技术“卡脖子”问题。
因此，解决现有引线框架材料的有关问题，开发同时具有蚀刻性能优异、耐高温性能好、应力松弛性能好、内应力低、表面质量高、中等强度高导电率等特点的适合极大规模集成电路日益增高的应用要求的高精密蚀刻引线框架用铜合金材料对于我国极大规模集成电路的持续稳定发展以及提升我国高端铜合金产品、整体铜合金产业的国际竞争力有重要意义。
有鉴于此，特提出本发明。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种高精密蚀刻引线框架用铜合金材料，以解决上述问题中的至少一种。
本发明的第二目的在于提供上述高精密蚀刻引线框架用铜合金材料的制备方法。
第一方面，本发明提供了一种高精密蚀刻引线框架用铜合金材料，按质量百分比计包括：Cr 0.18%-0.38%、Sn 0.18%-0.32%、Zn 0.12%-0.32%、Si 0.002%-0.05%，余量为Cu以及不可避免的杂质。
作为进一步技术方案，按质量百分比计包括：Cr 0.23%、Sn 0.23%、Zn 0.19%、Si0.014%，余量为Cu以及不可避免的杂质。
作为进一步技术方案，按质量百分比计还包括0.001%-0.15%的微量元素；
所述微量元素包括B、Mg、Ti、Zr、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y或Sc中的至少一种。
第二方面，本发明提供了上述高精密蚀刻引线框架用铜合金材料的制备方法，包括如下步骤：
按照质量百分比配料，然后依次进行熔炼、浇铸、热轧、第一次冷轧、第二次冷轧、第一次退火、第三次冷轧和第二次退火，制备得到高精密蚀刻引线框架用铜合金材料。
作为进一步技术方案，所述熔炼的温度为1200℃-1320℃；
所述浇铸的工艺参数包括：浇铸的温度为1150℃-1290℃、引拉速度为40-70毫米/分钟、拉铸速度为80-100毫米/分钟、冷却水流量为50-100立方米/小时、结晶器振动频率为40-60次/分钟。
作为进一步技术方案，熔炼过程中，用石墨鳞片覆盖剂覆盖；
熔炼过程中，成分合格后用石墨粉覆盖剂覆盖后浇铸；
浇铸过程中，流槽用主要由CaCO3、CaF2和MgCO3组成的覆盖剂覆盖；
浇铸过程中，结晶器用黑碳粉覆盖剂覆盖。
作为进一步技术方案，所述热轧的温度为925℃-965℃，热轧带坯淋水冷却，此制备方法固溶在热轧完成；
所述热轧的加工率为85%-95%，每道次加工率各自独立的为13%-45%。
作为进一步技术方案，所述第一次冷轧的加工率为80%-90%，每道次加工率各自独立的为13%-31%；
所述第二次冷轧和第三次冷轧的总加工率为85%-95%；
所述第二次冷轧的每道次加工率各自独立的为24%-34%，所述第三次冷轧的每道次加工率各自独立的为10%-35%。
作为进一步技术方案，所述第一次退火为钟罩退火；
所述钟罩退火包括：1.5-2.5小时升到240℃-260℃，保温3.5-4.5小时，然后2.5-3.5小时升到380℃-480℃，保温7-9小时；
所述第二次退火为连续退火，所述第二次退火的温度为380℃-480℃，所述第二次退火的速度为14-26米/分钟。
作为进一步技术方案，所述第一次退火后，采用清洗设备去除富铬氧化层及油污，清洗速度为15-40米/分钟，刷子压下电流为15A-30A；
所述第二次退火后，采用清洗设备去除富铬氧化层及油污，清洗速度为10-35米/分钟，刷子压下电流为0.5A-3A；
采用清洗设备去除富铬氧化层，通过设计清洗设备的参数，实现了增加研磨清洗强度以去除富铬氧化层而不影响表面质量，相比于其它方式，诸如更改清洗介质为双氧水等，其优势在于可以和其它品种材料混合生产，不必专门配备生产设备，更能降低生产成本，提高生产效率。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
本发明提供的高精密蚀刻引线框架用铜合金材料，其抗拉强度为490-637MPa，硬度为160-210HV，导电率＞70%IACS，断后伸长率＞6%-10%，表面粗糙度＜0.12um，蚀刻侧面颗粒物突出≤0.01mm，蚀刻后扭曲＜0.51mm，侧弯＜0.04mm，该铜合金材料具有蚀刻性能优异、耐高温性能好、应力松弛性能好、内应力低、表面质量高、折弯性能优秀、中等强度高导电率等特点，实际应用中表现优异，填补了有关市场的空白，有效避免了关键核心材料技术“卡脖子”困境。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例1提供的高精密蚀刻引线框架用铜合金材料在100X下的金相图像；
图2为本发明实施例1提供的高精密蚀刻引线框架用铜合金材料在500X下的金相图像；
图3为本发明提供的高精密蚀刻引线框架用铜合金材料与C19400的应力松弛性能对比；
图4为本发明提供的高精密蚀刻引线框架用铜合金材料与C19400的耐高温性能对比；
图5为本发明提供的高精密蚀刻引线框架用铜合金材料的好方向的折弯性能；
图6为本发明提供的高精密蚀刻引线框架用铜合金材料的坏方向的折弯性能。
具体实施方式
下面将结合实施方式和实施例对本发明的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施方式和实施例仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
第一方面，本发明提供了一种高精密蚀刻引线框架用铜合金材料，主要由Cr、Sn、Zn、Si、Cu以及不可避免的杂质组成，按质量百分比计，Cr例如可以为，但不限于0.18%、0.22%、0.26%、0.30%、0.34%或0.38%；Sn例如可以为，但不限于0.18%、0.22%、0.26%、0.30%或0.32%；Zn例如可以为，但不限于0.12%、0.16%、0.20%、0.24%、0.28%或0.32%；Si例如可以为，但不限于0.01%、0.02%、0.03%、0.04%或0.05%。
经发明人研究发现，该铜合金材料具有蚀刻性能优异、耐高温性能好、应力松弛性能好、内应力低、表面质量高、折弯性能优秀、中等强度高导电率等特点，在应力松弛性能、耐高温性能方面相比现有引线框架材料（比如C19400）优势突出，其应力松弛性能、耐高温性能以及与现有引线框架材料（C19400）的显著对比见附图3、附图4（图3和图4中，“不同批本发明材料”是指采用本发明提供的制备方法制备得到的不同批次的铜合金材料，因批次差异，不同批次的铜合金材料的应力松弛性能和耐高温性能会存在些微区别）。
表面质量在后续加工、使用过程中十分重要，此种高精密蚀刻引线框架用铜合金材料的表面粗糙度＜0.12um，表面质量良好。
蚀刻用材料的蚀刻侧面颗粒物突出尤为重要，严重影响蚀刻性能，此种高精密蚀刻引线框架用铜合金材料，其蚀刻侧面颗粒物突出≤0.01mm，无蚀刻过程中微区蚀刻不均匀现象。
蚀刻过程中蚀刻用材料的蚀刻后扭曲应尽可能小，此种高精密蚀刻引线框架用铜合金材料的蚀刻后扭曲＜0.51mm，其内应力十分低。
此种高精密蚀刻引线框架用铜合金材料侧弯＜0.04mm，侧弯也是衡量高精密蚀刻引线框架用铜合金材料品质的重要参数之一。
此种高精密蚀刻引线框架用铜合金材料折弯性能优秀，90°R/T=0.5时好方向、坏方向的折弯图像见附图5、附图6。其中，附图5为好方向的折弯图像，附图6为坏方向的折弯图像。
在一些优选的实施方式中，按质量百分比计包括：Cr 0.23%、Sn 0.23%、Zn 0.19%、Si 0.014%，余量为Cu以及不可避免的杂质。经发明人研究发现，该配比的铜合金的性能更加优异。
在一些优选的实施方式中，所述铜合金还包括微量元素，按质量百分比计，微量元素的含量例如可以为，但不限于0.001%、0.005%、0.01%、0.05%、0.1%或0.15%。
所述微量元素包括B、Mg、Ti、Zr、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y或Sc中的至少一种。
第二方面，本发明提供了上述高精密蚀刻引线框架用铜合金材料的制备方法，包括如下步骤：
按照质量百分比配料，然后依次进行熔炼、浇铸、热轧、第一次冷轧（初轧）、第二次冷轧（中间轧制）、第一次退火、第三次冷轧（成品轧制）和第二次退火，制备得到高精密蚀刻引线框架用铜合金材料。
该制备方法简单方便，制备得到的铜合金性能优异。
在一些优选的实施方式中，熔炼过程以用石墨鳞片覆盖熔体。温度达到熔炼温度1200℃-1320℃（例如可以为，但不限于1200℃、1240℃、1250℃、1260℃、1270℃、1280℃或1320℃）时使用惰性气体（比如氩气等）除气22-33分钟，加入适量的铜铬中间合金CuCr10、Sn、Zn等原料，用石墨耙子对熔体进行搅拌。保温静置一定时间（例如可以为，但不限于30分钟）成分合格后用烘干石墨粉严密覆盖后即可浇铸，浇铸前炉口处应烤红热。
本发明中，除Cu以外，其他元素以铜铬中间合金CuCr10、Sn、Zn及可选的预制微量元素复合剂的形式加入。其中可选的预制微量元素复合剂，只需要满足添加到熔体后可以把熔体微量元素调节到需求范围即可。所述预制微量元素复合剂，例如可以为，但不限于以铜硅中间合金为主要成分的制剂。
所述浇铸的工艺参数包括：浇铸的温度例如可以为，但不限于1150℃、1200℃、1210℃、1220℃、1230℃、1240℃或1290℃；引拉速度例如可以为，但不限于40毫米/分钟、45毫米/分钟、50毫米/分钟、55毫米/分钟、60毫米/分钟、65毫米/分钟或70毫米/分钟；拉铸速度例如可以为，但不限于80毫米/分钟、85毫米/分钟、90毫米/分钟、95毫米/分钟或100毫米/分钟；冷却水流量例如可以为，但不限于50立方米/小时、55立方米/小时、65立方米/小时、75立方米/小时、85立方米/小时、95立方米/小时或100立方米/小时；结晶器振动频率例如可以为，但不限于40次/分钟、45次/分钟、47次/分钟、49次/分钟、51次/分钟、53次/分钟、55次/分钟或60次/分钟。
浇铸过程中，流槽用主要由CaCO3、CaF2和MgCO3组成的覆盖剂覆盖；浇铸过程中，结晶器用黑碳粉覆盖剂覆盖。
在一些优选的实施方式中，所述热轧的温度例如可以为，但不限于925℃、935℃、945℃、955℃或965℃；
所述热轧的加工率为85%-95%，每道次加工率各自独立的为13%-45%。热轧带坯淋水冷却，固溶在热轧完成，无需额外固溶处理设备，并且可以防止使用诸如立式连续光亮退火炉固溶时表面氧化严重导致难以清洗问题。
在一些优选的实施方式中，热轧之后还包括铣面，以去除氧化皮及各类表面缺陷。热轧与铣面之间可增加焊接步骤，把两卷热轧铜带焊接在一起以增加总体成材率，最终成品需要从焊接处分断。
在一些优选的实施方式中，所述第一次冷轧的加工率为80%-90%，每道次加工率各自独立的为13%-31%；
所述第二次冷轧和第三次冷轧的总加工率为85%-95%；
所述第二次冷轧的每道次加工率各自独立的为24%-34%，所述第三次冷轧的每道次加工率各自独立的为10%-35%，第三次冷轧优选2道次。
在一些优选的实施方式中，所述第一次退火为钟罩退火；
所述钟罩退火包括：1.5-2.5小时升到240℃-260℃，保温3.5-4.5小时，然后2.5-3.5小时升到380℃-480℃，保温7-9小时；优选地，钟罩退火，分9小时升温过程和8小时保温过程，升温过程具体为：2小时升到250℃，保温4小时，最后3小时升到中间退火的工艺温度。在升温、保温阶段，氢气含量为70%-80%，氢气流量为8-20立方米/小时。在冷却阶段，氢气含量为70%-80%。钟罩退火出炉温度一般不大于60℃。
所述第二次退火为连续退火，所述第二次退火的温度为380℃-480℃，所述第二次退火的速度为14-26米/分钟。
在一些优选的实施方式中，所述第一次退火后，采用清洗设备去除富铬氧化层及油污等，清洗速度为15-40米/分钟，刷子压下电流为15A-30A；
为防止退火后粘带，第一次退火后可增加减小张力的松卷步骤，可由诸如清洗、连续退火设备或者轧机等承担。
所述第二次退火后，采用清洗设备去除富铬氧化层及油污等，清洗速度为10-35米/分钟，刷子压下电流为0.5A-3A。
此外，为更好的表面质量，也可改用浓度5%-8%、温度40℃-60℃的双氧水作为清洗介质，去除富铬氧化层。
本发明提供的铜合金材料可作为蚀刻用材料，为尽可能减小内应力，最后一次退火后一般无拉娇等带加工率加工，板型由最后一次冷轧控制。
下面通过具体的实施例和对比例进一步说明本发明，但是，应当理解为，这些实施例仅仅是用于更详细地说明之用，而不应理解为用于以任何形式限制本发明。
实施例1
此案例达成的此种高精密蚀刻引线框架用铜合金材料，宽度为50毫米，厚度为0.15毫米，抗拉强度为546MPa，硬度为173HV，导电率为70.35%IACS，断后伸长率为12.5%，表面粗糙度0.11微米，蚀刻侧面颗粒物突出0.008毫米，蚀刻后扭曲0.47毫米，侧弯0.030毫米，含铬0.22%wt，含锡0.24%wt，含锌0.21%wt，含硅0.0026%wt，微量元素总量小于0.060%wt，余量为铜以及不可避免的杂质。金相图如图1和图2所示。
此案例采用流程为：配料、熔炼、半连续铸造、锯切 → 热轧、铣面 → 初轧、切边→ 初轧清洗 → 中间轧制 → 松卷、中间退火、中间清洗 → 成品轧制 → 成品退火、成品清洗 → 分剪/剪切、包装入库。
以成分质量分数配料。此案例使用6吨量熔炼炉，一炉配料为：紫铜铺底料300Kg，同品种角料4700Kg，电解铜1000Kg，CuCr10铜铬中间合金60Kg，锡4Kg，锌4Kg，以及可选的预制微量元素复合剂足量。某些元素，诸如锌等，在熔铸过程中会有烧损。经发明人试验，6吨炉情况下，按上述配料可保证烧损后相关元素在预期范围。可选的预制微量元素复合剂，只需要满足添加到熔体后可以把熔体微量元素调节到需求范围即可。
半连续铸造。先将同品种角料4700Kg加入6吨量熔炼炉。熔炼过程中，用石墨鳞片覆盖熔体，熔融铜液不可裸露。随后加入电解铜1000Kg。温度达到熔炼温度1200℃-1320℃时取样测试成分。使用惰性气体，此案例用氩气，除气22-33分钟，加入CuCr10铜铬中间合金60Kg，锡4Kg，锌4Kg，以及适量的可选预制微量元素复合剂，用石墨耙子对熔体进行搅拌。保温静置30分钟，取样测试成分合格后用烘干石墨粉严密覆盖后浇铸，浇铸前将炉口处烤红热。
以浇铸温度1150℃-1290℃、引拉速度40-70毫米/分钟、正常拉铸速度80-100毫米/分钟、冷却水流量50-100立方米/小时、结晶器振动频率40-60次/分钟的浇铸工艺浇铸，铸锭尺寸为190*630毫米。浇铸中，流槽用由CaCO3、CaF2及少量MgCO3等成分组成的覆盖剂覆盖，结晶器用黑碳粉覆盖。
以热轧温度925℃-965℃热轧，从190毫米热轧到12-13毫米，热轧加工率约为93%-94%，9道次，各道次加工率约为13%-45%。热轧带坯淋水冷却，固溶在热轧完成。铣面以去除氧化皮及各类缺陷。此案例热轧与铣面之间无把两卷热轧铜带焊接在一起以增加成材率的焊接工序。
切边，此案例保留620毫米的宽度。初轧（第一次冷轧）到1.5毫米，加工率约为85%，7道次，各道次加工率约为13%-31%。普通清洗后，中间轧制（第二次冷轧）到0.25毫米，加工率约为83%。此案例中间轧制（第二次冷轧）采用二十棍可逆轧机，5道次，道次分配为（单位：毫米）1.5→1.07→0.75→0.5→0.36→0.25。
松卷后，以420℃中间钟罩退火，分9小时升温过程和8小时保温过程，升温过程具体为：2小时升到250℃，保温4小时，最后3小时升到工艺温度420℃。在升温、保温阶段，氢气含量为70%-80%，氢气流量为8-20立方米/小时。在冷却阶段，氢气含量为70%-80%。出炉温度不应大于60℃。
中间退火后清洗。为应对富Cr氧化层，采用大刷子压下电流、慢清洗速度、多对刷将富Cr氧化层研磨掉的清洗方式。不同设备的具体实现参数不同，此案例中间清洗采用的设备此种清洗方式具体实现为：以15-40米每分钟的速度清洗，刷子压下电流为15A-30A。
成品轧制（第三次冷轧）到0.15毫米，加工率约为40%。此案例成品轧制（第三次冷轧）采用二十棍可逆轧机，2道次，道次分配为（单位：毫米）0.25→0.19→0.15。
此案例中间轧制（第二次冷轧）和成品轧制（第三次冷轧）的总加工率约为90%。
成品轧制后成品退火。采用连续退火方式，退火温度为420℃，退火速度为14-26米每分钟。
成品清洗采用大刷子压下电流、慢清洗速度、多对刷将富Cr氧化层研磨掉的清洗方式。不同设备的具体实现参数不同，此案例成品清洗采用的设备此种清洗方式具体实现为：以10-35米每分钟的速度清洗，刷子压下电流为0.5A-3A。
测试合格，后续分剪等完成后包装入库。
实施例2
此案例达成的此种高精密蚀刻引线框架用铜合金材料，宽度为55毫米，厚度为0.11毫米，抗拉强度为556MPa，硬度为174HV，导电率为71.1%IACS，断后伸长率为7.5%，表面粗糙度0.12微米，蚀刻侧面颗粒物突出0.009毫米，蚀刻后扭曲0.50毫米，侧弯0.035毫米，含铬0.23%wt，含锡0.23%wt，含锌0.19%wt，含硅0.014%wt，微量元素总量小于0.055%wt，余量为铜以及不可避免的杂质。
此案例采用流程为：配料、熔炼、半连续铸造、锯切 → 热轧、焊接、铣面 → 初轧、切边 → 初轧清洗 → 中间轧制 → 松卷、中间退火、中间清洗 → 成品轧制 → 成品退火、成品清洗 → 分剪/剪切、包装入库。
以成分质量分数配料。此案例使用6吨量熔炼炉，一炉配料为：紫铜铺底料300Kg，同品种角料4700Kg，电解铜1000Kg，CuCr10铜铬中间合金60Kg，锡4Kg，锌4Kg，以及可选的预制微量元素复合剂足量。某些元素，诸如锌等，在熔铸过程中会有烧损。经发明人试验，6吨炉情况下，按上述配料可保证烧损后相关元素在预期范围。可选的预制微量元素复合剂，只需要满足添加到熔体后可以把熔体微量元素调节到需求范围即可。
采用半连续铸造。先将同品种角料4700Kg加入6吨量熔炼炉。熔炼过程中，用石墨鳞片覆盖熔体，熔融铜液不可裸露。随后加入电解铜1000Kg。温度达到熔炼温度1200℃-1320℃时取样测试成分。使用惰性气体，此案例用氩气，除气22-33分钟，加入CuCr10铜铬中间合金60Kg，锡4Kg，锌4Kg，以及适量的可选预制微量元素复合剂，用石墨耙子对熔体进行搅拌。保温静置30分钟，取样测试成分合格后用烘干石墨粉严密覆盖后浇铸，浇铸前将炉口处烤红热。
以浇铸温度1150℃-1290℃、引拉速度40-70毫米/分钟、正常拉铸速度80-100毫米/分钟、冷却水流量50-100立方米/小时、结晶器振动频率40-60次/分钟的浇铸工艺浇铸，铸锭尺寸为190*630毫米。浇铸中，流槽用由CaCO3、CaF2及少量MgCO3等成分组成的覆盖剂覆盖，结晶器用黑碳粉覆盖。
以热轧温度925℃-965℃热轧，从190毫米热轧到12-13毫米，热轧加工率约为93%-94%，9道次，各道次加工率约为13%-45%。热轧带坯淋水冷却，固溶在热轧完成。铣面以去除氧化皮及各类缺陷。此案例热轧与铣面之间增加了焊接工序把两卷热轧铜带焊接在一起以增加成材率。
切边，此案例保留620毫米的宽度。初轧（第一次冷轧）到1.5毫米，加工率约为85%，7道次，各道次加工率约为13%-31%。按通常工艺清洗后，中间轧制（第二次冷轧）到0.19毫米，加工率约为87%。此案例中间轧制（第二次冷轧）采用二十棍可逆轧机，6道次，道次分配为（单位：毫米）1.5→1.07→0.75→0.52→0.34→0.26→0.19。
松卷后，以400℃中间钟罩退火，分9小时升温过程和8小时保温过程，升温过程具体为：2小时升到250℃，保温4小时，最后3小时升到工艺温度400℃。在升温、保温阶段，氢气含量为70%-80%，氢气流量为8-20立方米/小时。在冷却阶段，氢气含量为70%-80%。出炉温度不应大于60℃。
中间退火后清洗。为应对富Cr氧化层，采用大刷子压下电流、慢清洗速度、多对刷将富Cr氧化层研磨掉的清洗方式。不同设备的具体实现参数不同，此案例中间清洗采用的设备此种清洗方式具体实现为：以15-40米每分钟的速度清洗，刷子压下电流为15A-30A。
成品轧制（第三次冷轧）到0.11毫米，加工率约为42%。此案例成品轧制（第三次冷轧）采用二十棍可逆轧机，2道次，道次分配为（单位：毫米）0.19→0.14→0.11。
此案例中间轧制（第二次冷轧）和成品轧制（第三次冷轧）的总加工率约为93%。
成品轧制后成品退火。采用连续退火方式，退火温度为420℃，退火速度为14-26米每分钟。
成品清洗。此案例成品清洗采用浓度5%-8%、温度40℃-60℃的双氧水作为清洗介质。
测试合格，后续分剪等完成后包装入库。
实施例3
此案例达成的此种高精密蚀刻引线框架用铜合金材料，宽度为250毫米，厚度为0.203毫米，抗拉强度为568MPa，硬度为177HV，导电率为70.6%IACS，断后伸长率为6%，表面粗糙度0.10微米，蚀刻侧面颗粒物突出0.008毫米，蚀刻后扭曲0.45毫米，侧弯0.028毫米，含铬0.24%wt，含锡0.28%wt，含锌0.13%wt，含硅0.032%wt，微量元素总量小于0.058%wt，余量为铜以及不可避免的杂质。
此案例采用流程为：配料、熔炼、半连续铸造、锯切 → 热轧、铣面 → 初轧、初切边 → 初轧清洗 → 中间轧制 → 松卷、中间退火、中间清洗 → 成品轧制 → 成品退火、成品清洗 → 分剪/剪切、包装入库。
以成分质量分数配料。此案例使用6吨量熔炼炉，一炉配料为：紫铜铺底料300Kg，同品种角料4700Kg，电解铜1000Kg，CuCr10铜铬中间合金60Kg，锡4Kg，锌4Kg，以及可选的预制微量元素复合剂足量。某些元素，诸如锌等，在熔铸过程中会有烧损。经发明人试验，6吨炉情况下，按上述配料可保证烧损后相关元素在预期范围。可选的预制微量元素复合剂，只需要满足添加到熔体后可以把熔体微量元素调节到需求范围即可。
发明采用半连续铸造。先将同品种角料4700Kg加入6吨量熔炼炉。熔炼过程中，用石墨鳞片覆盖熔体，熔融铜液不可裸露。随后加入电解铜1000Kg。温度达到熔炼温度1200℃-1320℃时取样测试成分。使用惰性气体，此案例用氩气，除气22-33分钟，加入CuCr10铜铬中间合金60Kg，锡4Kg，锌4Kg，以及适量的可选预制微量元素复合剂，用石墨耙子对熔体进行搅拌。保温静置30分钟，取样测试成分合格后用烘干石墨粉严密覆盖后浇铸，浇铸前将炉口处烤红热。
以浇铸温度1150℃-1290℃、引拉速度40-70毫米/分钟、正常拉铸速度80-100毫米/分钟、冷却水流量50-100立方米/小时、结晶器振动频率40-60次/分钟的浇铸工艺浇铸，铸锭尺寸为190*630毫米。浇铸中，流槽用由CaCO3、CaF2及少量MgCO3等成分组成的覆盖剂覆盖，结晶器用黑碳粉覆盖。
以热轧温度925℃-965℃热轧，从190毫米热轧到12-13毫米，热轧加工率约为93%-94%，9道次，各道次加工率约为13%-45%。热轧带坯淋水冷却，固溶在热轧完成。铣面以去除氧化皮及各类缺陷。此案例热轧与铣面之间无把两卷热轧铜带焊接在一起以增加成材率的焊接工序。
切边，此案例保留620毫米的宽度。初轧（第一次冷轧）到1.5毫米，加工率约为85%，7道次，各道次加工率约为13%-31%。普通清洗后，中间轧制（第二次冷轧）到0.34毫米，加工率约为77%。此案例中间轧制（第二次冷轧）采用二十棍可逆轧机，4道次，道次分配为（单位：毫米）1.5→1.01→0.7→0.48→0.34。
松卷后，以400℃中间钟罩退火，分9小时升温过程和8小时保温过程，升温过程具体为：2小时升到250℃，保温4小时，最后3小时升到工艺温度400℃。在升温、保温阶段，氢气含量为70%-80%，氢气流量为8-20立方米/小时。在冷却阶段，氢气含量为70%-80%。出炉温度不应大于60℃。
中间退火后清洗。为应对富Cr氧化层，采用大刷子压下电流、慢清洗速度、多对刷将富Cr氧化层研磨掉的清洗方式。不同设备的具体实现参数不同，此案例中间清洗采用的设备此种清洗方式具体实现为：以15-40米每分钟的速度清洗，刷子压下电流为15A-30A。
成品轧制（第三次冷轧）到0.203毫米，加工率约为40%。此案例成品轧制（第三次冷轧）采用二十棍可逆轧机，2道次，道次分配为（单位：毫米）0.34→0.223→0.203。
此案例中间轧制（第二次冷轧）和成品轧制（第三次冷轧）的总加工率约为86%。
成品轧制后成品退火。采用连续退火方式，退火温度为400℃，退火速度为14-26米每分钟。
此案例成品清洗采用大刷子压下电流、慢清洗速度、多对刷将富Cr氧化层研磨掉的清洗方式。不同设备的具体实现参数不同，此案例成品清洗采用的设备此种清洗方式具体实现为：以10-35米每分钟的速度清洗，刷子压下电流为0.5A-3A。
测试合格，后续分剪等完成后包装入库。
实施例4
此案例达成的此种高精密蚀刻引线框架用铜合金材料，宽度为250毫米，厚度为0.127毫米，抗拉强度为578MPa，导电率为70.4%IACS，硬度为180HV，断后伸长率为10%，表面粗糙度0.009微米，蚀刻侧面颗粒物突出0.009毫米，蚀刻后扭曲0.44毫米，侧弯0.033毫米，含铬0.23%wt，含锡0.22%wt，含锌0.15%wt，含硅0.017%wt，微量元素总量小于0.061%wt，余量为铜以及不可避免的杂质。
此案例采用流程为：配料、熔炼、半连续铸造、锯切 → 热轧、铣面 → 初轧、切边→ 初轧清洗 → 中间轧制 → 松卷、中间退火、中间清洗 → 成品轧制 → 成品退火、成品清洗 → 分剪/剪切、包装入库。
以成分质量分数配料。此案例使用6吨量熔炼炉，一炉配料为：紫铜铺底料300Kg，同品种角料4700Kg，电解铜1000Kg，CuCr10铜铬中间合金60Kg，锡4Kg，锌4Kg，以及可选的预制微量元素复合剂足量。某些元素，诸如锌等，在熔铸过程中会有烧损。经发明人试验，6吨炉情况下，按上述配料可保证烧损后相关元素在预期范围。可选的预制微量元素复合剂，只需要满足添加到熔体后可以把熔体微量元素调节到需求范围即可。
采用半连续铸造。先将同品种角料4700Kg加入6吨量熔炼炉。熔炼过程中，用石墨鳞片覆盖熔体，熔融铜液不可裸露。随后加入电解铜1000Kg。温度达到熔炼温度1200℃-1320℃时取样测试成分。使用惰性气体，此案例用氩气，除气22-33分钟，加入CuCr10铜铬中间合金60Kg，锡4Kg，锌4Kg，以及适量的可选预制微量元素复合剂，用石墨耙子对熔体进行搅拌。保温静置30分钟，取样测试成分合格后用烘干石墨粉严密覆盖后浇铸，浇铸前将炉口处烤红热。
以浇铸温度1150℃-1290℃、引拉速度40-70毫米/分钟、正常拉铸速度80-100毫米/分钟、冷却水流量50-100立方米/小时、结晶器振动频率40-60次/分钟的浇铸工艺浇铸，铸锭尺寸为190*630毫米。浇铸中，流槽用由CaCO3、CaF2及少量MgCO3等成分组成的覆盖剂覆盖，结晶器用黑碳粉覆盖。
以热轧温度925℃-965℃热轧，从190毫米热轧到12-13毫米，热轧加工率约为93%-94%，9道次，各道次加工率约为13%-45%。热轧带坯淋水冷却，固溶在热轧完成。铣面以去除氧化皮及各类缺陷。此案例热轧与铣面之间无把两卷热轧铜带焊接在一起以增加成材率的焊接工序。
切边，此案例保留620毫米的宽度。初轧（第一次冷轧）到1.5毫米，加工率约为85%，7道次，各道次加工率约为13%-31%。普通清洗后，中间轧制（第二次冷轧）到0.21毫米，加工率约为86%。此案例中间轧制（第二次冷轧）采用二十棍可逆轧机，5道次，道次分配为（单位：毫米）1.5→1.05→0.72→0.48→0.32→0.21。
松卷后，以400℃中间钟罩退火，分9小时升温过程和8小时保温过程，升温过程具体为：2小时升到250℃，保温4小时，最后3小时升到工艺温度400℃。在升温、保温阶段，氢气含量为70%-80%，氢气流量为8-20立方米/小时。在冷却阶段，氢气含量为70%-80%。出炉温度不应大于60℃。
中间清洗。为应对富Cr氧化层，采用大刷子压下电流、慢清洗速度、多对刷将富Cr氧化层研磨掉的清洗方式。不同设备的具体实现参数不同，此案例中间清洗采用的设备此种清洗方式具体实现为：以15-40米每分钟的速度清洗，刷子压下电流为15A-30A。
成品轧制（第三次冷轧）到0.127毫米，加工率约为40%。此案例成品轧制（第三次冷轧）采用二十棍可逆轧机，2道次，道次分配为（单位：毫米）0.21→0.145→0.127。
此案例中间轧制（第二次冷轧）和成品轧制（第三次冷轧）的总加工率约为92%。
成品轧制后成品退火。采用连续退火方式，退火温度为420℃，退火速度为14-26米每分钟。
成品清洗采用大刷子压下电流、慢清洗速度、多对刷将富Cr氧化层研磨掉的清洗方式。不同设备的具体实现参数不同，此案例成品清洗采用的设备此种清洗方式具体实现为：以10-35米每分钟的速度清洗，刷子压下电流为0.5A-3A。
测试合格，后续分剪等完成后包装入库。
实施例5
此案例达成的此种高精密蚀刻引线框架用铜合金材料，宽度为50毫米，厚度为0.15毫米，抗拉强度为630MPa，硬度为206HV，导电率为70%IACS，断后伸长率为6%，表面粗糙度0.011微米，蚀刻侧面颗粒物突出0.009毫米，蚀刻后扭曲0.44毫米，侧弯0.033毫米，含铬0.20%wt，含锡0.28%wt，含锌0.12%wt，含硅0.045%wt，微量元素总量小于0.055%wt，余量为铜以及不可避免的杂质。
制备工艺与实施例1相同，不同之处在于，其两次热处理温度取范围下限；具体地，其中间钟罩退火为380℃、9小时升温（即2小时升到240℃，保温4小时，然后3小时升到380℃）、8小时保温，其成品连续退火为380℃、14-26米每分钟。
实施例6
此案例达成的此种高精密蚀刻引线框架用铜合金材料，宽度为50毫米，厚度为0.15毫米，抗拉强度为625MPa，硬度为198HV，导电率为70.1%IACS，断后伸长率为6.5%，表面粗糙度0.010微米，蚀刻侧面颗粒物突出0.008毫米，蚀刻后扭曲0.42毫米，侧弯0.031毫米，含铬0.34%wt，含锡0.20%wt，含锌0.29%wt，含硅0.010%wt，微量元素总量小于0.057%wt，余量为铜以及不可避免的杂质。
制备工艺与实施例1相同，不同之处在于，其两次热处理温度取范围下限；具体地，其中间钟罩退火为380℃、9小时升温（即2小时升到240℃，保温4小时，然后3小时升到380℃）、8小时保温，其成品连续退火为380℃、14-26米每分钟。
对比例1
一种铜合金材料，与实施例2的区别在于不添加硅，含铬0.23%wt，含锡0.23%wt，含锌0.18%wt，微量元素总量小于0.050%wt，余量为铜以及不可避免的杂质。以相同的步骤制备，制品抗拉强度为522MPa，硬度为169HV，导电率为72.04%IACS，断后伸长率为9.5%，表面粗糙度0.11微米，蚀刻侧面颗粒物突出0.013毫米，蚀刻后扭曲0.52毫米，侧弯0.030毫米。此外，与发明材料相比，发明材料的冲裁性能更优，冲压出来的毛刺和铜粉更少，以毛刺数目计，平均相差10%-30%以上。
出于一致性考虑，各性能参数给出测试标准。粗糙度按照《GB/T 1031-2009 产品几何技术规范（GPS） 表面结构 轮廓法 表面粗糙度参数及其数值》评测；抗拉强度、断后伸长率按照《GB/T 228.1-2010 金属材料 拉伸试验 第1部分：室温试验方法》评测；硬度按照《GB/T 4340.1-2009 金属材料 维氏硬度试验 第1部分：试验方法》评测；导电率按照《GB/T351-1995 金属材料电阻系数测量方法》评测；蚀刻后扭曲、侧弯按照《GB/T 15877-2013 半导体集成电路 蚀刻型双列封装引线框架规范》、《GB/T 14112 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范》评测；蚀刻侧面颗粒物突出按照《GB/T 14112 半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范》评测。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种高精密蚀刻引线框架用铜合金材料，其特征在于，按质量百分比计包括：Cr0.18%-0.38%、Sn 0.18%-0.32%、Zn 0.12%-0.32%、Si 0.002%-0.05%，余量为Cu以及不可避免的杂质。
2.根据权利要求1所述的高精密蚀刻引线框架用铜合金材料，其特征在于，按质量百分比计包括：Cr 0.23%、Sn 0.23%、Zn 0.19%、Si 0.014%，余量为Cu以及不可避免的杂质。
3.根据权利要求1所述的高精密蚀刻引线框架用铜合金材料，其特征在于，按质量百分比计还包括0.001%-0.15%的微量元素；
所述微量元素包括B、Mg、Ti、Zr、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y或Sc中的至少一种。
4.权利要求1-3任一项所述高精密蚀刻引线框架用铜合金材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
按照质量百分比配料，然后依次进行熔炼、浇铸、热轧、第一次冷轧、第二次冷轧、第一次退火、第三次冷轧和第二次退火，制备得到高精密蚀刻引线框架用铜合金材料。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述熔炼的温度为1200℃-1320℃；
所述浇铸的工艺参数包括：浇铸的温度为1150℃-1290℃、引拉速度为40-70毫米/分钟、拉铸速度为80-100毫米/分钟、冷却水流量为50-100立方米/小时、结晶器振动频率为40-60次/分钟。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，熔炼过程中，用石墨鳞片覆盖剂覆盖；
熔炼过程中，成分合格后用石墨粉覆盖剂覆盖后浇铸；
浇铸过程中，流槽用主要由CaCO3、CaF2和MgCO3组成的覆盖剂覆盖；
浇铸过程中，结晶器用黑碳粉覆盖剂覆盖。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述热轧的温度为925℃-965℃，热轧带坯淋水冷却；
所述热轧的加工率为85%-95%，每道次加工率各自独立的为13%-45%。
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一次冷轧的加工率为80%-90%，每道次加工率各自独立的为13%-31%；
所述第二次冷轧和第三次冷轧的总加工率为85%-95%；
所述第二次冷轧的每道次加工率各自独立的为24%-34%，所述第三次冷轧的每道次加工率各自独立的为10%-35%。
9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一次退火为钟罩退火；
所述钟罩退火包括：1.5-2.5小时升到240℃-260℃，保温3.5-4.5小时，然后2.5-3.5小时升到380℃-480℃，保温7-9小时；
所述第二次退火为连续退火，所述第二次退火的温度为380℃-480℃，所述第二次退火的速度为14-26米/分钟。
10.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一次退火后，采用清洗设备去除富铬氧化层及油污，清洗速度为15-40米/分钟，刷子压下电流为15A-30A；
所述第二次退火后，采用清洗设备去除富铬氧化层及油污，清洗速度为10-35米/分钟，刷子压下电流为0.5A-3A。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006307340A (ja) * 2005-03-31 2006-11-09 Nikko Kinzoku Kk 曲げ加工性に優れるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金条
JP2013194246A (ja) * 2012-03-15 2013-09-30 Mitsubishi Shindoh Co Ltd 残留応力の少ないリードフレーム用Ｃｕ−Ｃｒ−Ｓｎ系銅合金板
CN114196850A (zh) * 2021-12-22 2022-03-18 宁波兴业盛泰集团有限公司 一种引线框架用低残余应力铜合金及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006307340A (ja) * 2005-03-31 2006-11-09 Nikko Kinzoku Kk 曲げ加工性に優れるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金条
JP2013194246A (ja) * 2012-03-15 2013-09-30 Mitsubishi Shindoh Co Ltd 残留応力の少ないリードフレーム用Ｃｕ−Ｃｒ−Ｓｎ系銅合金板
CN114196850A (zh) * 2021-12-22 2022-03-18 宁波兴业盛泰集团有限公司 一种引线框架用低残余应力铜合金及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
杨守山: "《金属压力加工特殊方法》", 31 December 1983 *

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