CN115210633B - 电子设备 - Google Patents
电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115210633B CN115210633B CN202080094127.8A CN202080094127A CN115210633B CN 115210633 B CN115210633 B CN 115210633B CN 202080094127 A CN202080094127 A CN 202080094127A CN 115210633 B CN115210633 B CN 115210633B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pixel
- organic
- transistor
- layer
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims description 28
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 17
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 254
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 139
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 62
- 239000010408 film Substances 0.000 description 47
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 24
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 14
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 14
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 11
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 10
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 9
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 102100032986 CCR4-NOT transcription complex subunit 8 Human genes 0.000 description 7
- 101000942586 Homo sapiens CCR4-NOT transcription complex subunit 8 Proteins 0.000 description 7
- 101001094629 Homo sapiens Popeye domain-containing protein 2 Proteins 0.000 description 7
- 101000608230 Homo sapiens Pyrin domain-containing protein 2 Proteins 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 101000864318 Homo sapiens Binder of sperm protein homolog 1 Proteins 0.000 description 6
- 101000984710 Homo sapiens Lymphocyte-specific protein 1 Proteins 0.000 description 6
- 102100027105 Lymphocyte-specific protein 1 Human genes 0.000 description 6
- 102100025744 Mothers against decapentaplegic homolog 1 Human genes 0.000 description 6
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 6
- 101100021671 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) LPX1 gene Proteins 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 5
- 101100455541 Drosophila melanogaster Lsp2 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 4
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 4
- 102100028423 MAP6 domain-containing protein 1 Human genes 0.000 description 3
- 101710163760 MAP6 domain-containing protein 1 Proteins 0.000 description 3
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150082606 VSIG1 gene Proteins 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
- G06V10/10—Image acquisition
- G06V10/12—Details of acquisition arrangements; Constructional details thereof
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/52—RGB geometrical arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本实施方式的目的在于提供一种能够拍摄清晰图像的电子设备。本实施方式的电子设备具备摄像装置、和具有与所述摄像装置重叠的显示部的液晶面板,所述液晶面板具备与所述摄像装置重叠的第一像素、设于所述第一像素的开口部、与所述第一像素相邻的第二像素、和与所述第二像素相邻的第三像素,所述第三像素至少具有第一颜色、第二颜色、第三颜色的着色层,所述第二像素不具有所述着色层或具有透明树脂层。
Description
技术领域
本发明的实施方式涉及电子设备。
背景技术
近年来,在同一面侧具备显示部及摄像元件的智能手机等电子设备被广泛实用化。在这种电子设备中,摄像元件设于显示部的外侧,对在确保用于设置摄像元件的空间的同时缩小显示部外侧的边框宽度的要求越来越高。
另外,要求能够利用该摄像元件拍摄清晰的照片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-40908号公报
发明内容
本实施方式提供一种能够拍摄清晰(鲜明)的图像的电子设备。
一个实施方式的电子设备具备摄像装置、和具有与所述摄像装置重叠的显示部的液晶面板,所述液晶面板具备与所述摄像装置重叠的第一像素、设于所述第一像素的开口部、与所述第一像素相邻的第二像素、和与所述第二像素相邻的第三像素,所述第三像素至少具有第一颜色、第二颜色、第三颜色的着色层,所述第二像素不具有所述着色层或具有透明树脂层。
另外,一个实施方式的电子设备具备摄像装置、和具有与所述摄像装置重叠的显示部的有机EL面板,所述有机EL面板具备与所述摄像装置重叠的第一像素、设于所述第一像素的开口部、与所述第一像素相邻的第二像素、和与所述第二像素相邻的第三像素,所述第三像素至少具有第一颜色、第二颜色、第三颜色的着色层,所述第二像素具有透明树脂层。
发明效果
根据本实施方式,能够提供一种能够拍摄清晰的图像的电子设备。
附图说明
图1是表示实施方式1的电子设备100的一个构成例的分解立体图。
图2是图1所示的电子设备100的摄像装置1周边的剖视图。
图3是表示图2所示的液晶面板PNL的一个构成例的俯视图。
图4是图3所示的液晶面板PNL的放大俯视图。
图5是图4所示的像素PPX、像素BPX、像素LPX及像素PX的放大俯视图。
图6是沿着图5所示的A-B线的液晶元件LCD的剖视图。
图7的(A)及(B)分别是沿着图5所示的C-D线的液晶元件LCD的剖视图。
图8是沿着图5所示的E-F线的液晶元件LCD的剖视图。
图9是沿着图5所示的G-H线的液晶元件LCD的剖视图。
图10是表示开口部POP的其他构成例的俯视图。
图11是表示子像素LSP的其他构成例的俯视图。
图12是像素LPX的剖视图。
图13是表示在像素LPX及像素PX中亮度与被施加的电压的关系的图。
图14是表示液晶面板PNL的其他构成例的图。
图15是表示液晶面板PNL的其他构成例的图。
图16是表示像素LPX的其他构成例的图。
图17是表示像素布局的其他构成例的俯视图。
图18是表示图17所示的像素PPX、像素BPX、像素LPX及子像素SP1的俯视图。
图19是表示本实施方式中的像素布局的其他构成例的俯视图。
图20是表示实施方式2的电子设备100的结构的立体图。
图21是表示显示面板DSP的电路结构的俯视图。
图22是表示显示面板DSP的电路结构的俯视图。
图23是表示示出图20所示的显示面板DSP的显示部DA的截面的示意图。
图24是表示与有机EL元件OLED中的复位(重置)动作、偏移消除(offset cancel)动作、写入动作及发光动作有关的各种信号的输出例的时序图。
图25是表示像素布局的俯视图。
图26是表示像素布局的另一俯视图。
图27是表示像素LPX的其他构成例的剖视图。
图28是表示其他构成例的电压Vsig的图。
图29是表示显示面板DSP的其他构成例的图。
图30是表示显示面板DSP的其他构成例的图。
图31是表示像素LPX的其他构成例的图。
图32是表示对像素LPX的扫描线G(控制布线SSG)施加的像素控制信号SG的输出例的时序图。
图33是表示本实施方式的像素电路PC的其他构成例的图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的各实施方式进行说明。需要说明的是,公开内容只不过是一个例子,对于本领域技术人员而言,能够容易想到的保持发明主旨的适当变更当然包含在本发明的范围内。另外,为了使说明更明确,有时附图与实际形态相比会示意性地示出各部分的宽度、厚度、形状等,但只是一个例子,并不限定本发明的解释。另外,在本说明书和各图中,有时对与关于已出现的图进行了说明的要素相同的要素标注相同的附图标记,并适当省略详细说明。
以下,参照附图对一个实施方式的电子设备进行详细说明。
在本实施方式中,第一方向X、第二方向Y及第三方向Z相互正交,但也可以以90度以外的角度交叉。将朝向第三方向Z的箭头的前端的方向定义为上或上方,并将与朝向第三方向Z的箭头的前端的方向为相反侧的方向定义为下或下方。
另外,在设为“第一部件上方的第二部件”及“第一部件下方的第二部件”的情况下,第二部件既可以与第一部件接触也可以位于与第一部件分离之处。在后者的情况下,也可以有第三部件介于第一部件与第二部件之间。另一方面,在设为“第一部件之上的第二部件”及“第一部件之下的第二部件”的情况下,第二部件与第一部件接触。
<实施方式1>
图1是表示本实施方式的电子设备100的一个构成例的分解立体图。
电子设备100具备液晶面板PNL、照明装置IL和摄像装置1。
照明装置IL具备导光板LG1、光源EM1和壳体CS。该照明装置IL例如对在图1中用虚线简化表示的液晶面板PNL进行照明。
导光板LG1形成为与由第一方向X及第二方向Y规定的X-Y平面平行的平板状。导光板LG1与液晶面板PNL对置。导光板LG1具有侧面SA、侧面SA的相反侧的侧面SB、和开口部OP1。侧面SA及SB分别沿着第一方向X延伸。例如,侧面SA及SB是与由第一方向X及第三方向Z规定的X-Z平面平行的面。
开口部OP1是沿着第三方向Z贯穿导光板LG1的贯穿孔。开口部OP1在第二方向Y上位于侧面SA与侧面SB之间,且与侧面SA相比更靠近侧面SB。此外,开口部OP1也可以是从侧面SB向侧面SA凹陷的凹部或缺口。
多个光源EM1沿着第一方向X隔开间隔地排列。光源EM1分别安装于布线基板F1并与布线基板F1电连接。光源EM1例如为发光二极管(LED)并射出白色的照明光。从光源EM1射出的照明光从侧面SA入射至导光板LG1,并从侧面SA向侧面SB行进。
壳体CS容纳导光板LG1及光源EM1。壳体CS具有侧壁W1至W4、底板BP、开口部OP2、和突部PP。侧壁W1及W2沿着第一方向X延伸并相互对置。侧壁W3及W4沿着第二方向Y延伸并相互对置。
开口部OP2在第三方向Z上与开口部OP1重叠。突部PP以沿着第三方向Z从底板BP向液晶面板PNL突出并包围开口部OP2的方式设置。
摄像装置1以在第三方向Z上与开口部OP2重叠的方式设置。摄像装置1安装于布线基板F2并与布线基板F2电连接。
液晶面板PNL与导光板LG1重叠,并且在开口部OP1处与摄像装置1重叠。
图2是图1所示的电子设备100的摄像装置1周边的剖视图。
需要说明的是,在此并不对图2所示的光学***2、彩色滤光片CF、遮光层BMA、遮光层BM的位置关系进行说明,详见后述。
如图2所示,照明装置IL还具备反射片RS、扩散片SS、和棱镜片PS1及PS2。
反射片RS、导光板LG1、扩散片SS、棱镜片PS1及棱镜片PS2按照该顺序沿着第三方向Z配置并容纳在壳体CS内。壳体CS具备金属制的壳体CS1和树脂制的台座CS2。台座CS2与壳体CS1一起形成突部PP。扩散片SS、棱镜片PS1及棱镜片PS2分别具有与开口部OP1重叠的贯穿孔。反射片RS具有与开口部OP1重叠的贯穿孔。突部PP位于开口部OP1的内侧。
偏振片PL1、液晶面板PNL、偏振片PL2及玻璃盖片CG按照该顺序沿着第三方向Z配置,并构成针对沿着第三方向Z行进的光具备光学性开关功能的液晶元件LCD。胶带TP1粘接照明装置IL与液晶元件LCD。在本实施方式中,胶带TP1粘接偏振片PL1与突部PP、以及偏振片PL1与棱镜片PS2。
液晶面板PNL也可以具备与利用沿着基板主面的横向电场的显示模式、利用沿着基板主面的法线的纵向电场的显示模式、利用相对于基板主面向倾斜方向倾斜的倾斜电场的显示模式、以及将上述的横向电场、纵向电场及倾斜电场适当组合利用的显示模式对应的任一种结构。此处的基板主面是指与X-Y平面平行的面。
液晶面板PNL具备显示像素的显示部DA、和包围显示部DA的非显示部NDA。液晶面板PNL具备第一基板SUB1、第二基板SUB2、液晶层LC、和密封件SE。密封件SE位于非显示部NDA,粘接第一基板SUB1与第二基板SUB2并将液晶层LC密封。
以下,对第一基板SUB1及第二基板SUB2的主要部分进行说明。第一基板SUB1具备绝缘基板10和取向膜AL1。第二基板SUB2具备绝缘基板20、彩色滤光片CF、遮光层BMA、透明层OC、和取向膜AL2。
绝缘基板10及绝缘基板20是玻璃基板或挠性的树脂基板等透明基板。取向膜AL1及AL2与液晶层LC接触。
彩色滤光片CF、遮光层BMA及透明层OC在第三方向Z上位于绝缘基板20与液晶层LC之间。此外,在图示的例子中,彩色滤光片CF设于第二基板SUB2,但也可以设于第一基板SUB1。
在此省略彩色滤光片CF的详情,但彩色滤光片CF例如具备配置于红像素的红色滤光片、配置于绿像素的绿色滤光片、以及配置于蓝像素的蓝色滤光片。另外,彩色滤光片CF有时也具备配置于白像素的透明树脂层。透明层OC覆盖彩色滤光片CF及遮光层BMA。透明层OC例如是透明的有机绝缘层。
遮光层BMA位于非显示部NDA。显示部DA与非显示部NDA的边界L例如由遮光层BMA的内端(显示部DA侧的端部)规定。密封件SE设于与遮光层BMA重叠的位置。
取向膜AL1及AL2遍及显示部DA及非显示部NDA而设置。
摄像装置1以与壳体CS的开口部OP2重叠的方式设置,且位于被突部PP包围的内侧。摄像装置1在第三方向Z上与玻璃盖片CG、偏振片PL2、液晶面板PNL及偏振片PL1重叠。
此外,摄像装置1中的一部分或全部在第三方向Z上与液晶面板PNL的显示部DA重叠。也就是说,在具有液晶面板PNL和摄像装置1的电子设备100中,从电子设备100的使用者来看,摄像装置1只要设于液晶面板PNL的里侧即可。
摄像装置1例如具备至少包括一个透镜的光学***2、图像传感器(摄像元件)3和壳体4。壳体4容纳光学***2及图像传感器3。光学***2位于液晶面板PNL与图像传感器3之间。图像传感器3经由玻璃盖片CG、偏振片PL2、液晶面板PNL及偏振片PL1接收光。
例如,摄像装置1接收经由玻璃盖片CG、偏振片PL2、显示部DA、偏振片PL1及导光板LG2透射后的可见光(例如400nm~700nm范围内的光)。在偏振片PL1的吸收轴与偏振片PL2的吸收轴相互正交的情况下,当将从液晶元件LCD的液晶层LC透射的光的波长设为λ时,若液晶层LC的光程差(retardation)几乎为零或与λ相当,则液晶元件LCD的透射率最小。
因此,当利用摄像装置1进行拍摄时,液晶层LC的光程差被设定为大于零且小于λ。在光程差约为λ/2的情况下,液晶元件LCD的透射率最大。
偏振片PL1粘接于绝缘基板10。偏振片PL2粘接于绝缘基板20。偏振片PL2通过透明粘接层AD而粘接于玻璃盖片CG。偏振片PL1及PL2也可以根据需要而具备相位差板、散射层、防反射层等。
另外,为了使液晶层LC不受来自外部的电场等的影响,有时在偏振片PL2与绝缘基板20之间设置透明导电膜。透明导电膜由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等透明的氧化物导体构成。也可以在红外线的透射率不成问题的与可见光用的摄像头1重叠的部位形成透明导电膜。
另外,偏振片PL1或偏振片PL2还能具备超双折射膜。已知超双折射膜在直线偏振光入射时使透射光非偏振化(自然光化),即使被摄体中包括发出偏振光的物体,也能够没有不协调感地进行拍摄。
例如,在电子设备100等映入摄像装置1的被摄体的情况下,从电子设备100射出直线偏振光,因此,由于偏振片PL1及偏振片PL2、和成为被摄体的电子设备100与偏振片的角度的关系,入射至摄像装置1的被摄体的电子设备100的亮度会发生变化,有在拍摄时产生不协调感的隐忧。然而,通过使偏振片PL1及偏振片PL2具备超双折射膜,能够抑制产生不协调感的亮度变化。
图3是表示图2所示的液晶面板PNL的一个构成例的俯视图。在图3中,用不同的斜线表示液晶层LC及密封件SE,并用虚线表示摄像装置1的光学***2的外形。
如图3所示,显示部DA是不包括缺口的大致四边形的区域,但四个角也可以是圆角,也可以是四边形以外的多边形或圆形。显示部DA位于由密封件SE包围的内侧。
液晶面板PNL具有沿着第一方向X延伸的一对短边E11及E12、和沿着第二方向Y延伸的一对长边E13及E14。液晶面板PNL在显示部DA中具备沿第一方向X及第二方向Y呈矩阵状排列的多个像素PX。显示部DA中的各像素PX具有相同的电路结构。
如在图3中放大所示,各像素PX具备开关元件SW、像素电极PE、公共电极CE、液晶层LC等。开关元件SW例如由晶体管、更具体为薄膜晶体管(TFT)构成,并与扫描线G及信号线S电连接。对扫描线G供给用于控制开关元件SW的控制信号。
对信号线S作为与控制信号不同的信号而供给影像信号。像素电极PE与开关元件SW电连接。液晶层LC由产生在像素电极PE与公共电极CE之间的电场驱动。电容CP例如形成在与公共电极CE同电位的电极、和与像素电极PE同电位的电极之间。
布线基板5安装于第一基板SUB1的延伸部Ex并与其电连接。IC芯片6安装于布线基板5并与布线基板5电连接。此外,IC芯片6也可以安装于延伸部Ex并与延伸部Ex电连接。IC芯片6例如内置有输出进行图像显示所需的信号的显示驱动器等。布线基板5是能够弯折的柔性印刷电路基板。
在第一基板SUB1中,金属布线M与IC芯片6电连接。金属布线M在显示部DA与短边E11之间、显示部DA与长边E14之间、以及显示部DA与短边E12之间延伸,并与光学***2重叠。在图示的例子中,密封件SE与金属布线M重叠。
图4是图3所示的液晶面板PNL的放大俯视图。如图4所示,显示部DA具有与光学***2重叠的区域A1。
像素PX具备子像素SP1至SP3。在任一像素PX中,子像素SP1、子像素SP2及子像素SP3均同样地排列。在第一方向X上,子像素SP1、子像素SP2及子像素SP3按照该顺序反复排列。
上述彩色滤光片CF具备着色层CFR、CFG、CFB。子像素SP1具备第一颜色的着色层CFR。子像素SP2具备第二颜色的着色层CFG。子像素SP3具备第三颜色的着色层CFB。第一颜色的着色层CFR、第二颜色的着色层CFG、第三颜色的着色层CFB是互不相同的颜色。
在本实施方式中,第一颜色是红色(R),第二颜色是绿色(G),第三颜色是蓝色(B)。但是,第一颜色、第二颜色及第三颜色是作为示例而示出的,能够进行各种变形。只要第一颜色、第二颜色、第三颜色中的任一颜色是红色、另一颜色是绿色、剩余颜色是蓝色即可。另外,一部分第三颜色例如也可以是白色(W)。
像素PPX与开口部OP1对置,并与光学***2的中心OX重叠。像素PPX构成为无着色层。此外,若彩色滤光片CF具有透明树脂层,则像素PPX也可以具备透明树脂层(作为着色层CFW)。
遮光层BM与像素PPX的一部分重叠。在图4中,省略了与除像素PPX以外的像素PX重叠的遮光层BM的图示。遮光层BM与图2所示的非显示部NDA的遮光层BMA一体形成。遮光层BM具有开口部POP。在图示的例子中,开口部POP的中心与光学***2的中心OX重叠。在俯视时,开口部POP与光学***2是同心圆。开口部POP形成为圆形。开口部POP期望形成为正圆形。
需要说明的是,像素PPX也可能不用于显示,因此严格来说像素这一称呼并不准确,但在本说明书中与有助于显示的像素并列地,将具有相同的透明导电膜的电极、和即使不具有透明导电膜也形成于与像素相同的遮光层BM的开口包含在内而称为像素。
在本实施方式中,当将第一方向X上的长度设为宽度时,像素PPX的宽度与像素PX的宽度大致相等。开口部POP的直径与像素PPX的宽度大致相等。在图4中,光学***2的直径相当于开口部POP的直径的大致五倍。作为一个例子,光学***2的直径约为3000μm,开口部POP的直径约为600μm。
与像素PPX相邻地设有遮光用的像素BPX。但是,与像素PPX相邻的像素LPX的数量并不限定于上述那样。或者,也可以在与像素PPX相邻的方向上的相反侧,以与像素BPX相邻的方式设置另外的像素BPX。即,像素BPX也可以配置多行及多列。
像素BPX具备子像素BSP1至BSP3。与像素PX同样地,在任一像素BPX中,子像素BSP1、子像素BSP2及子像素BSP3均同样地排列。
子像素BSP1至BSP3构成有遮光层BM。由此,在子像素BSP中来自光学***2的光被遮挡。
与像素BPX相邻地设有照明用的像素LPX。与像素BPX相邻的像素LPX的数量并不限定于上述那样,例如也可以分别在第一方向X及第二方向Y上各设置一个像素LPX、即设置四个像素LPX。或者,也可以在不与像素BPX相邻的一侧设置另外的像素LPX。即,像素LPX也可以配置多行及多列。
像素LPX具备子像素LSP1至LSP3。与像素PX同样地,在任一像素LPX中,子像素LSP1、子像素LSP2及子像素LSP3均同样地排列。
子像素LSP1至LSP3构成为无着色层。或者,子像素LSP1至LSP3也可以具有透明树脂层(着色层CFW)来代替彩色滤光片CF。在任一情况下,穿过子像素LSP的光都是白光。
在本实施方式中,在具有开口部POP的像素PPX的周边设有无着色层或具有透明树脂层的像素LPX。从开口部POP的周边且从像素LPX对被摄体照射白色的照明光。由此,由摄像装置1拍摄的被摄体的照度变高,能够利用摄像装置1拍摄清晰的照片。
图5是图4所示的像素PPX、像素BPX、像素LPX及像素PX的放大俯视图。
如图5所示,将相对于第二方向Y向顺时针以锐角交叉的方向定义为方向D1,并将相对于第二方向Y向逆时针以锐角交叉的方向定义为方向D2。此外,第二方向Y与方向D1所成的角度θ1和第二方向Y与方向D2所成的角度θ2实质上相同。
扫描线G1至G4分别在第一方向X上延伸,并在第二方向Y上隔开间隔地排列。信号线S1至S4分别在第二方向Y上延伸,并在第一方向X上隔开间隔地排列。扫描线G及信号线S分别由铝(Al)、钛(Ti)、银(Ag)、钼(Mo)、钨(W)、铜(Cu)、铬(Cr)等金属材料或将这些金属材料组合而成的合金等形成。
扫描线G及信号线S分别既可以是单层构造也可以是多层构造。此外,扫描线G及信号线S也可以未必以直线延伸,它们的一部分也可以弯曲。例如,信号线S即使一部分弯曲也在第二方向Y上延伸。
像素PX位于扫描线G4与扫描线G5之间以及信号线S1与信号线S4之间。在各子像素SP中,半导体层SC与扫描线G交叉两次,开关元件SW由双栅构造的TFT(薄膜晶体管)构成。此外,开关元件SW也可以由半导体层SC与扫描线G交叉一次的单栅构造的TFT构成。半导体层SC在连接位置P1与信号线S连接,并在连接位置P2与像素电极PE连接。在连接位置P2处,中继电极介于像素电极PE与半导体层SC之间,但在图5中省略了中继电极的图示。
像素电极PE具有多个线状电极BR、和相邻的线状电极BR之间的狭缝SL。在图示的例子中,线状电极BR沿着方向D1延伸。像素电极PE具有两个线状电极BR和一个狭缝SL,但线状电极BR及狭缝SL的数量并不限于该例。
各子像素SP由与半导体层SC连接的信号线S及扫描线G控制。例如,子像素SP1由扫描线G5及信号线S3控制,子像素SP2由扫描线G5及信号线S2控制,子像素SP3由扫描线G5及信号线S1控制。
像素LPX位于扫描线G3与扫描线G4之间以及信号线S1与信号线S4之间。图5中的各子像素LSP的结构与上述子像素SP的结构相同。但是,在各子像素LSP中,子像素LSP1由扫描线G4及信号线S3控制,子像素LSP2由扫描线G4及信号线S2控制,子像素LSP3由扫描线G4及信号线S1控制。另外,各子像素LSP的线状电极BR及狭缝SL沿着方向D2延伸。
像素BPX位于扫描线G2与扫描线G3之间以及信号线S1与信号线S4之间。图5中的各子像素BSP的结构与上述子像素BSP的结构相同。但是,在各子像素BSP中,子像素BSP1由扫描线G3及信号线S3控制,子像素LSP2由扫描线G3及信号线S2控制,子像素LSP3由扫描线G3及信号线S1控制。
此外,如图4所示,由于像素BPX被遮光层BM覆盖,所以来自像素BPX的光会被遮挡而无助于显示。换言之,即使从扫描线及信号线输入信号,像素BPX也显示黑色。
像素BPX既可以在未输入信号的情况下始终以关断(OFF)状态显示黑色,也可以是开启(ON)状态。另外,也可以不设置半导体层SC、即不设置开关元件SW,且不由扫描线G及信号线S控制。即使在不设置开关元件SW的情况下,像素BPX也通过遮光层BM而显示黑色。
像素PPX位于扫描线G1与扫描线G2之间以及信号线S1与信号线S4之间。像素PPX具备像素电极PPE。像素电极PPE具有多个线状电极PBR和狭缝PSL。在图示的例子中,线状电极PBR沿着方向D2延伸。像素电极PPE具有六个线状电极PBR和五个狭缝PSL,但线状电极PBR及狭缝PSL的数量并不限于该例。
信号线S2在俯视时在像素电极PPE与扫描线G1之间、像素电极PPE与信号线S1之间、以及像素电极PPE与扫描线G2之间延伸。信号线S3在俯视时在像素电极PPE与扫描线G1之间、像素电极PPE与信号线S4之间、以及像素电极PPE与扫描线G2之间延伸。信号线S2及S3绕着开口部POP延伸。在本实施方式中,信号线S2及S3在俯视时与像素电极PPE分离。
金属布线M与信号线S1重叠并沿着信号线S1延伸。金属布线M在俯视时与信号线S2交叉,并经由接触孔PCH与像素电极PPE连接。像素电极PPE不与扫描线G及信号线S连接。像素PPX由金属布线M控制。
遮光层BM与扫描线G1至G4、信号线S1至S4、各子像素LSP及各子像素SP的半导体层SC重叠。遮光层BM具有位于子像素LSP1的开口部LOP1、位于子像素LSP2的开口部LOP2、位于子像素LSP3的LOP3、和位于子像素SP1的开口部OPR、位于子像素SP2的开口部OPG、位于子像素SP3的开口部OPB。
遮光层BM覆盖子像素BSP1至子像素BSP3。
另外,遮光层BM的开口部POP与像素电极PPE重叠。
在开口部OPR重叠有图4所示的第一颜色的着色层CFR,在开口部OPG重叠有第二颜色的着色层CFG,在开口部OPB重叠有第三颜色的着色层CFB。
另一方面,如上所述,在开口部LOP1、开口部LOP2、开口部LOP3未设置着色层(彩色滤光片CF)。或者,在开口部LOP1、开口部LOP2、开口部LOP3设置透明树脂层(着色层CFW)。
图6是沿着图5所示的A-B线的液晶元件LCD的剖视图。在此,对在偏振片PL1与偏振片PL2之间具备与利用横向电场的显示模式对应的液晶面板PNL的液晶元件LCD进行说明。
如图6所示,第一基板SUB1在绝缘基板10与取向膜AL1之间具备绝缘层11至15、信号线S1及S2、公共电极CE、金属布线M、以及像素电极PPE。绝缘层11位于绝缘基板10之上。绝缘层12位于绝缘层11之上。此外,图5所示的扫描线G、半导体层SC例如位于绝缘基板10与绝缘层11之间或绝缘层11与绝缘层12之间。信号线S1及S2位于绝缘层12之上并由绝缘层13覆盖。
金属布线M位于绝缘层13之上并由绝缘层14覆盖。公共电极CE位于绝缘层14之上并由绝缘层15覆盖。像素电极PPE位于绝缘层15之上并由取向膜AL1覆盖。接触孔PCH贯穿绝缘层14及15。像素电极PPE隔着绝缘层15与公共电极CE对置。公共电极CE及像素电极PPE是由ITO或IZO等透明的导电材料形成的透明电极。
在第二基板SUB2中,遮光层BM位于金属布线M的正上方及像素电极PPE的正上方。彩色滤光片CF位于信号线S1的正上方。
在像素PPX中,遮光层BM与透明层OC接触。在像素BPX中,遮光层BM与透明层OC接触。在像素LPX中,遮光层BM与透明层OC接触、或与配置在彩色滤光片CF的位置处的透明树脂层接触。在像素PX中,遮光层BM与彩色滤光片CF接触。绝缘基板20在开口部POP与透明层OC接触。此外,关于像素PPX、像素BPX、像素LPX、像素PX的截面构造的详情见后述。
驱动部DR1对金属布线M施加电压以控制液晶元件LCD在像素PPX中的透射率。液晶元件LCD的透射率根据对液晶层LC施加的电压的大小来控制。此外,驱动部DR1与IC芯片6电连接。
例如,在像素PPX中,在未经由金属布线M对液晶层LC施加电压的关断状态下,液晶层LC所包含的液晶分子LM在取向膜AL1与取向膜AL2之间沿规定方向进行初始取向。即,像素PPX为最小透射率并显示黑色。也就是说,液晶元件LCD在像素PPX中发挥遮光功能。
另一方面,在经由金属布线M对液晶层LC施加了电压的开启状态下,液晶分子LM通过形成在像素电极PPE与公共电极CE之间的电场而沿与初始取向方向不同的方向进行取向,且其取向方向由电场控制。液晶元件LCD在开启状态的像素PPX中为最大透射率的情况下,显示白色或成为透明状态。也就是说,液晶元件LCD在像素PPX中发挥透光功能。
图7的(A)及(B)、图8和图9分别是包含图5所示的像素LPX、像素PX及像素BPX的液晶元件LCD的剖视图。图7的(A)及(B)是沿着图5所示的C-D线的液晶元件LCD的剖视图。图8是沿着图5所示的E-F线的液晶元件LCD的剖视图。图9是沿着图5所示的G-H线的液晶元件LCD的剖视图。在此,省略了绝缘层12至14及信号线S的图示。
如图7的(A)及(B)所示,在第一基板SUB1中,像素电极PE位于绝缘层15之上并由取向膜AL1覆盖。像素电极PE是由ITO或IZO等透明的导电材料形成的透明电极。
如图7的(A)所示,在像素LPX中,在第二基板SUB2中的与像素电极PE对置的位置未配置着色层。如图7的(B)所示,在第二基板SUB2中,与像素电极PE对置地设有作为透明树脂层的着色层CFW来代替着色层。
驱动液晶元件LCD的驱动部DR2例如包括与图3所示的扫描线G电连接的扫描线驱动电路、以及与信号线S电连接的信号线驱动电路。驱动部DR2对显示部DA的各像素LPX输出进行照射光的照射所需的信号,控制液晶元件LCD的透射率。此外,驱动部DR2与IC芯片6电连接。
在未对液晶层LC施加电压的关断状态下,从图1所示的光源EM1被引导至像素LPX的光由偏振片PL1及偏振片PL2吸收。因此,液晶元件LCD在关断状态的像素LPX中不被照射光照射。
另一方面,在对液晶层LC施加了电压的开启状态下,被引导至像素LPX的光的一部分从偏振片PL1及PL2透射。因此,液晶元件LCD在开启状态的像素LPX中被白色的照射光照射。
如图8所示,在像素PX中,在第二基板SUB2中,第二颜色的着色层CFG与像素电极PE对置地设置。第一颜色的着色层CFR及第三颜色的着色层CFB也分别与未图示的其他像素电极PE对置。
驱动部DR2对显示部DA的各像素PX输出进行图像显示所需的信号,控制液晶元件LCD的透射率。在未对液晶层LC施加电压的关断状态下,从图1所示的光源EM1被引导至像素PX的光由偏振片PL1及偏振片PL2吸收。因此,液晶元件LCD在关断状态的像素PX中显示黑色。
另一方面,在对液晶层LC施加了电压的开启状态下,被引导至像素PX的光的一部分从偏振片PL1及PL2透射。因此,液晶元件LCD在开启状态的像素PX中显示与彩色滤光片CF相应的颜色。
上述例子相当于在关断状态下显示黑色的所谓常黑模式,但也可以适用在开启状态下显示黑色(在关断状态下显示白色)的常白模式。
如图9所示,在像素BPX中,在第二基板SUB2中的与像素电极PE对置的位置配置有遮光层BM。这样,由于像素BPX被遮光层BM覆盖,所以始终是黑色显示。
此外,如上所述,无论输入什么信号,遮光用的像素BPX都显示黑色。即,即使在对像素BPX输入了与像素PX相同的信号的情况下也显示黑色。因此,也可以不独立地控制像素BPX而是利用与像素PX相同的信号来控制像素BPX。
这种液晶元件LCD通过在像素PPX中透光、并在与光学***2重叠的其他像素BPX和像素PX中遮光,从而能够作为用于调整入射至摄像头1的光量的针孔来发挥功能。根据开口部POP的直径能够降低光学***2中的像差的影响,能够提高锐度,还能够增大焦深。在摄像头1与被摄体的距离为几厘米的情况下,摄像头1的分辨率提高,能够在与被摄体极近的距离拍摄清晰的照片。
作为被摄体与摄像头1接近的一个拍摄示例,能够为了进行指纹认证而拍摄指纹。另外,也可以同时设有红外摄像头来进行静脉的拍摄。
上述电子设备在具有开口部POP的像素PPX的周边具备无着色层或具有透明树脂层的像素LPX。经由像素LPX从开口部的周边对被摄体照射白色的照射光。由此,能够提高由摄像装置1拍摄的被摄体的照度,能够利用摄像装置1拍摄清晰的照片。
<构成例1>
接着,对本实施方式的其他构成例进行说明。
图10是表示本实施方式中的开口部POP的其他构成例的俯视图。在图10所示的构成例中,与图4所示的构成例相比较,不同点在于具备多个开口部POP2。
在俯视时,图10所示的像素PPX具有均匀配置在像素PPX内的多个开口部POP2作为开口部POP。一个开口部POP2形成为圆形。开口部POP2期望形成为正圆形。开口部POP2的直径小于图4所示的开口部POP的直径。
另外,开口部POP2也可以未必与光学***2的中心OX重叠,但优选配置在相对于中心OX点对称的位置。
通过设置多个开口部POP2,入射至摄像装置1的受光面的光的光量增多,能够拍摄更清晰的照片。
在本构成例中,也能获得与上述实施方式相同的效果。
<构成例2>
图11是表示本实施方式中的子像素LSP的其他构成例的俯视图。在图11所示的构成例中,与图5所示的构成例相比较,不同点在于像素LPX的子像素LSP比像素PX的子像素SP大。
图11所示的像素LPX具有一个子像素LSP。像素LPX位于扫描线G3与扫描线G4之间以及信号线S1与信号线S4之间。像素LPX(子像素LSP)由扫描线G4及信号线S3控制。
图11所示的像素LPX具有五个线状电极BR和四个狭缝SL,但线状电极BR及狭缝SL的数量并不限于该例。
图11所示的像素LPX(子像素LSP)与像素PX的子像素SP相比较例如第一方向X上的宽度约为2.5倍,开口部LOP的尺寸与开口部OP相比较也约为2.5倍。
在图11所示的像素LPX中,对第一方向X上的长度较长的例子进行了说明,但也可以增加第二方向Y上的长度。另外,也可以增加第一方向X及第二方向Y这两个方向上的长度。
另外,在本构成例中,从像素LPX向被摄体照射的照射光也可以是单色光。图12表示像素LPX的剖视图。
图12所示的像素LPX具有单色、例如蓝色的着色层CFB作为彩色滤光片CF。在该情况下,从像素LPX向被摄体照射的照射光为蓝光。但是,着色层的颜色并不限定于蓝色,只要根据摄像装置1的灵敏度来选择其他颜色、例如红色或绿色等即可。
在本构成例中,也能获得与上述实施方式相同的效果。
<构成例3>
图13是表示本实施方式中的像素LPX及像素PX中的亮度与被施加的电压的关系的图。在图13所示的构成例中,与图3所示的构成例相比较,不同点在于对像素LPX施加的电压大于对像素PX施加的电压。
在本构成例中,对像素LPX施加的电压及对像素PX施加的电压分别是对像素LPX的信号线S及像素PX的信号线S施加的电压Vsig、即图像信号。另外,像素PX在电压Vsig为电压V0时处于关断状态(亮度L0)、即显示黑色,并在电压Vsig为作为最大电压的电压V1时是相对于最大透射率的亮度L1、即显示白色。换言之,本构成例的液晶元件LCD以所谓的常黑模式驱动。
另一方面,通过对像素LPX施加比对像素PX施加的电压V1大的电压V2,能够获得比像素PX的亮度L1高的亮度L2。由此,能够进一步提高由摄像装置1拍摄的被摄体的照度。
即使对像素PX施加电压V2,也会超过能够显示的灰度。然而,由于像素LPX为照明用且无助于显示,所以能够施加超过最大显示灰度的电压V2。由此,能够获得更亮的照明光。
在本构成例中,也能获得与上述实施方式相同的效果。
<构成例4>
图14是表示本实施方式的液晶面板PNL的其他构成例的图。在图14所示的构成例中,与图3所示的构成例相比较,不同点在于在被摄体拍摄期间提高光源EM1的照射光的亮度、且使对像素PX施加的电压小于对像素LPX施加的电压。
图14的(A)及(B)分别表示被摄体非拍摄期间(仅显示)及被摄体拍摄期间的液晶面板PNL的结构。如图14的(A)所示,亮度Li1的照射光从光源EM1向液晶面板PNL的导光板LG1入射。像素PX根据经由信号线S从驱动部DR2施加的电压V3来调制入射光并射出亮度L3的光,由此进行图像显示。
在图14的(A)中,不从驱动部DR2对像素LPX施加电压,处于关断状态。
如图14的(B)所示,亮度Li2的照射光从光源EM1向液晶面板PNL的导光板LG1入射。此时,亮度Li2大于非拍摄期间的亮度Li1。
驱动部DR2经由信号线S对像素PX施加电压V4、以及对像素LPX施加电压V5。此时,电压V4小于电压V3。另外,电压V5与在非拍摄期间对像素PX施加的电压V3相等。像素PX根据电压V4调制入射光并射出亮度L4的光,由此进行图像显示。像素LPX根据电压V5(=电压V3)调制入射光并射出亮度L5的光。由于电压V4小于电压V5,所以亮度L4小于亮度L5。换言之,在拍摄期间经由像素LPX照射到被摄体的照射光大于从像素PX显示的图像的亮度。
然而,并不希望在非拍摄期间和拍摄期间显示的图像的亮度发生变化。因此,驱动部DR2以使像素PX中的被摄体非拍摄期间的亮度L3与被摄体拍摄期间的亮度L4相等的方式决定电压V4的大小。
此外,在本构成例中,对在被摄体非拍摄期间将像素LPX设为关断状态的例子进行了说明,但并不限定于此。即使是非拍摄期间,也可以与像素PX同样地施加电压V3而设为开启状态。
例如,在作为像素LPX是具有着色层(彩色滤光片CF)的像素的情况下,能够与像素PX同样地使用像素LPX显示图像。
在本构成例中,也能获得与上述实施方式相同的效果。
<构成例5>
图15是表示本实施方式的液晶面板PNL的其他构成例的图。在图15所示的构成例中,与图13及图14所示的构成例相比较,不同点在于液晶面板PNL具有对被摄体的靠近或接触进行检测的传感器、且仅在被摄体靠近或接触的情况下提高像素LPX的亮度。
图15表示具有对被摄体的靠近或接触进行检测的传感器SEN的液晶面板PNL的结构。传感器SEN例如是静电电容式触摸传感器、光学式触摸传感器或电磁感应式触摸传感器。传感器SEN既可以设于液晶面板PNL的内部,也可以是配置在液晶面板PNL的外侧并与像素PX、像素LPX及像素PPX重叠的传感器。
当传感器SEN检测到被摄体FNG的被摄体靠近或接触时,如上所述,驱动部DR2施加电压Vsig,以使像素LPX的亮度大于像素PX的亮度。
在传感器SEN未检测到被摄体FNG的被摄体靠近或接触的情况下,与图14的(A)同样地驱动像素LPX。即,驱动部DR2不对像素LPX施加电压而是设为关断状态。或者,驱动部DR2对像素LPX施加与像素PX相同的电压以进行通常的显示。
通过设置传感器SEN,能够仅在被摄体FNG的被摄体靠近或接触时从像素LPX射出高亮度的照明光。也就是说,在被摄体FNG未靠近或未接触的状态下的图像显示中,不从像素LPX射出高亮度的照明光。由此,液晶面板PNL的视觉辨认性进一步提高。
此外,在本构成例中,也可以设置光电转换元件等受光元件来代替摄像装置1。即使在设有受光元件的情况下,由于像素LPX的亮度变大,所以受光元件的灵敏度也会上升。
<构成例6>
图16是表示本实施方式的像素LPX的其他构成例的图。在图16所示的构成例中,与图5所示的构成例相比较,不同点在于利用同一信号线及同一扫描线来驱动多个像素LPX。
图16所示的信号线S具有圆形的信号线SL1和线状的信号线SL2。信号线SL1在俯视时与开口部POP配置为同心圆状。图16所示的扫描线G具有圆形的扫描线GL1和线状的扫描线GL2。扫描线GL1在俯视时与开口部POP配置为同心圆状。即,扫描线GL1与信号线SL1配置为同心圆状。扫描线GL1及GL2和信号线SL1及GL2均不与其他扫描线G及其他信号线S连接,而是分别由驱动部DR2独立地驱动。
多个像素LPX分别与开口部POP配置为同心圆状。信号线SL1及扫描线GL1与多个像素LPX电连接。由此,能够同时驱动该多个像素LPX。
此外,图16所示的扫描线G及信号线S和多个像素LPX配置为圆形,但形状并不限定于此,例如也可以配置为四边形。
另外,也可以和与开口部POP配置为同心圆状的多个像素LPX相邻地、在像素PPX的相反侧配置另外的多个像素LPX。另外配置的像素LPX由区别于信号线SL1及扫描线GL1的信号线S及扫描线G驱动。换言之,多个像素LPX也可以相对于开口部POP呈同心圆状配置两圈或更多。
在本构成例中,也能获得与上述实施方式相同的效果。
<构成例7>
图17是表示本实施方式中的像素布局的其他构成例的俯视图。
图17所示的构成例与图4所示的构成例的不同点在于,具备具有作为透明树脂层的着色层CFW的子像素SP4。
在图17所示的构成例中,在第一方向X上,子像素SP1及SP4反复排列,另一方面,子像素SP2及子像素SP3反复排列。在第二方向Y上,子像素SP1及SP2反复排列,另一方面,子像素SP3及SP4反复排列。而且,以同一种类的子像素不会在第一方向X及第二方向Y上连续排列的方式排列子像素SP1至SP4。
在图17所示的构成例中,在像素PPX所在的像素PX中,像素PX形成为没有子像素SP4。像素PPX独占像素PX中的原本配置子像素SP4的区域。换言之,像素PPX占有相当于一个子像素SP的区域。
与像素PPX相邻地设有遮光用的像素BPX。此外,在本构成例中,由于像素BPX占有相当于一个子像素SP的区域,所以也将像素BPX称为子像素BSP。与上述同样地由遮光层BM覆盖像素BPX。
此外,像素BPX也可以在与像素PPX相邻的方向的相反侧以与像素BPX相邻的方式设置另外的像素BPX。即,像素BPX(子像素BSP)也可以配置多行及多列。
与像素BPX相邻地设有照明用的像素LPX。此外,在本构成例中,由于像素LPX占有相当于一个子像素SP的区域,所以也将像素LPX称为子像素LSP。与上述同样地,在像素LPX中不设置彩色滤光片CF或设有透明树脂层(着色层CFW)。
此外,像素LPX也可以在与像素BPX相邻的方向的相反侧以与像素LPX相邻的方式设置另外的像素LPX。即,像素LPX(子像素LSP)也可以配置多行及多列。
图18是表示图17所示的像素PPX、像素BPX、像素LPX及子像素SP1的俯视图。
如图17所示,像素BPX的像素电极PE位于信号线S2与信号线S3之间,像素LPX的像素电极PE位于信号线S3与信号线S4之间,子像素SP1的像素电极PE位于信号线S4与信号线S5之间。像素BPX、像素LPX及子像素SP1的像素电极PE位于扫描线G1与扫描线G2之间。像素电极PPE位于信号线S1与信号线S2之间以及扫描线G1与扫描线G2之间。
在图示的例子中,像素电极PE1具有四个线状电极BR和三个狭缝SL,像素电极PPE具有四个线状电极PBR和三个狭缝PSL。
在本构成例中,也能获得与上述实施方式相同的效果。
<构成例8>
图19是表示本实施方式中的像素布局的其他构成例的俯视图。
图19所示的构成例与图17所示的构成例的不同点在于,不具有照明用的像素LPX。
如图19所示,与像素PPX相邻地设有像素PX(子像素SP)。在本构成例中,通过从像素PPX周边的子像素SP射出的光,能够进一步提高由摄像装置1拍摄的被摄体的照度。
另外,在本构成例中,也可以在像素PPX与像素PX之间设置遮光用的像素BPX(子像素BSP)。
在本构成例中,也能获得与上述实施方式相同的效果。
<实施方式2>
图20是表示本实施方式的电子设备100的结构的立体图。在本实施方式中,对显示装置是有机电致发光(EL:Electro-Luminescence)显示装置的情况进行说明。
电子设备100具备摄像装置1、显示面板DSP、布线基板PB1、布线基板PB2、和支承部件SUS。显示面板DSP具备平板状的第一基板SUB1、和与第一基板SUB1对置配置的平板状的偏振片POL。在本实施方式中,显示面板DSP是有机EL面板。
显示面板DSP具备显示图像的显示部DA、和包围显示部DA的非显示部NDA。显示面板DSP在显示部DA中具备像素PPX及多个像素PX。多个像素PX在第一方向X及第二方向Y上排列,设为矩阵状。与图1同样地,像素PPX与摄像装置1的光学***2的中心OX重叠。
第一基板SUB1具有相较于与偏振片POL重叠的区域位于外侧的焊盘区域MT。
布线基板PB1在非显示部NDA中安装于焊盘区域MT的上方。在图示的例子中,布线基板PB1的平行于第一方向X的侧缘的长度与第一基板SUB1及偏振片POL的平行于第一方向X的侧缘的长度相比较小,但也可以相等。显示面板DSP及布线基板PB1相互电连接。布线基板PB2配置在布线基板PB1的下方。布线基板PB1及布线基板PB2例如是具有挠性的柔性基板。此外,在图20中示出了两个布线基板PB1及PB2,但布线基板也可以仅为一个。
图20所示的电子设备100具有当容纳到外壳中时被弯折的区域即弯折区域BA。
支承部件SUS位于显示面板DSP的下方并粘贴于第一基板SUB1。此外,支承部件SUS未配置于在第三方向Z上与弯折区域BA重叠的位置。此外,在无需弯折电子设备100的情况下,也可以不设置弯折区域BA及支承部件SUS。
另外,布线基板PB1及PB2也可以是具备由硬质材料形成的刚性部及柔性部的刚柔结合基板。另外,也可以不设置两个布线基板PB1及PB2而是设置一个布线基板。
图21是表示显示面板DSP的电路结构的俯视图。
如图21所示,显示面板DSP具有第一绝缘基板110、和配置在第一绝缘基板110之上的多个有机EL元件OLED、各种布线、栅极驱动器GD1、GD2以及选择电路SD。
多个有机EL元件OLED在显示部DA中呈矩阵状排列。在本实施方式中,有机EL元件OLED包括:呈现第一颜色的有机EL元件OLED1、呈现第二颜色的有机EL元件OLED2、呈现第三颜色的有机EL元件OLED3、以及呈现第四颜色的有机EL元件OLED4。在此,第一颜色是红色,第二颜色是绿色,第三颜色是蓝色,第四颜色是白色。
有机EL元件OLED包括发光元件、和用于向有机发光层供给驱动电流以驱动有机发光层的像素电路。上述像素电路包括后述的驱动晶体管及各种开关元件等。
上述各种布线在显示部DA中延伸并被引出至非显示部NDA。在图21中,作为各种布线的一部分而例示了多条控制布线SSG和多条图像信号线VL。栅极驱动器GD1、GD2及选择电路SD位于非显示部NDA。在显示部DA中,控制布线SSG及图像信号线VL与有机EL元件OLED电连接。控制布线SSG在非显示部NDA中与栅极驱动器GD1、GD2电连接。图像信号线VL在非显示部NDA中与选择电路SD电连接。
从面板驱动器PDV向栅极驱动器GD1、GD2及选择电路SD提供各种信号或电压。
接着,参照图22对显示面板DSP的电路结构进行说明。上述多个有机EL元件OLED相同地构成。因此,在图22中以多个有机EL元件OLED中的一个有机EL元件OLED为代表进行说明。
如图22所示,有机EL元件OLED具有发光元件ELM、和向发光元件ELM供给驱动电流的像素电路PC。像素电路PC与后述的像素电极PE电连接。像素电路PC包括驱动晶体管DRT、像素晶体管SST、输出晶体管BCT、保持电容Cs及辅助电容Cad作为多个元件。此外,输出晶体管BCT也可以如后述那样由多个有机EL元件OLED共有(共享)。
图22所示的输出晶体管BCT相对于有机EL元件OLED配置有一个。栅极驱动器GD1包括复位晶体管RST。在图22中,各晶体管为NchTFT。另外,图22所示的元件电容Cled是发光元件ELM的内部电容,且是阳极与阴极之间的电容。
此外,复位晶体管RST、像素晶体管SST及输出晶体管BCT分别也可以不由晶体管构成。复位晶体管RST、像素晶体管SST及输出晶体管BCT只要是分别作为复位开关、像素开关及输出开关发挥功能的部件即可。
在以下说明中,将晶体管的源极及漏极中的一方作为第一电极,并将另一方作为第二电极。另外,将电容元件的一个电极作为第一电极,并将另一个电极作为第二电极。
驱动晶体管DRT、像素电极PE及发光元件ELM在第一电源线VDDL与第二电源线VSSL之间串联连接。第一电源线VDDL被保持在恒定电位,第二电源线VSSL被保持在与第一电源线VDDL的电位不同的恒定电位。在本实施方式中,第一电源线VDDL的电位PVDD高于第二电源线VSSL的电位PVSS。
驱动晶体管DRT的第一电极与发光元件ELM的阳极、保持电容Cs、以及辅助电容Cad电连接。驱动晶体管DRT构成为对流向发光元件ELM的电流值进行控制。驱动晶体管DRT的第二电极与输出晶体管BCT的第一电极电连接。
像素晶体管SST的第一电极与驱动晶体管DRT的栅极以及保持电容Cs的第二电极电连接。像素晶体管SST的第二电极与图像信号线VL电连接。
输出晶体管BCT的第二电极与第一电源线VDDL电连接。另外,发光元件的阴极与第二电源线VSSL电连接。
复位晶体管RST设于栅极驱动器GD1,该复位晶体管RST的第一电极与复位布线SV电连接。该复位晶体管RST的第二电极与复位电源线RL电连接。
向图像信号线VL供给作为图像信号的电压Vsig,复位电源线RL被设定为复位电源电位Vrst。此外,电压Vsig是写入到有机EL元件OLED的信号。
输出晶体管BCT的栅极与控制布线SBG电连接。向该控制布线SBG供给输出控制信号BG。
像素晶体管SST的栅极与控制布线SSG电连接。向该控制布线SSG供给像素控制信号SG。
复位晶体管RST的栅极与控制布线SRG电连接。向该控制布线SRG供给复位控制信号RG。
在图22中,将上述全部的晶体管设为NchTFT进行了说明,但例如除驱动晶体管DRT以外的晶体管也可以是PchTFT,NchTFT及PchTFT也可以混在一起。
另外,驱动晶体管DRT也可以是PchTFT。在该情况下,只要构成为电流沿与本实施方式相反的方向流向发光元件ELM即可。在任一情况下都是,辅助电容Cad只要与发光元件ELM的电极中的驱动晶体管DRT侧的第一电极耦合即可。
此外,在图22中说明的电路结构是一个例子,也可以是其他结构。例如,也可以省略在图22中所说明的电路结构中的一部分,还可以追加其他结构。
图23是表示示出图20所示的显示面板DSP的显示部DA的截面的示意图。
如图23所示,第一基板SUB1具备第一绝缘基板110、晶体管Tr1、晶体管Tr2、晶体管Tr3、晶体管Tr4、光反射层RFL、有机EL元件OLED1、有机EL元件OLED2、有机EL元件OLED3、有机EL元件OLED4、密封层SLI、支承部件SUS等。
第一绝缘基板110使用有机绝缘材料形成,例如使用聚酰亚胺形成。因此,可能存在将第一绝缘基板110称为有机绝缘基板(树脂基板)更合适的情况。或者,可能存在将第一绝缘基板110称为绝缘层、有机绝缘层或树脂层更合适的情况。第一绝缘基板110具有第一面110A、和与第一面110A为相反侧的第二面110B。第一绝缘基板110由第一绝缘膜111覆盖。
晶体管Tr1、Tr2、Tr3形成在第一绝缘膜111的上方。在图示的例子中,晶体管Tr1、Tr2、Tr3、Tr4由顶栅型薄膜晶体管构成,但也可以由底栅型薄膜晶体管构成。此外,在图22中,晶体管Tr1至Tr4相当于图21的驱动晶体管DRT。
由于晶体管Tr1、Tr2、Tr3、Tr4是相同的结构,所以以下关注晶体管Tr1而对其构造进行更详细的说明。晶体管Tr1具备形成在第一绝缘膜111之上的半导体层SC。半导体层SC由第二绝缘膜112覆盖。另外,第二绝缘膜112也配置在第一绝缘膜111之上。
晶体管Tr1的栅极WG形成在第二绝缘膜112之上,且位于半导体层SC的正上方。栅极WG由第三绝缘膜113覆盖。另外,第三绝缘膜113也配置在第二绝缘膜112之上。
这种第一绝缘膜111、第二绝缘膜112及第三绝缘膜113例如由硅氧化物或硅氮化物等无机类材料形成。
晶体管Tr1的源极WS及漏极WD形成在第三绝缘膜113之上。源极WS及漏极WD分别通过贯穿第二绝缘膜112及第三绝缘膜113的接触孔而与半导体层SC电连接。晶体管Tr1由第四绝缘膜114覆盖。第四绝缘膜114也配置在第三绝缘膜113之上。这种第四绝缘膜114例如由透明的树脂等有机类材料形成。
光反射层RFL配置在第四绝缘膜114之上。光反射层RFL由铝或银等光反射率高的金属材料形成。此外,光反射层RFL的表面(也就是说偏振片POL侧的面)既可以是平坦面,也可以是用于赋予光散射性的凹凸面。
有机EL层OL1至OL4形成在第四绝缘膜114之上。在图示的例子中,有机EL层OL1与晶体管Tr1电连接,有机EL层OL2与晶体管Tr2电连接,有机EL层OL3与晶体管Tr3电连接,有机EL层OL1与晶体管Tr4电连接。有机EL层OL1至OL4均构成为朝向偏振片POL侧放射光的所谓顶部发光型(top emission type)。
此外,在图23中,将有机EL层OL1及晶体管Tr1合起来作为有机EL元件OLED1,将有机EL层OL2及晶体管Tr2合起来作为有机EL元件OLED2,将有机EL层OL3及晶体管Tr3合起来作为有机EL元件OLED3,将有机EL层OL4及晶体管Tr4合起来作为有机EL元件OLED4。另外,在无需特别区分有机EL元件OLED1至OLED4的情况下,简称为有机EL元件OLED。
有机EL层OL1至OL4的有机发光层ORG放射白光。所放射的光穿过设于有机EL层OL1至OL4上的彩色滤光片CF而朝向偏振片POL侧放射光。
彩色滤光片CF具有第一颜色的着色层CFR、第二颜色的着色层CFG、第三颜色的着色层CFB、第四颜色的着色层CFW。在本实施方式中,第一颜色是红色(R),第二颜色是绿色(G),第三颜色是蓝色(B),第四颜色是白色(W)。
从有机EL层OL1至OL4放射的白光穿过着色层CFR、着色层CFG、着色层CFB、作为透明树脂层的着色层CFW而分别作为红光、绿光、蓝光、白光向上方射出。
与摄像装置1对置的像素PPX及照明用的像素LPX具备具有作为透明树脂层的着色层CFW的结构、即与有机EL元件OLED4相同的结构。
有机EL层OL1具备形成在光反射层RFL之上的像素电极PE1。像素电极PE1与晶体管Tr1的漏极WD接触,并与晶体管Tr1电连接。同样地,有机EL层OL2具备与晶体管Tr2电连接的像素电极PE2,有机EL层OL3具备与晶体管Tr3电连接的像素电极PE3,有机EL层OL4具备与晶体管Tr4电连接的像素电极PE4。像素电极PE1、PE2、PE3、PE4例如由ITO或IZO等透明的导电材料形成。
在第四绝缘膜114及像素电极PE之上设有隔壁绝缘层BK。在隔壁绝缘层BK中,在与像素电极PE对应的位置设有开口部、或在与像素电极PE形成的列或行对应的位置设有狭缝。在此,作为一个例子,隔壁绝缘层BK在与像素电极PE对应的位置具有开口部。
有机EL层OL1至OL4还具备有机发光层ORG及公共电极CE。像素电极PE及公共电极CE中的一方为阳极、另一方为阴极。有机发光层ORG分别位于像素电极PE1至PE4上。另外,有机发光层ORG位于相邻的隔壁绝缘层BK之间。如上所述,有机发光层ORG是发出白光的有机发光层。
上述发光元件ELM相当于像素电极PPE、有机发光层ORG及公共电极CE。
公共电极CE位于有机发光层ORG及隔壁绝缘层BK之上。公共电极CE例如由ITO或IZO等透明的导电材料形成。在图示的例子中,有机EL层OL1至OL4分别由隔壁绝缘层BK划分。此外,虽未图示,但有机EL层OL1至OL4优选由透明的密封膜密封。
此外,与图23不同,有机EL元件OLED也可以构成为朝向第一绝缘基板110侧放射光的所谓底部发光型(bottom emission type)。在该情况下,能够对光反射层RFL的位置等进行各种调整。
密封层SLI覆盖在有机EL层OL1至OL4之上。密封层SLI以对配置在第一绝缘基板110与密封层SLI之间的部件进行密封的方式形成。密封层SLI抑制氧气和水分侵入有机EL层OL1至OL4,抑制有机EL层OL1至OL4劣化。此外,密封层SLI也可以由无机膜与有机膜的层叠体构成。
在密封层SLI上设有着色层CFR、着色层CFG、着色层CFB、着色层CFW、和遮光层BMB。遮光层BMB设于晶体管Tr1至Tr4的上方。着色层CFR在相邻的遮光层BMB之间设于有机EL元件OLED1的有机发光层ORG上。着色层CFG在相邻的遮光层BMB之间设于有机EL元件OLED2的有机发光层ORG上。着色层CFB在相邻的遮光层BMB之间设于有机EL元件OLED3的有机发光层ORG上。着色层CFW在相邻的遮光层BMB之间设于有机EL元件OLED4的有机发光层ORG上。
此外,虽未图示,但着色层CFR的端部与遮光层BMB的端部、着色层CFG与遮光层BMB的端部、着色层CFB与遮光层BMB的端部、以及着色层CFW与遮光层BMB的端部也可以在第三方向Z上分别重叠。
如上所述,像素PPX及像素LPX是具有作为透明树脂层的着色层CFW的结构。像素PPX的着色层CFW相当于上述开口部POP。本实施方式的开口部POP可以说是设置在与像素PPX相邻的有机EL元件OLED的遮光层BMB之间的开口部。
另外,与图10同样地,像素PPX也可以具有均匀配置在像素PPX内的多个开口部POP作为开口部POP。
在着色层CFR、着色层CFG、着色层CFB、着色层CFW、和遮光层BMB上设有第五绝缘膜115。例如,作为第五绝缘膜115而由聚酰亚胺、丙烯酸树脂等树脂材料形成。另外,也可以由氧化硅层等无机材料形成。
偏振片POL配置在第五绝缘膜115的上方。在本实施方式中,偏振片POL通过粘接层AD5粘接于第五绝缘膜115。但是,也可以与本实施方式不同,在第五绝缘膜115与偏振片POL之间设有树脂层或光学薄膜。另外,也可以在偏振片POL的上方设有光学薄膜或玻璃基板等部件。
在这种显示面板DSP中,当有机EL元件OLED1至OLED4分别发光时,各放射光从偏振片POL等透射并射出到外部。由此,能够实现彩色显示。
此外,图21所示的像素PX例如是构成彩色图像的最小单位,具备上述有机EL元件OLED1至OLED4。
此外,在图23中对设有照射白光的有机EL元件OLED4的结构进行了说明,但并不限定于此。本实施方式的显示面板DSP也可以不设置有机EL元件OLED4而仅具有有机EL元件OLED1至OLED3。即,本实施方式的显示面板DSP也可以是由RGB的有机EL元件OLED构成的显示面板。
但是,即使是具有有机EL元件OLED1至OLED3的显示面板,像素PPX及像素LPX也是设有作为透明树脂层的着色层CFW的有机EL元件。
图24是表示与有机EL元件OLED中的复位动作、偏移消除动作、写入动作及发光动作有关的各种信号的输出例的时序图。在此,主要说明对控制布线SRG、控制布线SBG、控制布线SIG及控制布线SSG供给的信号。
此外,有机EL元件OLED中的复位动作及偏移消除动作以该有机EL元件OLED的两行为单位进行。在图23中,关于与作为复位动作及偏移消除动作的对象的两行有机EL元件OLED(以下表述为第一行及第二行有机EL元件OLED)电连接的控制布线,将向控制布线SRG提供的复位控制信号示出为RG12,并将向控制布线SBG提供的输出控制信号示出为BG12。
此外,将向与第一行有机EL元件OLED电连接的控制布线SSG提供的像素控制信号示出为SG1,并将向与第二行有机EL元件OLED电连接的控制布线SSG提供的像素控制信号示出为SG2。
在图24中示出了针对第一行~第二行有机EL元件OLED的各种信号的时序,但同样适用于例如第三行以后的有机EL元件OLED。
在此,对作为图像信号的电压Vsig的写入动作进行说明。
如图24所示,在写入动作的情况下,将像素控制信号SG从L电平切换成H电平。
由此,像素晶体管SST被切换成导通(ON)状态。在该情况下,作为图像信号的电压Vsig通过像素晶体管SST而被写入至驱动晶体管DRT的栅极。
在对第一行有机EL元件OLED的写入完成之后,同样地进行对第二行有机EL元件OLED的写入。在进行对第二行有机EL元件OLED的写入的情况下,针对第一行有机EL元件OLED将像素晶体管SST设为截止(OFF)状态。
接着,对使发光元件ELM发光的发光动作进行说明。
如图24所示,在发光动作的情况下,将像素控制信号SG从H电平切换成L电平。由此,像素晶体管SST被切换成截止状态。在该情况下,相应于通过上述写入动作而写入的驱动晶体管DRT的栅极的电位,电流通过该驱动晶体管DRT流向发光元件ELM,该发光元件ELM点亮(发光)。
图25是表示本实施方式中的像素布局的俯视图。
图25相当于将实施方式1的图17的子像素SP1至SP4替换成有机EL元件OLED1至OLED4。因此,图25的说明引用图17的说明,并省略详细说明。
图26是表示本实施方式中的像素布局的另一俯视图。图26示出了具有有机EL元件OLED1至OLED3的像素布局。
在图26中,将相对于第二方向Y向顺时针以锐角θa交叉的方向定义为方向DX,并将与方向DX垂直的方向定义为方向DY。
在图26中,有机EL元件OLED1在方向DX及方向DY上与有机EL元件OLED2相邻。
有机EL元件OLED2在第一方向X上彼此相邻,并在第二方向Y上也彼此相邻。有机EL元件OLED2中的、在方向DX上与有机EL元件OLED1相邻的有机EL元件OLED2在方向DY上与有机EL元件OLED3相邻。有机EL元件OLED2中的、在方向DX上与有机EL元件OLED3相邻的有机EL元件OLED2在方向DY上与有机EL元件OLED1相邻。
有机EL元件OLED3在方向DX及方向DY上与有机EL元件OLED2相邻。
在图26中,像素PPX独占配置有机EL元件OLED3之一的区域。此外,像素PPX也可以不占有配置有机EL元件OLED3的区域,而是占有配置有机EL元件OLED1之一的区域或配置有机EL元件OLED2之一的区域。
像素BPX在方向DX及方向DY上与像素PPX相邻地设置。此外,在图23中,也可以不设置像素BPX而与像素PPX相邻地设置像素LPX。此外,图26中的像素BPX占有配置一个有机EL元件OLED的区域。
像素LPX在方向DX及方向DY上与像素BPX相邻地设置。像素LPX具有与有机EL元件OLED4相同的结构。即,在像素LPX中设有着色层CFW,并射出白光。此外,图23中的像素LPX占有配置一个有机EL元件OLED的区域。
在本实施方式中所说明的电子设备在具有开口部的像素PPX的周边具备具有透明树脂层的像素LPX。经由像素LPX从开口部的周边对被摄体照射白色的照射光。由此,能够提高由摄像装置1拍摄的被摄体的照度,能够利用摄像装置1拍摄清晰的照片。
<构成例1>
图27是表示本实施方式中的像素LPX的其他构成例的剖视图。在图27所示的构成例中,与图23所示的构成例相比较,不同点在于像素LPX比有机EL元件OLED大。
图27示出了像素LPX和与像素LPX相邻的有机EL元件OLED1的截面构造。在图27中,为了简化说明而省略了有机EL元件OLED1的像素电极PE1下方的构造。另外,像素LPX的结构与有机EL元件OLED4相同。
有机EL元件OLED1及像素LPX的有机发光层ORG位于相邻的隔壁绝缘层BK之间。如图27所示,对像素LPX的有机发光层ORG进行夹持的隔壁绝缘层BK的间隔比对有机EL元件OLED1的有机发光层ORG进行夹持的隔壁绝缘层BK的间隔长。由此,能够使像素LPX的有机发光层ORG的面积比高于像素LPX的有机发光层ORG。即,能够使像素LPX的尺寸大于有机EL元件OLED。
在本构成例中,也能获得与上述实施方式相同的效果。
<构成例2>
图28是表示本实施方式中的其他构成例的电压Vsig的图。在图28所示的构成例中,与图25所示的构成例相比较,不同点在于对像素LPX施加的电压大于对有机EL元件OLED施加的电压。
图28是表示有机EL元件OLED1至OLED3和像素LPX的输出例的时序图。在发光期间PD向有机EL元件OLED1至OLED3和像素LPX写入作为图像信号的电压Vsig。
有机EL元件OLED1至OLED3通过在非拍摄期间NFD(仅显示)被施加电压Vsig从而进行图像显示。有机EL元件OLED1至OLED3在拍摄期间TFD不被施加电压Vsig。
像素LPX通过在拍摄期间TFD被施加电压Vsig来进行对被摄体的照射。像素LPX在非拍摄期间NFD不被施加电压Vsig。
在本构成例中,与实施方式1的构成例3同样地,对像素LPX的像素晶体管SST施加的电压Vsig的电压Vsig2大于对有机EL元件OLED的像素晶体管SST施加的电压Vsig的电压Vsig1。由此,像素LPX的驱动晶体管DRT的源极-栅极之间的电压Vgs比有机EL元件OLED高。因此,就穿过驱动晶体管DRT流向发光元件ELM的电流量而言,像素LPX比有机EL元件OLED多。由此,像素LPX的发光量变大,能够进一步提高由摄像装置1拍摄的被摄体的照度。
在本构成例中,也能获得与上述实施方式相同的效果。
<构成例3>
图29是表示本实施方式的显示面板DSP的其他构成例的图。在图29所示的构成例中,与图25所示的构成例相比较,不同点在于显示面板DSP具有对被摄体的靠近或接触进行检测的传感器、且仅在被摄体靠近或接触的情况下提高像素LPX的亮度。
图29表示具有对被摄体的靠近或接触进行检测的传感器SEN的显示面板DSP的结构。与图15同样地,传感器SEN例如是静电电容式触摸传感器、光学式触摸传感器或电磁感应式触摸传感器。传感器SEN既可以设于显示面板DSP的内部,也可以是配置在显示面板DSP的外侧并与有机EL元件OLED、像素LPX及像素PPX重叠的传感器。
当传感器SEN检测到被摄体FNG的靠近或接触时,如上所述,面板驱动器PDV施加电压Vsig,以使像素LPX的亮度(发光量)大于像素PX的亮度(发光量)。
在传感器SEN未检测到被摄体FNG的被摄体靠近或接触的情况下,面板驱动器PDV不对像素LPX施加电压而是设为关断状态。或者,面板驱动器PDV对像素LPX施加与像素PX相同的电压,以进行通常的显示。
通过设置传感器SEN,能够仅在被摄体FNG的被摄体靠近或接触时从像素LPX射出高亮度的照明光。也就是说,在被摄体FNG的被摄体未靠近或接触的状态下的图像显示中,不从像素LPX射出高亮度的照明光。由此,显示面板DSP的视觉辨认性进一步提高。
此外,在本构成例中,也可以设置光电转换元件等受光元件来代替摄像装置1。即使在设有受光元件的情况下,由于像素LPX的亮度变大,所以受光元件的灵敏度也上升。
在本构成例中,也能获得与上述实施方式相同的效果。
<构成例4>
图30是表示本实施方式的显示面板DSP的其他构成例的图。在图30所示的构成例中,与图28所示的构成例相比较,不同点在于使有机EL元件OLED的发光占空比低于拍摄期间的像素LPX。
图30是表示有机EL元件OLED1至OLED3和像素LPX的输出例的时序图。
在非拍摄期间NFD且在发光期间PD,向有机EL元件OLED1至OLED3写入作为图像信号的电压Vsig3。
在非拍摄期间NFD,不对像素LPX施加电压Vsig。
在拍摄期间TFD且在发光期间PD,向像素LPX写入作为图像信号的电压Vsig4。电压Vsig4大于电压Vsig3。由此,能够使在拍摄期间经由像素LPX照射到被摄体的照射光大于由有机EL元件OLED显示的图像的亮度。
在拍摄期间TFD且在比发光期间PD短的期间PDE,向有机EL元件OLED1至OLED3写入作为图像信号的电压Vsig4。
有机EL元件(有机EL元件OLED及像素LPX)的发光量相当于电压Vsig的施加期间与电压的乘积。即,在拍摄期间TFD内的有机EL元件OLED中,期间PDE与电压Vsig4的乘积(图30的斜线部)相当于发光量。此外,该期间PDE相当于有机EL元件OLED的电压Vsig的脉冲宽度,且期间PDE除以发光期间PD得到的结果相当于发光占空比。即,在拍摄期间TFD内,使有机EL元件OLED1至OLED3的发光占空比小于像素LPX的发光占空比。
与图14同样地,并不希望在非拍摄期间NFD和拍摄期间TFD显示的图像的亮度发生变化。因此,面板驱动器PDV以使有机EL元件OLED中的被摄体非拍摄期间的亮度(发光量)与被摄体拍摄期间的亮度相等的方式决定期间PDE的长度。
在图30中,只要以使发光期间PD与电压Vsig3的乘积等于期间PDE与电压Vsig4的乘积的方式决定期间PDE的长度即可。
此外,在本构成例中,对使电压Vsig和发光期间PD这两者变化的例子进行了说明,但并不限定于此。只要是在非拍摄期间NFD和拍摄期间TFD内的图像的亮度变化为能够容许的变化的范围内,则也可以使电压Vsig恒定而仅改变发光期间。
在本构成例中,也能获得与上述实施方式相同的效果。
<构成例5>
图31是表示本实施方式的像素LPX的其他构成例的图。在图31所示的构成例中,与图21所示的构成例相比较,不同点在于利用同一信号线及同一扫描线来驱动多个像素LPX。
图31所示的信号线S具有圆形的信号线SL11、SL12、SL13及线状的信号线SL21、SL22、SL23。图31所示的扫描线G具有圆形的扫描线GL11、GL12、GL13及线状的扫描线GL21、GL22、GL23。
此外,若无需区分信号线SL11、SL12、SL13,则简称为信号线SL1。若无需区分信号线SL21、SL22、SL23,则简称为信号线SL2。若无需区分扫描线GL11、GL12、GL13,则简称为扫描线GL1。若无需区分扫描线GL21、GL22、GL23,则简称为扫描线GL2。
此外,图31所示的信号线S相当于图21及图22所示的图像信号线VL,且扫描线G相当于图21及图22所示的控制布线SSG。
圆形的信号线SL11、SL12、SL13在俯视时与开口部POP配置为同心圆状,且直径按照该顺序变大。圆形的扫描线GL11、GL12、GL13在俯视时与开口部POP配置为同心圆状,且直径按照该顺序变大。即,扫描线GL1与信号线SL1配置为同心圆状。
线状的信号线SL21与圆形的信号线SL11电连接。线状的信号线SL22与圆形的信号线SL12电连接。线状的信号线SL23与圆形的信号线SL13电连接。
线状的扫描线GL21与圆形的扫描线GL11电连接。线状的扫描线GL22与圆形的扫描线GL12电连接。线状的扫描线GL23与圆形的扫描线GL13电连接。
此外,扫描线G彼此或信号线S彼此交叉的区域也可以通过经由绝缘层与其他布线层电连接而越过交叉的区域。
扫描线GL1、GL2和信号线SL1、SL2均不与其他扫描线G及其他信号线S电连接,而是分别由面板驱动器PDV独立驱动。
多个像素LPX分别与开口部POP配置为同心圆状。像素LPX中的像素LPX1与信号线SL11及扫描线G11电连接。由此,能够同时驱动多个像素LPX1。
像素LPX中的像素LPX2与信号线SL12及扫描线G12电连接。由此,能够同时驱动多个像素LPX2。
像素LPX中的像素LPX3与信号线SL13及扫描线G13电连接。由此,能够同时驱动多个像素LPX3。
如图31所示,多个像素LPX1、多个像素LPX2、多个像素LPX3相对于开口部POP呈同心圆状配置。
图32是表示对像素LPX的扫描线G(控制布线SSG)施加的像素控制信号SG的输出例的时序图。在图32中,将像素LPX1、LPX2、LPX3的像素控制信号SG分别设为像素控制信号SG1、SG2、SG3。
如图32所示,像素控制信号SG1、SG2、SG3的脉冲波形在同一时刻从H电平切换成L电平,并在同一时刻从L电平切换成H电平。这样,面板驱动器PDV同步地施加像素LPX1、LPX2、LPX3的像素控制信号SG。
另一方面,如图24所示,有机EL元件OLED的像素控制信号SG按行逐次移位而施加。
如图32所示,通过在同一时刻驱动像素LPX的像素控制信号SG,无需在图21所示的栅极驱动器GD1、GD2中设置用于使像素LPX的像素控制信号SG逐次移位并施加的电路、例如移位寄存器。因此,能够进一步简化显示面板的电路结构。
在本构成例中,也能获得与上述实施方式相同的效果。
<构成例6>
图33是表示本实施方式的像素电路PC的其他构成例的图。在图33所示的构成例中,与图22所示的构成例相比较,不同点在于省略了若干晶体管。
图33的(A)至(D)示出了本构成例中的像素LPX的像素电路PC。但是,在图33的(A)至(D)中用复位信号RSTG表示复位晶体管RST的输出信号。此外,复位晶体管RST的输出信号相当于经由复位布线SV从复位晶体管RST的第一电极输出的电压。
图33的(A)所示的像素电路PC与图22所示的像素电路PC相比较,不同点在于输出晶体管BCT由三个像素LPX共有。在图33的(A)中,将对图像信号线VL施加的电压Vsig(图像信号)设为H电平,并将像素控制信号SG和输出控制信号BG也设为H电平。
由于驱动晶体管DRT的栅极的电位也成为H电平,所以电流穿过该驱动晶体管DRT流向发光元件ELM,该发光元件ELM发光。
在图33的(A)所示的像素电路PC中,由于输出晶体管BCT由三个像素LPX共有,所以一个像素LPX所包括的晶体管的数量为2.3个。
图33的(B)所示的像素电路PC与图22所示的像素电路PC相比较,不同点在于不具有输出晶体管BCT及元件电容Cled。此外,不具有元件电容Cled的意思是指不产生仅在阴极与阳极之间发挥功能的电容。
在图33的(B)中,将作为图像信号的电压Vsig设为H电平,并将像素控制信号SG也设为H电平。
由于驱动晶体管DRT的栅极的电位也成为H电平,所以电流穿过该驱动晶体管DRT流向发光元件ELM,该发光元件ELM发光。
在图33的(B)所示的像素电路PC中,一个像素LPX所包括的晶体管的数量为两个。
图33的(C)所示的像素电路PC与图22所示的像素电路PC相比较,不同点在于不具有输出晶体管BCT、元件电容Cled及像素晶体管SST。
在图33的(C)中,将作为图像信号的电压Vsig设为H电平。
由于驱动晶体管DRT的栅极的电位也成为H电平,所以电流穿过该驱动晶体管DRT流向发光元件ELM,该发光元件ELM发光。此时,由于驱动晶体管DRT直接与第一电源线VDDL连接,所以与电位PVDD对应的电流流向发光元件ELM。
在图33的(C)所示的像素电路PC中,一个像素LPX所包括的晶体管的数量为一个。
图33的(D)所示的像素电路PC与图22所示的像素电路PC相比较,不同点在于不具有对流向发光元件ELM的电流进行控制的元件。
在图33的(D)所示的像素电路PC中,发光元件ELM由从外部输入的信号控制。例如,发光元件ELM可以与面板驱动器PDV直接连接,并由从面板驱动器PDV直接输入的信号控制。或者,也可以由相对于面板驱动器PDV而言处于更外部的驱动元件控制。
在图33的(A)至(D)中,将上述全部晶体管设为NchTFT进行了说明。但与图22同样地,例如除驱动晶体管DRT以外的晶体管也可以是PchTFT,NchTFT及PchTFT也可以混在一起。
另外,驱动晶体管DRT也可以是PchTFT。在该情况下,只要构成为电流沿与本构成例相反的方向流向发光元件ELM即可。若上述信号的电位电平也是相反的极性、例如是H电平,则只要变成L电平即可。
在本构成例中,也能获得与上述实施方式相同的效果。
对本发明的几个实施方式进行了说明,但这些实施方式是作为例子而提出的,并不意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施,在不脱离发明主旨的范围内能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包括在发明的范围和主旨内,并且也包括在权利要求书所记载的发明及与其等同的范围内。
例如,在实施方式2中主要对使用有机EL元件的显示面板进行了说明。但是,本实施方式的显示面板也可以是微型LED显示面板等来代替有机EL元件。
此外,在上述实施方式中,像素PPX、像素LPX、像素PX分别相当于第一像素、第二像素、第三像素。另外,有时子像素LSP、子像素SP也分别相当于第二像素、第三像素。
有机EL元件OLED1至OLED4相当于第三像素。但是,有机EL元件OLED4中的作为像素PPX及像素LPX发挥功能的元件分别相当于第一像素及第二像素。
附图标记说明
1:摄像装置,2:光学***,3:图像传感器,100:电子设备,110:第一绝缘基板,BM:遮光层,BPX:像素,BR:线状电极,BSP:子像素,BSP1:子像素,BSP2:子像素,BSP3:子像素,CE:公共电极,CF:彩色滤光片,DA:显示部,DSP:显示面板,ELM:发光元件,EM1:光源,G:扫描线,IL:照明装置,LOP:开口部,LPX:像素,LSP:子像素,NDA:非显示部,OL1:有机EL层,OLED:有机EL元件,OP:开口部,PBR:线状电极,PE:像素电极,PNL:液晶面板,POP:开口部,PX:像素,S:信号线,SEN:传感器,SL:狭缝,SL1:信号线,SP:子像素,SP1:子像素,SP2:子像素,SP3:子像素,SP4:子像素,SUB1:第一基板,SUB2:第二基板,SW:开关元件,Tr1:晶体管,Vsig:电压。
Claims (18)
1.一种电子设备,具备:
摄像装置;和
具有与所述摄像装置重叠的显示部的液晶面板,
所述液晶面板具备:
与所述摄像装置重叠的第一像素;
设于所述第一像素的开口部;
与所述第一像素相邻的第二像素;和
与所述第二像素相邻的第三像素,
所述第三像素至少具有第一颜色、第二颜色、第三颜色的着色层,
所述第二像素不具有所述着色层或具有透明树脂层。
2.根据权利要求1所述的电子设备,其中,
还具备遮光层,
所述开口部设于所述遮光层。
3.根据权利要求1所述的电子设备,其中,
设于所述第一像素的开口部具有多个开口部。
4.根据权利要求1所述的电子设备,其中,
所述第二像素的尺寸大于所述第三像素的尺寸。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子设备,其中,
所述液晶面板还具备多条信号线、多条扫描线、和多个晶体管,
所述多个晶体管分别与所述多条信号线中的一条信号线及所述多条扫描线中的一条扫描线电连接,
所述第二像素及所述第三像素分别具有所述多个晶体管中的一个晶体管,
经由所述信号线中的一条信号线对所述第二像素的晶体管施加的图像信号大于经由所述信号线中的一条信号线对所述第三像素的晶体管施加的图像信号。
6.根据权利要求5所述的电子设备,其中,
还具备对所述液晶面板进行照明的照明装置,
所述照明装置具有光源,
在基于所述摄像装置进行拍摄的拍摄期间内,所述光源的亮度比非拍摄期间小,并且对所述第二像素的晶体管施加的图像信号大于对所述第三像素的晶体管施加的图像信号。
7.根据权利要求1所述的电子设备,其中,
所述液晶面板还具备多条信号线、多条扫描线、和多个晶体管,
所述多个晶体管分别与所述多条信号线中的一条信号线及所述多条扫描线中的一条扫描线电连接,
所述第二像素及所述第三像素分别具有所述多个晶体管中的一个晶体管,
还具备传感器,该传感器设于所述液晶面板的内部或与所述液晶面板重叠设置,并对被摄体的靠近或接触进行检测,
当所述传感器检测到被摄体的靠近或接触时,对所述第二像素的晶体管施加比对所述第三像素的晶体管施加的图像信号大的图像信号。
8.根据权利要求1所述的电子设备,其中,
所述液晶面板还具备多条信号线、多条扫描线、和多个晶体管,
所述多个晶体管分别与所述多条信号线中的一条信号线及所述多条扫描线中的一条扫描线电连接,
所述液晶面板具有多个所述第二像素,
所述多个第二像素各自的晶体管与同一信号线及同一扫描线电连接。
9.根据权利要求8所述的电子设备,其中,
所述多个第二像素与所述开口部配置为同心圆。
10.一种电子设备,具备:
摄像装置;和
具有与所述摄像装置重叠的显示部的有机EL面板,
所述有机EL面板具备:
与所述摄像装置重叠的第一像素;
设于所述第一像素的开口部;
与所述第一像素相邻的第二像素;和
与所述第二像素相邻的第三像素,
所述第三像素至少具有第一颜色、第二颜色、第三颜色的着色层,
所述第二像素具有透明树脂层。
11.根据权利要求10所述的电子设备,其中,
还具备遮光层,
所述开口部设于所述遮光层。
12.根据权利要求10所述的电子设备,其中,
设于所述第一像素的开口部具有多个开口部。
13.根据权利要求10所述的电子设备,其中,
所述第二像素的尺寸大于所述第三像素的尺寸。
14.根据权利要求10所述的电子设备,其中,
所述有机EL面板还具备多条信号线、多条扫描线、和多个晶体管,
所述多个晶体管分别与所述多条信号线中的一条信号线及所述多条扫描线中的一条扫描线电连接,
所述第二像素及所述第三像素分别具有所述多个晶体管中的一个晶体管,
经由所述信号线中的一条信号线对所述第二像素的晶体管施加的图像信号大于经由所述信号线中的一条信号线对所述第三像素的晶体管施加的图像信号。
15.根据权利要求14所述的电子设备,其中,
在基于所述摄像装置进行拍摄的拍摄期间内,对所述第三像素的晶体管施加的图像信号的发光占空比小于对所述第二像素的晶体管施加的图像信号的发光占空比。
16.根据权利要求10所述的电子设备,其中,
所述有机EL面板还具备多条信号线、多条扫描线、和多个晶体管,
所述多个晶体管分别与所述多条信号线中的一条信号线及所述多条扫描线中的一条扫描线电连接,
所述第二像素及所述第三像素分别具有所述多个晶体管中的一个晶体管,
还具备传感器,该传感器设于所述有机EL面板的内部或与所述有机EL面板重叠设置,并对被摄体的靠近或接触进行检测,
当所述传感器检测到被摄体的靠近或接触时,对所述第二像素的晶体管施加比对所述第三像素的晶体管施加的图像信号大的图像信号。
17.根据权利要求10所述的电子设备,其中,
所述有机EL面板还具备多条信号线、多条扫描线、和多个晶体管,
所述多个晶体管分别与所述多条信号线中的一条信号线及所述多条扫描线中的一条扫描线电连接,
所述有机EL面板具有多个所述第二像素,
所述多个第二像素各自的晶体管与同一信号线及同一扫描线电连接。
18.根据权利要求17所述的电子设备,其中,
所述多个第二像素与所述开口部配置为同心圆。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020-010966 | 2020-01-27 | ||
JP2020010966A JP7395368B2 (ja) | 2020-01-27 | 2020-01-27 | 電子機器 |
PCT/JP2020/047428 WO2021153082A1 (ja) | 2020-01-27 | 2020-12-18 | 電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115210633A CN115210633A (zh) | 2022-10-18 |
CN115210633B true CN115210633B (zh) | 2024-01-19 |
Family
ID=77078709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202080094127.8A Active CN115210633B (zh) | 2020-01-27 | 2020-12-18 | 电子设备 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11874572B2 (zh) |
JP (1) | JP7395368B2 (zh) |
CN (1) | CN115210633B (zh) |
WO (1) | WO2021153082A1 (zh) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998036316A1 (en) * | 1997-02-13 | 1998-08-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical switching element and a camera comprising such an optical element |
KR20170096565A (ko) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 삼성전자주식회사 | 전자 장치 |
CN107111395A (zh) * | 2014-11-12 | 2017-08-29 | 韩国科泰高科株式会社 | 可扫描图像的显示装置的驱动方法 |
CN109285466A (zh) * | 2018-09-27 | 2019-01-29 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN109445160A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-03-08 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示模组及显示装置 |
CN110515243A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-11-29 | 华为技术有限公司 | 一种显示屏、电子设备 |
CN110596928A (zh) * | 2018-06-13 | 2019-12-20 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102485165B1 (ko) | 2015-08-21 | 2023-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
US10191577B2 (en) | 2016-02-16 | 2019-01-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic device |
CN208384467U (zh) * | 2018-06-04 | 2019-01-15 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子装置 |
-
2020
- 2020-01-27 JP JP2020010966A patent/JP7395368B2/ja active Active
- 2020-12-18 WO PCT/JP2020/047428 patent/WO2021153082A1/ja active Application Filing
- 2020-12-18 CN CN202080094127.8A patent/CN115210633B/zh active Active
-
2022
- 2022-07-25 US US17/872,069 patent/US11874572B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998036316A1 (en) * | 1997-02-13 | 1998-08-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical switching element and a camera comprising such an optical element |
CN107111395A (zh) * | 2014-11-12 | 2017-08-29 | 韩国科泰高科株式会社 | 可扫描图像的显示装置的驱动方法 |
KR20170096565A (ko) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 삼성전자주식회사 | 전자 장치 |
CN110596928A (zh) * | 2018-06-13 | 2019-12-20 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
CN109285466A (zh) * | 2018-09-27 | 2019-01-29 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN109445160A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-03-08 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示模组及显示装置 |
CN110515243A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-11-29 | 华为技术有限公司 | 一种显示屏、电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11874572B2 (en) | 2024-01-16 |
JP2021117362A (ja) | 2021-08-10 |
WO2021153082A1 (ja) | 2021-08-05 |
CN115210633A (zh) | 2022-10-18 |
US20220357625A1 (en) | 2022-11-10 |
JP7395368B2 (ja) | 2023-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN113242994B (zh) | 嵌入有摄像头以及显示装置的电子设备 | |
JP7182906B2 (ja) | 表示装置及び電子機器 | |
US11526055B2 (en) | Electronic device | |
US11422298B2 (en) | Electronic device | |
WO2020095607A1 (ja) | 電子機器 | |
US11353647B2 (en) | Electronic device | |
US20220244589A1 (en) | Electronic apparatus | |
WO2021065189A1 (ja) | 表示装置 | |
CN115210633B (zh) | 电子设备 | |
US11749224B2 (en) | Level shift circuit for liquid crystal display suppressing insufficient writing of control electrodes | |
JP2022146395A (ja) | 表示装置 | |
US11860488B2 (en) | Display apparatus including a display panel and a backlight unit | |
JP2022146394A (ja) | 表示装置 | |
JP2022154596A (ja) | 表示装置及び表示方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |