CN115345230A - 三相电表的单相电路异常识别方法、识别***及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种三相电表的单相电路异常识别方法、识别***及存储介质。所述识别方法包括:执行校准项目,获得所述校准项目的校准参数数组;其中,所述校准项目包括需要校准的三相独立参数;将所述校准参数数组根据预设异常相偏离程度算法确定偏离相和偏离程度;根据所述偏离相和偏离程度对电表进行异常识别。从而可以及时发现三相电表的传感链路出现的电路器件异常,使所述三相电表可以在全计量域满足计量精度等要求。
Description
技术领域
本发明涉及汽车安全驾驶领域,尤其涉及一种三相电表的单相电路异常识别方法、识别***及存储介质。
背景技术
电能表是目前电力***中不可缺少的模块。电能表生产过程中所涉及到的校准一直是一个重要的课题。电能表一般是具有一定的误差,之所以有误差,主要因为电能表中的器件参数有细微不同导致,但是电能表的器件都是有比较严格的而精度和公差要求的,因此,三相电表的计量校准参数会比较接近,如果出现某一项的器件异常,可能校准完成后,虽然在一些计量区间正常,但是无法在全计量域满足计量精度等要求。
目前,市面上的大多数电子三相电表,对于单相电路异常(所述单相电路异常是指在三相计量***中,如果任意一项出现因为器件参数不达标等问题,导致的其中一相的计量表现异常于其它两相),没有针对此单相电路异常问题的检测和报警,使用中如果电表设计或接线有单相电路异常,可能虽然在一些计量区间正常,但是无法在全计量域满足计量精度等要求。
发明内容
本发明实施例旨在提供一种三相电表的单相电路异常识别方法、识别***及存储介质,可以解决现有的三相电表由于无法检测单相电路异常而导致三相电表无法在全计量域满足计量精度等要求的问题。
为解决上述技术问题,本发明第一方面实施例提供一种三相电表的单相电路异常识别方法,所述识别方法包括:
执行校准项目,获得所述校准项目的校准参数数组;
将所述校准参数数组根据预设异常相偏离程度算法确定偏离相和偏离程度;
根据所述偏离相和偏离程度对电表进行异常识别。
可选地,在所述执行校准项目,获得所述校准项目的校准参数数组的步骤之前,所述识别方法还包括:将校表分为若干个校准项目,每个校准项目包括需要校准的三相独立参数。
可选地,所述将校表分为若干个校准项目的步骤包括:将校表的校准项目分为电压校准项目、电流校准项目、相位校准项目和零偏校准项目。
可选地,所述预设异常相偏离程度算法包括:
计算三相数组中所有元素的第一平均值;
计算三相数组中各个元素与所述第一平均值的差值绝对值;
确定差值绝对值最大对应的元素所对应的相是偏离程度最大的相;
计算出三相数组中除差值绝对值最大对应的元素之外的其它两项元素的第二平均值;
使用预设公式计算出三相数组中除差值绝对值最大对应的元素之外的其它两项元素的异常相偏离程度。
可选地,所述预设公式为:
其中,Y为三相数组中除差值绝对值最大对应的元素之外的其它两项元素的异常相偏离程度,ax为三相数组中除差值绝对值最大对应的元素之外的其它两项元素中的一个元素,P1为第二平均值。
可选地,在所述根据所述偏离相和偏离程度对电表进行异常识别的步骤之前,所述识别方法还包括:预先存储警告阈值和故障阈值。
可选地,所述根据所述偏离相和偏离程度对电表进行异常识别的步骤包括:将所述偏离程度分别和预先存储的警告阈值和故障阈值进行比较,并根据比较结果对电表进行异常识别。
可选地,所述根据比较结果对电表进行异常识别的步骤包括:
如果所述比较结果是偏离程度大于等于所述故障阈值,则停止校准并且报故障,并将故障信息反馈给校表台,以便校表台记录异常;
如果所述比较结果是偏离程度大于等于所述告警阈值,则继续校准,并将告警信息反馈给校表台,以便校表台记录异常;
如果所述比较结果是偏离程度小于所述告警阈值,则馈给校表台正常校准答复。
相应地,本发明第二方面实施例提供一种三相电表的单相电路异常识别***,包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述计算机程序被所述处理器执行时本发明第一方面实施例所述的三相电表的单相电路异常识别方法的程序的步骤。
相应地,本发明第三方面实施例提供一种计算机存储介质,所述计算机存储介质上存储有一种三相电表的单相电路异常识别方法的程序,所述的三相电表的单相电路异常识别方法的程序被处理器执行时实现本发明第一方面实施例所述的三相电表的单相电路异常识别方法的步骤。
与现有技术相比较,本发明实施例提供的一种三相电表的单相电路异常识别方法、识别***及存储介质,通过提供一种三相电表的单相电路异常识别方法,所述识别方法包括执行校准项目,获得所述校准项目的校准参数数组;将所述校准参数数组根据预设异常相偏离程度算法确定偏离相和偏离程度;根据所述偏离相和偏离程度对电表进行异常识别。从而可以及时发现三相电表的传感链路出现的电路器件异常,使所述三相电表可以在全计量域满足计量精度等要求。从而可以解决现有的三相电表由于无法检测单相电路异常而导致三相电表无法在全计量域满足计量精度等要求的问题。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明,这些示例性说明并不构成对实施例的限定,附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件,除非有特别申明,附图中的图不构成比例限制。
图1是本发明提供的一种三相电表的单相电路异常识别方法的流程示意图;
图2是本发明提供的一种三相电表的单相电路异常识别方法应用于电压异常识别的流程示意图;
图3是本发明提供的一种三相电表的单相电路异常识别方法应用于电流异常识别的流程示意图;
图4是本发明提供的一种三相电表的单相电路异常识别方法应用于相位异常识别的流程示意图;
图5是本发明提供的一种三相电表的单相电路异常识别***的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面结合附图和具体实施例,对本发明进行更详细的说明。需要说明的是,当元件被表述“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。当一个元件被表述“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。本说明书所使用的术语“上”、“下”、“内”、“外”、“底部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”“第三”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
除非另有定义,本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本说明书中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是用于限制本发明。本说明书所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
此外,下面所描述的本发明不同实施例中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
在一个实施例中,如图1所示,本发明提供一种三相电表的单相电路异常识别方法,所述识别方法包括:
S1、执行校准项目,获得所述校准项目的校准参数数组;其中,所述校准项目包括需要校准的三相独立参数;
S2、将所述校准参数数组根据预设异常相偏离程度算法确定偏离相和偏离程度;
S3、根据所述偏离相和偏离程度对电表进行异常识别。
在本实施例中,通过提供一种三相电表的单相电路异常识别方法,所述识别方法包括执行校准项目,获得所述校准项目的校准参数数组;其中,所述校准项目包括需要校准的三相独立参数;将所述校准参数数组根据预设异常相偏离程度算法确定偏离相和偏离程度;根据所述偏离相和偏离程度对电表进行异常识别。从而可以及时发现三相电表的传感链路出现的电路器件异常,使所述三相电表可以在全计量域满足计量精度等要求。从而可以解决现有的三相电表由于无法检测单相电路异常而导致三相电表无法在全计量域满足计量精度等要求的问题。
在一个实施例中,在所述步骤S1之前,所述识别方法还包括:将校表分为若干个校准项目,每个校准项目包括需要校准的三相独立参数;其中,所述三相独立参数包括至少以下参数:电压、电流、相位。
作为示例性,将校表的校准项目分为电压校准项目、电流校准项目、相位校准项目和零偏校准项目,每个校准项目包括需要校准的三相独立参数。
在一个实施例中,所述步骤S2中,所述将所述校准参数数组根据预设异常相偏离程度算法确定偏离相和偏离程度。
所述预设异常相偏离程度算法的目的为找出三相数组中偏离最大的一个相数据,以及偏离程度。其中,所述三相数组为{a1,a2,a3}。所述偏离的定义为一个点距离其余点的距离之和。
所述预设异常相偏离程度算法包括:
1、计算三相数组中所有元素的第一平均值P;
2、计算三相数组中各个元素与所述第一平均值P的差值绝对值Δ1、Δ2、Δ3;
3、确定差值绝对值最大对应的元素所对应的相是偏离程度最大的相Phmax;
4、计算出三相数组中除差值绝对值最大对应的元素之外的其它两项元素的第二平均值P1;
5、根据以下预设公式(1)计算出三相数组中除差值绝对值最大对应的元素之外的其它两项元素的异常相偏离程度Y:
其中,ax为所述三相数组为{a1,a2,a3}中除差值绝对值最大对应的元素之外的其它两项元素中的一个元素。
在本实施例中,通过所述预设异常相偏离程度算法,使所述校准参数数组可以根据预设异常相偏离程度算法确定偏离相和偏离程度,从而可以及时发现三相电表的传感链路出现的电路器件异常,使所述三相电表可以在全计量域满足计量精度等要求。
在一个实施例中,在所述步骤S3之前,所述识别方法还包括:预先存储警告阈值和故障阈值。
可选地,所述预先存储警告阈值和故障阈值的步骤可以在所述步骤S1之前、所述步骤S2之前,或者在所述步骤S1和步骤S2之间。
所述步骤S3中,所述根据所述偏离相和偏离程度对电表进行异常识别,包括:
将所述偏离程度分别和预先存储的警告阈值和故障阈值进行比较,并根据比较结果对电表进行异常识别;具体包括:
如果所述比较结果是偏离程度大于等于所述故障阈值,则停止校准并且报故障,并将故障信息反馈给校表台,以便校表台记录异常,停止执行校表;此时,告警信号灯将会闪烁。
如果所述比较结果是偏离程度大于等于所述告警阈值,则继续校准,并将告警信息反馈给校表台,以便校表台记录异常;
如果所述比较结果是偏离程度小于所述告警阈值,则反馈给校表台正常校准答复,继续按照以上方法执行其它校准项目。
在本实施例中,通过将所述偏离程度分别和预先存储的警告阈值和故障阈值进行比较,并在偏离程度大于所述故障阈值时则停止校准并且报故障,同时将故障信息反馈给校表台,在偏离程度大于所述告警阈值时将告警信息反馈给校表台,从而可以及时发现三相电表的传感链路出现的电路器件异常并给出告警提示,使所述三相电表可以在全计量域满足计量精度等要求。
为了便于理解本发明的以上发明构思,下面结合附图和具体实施例,对本发明的以上发明构思进行更详细的说明。
如图2所示,本发明实施例提供一种三相电表的单相电路异常识别方法,具体地,所述识别方法用于三相电表的单相电路的电压异常识别;所述识别方法包括:
S401、校表台对电表执行电压校准。
校表开始,校表台的上位机向下位机发送电压校准命令,控制校准源的输出模块以电压V=220V三相均衡输出。
S402、电表维护电压校准项目的校准参数数组,所述校准参数数组存储本次电压校准的对应参数:Para_V[3](电压校准参数数组)。
在本实施例中,电表根据校准命令和实际检测电压,完成三相电压增益校准,同时将电压校准参数写入校准参数数组Para_V[3]中,为Para_V[2700,3000,2900]。
S403、将所述校准参数数组根据预设异常相偏离程度算法确定偏离相和偏离程度。
在本实施例中,将Para_V代入上述预设异常相偏离程度算法中,得出异常相为1,偏离程度为0.0847。
S404、将所述偏离程度分别和预先存储的警告阈值和故障阈值进行比较,并根据比较结果对电表进行异常识别,报告电表单相电路异常故障或警告。
具体包括:
如果所述比较结果是偏离程度大于等于所述故障阈值,则报告电表单相电路异常故障:停止校准并且报故障,将故障信息反馈给校表台,校表台记录异常,停止执行校表,告警信号灯闪烁。
如果所述比较结果是偏离程度大于等于所述告警阈值,则报告电表单相电路异常警告:将警告信息反馈给校表台,继续校准,校表台记录异常。
如果所述比较结果是偏离程度小于所述告警阈值,则电表反馈给校表台正常校准答复,继续按照以上方法执行其它校准项目。
在本实施例中,预先存储的警告阈值为0.1,故障阈值为0.2,根据预设异常相偏离程度算法计算出本次校准的偏离程度为0.0847。则偏离程度小于所述告警阈值,则电表反馈给校表台正常校准答复。
如图3所示,本发明实施例提供一种三相电表的单相电路异常识别方法,具体地,所述识别方法用于三相电表的单相电路的电流异常识别;所述识别方法包括:
S501、校表台对电表执行电流校准。
校表开始,校表台的上位机向下位机发送电流校准命令,控制校准源的输出模块以电流I=20A三相均衡输出。
S502、电表维护电流校准项目的校准参数数组,所述校准参数数组存储本次电流校准的对应参数:Para_I[3](电流校准参数数组)。
在本实施例中,电表根据校准命令和实际检测电流,完成三相电流增益校准,同时将电流校准参数写入校准参数数组Para_I[3]中,为Para_I[2500,3000,2900]。
S503、将所述校准参数数组根据预设异常相偏离程度算法确定偏离相和偏离程度。
在本实施例中,将Para_I代入上述预设异常相偏离程度算法中,得出异常相为1,偏离程度为0.1525。
S504、将所述偏离程度分别和预先存储的警告阈值和故障阈值进行比较,并根据比较结果对电表进行异常识别,报告电表单相电路异常故障或警告。
具体包括:
如果所述比较结果是偏离程度大于等于所述故障阈值,则报告电表单相电路异常故障:停止校准并且报故障,将故障信息反馈给校表台,校表台记录异常,停止执行校表,告警信号灯闪烁。
如果所述比较结果是偏离程度大于等于所述告警阈值,则报告电表单相电路异常警告:将警告信息反馈给校表台,继续校准,校表台记录异常。
如果所述比较结果是偏离程度小于所述告警阈值,则电表反馈给校表台正常校准答复,继续按照以上方法执行其它校准项目。
在本实施例中,预先存储的警告阈值为0.1,故障阈值为0.2,根据预设异常相偏离程度算法计算出本次校准的偏离程度为0.1525。则偏离程度大于所述告警阈值,小于故障阈值,则电表判断出异常为警告,将警告信息以及相关数据返回校准台,校准台记录异常和相关数据。
如图4所示,本发明实施例提供一种三相电表的单相电路异常识别方法,具体地,所述识别方法用于三相电表的单相电路的相位异常识别;所述识别方法包括:
S601、校表台对电表执行相位校准。
校表开始,校表台的上位机向下位机发送相位校准命令,控制校准源的输出模块以相位Phase=60°三相均衡输出。
S602、电表维护相位校准项目的校准参数数组,所述校准参数数组存储本次相位校准的对应参数:Para_Phase[3](相位校准参数数组)。
在本实施例中,电表根据校准命令和实际检测相位,完成三相相位校准,同时将相位校准参数写入校准参数数组Para_Phase[3]中,为Para_Phase[3000,2000,2900]。
S603、将所述校准参数数组根据预设异常相偏离程度算法确定偏离相和偏离程度。
在本实施例中,将Para_Phase代入上述预设异常相偏离程度算法中,得出异常相为2,偏离程度为0.3220。
S604、将所述偏离程度分别和预先存储的警告阈值和故障阈值进行比较,并根据比较结果对电表进行异常识别,报告电表单相电路异常故障或警告。
具体包括:
如果所述比较结果是偏离程度大于等于所述故障阈值,则报告电表单相电路异常故障:停止校准并且报故障,将故障信息反馈给校表台,校表台记录异常,停止执行校表,告警信号灯闪烁。
如果所述比较结果是偏离程度大于等于所述告警阈值,则报告电表单相电路异常警告:将警告信息反馈给校表台,继续校准,校表台记录异常。
如果所述比较结果是偏离程度小于所述告警阈值,则电表反馈给校表台正常校准答复,继续按照以上方法执行其它校准项目。
在本实施例中,预先存储的警告阈值为0.2,故障阈值为0.3,根据预设异常相偏离程度算法计算出本次校准的偏离程度为0.3220。则偏离程度大于故障阈值,则电表判断出异常为故障,电表报故障,停止校准,同时将故障信息以及相关数据返回校准台,校准台记录异常和相关数据。
基于同一构思,在一个实施例中,如图5所示,本发明提供一种三相电表的单相电路异常识别***,所述识别***900包括:存储器902、处理器901及存储在所述存储器902中并可在所述处理器901上运行的一个或者多个计算机程序,所述存储器902和所述处理器901通过总线***903耦合在一起,所述一个或者多个计算机程序被所述处理器901执行时以实现本发明实施例提供的一种三相电表的单相电路异常识别方法的以下步骤:
S1、执行校准项目,获得所述校准项目的校准参数数组;其中,所述校准项目包括需要校准的三相独立参数;
S2、将所述校准参数数组根据预设异常相偏离程度算法确定偏离相和偏离程度;
S3、根据所述偏离相和偏离程度对电表进行异常识别。
上述本发明实施例揭示的方法可以应用于所述处理器901中,或者由所述处理器901实现。所述处理器901可能是一种集成电路芯片,具有信号处理能力。在实现过程中,上述方法的各步骤可以通过所述处理器901中的硬件的集成逻辑电路或软件形式的指令完成。所述处理器901可以是通用处理器、DSP、或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。所述处理器901可以实现或者执行本发明实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者任何常规的处理器等。结合本发明实施例所公开的方法的步骤,可以直接体现为硬件译码处理器执行完成,或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于存储介质中,该存储介质位于存储器902,所述处理器901读取存储器902中的信息,结合其硬件完成前述方法的步骤。
可以理解,本发明实施例的存储器902可以是易失性存储器或者非易失性存储器,也可以包括易失性和非易失性存储器两者。其中,非易失性存储器可以是只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、可编程只读存储器(PROM,Programmable Read-Only Memory)、可擦除可编程只读存储器(EPROM,Erasable Read-Only Memory)、电可擦除只读存储器(EEPROM,Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)、磁性随机存取存储器(FRAM,Ferromagnetic Random Access Memory)、闪存(Flash Memory)或其他存储器技术、光盘只读存储器(CD-ROM,Compact Disk Read-Only Memory)、数字多功能盘(DVD,Digital VideoDisk)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置;易失性存储器可以是随机存取存储器(RAM,Random Access Memory),通过示例性但不是限制性说明,许多形式的RAM可用,例如静态随机存取存储器(SRAM,Static Random Access Memory)、静态随机存取存储器(SSRAM,Synchronous Static Random Access Memory)、动态随机存取存储器(DRAM,Dynamic Random Access Memory)、同步动态随机存取存储器(SDRAM,SynchronousDynamic Random Access Memory)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDRSDRAM,Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)、增强型同步动态随机存取存储器(ESDRAM,Enhanced Synchronous Dynamic Random Access Memory)、同步连接动态随机存取存储器(SLDRAM,SyncLink Dynamic Random Access Memory)、直接内存总线随机存取存储器(DRRAM,Direct Rambus Random Access Memory)。本发明实施例描述的存储器旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。
需要说明的是,上述识别***实施例与方法实施例属于同一构思,其具体实现过程详见方法实施例,且方法实施例中的技术特征在所述识别***实施例中均对应适用,这里不再赘述。
另外,在示例性实施例中,本发明实施例还提供一种计算机存储介质,具体为计算机可读存储介质,例如包括存储计算机程序的存储器902,所述计算机存储介质上存储有一种三相电表的单相电路异常识别方法的一个或者多个程序,所述三相电表的单相电路异常识别方法的一个或者多个程序被处理器901执行时以实现本发明实施例提供的一种三相电表的单相电路异常识别方法的以下步骤:
S1、执行校准项目,获得所述校准项目的校准参数数组;其中,所述校准项目包括需要校准的三相独立参数;
S2、将所述校准参数数组根据预设异常相偏离程度算法确定偏离相和偏离程度;
S3、根据所述偏离相和偏离程度对电表进行异常识别。
需要说明的是,上述计算机可读存储介质上的一种三相电表的单相电路异常识别方法实施例与方法实施例属于同一构思,其具体实现过程详见方法实施例,且方法实施例中的技术特征在上述计算机可读存储介质的实施例中均对应适用,这里不再赘述。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;在本发明的思路下,以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合,步骤可以以任意顺序实现,并存在如上所述的本发明的不同方面的许多其它变化,为了简明,它们没有在细节中提供;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种三相电表的单相电路异常识别方法,其特征在于,所述识别方法包括:
执行校准项目,获得所述校准项目的校准参数数组;
将所述校准参数数组根据预设异常相偏离程度算法确定偏离相和偏离程度;
根据所述偏离相和偏离程度对电表进行异常识别。
2.根据权利要求1所述的识别方法,其特征在于,在所述执行校准项目,获得所述校准项目的校准参数数组的步骤之前,所述识别方法还包括:将校表分为若干个校准项目,每个校准项目包括需要校准的三相独立参数。
3.根据权利要求2所述的识别方法,其特征在于,所述将校表分为若干个校准项目的步骤包括:将校表的校准项目分为电压校准项目、电流校准项目、相位校准项目和零偏校准项目。
4.根据权利要求1所述的识别方法,其特征在于,所述预设异常相偏离程度算法包括:
计算三相数组中所有元素的第一平均值;
计算三相数组中各个元素与所述第一平均值的差值绝对值;
确定差值绝对值最大对应的元素所对应的相是偏离程度最大的相;
计算出三相数组中除差值绝对值最大对应的元素之外的其它两项元素的第二平均值;
使用预设公式计算出三相数组中除差值绝对值最大对应的元素之外的其它两项元素的异常相偏离程度。
6.根据权利要求1所述的识别方法,其特征在于,在所述根据所述偏离相和偏离程度对电表进行异常识别的步骤之前,所述识别方法还包括:预先存储警告阈值和故障阈值。
7.根据权利要求6所述的识别方法,其特征在于,所述根据所述偏离相和偏离程度对电表进行异常识别的步骤包括:将所述偏离程度分别和预先存储的警告阈值和故障阈值进行比较,并根据比较结果对电表进行异常识别。
8.根据权利要求7所述的识别方法,其特征在于,所述根据比较结果对电表进行异常识别的步骤包括:
如果所述比较结果是偏离程度大于等于所述故障阈值,则停止校准并且报故障,并将故障信息反馈给校表台,以便校表台记录异常;
如果所述比较结果是偏离程度大于等于所述告警阈值,则继续校准,并将告警信息反馈给校表台,以便校表台记录异常;
如果所述比较结果是偏离程度小于所述告警阈值,则馈给校表台正常校准答复。
9.一种三相电表的单相电路异常识别***,其特征在于,包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至8中任一项所述的三相电表的单相电路异常识别方法的步骤。
10.一种计算机存储介质,其特征在于,所述计算机存储介质上存储有一种三相电表的单相电路异常识别方法的程序,所述三相电表的单相电路异常识别方法的程序被处理器执行时实现如权利要求1至8中任一项所述的三相电表的单相电路异常识别方法的步骤。
Priority Applications (1)
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CN202210965407.2A CN115345230A (zh) | 2022-08-12 | 2022-08-12 | 三相电表的单相电路异常识别方法、识别***及存储介质 |
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2022
- 2022-08-12 CN CN202210965407.2A patent/CN115345230A/zh active Pending
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CN115587287A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-01-10 | 石家庄科林电气股份有限公司 | 一种电能表的隐患排查方法、装置及电能表 |
CN115587287B (zh) * | 2022-11-24 | 2023-03-10 | 石家庄科林电气股份有限公司 | 一种电能表的隐患排查方法、装置及电能表 |
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