CN115320105A - 增材制造装置的调控方法、***及存储介质 - Google Patents

增材制造装置的调控方法、***及存储介质 Download PDF

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CN115320105A CN202210778437.2A CN202210778437A CN115320105A CN 115320105 A CN115320105 A CN 115320105A CN 202210778437 A CN202210778437 A CN 202210778437A CN 115320105 A CN115320105 A CN 115320105A
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赵永华
张宇航
王帅
关均铭
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Southwest University of Science and Technology
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Abstract

本申请公开了一种增材制造装置的调控方法、***及存储介质,涉及增材制造技术领域,所述方法包括:对增材制造装置执行施加电压操作,得到第一增材电信号;对所述第一增材电信号执行数据处理操作,得到第二增材电信号;根据预设的目标增材电信号对所述第二增材电信号执行数据分析操作,得到所述增材制造装置的对应的状态信息;根据所述状态信息调整所述增材制造装置对应的增材工艺参数。本申请的增材制造装置的调控方法能够在增材制造装置的生产过程中实时调整增材工艺参数,降低了产品的不良品率。

Description

增材制造装置的调控方法、***及存储介质
技术领域
本申请涉及增材制造技术领域,尤其涉及一种增材制造装置的调控方法、***及存储介质。
背景技术
增材制造是一种将材料逐层累加的制造方法,通过增材制造可以将复杂的三维实体转化为二维切片,再根据每个二维切片的形状生成扫描路径,最后根据生成的扫描路径将原材料逐层堆积融合以完成三维实体的构建。
因增材制造过程中涉及多种因素,任一因素的不足都将影响最终产品的质量,然而相关技术中,增材制造的质量检测程序通常设于产品制造完成后,导致产品的不良品率较高。
发明内容
本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本申请提出一种增材制造装置的调控方法、***及存储介质,能够在增材制造装置的生产过程中实时调整增材工艺参数,降低了产品的不良品率。
为解决上述技术问题,本申请提出如下技术方案:
本申请第一方面实施例提供了一种增材制造装置的调控方法,包括:
对增材制造装置执行施加电压操作,得到第一增材电信号;
对所述第一增材电信号执行数据处理操作,得到第二增材电信号;
根据预设的目标增材电信号对所述第二增材电信号执行数据分析操作,得到所述增材制造装置的对应的状态信息;
根据所述状态信息调整所述增材制造装置对应的增材工艺参数。
根据本申请第一方面实施例的增材制造装置的调控方法,至少具有如下有益效果:本申请的增材制造装置的调控方法通过对增材制造装置执行施加变化的电压操作,使得电流因为趋肤效应集中在产品的表面,得到第一增材电信号,并对第一增材电信号加以分析,得到增材制造装置对应的状态信息,且本申请还能够根据状态信息实时调整增材工艺参数,进而调控产品的质量与精度,降低了产品的不良品率。
根据本申请第一方面的一些实施例,所述增材制造装置包括基板和粉末床,所述粉末床设于所述基板上方,所述第一增材电信号包括熔池电信号和粉末床电信号;所述对增材制造装置执行施加电压操作,得到第一增材电信号,包括以下至少一种:
对所述基板执行施加变化的电压操作,并间隔预设采集时间获取所述熔池电信号;
对所述粉末床执行施加变化的电压操作,并间隔预设采集时间获取所述粉末床电信号。
根据本申请第一方面的一些实施例,所述对所述第一增材电信号执行数据处理操作,得到第二增材电信号,包括:
对所述第一增材电信号执行整流操作,得到整流增材电信号;
对所述整流增材电信号执行滤波操作,得到滤波增材电信号;
对所述滤波增材电信号执行放大操作,得到所述第二增材电信号。
根据本申请第一方面的一些实施例,所述状态信息包括频谱偏移信息和特征信息,所述根据预设的目标增材电信号对所述第二增材电信号执行数据分析操作,得到所述增材制造装置的对应的状态信息,包括:
根据所述目标增材电信号对所述第二增材电信号执行频谱分析操作,得到所述频谱偏移信息;
根据深度学习算法对所述目标增材电信号和所述第二增材电信号进行数据处理,得到所述特征信息。
根据本申请第一方面的一些实施例,根据所述目标增材电信号对所述第二增材电信号执行频谱分析操作,得到所述频谱偏移信息,包括:
对所述第二增材电信号执行频谱变化操作,得到增材电信号频谱图;
对所述增材电信号频谱图和所述目标增材电信号对应的预设频谱图执行比较操作,得到所述频谱偏移信息。
根据本申请第一方面的一些实施例,所述根据深度学习算法对所述目标增材电信号和所述第二增材电信号进行数据处理,得到所述特征信息,包括:
根据所述深度学习算法和所述目标增材电信号,训练得到目标特征模型;
将所述第二增材电信号和所述增材电信号频谱图输入至所述目标特征模型,得到所述特征信息。
根据本申请第一方面的一些实施例,所述根据所述状态信息调整所述增材制造装置对应的增材工艺参数,包括:
根据所述频谱偏移信息判断所述增材制造装置的熔池信息,得到判断结果;
根据所述判断结果和所述特征信息调整所述增材制造装置对应的增材工艺参数。
根据本申请第一方面的一些实施例,所述判断结果包括以下之一:
当所述频谱偏移信息大于预设频谱阈值,所述熔池信息为正常;
当所述频谱偏移信息小于所述预设频谱阈值,所述熔池信息为异常。
本申请第二方面实施例提供了一种增材制造装置的调控***,包括:
至少一个处理器;
至少一个程序;
所述程序被存储在所述存储器中,所述处理器执行至少一个所述程序以实现:
如本申请第一方面任一项所述的增材制造装置的调控方法。
本申请第三方面实施例提供了一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行信号,所述计算机可执行信号用于执行:
如本申请第一方面任一项所述的增材制造装置的调控方法。
本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请的附加方面和优点结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1为本申请一些实施例提供的增材制造装置的调控方法的流程图;
图2为本申请一些实施例提供的获得第二增材电信号的流程图;
图3为本申请一些实施例提供的获得状态信息的流程图;
图4为本申请一些实施例提供的获得频谱偏移信息的流程图;
图5为本申请一些实施例提供的获得特征信息的流程图;
图6为本申请一些实施例提供的根据状态信息调整增材工艺参数的流程图;
图7为本申请一些实施例提供的增材制造装置的调控***的模块框图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
需要说明的是,虽然在流程图中示出了逻辑顺序,但是在某些情况下,可以以不同于流程图中的顺序执行所示出或描述的步骤。说明书和权利要求书及上述附图中的术语等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
在本申请的描述中,如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
本申请的描述中,除非另有明确的限定,设置、安装、连接等词语应做广义理解,所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本申请中的具体含义。
需要说明的是,增材制造是一种将材料逐层累加的制造方法,通过增材制造可以将三维实体转化为二维切片,再根据每个切片的形状生成对应的扫描路径,最后由机器按照生成的扫描路径将原材料逐层堆积融合,可以快速一体化成型具有复杂结构的产品。其中金属的增材制造是该技术的重要组成部分,典型的金属增材制造方法中,常用的热源有:激光热源、电子束热源及等离子热源,常用的材料供给方式有:送粉、铺粉和送丝等,结合不同的热源和不同的材料供给方式,相应的金属增材制造的工艺方法也有很多。
在增材制造过程中还涉及多种因素,如热源功率,扫描速度和成形路径等,任一因素的不足均可影响最终产品的质量。其中增材制造产品的主要缺陷可分为三类:一是表面缺陷,包括表面粗糙度高、表面存在气孔、表面熔融不均、表面存在裂纹等;二是内部缺陷,包括内部熔融不充分、内部存在气孔、夹渣及内部存在裂纹等;三是精度缺陷,主要指热源作用下导致制件的尺寸变化及翘曲、裂纹等。以上缺陷均存在于增材制造过程中,但目前的质量检测程序均设于产品完成制造后,无法及时对增材制造装置进行调控,并及时对缺陷进行处理,这导致了增材制造产品的失败率较高。
在另一方面,金属增材制造成形过程中将会形成具有一定形状的融化金属部分,即熔池,其包含着丰富的声、热、光等信息,要实现动态监测需要采集成形过程中的多种特征信号并对其进行处理,以达到实时调控的目的。目前的增材制造过程实现实时监测主要是通过相机、声发射传感器、光谱仪和光电二极管,以分别对热信号、声信号和光信号这三类信号源实现监测。
其中应用较为广泛的监测方法为通过基于视觉成像的高速相机实现监测,与基于热信号的温度传感器以实现监测。其中,基于视觉成像的高速相机通过采用结构光法对熔池的形貌尺寸实现在线监测,并建立反馈机制,以此减少增材制造产品在制造过程中的翘曲、变形等缺陷,但该技术对温度的敏感度较低,影响了监测的准确度,同时,在增材制造过程中,熔池的尺寸仅有几十到几百微米,高速相机对熔池的尺寸数据提取存在一定的困难,导致该方法不能有效地检测熔池内部缺陷。另外,高速相机的设备成本高且安装精度要求严格,增材制造过程中常常伴随着飞溅、电离等现象,会对基于视觉成像的监测技术产生严重的干扰,此类不足在一定程度上限制了该技术的应用。
其中,基于热信号的温度传感器检测方法是通过对熔池温度及其周边温度的分布进行测量,以实现对增材制造过程参数的动态调控,进而提高产品的质量。但温度传感器获得的信息数据量有限,仅能进行定性分析,无法从多维度表达熔池温度的分布信息,存在着一定的局限性。
而且,此类增材制造过程实时监测方法均存在着因传感器的安装有难度无法对增材制造过程产品的全区域进行实时监测,或无法处理微小型零件增材制造过程的实时监控等问题。且金属增材在进行复杂构件打印时,调控***会面临长时间复杂工况等挑战。
参考图1,第一方面,本申请实施例提供了一种增材制造装置的调控方法,包括但不限于步骤S110、步骤S120、步骤S130、步骤S140。
步骤S110,对增材制造装置执行施加电压操作,得到第一增材电信号;
步骤S120,对第一增材电信号执行数据处理操作,得到第二增材电信号;
步骤S130,结合预设的目标增材电信号对第二增材电信号执行数据分析操作,得到增材制造装置对应的状态信息;
步骤S140,根据状态信息调整增材制造装置对应的增材工艺参数。
需要说明的是,本申请的增材制造装置的调控方法通过对增材制造装置执行施加变化的电压操作,使得电流因为趋肤效应集中在产品的表面,得到第一增材电信号,并对第一增材电信号执行数据处理操作,滤除第一增材电信号中的噪声,得到第二增材电信号,再对第二增材电信号执行数据处理操作,将其转化为增材制造装置对应的状态信息,且本申请还能够根据状态信息实时调整增材工艺参数,进而调控产品的质量与精度,降低了产品的失败率。另一方面,本申请还实现了对增材制造过程产品的全区域实时监测,也对微小型零件增材制造过程实现了实时监控,同时,通过本申请的增材制造装置的调控方法,克服了长时间复杂工况的问题。更具体的是,电流趋肤效应为:当导体中有交流电或者交变电磁场时导体内部的电流分布不均匀,电流会集中在导体的“皮肤”部分,即电流集中在导体外表的薄层,越靠近导体表面,电流密度越大,实际上导体内部的电流较小。趋肤效应导致了导体的电阻和损耗功率均增加,因此第一增材电信号也随着熔池的变化而变化。
可以理解的是,增材制造装置包括基板和粉末床,粉末床设于基板上方,第一增材电信号包括熔池电信号和粉末床电信号;对增材制造装置执行施加变化的电压操作,得到第一增材电信号,包括以下至少一种:
对基板执行施加变化的电压操作,并间隔预设采集时间获取熔池电信号;
对粉末床执行施加变化的电压操作,并间隔预设采集时间获取粉末床电信号。
根据本申请的一个实施例,本申请的增材制造装置的调控方法可应用于同轴送粉激光增材制造过程,该技术需要的监测特征在于熔池,包括熔池的温度、形貌和稳定性等。本申请通过将基板的输入端与电源模块连接,将基板的输出端与保护电阻、数据采集模块连接,实现了对增材制造装置的实时调控。具体的是,在热源的作用下,熔池的温度急剧升高,因熔池的温度是决定增材制造产品缺陷生成和尺寸精度的一个重要影响因素,本申请通过对基板施加变化的电压,使得电流在趋肤效应的作用下集中在增材制造产品的表面,电流流经熔池,熔池的温度、形貌和尺寸的变化会导致该部分的电阻及一些属性发生变化,进而导致了电流的信号变化,输出关于熔池的电信号,本申请通过数据采集模块间隔预设的采集时间采集,以获取熔池电信号,即第一增材电信号。更具体的是,数据采集模块采集得到第一增材电信号后,先对第一增材电信号中的噪声进行滤除操作,以得到第二增材电信号,再将第二增材电信号发送给PC端,使得PC端对第二增材电信号执行数据处理操作,将其转化为增材制造装置对应的状态信息,对状态信息进行分析,当状态信息为异常时,本申请将得到影响增材制造的因素,并根据影响增材制造的因素调整对应的增材参数,将增材参数反馈给增材制造的机床,动态地调控增材制造过程,提高了调控***的准确性和鲁棒性。
根据本申请的另一个实施例,本申请的增材制造装置的调控方法还可应用于铺粉激光增材制造过程,相较于同轴送粉激光增材制造,铺粉的激光增材制造不仅需要对熔池实施在线的监测,同时也需要将粉末床纳入进监测范围,粉末床需要监测的特征在于其连续性,粉末的不连续或部分区域过于集中会导致制件的熔融不充分,夹杂未熔化粉末、气孔等问题。所以需要对粉末床也进行监测,本申请通过将基板的输入端、粉末床的输入端与电源模块连接,将基板的输出端、粉末床的输出端与保护电阻、数据采集模块连接,实现了对增材制造装置的实时调控。具体的是,在增材制造过程中,粉末床通过将粉末逐层铺在基板上以实现增材制造,因趋肤效应,电流会集中在表面一层粉末,粉末均匀时的电信号与粉末不均匀时不连续的信号不同,为提高对增材制造装置的调控的精确度,当偏差到达一定数值时,可实施干预,如驱使刮刀再重新刮一遍,以提高粉末的均匀性。本申请通过数据采集模块间隔预设的采集时间执行采集操作,以获取熔池电信号和粉末床电信号两个不同的电信号,第一增材电信号包括熔池电信号和粉末床电信号。更具体的是,数据采集模块在采集得到第一增材电信号后,先对第一增材电信号中的噪声进行滤除操作,以得到第二增材电信号,再将第二增材电信号发送给PC端,使得PC端对第二增材电信号执行数据处理操作,将其转化为增材制造装置对应的状态信息,对状态信息进行分析,当状态信息为异常时,本申请将得到影响增材制造的因素,并根据影响增材制造的因素调整对应的增材参数,将增材参数反馈给增材制造的机床,动态地调控增材制造过程,提高了调控***的准确性和鲁棒性。
根据本申请的一个实施例,数据采集模块为高灵敏度的电压/电流传感器,间隔预设的采集时间对同一点的数据进行重复采集。其中,采集时间并不是固定设置的数值,其可根据增材制造过程的实际情况而调整。
可以理解的是,本本申请的增材制造装置的调控方法适用于包括电弧、电子束、激光等多种热源的增材制造过程。
参照图2,本申请实施例提供了一种增材制造装置的调控方法中获取第二增材电信号的方法,包括但不限于步骤S210、步骤S220、步骤S230;
步骤S210,对第一增材电信号执行整流操作,得到整流增材电信号;
步骤S220,对整流增材电信号执行滤波操作,得到滤波增材电信号;
步骤S230,对滤波增材电信号执行放大操作,得到第二增材电信号。
需要说明的是,在采集得到第一增材电信号后,还需要对第一增材电信号中的噪声进行滤除噪声处理,以在第一增材电信号的基础上得到更准确的第二增材电信号。具体的是,本申请的数据采集模块在接收到第一增材电信号后,需要先对第一增材电信号执行整流操作,将交流电变换为单方向的脉冲电压和电流,得到整流增材电信号,因整流增材电信号含有较大的交流成分,还需要对整流增材电信号执行滤波操作以滤除交流分量,即消除噪声,得到滤波增材电信号,最后对滤波增材电信号执行放大操作,得到第二增材电信号,便于后续PC端对第二增材电信号进行数据分析。
参照图3,本申请实施例提供了一种增材制造装置的调控方法中获取状态信息的方法,包括但不限于步骤S310、步骤S320;
步骤S310,根据目标增材电信号对第二增材电信号执行频谱分析操作,得到频谱偏移信息;
步骤S320,根据深度学习算法对目标增材电信号和第二增材电信号进行数据处理,得到特征信息。
可以理解的是,状态信息包括频谱偏移信息和特征信息。
需要说明的是,本申请还包括PC端的分析模块,为使得第二增材电信号转化为状态信息,还需要通过PC端对第二增材电信号执行频谱分析操作以得到频谱偏移信息,并根据深度学习算法对目标增材电信号和第二增材电信号进行数据处理,以得到特征信息。具体的是,此处的分析模块是多种分析模式耦合的,以综合评判增材制造产品在成形过程中的稳定性。更具体的是,其中频谱分析操作是先行的,因为深度学习算法需要用到频谱分析操作得到的数据,即增材电信号频谱图。
需要说明的是,目标增材电信号为增材制造过程中理想状态下的电信号,频谱偏移信息表示第二增材电信号与理想状态下的电信号的差别,特征信息表示第二增材电信号中的缺陷。
参照图4,本申请实施例提供了一种增材制造装置的调控方法中获取频谱偏移信息的方法,包括但不限于步骤S410、步骤S420;
步骤S410,对第二增材电信号执行频谱变化操作,得到增材电信号频谱图;
步骤S420,对增材电信号频谱图和目标增材电信号对应的预设频谱图执行比较操作,得到频谱偏移信息。
需要说明的是,为使得第二增材电信号转化为频谱偏移信息,需要先对第二增材电信号执行频谱变化操作,以获得第二增材电信号的频谱图,即增材电信号频谱图,再通过对增材电信号频谱图和目标增材电信号对应的预设频谱图做对比,得到频谱偏移信息。具体的是,增材电信号频谱图和目标增材电信号对应的预设频谱图差别越大,则频谱偏移信息越大,表示了实际增材制造的情况正在恶化。
参照图5,本申请实施例提供了一种增材制造装置的调控方法中获取特征信息的方法,包括但不限于步骤S510、步骤S520;
步骤S510,根据深度学习算法和目标增材电信号,训练得到目标特征模型;
步骤S520,将第二增材电信号和增材电信号频谱图输入至目标特征模型,得到特征信息。
需要说明的是,为使得第二增材电信号转化为特征信息,首先需要根据深度学习算法对大量的目标增材电信号进行训练以得到目标特征模型,再将第二增材电信号和增材电信号频谱图输入至目标特征模型,通过目标特征模型,使得第二增材电信号和深度学习算法训练的理想状态下的特征进行对比,以输出特征信息。具体的是,在得到特征信息后还需要对影响增材制造过程的因素进行分析,不同的特征信息对应着不同的影响因素,通过特征信息可以智能实现缺陷的提取及分类。
根据本申请的一个实施例,当增材制造过程中的增材扫描速度过快,增材制造产品上会出现与扫描速度过大相应的缺陷,因而数据采集模块采集得到的第一增材电信号也会发生相应变化,导致最终目标特征模型输出的特征信息会反应其扫描速度过快。本申请的增材制造装置的调控方法还能根据特征信息以对应调整相关的增材工艺参数。
参照图6,本申请实施例提供一种增材制造装置的调控方法中根据状态信息调整增材工艺参数的方法,包括但不限于步骤S610、步骤S620;
步骤S610,根据频谱偏移信息判断增材制造装置的熔池信息,得到判断结果;
步骤S620,根据判断结果和特征信息调整增材制造装置对应的增材工艺参数。
可以理解的是,增材工艺参数包括热源功率、扫描速度、层高度、扫描策略和热源直径中的至少一种。
根据本申请的一个实施例,本申请能够根据频谱偏移信息判断增材制造装置的熔池信息,得到判断结果,当判断结果为正常时,则表明当前的增材制造过程较为稳定,此时增材制造的过程一切正常,因此无需再对增材工艺参数进行调整,可以维持当前的增材工艺参数,不再对其进行调整。当判断结果为异常时,则表明当前的增材制造过程发生变动,此时增材制造被影响因素影响,为防止产品存在缺陷,需要根据判断结果和特征信息对相应的增材工艺参数进行调整。
根据本申请的另一个实施例,当目标特征模型输出的特征信息反应热源功率过高时,本申请的增材制造装置的调控方法将会根据特征信息适当降低热源功率。
可以理解的是,判断结果包括以下之一:
当频谱偏移信息大于预设频谱阈值,熔池信息为正常;
当频谱偏移信息小于预设频谱阈值,熔池信息为异常。
根据本申请的一个实施例,当频谱偏移信息小于预设频谱阈值,则表明当前的增材制造过程较为稳定,此时增材制造的过程一切正常,熔池信息为正常;当频谱偏移信息大于预设频谱阈值,则表明当前的增材制造过程发生变动,此时增材制造被影响因素影响,熔池信息为异常。
需要说明的是,预设频谱阈值并不是固定的数值,其可根据增材制造过程的实际情况而调整。
第二方面,参照图7,本申请实施例提供了一种增材制造装置的调控***,包括:
至少一个存储器200;
至少一个处理器100;
至少一个程序;
程序被存储在存储器200中,处理器100执行至少一个程序以实现:
如本申请第一方面任一项实施例的增材制造装置的调控方法。
处理器100和存储器200可以通过总线或者其他方式连接。
存储器200作为一种非暂态可读存储介质,可用于存储非暂态软件指令以及非暂态性可指令。此外,存储器200可以包括高速随机存取存储器,还可以包括非暂态存储器,例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。可以理解的是,存储器200可选包括相对于处理器100远程设置的存储器200,这些远程存储器200可以通过网络连接至该处理器100。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
处理器100通过运行存储在存储器200中的非暂态软件指令、指令以及信号,从而各种功能应用以及数据处理,即实现上述第一方面实施例的一种增材制造装置的调控方法。
实现上述实施例的一种增材制造装置的调控***所需的非暂态软件指令以及指令存储在存储器200中,当被处理器100执行时,执行本申请第一方面实施例的一种增材制造装置的调控方法,例如,执行以上描述的图1中的方法步骤S110至S140、图2中的方法步骤S210至S230、图3中的方法步骤S310至S320、图4中的方法步骤S410至S420、图5中的方法步骤S510至S520、图6中的方法步骤S610至S620。
第三方面,本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质,计算机可读存储介质存储有计算机可执行信号,计算机可执行信号用于执行:
如申请第一方面任一项实施例的一种增材制造装置的调控方法。
例如执行以上描述的图1中的方法步骤S110至S140、图2中的方法步骤S210至S230、图3中的方法步骤S310至S320、图4中的方法步骤S410至S420、图5中的方法步骤S510至S520、图6中的方法步骤S610至S620。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,其中作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
通过以上的实施方式的描述,本领域普通技术人员可以理解,上文中所公开方法中的全部或某些步骤、***可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。某些物理组件或所有物理组件可以被实施为由处理器,如中央处理器、数字信号处理器或微处理器执行的软件,或者被实施为硬件,或者被实施为集成电路,如专用集成电路。这样的软件可以分布在可读介质上,可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的,术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读信号、数据结构、指令模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外,本领域普通技术人员公知的是,通信介质通常包含计算机可读信号、数据结构、指令模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据,并且可包括任何信息递送介质。
上面结合附图对本申请实施例作了详细说明,但是本申请不限于上述实施例,在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本申请宗旨的前提下,做出各种变化。

Claims (10)

1.一种增材制造装置的调控方法,其特征在于,包括:
对增材制造装置执行施加电压操作,得到第一增材电信号;
对所述第一增材电信号执行数据处理操作,得到第二增材电信号;
根据预设的目标增材电信号对所述第二增材电信号执行数据分析操作,得到所述增材制造装置的对应的状态信息;
根据所述状态信息调整所述增材制造装置对应的增材工艺参数。
2.根据权利要求1所述的增材制造装置的调控方法,其特征在于,所述增材制造装置包括基板和粉末床,所述粉末床设于所述基板上方,所述第一增材电信号包括熔池电信号和粉末床电信号;所述对增材制造装置执行施加电压操作,得到第一增材电信号,包括以下至少一种:
对所述基板执行施加变化的电压操作,并间隔预设采集时间获取所述熔池电信号;
对所述粉末床执行施加变化的电压操作,并间隔预设采集时间获取所述粉末床电信号。
3.根据权利要求1所述的增材制造装置的调控方法,其特征在于,所述对所述第一增材电信号执行数据处理操作,得到第二增材电信号,包括:
对所述第一增材电信号执行整流操作,得到整流增材电信号;
对所述整流增材电信号执行滤波操作,得到滤波增材电信号;
对所述滤波增材电信号执行放大操作,得到所述第二增材电信号。
4.根据权利要求1所述的增材制造装置的调控方法,其特征在于,所述状态信息包括频谱偏移信息和特征信息,所述根据预设的目标增材电信号对所述第二增材电信号执行数据分析操作,得到所述增材制造装置的对应的状态信息,包括:
根据所述目标增材电信号对所述第二增材电信号执行频谱分析操作,得到所述频谱偏移信息;
根据深度学习算法对所述目标增材电信号和所述第二增材电信号进行数据处理,得到所述特征信息。
5.根据权利要求4所述的增材制造装置的调控方法,其特征在于,根据所述目标增材电信号对所述第二增材电信号执行频谱分析操作,得到所述频谱偏移信息,包括:
对所述第二增材电信号执行频谱变化操作,得到增材电信号频谱图;
对所述增材电信号频谱图和所述目标增材电信号对应的预设频谱图执行比较操作,得到所述频谱偏移信息。
6.根据权利要求5所述的增材制造装置的调控方法,其特征在于,所述根据深度学习算法对所述目标增材电信号和所述第二增材电信号进行数据处理,得到所述特征信息,包括:
根据所述深度学习算法和所述目标增材电信号,训练得到目标特征模型;
将所述第二增材电信号和所述增材电信号频谱图输入至所述目标特征模型,得到所述特征信息。
7.根据权利要求4所述的增材制造装置的调控方法,其特征在于,所述根据所述状态信息调整所述增材制造装置对应的增材工艺参数,包括:
根据所述频谱偏移信息判断所述增材制造装置的熔池信息,得到判断结果;
根据所述判断结果和所述特征信息调整所述增材制造装置对应的增材工艺参数。
8.根据权利要求7所述的增材制造装置的调控方法,其特征在于,所述判断结果包括以下之一:
当所述频谱偏移信息大于预设频谱阈值,所述熔池信息为正常;
当所述频谱偏移信息小于所述预设频谱阈值,所述熔池信息为异常。
9.一种增材制造装置的调控***,其特征在于,包括:
至少一个处理器;
至少一个程序;
所述程序被存储在所述存储器中,所述处理器执行至少一个所述程序以实现:
如权利要求1至8任一项所述的增材制造装置的调控方法。
10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行信号,所述计算机可执行信号用于执行:
如权利要求1至8任一项所述的增材制造装置的调控方法。
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