CN115190399A - 平面振膜组件及其制备方法以及平面振膜扬声器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种平面振膜组件的制备方法,包括以下步骤:在平面振膜本体的其中一表面上形成金属层,其中,所述平面振膜本体的厚度为0.5μm~6μm,所述金属层的厚度为1nm~20nm;通过静电喷雾的方式在所述金属层上形成氧化石墨烯线路;蚀刻所述金属层,使所述金属层形成金属线路;以及将所述氧化石墨烯线路还原为还原氧化石墨烯线路,得到音圈线路,其中,所述还原氧化石墨烯线路的厚度小于50nm。本发明解决了现有加工音圈线路工艺中的“超薄厚度和电导率性能”不能同时提升的矛盾。本发明还提供了一种平面振膜组件以及一种平面振膜扬声器。
Description
技术领域
本发明涉及扬声器技术领域,特别是涉及一种平面振膜组件及其制备方法以及平面振膜扬声器。
背景技术
平面振膜扬声器的发声原理是利用电磁力换能发声,即在固定磁场中通过控制音圈线路的电流产生变化的电磁场、驱动平面振膜本体振动发声。平面振膜本体的一侧或两侧设置有磁铁/磁组,当音圈线路接通交变音频电流时,处于正交磁场中的音圈线路受到竖直方向的电磁力作用而带动平面振膜本体做振动发声,对平面振膜本体产生足够的推力,从而推动空气产生声音。
基于平面振膜扬声器的发声原理和结构,平面振膜扬声器通常需要满足以下条件:第一,要求音圈线路和平面振膜本体具有较薄的的厚度、较轻的质量以及较高的刚性,这样瞬间振动下的平面振膜本体不易发生形变,且不易失真,呈现出非常高全频段的分辨率或灵敏度、快速反应,特别是瞬态与高频特性非常好;第二,要求音圈线路产生的热量容易散发出去,避免音圈线路由于发热而导致平面振膜本体***以及振动不稳定。
在制备平面振膜扬声器中的平面振膜组件时,现有技术通常是采用丝印印刷、喷涂或3D打印的工艺在平面振膜本体上制备音圈线路,或是在平面振膜本体表面粘贴导电薄膜(如铝箔、铜箔等)、再经蚀刻加工后形成音圈线路。然而,这些工艺对于超薄(即厚度小于6μm)平面振膜本体来说,加工变得极其困难,且制备出的音圈线路的厚度都在微米级别,难以满足平面振膜组件轻薄的需求。
另外,在制备平面振膜组件时,现有技术还采用磁控溅射镀膜的工艺在超薄(即厚度小于6μm)平面振膜本体上形成一层导电层(如金属层的厚度通常在500nm以上,或导电非金属石墨烯层为无定型石墨、导电率极差),再利用激光蚀刻加工的工艺加工出螺旋状的音圈线路。由于磁控溅射镀膜以及激光加工产生的高温加热影响,勉强对于厚度大于6μm的平面振膜本体还能适应,但对于厚度小于6μm的平面振膜本体,该工艺加工音圈线路的良率极低。虽然可通过减少溅射镀膜的厚度以及减少激光加工时间来缓解热对平面振膜本体的影响,但又导致音圈线路过薄、电导率下降,影响音圈线路电磁力和平面振膜本体的发声性能。
发明内容
基于此,有必要提供一种平面振膜组件的制备方法,以解决现有加工音圈线路工艺中的“超薄厚度和电导率性能”不能同时提升的矛盾。
另,还有必要提供一种由上述制备方法制备的平面振膜组件。
另,还有必要提供一种包括上述平面振膜组件的平面振膜扬声器。
本发明一方面提供了一种平面振膜组件的制备方法,包括以下步骤:
在平面振膜本体的其中一表面上形成金属层,其中,所述平面振膜本体的厚度为0.5μm~6μm,所述金属层的厚度为1nm~20nm;
通过静电喷雾的方式在所述金属层上形成氧化石墨烯线路;
蚀刻所述金属层,使所述金属层形成金属线路;以及
将所述氧化石墨烯线路还原为还原氧化石墨烯线路,得到音圈线路,其中,所述还原氧化石墨烯线路的厚度小于50nm。
在其中一些实施例中,通过静电喷雾的方式在所述金属层上形成所述氧化石墨烯线路具体包括以下步骤:
将氧化石墨烯分散液经静电喷雾装置中的喷嘴喷出;以及
通过控制所述喷嘴沿X轴方向或沿Y轴方向移动,使喷出的所述氧化石墨烯分散液落在所述金属层上后形成所述氧化石墨烯线路。
在其中一些实施例中,所述制备方法还包括以下步骤:
在所述平面振膜本体的其中一表面上形成所述金属层之前,通过卷对卷的方式对所述平面振膜本体进行等离子粗化处理。
在其中一些实施例中,所述金属层通过蒸镀或溅射的方式制备,所述金属层的材质包括铜、铝、铝锌合金、镍、银以及金中的至少一种。
在其中一些实施例中,所述制备方法还包括以下步骤:
在所述平面振膜本体的其中一表面上形成所述金属层之后,且在所述金属层上形成所述氧化石墨烯线路之前,通过蒸镀或溅射的方式在所述平面振膜本体的另一表面上形成另一金属层。
在其中一些实施例中,所述还原氧化石墨烯线路的材质包括银纳米线、还原氧化石墨烯以及胶粘剂中的至少两种。
在其中一些实施例中,所述制备方法还包括以下步骤:
在所述金属层上形成所述氧化石墨烯线路之后,且在蚀刻所述金属层之前,在所述平面振膜本体的另一表面上形成氧化石墨烯膜。
本发明另一方面提供了一种上述平面振膜组件的制备方法制备的平面振膜组件,所述音圈线路的电导率大于或等于200S/CM。
在其中一些实施例中,所述还原氧化石墨烯线路的形状包括迂回线、同心圆以及螺旋线中的至少一种。
在其中一些实施例中,所述平面振膜本体包括绝缘薄膜,所述绝缘薄膜的材质包括聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚亚苯基硫醚以及聚丙烯中的至少一种。
本发明再一方面提供了一种平面振膜扬声器,包括磁性件,所述平面振膜扬声器还包括上述平面振膜组件,所述平面振膜组件和所述磁性件相隔设置。
在其中一些实施例中,所述平面振膜扬声器还包括支撑件以及外壳,所述支撑件上设有收容孔,所述磁性件位于所述收容孔中,所述磁性件、所述平面振膜组件以及所述外壳均位于所述支撑件的同一侧,且所述平面振膜组件位于所述磁性件和所述外壳之间,所述外壳罩设于所述平面振膜组件。
本发明在厚度为0.5μm~6μm的超薄所述平面振膜本体上形成厚度为1nm~20nm的所述金属层,并通过静电喷雾的方式在所述金属层上制备了厚度小于50nm的所述还原氧化石墨烯线路,从而制备了所述音圈线路,由于由所述金属层制备的所述金属线路和所述还原氧化石墨烯线路均具有超薄的厚度,且所述金属线路和所述还原氧化石墨烯线路均具有较高的电导率,从而解决了现有加工音圈线路工艺中的“超薄厚度和电导率性能”不能同时提升的矛盾。
附图说明
图1为本发明第一实施例提供的平面振膜本体的剖视图;
图2为在图1所示的平面振膜本体的其中一表面上形成金属层后的剖视图;
图3为在图2所示的金属层上形成氧化石墨烯线路后的剖视图;
图4为本发明通过静电喷雾的方式形成氧化石墨烯线路时的示意图;
图5为将图3所示的金属层蚀刻后的剖视图;
图6为将图5所示的氧化石墨烯线路还原后得到的平面振膜组件的剖视图;
图7为本发明第二实施例提供的平面振膜组件的剖视图;
图8为本发明第三实施例提供的平面振膜组件的剖视图;
图9为本发明第一实施例提供的平面振膜扬声器的剖视图;
图10为本发明第二实施例提供的平面振膜扬声器的剖视图;
图11为本发明第三实施例提供的平面振膜扬声器的剖视图。
图标:10-平面振膜本体;20、210-金属层;30-氧化石墨烯线路;40-针头;41-喷嘴;50-金属线路;60、61-还原氧化石墨烯线路;70、71-音圈线路;100、200、300-平面振膜组件;310-还原氧化石墨烯膜;400、500、600-平面振膜扬声器;410-支撑件;420-磁性件;430-外壳;440-垫片。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明第一实施例提供一种平面振膜组件的制备方法,包括以下步骤:
步骤S11、请参阅图1,对平面振膜本体10进行等离子粗化处理。
具体地,可通过卷对卷的方式对所述平面振膜本体10进行等离子粗化处理,以提高后续金属层(参图2)与所述平面振膜本体10之间的结合力。
在一实施例中,所述平面振膜本体10的厚度为0.5μm~6μm。在一实施例中,所述平面振膜本体10包括绝缘薄膜。在一实施例中,所述绝缘薄膜的材质包括聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚亚苯基硫醚(PPS)以及聚丙烯(PP)中的至少一种。
步骤S12、请参阅图2,在处理后的所述平面振膜本体10的其中一表面上形成金属层20。
具体地,可通过蒸镀或溅射的方式在所述平面振膜本体10的其中一表面上形成所述金属层20。其中,所述平面振膜本体10的的其中一表面被所述金属层20全部覆盖。
在一实施例中,所述金属层20的厚度为1nm~20nm。在一实施例中,所述金属层20的材质为铜、铝、铝锌合金、镍、银以及金中的至少一种。
步骤S13、请参阅图3和图4,通过静电喷雾的方式在所述金属层20上形成氧化石墨烯线路30。
具体地,配置氧化石墨烯分散液,将所述氧化石墨烯分散液经静电喷雾装置中针头40的喷嘴41喷出,在较强的外电场以及和所述氧化石墨烯分散液垂直及相切的麦克斯韦尔应力的作用下,喷出的所述氧化石墨烯分散液的形状变为倒尖锥形(又称为泰勒锥),倒尖锥形的所述氧化石墨烯分散液的尖端引出的射流在表面张力的作用下会自动***为较均一的氧化石墨烯液滴,所述氧化石墨烯液滴落在所述金属层20上后形成厚度较为均匀的所述氧化石墨烯线路30。其中,通过调节所述静电喷雾装置喷出所述氧化石墨烯分散液的流量、所述金属层20的温度、以及所述喷嘴41和所述金属层20之间的距离等参数,能够决定所述氧化石墨烯液滴接触所述金属层20时形成的是一层干的所述氧化石墨烯线路30,还是形成的是湿的所述氧化石墨烯线路30。如果形成的是湿的所述氧化石墨烯线路30,经干燥后即可得到干的所述氧化石墨烯线路30。
在一实施例中,通过控制所述静电喷雾装置中的喷嘴41沿X轴方向或沿Y轴方向移动,选择性的在所述金属层20上覆盖或制备所述氧化石墨烯线路30,即得到图形化的所述氧化石墨烯线路30。
在一实施例中,所述氧化石墨烯线路30的形状包括迂回线、同心圆、近似同心圆以及螺旋线中的至少一种。
在一实施例中,所述氧化石墨烯线路30的厚度小于50nm。
步骤S14、请参阅图5,蚀刻所述金属层20,使所述金属层20形成金属线路50。
具体地,使用蚀刻液蚀刻所述金属层20,使所述金属层20形成所述金属线路50。在一实施例中,所述蚀刻液可为HCl、H2O2、H2SO4、HNO3以及FeCl3等一种或几种组合的化学蚀刻液。
可以理解,由于所述金属层20的厚度为1nm~20nm,因此由所述金属层20刻蚀得到的所述金属线路50的厚度也为1nm~20nm。
步骤S15、请参阅图6,将所述氧化石墨烯线路30还原为还原氧化石墨烯线路60,得到音圈线路70,从而得到平面振膜组件100。
具体地,将所述氧化石墨烯线路30浸渍在还原性溶液中以将所述氧化石墨烯线路30还原为所述还原氧化石墨烯线路60,得到所述音圈线路70,从而得到所述平面振膜组件100。在一实施例中,所述还原性溶液可为氢碘酸(HI)。
可以理解,由于所述氧化石墨烯线路30的形状包括迂回线、同心圆、近似同心圆以及螺旋线中的至少一种,因此,由所述氧化石墨烯线路30还原得到的所述还原氧化石墨烯线路60的形状也包括迂回线、同心圆、近似同心圆以及螺旋线中的至少一种。
同理,由于所述氧化石墨烯线路30的厚度小于50nm,因此,由所述氧化石墨烯线路30还原得到的所述还原氧化石墨烯线路60的厚度也小于50nm。
其中,由于所述还原氧化石墨烯线路60比所述氧化石墨烯线路30具有更好的导电性,因此,还原所述氧化石墨烯线路30能够提高所述平面振膜组件100的导电性。
在一实施例中,所述音圈线路70的电导率大于或等于200S/CM。
请参阅图7,本发明第二实施例提供一种平面振膜组件的制备方法,第二实施例提供的平面振膜的制备方法和第一实施例提供的平面振膜的制备方法的区别在于:
在步骤S12之后,且在步骤S13之前,在所述平面振膜本体10的另一表面上形成另一金属层210,且所述金属层210不被蚀刻,最终得到平面振膜组件200。即在步骤S14蚀刻时,只刻蚀与所述氧化石墨烯线路30位于所述平面振膜本体10同一侧的所述金属层20,而位于所述平面振膜本体10另一侧的所述金属层210则通过在所述金属层210上贴合可剥离薄膜的方式保护所述金属层210不被蚀刻。
请参阅图8,本发明第三实施例提供一种平面振膜组件的制备方法,第三实施例提供的平面振膜的制备方法和第一实施例提供的平面振膜的制备方法的区别在于:
在步骤S13中,配置的所述氧化石墨烯分散液中除了包括氧化石墨烯之外,还包括银纳米线以及胶粘剂,所述银纳米线的直径范围从十几纳米到几十微米;相应地,在步骤S15中,经还原后得到还原氧化石墨烯线路61,从而得到音圈线路71;在步骤S13之后,且在步骤S14之前,采用旋涂法在所述平面振膜本体10的另一表面上形成氧化石墨烯膜(图未示),且在步骤S15中也将所述氧化石墨烯膜还原为还原氧化石墨烯膜310,最终得到平面振膜组件300。
请参阅图6,本发明第一实施例还提供一种由上述第一实施例中的制备方法制备的平面振膜组件100,所述平面振膜组件100包括平面振膜本体10以及位于所述平面振膜本体10其中一表面上的音圈线路70。
在一实施例中,所述平面振膜本体10的厚度为0.5μm~6μm。在一实施例中,所述平面振膜本体10包括绝缘薄膜。在一实施例中,所述绝缘薄膜的材质包括聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚亚苯基硫醚(PPS)以及聚丙烯(PP)中的至少一种。
在一实施例中,所述音圈线路70包括依次层叠于所述平面振膜本体10上的金属线路50以及还原氧化石墨烯线路60。
在一实施例中,所述金属线路50的厚度为1nm~20nm。在一实施例中,所述金属线路50的材质为铜、铝、铝锌合金、镍、银以及金中的至少一种。
在一实施例中,所述还原氧化石墨烯线路60的形状包括迂回线、同心圆、近似同心圆以及螺旋线中的至少一种。在一实施例中,所述还原氧化石墨烯线路60的厚度小于50nm。
在一实施例中,所述音圈线路70的电导率大于或等于200S/CM。
请参阅图7,本发明第二实施例还提供一种由上述第二实施例中的制备方法制备的平面振膜组件200,第二实施例提供的所述平面振膜组件200和第一实施例提供的所述平面振膜组件100的区别在于:
所述平面振膜组件200还包括金属层210,且所述金属层210位于所述平面振膜本体10的另一表面。即所述金属层210和所述音圈线路70分别位于所述平面振膜本体10相对的两表面上。
请参阅图8,本发明第三实施例还提供一种由上述第三实施例中的制备方法制备的平面振膜组件300,第三实施例提供的所述平面振膜组件300和第一实施例提供的所述平面振膜组件100的区别在于:
所述平面振膜组件300包括音圈线路71,所述音圈线路71不仅包括所述金属线路50,还包括还原氧化石墨烯线路61。其中,所述还原氧化石墨烯线路61的材质不仅包括还原氧化石墨烯,还包括银纳米线以及胶粘剂,所述银纳米线的直径范围从十几纳米到几十微米。此外,所述平面振膜组件300还包括还原氧化石墨烯膜310,且所述还原氧化石墨烯膜310位于所述平面振膜本体10的另一表面。即所述还原氧化石墨烯膜310和所述音圈线路71分别位于所述平面振膜本体10相对的两表面上。
请参阅图9,本发明第一实施例还提供一种平面振膜扬声器400,所述平面振膜扬声器400包括所述平面振膜组件100、支撑件410、磁性件420、外壳430以及垫片440。
在一实施例中,所述支撑件410上设有收容孔(图未示)。其中,所述支撑件410用于***述磁性件420。
在一实施例中,所述磁性件420收容于所述收容孔中,以使所述磁性件420固定在所述支撑件410上。在一实施例中,所述磁性件420可为磁铁或磁组。其中,所述磁性件420可产生磁场,以使所述平面振膜组件100受到磁力。
所述平面振膜组件100和所述磁性件420位于所述支撑件410的同一侧。所所述平面振膜组件100中的所述音圈线路70接通交变音频电流时,处于正交磁场中的所述音圈线路70受到竖直方向的电磁力作用而带动所述平面振膜本体10做振动发声,对所述平面振膜本体10产生足够的推力,从而推动空气产生声音。
所述外壳430和所述平面振膜组件100位于所述支撑件410的同一侧,且所述平面振膜组件100位于所述外壳430和所述支撑件410之间。其中,所述外壳430罩设于所述平面振膜组件100,以保护所述平面振膜组件100,从而避免所述平面振膜组件100受到外界损伤以及外界灰尘的污染。
在本实施例中,所述垫片440的数量为四个。其中两个所述垫片440位于所述平面振膜组件100和所述外壳430之间,用于隔离所述平面振膜组件100和所述外壳430;另外两个所述垫片440位于所述平面振膜组件100和所述磁性件420之间,用于隔离所述平面振膜组件100和所述磁性件420。
在一实施例中,所述平面振膜扬声器400可用于耳机以及汽车音响等方面。
请参阅图10,本发明第二实施例还提供一种平面振膜扬声器500,第二实施例提供的所述平面振膜扬声器500和第一实施例提供的所述平面振膜扬声器400的区别在于:
所述平面振膜扬声器500不包括所述平面振膜组件100,而是包括所述平面振膜组件200。即将所述平面振膜组件100替换为所述平面振膜组件200。
请参阅图11,本发明第三实施例还提供一种平面振膜扬声器600,第三实施例提供的所述平面振膜扬声器600和第一实施例提供的所述平面振膜扬声器400的区别在于:
所述平面振膜扬声器600不包括所述平面振膜组件100,而是包括所述平面振膜组件300。即将所述平面振膜组件100替换为所述平面振膜组件300。
本发明具有以下有益效果:
首先,本发明在厚度为0.5μm~6μm的超薄所述平面振膜本体10上形成厚度为1nm~20nm的所述金属层20,并通过静电喷雾的方式在所述金属层20上制备了厚度小于50nm的所述还原氧化石墨烯线路60,从而制备了所述音圈线路70,由于由所述金属层20制备的所述金属线路50和所述还原氧化石墨烯线路60均具有超薄的厚度,且所述金属线路50和所述还原氧化石墨烯线路60均具有较高的电导率,从而解决了现有加工音圈线路工艺中的“超薄厚度和电导率性能”不能同时提升的矛盾。
其次,本发明中的所述平面振膜本体10具有较薄的厚度(即厚度为0.5μm~6μm)、较轻的质量以及较高的刚性,且本发明的制备方法对所述平面振膜本体10的热影响较低,使得所述平面振膜本体10具有较高的良率。同时,本发明中的所述平面振膜本体10在发声时不易形变,且不易失真,呈现出非常高全频段分辨率或灵敏度、快速反应,特别是瞬态与低频、高频特性非常好。
最后,本发明所述音圈线路70中的所述还原氧化石墨烯线路60具有较佳的导热性能,在所述音圈线路70接通接通电流发声的过程中,所述音圈线路70产生的热量容易散发出去,减少了所述音圈线路70由于发热而影响所述平面振膜本体10***以及振动不稳定的问题。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (12)
1.一种平面振膜组件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在平面振膜本体的其中一表面上形成金属层,其中,所述平面振膜本体的厚度为0.5μm~6μm,所述金属层的厚度为1nm~20nm;
通过静电喷雾的方式在所述金属层上形成氧化石墨烯线路;
蚀刻所述金属层,使所述金属层形成金属线路;以及
将所述氧化石墨烯线路还原为还原氧化石墨烯线路,得到音圈线路,其中,所述还原氧化石墨烯线路的厚度小于50nm。
2.如权利要求1所述的平面振膜组件的制备方法,其特征在于,通过静电喷雾的方式在所述金属层上形成所述氧化石墨烯线路具体包括以下步骤:
将氧化石墨烯分散液经静电喷雾装置中的喷嘴喷出;以及
通过控制所述喷嘴沿X轴方向或沿Y轴方向移动,使喷出的所述氧化石墨烯分散液落在所述金属层上后形成所述氧化石墨烯线路。
3.如权利要求1所述的平面振膜组件的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括以下步骤:
在所述平面振膜本体的其中一表面上形成所述金属层之前,通过卷对卷的方式对所述平面振膜本体进行等离子粗化处理。
4.如权利要求1所述的平面振膜组件的制备方法,其特征在于,所述金属层通过蒸镀或溅射的方式制备,所述金属层的材质包括铜、铝、铝锌合金、镍、银以及金中的至少一种。
5.如权利要求1至4中任一项所述的平面振膜组件的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括以下步骤:
在所述平面振膜本体的其中一表面上形成所述金属层之后,且在所述金属层上形成所述氧化石墨烯线路之前,通过蒸镀或溅射的方式在所述平面振膜本体的另一表面上形成另一金属层。
6.如权利要求1至4中任一项所述的平面振膜组件的制备方法,其特征在于,所述还原氧化石墨烯线路的材质包括银纳米线、还原氧化石墨烯以及胶粘剂中的至少两种。
7.如权利要求6所述的平面振膜组件的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括以下步骤:
在所述金属层上形成所述氧化石墨烯线路之后,且在蚀刻所述金属层之前,在所述平面振膜本体的另一表面上形成氧化石墨烯膜。
8.一种如权利要求1至7中任一项所述的平面振膜组件的制备方法制备的平面振膜组件,其特征在于,所述音圈线路的电导率大于或等于200S/CM。
9.如权利要求8所述的平面振膜组件,其特征在于,所述还原氧化石墨烯线路的形状包括迂回线、同心圆以及螺旋线中的至少一种。
10.如权利要求8所述的平面振膜组件,其特征在于,所述平面振膜本体包括绝缘薄膜,所述绝缘薄膜的材质包括聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚亚苯基硫醚以及聚丙烯中的至少一种。
11.一种平面振膜扬声器,包括磁性件,其特征在于,所述平面振膜扬声器还包括如权利要求8至10中任一项所述的平面振膜组件,所述平面振膜组件和所述磁性件相隔设置。
12.如权利要求11所述的平面振膜扬声器,其特征在于,所述平面振膜扬声器还包括支撑件以及外壳,所述支撑件上设有收容孔,所述磁性件位于所述收容孔中,所述磁性件、所述平面振膜组件以及所述外壳均位于所述支撑件的同一侧,且所述平面振膜组件位于所述磁性件和所述外壳之间,所述外壳罩设于所述平面振膜组件。
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