CN115332792A - 天线结构及电子设备 - Google Patents

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CN115332792A CN202110513133.9A CN202110513133A CN115332792A CN 115332792 A CN115332792 A CN 115332792A CN 202110513133 A CN202110513133 A CN 202110513133A CN 115332792 A CN115332792 A CN 115332792A
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Abstract

本申请提供一种电子设备,包括第一天线辐射体、第二天线辐射体、第一馈源及第二馈源,第一天线辐射体包括第一馈电点、第一接地点,第二天线辐射体包括第二馈电点、第二接地点,第一接地点与第二接地点相邻设置,第一馈电点设置于第一接地点远离第二接地点的一侧,第二馈电点设置于第二接地点的远离第一接地点的一侧。第一、第二馈源分别与第一、第二馈电点电连接,分别为第一、第二天线辐射体提供馈电信号,第一、第二接地点均接地。其中,第一天线辐射体还包括第三接地点以及接地元件,第三接地点设置于第一馈电点与第一接地点之间,接地元件连接于第三接地点与地之间。还提供一种天线结构。本申请可提高天线辐射体之间的隔离度,提高天线性能。

Description

天线结构及电子设备
技术领域
本发明涉及无线通信领域,具体涉及一种用于无线通信的天线结构以及具有所述天线结构的电子设备。
背景技术
目前,5G通信已经逐渐普及,随着5G通信频段的增加,天线辐射体的数量相比于4GLTE更多。而同时,全面屏、曲面屏等目前已经成为主流,由于全面屏、曲面屏等设计需求,导致净空区域和空间越来越小,也导致了部分天线辐射体的回地位置靠得很近,导致天线辐射体隔离度降低,造成天线辐射体间的干扰,影响天线辐射体性能。
发明内容
本申请实施例提供了一种天线结构及电子设备,以解决上述问题。
一方面,提供一种电子设备,所述电子设备包括第一天线辐射体、第二天线辐射体、第一馈源以及第二馈源,所述第一天线辐射体包括第一馈电点、第一接地点,所述第二天线辐射体包括第二馈电点、第二接地点,所述第一接地点与所述第二接地点相邻设置,所述第一馈电点设置于所述第一接地点远离所述第二接地点的一侧,所述第二馈电点设置于所述第二接地点的远离所述第一接地点的一侧;所述第一馈源与所述第一天线辐射体的第一馈电点电连接,用于通过所述第一馈电点为所述第一天线辐射体提供馈电信号,所述第二馈源与所述第二天线辐射体的第二馈电点电连接,用于通过所述第二馈电点为所述第二天线辐射体提供馈电信号,其中,所述第一接地点、第二接地点均接地;其中,所述第一天线辐射体还包括第三接地点以及接地元件,所述第三接地点设置于所述第一馈电点与所述第一接地点之间,所述接地元件连接于所述第三接地点与地之间。
另一方面,还提供一种天线结构,所述天线结构包括第一天线辐射体、第二天线辐射体,所述第一天线辐射体包括第一馈电点、第一接地点,所述第二天线辐射体包括第二馈电点、第二接地点,所述第一接地点与所述第二接地点相邻设置,所述第一馈电点设置于所述第一接地点远离所述第二接地点的一侧,所述第二馈电点设置于所述第二接地点的远离所述第一接地点的一侧;其中,所述第一天线辐射体还包括第三接地点以及接地元件,所述第三接地点设置于所述第一馈电点与所述第一接地点之间,所述接地元件连接于所述第三接地点与地之间。
本申请通过在所述第一馈电点与所述第一接地点之间增加所述第三接地点以及接地元件进行接地,改变了第一天线辐射体的回地位置,使得第一天线辐射体与第二天线辐射体之间的回地位置的间距增大,提高了所述第一天线辐射体与第二天线辐射体之间的隔离度,减少所述第一天线辐射体与第二天线辐射体之间的干扰,提高了天线辐射体性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的变形方式。
图1为本申请一实施例中的电子设备的原理示意图。
图2为本申请一实施例中的电子设备的平面示意图。
图3为本申请一实施例中的电子设备的第二天线辐射体与所述第一天线辐射体工作在第一频段时的电流分布的示意图。
图4为本申请一实施例中的电子设备的接地元件的示意图。
图5为本申请一实施例中的电子设备的接地元件的第一具体示例图。
图6为本申请一实施例中的电子设备的接地元件的第二具体示例图。
图7为本申请一实施例中的电子设备的示意出部分元件的功能模块图。
图8为本申请中一实施方式中第一天线辐射体和第二天线辐射体工作在第一频段时的隔离度示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“厚度”、“宽度”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是暗示或指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
请一并参阅图1及图2,图1为本申请一实施例中的电子设备的原理示意图,图2为本申请一实施例中的电子设备100的平面示意图。如图1及图2所示,所述电子设备100包括天线结构200,所述天线结构200包括第一天线辐射体10以及第二天线辐射体20,所述第一天线辐射体10包括第一馈电点11、第一接地点12,所述第二天线辐射体20包括第二馈电点21、第二接地点22,所述第一接地点12与所述第二接地点22相邻设置,所述第一馈电点11设置于所述第一接地点12远离所述第二接地点22的一侧,所述第二馈电点21设置于所述第二接地点22的远离所述第一接地点12的一侧。
其中,所述第一天线辐射体10还包括第三接地点13以及接地元件14,所述第三接地点13设置于所述第一馈电点11与所述第一接地点12之间,所述接地元件14连接于所述第三接地点13与地之间。
如图1及图2所示,所述电子设备100还包括第一馈源30以及第二馈源40,所述第一馈源30与所述第一天线辐射体10的第一馈电点11电连接,用于通过所述第一馈电点11为所述第一天线辐射体10提供馈电信号,所述第二馈源40与所述第二天线辐射体20的第二馈电点21电连接,用于通过所述第二馈电点21为所述第二天线辐射体20提供馈电信号,其中,所述第一接地点、第二接地点均接地。
从而,本申请中,通过在所述第一馈电点11与所述第一接地点12之间增加所述第三接地点13以及接地元件14进行接地,改变了第一天线辐射体10的回地位置,使得第一天线辐射体10与第二天线辐射体20之间的回地位置的间距增大,提高了所述第一天线辐射体10与第二天线辐射体20之间的隔离度,减少所述第一天线辐射体10与第二天线辐射体20之间的干扰,提高了天线辐射体性能。
其中,所述第一馈源30提供的馈电信号通过第一馈电点11馈入后,原本经过第一接地点12回地,而所述第二馈源40提供的馈电信号通过第二馈电点21馈入后,经过第二接地点22回地,由于5G通信所需天线辐射体较多,天线辐射体布局较为紧凑,所述第一天线辐射体10的第一接地点12和所述第二天线辐射体20的第二接地点22将较为靠近,而导致所述第一天线辐射体10和所述第二天线辐射体20的形成回地干扰。本申请中,通过在所述第一馈电点11与所述第一接地点21之间增加所述第三接地点13以及接地元件,所述第三接地点13相比所述第一接地点12更远离所述第二接地点22,从而,使得第一天线辐射体10与第二天线辐射体20之间的回地位置的间距增大,提高了所述第一天线辐射体10与第二天线辐射体20之间的隔离度。其中,所述第一馈源30提供的馈电信号与所述第二馈源40提供的馈电信号即为所述第一馈源30与所述第二馈源40产生的馈电电流。
其中,所述第一天线辐射体10和所述第二天线辐射体20均支持第一频段,所述第三接地点13通过所述接地元件14接地后,至少用于提高所述第一天线辐射体10和所述第二天线辐射体20均工作在第一频段时的隔离度,即,提高均工作在第一频段的第一天线辐射体10和第二天线辐射体20之间的隔离度。
如图1及图2所示,所述第一天线辐射体10还包括第四接地点15,所述第四接地点15设置于所述第一馈电点11的远离所述第一接地点12的一侧。其中,所述第一天线辐射体10还支持第二频段,其中,所述第一馈电点11至所述第三接地点13以及接地元件14形成的电流路径用于支持所述第一频段的射频信号的收发,所述第一馈电点11分别至所述第一接地点12以及所述第四接地点15形成的两路电流路径用于支持第二频段的射频信号的收发。即,从所述第一馈电点11接收的馈电信号通过所述第三接地点13以及接地元件14回地,而使得所述第一天线辐射体10谐振在第一频段,而支持所述第一频段的射频信号的收发。从所述第一馈电点11接收的馈电信号还分别通过所述第一接地点12以及所述第四接地点15回地,而使得所述第一天线辐射体10谐振在第二频段,支持第二频段的射频信号的收发。其中,在第二频段下,从所述第一馈电点11接收的馈电信号/馈电电流主要通过第一接地点12以及所述第四接地点15回地,至少部分通过所述第三接地点13以及接地元件14回地,而实现对所述第二频段的调谐/微调。
本申请中,所述第一频段为5G N78频段(5G NSA通信制式下的N78频段),所述第二频段为MHB(中高频,Middle high band)频段。显然,在其他实施例中,所述第一频段和第二频段可为其他频段。
其中,所述第二天线辐射体20与所述第一天线辐射体10支持的频段可以相同,即,所述第二天线辐射体20也可还支持第二频段而同时支持第一频段和第二频段,即,支持MHB频段和5G N78频段。其中,所述第二馈电点21至所述第二接地点22的电流路径用于实现所述第一频段和第二频段的射频信号的收发,即,从所述第二馈电点21接收的馈电信号通过所述第二接地点22回地,使得所述第二天线辐射体20同时谐振在所述第一频段和第二频段,而同时实现所述第一频段和第二频段的射频信号的收发。
其中,本申请中,提高所述第一天线辐射体10与第二天线辐射体20之间的隔离度,具体是指提高了第一天线辐射体10与第二天线辐射体20同时工作在第一频段,例如5G N78频段时的隔离度。
其中,所述第一接地点11、所述第二接地点12以及所述第四接地点15可通过导线、FPC、金属弹片等电连接件接地。
请参阅图3,为所述电子设备100的第二天线辐射体10与所述第一天线辐射体10工作在第一频段时的电流分布的示意图。其中,所述第一频段,即5G N78频段的射频信号的收发,主要是通过从所述第一馈电点到所述第三接地点13以及接地元件14回地的馈电路径实现的,即,此时馈电信号/馈电电流为从所述第一馈电点11传输至所述第三接地点13以及接地元件14而回地,而所述第二天线辐射体10的馈电信号/馈电电流为从所述第二馈电点21传输至第二接地点22而回地。而由于第三接地点13相比所述第一接地点12距离所述第二天线辐射体20的第二接地点22较远,因此,当第一天线辐射体10与第二天线辐射体20同时工作在所述5G N78频段时,第一天线辐射体10与第二天线辐射体20之间的回地位置的间距相对增大,提高了所述第一天线辐射体10与第二天线辐射体20之间的隔离度。
其中,如图1及图2所示,所述第一天线辐射体10的第一馈电点11与所述第三接地点13之间具有缝隙51,所述第三接地点13具体为位于所述缝隙51与所述第一接地点12之间。所述第一天线辐射体10的第一馈电点11接收的馈电信号为通过耦合馈电的方式耦合传输至所述第三接地点13和/或第一接地点11。
在一些实施例中,如图2所示,所述电子设备100包括金属边框50,其中,所述金属边框50开设有至少一个缝隙51,而将所述金属边框50分隔成至少一个边框段52。
其中,图2中仅示意出了金属边框50的一部分,其中,如图1及图2所示,所述至少一个边框段52至少包括通过缝隙51分隔成的第一边框段52a以及第二边框段52b。所述第一天线辐射体10的所述第一馈电点11设置于所述第一边框段52a的靠近所述第二边框段52b的位置,所述第一天线辐射体10的所述第一接地点12以及第三接地点13设置于所述第二边框段52b的靠近所述第一边框段52a的位置,所述第三接地点13设置于所述第一接地点12与所述第一边框段52a之间,所述第二馈电点21设置于所述第二边框段52b的远离所述第一边框段52a的位置,所述第二接地点22设置于所述第二边框段52b上,且位于所述第二馈电点21与所述第一接地点12之间。
具体的,如图2所示,所述第一边框段52a为直条形,而位于所述电子设备100的第一边B1上,所述第二边框段52b延伸于所述电子设备100的第一边B1以及相邻的第二边B2上,所述第二边框段52b呈倒“L”形。
其中,所述第二边框段52b包括第一子边框段521b以及第二子边框段522b,所述第一子边框段521为所述第二边框段52b的位于所述电子设备100的第一边B1的部分,所述第二子边框段522b为所述第二边框段52b的位于所述电子设备100的第二边B2的部分。
其中,所述第一馈电点11设置于所述第一边框段52a的靠近所述第二边框段52b(即所述第一子边框段521b)的位置。所述第一馈源30与所述第一馈电点11连接。所述第一天线辐射体10的所述第一接地点12以及第三接地点13设置于所述第一子边框段521b,且所述第一接地点12相比所述第三接地点13更靠近第一边框段52a。
所述第二馈电点21设置于所述第二子边框段522b的远离所述第一子边框段521b的位置,所述第二接地点22设置于所述第二子边框段522b的靠近所述第一子边框段521b。
其中,所述第一边框段52a以及所述第二边框段52b的位于所述电子设备100的第一边B1的所述第一子边框段521b构成所述第一天线辐射体10。所述第二子边框段522b构成所述第二天线辐射体20。
对于所述第二天线辐射体20而言,所述第二馈电点21接收到所述第二馈源40的馈电信号/馈电电流后,通过第二子边框段522b传输至所述第二接地点22后回地,而可实现所述第一频段和第二频段的射频信号的收发。即,所述第二天线辐射体20可在第二馈源40产生的馈电信号的激励下支持所述第一频段和第二频段的射频信号的收发,例如,支持MHB频段和5G N78频段的射频信号的收发。
在一些实施例中,所述电子设备100的第一边B1为短边,所述第二边B2为与所述第一边B1相邻的长边。
其中,图2所示的是电子设备100的仅示意出部分天线辐射体的结构示意图。所述金属边框50还包括其他的多个分布在第一边B1及其相对边、第二边B2及其相对边上的,由缝隙间隔开的边框段。所述天线结构200还包括多个其他的由该些其他边框段形成的天线辐射体,由于与本发明改进无关,故未在图中示出。
显然,在其他实施例中,所述第一天线辐射体10和所述第二天线辐射体20之间可不开设缝隙,共用一个辐射体,例如,所述第一天线辐射体10和所述第二天线辐射体20的馈电点和接地点都连接至同一个边框段上。
其中,如图2所示,所述电子设备100还包括中框60,所述中框60为面板状框,用于支撑电子设备100的显示屏(图中未示),其中,所述中框为金属材料制成,例如为,铜、铁、或铜铁合金等制成。所述中框用作为所述电子设备100的整机地。
其中,所述第一接地点11、所述第二接地点12、所述第三接地点13以及所述第四接地点15为与所述中框60电连接而实现接地。例如,所述第一接地点11、所述第二接地点12以及所述第四接地点15可通过导线、FPC、金属弹片等电连接件与所述中框60电连接而接地,所述第三接地点13可通过前述的接地元件14与所述中框60电连接而接地。
如图2所示,所述中框60的各边靠近金属边框50的边沿区域的大部分区域被去掉而形成净空区域,所述中框60的各边的边沿区域中的少部分区域延伸至所述金属边框50,而与所述金属边框50电接触,作为对应的天线辐射体的接地点。即,所述中框60原本是四边大致延伸至与所述金属边框50的四边平齐的位置的方形框,通过将中框60的各边靠近金属边框50的边沿区域的大部分区域通过切割等方式去除而形成净空区域,避免对金属边框50形成的天线辐射体的射频收发造成影响,而保留了部分区域仍然与金属边框50电接触,而实现了天线辐射体的接地。例如,所述中框60具有延伸至所述金属边框50的至少一区域,例如,如图2所示的区域61,前述的第一天线辐射体10的第一接地点12与所述第二天线辐射体20的第二接地点22与所述区域61直接接触电连接或通过FPC、金属弹片等电连接件电接触/电连接,而实现接地。即,如图2所示,所述中框60的所述区域61延伸至所述金属边框50的对应位置,例如延伸至所述金属边框50的下方或内侧,所述第一天线辐射体10的第一接地点12与所述第二天线辐射体20的第二接地点22均与所述中框60的所述区域61直接接触电连接或通过FPC、金属弹片等电连接件电连接,而实现接地。
在一些实施例中,所述金属边框50可为裸露的金属边框,即,从所述电子设备100的外观来看,是可以直接看到金属边框50的金属材质的。
在其他实施例中,所述金属边框50还可为通过MDA(模内嵌件一体式)工艺形成的包裹有塑胶等非导电材料的金属边框。
其中,当所述金属边框50为包裹有塑胶等非导电材料的金属边框时,所述金属边框50的内侧可开设贯穿所述非导电材料的通孔,而供金属边框50形成的天线辐射体的馈电点以及接地点露出,以与对应的馈源或地电连接,而实现天线辐射体的激励。
在一些实施例中,如图2所示,所述接地元件14可为开关元件,且所述接地元件14为数控开关,例如可为MOS管、三极管等受控开关,而可受控导通或断开,而实现第三接地点13接地或不接地。在一些实施例中,所述接地开关14也可为电容、电感或LC并联电路等匹配元件,或者为开关元件与匹配元件串联形成的结构。
其中,通过开关串联匹配元件的结构,能根据需要有效地进行匹配调谐。例如,当所述第一天线辐射体10与所述第二天线辐射体20工作在5G N78频段时,通过控制开关元件导通,而提高第一天线辐射体10和第二天线辐射体20工作在5G N78频段时的隔离度,而当所述第一天线辐射体10与所述第二天线辐射体20工作在MHB频段时,保持所述开关元件导通,可进一步对MHB频段进行微调,例如调整MHB频段的工作频点,而提高所述第一天线辐射体10工作在MHB频段的性能。其中,当所述第一天线辐射体10与所述第二天线辐射体20工作在5G N78频段时,通过控制开关元件导通,除了提高第一天线辐射体10和第二天线辐射体20工作在5G N78频段时的隔离度之外,也能够进一步对5G N78频段进行微调。在其他实施例中,所述接地元件14也可为导线、FPC、金属弹片等电连接件。
即,在一些实施例中,所述接地元件14可为开关元件、电容、电感、导线、FPC以及金属弹片中的至少一种。
请参阅图4,为本申请一实施例中的接地元件14的示意图。如图4所示,所述接地元件14包括多个并联的匹配元件支路Z1,每一匹配元件支路包括串联的匹配元件M1和开关SW1,且不同匹配支路Z1中的匹配元件M1的类型和参数中的至少一种不同;通过控制不同匹配元件支路中的开关的通断,选择不同的匹配元件支路工作而能够对第一天线辐射体10的工作频段的频点进行调整/微调。
请参阅图5,为本申请一实施例中的接地元件14的第一具体示例图。如图5所示,在一些实施例中,所述接地元件14包括并联于第三接地点13与地之间的第一电感匹配支路Z11、第一电容匹配支路Z12、第二电容匹配支路Z13以及第三电容匹配支路Z14,所述第一电感匹配支路Z11包括串联的第一匹配电感L11和开关SW1,所述第一电容匹配支路Z12包括串联的第一匹配电容C11和开关SW1,所述第二电容匹配支路Z13包括串联的第二匹配电容C12和开关SW1,所述第三电容匹配支路Z14包括串联的第三匹配电容C13和开关SW1。
其中,所述第一匹配电容C11、所述第二匹配电容C12以及所述第三匹配电容C13的电容值不同。从而,由于第一电感匹配支路Z11、第一电容匹配支路Z12、第二电容匹配支路Z13以及第三电容匹配支路Z14中的类型或者参数不同,当不同的匹配支路导通或者不同组合的匹配支路导通时,产生不同的匹配参数,而实现不同频段的谐振匹配。
请参阅图6,为本申请一实施例中的接地元件14的第二具体示例图。如图6所示,所述接地元件14包括并联于所述第三接地点13与地之间的第二电感匹配支路Z15、第三电感匹配支路Z16、第四电容匹配支路Z17以及第五电容匹配支路Z18,所述第二电感匹配支路Z15包括串联的第二匹配电感L12和开关SW1,所述第三电感匹配支路Z16包括串联的第三匹配电感L13和开关S21,所述第四电容匹配支路Z17包括串联的第四匹配电容C14和开关SW1,所述第五电容匹配支路Z18包括串联的第五匹配电容C15和开关SW1。
其中,所述第二匹配电感L12与所述第三匹配电感L13的电感值不同,所述第四匹配电容C14和所述第五匹配电容C15的电容值不同。从而,当不同的匹配支路导通或者不同组合的匹配支路导通时,产生不同的匹配参数,而实现不同频段的谐振匹配。
在一些实施例中,所述开关SW1为数控开关,例如可为MOS管、BJT三极管等。
请一并参阅图7,为电子设备100的示意出部分元件的功能模块图。其中,所述电子设备100包括前述的天线结构200、第一馈源30、第二馈源40、金属边框50、中框60之外,还可包括处理器70以及存储器80。其中,所述存储器80中可存储所述第一天线辐射体10支持的第一频段和第二频段的各个频点与开关单元中的开关控制逻辑的对应关系。
所述处理器2可包括多个输出控制端,所述多个输出控制端可分别与所述接地元件14的所有开关SW1的受控端一一连接,例如,当所述接地元件14中的开关SW1为MOS管时,所述处理器2的多个输出控制端可分别与所述接地元件14的所有MOS管的栅极连接。所述处理器2可根据当前的调谐需求确定开关控制逻辑,而控制各个输出控制端输出对应电平的信号至所述接地元件14中的对应开关SW1的受控端,而控制至少一个开关单元16中的多个开关SW1进行相应的导通或断开。
例如,所述处理器2可根据当前所述第一天线辐射体10所工作的频段以及电子设备100当前运行的应用,确定当前工作的频段需要调谐至的频点,然后根据所述存储器80存储的对应关系确定对应的开关控制逻辑,而控制所述接地元件14中的多个开关SW1进行相应的导通或断开,而使得所述接地元件14调节到对应的匹配参数,而使得第一天线辐射体10在对应的第一频段或第二频段调谐到对应的频点。其中,本申请中,所述频点指的是对应频段的谐振中心频率,通过调谐频点,能够使得谐振最大,天线辐射体性能最佳。
例如,所述处理器2在当前所述第一天线辐射体10工作在第一频段,即MHB频段,且当前运行的应用为新闻浏览时,则可确定需要调谐至第一频段的第一频点,如果当前运行的应用为语音通话应用,则确定需要调谐至第一频段的第二频点。其中,上述仅仅是举例,只是为了说明,根据当前运行的应用的不同,需要调谐至的频点不同。
从而,本申请中,由于接地元件14包括多个并联的匹配元件支路Z1,每一匹配元件支路包括串联的匹配元件M1和开关SW1,且不同匹配支路Z1中的匹配元件M1的类型和参数中的至少一种不同,除了提高第一天线辐射体10和第二天线辐射体20工作在5G N78频段时的隔离度之外,也能够进一步对5G N78频段以及HMB频段进行调谐。
请参阅图8,为本申请中一实施方式中第一天线辐射体和第二天线辐射体工作在第二频段,即工作在5G N78频段时的隔离度示意图。
如图8所示,当工作在5G N78频段时,所述第一天线辐射体10与所述第二天线辐射体20的隔离度D1基本在-23db以下,隔离度已经较为明显,两者的干扰已经很低,有效降低了干扰。而从图7的第一天线辐射体10的谐振曲线Q1和第二天线辐射体20的谐振曲线Q2来看,所述第一天线辐射体10以及第二天线辐射体20的S参数,特别是S参数中回波损耗参数的幅值,分别在大约-15和-10的位置,实际上第一天线辐射体10和第二天线辐射体20的效率也得到了有效提升。即,所述第一天线辐射体10和第二天线辐射体20不但没有降低,反倒因为隔离度的提升而各有一定的提升,例如0.3-0.5db的提升。
其中,所述电子设备100还包括其他元件,例如后壳、摄像头等等,由于与本发明改进无关,故不再赘述。
本发明实施例所涉及到的电子设备100可以包括各种具有天线辐射体的手机、平板电脑等手持设备、车载设备、可穿戴设备、计算设备或连接到无线调制解调器的其他处理设备,以及各种形式的用户设备(User Equipment,UE),移动台(Mobile Station,MS)等等。为方便描述,上面提到的设备统称为电子装置。
从而,本申请中,通过在所述第一馈电点11与所述第一接地点11之间增加所述第三接地点13以及接地元件,改变了第一天线辐射体10的回地位置,使得第一天线辐射体10与第二天线辐射体20之间的回地位置的间距增大,提高了所述第一天线辐射体10与第二天线辐射体20之间的隔离度,减少或避免了所述第一天线辐射体10与第二天线辐射体20之间的干扰,提高了天线辐射体性能。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (20)

1.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括第一天线辐射体、第二天线辐射体、第一馈源以及第二馈源,所述第一天线辐射体包括第一馈电点、第一接地点,所述第二天线辐射体包括第二馈电点、第二接地点,所述第一接地点与所述第二接地点相邻设置,所述第一馈电点设置于所述第一接地点远离所述第二接地点的一侧,所述第二馈电点设置于所述第二接地点的远离所述第一接地点的一侧;所述第一馈源与所述第一天线辐射体的第一馈电点电连接,用于通过所述第一馈电点为所述第一天线辐射体提供馈电信号,所述第二馈源与所述第二天线辐射体的第二馈电点电连接,用于通过所述第二馈电点为所述第二天线辐射体提供馈电信号,其中,所述第一接地点、第二接地点均接地;
其中,所述第一天线辐射体还包括第三接地点以及接地元件,所述第三接地点设置于所述第一馈电点与所述第一接地点之间,所述接地元件连接于所述第三接地点与地之间。
2.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述第一天线辐射体和所述第二天线辐射体均支持第一频段,所述第三接地点通过所述接地元件接地后,至少用于提高所述第一天线辐射体和所述第二天线辐射体均工作在第一频段时的隔离度。
3.根据权利要求2所述的电子设备,其特征在于,所述第一天线辐射体还包括第四接地点,所述第四接地点设置于所述第一馈电点的远离所述第一接地点的一侧,其中,所述第一天线辐射体还支持第二频段,其中,所述第一馈电点分别至所述第一接地点以及所述第四接地点形成的两路电流路径用于实现第二频段的射频信号的收发,所述第一馈电点至所述第三接地点以及接地元件形成的电流路径用于实现所述第一频段的射频信号的收发。
4.根据权利要求3所述的电子设备,其特征在于,所述第二天线辐射体还支持第二频段,其中,所述第二馈电点至所述第二接地点的电流路径用于实现所述第一频段和第二频段的射频信号的收发。
5.根据权利要求4所述的电子设备,其特征在于,其中,所述第一频段为5G N78频段,所述第二频段为MHB频段。
6.根据权利要求1-5任一项所述的电子设备,其特征在于,所述电子设备还包括金属边框,其中,所述金属边框开设有至少一个缝隙,而将所述金属边框分隔成至少一个边框段,所述至少一个边框段至少包括通过缝隙分隔成的相邻的第一边框段以及第二边框段;所述第一馈电点设置于所述第一边框段的靠近所述第二边框段的位置,所述第一天线辐射体的所述第一接地点以及第三接地点设置于所述第二边框段的靠近所述第一边框段的位置,所述第二馈电点设置于所述第二边框段的远离所述第一边框段的位置,所述第二接地点设置于所述第二边框段上,且位于第二馈电点与所述第一接地点之间。
7.根据权利要求6所述的电子设备,其特征在于,所述第一边框段为直条形,位于所述电子设备的第一边上,所述第二边框段延伸于所述电子设备的第一边以及相邻的第二边上,其中,所述第二边框段包括第一子边框段以及第二子边框段,所述第一子边框段为所述第二边框段的位于所述电子设备的第一边的部分,所述第二子边框段为所述第二边框段的位于所述电子设备的第二边的部分,所述第一馈电点设置于所述第一边框段的靠近所述第一子边框段的位置,所述第一天线辐射体的所述第一接地点以及第三接地点设置于所述第一子边框段,所述第一边框段以及所述第一子边框段构成所述第一天线辐射体,所述第二馈电点设置于所述第二子边框段的远离所述第一子边框段的位置,所述第二接地点设置于所述第二子边框段的靠近所述第一子边框段的位置,所述第二子边框段构成所述第二天线辐射体。
8.根据权利要求7所述的电子设备,其特征在于,所述电子设备的第一边为短边,所述第二边为与所述第一边相邻的长边。
9.根据权利要求6所述的电子设备,其特征在于,所述电子设备还包括中框,所述中框为金属材料制成,用作为所述电子设备的整机地,所述第一接地点、所述第二接地点以及所述第三接地点与所述中框电连接而实现接地。
10.根据权利要求9所述的电子设备,其特征在于,所述中框的各边靠近金属边框的边沿区域的大部分区域被去掉而形成净空区域,所述中框的各边的边沿区域中的少部分区域延伸至所述金属边框,而与所述金属边框电接触,作为对应的天线辐射体的接地点。
11.根据权利要求10所述的电子设备,其特征在于,所述第一天线辐射体的第一接地点与所述第二天线辐射体的第二接地点与所述中框的延伸至所述金属边框的同一区域直接接触或通过FPC、金属弹片等电连接件电接触,而实现接地。
12.根据权利要求6所述的电子设备,其特征在于,所述金属边框为裸露的金属边框,或者为通过模内嵌件一体式工艺形成的包裹有非导电材料的金属边框。
13.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述接地元件为开关元件、电容、电感、导线、FPC以及金属弹片中的至少一种。
14.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述接地元件包括多个并联的匹配元件支路,每一匹配元件支路包括串联的匹配元件和开关,且不同匹配支路中的匹配元件的类型和参数中的至少一种不同;通过控制不同匹配元件支路中的开关的通断,选择不同的匹配元件支路工作而对第一天线辐射体的工作频段的频点进行调整。
15.一种天线结构,包括第一天线辐射体、第二天线辐射体,所述第一天线辐射体包括第一馈电点、第一接地点,所述第二天线辐射体包括第二馈电点、第二接地点,所述第一接地点与所述第二接地点相邻设置,所述第一馈电点设置于所述第一接地点远离所述第二接地点的一侧,所述第二馈电点设置于所述第二接地点的远离所述第一接地点的一侧;
其中,所述第一天线辐射体还包括第三接地点以及接地元件,所述第三接地点设置于所述第一馈电点与所述第一接地点之间,所述接地元件连接于所述第三接地点与地之间。
16.根据权利要求15所述的天线结构,其特征在于,所述第一天线辐射体和所述第二天线辐射体均支持第一频段,所述第三接地点通过所述接地元件接地后,至少用于提高所述第一天线辐射体和所述第二天线辐射体均工作在第一频段时的隔离度。
17.根据权利要求16所述的天线结构,其特征在于,所述第一天线辐射体还包括第四接地点,所述第四接地点设置于所述第一馈电点的远离所述第一接地点的一侧,其中,所述第一天线辐射体还支持第二频段,其中,所述第一馈电点分别至所述第一接地点以及所述第四接地点形成的两路电流路径用于实现第二频段的射频信号的收发,所述第一馈电点至所述第三接地点以及接地元件形成的电流路径用于实现所述第一频段的射频信号的收发。
18.根据权利要求17所述的天线结构,其特征在于,所述第二天线辐射体还支持第二频段,其中,所述第二馈电点至所述第二接地点的电流路径用于实现所述第一频段和第二频段的射频信号的收发。
19.根据权利要求18所述的天线结构,其特征在于,其中,所述第一频段为5G N78频段,所述第二频段为MHB频段。
20.根据权利要求15所述的天线结构,其特征在于,所述接地元件包括多个并联的匹配元件支路,每一匹配元件支路包括串联的匹配元件和开关,且不同匹配支路中的匹配元件的类型和参数中的至少一种不同;通过控制不同匹配元件支路中的开关的通断,选择不同的匹配元件支路工作而对第一天线辐射体的工作频段的频点进行调整。
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