CN115286855A - 一种高压直流半导电屏蔽材料及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种高压直流半导电屏蔽材料及其制备方法，涉及电缆材料领域。所述制备方法包括：按重量份计，将乙烯‑乙酸乙烯共聚物、低密度聚乙烯和30～35份导电炭黑混炼均匀，得到第一混炼产物，其中，乙烯‑乙酸乙烯共聚物和低密度聚乙烯共100份，乙烯‑乙酸乙烯共聚物与低密度聚乙烯配比满足2.5～3：4；将第一混炼产物与0.3～0.5份的抗氧剂、0.2～0.8份的交联助剂和0.5～2.0份的硫化剂充分混炼，形成第二混炼产物；将第二混炼产物在115～180℃进行处理，制得所述高压直流半导电屏蔽材料。本发明的高压直流半导电屏蔽材料降低电阻率的同时具有良好的力学性能和热延伸性能。

Description

一种高压直流半导电屏蔽材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及电缆材料领域，具体来讲，涉及一种高压直流半导电屏蔽材料及其制备方法、一种高压直流输电电缆以及一种高压电力输送***。
背景技术
高压直流电缆中的半导电屏蔽层可以防止导电线芯和绝缘层之间的间隙内发生局部放电。半导电屏蔽层能起到均匀电场的作用，降低绝缘层内的电应力，半导电屏蔽层能在一定程度上抑制绝缘层中电荷注入和电树枝的生长，从而延长电缆的使用寿命。
随着高压直流电缆的发展，高压直流电缆所用半导电屏蔽材料的使用量也会随之增加。目前由于配方及加工工艺体系的不完善，高压直流电缆用半导电屏蔽材料只能完全依赖进口。从国外进口有着供货量受制约、供货周期长、成本高等一系列缺点。
发明内容
发明人经分析，发现：加入导电炭黑越多，电阻率越低，然而如果仅仅通过加入导电炭黑降低电阻率，在实际应用中同时会降低半导电屏蔽材料的力学性能和热延伸性能等其他性能。因此，发明人希望研究一种既可以降低电阻率，同时又不降低半导电屏蔽材料其他性能的高压直流半导电屏蔽材料。
本发明的目在于提供了一种高压直流半导电屏蔽材料及其制备方法。
为实现上述目的，本发明所采用的技术方案为：
本发明的第一方面提供一种高压直流半导电屏蔽材料的制备方法，所述制备方法可由以下步骤构成：
按重量份计，将乙烯-乙酸乙烯共聚物、低密度聚乙烯和30～35份导电炭黑混炼均匀，得到第一混炼产物，其中，乙烯-乙酸乙烯共聚物和低密度聚乙烯共100份，乙烯-乙酸乙烯共聚物与低密度聚乙烯配比满足2.5～3：4；将第一混炼产物与0.3～0.5份的抗氧剂、0.2～0.8份的交联助剂和0.5～2.0份的硫化剂充分混炼，形成第二混炼产物；将第二混炼产物在115～180℃进行处理，制得所述高压直流半导电屏蔽材料。
本发明的第二方面提供一种高压直流半导电屏蔽材料，所述高压直流半导电屏蔽材料通过如上所述的任意一项制备方法得到。
本发明的第三方面提供一种高压直流输电电缆，所述高压直流输电电缆包括如上所述的高压直流半导电屏蔽材料。
本发明的第四方面提供一种高压电力输送***，所述高压电力输送***包括如上所述的高压直流输电电缆。
与现有技术相比，本发明的有益效果包括以下内容中的一项或者多项：
1、提供一种高压直流半导电屏蔽材料及其制备方法，将半导电屏蔽材料附加在导电线芯和绝缘层之间的间隙内，形成半导电屏蔽层，防止发生局部放电，达到均化电场的目的；
2、提供一种高压直流半导电屏蔽材料及其制备方法，降低了加工工艺的要求，且改善了供货量受制约、供货周期长、成本高等一系列缺点；
3、相比普通电缆用屏蔽材料，厚度为0.1cm进行电阻率测试，厚度为0.2cm进行力学和热延伸测试时，本发明的高压直流半导电屏蔽材料降低电阻率的同时不降低半导电屏蔽材料的力学性能和热延伸性能。例如，在25～90℃范围内，本发明高压直流半导电屏蔽材料的电阻率相对于温度的斜率不高于1.3，线性拟合度R2不低于为0.85。
4、相比普通电缆用屏蔽材料，厚度为0.1cm进行电阻率测试时，本发明的高压直流半导电屏蔽材料具有良好的高温性能。例如，70～90℃使用时，电阻率的范围为85～210Ω·m。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1示出了本发明实施例中电阻率与温度的关系示意图
图2示出了本发明实施例中电阻率与温度的线性回归分析图
具体实施方式
为了更清楚的阐释本发明的整体构思，下面结合说明书附图以示例的方式进行详细说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
另外，在本发明的描述中，需要理解的是，术语“顶”、“底”、“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
高压直流半导电屏蔽材料的制备方法包括以下步骤：按重量份计，将乙烯-乙酸乙烯共聚物、低密度聚乙烯和30～35份导电炭黑混炼均匀，得到第一混炼产物，其中，乙烯-乙酸乙烯共聚物和低密度聚乙烯共100份，乙烯-乙酸乙烯共聚物与低密度聚乙烯配比满足2.5～3：4；将第一混炼产物与0.3～0.5份的抗氧剂、0.2～0.8份的交联助剂和0.5～2.0份的硫化剂充分混炼，形成第二混炼产物；将第二混炼产物在115℃～180℃进行处理，制得所述高压直流半导电屏蔽材料。
所述乙烯-乙酸乙烯共聚物与低密度聚乙烯配比满足2.6～2.8：4，导电炭黑的份数为32～34，所述抗氧剂份数为0.35～0.45，所述交联助剂份数为0.3～0.5，所述硫化剂份数为0.8～1.6。
所述乙烯-乙酸乙烯共聚物中乙酸乙烯含量为15～18wt％；乙烯-乙酸乙烯共聚物熔体流动指数为2～4g/10min，熔点为80～100℃；所述低密度聚乙烯熔体流动指数为2～3g/10min，密度为920.5kg/m3，拉伸强度≥8MPa，断裂伸长率≥400％。
这里，所述硫化剂可以为双二五和过氧化二异丙苯(DCP)；所述抗氧剂可以为4,4'-硫代双(6-叔丁基-3-甲基苯酚)、四[β-(3，5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸]季戊四醇酯、2，6-二叔丁基对甲酚、1,3,5-三(3,5-二叔丁基-4-羟基苄基)异氰尿酸中的一种或两种以上的组合，所述交联助剂可以为jlz2、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯和γ-氨丙基三乙氧基硅烷。
关于高压直流半导电屏蔽材料的制备详述如下：
实施例1
按照表1中的配比，将乙烯-乙酸乙烯共聚物、低密度聚乙烯和导电炭黑进行干燥处理后，所述乙烯-乙酸乙烯共聚物中乙酸乙烯含量为16wt％，乙烯-乙酸乙烯共聚物熔体流动指数为2～4g/10min，熔点为80～90℃；所述低密度聚乙烯熔体流动指数为2～3g/10min，加入到双轨开炼机中于120℃，混炼20min，得到第一混炼产物，将第一混炼产物与抗氧剂4,4'-硫代双(6-叔丁基-3-甲基苯酚)，交联助剂三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯和硫化剂过氧化二异丙苯(DCP)进一步采用密炼机于120℃进行混炼得到第二混炼产物，将平板硫化机在120℃、0MPa下进行预热，在120℃、10MPa下将第二混炼产物进行成片和排气处理，然后在160℃下进行交联，最后冷却至室温得到片状高压直流半导电屏蔽材料。先进行开练后进行密炼的目的一方面是避免密炼机内温度与胶料温差过大影响混炼的均匀性，另一方面后进行密炼可以避免添加剂损失，同时更高效的使胶料与添加剂充分混合。
这里，本发明可通过平板硫化机或拉伸流变挤出机来形成高压直流半导电屏蔽材料，然而本发明可不限于此。
这里，前述的第二混炼产物也可在进行平板硫化机之前，通过混炼、熔融后造粒处理，形成粒状的高压直流半导电屏蔽材料。此外，前述的第二混炼产物也可在进行平板硫化机之前，通过混炼、熔融后造粒处理、线材成型处理，得到线状高压直流半导电屏蔽材料。
实施例2
按照表1中的配比，将乙烯-乙酸乙烯共聚物、低密度聚乙烯和导电炭黑进行干燥处理后，所述乙烯-乙酸乙烯共聚物中乙酸乙烯含量为17wt％，乙烯-乙酸乙烯共聚物熔体流动指数为2～4g/10min，熔点为80～90℃；所述低密度聚乙烯熔体流动指数为2～3g/10min，加入到双轨开炼机中于130℃，混炼20min，得到第一混炼产物，将第一混炼产物与抗氧剂2，6-二叔丁基对甲酚，交联助剂γ-氨丙基三乙氧基硅烷和硫化剂双二五进一步采用密炼机于130℃进行混炼得到第二混炼产物，将平板硫化机在135℃、0MPa下进行预热，在135℃、15MPa下将第二混炼产物进行成片和排气处理，然后在175℃下进行交联，最后冷却至室温得到片状高压直流半导电屏蔽材料。
实施例3
按照表1中的配比，将乙烯-乙酸乙烯共聚物、低密度聚乙烯和导电炭黑进行干燥处理后，所述乙烯-乙酸乙烯共聚物中乙酸乙烯含量为18wt％，乙烯-乙酸乙烯共聚物熔体流动指数为2～4g/10min，熔点为85～95℃；所述低密度聚乙烯熔体流动指数为2～3g/10min，加入到双轨开炼机中于140℃，混炼18min，得到第一混炼产物，将第一混炼产物与抗氧剂四[β-(3，5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸]季戊四醇酯，交联助剂三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯和硫化剂DCP进一步采用密炼机于140℃进行混炼得到第二混炼产物，在140℃下将第二混炼产物用拉伸流变挤出机，熔融挤出造粒，制得粒状的高压直流半导电屏蔽材料。
这里，将粒状的高压直流半导电屏蔽材料可通过热压成型工艺得到片状的高压直流半导电屏蔽材料。
对比例1
在实施例1的基础上，区别在于不加低密度聚乙烯。
对比例2
在实施例1的基础上，区别在于不加低密度聚乙烯，添加45份导电炭黑。
对比例3
在实施例1的基础上，区别在于乙烯-乙酸乙烯共聚物与低密度聚乙烯配比高于2.5～3：4。
对比例4
在实施例1的基础上，区别在于乙烯-乙酸乙烯共聚物与低密度聚乙烯配比低于2.5～3：4。
表1配料表
Figure BDA0003748426120000071
将实施例1、实施例2、实施例3、对比例1和对比例2得到的高压直流半导电屏蔽材料，在厚度为0.1cm进行电阻率测试，厚度为0.2cm进行力学和热延伸测试。
其中，热延伸性能测试具体步骤为：制备厚度大约2.0mm的哑铃型试样，在试样中部标上20mm的标志线，测取每个试样的厚度。试样负荷0.2MPa。在经过200℃烘箱保存15min后测试并计算负荷下伸长率。移去负荷，在烘箱放置5min后将样品取出，冷却至室温读数并计算永久变形率。
25℃时高压直流半导电屏蔽材料的性能情况见表2。不同温度下高压直流半导电屏蔽材料的电阻率情况见表3。
表2 25℃时高压直流半导电屏蔽材料的性能情况
Figure BDA0003748426120000072
Figure BDA0003748426120000081
表3不同温度下高压直流半导电屏蔽材料的电阻率情况
Figure BDA0003748426120000082
对于半导电屏蔽材料而言，电阻率越低半导电屏蔽材料的性能越好；拉伸强度越大以及断裂伸长率越大半导电屏蔽材料的力学性能越好；此外，半导电屏蔽材料的热延伸性能(负荷下伸长率和冷却后永久变形率)要与绝缘层材料的热延伸性能相匹配。
综上所述，通常使用乙烯-乙酸乙烯共聚物来制备半导电屏蔽材料，但电阻率很大，为了使半导电屏蔽材料的电阻率降低，加入过多的导电炭黑。参考表2中，对比例2与对比例1的性能数据相比，可以看出，电阻率降低了50％以上，拉伸强度降低了1MPa左右，断裂伸长率降低了50％以上，加入过多的导电炭黑，电阻率的参数得到改善，但断裂伸长率和拉伸强度参数出现了劣化。
参考表2，实施例1与对比例3的性能数据相比，可以看出，本发明的半导电屏蔽材料电阻率降低了50％以上，拉伸强度和断裂伸长率相当；实施例2与对比例3相比，可以看出，本发明的半导电屏蔽材料电阻率降低了50％以上，拉伸强度和断裂伸长率相当，实施例3与对比例3相比，可以看出，本发明的半导电屏蔽材料电阻率降低了50％以上，拉伸强度和断裂伸长率相当，对比例3的乙烯-乙酸乙烯共聚物与低密度聚乙烯配比为3.55：4，超出本发明乙烯-乙酸乙烯共聚物与低密度聚乙烯配比范围2.5～3:4，对比例3半导电屏蔽材料的电阻率参数劣化。
参考表2，实施例1与对比例4相比，可以看出本发明的半导电屏蔽材料电阻率降低了80％左右，拉伸强度提高了1MPa左右，断裂伸长率提高了25％左右，电阻率、拉伸强度以及断裂伸长率参数都有所改善；实施例2与对比例4相比，可以看出本发明的半导电屏蔽材料电阻率降低了80％左右，拉伸强度提高了2MPa左右，断裂伸长率提高了25％左右，电阻率、拉伸强度以及断裂伸长率参数都有所改善；实施例3与对比例4相比，可以看出本发明的半导电屏蔽材料电阻率降低了80％左右，拉伸强度提高了3MPa左右，断裂伸长率提高了25％左右，电阻率、拉伸强度以及断裂伸长率参数都有所改善；对比例4的乙烯-乙酸乙烯共聚物与低密度聚乙烯配比为1.97：4，低于本发明乙烯-乙酸乙烯共聚物与低密度聚乙烯配比范围2.5～3:4，对比例4半导电屏蔽材料的电阻率、拉伸强度以及断裂伸长率参数都有所劣化。发明人经过多次实验，提供了一种乙烯-乙酸乙烯共聚物与低密度聚乙烯配比满足2.5～3:4，在导电炭黑、抗氧剂、交联助剂和硫化剂的共同作用下，使半导电屏蔽材料降低电阻率同时又不降低力学性能。
参考表2，本申请制备得到的半导电屏蔽材料的热延伸性能与普通绝缘层材料(例如聚乙烯绝缘层材料)相匹配，相同条件下，本申请半导电屏蔽材料与聚乙烯绝缘层材料的负荷下伸长率相比，相差不超过聚乙烯绝缘层材料负荷下伸长率的15％，本申请半导电屏蔽材料与聚乙烯绝缘层材料冷却后永久变形率相比，相差不超过聚乙烯绝缘层材料冷却后永久变形率的5％。
参考表3，可以看出，90℃时，实施例1～3的高压直流半导电屏蔽材料的电阻率是对比例1的25％以下，且在25～90℃时，对比例1的电阻率随温度升高的变化率更陡或更大，而实施例1～3电阻率随温度升高的变化率(即，电阻率相对于温度的导数，例如，类似于斜率)更加缓和或更小，如图1所示。表3中，对比例2与实施例1～3相比，电阻率随温度升高的变化率与本申请相当，但对比例2半导电屏蔽材料的力学性能差。
参考图2，分别对实施例1、实施例2和实施例3电阻率相对于温度的变化进行线性回归分析，例如，在25～90℃范围内，本发明高压直流半导电屏蔽材料的电阻率相对于温度的斜率不高于1.3，线性拟合度R2不低于为0.85。此外，本发明的高压直流半导电屏蔽材料使用温度能达到90℃，例如，在70～90℃使用时，电阻率的范围为85～210Ω·m，显然，本发明的高压直流半导电屏蔽材料具有良好的高温性能。
将本发明制得的半导电屏蔽材料附加在高压直流电缆的导电线芯和绝缘层之间的间隙内，形成半导电屏蔽层，达到均化电场的效果；这里，本发明所制备得到的半导电屏蔽材料适用于高压电缆110～220kV。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (9)

1.一种高压直流半导电屏蔽材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
按重量份计，将乙烯-乙酸乙烯共聚物、低密度聚乙烯和30～35份导电炭黑混炼均匀，得到第一混炼产物，其中，乙烯-乙酸乙烯共聚物和低密度聚乙烯共100份，乙烯-乙酸乙烯共聚物与低密度聚乙烯配比满足2.5～3：4；将第一混炼产物与0.3～0.5份的抗氧剂、0.2～0.8份的交联助剂和0.5～2.0份的硫化剂充分混炼，形成第二混炼产物；将第二混炼产物在115～180℃进行处理，制得所述高压直流半导电屏蔽材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述乙烯-乙酸乙烯共聚物与低密度聚乙烯配比满足2.6～2.8：4，导电炭黑的份数为32～34，所述抗氧剂份数为0.35～0.45，所述交联助剂份数为0.3～0.5，所述硫化剂份数为0.8～1.6。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述乙烯-乙酸乙烯共聚物中乙酸乙烯含量为15～18wt％。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述乙烯-乙酸乙烯共聚物熔体流动指数为2～4g/10min，熔点为80～100℃；所述低密度聚乙烯熔体流动指数为2～3g/10min，密度为920.5kg/m3，拉伸强度≥8MPa，断裂伸长率≥400％。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述交联助剂为三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯，所述硫化剂为过氧化二异丙苯，所述抗氧剂为4,4'-硫代双(6-叔丁基-3-甲基苯酚)。
6.一种高压直流半导电屏蔽材料，其特征在于，所述高压直流半导电屏蔽材料通过如权利要求1至5中任意一项所述的制备方法得到。
7.根据权利要求6所述的高压直流半导电屏蔽材料，其特征在于，所述半导电屏蔽材料在25～90℃范围内，电阻率相对于温度的斜率不高于1.3，线性拟合度R2不低于为0.85，在70～90℃使用时，电阻率的范围为85～210Ω·m。
8.一种高压直流输电电缆，其特征在于，所述电缆包括如权利要求6或7的高压直流半导电屏蔽材料。
9.一种高压电力输送***，其特征在于，所述电力输送***包括如权利要求8所述的高压直流输电电缆。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107129625A (zh) * 2017-05-09 2017-09-05 上海贝恩科电缆有限公司 一种电梯电缆半导电屏蔽电缆料及其制备方法
CN107325389A (zh) * 2017-07-31 2017-11-07 江苏德威新材料股份有限公司 一种高压电缆用抗焦烧半导电屏蔽材料及其制备方法
US20180298205A1 (en) * 2015-10-07 2018-10-18 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Llc Semiconductive Shield Composition
CN110078990A (zh) * 2019-04-01 2019-08-02 青岛科技大学 一种磁性复合高压直流电缆半导电屏蔽层及其制备方法
CN113150274A (zh) * 2021-02-03 2021-07-23 青岛科技大学 一种高压直流半导电屏蔽料及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180298205A1 (en) * 2015-10-07 2018-10-18 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Llc Semiconductive Shield Composition
CN107129625A (zh) * 2017-05-09 2017-09-05 上海贝恩科电缆有限公司 一种电梯电缆半导电屏蔽电缆料及其制备方法
CN107325389A (zh) * 2017-07-31 2017-11-07 江苏德威新材料股份有限公司 一种高压电缆用抗焦烧半导电屏蔽材料及其制备方法
CN110078990A (zh) * 2019-04-01 2019-08-02 青岛科技大学 一种磁性复合高压直流电缆半导电屏蔽层及其制备方法
CN113150274A (zh) * 2021-02-03 2021-07-23 青岛科技大学 一种高压直流半导电屏蔽料及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ZHANG CHONG等: "Effect of magnetic compound electrode on space charge injection and accumulation in LDPE", 《APPLIED PHYSICS LETTERS》 *

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