CN115254781A - 一种避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置，包括装配外壳，所述装配外壳的内部分别设置有能量发生机构和方位调节机构，所述装配外壳的外壁一侧设置有物料输送机构，所述能量发生机构的底部固定安装有废液净化机构，所述装配外壳的正表面设置有液体输送机构，所述能量发生机构包括内接板，所述内接板的内部预设有圆孔，且圆孔的内表壁放置有清洗槽，所述方位调节机构包括连接架，机构采用机械传动的方式将待清洗晶片悬与清洗液的内部，使得晶片表面不直接与清洗槽的内部接触，实现超声部件所产生的能量与晶片隔绝，避免晶片表面和清洗槽的内壁产生晃动冲击，降低晶片表面损伤的概率。
Description
技术领域
本发明涉及晶片清洗设备技术领域，具体为一种避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置。
背景技术
有关半导体晶片，首先要了解的是晶片的制配材料，主要是由硅构成，硅是一种灰色、易碎、四价的非金属化学元素，也是大多数半导体和微电子芯片的主要原料，有意思的是，硅自身的导电性并不是很好，然而，可以通过添加适当的掺杂剂来精确控制它的电阻率，制造半导体前，必须将硅转换为晶圆片，这要从硅锭的生长开始，单晶硅是原子以三维空间模式周期形成的固体，这种模式贯穿整个材料，多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的，不能用来做半导体电路，多晶硅必须融化成单晶体，才能加工成半导体应用中使用的晶圆片。
现有技术中，如中国专利申请号：CN 208271837 U公开的一种用于晶片的清洗设备；其结构包括超声槽和升降机构；所述的超声槽为长方体结构，其内部下端设置有导热板，导热板与超声槽侧面密封设置；导热板与超声槽底面内侧之间设置有加热装置；升降机构包括伸缩杆、伸缩油缸和电机；伸缩杆贯穿超声槽顶面延伸至超声槽内部；伸缩杆底端与置物架固定连接，顶端与电机的输出端连接；电机设置在支撑板上，支撑板底面两侧均通过固定块与伸缩油缸的输出端固定连接；伸缩油缸固定设置在连接板上；连接板与超声槽顶面相对滑动设置；该设备能够同时做上下往复运动和水平方向的旋转，对晶片实现全方位清洗，加快了清洗速度，提高了清洗质量，便于设备维护。
但上述专利存在以下不足：
半导体晶片制作完成后，其表面会掺杂有细小灰尘、微金属元素和有机物杂质等，进而在晶片使用前需要进行充分清洗，以避免后期对晶片内部电路造成损伤，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。
1）但上述专利所涉及的设备，在清理晶片时，其晶片直接放置于清洗槽内部，同时设备内的超声部件所发射的能量会直接作用到晶片表面，此时晶片在震荡作用下，使得晶片在清洗槽的内壁产生较强晃动，由于晶片本身的硬度较低，且具有易碎的特征，易导致晶片表面产生裂痕。
2）由于上述专利所涉及的设备内部结构较为单一，无法对清洗后的废液进行有效处理。
所以我们提出了一种避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置，以便于解决上述中提出的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置，通过与装配外壳相连的能量发生机构和方位调节机构，当清洗液灌注进清洗槽的内部后，开启超声组件，其产生的超声能量经过换能器的转换，并以机械振动波的形式从振动杆的表面发散至清洗液的内部，因多个振动杆平均分布在清洗槽的内部，进而所产生的振动波可充分汇集在清洗槽的中部，进一步启动电动伸缩杆A缓慢带动承载槽中的晶片向下移动，使得晶片悬浮在清洗液的内部。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置，包括装配外壳，所述装配外壳的内部分别设置有能量发生机构和方位调节机构，所述装配外壳的外壁一侧设置有物料输送机构，所述能量发生机构的底部固定安装有废液净化机构，所述装配外壳的正表面设置有液体输送机构；
所述能量发生机构包括内接板，所述内接板的内部预设有圆孔，且圆孔的内表壁放置有清洗槽，所述清洗槽的外表壁固定套设有加强套环，所述加强套环的底部通过一组螺丝固定安装在内接板的顶部，所述内接板的内部开设有一组矩形凹槽，一组所述矩形凹槽的内部固定连接有超声组件，一组所述超声组件的输出端均固定连接有换能器，一组所述换能器的输出端均固定连接有振动杆，一组所述振动杆均置于清洗槽的内部，所述清洗槽的底部分别开设有进液孔洞和一组排液孔洞；
所述方位调节机构包括连接架，所述连接架的内部固定插设有一组电动伸缩杆A，一组所述电动伸缩杆A的输出端之间固定套设有衔接板，所述衔接板的内部固定插设有伺服电机，所述伺服电机的输出端焊接有U型架A，所述U型架A的底部固定安装有托盘，所述托盘的内部分别预设有镂空槽、承载槽和缺口，所述装配外壳的内壁顶部开设有环槽，所述环槽的内壁顶部固定连接有一组红外固体激光器。
优选的，所述物料输送机构包括加强板A，所述加强板A的外表壁固定安装在装配外壳的外壁一侧，所述加强板A的外表壁焊接有嫁接板A，所述嫁接板A的顶部开设有轨迹槽，所述轨迹槽的内部活动设置有转盘。
优选的，所述转盘的顶部固定安装有支撑杆，所述支撑杆的顶部固定安装有横板，所述横板的内部固定安装有一组安装套筒，一组所述安装套筒的内表壁固定安装有电动伸缩杆B，一组所述电动伸缩杆B的输出端之间固定套设有托架。
优选的，所述嫁接板A的底部固定安装有转向电机，所述转向电机的输出端贯穿嫁接板A的底部，并固定插设在转盘的内部，所述装配外壳的外壁一侧开设有进料视窗。
优选的，所述废液净化机构包括两个加强板B，两个所述加强板B的底部之间焊接有U型架B，所述U型架B的内壁两侧均固定安装有锁死板，两个所述锁死板的相对一侧之间固定安装有回收筒。
优选的，所述回收筒的顶部固定连通有一组回流管道，一组所述回收筒的进液端分别与排液孔洞相连通，一组所述回流管道的内部均设置有电动阀门。
优选的，所述回收筒的内表壁固定安装有内接环，所述内接环的内部设置有过滤板，所述回收筒的内壁底部固定安装有接线板，所述接线板的顶部固定连接有一组触点底座，一组所述触点底座的内部均固定连接有导电杆。
优选的，所述液体输送机构包括加强板C，所述加强板C的外表壁固定安装在装配外壳的正表面，所述加强板C的外表壁焊接有嫁接板B，所述嫁接板B的内部固定安装有连接套环A，所述连接套环A的内表壁固定插设有增压泵A，所述装配外壳的正表面固定安装有储液箱，所述储液箱的底部固定连通有运液管道A，所述运液管道A的出液端和增压泵A的输入端相连通，所述增压泵A的输出端固定连通有运液管道B，所述运液管道B的出液端贯穿装配外壳和回收筒的外表壁，并与进液孔洞相连通。
优选的，所述装配外壳的外壁一侧固定安装有加强板D，所述加强板D的外表壁焊接有嫁接板B，所述嫁接板B的内部固定安装有一组连接套环B，一组所述连接套环B的内表壁均固定插设有增压泵B，一组所述增压泵B的输入端均固定连通有运液管道C，一组所述运液管道C的进液端均贯穿装配外壳和回收筒的外表壁，并与回收筒的内部相连通，一组所述增压泵B的输出端均固定连通有运液管道D，一组所述运液管道D的出液端均贯穿储液箱的外表壁，并与储液箱的内部相连通。
优选的，所述内接板的外表壁固定安装在装配外壳的内表壁，所述连接架的顶部固定安装在装配外壳的内壁顶部，所述装配外壳的正表面开设有门框，所述门框的内部放置有活动门，所述活动门和装配外壳通过一组铰链相连接，所述活动门的正表面固定安装有拉手，所述装配外壳的底部固定插设有一组内接杆，一组所述内接杆的外表壁均固定套设有橡胶底座。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1、本发明通过设置能量发生机构和方位调节机构，当清洗液灌注进清洗槽的内部后，开启超声组件，其产生的超声能量经过换能器的转换，并以机械振动波的形式从振动杆的表面发散至清洗液的内部，因多个振动杆平均分布在清洗槽的内部，进而所产生的振动波可充分汇集在清洗槽的中部，进一步启动电动伸缩杆A缓慢带动承载槽中的晶片向下移动，最终***进清洗液的内部，此时清洗液中的微小气泡核在机械振动波的作用下振动、生长并不断聚集声场能量，当能量达到最大值时，空化气泡急剧崩溃闭合，在急剧崩溃时可释放出巨大的能量，在此冲击力的作用下，可将附着在晶圆表面的颗粒剥离到清洗液中，设备所使用的清洗液为碱性液体，其主要成分是苛性碱、磷酸盐、硅酸盐、碳酸盐、螯合剂和表面活性剂，该液体在与晶片表面接触后不易产生腐蚀，同时液体具备较好乳化性能，因此清洗晶片后有效防止杂质的再次残留，当晶片清洗完成后，再次开启电动伸缩杆A将晶片抽离出清洗液的内部，并启动方位调节机构中的驱动部件，使得晶片高速旋转，快速甩干晶片表面残留的液体，与此同时开启红外固体激光器，并在装配外壳的内部发射多束红外能量，其光线范围为2.2μm和3.9μm，产生的高温加速晶片表面干涸的速率，机构采用机械传动的方式将待清洗晶片悬与清洗液的内部，使得晶片表面不直接与清洗槽的内部接触，实现超声部件所产生的能量与晶片隔绝，避免晶片表面和清洗槽的内壁产生晃动冲击，有效解决上述专利所存在的不足，降低晶片表面损伤的概率。
2、本发明通过设置物料输送机构，在将待清洗晶片放置进装配外壳的内部时，先将其放置在托架中，利用机构中的驱动部件调整晶片的延伸方向，使其与进料视窗对齐，开启电动伸缩杆B缓慢带动晶片移动到装配外壳的内部，最终将晶片放置进承载槽的内部，此种晶片放置方式可减少外界空气进入到装配外壳的内部，避免空气中的灰尘附着在装配外壳的内部，有效保证装配外壳内的洁净度。
3、本发明通过设置废液净化机构，当待清洗晶片清洗完成后，清洗槽中的废液通过回流管道的输送持续进入回收筒的内部，过程中废液先垂直穿过过滤板的内部，并对废液中的灰尘杂质进行吸附，在汇入到回收筒的底部，此时对导电杆进行通电，此时导电杆会在废液中释放等量电荷，利用静电吸附原理，对废液中包含的带电微量金属离子进行吸附，进而可对废液进行充分净化，以到达可回收利用的条件。
附图说明
图1为本发明一种避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置中主视结构立体图；
图2为本发明一种避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置中底侧结构立体图；
图3为本发明一种避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置中能量发生机构结构放大立体图；
图4为本发明一种避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置中方位调节机构结构放大立体图；
图5为本发明一种避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置中物料输送机构结构放大立体图；
图6为本发明一种避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置中废液净化机构结构放大立体图；
图7为本发明一种避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置中液体输送机构结构放大立体图；
图8为本发明一种避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置中部分结构放大立体图；
图9为本发明一种避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置图6中A处结构放大立体图。
图中：
1、装配外壳；
2、能量发生机构；201、内接板；202、清洗槽；203、加强套环；204、矩形凹槽；205、超声组件；206、换能器；207、振动杆；208、进液孔洞；209、排液孔洞；
3、方位调节机构；301、连接架；302、电动伸缩杆A；303、衔接板；304、伺服电机；305、U型架A；306、托盘；307、镂空槽；308、承载槽；309、缺口；310、环槽；311、红外固体激光器；
4、物料输送机构；401、加强板A；402、嫁接板A；403、轨迹槽；404、转盘；405、支撑杆；406、横板；407、安装套筒；408、电动伸缩杆B；409、托架；410、转向电机；411、进料视窗；
5、废液净化机构；501、加强板B；502、U型架B；503、锁死板；504、回收筒；505、回流管道；506、电动阀门；507、内接环；508、过滤板；509、接线板；510、触点底座；511、导电杆；
6、液体输送机构；601、加强板C；602、嫁接板B；603、连接套环A；604、增压泵A；605、储液箱；606、运液管道A；607、运液管道B；608、加强板D；609、嫁接板B；610、连接套环B；611、增压泵B；612、运液管道C；613、运液管道D；
7、门框；
8、铰链；
9、活动门；
10、拉手；
11、内接杆；
12、橡胶底座。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施条例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-9所示，本发明提供一种技术方案：一种避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置，包括装配外壳1，装配外壳1的内部分别设置有能量发生机构2和方位调节机构3，装配外壳1的外壁一侧设置有物料输送机构4，能量发生机构2的底部固定安装有废液净化机构5，装配外壳1的正表面设置有液体输送机构6。
根据图3所示，能量发生机构2包括内接板201，内接板201的内部预设有圆孔，且圆孔的内表壁放置有清洗槽202，清洗槽202的外表壁固定套设有加强套环203，加强套环203的底部通过一组螺丝固定安装在内接板201的顶部，内接板201的内部开设有一组矩形凹槽204，一组矩形凹槽204的内部固定连接有超声组件205，一组超声组件205的输出端均固定连接有换能器206，一组换能器206的输出端均固定连接有振动杆207，一组振动杆207均置于清洗槽202的内部，清洗槽202的底部分别开设有进液孔洞208和一组排液孔洞209。
根据图1、图2和图4所示，方位调节机构3包括连接架301，连接架301的内部固定插设有一组电动伸缩杆A302，一组电动伸缩杆A302的输出端之间固定套设有衔接板303，衔接板303的内部固定插设有伺服电机304，伺服电机304的输出端焊接有U型架A305，U型架A305的底部固定安装有托盘306，托盘306的内部分别预设有镂空槽307、承载槽308和缺口309，装配外壳1的内壁顶部开设有环槽310，环槽310的内壁顶部固定连接有一组红外固体激光器311。
根据图1和图5所示，物料输送机构4包括加强板A401，加强板A401的外表壁固定安装在装配外壳1的外壁一侧，加强板A401的外表壁焊接有嫁接板A402，嫁接板A402的顶部开设有轨迹槽403，轨迹槽403的内部活动设置有转盘404，利用轨迹槽403和转盘404的活动连接性，可为托架409的转动提供条件。
根据图5所示，转盘404的顶部固定安装有支撑杆405，支撑杆405的顶部固定安装有横板406，横板406的内部固定安装有一组安装套筒407，一组安装套筒407的内表壁固定安装有电动伸缩杆B408，一组电动伸缩杆B408的输出端之间固定套设有托架409，通过设置电动伸缩杆B408，可将托架409中放置晶片稳定移动到装配外壳1的内部。
根据图1和图5所示，嫁接板A402的底部固定安装有转向电机410，转向电机410的输出端贯穿嫁接板A402的底部，并固定插设在转盘404的内部，装配外壳1的外壁一侧开设有进料视窗411，通过设置转向电机410，可为托架409的方位变更提供动力支持。
根据图3和图6所示，废液净化机构5包括两个加强板B501，两个加强板B501的底部之间焊接有U型架B502，U型架B502的内壁两侧均固定安装有锁死板503，两个锁死板503的相对一侧之间固定安装有回收筒504，通过设置回收筒504，当晶片清洗完成后，通过多个管道的输送，使其持续流入回收筒504的内部，可为废液的净化提供条件。
根据图6和图9所示，回收筒504的顶部固定连通有一组回流管道505，一组回收筒504的进液端分别与排液孔洞209相连通，一组回流管道505的内部均设置有电动阀门506，通过设置电动阀门506，可控制回流管道505的闭合与开启，可为清洗槽202中的废液排放提供条件。
根据图6所示，回收筒504的内表壁固定安装有内接环507，内接环507的内部设置有过滤板508，回收筒504的内壁底部固定安装有接线板509，接线板509的顶部固定连接有一组触点底座510，一组触点底座510的内部均固定连接有导电杆511，导电杆511共设置有多个，且分为两组，一组多个导电杆511为正电极导电杆，另一组多个导电杆为负电极导电杆，在对导电杆511进行通电后，由于分为多个正电极导电杆和多个负电极导电杆，且多个正电极导电杆和多个负电极导电杆为相对的电极，因此会形成电场，废液进入正负极组成的空间时，废液在正负极之间流动时受到电场的作用，水中带电离子分别向带反电荷的导电杆511迁移，从而会吸附在导电杆511上。
根据图1、图2、图6和图7所示，液体输送机构6包括加强板C601，加强板C601的外表壁固定安装在装配外壳1的正表面，加强板C601的外表壁焊接有嫁接板B602，嫁接板B602的内部固定安装有连接套环A603，连接套环A603的内表壁固定插设有增压泵A604，装配外壳1的正表面固定安装有储液箱605，储液箱605的底部固定连通有运液管道A606，运液管道A606的出液端和增压泵A604的输入端相连通，增压泵A604的输出端固定连通有运液管道B607，运液管道B607的出液端贯穿装配外壳1和回收筒504的外表壁，并与进液孔洞208相连通，通过设置运液管道A606和运液管道B607，可在增压泵A604的作用下，将储液箱605中储备的清洗液持续输送进清洗槽202的内部，为晶片的清洗提供条件。
根据图1、图2、图6和图7所示，装配外壳1的外壁一侧固定安装有加强板D608，加强板D608的外表壁焊接有嫁接板B609，嫁接板B609的内部固定安装有一组连接套环B610，一组连接套环B610的内表壁均固定插设有增压泵B611，一组增压泵B611的输入端均固定连通有运液管道C612，一组运液管道C612的进液端均贯穿装配外壳1和回收筒504的外表壁，并与回收筒504的内部相连通，一组增压泵B611的输出端均固定连通有运液管道D613，一组运液管道D613的出液端均贯穿储液箱605的外表壁，并与储液箱605的内部相连通，通过设置运液管道C612和运液管道D613可将回收筒504中净化的液体在增压泵B611的作用下，持续输送进储液箱605的内部，为清洗液的再次使用提供条件。
根据图1、图2、图3和图4所示，内接板201的外表壁固定安装在装配外壳1的内表壁，连接架301的顶部固定安装在装配外壳1的内壁顶部，装配外壳1的正表面开设有门框7，门框7的内部放置有活动门9，活动门9和装配外壳1通过一组铰链8相连接，活动门9的正表面固定安装有拉手10，装配外壳1的底部固定插设有一组内接杆11，一组内接杆11的外表壁均固定套设有橡胶底座12，确定内接板201和连接架301与装置整体间的连接关系，利用铰链8的特性，当待清洗晶片处理完成后，有力拉动拉手10，快速变更活动门9的角度，并将承载槽308中的晶片取出装配外壳1的内部。
其整个机构达到的效果为：首先将装置移动到指定的做工区域，并使橡胶底座12的底部充分与地面接触，再将待清洗晶片放置到托架409的内部，启动转向电机410，利用轨迹槽403和转盘404的活动连接，快速带动托架409中的晶片进行角度变更，最终使晶片与进料视窗411对齐，进一步启动安装套筒407中的电动伸缩杆B408，缓慢带动晶片进入装配外壳1的内部。
当晶片悬于托盘306的顶部后，启动电动伸缩杆A302，带动托盘306持续向上移动，当部分晶片嵌设到承载槽308的内部时，再次启动电动伸缩杆B408，逐渐将托架409从缺口309处抽离出承载槽308的内部，最终使晶片充分置于承载槽308的内部。
进一步启动连接套环A603中的增压泵A604其内部叶轮转动，产生的吸附效果持续抽取储液箱605中的清洗液，并通过运液管道A606和运液管道B607对清洗液的输送，持续将清洗液灌注进清洗槽202的内部。
当清洗槽202中液体到达指定液位后，开启矩形凹槽204中的超声组件205，产生范围在800-2000Hz之间兆声能量，再经过换能器206的转换后，形成的机械振动波从振动杆207的表面释放进清洗液的内部，加速液体内气泡的破裂，与此同时启动连接架301中的电动伸缩杆A302，缓慢带动承载槽308中的晶片垂直***进清洗液的内部，最终使晶片悬浮与液体内部，当晶片与液体接触后，并在兆声作用下持续将晶片表面的灰尘和其他物质剥离进清洗液的内部。
当晶片清洗完成后，启动电动伸缩杆A302快速将晶片抽离出液体内部，同时启动衔接板303中的伺服电机304，并作用于托盘306，使得承载槽308中的晶片高速转动，持续将液体甩离晶片表面，进一步开启环槽310中的红外固体激光器311，如红外固体激光器311的型号为CME-L1047（佛山帕科斯激光技术有限公司生产），产生的红外光波持续射向装配外壳1的内部，以增加装配外壳1内部温度，达到烘干晶片的目的。
进一步开启电动阀门506，打开回流管道505的内部通道，此时清洗槽202中的废液会通过回流管道505的输送持续进入回收筒504的内部，此时废液在重力作用下，并掉落至装配外壳1的底部，此过程中废液先垂直穿过过滤板508的内部，首先吸附废液中掺杂的固体杂质，再汇集进伺服电机304的底部，此时对多个触点底座510进行通电，使得导电杆511的表面持续对废液中释放等量电荷，并快速将废液中的微量金属元素吸附在导电杆511的表面。
当废液净化完成后，启动连接套环B610中的增压泵B611，快速抽取回收筒504中净化的液体，并通过运液管道C612和运液管道D613对液体的输送，使其持续回流进储液箱605的内部。
尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置，其特征在于：包括装配外壳（1），所述装配外壳（1）的内部分别设置有能量发生机构（2）和方位调节机构（3），所述装配外壳（1）的外壁一侧设置有物料输送机构（4），所述能量发生机构（2）的底部固定安装有废液净化机构（5），所述装配外壳（1）的正表面设置有液体输送机构（6）；
所述能量发生机构（2）包括内接板（201），所述内接板（201）的内部预设有圆孔，且圆孔的内表壁放置有清洗槽（202），所述清洗槽（202）的外表壁固定套设有加强套环（203），所述加强套环（203）的底部通过一组螺丝固定安装在内接板（201）的顶部，所述内接板（201）的内部开设有一组矩形凹槽（204），一组所述矩形凹槽（204）的内部固定连接有超声组件（205），一组所述超声组件（205）的输出端均固定连接有换能器（206），一组所述换能器（206）的输出端均固定连接有振动杆（207），一组所述振动杆（207）均置于清洗槽（202）的内部，所述清洗槽（202）的底部分别开设有进液孔洞（208）和一组排液孔洞（209）；
所述方位调节机构（3）包括连接架（301），所述连接架（301）的内部固定插设有一组电动伸缩杆A（302），一组所述电动伸缩杆A（302）的输出端之间固定套设有衔接板（303），所述衔接板（303）的内部固定插设有伺服电机（304），所述伺服电机（304）的输出端焊接有U型架A（305），所述U型架A（305）的底部固定安装有托盘（306），所述托盘（306）的内部分别预设有镂空槽（307）、承载槽（308）和缺口（309），所述装配外壳（1）的内壁顶部开设有环槽（310），所述环槽（310）的内壁顶部固定连接有一组红外固体激光器（311）。
2.根据权利要求1所述的避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置，其特征在于：所述物料输送机构（4）包括加强板A（401），所述加强板A（401）的外表壁固定安装在装配外壳（1）的外壁一侧，所述加强板A（401）的外表壁焊接有嫁接板A（402），所述嫁接板A（402）的顶部开设有轨迹槽（403），所述轨迹槽（403）的内部活动设置有转盘（404）。
3.根据权利要求2所述的避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置，其特征在于：所述转盘（404）的顶部固定安装有支撑杆（405），所述支撑杆（405）的顶部固定安装有横板（406），所述横板（406）的内部固定安装有一组安装套筒（407），一组所述安装套筒（407）的内表壁固定安装有电动伸缩杆B（408），一组所述电动伸缩杆B（408）的输出端之间固定套设有托架（409）。
4.根据权利要求2所述的避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置，其特征在于：所述嫁接板A（402）的底部固定安装有转向电机（410），所述转向电机（410）的输出端贯穿嫁接板A（402）的底部，并固定插设在转盘（404）的内部，所述装配外壳（1）的外壁一侧开设有进料视窗（411）。
5.根据权利要求1所述的避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置，其特征在于：所述废液净化机构（5）包括两个加强板B（501），两个所述加强板B（501）的底部之间焊接有U型架B（502），所述U型架B（502）的内壁两侧均固定安装有锁死板（503），两个所述锁死板（503）的相对一侧之间固定安装有回收筒（504）。
6.根据权利要求5所述的避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置，其特征在于：所述回收筒（504）的顶部固定连通有一组回流管道（505），一组所述回收筒（504）的进液端分别与排液孔洞（209）相连通，一组所述回流管道（505）的内部均设置有电动阀门（506）。
7.根据权利要求5所述的避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置，其特征在于：所述回收筒（504）的内表壁固定安装有内接环（507），所述内接环（507）的内部设置有过滤板（508），所述回收筒（504）的内壁底部固定安装有接线板（509），所述接线板（509）的顶部固定连接有一组触点底座（510），一组所述触点底座（510）的内部均固定连接有导电杆（511）。
8.根据权利要求1所述的避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置，其特征在于：所述液体输送机构（6）包括加强板C（601），所述加强板C（601）的外表壁固定安装在装配外壳（1）的正表面，所述加强板C（601）的外表壁焊接有嫁接板B（602），所述嫁接板B（602）的内部固定安装有连接套环A（603），所述连接套环A（603）的内表壁固定插设有增压泵A（604），所述装配外壳（1）的正表面固定安装有储液箱（605），所述储液箱（605）的底部固定连通有运液管道A（606），所述运液管道A（606）的出液端和增压泵A（604）的输入端相连通，所述增压泵A（604）的输出端固定连通有运液管道B（607），所述运液管道B（607）的出液端贯穿装配外壳（1）和回收筒（504）的外表壁，并与进液孔洞（208）相连通。
9.根据权利要求8所述的避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置，其特征在于：所述装配外壳（1）的外壁一侧固定安装有加强板D（608），所述加强板D（608）的外表壁焊接有嫁接板B（609），所述嫁接板B（609）的内部固定安装有一组连接套环B（610），一组所述连接套环B（610）的内表壁均固定插设有增压泵B（611），一组所述增压泵B（611）的输入端均固定连通有运液管道C（612），一组所述运液管道C（612）的进液端均贯穿装配外壳（1）和回收筒（504）的外表壁，并与回收筒（504）的内部相连通，一组所述增压泵B（611）的输出端均固定连通有运液管道D（613），一组所述运液管道D（613）的出液端均贯穿储液箱（605）的外表壁，并与储液箱（605）的内部相连通。
10.根据权利要求1所述的避免表面损伤的半导体晶片用兆声清洗装置，其特征在于：所述内接板（201）的外表壁固定安装在装配外壳（1）的内表壁，所述连接架（301）的顶部固定安装在装配外壳（1）的内壁顶部，所述装配外壳（1）的正表面开设有门框（7），所述门框（7）的内部放置有活动门（9），所述活动门（9）和装配外壳（1）通过一组铰链（8）相连接，所述活动门（9）的正表面固定安装有拉手（10），所述装配外壳（1）的底部固定插设有一组内接杆（11），一组所述内接杆（11）的外表壁均固定套设有橡胶底座（12）。
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 215316 room 3, No. 299, Yuyang Road, Yushan Town, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Suzhou Zhicheng Semiconductor Technology Co.,Ltd. Address before: 215316 room 3, No. 299, Yuyang Road, Yushan Town, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee before: Zhicheng semiconductor equipment technology (Kunshan) Co.,Ltd. |
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: No. 889 Zhonghua Road, Bacheng Town, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province, 215316 Patentee after: Suzhou Zhicheng Semiconductor Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 215316 room 3, No. 299, Yuyang Road, Yushan Town, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee before: Suzhou Zhicheng Semiconductor Technology Co.,Ltd. Country or region before: China |
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| CP03 | Change of name, title or address |