CN115323485A - 外延波长均匀性提升方法、***、可读存储介质及计算机 - Google Patents

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CN115323485A CN202210990055.6A CN202210990055A CN115323485A CN 115323485 A CN115323485 A CN 115323485A CN 202210990055 A CN202210990055 A CN 202210990055A CN 115323485 A CN115323485 A CN 115323485A
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Abstract

本发明提供一种外延波长均匀性提升方法、***、可读存储介质及计算机，该方法包括：将外延片划以其圆心为中心点分成多个不同半径的同心圆区域；将外延片划分为多个点集，并将各点集按照各同心圆区域的分布范围进行分配，以得到多个目标区域；计算出各目标区域的均值波长，并根据均值波长计算出外延片的斜率；将石墨承载盘上所有外延片循环上述步骤得到所有外延片的斜率，将石墨承载盘按照圆槽分布划分为多个圆槽区域，并根据各圆槽区域上外延片的分布情况和所有外延片的斜率计算出各圆槽区域的斜率均值；为各圆槽区域添加翘曲系数，并根据斜率均值以及翘曲系数调整石墨承载盘的工艺参数，以提升石墨承载盘上的所有外延片的发光波长的均匀性。

Description

外延波长均匀性提升方法、***、可读存储介质及计算机
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种外延波长均匀性提升方法、***、可读存储介质及计算机。
背景技术
随着半导体行业的飞速发展和人们生活水平的提高，发光二极管作为一种固态半导体二极管发光器件，被广泛用于指示灯、显示屏等照明领域中。
近年来，以GaN基为半导体材料的半导体器件研究方向已非常成熟，LED发光二极管已形成稳定的产业链，为进一步的降低成本提升产能，LED外延生长使用衬底逐步从2英寸过渡至4英寸、6英寸，大尺寸衬底需保证好的片内波长均匀性。因此外延生长的温度均匀性要求更高。衬底受热产生形变凹凸差异，需要工艺人员通过工艺手段调整外延片的翘曲，调整片源的凹凸性。
现有技术中，石墨载盘底部的每区域加热丝的覆盖范围与石墨载盘每圈圆槽的覆盖范围不一致，会受到多个区域加热丝影响，导致每个圆槽内的外延片受热温度不均匀；外延片产生形变凹凸差异，以致片源中心区域与边缘区域受热不均，即生长的外延片主波长均匀性差；
为了改善上述现象，需要技术人员通过分析每圈外延片波长图谱中边缘与中心的差异来判断凹凸差异，进而通过工艺手段调整外延片的翘曲，调整片源凹凸性，以达到提高外延发光波长均匀性；而人为是无法精确判断片源凹凸性，这都会导致在通过工艺手段调整时会存在偏差，产出外延片的波长均匀性差，造成波长良率损失，另外，在实际的工业生产中，产能是巨大的，如果每一个炉次都需要人为的通过分析产出片源的波长图谱去调整每圈的加热区域，这将会大大的增加了人力成本。
发明内容
基于此，本发明的目的是提供一种外延波长均匀性提升方法、***、可读存储介质及计算机，以至少解决上述相关技术中的不足。
本发明提出一种外延波长均匀性提升方法，包括以下步骤：
步骤一：以外延片的圆心为中心点，将所述外延片划分成多个不同半径的同心圆区域；
步骤二：将所述外延片划分为多个点集，并将各所述点集按照各所述同心圆区域的分布范围进行分配，以得到多个目标区域；
步骤三：计算出各所述目标区域的均值波长，并根据各所述目标区域的均值波长计算出所述外延片的斜率；
步骤四：将石墨承载盘上所有外延片循环上述步骤一至步骤三，以得到所有外延片的斜率，并将所述石墨承载盘按照圆槽分布划分为多个圆槽区域，并根据各所述圆槽区域上外延片的分布情况和所述所有外延片的斜率计算出各所述圆槽区域的斜率均值；
步骤五：为各所述圆槽区域添加翘曲系数，并根据各所述圆槽区域的斜率均值以及各所述圆槽区域的翘曲系数调整所述石墨承载盘的工艺参数，以提升所述石墨承载盘上的所有外延片的发光波长的均匀性。
进一步的，将各所述点集按照各所述同心圆区域的分布范围进行分配，以得到多个目标区域的步骤包括：
获取各所述同心圆区域的分布坐标以及各所述点集的坐标位置；
基于各所述同心圆区域的分布坐标以及各所述点集的坐标位置对各所述点集进行分配，以得到多个目标区域。
进一步的，计算出各所述目标区域的均值波长的步骤包括：
获取各所述目标区域中的所有点集的独立波长，并根据各所述目标区域中的所有点集的独立波长计算出各所述目标区域的均值波长。
进一步的，所述外延片的斜率的计算公式为：
Figure BDA0003803535340000021
式中，W表示外延片的斜率，R表示该外延片中同心圆区域数量，
Figure BDA0003803535340000031
表示该外延片中同心圆区域数量的均值，WD表示该外延片中各同心圆区域的波长，WDR表示该外延片中各同心圆区域的均值波长。
进一步的，根据各所述圆槽区域的斜率均值以及各所述圆槽区域的翘曲系数调整所述石墨承载盘的工艺参数的计算公式为：
ΔF＝(W1*K1+W2*K2+W3*K3+…+Wx*Kx)*F*C；
式中，ΔF表示石墨承载盘的调整幅度的调整值；Wx表示第X个圆槽区域的斜率均值，Kx表示第X个圆槽区域所对应的翘曲系数，X＝1，2，3，...，x；F表示石墨承载盘的调整幅度，C表示补偿系数。
本发明还提出一种外延波长均匀性提升***，包括：
外延片划分模块，用于以外延片的圆心为中心点，将所述外延片划分成多个不同半径的同心圆区域；
点集划分模块，用于将所述外延片划分为多个点集，并将各所述点集按照各所述同心圆区域的分布范围进行分配，以得到多个目标区域；
斜率计算模块，用于计算出各所述目标区域的均值波长，并根据各所述目标区域的均值波长计算出所述外延片的斜率；
承载盘划分模块，用于获取所有外延片的斜率，并将所述石墨承载盘按照圆槽分布划分为多个圆槽区域，并根据各所述圆槽区域上外延片的分布情况和所述所有外延片的斜率计算出各所述圆槽区域的斜率均值；
参数优化模块，用于为各所述圆槽区域添加翘曲系数，并根据各所述圆槽区域的斜率均值以及各所述圆槽区域的翘曲系数调整所述石墨承载盘的工艺参数，以提升所述石墨承载盘上的所有外延片的发光波长的均匀性。
进一步的，所述点集划分模块包括：
位置获取单元，用于获取各所述同心圆区域的分布坐标以及各所述点集的坐标位置；
点集划分单元，用于基于各所述同心圆区域的分布坐标以及各所述点集的坐标位置对各所述点集进行分配，以得到多个目标区域。
进一步的，所述斜率计算模块包括：
斜率计算单元，用于获取各所述目标区域中的所有点集的独立波长，并根据各所述目标区域中的所有点集的独立波长计算出各所述目标区域的均值波长。
本发明还提出一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述的外延波长均匀性提升方法。
本发明还提出一种计算机，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述的外延波长均匀性提升方法。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：将外延片划分为多个同心圆区域，并将其划分为多个点集，进而根据各点集以及各同心圆区域得到该外延片的斜率，通过斜率更加精确的展示出外延片源的凹凸性，有效的减少人员分析波长图谱的时间，减少人力成本，通过更直观且准确的通过工艺手段调整片源翘曲，将片源的凹凸性调整到最佳，让片源的每个部分都受热均匀，提高产出外延片的波长均匀性；将石墨承载盘划分为多个圆槽区域，并根据各外延片的斜率计算出各圆槽区域的斜率均值，通过添加翘曲系数，避免因个别点集波长异常偏长或偏短导致的其区域的均值波长异常偏长或偏短后工艺手段调整偏差过大的问题。
附图说明
图1为本发明第一实施例中外延波长均匀性提升方法的流程图；
图2为图1中步骤S102的详细流程图；
图3为本发明第一实施例中单片外延片的分散为多个点集的示意图；
图4为图1中步骤S103的详细流程图；
图5为本发明第一实施例中外延片各点集的波长示意图；
图6为本发明第一实施例中外延片划分至多个同心圆区域的示意图；
图7为本发明第二实施例中外延波长均匀性提升***的结构框图；
图8为本发明第三实施例中计算机的结构框图。
主要元件符号说明：
存储器 10 点集划分模块 12
处理器 20 斜率计算模块 13
计算机程序 30 承载盘划分模块 14
外延片划分模块 11 参数优化模块 15
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的若干实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
实施例一
请参阅图1，所示为本发明第一实施例中的外延波长均匀性提升方法，所述方法具体包括步骤S101至S105：
S101，以外延片的圆心为中心点，将所述外延片划分成多个不同半径的同心圆区域；
在具体实施时，将石墨承载盘每炉次产出的Y(Y>＝1)个片源在量测时每片外延片以其圆心为中心点，将所有的外延片划分成R(在本实施例中，3<R<50)个不同半径的同心圆区域，在本实施例中，该外延片生产所使用的衬底材质为蓝宝石、硅以及碳化硅中任意一种。
S102，将所述外延片划分为多个点集，并将各所述点集按照各所述同心圆区域的分布范围进行分配，以得到多个目标区域；
进一步的，请参阅图2，所述步骤S102具体包括步骤S1021～S1022：
S1021，获取各所述同心圆区域的分布坐标以及各所述点集的坐标位置；
S1022，基于各所述同心圆区域的分布坐标以及各所述点集的坐标位置对各所述点集进行分配，以得到多个目标区域。
在具体实施时，请参阅图3，将上述所有的外延片均划分成N(N>＝2)个点集，每个点集都含有一个具体的坐标位置以及独立波长WDN，利用上述的坐标位置和该外延片的各同心圆区域的分布坐标对所有的点集进行分配，每个同心圆区域会获得一部分点集n，满足：n1+n2+…+nR＝N，进而能够得到每个外延片上的多个目标区域；
可以理解的，通过将外延片划分为多个同心圆区域，并根据外延片的所有点集来划分成多个对应的目标区域，进一步使得目标区域的点集与对应的区域的相关性更强。
S103，计算出各所述目标区域的均值波长，并根据各所述目标区域的均值波长计算出所述外延片的斜率；
进一步的，请参阅图4，所述步骤S103中计算出各所述目标区域的均值波长的步骤具体包括步骤S1031：
S1031，获取各所述目标区域中的所有点集的独立波长，并根据各所述目标区域中的所有点集的独立波长计算出各所述目标区域的均值波长。
在具体实施时，请参阅图5至图6，上述的所有点集中每个点集均含有独立波长WDN，根据该目标区域内的点集的独立波长WDN计算出该目标区域的点集均值波长WDR，获得该外延片的同心圆区域的数量R以及每R圈区域的各nR点集，根据该外延片的同心圆区域的数量R以及该外延片上所有的目标区域的点集均值波长WDR，按照以下公式计算出该外延片的斜率：
Figure BDA0003803535340000071
式中，W表示外延片的斜率，R表示该外延片中同心圆区域数量，
Figure BDA0003803535340000072
表示该外延片中同心圆区域数量的均值，WD表示该外延片中各同心圆区域的波长，WDR表示该外延片中各同心圆区域的均值波长。
可以理解的，外延片的斜率能够反映该外延片的凹凸数据，当斜率大于0时，意味着该外延片偏凹，当斜率小于0时，意味着该外延片偏凸，当斜率为0时，意味着该外延片的均匀性最好，趋向平整。
S104，将石墨承载盘上所有外延片循环上述步骤S101至步骤S103，以得到所有外延片的斜率，并将所述石墨承载盘按照圆槽分布划分为多个圆槽区域，并根据各所述圆槽区域上外延片的分布情况和所述所有外延片的斜率计算出各所述圆槽区域的斜率均值；
在具体实施时，将石墨承载盘上所有的外延片均按照上述的步骤，以得到所有的外延片的斜率，将该石墨承载盘按照圆槽分布划分为X(2≤X≤20)个圆槽区域，可以理解的，在每个圆槽区域上均会分布多个外延片，根据各所述圆槽区域上外延片的分布情况和上述的所有外延片的斜率计算出各圆槽区域的斜率均值WX。
需要说明的是，由于各圆槽区域中加热区域差异，需要通过工艺手段调整，以使得外延片的翘曲符合要求，调整的工艺手段的工艺参数值为F(在本实施例中，该工艺手段为生长时间，在其他实施例中，该工艺手段还可以为Ga源用量等一些能够调节外延片的翘曲度的工艺手段，工艺手段不同，对应的工艺参数值也不同)。
S105，为各所述圆槽区域添加翘曲系数，并根据各所述圆槽区域的斜率均值以及各所述圆槽区域的翘曲系数调整所述石墨承载盘的工艺参数，以提升所述石墨承载盘上的所有外延片的发光波长的均匀性。
在具体实施时，为各圆槽区域添加翘曲系数K，满足k1+k2+k3+...+kX＝1，其中，k1为第一圈圆槽区域的翘曲系数，k2为第二圈圆槽区域的翘曲系数。根据上述得到的各圆槽区域的斜率均值以及其对应的翘曲系数按照下式调整石墨承载盘的工艺参数，以提升所述石墨承载盘上的所有外延片的发光波长的均匀性：
ΔF＝(W1*K1+W2*K2+W3*K3+…+Wx*Kx)*F*C；
式中，ΔF表示石墨承载盘的调整幅度的调整值；Wx表示第X个圆槽区域的斜率均值，Kx表示第X个圆槽区域所对应的翘曲系数，X＝1，2，3，...，x；F表示石墨承载盘的调整幅度，C表示补偿系数。
需要说明的是，由于考虑实际生产中，外延片生产所使用的衬底材质、品质会存在波动，以及机台间的差异等情况，因此会在在整体工艺调整翘曲度时添加一个补偿系数C，进而降低其他因素对外延片的影响。
综上，本发明上述实施例当中的外延波长均匀性提升方法，将外延片划分为多个同心圆区域，并将其划分为多个点集，进而根据各点集以及各同心圆区域得到该外延片的斜率，通过斜率更加精确的展示出外延片源的凹凸性，有效的减少人员分析波长图谱的时间，减少人力成本，通过更直观且准确的通过工艺手段调整片源翘曲，将片源的凹凸性调整到最佳，让片源的每个部分都受热均匀，提高产出外延片的波长均匀性；将石墨承载盘划分为多个圆槽区域，并根据各外延片的斜率计算出各圆槽区域的斜率均值，通过添加翘曲系数，避免因个别点集波长异常偏长或偏短导致的其区域的均值波长异常偏长或偏短后工艺手段调整偏差过大的问题。
实施例二
本发明另一方面还提出一种外延波长均匀性提升***，请查阅图7，所示为本发明第二实施例中的外延波长均匀性提升***，包括：
外延片划分模块11，用于以外延片的圆心为中心点，将所述外延片划分成多个不同半径的同心圆区域；
点集划分模块12，用于将所述外延片划分为多个点集，并将各所述点集按照各所述同心圆区域的分布范围进行分配，以得到多个目标区域；
进一步的，所述点集划分模块12包括：
位置获取单元，用于获取各所述同心圆区域的分布坐标以及各所述点集的坐标位置；
点集划分单元，用于基于各所述同心圆区域的分布坐标以及各所述点集的坐标位置对各所述点集进行分配，以得到多个目标区域。
斜率计算模块13，用于计算出各所述目标区域的均值波长，并根据各所述目标区域的均值波长计算出所述外延片的斜率；
进一步的，所述斜率计算模块13包括：
斜率计算单元，用于获取各所述目标区域中的所有点集的独立波长，并根据各所述目标区域中的所有点集的独立波长计算出各所述目标区域的均值波长。
承载盘划分模块14，用于获取所有外延片的斜率，并将所述石墨承载盘按照圆槽分布划分为多个圆槽区域，并根据各所述圆槽区域上外延片的分布情况和所述所有外延片的斜率计算出各所述圆槽区域的斜率均值；
参数优化模块15，用于为各所述圆槽区域添加翘曲系数，并根据各所述圆槽区域的斜率均值以及各所述圆槽区域的翘曲系数调整所述石墨承载盘的工艺参数，以提升所述石墨承载盘上的所有外延片的发光波长的均匀性。
上述各模块、单元被执行时所实现的功能或操作步骤与上述方法实施例大体相同，在此不再赘述。
本发明实施例所提供的外延波长均匀性提升***，其实现原理及产生的技术效果和前述方法实施例相同，为简要描述，装置实施例部分未提及之处，可参考前述方法实施例中相应内容。
实施例三
本发明还提出一种计算机，请参阅图8，所示为本发明第三实施例中的计算机，包括存储器10、处理器20以及存储在所述存储器10上并可在所述处理器20上运行的计算机程序30，所述处理器20执行所述计算机程序30时实现上述的外延波长均匀性提升方法。
其中，存储器10至少包括一种类型的可读存储介质，所述可读存储介质包括闪存、硬盘、多媒体卡、卡型存储器(例如，SD或DX存储器等)、磁性存储器、磁盘、光盘等。存储器10在一些实施例中可以是计算机的内部存储单元，例如该计算机的硬盘。存储器10在另一些实施例中也可以是外部存储装置，例如插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card,SMC)，安全数字(Secure Digital,SD)卡，闪存卡(Flash Card)等。进一步地，存储器10还可以既包括计算机的内部存储单元也包括外部存储装置。存储器10不仅可以用于存储安装于计算机的应用软件及各类数据，还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。
其中，处理器20在一些实施例中可以是电子控制单元(Electronic ControlUnit，简称ECU，又称行车电脑)、中央处理器(Central Processing Unit,CPU)、控制器、微控制器、微处理器或其他数据处理芯片，用于运行存储器10中存储的程序代码或处理数据，例如执行访问限制程序等。
需要指出的是，图8示出的结构并不构成对计算机的限定，在其它实施例当中，该计算机可以包括比图示更少或者更多的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
本发明实施例还提出一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上述的外延波长均匀性提升方法。
本领域技术人员可以理解，在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读存储介质中，以供指令执行***、装置或设备(如基于计算机的***、包括处理器的***或其他可以从指令执行***、装置或设备取指令并执行指令的***)使用，或结合这些指令执行***、装置或设备而使用。就本说明书而言，“计算机可读存储介质”可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行***、装置或设备或结合这些指令执行***、装置或设备而使用的装置。
计算机可读存储介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读存储介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的可读存储介质，因为可以例如通过对纸或其他可读存储介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。
应当理解，本发明的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行***执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或它们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种外延波长均匀性提升方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：以外延片的圆心为中心点，将所述外延片划分成多个不同半径的同心圆区域；
步骤二：将所述外延片划分为多个点集，并将各所述点集按照各所述同心圆区域的分布范围进行分配，以得到多个目标区域；
步骤三：计算出各所述目标区域的均值波长，并根据各所述目标区域的均值波长计算出所述外延片的斜率；
步骤四：将石墨承载盘上所有外延片循环上述步骤一至步骤三，以得到所有外延片的斜率，并将所述石墨承载盘按照圆槽分布划分为多个圆槽区域，并根据各所述圆槽区域上外延片的分布情况和所述所有外延片的斜率计算出各所述圆槽区域的斜率均值；
步骤五：为各所述圆槽区域添加翘曲系数，并根据各所述圆槽区域的斜率均值以及各所述圆槽区域的翘曲系数调整所述石墨承载盘的工艺参数，以提升所述石墨承载盘上的所有外延片的发光波长的均匀性。
2.根据权利要求1所述的外延波长均匀性提升方法，其特征在于，将各所述点集按照各所述同心圆区域的分布范围进行分配，以得到多个目标区域的步骤包括：
获取各所述同心圆区域的分布坐标以及各所述点集的坐标位置；
基于各所述同心圆区域的分布坐标以及各所述点集的坐标位置对各所述点集进行分配，以得到多个目标区域。
3.根据权利要求1所述的外延波长均匀性提升方法，其特征在于，计算出各所述目标区域的均值波长的步骤包括：
获取各所述目标区域中的所有点集的独立波长，并根据各所述目标区域中的所有点集的独立波长计算出各所述目标区域的均值波长。
4.根据权利要求1所述的外延波长均匀性提升方法，其特征在于，所述外延片的斜率的计算公式为：
Figure FDA0003803535330000021
式中，W表示外延片的斜率，R表示该外延片中同心圆区域数量，
Figure FDA0003803535330000022
表示该外延片中同心圆区域数量的均值，WD表示该外延片中各同心圆区域的波长，WDR表示该外延片中各同心圆区域的均值波长。
5.根据权利要求1所述的外延波长均匀性提升方法，其特征在于，根据各所述圆槽区域的斜率均值以及各所述圆槽区域的翘曲系数调整所述石墨承载盘的工艺参数的计算公式为：
ΔF＝(W1*K1+W2*K2+W3*K3+…+Wx*Kx)*F*C；
式中，ΔF表示石墨承载盘的调整幅度的调整值；Wx表示第X个圆槽区域的斜率均值，Kx表示第X个圆槽区域所对应的翘曲系数，X＝1，2，3，...，x；F表示石墨承载盘的调整幅度，C表示补偿系数。
6.一种外延波长均匀性提升***，其特征在于，包括：
外延片划分模块，用于以外延片的圆心为中心点，将所述外延片划分成多个不同半径的同心圆区域；
点集划分模块，用于将所述外延片划分为多个点集，并将各所述点集按照各所述同心圆区域的分布范围进行分配，以得到多个目标区域；
斜率计算模块，用于计算出各所述目标区域的均值波长，并根据各所述目标区域的均值波长计算出所述外延片的斜率；
承载盘划分模块，用于获取所有外延片的斜率，并将所述石墨承载盘按照圆槽分布划分为多个圆槽区域，并根据各所述圆槽区域上外延片的分布情况和所述所有外延片的斜率计算出各所述圆槽区域的斜率均值；
参数优化模块，用于为各所述圆槽区域添加翘曲系数，并根据各所述圆槽区域的斜率均值以及各所述圆槽区域的翘曲系数调整所述石墨承载盘的工艺参数，以提升所述石墨承载盘上的所有外延片的发光波长的均匀性。
7.根据权利要求6所述的外延波长均匀性提升***，其特征在于，所述点集划分模块包括：
位置获取单元，用于获取各所述同心圆区域的分布坐标以及各所述点集的坐标位置；
点集划分单元，用于基于各所述同心圆区域的分布坐标以及各所述点集的坐标位置对各所述点集进行分配，以得到多个目标区域。
8.根据权利要求6所述的外延波长均匀性提升***，其特征在于，所述斜率计算模块包括：
斜率计算单元，用于获取各所述目标区域中的所有点集的独立波长，并根据各所述目标区域中的所有点集的独立波长计算出各所述目标区域的均值波长。
9.一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5任一所述的外延波长均匀性提升方法。
10.一种计算机，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至5任一所述的外延波长均匀性提升方法。
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