CN115274777A - 显示装置 - Google Patents
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- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 140
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 344
- 239000000463 material Substances 0.000 description 30
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 101000642431 Homo sapiens Pre-mRNA-splicing factor SPF27 Proteins 0.000 description 5
- 102100036347 Pre-mRNA-splicing factor SPF27 Human genes 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 101150080924 CNE1 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100119167 Drosophila mojavensis Est-4 gene Proteins 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
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Abstract
一种显示装置,包括:发光元件;封装层,在发光元件之上并且按顺序包括第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层,并且第一无机封装层和第二无机封装层彼此直接接触以限定显示装置的无机封装区域;电连接到发光元件的电源电压线;将电信号提供给显示区域的信号线,并且在显示装置的无机封装区域内,信号线与电源电压线重叠;以及在彼此重叠的电源电压线与信号线之间的蚀刻停止图案。
Description
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
随着信息化社会的发展,对显示装置的各种需求不断增加。例如,显示装置正被诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视的各种电子装置采用。
作为这样的显示装置,诸如液晶显示(LCD)装置和有机发光显示(OLED)装置的各种类型的显示装置被使用。在它们当中,有机发光显示装置通过使用在电子和空穴复合时发光的有机发光器件来显示图像。
有机发光显示装置包括连接到扫描线和数据线的像素、将扫描信号施加到扫描线的扫描驱动器、将数据电压施加到数据线的数据驱动器和将电源电压施加到像素的电源电压线。扫描驱动器可以响应于通过扫描控制线输入的扫描时序信号生成扫描信号,并且可以将生成的扫描信号输出到扫描线。
发明内容
本公开的实施例提供一种能够抑制或有效地防止电源电压线和扫描驱动线彼此重叠处的电流泄漏和这两种线之间的耦合的显示装置。
应当注意,本公开的目的不限于上述目的,并且本公开的其他目的对于本领域技术人员而言将从以下描述中显而易见。
根据本公开的实施例,一种显示装置包括:显示区域,包括多个发光元件,发光元件中的每一个包括阳极电极、发射层和阴极电极;封装层,在多个发光元件之上并且包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层;围绕显示区域的坝;在坝外侧的堤;电连接到阴极电极的电源电压线;与电源电压线重叠的信号线;电源电压线与信号线之间的蚀刻停止图案;以及坝与堤之间的无机封装区域。第一无机封装层和第二无机封装层在无机封装区域中彼此直接接触。蚀刻停止图案在无机封装区域中。
电源电压线和信号线彼此重叠的重叠区域的至少一部分可以与无机封装区域重叠。
蚀刻停止图案的至少一部分可以与重叠区域的至少一部分重叠。
显示装置可以进一步包括:基板;在基板上的第一导电层;在第一导电层上的第一有机绝缘层;在第一有机绝缘层上的第二导电层;在第二导电层上的第二有机绝缘层;以及在第二有机绝缘层上的第三导电层。电源电压线可以是第三导电层的图案。
蚀刻停止图案可以是第一导电层和第二导电层中的一个的图案。
电源电压线和蚀刻停止图案可以彼此直接接触。
蚀刻停止图案可以包括作为第一导电层的图案的第一堆叠图案以及作为第二导电层的图案的第二堆叠图案。
显示装置可以进一步包括在第三导电层上的第三有机绝缘层。阳极电极可以在第三有机绝缘层上。
显示装置可以进一步包括在蚀刻停止图案与信号线之间的无机绝缘层。无机绝缘层可以在无机绝缘层与蚀刻停止图案重叠处具有第一厚度,并且可以在无机绝缘层不与蚀刻停止图案重叠处具有小于第一厚度的第二厚度。
第一无机封装层可以在无机封装区域中与电源电压线直接接触。
显示装置可以进一步包括连接到信号线的一端的扫描驱动器以及连接到信号线的相对端的驱动器芯片。
显示装置可以进一步包括围绕显示区域的非显示区域。电源电压线和信号线可以在非显示区域中彼此重叠。
根据本公开的实施例,一种显示装置包括:基板;在基板上的信号线;在信号线上的第一无机绝缘层;在第一无机绝缘层上的第一导电层;在第一导电层上的第一有机绝缘层;在第一有机绝缘层上的第二导电层;在第二导电层上的第二有机绝缘层;在第二有机绝缘层上并且包括与信号线重叠的电源电压线的第三导电层;在第三导电层上的第三有机绝缘层;在第三有机绝缘层上并且包括阳极电极、发射层和电连接到电源电压线的阴极电极的发光元件;在阴极电极上并且包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的封装层;以及在信号线和电源电压线彼此重叠的重叠区域的至少一部分上的蚀刻停止图案。
显示装置可以进一步包括其中第一无机封装层和第二无机封装层彼此直接接触的无机封装区域,无机封装区域与重叠区域至少部分重叠。蚀刻停止图案可以包括第一导电层和第二导电层中的至少一个,并且可以在与无机封装区域重叠的重叠区域中。
显示装置可以进一步包括围绕发光元件的坝和在坝外侧的堤。无机封装区域可以在坝与堤之间。
第一无机封装层可以在无机封装区域中与电源电压线直接接触。
显示装置可以进一步包括显示图像的显示区域和在显示区域周围的非显示区域。无机封装区域可以在非显示区域中。
电源电压线和蚀刻停止图案可以彼此直接接触。
根据本公开的实施例,一种显示装置包括:显示区域,包括多个发光元件,发光元件中的每一个包括阳极电极、发射层和阴极电极;封装层,在多个发光元件之上并且包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层;围绕显示区域的坝;在坝外侧的堤;电连接到阴极电极的电源电压线;与电源电压线重叠的信号线;电源电压线与信号线之间的蚀刻停止图案;以及在蚀刻停止图案与信号线之间的无机绝缘层。无机绝缘层在无机绝缘层与蚀刻停止图案重叠处具有第一厚度,并且在无机绝缘层不与蚀刻停止图案重叠处具有小于第一厚度的第二厚度。
显示装置可以进一步包括在坝与堤之间的无机封装区域。第一无机封装层和第二无机封装层可以在无机封装区域中彼此直接接触。电源电压线和信号线彼此重叠的重叠区域的至少一部分可以在无机封装区域中。蚀刻停止图案可以在与重叠区域重叠的无机封装区域中。
根据本公开的实施例,蚀刻停止图案在电源电压线与扫描驱动线之间,从而可以抑制或有效地防止电源电压线和扫描驱动线彼此重叠处的电流泄漏以及两条线之间的耦合。
根据本公开的实施例,可以抑制或有效地防止电源电压线中的发热问题。
应当注意,本公开的效果不限于上述那些,并且根据以下描述,本公开的其他效果对于本领域技术人员将是显而易见的。
附图说明
通过参考附图对本公开的实施例进行详细描述,本公开的上述和其他特征将变得更加显而易见。
图1是显示装置的实施例的平面图。
图2是被弯曲的图1的显示装置的侧视图。
图3是示出像素的实施例的电路图。
图4是显示面板的像素的实施例的放大截面图。
图5是图1的区域A的放大平面图。
图6是沿图5的线VI-VI'截取的截面图。
图7是图5的区域B的放大图。
图8是沿图7的线VIII-VIII'截取的截面图。
图9是图8的部分C的放大图。
图10是显示面板的实施例的平面图。
图11是显示面板的实施例的平面图。
图12是显示面板的实施例的截面图。
图13是显示面板的实施例的截面图。
具体实施方式
在下面的描述中,出于说明的目的,阐述许多细节,以便提供对本公开的各种实施例或实施方式的透彻理解。如本文所使用的,“实施例”和“实施方式”是可互换的词,其是采用本文所公开的本公开的装置或方法中的一个或多个的非限制性示例。然而,显而易见的是,可以在没有这些细节的情况下或者利用一个或多个等同布置来实践各种实施例。在其他实例中,以框图形式示出公知的结构和装置,以避免不必要地模糊各种实施例。此外,各种实施例可以是不同的,但不必是排他的。例如,实施例的特定形状、配置和特性可以在其他实施例中使用或实现,而不脱离本公开。
除非另外指明,否则所例示的实施例应理解为提供可在实践中实施本公开的一些方式的不同细节的特征。因此,除非另外指明,否则各种实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文中,单独称为或统称为“元件”)可以以其他方式组合、分离、互换和/或重新布置,而不脱离本公开。
附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供用于使相邻元件之间的边界变得清楚。因此,除非指明,否则交叉影线或阴影的存在或不存在均不表达或指示针对特定材料、材料性质、尺寸、比例、图示元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。
此外,在附图中,为了清楚和/或描述目的,可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实现实施例时,工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如,可以大致同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。而且,相同的附图标记表示相同的元件。如本文所使用的,附图标记可以指示单个元件或多个元件。例如,在附图内标记单数形式的元件的附图标记可以用于在说明书的文本内引用多个单个元件。
当元件或层被称为与另一元件或层相关例如“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时,其可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接联接到另一元件或层,或者可以存在居间元件或层。然而,当元件或层被称为与另一元件相关例如“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时,不存在居间元件或层。为此,术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理的、电的和/或流体的连接。
此外,X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴,并因此不限于X轴、Y轴和Z轴,并且可以在更广泛的意义上进行解释。例如,X轴、Y轴和Z轴可以彼此垂直,或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
出于本公开的目的,“X、Y和Z中的至少一个”和“选自X、Y和Z中的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z,或X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合,诸如例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文所使用的,术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多个的任何和所有组合。
尽管本文可能使用术语“第一”和“第二”等来描述各种类型的元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此,下面讨论的第一元件可以被称为第二元件,而不脱离本公开的教导。
本文可能将诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”、“之上”、“较高”和“侧”(例如,如在“侧壁”中)等的空间相对术语用于描述性目的,并由此描述如附图所示的一个元件与另一个(一些)元件或特征的关系。除了附图中所描绘的定向之外,空间相对术语旨在包括设备在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如,如果附图中的设备被翻转,则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向在其他元件或特征“上方”。因此,术语“下方”可以涵盖上方和下方两种定向。此外,设备可以以其他方式定向(例如,旋转90度或处于其他定向),并因此,本文使用的空间相对描述语应被相应地解释。
本文使用的术语用于描述特定实施例的目的,并不旨在限制。如本文所使用的,除非内容另外明确指示,否则单数形式“一”和“该(所述)”旨在也包括复数形式。此外,当在本说明书中使用时,术语“包括”和/或“包含”及其变体指明所述特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在,但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组。还应注意,如本文所使用的,术语“大致”、“大约”和其他类似术语用作近似术语,而不是程度术语,并且因此用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量的值、计算的值和/或提供的值的固有偏差。
本文参考截面图示和/或分解图示来描述各种实施例,截面图示和/或分解图示是理想化的实施例和/或中间结构的示意性图示。因此,可预期由于例如制造技术和/或公差而导致的图示的形状的变化。因此,本文公开的实施例不应一定被解释为限于区域的特定示出的形状,而是包括由例如制造引起的形状偏差。这样,附图中示出的区域本质上可以是示意性的,并且这些区域的形状可能不反映装置的区域的实际形状,并且不一定旨在限制。
按照本领域的惯例,从功能块、单元、部分和/或模块方面描述和在附图中示出一些实施例。本领域技术人员将理解,这些块、单元、部分和/或模块由可以使用基于半导体的制造技术或其他制造技术形成的、诸如逻辑电路、分立部件、微处理器、硬连线电路、存储器元件和布线连接等的电子(或光学)电路物理地实现。在块、单元、部分和/或模块由微处理器或其他类似硬件实现的情况下,它们可以使用软件(例如,微码)来编程和控制以执行本文讨论的各种功能,并且可以可选地由固件和/或软件驱动。还预期,每个块、单元、部分和/或模块可以由专用硬件实现,或者可以被实现为用于执行一些功能的专用硬件和用于执行其他功能的处理器(例如,一个或多个编程的微处理器和相关联的电路)的组合。此外,一些实施例的每个块、单元、部分和/或模块可以物理地分离成两个或更多个交互并且分立的块、单元、部分和/或模块,而不脱离本公开的范围。此外,一些实施例的块、单元、部分和/或模块可以物理地组合成更复杂的块、单元、部分和/或模块,而不脱离本公开的范围。
除非本文另外定义或暗示,否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解,诸如在常用字典中定义的术语的术语应被解释为具有与其在相关领域和本公开的背景中的含义一致的含义,并且,除非本文明确如此定义,否则不应在理想的或过度正式的意义上来解释。
图1是显示装置1的实施例的平面图。图2是图1的显示装置1的侧视图。图2示出了在厚度方向上(或沿厚度方向)被弯曲的显示装置1的侧面形状。
在附图中,当沿显示装置1的厚度方向从顶部(例如,平面图)观看时,第一方向DR1表示显示装置1的水平方向,并且第二方向DR2表示显示装置1的垂直方向。此外,第三方向DR3可以指显示装置1的厚度方向。第一方向DR1与第二方向DR2交叉或相交,例如垂直于第二方向DR2。彼此交叉的第一方向DR1和第二方向DR2可以限定平面。第三方向DR3与该平面交叉或相交,例如与第一方向DR1和第二方向DR2所在的平面正交并且垂直于第一方向DR1和第二方向DR2。应当理解,实施例中所指的方向是相对方向,并且实施例不限于提及的方向。
在以下描述中,在平面图中,除非另外特别说明,否则第一方向DR1指示向右方向,第一方向DR1的相反方向指示向左方向,第二方向DR2指示向上方向,并且第二方向DR2的相反方向指示向下方向。此外,在平面图中,术语在第一方向DR1上的“一侧”和“另一侧”分别可以指代右侧和左侧,并且术语在第二方向DR2上的“一侧”和“另一侧”分别可以指代上侧和下侧。另外,除非另外说明,否则术语在第三方向DR3上的“顶部”、“上表面”和“上侧”指代显示面板10的显示侧,而术语在第三方向DR3上的“底部”、“下表面”和“下侧”指代显示面板10的对侧。
参考图1和图2,显示装置1显示运动图像或静止图像。显示装置1可以用作诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置和超移动PC(UMPC)的便携式电子装置的显示屏以及诸如电视机、笔记本、监视器、广告牌、物联网装置的各种产品的显示屏。
根据本公开的实施例,当从顶部观看时,显示装置1可以具有大致矩形的形状。当从顶部观看时,显示装置1可以具有包括成直角的拐角的矩形形状。然而,应当理解,本公开不限于此。当从顶部观看时,显示装置1可以具有包括倒圆拐角的矩形形状。
当显示装置1在从顶部观看时具有矩形形状时,分别设置在第一方向DR1上的一侧和另一侧并且在第二方向DR2上延伸的两条边的长度可以大于分别设置在第二方向DR2上的一侧和另一侧并且在第一方向DR1上延伸的两条边的长度。换句话说,显示装置1的分别设置在第一方向DR1上的一侧和另一侧的两条边可以是长边,并且显示装置1的分别设置在第二方向DR2上的一侧和另一侧的两条边可以是短边。
显示装置1可以包括显示面板10。显示面板10可以是柔性的。显示面板10可以包括包含诸如聚酰亚胺的柔性聚合物材料的柔性基板。因此,显示面板10可以被弯折、被弯曲、被折叠或被卷曲(例如,是可弯折的、可弯曲的、可折叠的或可卷曲的)。
显示面板10可以是有机发光显示面板。在以下描述中,采用有机发光显示面板作为显示面板10。然而,应当理解,显示面板10可以包括诸如液晶显示面板、量子点有机发光显示面板、量子点液晶显示面板、量子纳米发光显示面板和微型LED显示面板的其他类型的显示面板。
显示面板10可以包括显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。当从顶部观看时,显示面板10可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。非显示区域NDA与显示区域DA相邻并且可以围绕显示区域DA。非显示区域NDA可以形成显示装置1的边框。显示装置1的各种元件或层可以包括与上述那些相对应的显示区域DA和非显示区域NDA。
当从顶部观看时,显示区域DA可以与显示装置1的整体形状(例如,外形)相一致。当从顶部观看时,显示区域DA可以具有包括成直角的拐角或倒圆拐角的矩形形状。然而,应当理解,本公开不限于此。显示区域DA的形状不限于矩形,并且显示区域DA可以具有诸如圆形和椭圆形的其他形状。
显示区域DA可以包括多个像素PX(参见图3)。像素PX可以布置成矩阵。像素PX中的每一个可以包括发射层EML(参见图4)和控制从发射层EML发射的光的量的电路层。电路层可以包括线、电极和至少一个晶体管。发射层EML可以包括有机发光材料。发射层EML可以由封装层180(参见图4)密封。稍后将详细描述像素PX的构造。
非显示区域NDA可以围绕显示区域DA的所有边并且可以形成显示区域DA的边缘(例如,限定显示区域DA的外边缘)。然而,应当理解,本公开不限于此。
显示面板10可以包括主区域MA和在第二方向DR2上连接到主区域MA的一侧的弯曲区域BA。显示面板10可以进一步包括在第二方向DR2上连接到弯曲区域BA的一侧的子区域SA。主区域MA、弯曲区域BA和子区域SA可以沿第二方向DR2按顺序布置。被弯曲的显示装置1可以设置在厚度方向上与主区域MA重叠的子区域SA。
显示区域DA可以位于主区域MA中。非显示区域NDA可以位于显示区域DA的***边缘处并且在主区域MA中。
当从顶部观看时,主区域MA可以具有类似于显示装置1的外形的形状。主区域MA可以是位于一个平面中的平坦区域。然而,应当理解,本公开不限于此。主区域MA的除了连接到弯曲区域BA的边缘(边)之外的边缘中的至少一个可以沿厚度方向被弯曲以形成曲面或者可以以直角被弯曲。
当主区域MA的除了连接到弯曲区域BA的边缘(边)之外的边缘中的至少一个被弯折或被弯曲时,显示区域DA也可以设置在被弯折或被弯曲的边缘处。然而,应当理解,本公开不限于此。不显示图像的非显示区域NDA可以设置在被弯折或被弯曲的边缘上,或者显示区域DA和非显示区域NDA可以一起设置。
主区域MA的非显示区域NDA可以从显示区域DA的外边界延伸到显示面板10的外边缘。在主区域MA的非显示区域NDA中,可以设置用于将电信号(例如,扫描信号、数据信号、时序信号、电力信号等)施加到显示区域DA的信号线和/或驱动电路。
弯曲区域BA可以在主区域MA的一条短边处连接到主区域MA。弯曲区域BA的宽度(在第一方向DR1上的宽度)可以小于主区域MA的宽度(短边的宽度)。当从顶部观看时,主区域MA与弯曲区域BA相交的部分可以呈L形,以减小显示装置1的边框的边框宽度。
在弯曲区域BA中,显示面板10可以以一曲率朝向显示表面的对侧被弯曲。显示表面可以是在第三方向DR3上的上侧的表面。在弯曲区域BA处被弯曲的显示面板10可以在与第三方向DR3相反(例如,面对第三方向DR3)的反向方向上设置显示面板10的显示表面。具体地,平坦或未被弯曲的显示装置1中的显示面板10的面朝上的表面可以在弯曲区域BA处面朝外,并且然后在子区域SA处面朝下。
子区域SA从弯曲区域BA延伸。在平坦或未被弯曲的显示装置1中,子区域SA可以从弯曲区域BA的末端在平行于主区域MA的方向上延伸。在被弯曲的显示装置1中,子区域SA可以在显示面板10的厚度方向上与主区域MA重叠。子区域SA可以在主区域MA的边缘(例如,显示装置1的边缘部分)处与非显示区域NDA重叠,并且也可以与主区域MA的显示区域DA重叠。子区域SA的沿第一方向DR1的宽度可以但不限于等于弯曲区域BA的宽度。
焊盘(未示出)可以设置在显示面板10的子区域SA中。焊盘可以在显示面板10的焊盘区中。外部装置可以在焊盘(未示出)处安装(或附接)到显示面板10。外部装置的示例包括驱动器芯片20、由柔性印刷电路板或刚性印刷电路板制成(或包括柔性印刷电路板或刚性印刷电路板)的驱动板30以及也可以安装在焊盘区中的其他布线连接膜、连接器等。可以在子区域SA中安装多于一个的外部装置。如图1和图2中所示,例如,驱动器芯片20可以设置在显示面板10的子区域SA中,并且驱动板30可以在子区域SA的末端处附接到显示面板10。在这种情况下,显示面板10可以包括连接到驱动器芯片20的焊盘区和连接到驱动板30的焊盘区。根据另一实施例,驱动器芯片20可以安装在膜上,并且膜可以附接到显示面板10的子区域SA。
驱动器芯片20安装在显示面板10的与显示表面共面或包括显示表面的表面上。由于显示面板10的表面在弯曲区域BA处被弯曲并且如上所述方向反转,因此驱动器芯片20安装在显示面板10的在厚度方向上面朝下的表面上,使得驱动器芯片20的上表面可以(例如,在与第三方向DR3相反的方向上)面朝下。
驱动器芯片20可以通过各向异性导电膜附接在显示面板10上或者通过超声波结合附接在显示面板10上。驱动器芯片20可以包括用于驱动显示面板10的集成电路。
图3是示出像素PX的实施例的电路图。
参考图3,像素PX的电路包括多个晶体管T1至T7、电容器Cst、发光元件LE等。数据信号DATA、第一扫描信号GW、第二扫描信号GI、第三扫描信号GB、发射控制信号EM、第一电源电压ELVDD、第二电源电压ELVSS和初始化电压VINT被施加到像素PX的电路(例如,像素电路)。
发光元件LE可以是但不限于包括第一电极或阳极电极ANO(参见图4)、发射层EML(参见图4)、第二电极或阴极电极CAT(参见图4)的有机发光二极管。
多个晶体管可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7。晶体管T1至T7中的每一个包括栅电极、第一电极(或第一源/漏电极)和第二电极(或第二源/漏电极)。晶体管T1至T7中的每一个的第一电极和第二电极中的一个是源电极,并且另一个是漏电极。
第一晶体管T1可以充当驱动晶体管,并且第二晶体管T2至第七晶体管T7可以充当开关晶体管。
晶体管T1至T7中的每一个可以是薄膜晶体管。晶体管T1至T7中的每一个可以是PMOS晶体管和NMOS晶体管中的一种。在实施例中,作为驱动晶体管的第一晶体管T1、作为数据传输晶体管的第二晶体管T2、作为补偿晶体管的第三晶体管T3、作为第一初始化晶体管的第四晶体管T4、作为第一发射控制晶体管的第五晶体管T5、作为第二发射控制晶体管的第六晶体管T6和作为第二初始化晶体管的第七晶体管T7全部是PMOS晶体管。
然而,应当理解,本公开不限于此。在实施例中,例如,作为补偿晶体管的第三晶体管T3和作为第一初始化晶体管的第四晶体管T4可以是NMOS晶体管,并且作为驱动晶体管的第一晶体管T1、作为数据传输晶体管的第二晶体管T2、作为第一发射控制晶体管的第五晶体管T5、作为第二发射控制晶体管的第六晶体管T6和作为第二初始化晶体管的第七晶体管T7可以是PMOS晶体管。在这种情况下,第三晶体管T3和第四晶体管T4的有源层可以包括与第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的有源层的材料不同的材料。尽管不限于此,但是例如,第三晶体管T3和第四晶体管T4的有源层可以包括氧化物半导体,并且第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的有源层可以包括多晶硅。
在下文中,将详细描述元件中的每一个。
第一晶体管T1的栅电极连接到电容器Cst的第一电极。第一晶体管T1的第一电极经由第五晶体管T5连接到第一电源电压线ELVDDL。第一晶体管T1的第二电极经由第六晶体管T6连接到发光元件LE的阳极电极ANO。第一晶体管T1根据第二晶体管T2的开关操作接收数据信号DATA,以将驱动电流供应给发光元件LE。
第二晶体管T2的栅电极连接到第一扫描信号GW的线。第二晶体管T2的第一电极连接到数据信号DATA的线。第二晶体管T2的第二电极连接到第一晶体管T1的第一电极。第二晶体管T2根据第一扫描信号GW导通,并且执行开关操作以将数据信号DATA传输到第一晶体管T1的第一电极。
第三晶体管T3可以被实现为包括第一子晶体管T3-1和第二子晶体管T3-2的双晶体管。第一子晶体管T3_1的栅电极连接到第一扫描信号GW的线,第一电极连接到第二子晶体管T3_2的第二电极,并且第二电极连接到电容器Cst的第一电极、第三子晶体管T4_1的第一电极和第一晶体管T1的栅电极。第二子晶体管T3_2的栅电极可以连接到第一扫描信号GW的线,第一电极可以连接到第一晶体管T1的第二电极,并且第二电极可以连接到第一子晶体管T3_1的第一电极。
第一子晶体管T3_1和第二子晶体管T3_2通过第一扫描信号GW导通,以将第一晶体管T1的栅电极和第二电极连接,使得第一晶体管T1处于二极管连接。因此,在第一晶体管T1的第一电极与栅电极之间产生等于第一晶体管T1的阈值电压的电压差。可以通过将补偿阈值电压的数据信号DATA供应给第一晶体管T1的栅电极来补偿第一晶体管T1的阈值电压的偏差。
第四晶体管T4可以被实现为包括第三子晶体管T4_1和第四子晶体管T4_2的双晶体管。第三子晶体管T4_1的栅电极连接到第二扫描信号GI的线,第一电极连接到电容器Cst的第一电极、第一子晶体管T3_1的第二电极和第一晶体管T1的栅电极,并且第二电极连接到第四子晶体管T4_2的第一电极。第四子晶体管T4_2的栅电极可以连接到第二扫描信号GI的线,第一电极可以连接到第三子晶体管T4_1的第二电极,并且第二电极可以连接到初始化电压VINT的线。第三子晶体管T4_1和第四子晶体管T4_2响应于第二扫描信号GI而导通,以将初始化电压VINT传输到第一晶体管T1的栅电极,以初始化第一晶体管T1的栅电极处的电压。
第五晶体管T5的栅电极连接到发射控制信号EM的线,第一电极连接到第一电源电压线ELVDDL,并且第二电极连接到第一晶体管T1的第一电极。第五晶体管T5通过发射控制信号EM导通,以将第一晶体管T1的第一电极与第一电源电压线ELVDDL连接。
第六晶体管T6连接在第一晶体管T1的第二电极与发光元件LE的阳极电极ANO之间。第六晶体管T6的栅电极连接到发射控制信号EM的线,第一电极连接到第一晶体管T1的第二电极和第二子晶体管T3_2的第一电极,并且第二电极连接到发光元件LE的阳极电极ANO。
第五晶体管T5和第六晶体管T6响应于发射控制信号EM而同时导通,使得驱动电流流过发光元件LE。
第七晶体管T7的栅电极连接到第三扫描信号GB的线。第七晶体管T7的第一电极连接到发光元件LE的阳极电极ANO。第七晶体管T7的第二电极连接到初始化电压VINT的线。第七晶体管T7根据第三扫描信号GB导通以初始化发光元件LE的阳极电极ANO。
尽管在本公开的该实施例中,第三扫描信号GB被施加到第七晶体管T7的栅电极,但是在其他实施方式中,像素电路可以被配置为使得发射控制信号EM或第二扫描信号GI被施加到第七晶体管T7的栅电极。
电容器Cst连接在第一晶体管T1的栅电极与第一电源电压线ELVDDL之间,并且包括第一电极和第二电极。电容器Cst的第一电极可以连接到第一晶体管T1的栅电极、第一子晶体管T3_1的第二电极和第三子晶体管T4_1的第一电极,并且电容器Cst的第二电极可以连接到第一电源电压线ELVDDL。电容器Cst可以用于调节施加到第一晶体管T1的栅电极的数据电压。
发光元件LE的阴极电极CAT连接到第二电源电压线ELVSSL,并且从第二电源电压线ELVSSL接收第二电源电压ELVSS。发光元件LE通过从第一晶体管T1接收驱动电流(例如,电流)以发射用于显示图像的光来显示图像。
在下文中,将详细描述上述像素PX的截面结构。
图4是显示面板10的像素PX的实施例的截面图。
参考图4,显示面板10可以包括基板SUB、缓冲层BF、半导体层110、第一绝缘层121(第一无机绝缘层)、第一导电层130、第二绝缘层122(第二无机绝缘层)、第二导电层140、第三绝缘层123(第三无机绝缘层)、第三导电层150、第四绝缘层124(第一有机绝缘层)、第四导电层160、第五绝缘层125(第二有机绝缘层)、第五导电层170、第六绝缘层126(第三有机绝缘层)、阳极电极ANO、像素限定层PDL、发射层EML、阴极电极CAT和封装层180。这些层可以以上述顺序一个接一个地堆叠。这些层中的每一个可以由单层或包括多层的层的堆叠构成。可以进一步在这些层之间设置其他层。
基板SUB支撑设置在基板SUB上的各层。当有机发光显示装置是底部发射型或双面发射型时,可以使用透明基板。当有机发光显示装置是顶部发射型时,可以采用半透明或不透明基板以及透明基板。
基板SUB可以是刚性基板或可以被弯曲、被折叠、被卷曲等的柔性基板。柔性基板的材料的示例可以是但不限于聚酰亚胺(PI)。
缓冲层BF可以设置在基板SUB上。缓冲层BF可以减少或有效地防止杂质离子扩散,可以减少或有效地防止湿气或外部空气的渗透,并且可以提供平坦的表面。缓冲层BF可以包括但不限于氮化硅。缓冲层BF可以包括氧化硅、氮氧化硅等。取决于基板SUB的类型、工艺条件等,可以去掉缓冲层BF。
半导体层110设置在缓冲层BF上。半导体层110形成像素PX的薄膜晶体管的沟道。半导体层110可以包括多晶硅。然而,应当理解,本公开不限于此。半导体层110可以包括单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。氧化物半导体可以包括例如包含铟、锌、镓、锡、钛、铝、铪(Hf)、锆(Zr)、镁(Mg)等的二元化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)和四元化合物(ABxCyDz)。
第一绝缘层121设置在半导体层110上。第一绝缘层121可以是具有栅绝缘特征的第一栅绝缘层。第一绝缘层121可以包括无机绝缘材料。第一绝缘层121可以包括硅化合物、金属氧化物等。在实施例中,例如,第一绝缘层121可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。
第一导电层130设置在第一绝缘层121上。第一导电层130可以包括像素PX的薄膜晶体管的栅晶体管电极GAT(例如,栅电极)和连接到栅晶体管电极GAT的扫描线、以及电容器Cst的第一电容器电极CE1。也就是说,栅晶体管电极GAT、扫描线和第一电容器电极CE1可以是同一材料层(例如,第一导电层130)的相应图案。作为同一材料层的相应图案,元件可以被认为是彼此在同一层中。
第一导电层130可以包括选自钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种金属。
第二绝缘层122可以设置在第一导电层130上。第二绝缘层122可以是层间介电层或第二栅绝缘层。第二绝缘层122可以包括无机绝缘材料。第二绝缘层122可以由但不限于与第一绝缘层121的材料相同的材料制成。
第二导电层140设置在第二绝缘层122上。第二导电层140可以包括电容器Cst的第二电容器电极CE2。第二导电层140可以由但不限于与第一导电层130的材料相同的材料制成。
第三绝缘层123设置在第二导电层140上。第三绝缘层123可以是层间介电层。第三绝缘层123可以包括无机绝缘材料。第三绝缘层123可以由但不限于与第一绝缘层121的材料相同的材料制成。
第三导电层150设置在第三绝缘层123上。第三导电层150可以包括像素PX的薄膜晶体管的第一晶体管电极SD1(例如,第一电极)和第二晶体管电极SD2(例如,第二电极)。薄膜晶体管的第一晶体管电极SD1和第二晶体管电极SD2可以通过穿透第三绝缘层123、第二绝缘层122和第一绝缘层121的接触孔分别电连接到半导体层110的源区和漏区。像素PX的第一电源电压线ELVDDL也可以由第三导电层150形成。第一电源电压线ELVDDL可以通过穿透第三绝缘层123的接触孔电连接到电容器Cst的第二电容器电极CE2。也就是说,第一晶体管电极SD1、第二晶体管电极SD2和第一电源电压线ELVDDL可以是同一材料层(例如,第三导电层150)的相应图案。
第三导电层150可以包括选自铝(Al)、钼(Mo)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种金属。第三导电层150可以包括一个接一个地堆叠的多层的堆叠。在实施例中,例如,第三导电层150可以具有Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Mo/AlGe/Mo、Ti/Cu等的堆叠结构。
第四绝缘层124设置在第三导电层150上。第四绝缘层124覆盖第三导电层150。第四绝缘层124可以是通孔层。第四绝缘层124可以包括有机绝缘材料。在实施例中,例如,第四绝缘层124可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯(BCB)等。
第四导电层160设置在第四绝缘层124上。第四导电层160可以包括第一阳极连接电极CNE1。第一阳极连接电极CNE1可以通过穿透第四绝缘层124的接触孔电连接到薄膜晶体管的第二晶体管电极SD2。阳极电极ANO可以通过第一阳极连接电极CNE1和第二阳极连接电极CNE2电连接到薄膜晶体管的第二晶体管电极SD2。第四导电层160可以包括与第三导电层150的材料相同的材料或者可以包括相同的堆叠结构,但是本公开不限于此。
第五绝缘层125设置在第四导电层160上。第五绝缘层125覆盖第四导电层160。第五绝缘层125可以是通孔层。第五绝缘层125可以包括有机绝缘材料。第五绝缘层125可以由但不限于与第四绝缘层124的材料相同的材料制成。
第五导电层170设置在第五绝缘层125上。第五导电层170可以包括第二阳极连接电极CNE2。第五导电层170可以进一步包括第二电源电压线ELVSSL(参见图3)。也就是说,第二阳极连接电极CNE2和第二电源电压线ELVSSL可以是同一材料层(例如,第五导电层170)的相应图案。第二阳极连接电极CNE2可以通过穿透第五绝缘层125的接触孔电连接到第一阳极连接电极CNE1。第五导电层170可以包括与第三导电层150的材料相同的材料或者可以包括相同的堆叠结构,但是本公开不限于此。
第六绝缘层126设置在第五导电层170上。第六绝缘层126覆盖第五导电层170。第六绝缘层126可以是通孔层。第六绝缘层126可以包括有机绝缘材料。第六绝缘层126可以由但不限于与第四绝缘层124的材料相同的材料制成。
阳极电极ANO设置在第六绝缘层126上。阳极电极ANO可以是设置在像素PX中的每一个中的像素电极。阳极电极ANO可以通过穿透第六绝缘层126的接触孔连接到第二阳极连接电极CNE2。阳极电极ANO可以与像素PX的发射区域EMA(例如,发光区域)至少部分地重叠。
阳极电极ANO可以具有但不限于诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟(In2O3)的、具有高功函数的材料层以及诸如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pb)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其组合的反射材料层的堆叠结构。具有高功函数的材料层可以设置在反射材料层上方,使得该层比反射材料层靠近发射层EML设置。阳极电极ANO可以具有但不限于ITO/Mg、ITO/MgF、ITO/Ag或ITO/Ag/ITO的多层结构。
像素限定层PDL可以设置在阳极电极ANO之上。像素限定层PDL可以包括或限定将阳极电极ANO暴露到像素限定层PDL外部的开口。发射区域EMA和非发射区域NEM可以通过像素限定层PDL及像素限定层PDL的开口来区分。在实施例中,发射区域EMA可以与像素限定层PDL中的开口相对应,而非发射区域NEM与像素限定层PDL的实心部分相对应。像素限定层PDL可以包括诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料。像素限定层PDL可以包括无机材料。
发射层EML可以设置在被像素限定层PDL暴露到像素限定层PDL外部的阳极电极ANO上。发射层EML可以包括有机材料层。发射层EML的有机材料层可以包括有机发射层并且可以进一步包括空穴注入/传输层和/或电子注入/传输层。
阴极电极CAT可以设置在发射层EML上。阴极电极CAT可以是跨像素PX设置的公共电极。阳极电极ANO、发射层EML和阴极电极CAT可以形成有机发光元件。
阴极电极CAT可以与发射层EML以及像素限定层PDL的上表面接触。阴极电极CAT可以与下层元件共形地形成以反映下层元件的台阶差。由于接触,元件可以在元件之间形成界面或边界。
阴极电极CAT可以包括具有小功函数的材料层,例如Li、Ca、LiF、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF和Ba或其组合(例如,Ag和Mg的组合),或者具有诸如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构的材料。阴极电极CAT可以进一步包括设置在具有小功函数的材料层上的透明金属氧化物层。
封装层180可以设置在阴极电极CAT上。封装层180可以从发光元件LE(例如,在远离基板SUB的方向上)起按顺序包括第一无机封装层181、有机封装层182和第二无机封装层183。第一无机封装层181和第二无机封装层183可以在封装层180的末端处彼此接触。有机封装层182可以由第一无机封装层181和第二无机封装层183封装。
第一无机封装层181和第二无机封装层183中的每一个可以包括诸如氮化硅、氧化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料。有机封装层182可以包括有机绝缘材料。
图5是图1的区域A的放大平面图。
参考图5,显示面板10可以进一步包括坝DAM、堤BNK、扫描驱动器SDU和扫描控制线SCL。
坝DAM可以设置在非显示区域NDA中并且可以与显示区域DA相邻以围绕显示区域DA。显示区域DA可以设置在由坝DAM围绕的区域中。坝DAM可以抑制或有效地防止坝DAM内部的有机材料例如在制造(或提供)显示面板10的工艺中流出坝DAM并且流向显示面板10的外边缘。
堤BNK可以设置在非显示区域NDA中并且可以与坝DAM相邻以围绕坝DAM。坝DAM可以设置在由堤BNK围绕的区域中。堤BNK可以支撑用于制造显示面板10的掩模(例如,精细金属掩模(FMM))。
显示面板10可以进一步包括无机封装区域CVD。无机封装区域CVD可以在沿基板SUB的表面的方向上设置在坝DAM与堤BNK之间。封装层180(参见图4)的有机封装层182(参见图4)可以不设置在无机封装区域CVD中(例如,可以从无机封装区域CVD排除有机封装层182),并且因此封装层180(参见图4)的第一无机封装层181(参见图4)和第二无机封装层183(参见图4)可以彼此直接接触。在无机封装区域CVD中,可以仅设置无机膜(无机绝缘层和无机封装层),并且可以排除有机膜(有机绝缘层和有机封装层182)。稍后将更详细地描述无机封装区域CVD。
扫描驱动器SDU可以设置在非显示区域NDA中。扫描驱动器SDU可以设置在显示区域DA的在第一方向DR1上的相对侧中的至少一侧。扫描驱动器SDU可以通过扫描控制线SCL电连接到驱动器芯片20(参见图1)。扫描驱动器SDU可以从驱动器芯片20(参见图1)接收扫描时序信号。扫描驱动器SDU可以根据扫描时序信号生成扫描信号。扫描驱动器SDU可以通过扫描线将扫描信号输出到像素PX(参见图3)的薄膜晶体管的栅晶体管电极GAT(参见图4)。
扫描控制线SCL可以设置在非显示区域NDA中。扫描控制线SCL可以设置在显示区域DA的在第二方向DR2上的另一侧。扫描控制线SCL可以从扫描驱动器SDU的下侧延伸到驱动器芯片20(参见图1)。扫描控制线SCL可以与坝DAM重叠。换句话说,从扫描驱动器SDU延伸的扫描控制线SCL可以在坝DAM的内侧在第一方向DR1上延伸,并且可以在与第二方向DR2相反的方向上延伸越过坝DAM,以连接到驱动器芯片20(参见图1)。扫描控制线SCL可以在扫描控制线SCL与坝DAM交叉的交叉区域处与坝DAM重叠。在实施例中,信号线(例如,扫描控制线SCL)可以具有第一端以及与第一端相对的第二端,扫描驱动器SDU可以连接到信号线的第一端,并且驱动器芯片20可以连接到信号线的第二端。
第一电源电压线ELVDDL可以被设置为在沿基板SUB的表面的方向上与第二电源电压线ELVSSL分离并且间隔开。第一电源电压线ELVDDL可以设置在显示区域DA的在第二方向DR2上的另一侧。
第二电源电压线ELVSSL可以设置在非显示区域NDA中。第二电源电压线ELVSSL可以从驱动器芯片20(参见图1)围绕显示区域DA延伸,并且延伸回到驱动器芯片20(参见图1)。换句话说,第二电源电压线ELVSSL的第一端以及与第一端相对的第二端(例如,相对端)可以各自连接到驱动器芯片20(参见图1),并且第二电源电压线ELVSSL可以围绕显示区域DA的离驱动器芯片20最远的三侧(在第一方向DR1上的一侧和另一侧以及在第二方向DR2上的一侧)延伸。第二电源电压线ELVSSL可以设置在扫描驱动器SDU的最靠近显示面板10的外边缘的外侧。然而,应当理解,本公开不限于此。第二电源电压线ELVSSL可以与扫描驱动器SDU重叠。
第二电源电压线ELVSSL可以与坝DAM和堤BNK重叠或交叉。第二电源电压线ELVSSL通常可以设置在堤BNK的离显示面板10的外边缘最远的内侧。第二电源电压线ELVSSL可以与在堤BNK内侧的坝DAM重叠,沿坝DAM延伸,并且然后可以在与第二方向DR2相反的方向上延伸以连接到驱动器芯片20(参见图1)。第二电源电压线ELVSSL可以从显示区域DA的下侧延伸到在第一方向DR1上的另一侧,然后延伸到在第二方向DR2上的一侧,并且可以与堤BNK交叉。第二电源电压线ELVSSL可以在第二电源电压线ELVSSL与堤BNK交叉处与堤BNK重叠。
将参考图6描述第二电源电压线ELVSSL、坝DAM和堤BNK的截面结构。
图6是沿图5的线VI-VI'截取的截面图。
参考图5和图6,坝DAM可以包括在远离基板SUB的方向上、顺序地一个接一个地堆叠的第一子坝DAM1、第二子坝DAM2、第三子坝DAM3、第四子坝DAM4和坝间隔物DAM5(例如,第五子坝)。堤BNK可以包括在远离基板SUB的方向上、顺序地一个接一个地堆叠的第一子堤BNK1、第二子堤BNK2、第三子堤BNK3、第四子堤BNK4和堤间隔物BNK5(例如,第五子堤)。
第一子坝DAM1和第一子堤BNK1可以由第四绝缘层124形成。换句话说,由于第一子坝DAM1和第一子堤BNK1与第四绝缘层124经由同一工艺形成,因此第一子坝DAM1和第一子堤BNK1可以包括与第四绝缘层124的材料基本相同的材料。另外,第一子坝DAM1、第一子堤BNK1和第四绝缘层124可以是在基板SUB上的层当中的大致相同的层(例如,是同一材料层(即,第四绝缘层124)的相应图案)。第一子坝DAM1和第一子堤BNK1可以设置在第三绝缘层123上。
第二子坝DAM2和第二子堤BNK2可以由第五绝缘层125形成。换句话说,由于第二子坝DAM2和第二子堤BNK2与第五绝缘层125经由同一工艺形成,因此第二子坝DAM2和第二子堤BNK2可以包括与第五绝缘层125的材料基本相同的材料。另外,第二子坝DAM2和第二子堤BNK2可以与第五绝缘层125设置在同一层。第二子坝DAM2和第二子堤BNK2可以分别设置在第一子坝DAM1和第一子堤BNK1上。第二电源电压线ELVSSL可以设置在第二子坝DAM2和第二子堤BNK2上。第二电源电压线ELVSSL可以由第五导电层170形成。
第三子坝DAM3和第三子堤BNK3可以由第六绝缘层126形成。换句话说,由于第三子坝DAM3和第三子堤BNK3与第六绝缘层126经由同一工艺形成,因此第三子坝DAM3和第三子堤BNK3可以包括与第六绝缘层126的材料基本相同的材料。第三子坝DAM3和第三子堤BNK3可以分别设置在第二子坝DAM2和第二子堤BNK2上,第二电源电压线ELVSSL介于第三子坝DAM3和第三子堤BNK3与第二子坝DAM2和第二子堤BNK2之间。也就是说,第三子坝DAM3和第三子堤BNK3可以分别面对第二子坝DAM2和第二子堤BNK2,第二电源电压线ELVSSL介于第三子坝DAM3和第三子堤BNK3与第二子坝DAM2和第二子堤BNK2之间。
第四子坝DAM4和第四子堤BNK4可以由像素限定层PDL形成。换句话说,由于第四子坝DAM4和第四子堤BNK4与像素限定层PDL经由同一工艺形成,因此第四子坝DAM4和第四子堤BNK4可以包括与像素限定层PDL的材料基本相同的材料。另外,第四子坝DAM4和第四子堤BNK4可以与像素限定层PDL设置在同一层。第四子坝DAM4和第四子堤BNK4可以分别设置在第三子坝DAM3和第三子堤BNK3上。
坝间隔物DAM5可以在厚度方向(第三方向DR3)上从第四子坝DAM4向上突出。堤间隔物BNK5可以在厚度方向(第三方向DR3)上从第四子堤BNK4向上突出。坝间隔物DAM5和堤间隔物BNK5可以例如在提供坝DAM和堤BNK的工艺期间支撑掩模,例如精细金属掩模(FMM)掩模。
在无机封装区域CVD中,第二电源电压线ELVSSL可以被第六绝缘层126和像素限定层PDL暴露到第六绝缘层126和像素限定层PDL的外部。换句话说,第二电源电压线ELVSSL可以被由第六绝缘层126形成的第三子坝DAM3和第三子堤BNK3以及由像素限定层PDL形成的第四子坝DAM4和第四子堤BNK4暴露。
在无机封装区域CVD中,第二电源电压线ELVSSL可以与第一无机封装层181直接接触。在无机封装区域CVD中,第一无机封装层181可以与第二无机封装层183直接接触。在无机封装区域CVD中,可以不设置例如第四绝缘层124、第五绝缘层125、第六绝缘层126、像素限定层PDL和有机封装层182的有机膜。也就是说,在无机封装区域CVD中,封装层180可以封装有机封装层182。借助无机封装区域CVD,可以阻挡可能通过有机膜渗透到显示面板10中的外部空气和湿气。
在无机封装区域CVD中,第二电源电压线ELVSSL可以与信号线重叠。在实施例中,例如,第二电源电压线ELVSSL可以与作为传输电信号的信号线的扫描控制线SCL重叠。第二电源电压线ELVSSL和扫描控制线SCL彼此重叠的平面区域的至少一部分可以设置在无机封装区域CVD中。换句话说,在无机封装区域CVD中,第二电源电压线ELVSSL可以与扫描控制线SCL重叠。在这种情况下,沿显示面板10的厚度方向,蚀刻停止图案EST(参见图7)可以在无机封装区域CVD中进一步设置在第二电源电压线ELVSSL与扫描控制线SCL之间,以抑制或有效地防止第二电源电压线ELVSSL与扫描控制线SCL之间的、诸如电流泄漏的缺陷。
应当注意,信号线不限于扫描控制线SCL。第二电源电压线ELVSSL可以与作为信号线的、传输数据信号的数据信号线重叠。
图7是图5的区域B的放大图。图8是沿图7的线VIII-VIII'截取的截面图。图9是图8的部分C的放大图。
参考图7至图9,显示面板10可以进一步包括蚀刻停止图案EST。蚀刻停止图案EST可以与第二电源电压线ELVSSL的至少一部分重叠或相对应。在无机封装区域CVD中,蚀刻停止图案EST的至少一部分可以相对于厚度方向(第三方向DR3)设置在第二电源电压线ELVSSL与扫描控制线SCL之间。
换句话说,在无机封装区域CVD内,显示面板10可以进一步包括重叠区域OA,在重叠区域OA处,第二电源电压线ELVSSL和扫描控制线SCL在厚度方向(第三方向DR3)上彼此重叠。重叠区域OA的至少一部分可以设置在无机封装区域CVD中。蚀刻停止图案EST的一部分可以设置在重叠区域OA中。蚀刻停止图案EST的一部分可以设置在无机封装区域CVD中。
在无机封装区域CVD中,蚀刻停止图案EST可以与第二电源电压线ELVSSL直接接触。蚀刻停止图案EST可以由第四导电层160形成。然而,应当理解,本公开不限于此。蚀刻停止图案EST可以由第三导电层150(参见图4)形成。
蚀刻停止图案EST可以抑制或有效地防止第二电源电压线ELVSSL之下的相应无机膜的厚度由于蚀刻而减小。在实施例中,例如,当第四导电层160不形成蚀刻停止图案EST时,第三绝缘层123的不与第四导电层160重叠的上部(例如,上厚度部分)可能在图案化第四导电层160的工艺期间与第四导电层160一起被蚀刻,并且因此第三绝缘层123的厚度可能减小。如果第三绝缘层123的厚度减小,则第二电源电压线ELVSSL与扫描控制线SCL之间的距离(或第二电源电压线ELVSSL与扫描控制线SCL之间的无机膜的厚度)可能减小。
具体地,如果在第二电源电压线ELVSSL与扫描控制线SCL之间仅设置无机膜的无机封装区域CVD中第三绝缘层123的厚度减小,则在第二电源电压线ELVSSL与扫描控制线SCL之间可能出现缺陷。缺陷可能包括由于在扫描控制线SCL的侧表面上可能出现的间隙而导致的第二电源电压线ELVSSL与扫描控制线SCL之间的短路、由于这种短路而导致的电流泄漏以及由于在第二电源电压线ELVSSL与扫描控制线SCL之间形成的寄生电容而导致的耦合。
相反,在一个或多个实施例中,通过在第二电源电压线ELVSSL与扫描控制线SCL彼此重叠的重叠区域OA中,在第二电源电压线ELVSSL与扫描控制线SCL之间设置蚀刻停止图案EST,即使第四导电层160被图案化,也抑制或有效地防止与蚀刻停止图案EST重叠的第三绝缘层123的厚度的减小。
换句话说,在无机封装区域CVD内,第三绝缘层123可以包括在厚度方向(第三方向DR3)上与蚀刻停止图案EST重叠或相对应的第一区域AR1和不与蚀刻停止图案EST重叠的第二区域AR2。第三绝缘层123可以比蚀刻停止图案EST延伸得更远以限定第二区域AR2。第三绝缘层123在第一区域AR1中可以具有第一厚度TH1,并且在第二区域AR2中可以具有第二厚度TH2。第一厚度TH1可以大于第二厚度TH2。这里,第二区域AR2可以指代不与整个第四导电层160和蚀刻停止图案EST重叠的平面区域。也就是说,第二区域AR2可以指代在沿基板SUB的表面的方向上与整个第四导电层160和蚀刻停止图案EST相邻的平面区域。
因此,借助蚀刻停止图案EST,可以抑制或有效地防止无机封装区域CVD中的、设置在第二电源电压线ELVSSL与扫描控制线SCL之间的无机膜的厚度的减小,从而抑制或有效地防止在第二电源电压线ELVSSL与扫描控制线SCL之间的、诸如电流泄漏和耦合的缺陷。
在前面的描述中,第二电源电压线ELVSSL和信号线彼此重叠,但是本公开不限于此。对第二电源电压线ELVSSL的描述可以同样适用于第一电源电压线ELVDDL。
在下文中,将描述本公开的实施例。在以下描述中,相同或相似的元件将由相同或相似的附图标记表示,并且将省略或简要描述冗余的描述。将着重于与上述实施例的不同之处进行描述。
图10是显示面板10_1的一部分的平面图。
图10的实施例包括显示面板10_1的仅设置在无机封装区域CVD中的蚀刻停止图案EST_1。蚀刻停止图案EST_1可以仅设置在无机封装区域CVD中,并且可以设置在扫描控制线SCL和第二电源电压线ELVSSL彼此重叠的重叠区域OA中。
即使在这种情况下,通过蚀刻停止图案EST_1,也可以抑制或有效地防止第二电源电压线ELVSSL与扫描控制线SCL之间的、诸如电流泄漏的缺陷。此外,蚀刻停止图案EST_1的各种设计都是可能的。
图11是显示面板10_2的一部分的平面图。
图11的实施例包括显示面板10_2的与整个第二电源电压线ELVSSL重叠的蚀刻停止图案EST_2。当从顶部(例如,平面图)观看时,蚀刻停止图案EST_2可以具有与第二电源电压线ELVSSL的图案形状相同的图案形状,并且可以与整个第二电源电压线ELVSSL重叠。可替代地,当从顶部观看时,蚀刻停止图案EST_2可以具有比第二电源电压线ELVSSL的平面面积大的平面面积。换句话说,蚀刻停止图案EST_2可以与整个第二电源电压线ELVSSL重叠,并且第二电源电压线ELVSSL可以与蚀刻停止图案EST_2的一部分重叠。由于具有较大的平面面积,蚀刻停止图案EST_2可以在沿基板SUB的表面的方向上比第二电源电压线ELVSSL的外边缘延伸得更远。
即使在这种情况下,通过蚀刻停止图案EST_2,也可以抑制或有效地防止在第二电源电压线ELVSSL与扫描控制线SCL之间的、诸如电流泄漏的缺陷。另外,在无机封装区域CVD中第二电源电压线ELVSSL与蚀刻停止图案EST_2直接接触(例如,图8),从而可以获得与增大第二电源电压线ELVSSL的厚度相同的效果。结果,可以获得与减小由于第二电源电压ELVSS而使电流流动通过的线的电阻相同的效果。
信号线的宽度可以垂直于信号线的长度方向截取。进一步参考图5,第二电源电压线ELVSSL可以具有沿第二方向DR2截取的、在显示区域DA的在第二方向DR2上的另一侧(例如,在区域B中)的宽度,并且可以具有沿第一方向DR1截取的、在显示区域DA的在第一方向DR1上的一侧和另一侧的宽度。第二电源电压线ELVSSL的在显示区域DA的在第二方向DR2上的另一侧(例如,在区域B中)的宽度可以小于在显示区域DA的在第一方向DR1上的一侧和另一侧的宽度。在这点上,通过设置比第二电源电压线ELVSSL的外边缘延伸得更远并且与第二电源电压线ELVSSL直接接触的蚀刻停止图案EST_2,即使减小第二电源电压线ELVSSL的设置在第二方向DR2上的另一侧的部分的厚度,也可以抑制或有效地防止诸如发热的缺陷。
图12是显示面板10_3的实施例的截面图。
图12的实施例包括显示面板10_3的由第三导电层150形成的蚀刻停止图案EST_3。即使在这种情况下,通过蚀刻停止图案EST_3,也可以抑制或有效地防止第二电源电压线ELVSSL与扫描控制线SCL之间的、诸如电流泄漏的缺陷。另外,由于蚀刻停止图案EST_3由第三导电层150形成,因此第三绝缘层123既不会由于第四导电层160的图案化也不会由于第三导电层150的图案化而被蚀刻。因此,可以更可靠地保持第三绝缘层123的在第二电源电压线ELVSSL与扫描控制线SCL之间的厚度。
图13是显示面板10_4的实施例的截面图。
图13的实施例包括显示面板10_4的由多层的堆叠提供的蚀刻停止图案EST_4。蚀刻停止图案EST_4可以从基板SUB起按顺序包括第一堆叠图案ST1连同第二堆叠图案ST2。第一堆叠图案ST1可以被形成为第三导电层150的图案,并且第二堆叠图案ST2可以被形成为第四导电层160的图案。
即使在这种情况下,通过蚀刻停止图案EST_4,也可以抑制或有效地防止第二电源电压线ELVSSL与扫描控制线SCL之间的、诸如电流泄漏的缺陷。另外,由于蚀刻停止图案EST_4由第三导电层150形成,因此第三绝缘层123既不会由于第四导电层160的图案化也不会由于第三导电层150的图案化而被蚀刻。因此,可以更可靠地保持第三绝缘层123的在第二电源电压线ELVSSL与扫描控制线SCL之间的厚度。
Claims (20)
1.一种显示装置,包括:
包括发光元件的显示区域,所述发光元件包括第一电极、发射层和第二电极;
在所述发光元件之上的封装层,所述封装层按顺序包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层,并且所述第一无机封装层和所述第二无机封装层彼此直接接触以限定所述显示装置的无机封装区域;
电连接到所述发光元件的所述第二电极的电源电压线;
提供电信号的信号线,其中在所述显示装置的所述无机封装区域内,所述信号线与所述电源电压线重叠;以及
在彼此重叠的所述电源电压线与所述信号线之间的蚀刻停止图案。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述无机封装区域包括所述电源电压线和所述信号线彼此重叠的重叠区域。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述蚀刻停止图案与所述重叠区域相对应。
4.根据权利要求1所述的显示装置,进一步按顺序包括:
基板;
第一导电层;
第一有机绝缘层;
第二导电层;
第二有机绝缘层;以及
包括所述电源电压线的第三导电层。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述第一导电层或所述第二导电层包括所述蚀刻停止图案。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,在所述显示装置的所述无机封装区域内,所述电源电压线和所述蚀刻停止图案彼此直接接触。
7.根据权利要求4所述的显示装置,其中,在所述显示装置的所述无机封装区域内,所述蚀刻停止图案包括:
作为所述第一导电层的图案的第一堆叠图案以及作为所述第二导电层的图案的第二堆叠图案。
8.根据权利要求4所述的显示装置,进一步包括:
在所述第三导电层上的第三有机绝缘层,并且
其中所述发光元件在所述第三有机绝缘层上。
9.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括在所述蚀刻停止图案与所述信号线之间的无机绝缘层,并且
其中在所述显示装置的所述无机封装区域内,所述无机绝缘层包括:
与所述蚀刻停止图案相对应的第一厚度;以及
在所述蚀刻停止图案外部的第二厚度,所述第二厚度小于所述第一厚度。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,在所述无机封装区域内,所述第一无机封装层与所述电源电压线直接接触。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的显示装置,其中,
所述信号线包括第一端和与所述第一端相对的第二端,
其中所述显示装置进一步包括:
连接到所述信号线的所述第一端的扫描驱动器;以及
连接到所述信号线的所述第二端的驱动器芯片。
12.根据权利要求1-10中任一项所述的显示装置,进一步包括与所述显示区域相邻的非显示区域,所述非显示区域包括:
坝;
与所述坝间隔开并且比所述坝离所述显示区域更远的堤;以及
在所述坝与所述堤之间的所述无机封装区域,
其中,所述电源电压线和所述信号线在所述非显示区域中彼此重叠。
13.一种显示装置,包括:
基板;
从所述基板起按顺序:
信号线;
第一无机绝缘层;
第一导电层;
第一有机绝缘层;
第二导电层;
第二有机绝缘层;
包括电源电压线的第三导电层,所述电源电压线与所述信号线重叠以限定所述电源电压线和所述信号线彼此重叠的重叠区域;
第三有机绝缘层;
发光元件,从所述基板起按顺序包括第一电极、发射层和第二电极,所述发光元件电连接到所述电源电压线;和
封装层,从所述基板起按顺序包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层;以及
与所述重叠区域相对应的蚀刻停止图案。
14.根据权利要求13所述的显示装置,进一步包括:
其中所述第一无机封装层和所述第二无机封装层彼此直接接触的无机封装区域,所述无机封装区域的一部分与所述重叠区域相对应,并且
其中所述蚀刻停止图案在所述无机封装区域的所述部分内并且被形成为所述第一导电层或所述第二导电层的图案。
15.根据权利要求14所述的显示装置,进一步包括:
包括所述发光元件的显示区域;
与所述显示区域间隔开的坝;以及
与所述坝间隔开并且比所述坝离所述显示区域更远的堤,并且
其中所述无机封装区域在所述坝与所述堤之间。
16.根据权利要求15所述的显示装置,其中,所述第一无机封装层在所述无机封装区域内与所述电源电压线直接接触。
17.根据权利要求13所述的显示装置,进一步包括:
包括所述发光元件的显示区域;以及
与所述显示区域相邻的非显示区域,并且
其中所述非显示区域包括其中所述第一无机封装层和所述第二无机封装层彼此直接接触的无机封装区域。
18.根据权利要求13-17中任一项所述的显示装置,其中,所述电源电压线和所述蚀刻停止图案彼此直接接触。
19.一种显示装置,包括:
包括发光元件的显示区域,所述发光元件包括第一电极、发射层和第二电极;
封装层,在所述发光元件之上并且包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层;
电连接到所述发光元件的所述第二电极的电源电压线;
信号线,提供电信号并且与所述电源电压线重叠;
在所述电源电压线与所述信号线之间的蚀刻停止图案;以及
在所述蚀刻停止图案与所述信号线之间的无机绝缘层,
其中,所述无机绝缘层包括:
与所述蚀刻停止图案相对应的第一厚度;以及
在所述蚀刻停止图案外部的第二厚度,所述第二厚度小于所述第一厚度。
20.根据权利要求19所述的显示装置,进一步包括:
所述电源电压线和所述信号线彼此重叠的重叠区域;
所述第一无机封装层和所述第二无机封装层彼此直接接触的无机封装区域,所述无机封装区域的一部分与所述重叠区域相对应;
坝;以及
与所述坝间隔开并且比所述坝离所述显示区域更远的堤,并且
其中所述无机封装区域在所述坝与所述堤之间,并且
所述蚀刻停止图案与所述无机封装区域的和所述重叠区域相对应的所述部分相对应。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210056851A KR20220149879A (ko) | 2021-04-30 | 2021-04-30 | 표시 장치 |
KR10-2021-0056851 | 2021-04-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115274777A true CN115274777A (zh) | 2022-11-01 |
Family
ID=83567593
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202220999681.7U Active CN217606819U (zh) | 2021-04-30 | 2022-04-27 | 显示装置 |
CN202210455307.5A Pending CN115274777A (zh) | 2021-04-30 | 2022-04-27 | 显示装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202220999681.7U Active CN217606819U (zh) | 2021-04-30 | 2022-04-27 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220352485A1 (zh) |
KR (1) | KR20220149879A (zh) |
CN (2) | CN217606819U (zh) |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102671040B1 (ko) * | 2016-10-10 | 2024-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
EP3477705B1 (en) * | 2017-10-30 | 2021-04-07 | LG Display Co., Ltd. | Display device |
US10763323B2 (en) * | 2018-06-22 | 2020-09-01 | Apple Inc. | Power and data routing structures for organic light-emitting diode displays |
KR102671038B1 (ko) * | 2018-07-17 | 2024-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR20200046221A (ko) * | 2018-10-23 | 2020-05-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치를 제조하기 위한 마스크 |
KR20200066503A (ko) * | 2018-11-30 | 2020-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
KR20200074347A (ko) * | 2018-12-14 | 2020-06-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR20200081628A (ko) * | 2018-12-27 | 2020-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR20200118316A (ko) * | 2019-04-05 | 2020-10-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210010778A (ko) * | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
KR20210013496A (ko) * | 2019-07-26 | 2021-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102650716B1 (ko) * | 2019-10-21 | 2024-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
KR20210105458A (ko) * | 2020-02-18 | 2021-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
EP4135041A4 (en) * | 2020-04-09 | 2023-05-24 | BOE Technology Group Co., Ltd. | DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE |
KR20210127283A (ko) * | 2020-04-13 | 2021-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210149930A (ko) * | 2020-06-02 | 2021-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN114287063A (zh) * | 2020-07-27 | 2022-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
CN114586166A (zh) * | 2020-09-29 | 2022-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
-
2021
- 2021-04-30 KR KR1020210056851A patent/KR20220149879A/ko active Search and Examination
- 2021-12-23 US US17/560,966 patent/US20220352485A1/en active Pending
-
2022
- 2022-04-27 CN CN202220999681.7U patent/CN217606819U/zh active Active
- 2022-04-27 CN CN202210455307.5A patent/CN115274777A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220352485A1 (en) | 2022-11-03 |
CN217606819U (zh) | 2022-10-18 |
KR20220149879A (ko) | 2022-11-09 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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