CN115185129B - 介质膜过孔的刻蚀方法、液晶显示面板及液晶显示器 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及刻蚀工艺技术领域，具体公开一种介质膜过孔的刻蚀方法、液晶显示面板及液晶显示器。其中，所述介质膜过孔的刻蚀方法包括以下步骤：在基板上沉积介质膜后，得到所述基板的半成品；将所述半成品放入刻蚀机腔室中；向所述刻蚀机腔室中通入第一气体、第二气体和第三气体后，对所述基板上的介质膜进行刻蚀，其中，所述第一气体为氟基气体，所述第二气体为氧气，所述第三气体为氯基气体。通过该方法以解决现有介质膜过孔的刻蚀方法容易导致在介质膜与其它膜层的界面处出现刻蚀倒角的问题。
Description
技术领域
本申请涉及刻蚀工艺技术领域，尤其涉及一种介质膜过孔的刻蚀方法、液晶显示面板及液晶显示器。
背景技术
液晶显示器以其清晰度高、外观轻薄、耗电量少、辐射小等优点已成为主流的显示设备之一。液晶显示面板作为液晶显示器的重要组成部分，其制备过程中介质膜过孔的刻蚀是影响液晶显示面板产品良品率和使用性能的关键因素，而现有介质膜过孔的刻蚀方法往往会导致在介质膜与其它膜层的界面处出现刻蚀倒角，进而降低液晶显示面板的产品良品率和使用性能。
发明内容
本申请的主要目的在于提供一种介质膜过孔的刻蚀方法、液晶显示面板及液晶显示器，旨在解决现有介质膜过孔的刻蚀方法容易导致在介质膜与其它膜层的界面处出现刻蚀倒角的问题。
第一方面，本申请提供一种介质膜过孔的刻蚀方法，所述方法包括：
在基板上沉积介质膜后，得到所述基板的半成品；
将所述半成品放入等离子体刻蚀机腔室中；
向所述等离子体刻蚀机腔室中通入第一气体、第二气体和第三气体后，对所述基板上的介质膜进行刻蚀，其中，所述第一气体为氟基气体，所述第二气体为氧气，所述第三气体为氯基气体。
在一种可能的实施方式中，所述对所述介质膜进行刻蚀包括：
对所述第一气体、所述第二气体和所述第三气体进行等离子化形成等离子体；
采用所述等离子体对所述基板上的介质膜进行刻蚀。
在一种可能的实施方式中，所述第一气体包括六氟化硫、四氟化碳和三氟化氮中的至少任一种。
在一种可能的实施方式中，所述第三气体包括氯气、三氯化硼、四氯化硅和三氯硅烷中的至少任一种。
在一种可能的实施方式中，所述第一气体的流量和所述第三气体的流量比为5～10。
在一种可能的实施方式中，所述第一气体的流量和所述第二气体的流量比为1.8～2.4。
在一种可能的实施方式中，所述介质膜为氮化硅。
在一种可能的实施方式中，所述对所述介质膜上的基板进行刻蚀的刻蚀条件包括：
刻蚀压力为80～150mTorr；
和/或，射频信号源功率为4000～6000W；
和/或，射频偏压功率为2000～6000W。
第二方面，本申请提供一种液晶显示面板，所述液晶显示面板的制备使用上述任一项所述的介质膜过孔的刻蚀方法。
第三方面，本申请提供一种液晶显示器，所述液晶显示器包括上述所述的液晶显示面板。
本申请实施例公开了介质膜过孔的刻蚀方法、液晶显示面板及液晶显示器，其中，该介质膜过孔的刻蚀方法具体如下，首先在基板上沉积介质膜后，得到所述基板的半成品并将所述半成品放入刻蚀机腔室中，然后在刻蚀机腔室中通入氟基气体、氧气和氯基气体对所述基板上的介质膜进行刻蚀，该介质膜过孔的刻蚀方法通过引入氯基气体以减弱各向同性刻蚀，增加各向异性刻蚀，解决了现有介质膜过孔的刻蚀方法容易导致在介质膜与其它膜层的界面处出现刻蚀倒角的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的介质膜过孔的刻蚀方法的流程示意图；
图2为本申请实施例提供的基板的半成品的简化示意图；
图3为本申请实施例提供的又一基板的半成品的简化示意图；
图4为本申请实施例提供的介质膜过孔在扫描电镜下获得的微观形貌图；
图5为本申请实施例提供的又一介质膜过孔在扫描电镜下获得的微观形貌图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
还应当理解，在此本申请说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本申请。如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
还应当进一步理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
附图中所示的流程图仅是示例说明，不是必须包括所有的内容和操作/步骤，也不是必须按所描述的顺序执行。例如，有的操作/步骤还可以分解、组合或部分合并，因此实际执行的顺序有可能根据实际情况改变。
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的介质膜过孔的刻蚀方法的流程示意图，该介质膜过孔的刻蚀方法包括步骤S100至步骤S300。
步骤S100、在基板上沉积介质膜后，得到所述基板的半成品。
请同时参阅图2和图3，基板10包括基材101和栅极102，其中，基材101为硬度较高的材料，例如，玻璃、柔性钢版、刚性钢版、金刚石、碳化硅(化学式：SiC)和砷化镓(化学式：GaAs)等材料，本申请对基材10的形状、大小和厚度不做限制，可以根据实际需要进行选择，如可以为圆柱形薄片、长方体薄片、三棱柱薄片和正方体薄片等中的任一种；栅极102使用导电性材料，例如，钨、钼、铝、钛、铜、铝钕合金、钼钛合金等中的任一种材料或几种材料的叠层组合。
本申请在基板10上沉积介质膜20具体是指在栅极102的上表面沉积介质膜20，具体地，介质膜20至少包括一层，沉积介质膜20的方法可以为化学气相沉积法或物理气相沉积法。本申请中的介质膜20使用绝缘性材料，具体包括氮化硅(化学式：Si3N4)、二氧化硅(化学式：SiO2)等中的至少一种。
示例性地，在基材101为玻璃、栅极102为钼/铝/钼的基板上采用化学气相沉积法沉积Si3N4层20后，得到如图2所示的基板的半成品，本实施例中的基材101为圆形薄片，其半径为15cm，厚度为5mm。
示例性地，在基材101为氮化硅、栅极102为钼/铝/钼的基板上采用化学沉积法沉积Si3N4层21和Si3N4层22后，得到如图3所示的基板的半成品，本实施例中的基材101为正方体氮化硅薄片，其边长为20cm，厚度为5mm。
步骤S200、将所述半成品放入刻蚀机腔室中。
步骤S300、向所述等离子体刻蚀机腔室中通入第一气体、第二气体和第三气体后，对所述基板上的介质膜进行刻蚀，其中，所述第一气体为氟基气体，所述第二气体为氧气，所述第三气体为氯基气体。
其中，所述第一气体是用来刻蚀介质膜过孔的主要气体，所述第二气体用来调控所述第一气体的浓度，防止在刻蚀过程中，因第一气体浓度过大而导致的刻蚀速率太快进而在介质膜与其他膜层的界面处出现刻蚀倒角，所述第三气体用来调控刻蚀反应，以减弱各向同性刻蚀，增加各向异性刻蚀，从而防止在刻蚀过程中因介质膜的波动和刻蚀速率的波动在介质膜与其它膜层的界面处出现刻蚀倒角，可以理解的，本申请中的介质膜与其它膜层的界面包括介质膜与金属膜的界面、介质膜与介质膜的界面和介质膜与钝化层的界面等中的任一种界面。
在一些实施方式中，所述第一气体包括六氟化硫(化学式：SF6)、四氟化碳(化学式：CF4)和三氟化氮(化学式：NF4)中的至少一种。
在一些实施方式中，所述第三气体包括氯气(化学式：Cl2)、三氯化硼(化学式：BCl3)、四氯化硅(化学式：SiCl4)和三氯硅烷(化学式：SiHCl3)中的至少任一种。
在一些实施方式中，所述第一气体的流量和所述第三气体的流量比为5～10，当所述第一气体的流量和所述第三气体的流量比小于5时，会导致第三气体减弱各向同性刻蚀，增加各向异性刻蚀的效果不显著进而导致在介质膜和其它膜层的界面处出现刻蚀倒角，当所述第一气体的流量和所述第三气体的流量比大于10时，会导致刻蚀速率太慢进而导致刻蚀所需要的时间太长。
在一些实施方式中，所述第一气体的流量和所述第三气体的流量比为5～10，所述第一气体的流量为1000～2000sccm，所述第二气体的流量为100～400sccm，以该实施方式可以更好地控制刻蚀速度，并防止在介质膜和其它膜层的界面处出现刻蚀倒角。
在一些实施方式中，所述第一气体的流量和所述第二气体的流量比为1.8～2.4，当所述第一气体的流量和所述第二气体的流量比小于1.8时，会导致刻蚀速率太慢进而导致刻蚀所需要的时间太长，当所述第一气体的流量和所述第二气体的流量比大于2.4时，会导致刻蚀速率太快进而导致在介质膜和其它膜层的界面处出现刻蚀倒角。
在一些实施方式中，所述第一气体的流量和所述第二气体的流量比为1.8～2.4，所述第一气体的流量为1000～2000sccm，所述第二气体的流量为500～1000sccm，以该实施方式可以更好地控制刻蚀速度，并防止在介质膜和其它膜层的界面处出现刻蚀倒角。
在一些实施方式中，在对基板10上的介质膜20进行刻蚀时的刻蚀压力为80～150mTorr，当刻蚀压力小于80mTorr时，会导致刻蚀速度太慢进而导致刻蚀所需要的时间太长，当刻蚀压力大于150mTorr，会导致刻蚀速率太快进而导致在介质膜和其它膜层的界面处出现刻蚀倒角。
在一些实施方式中，在对基板10上的介质膜20进行刻蚀时的射频信号源功率为4000～6000W，当射频信号源功率小于4000W时，会导致刻蚀速度太慢进而导致刻蚀所需要的时间太长，当射频信号源功率大于6000W时，会导致刻蚀速率太快进而导致在介质膜和其它膜层的界面处出现刻蚀倒角。
在一些实施方式中，在对基板10上的介质膜20进行刻蚀时的射频偏压功率为2000～6000W，当射频偏压功率小于2000W时，会导致刻蚀速度太慢进而导致刻蚀所需要的时间太长，当射频偏压功率大于6000W时，会导致刻蚀速率太快进而导致在介质膜和其它膜层的界面处出现刻蚀倒角。
可以理解地，在实际操作中，依据介质膜20的厚度来选择合适的刻蚀时间，具体地，可以先测出所用刻蚀机的刻蚀速率，刻蚀速率为刻蚀机在单位时间内能够刻蚀的厚度，再用介质膜20的厚度除以刻蚀速率确定具体的刻蚀时间。
在一些实施方式中，步骤S300在等离子体刻蚀机中进行，且步骤S300包括步骤S301至步骤S302，以该实施方式提高刻蚀效率。
步骤S301、对所述第一气体、所述第二气体和所述第三气体进行等离子化形成等离子体。
步骤S302、采用所述等离子体对所述基板上的介质膜进行刻蚀。
为进一步说明本申请中的第三气体具有防止在介质膜与其它膜层的界面处出现刻蚀倒角的作用，我们进行了如下实验：
首先，在不含第三气体的条件下对Si3N4层21和Si3N4层22进行刻蚀并获取刻蚀完成后的Si3N4层21和Si3N4层22的介质膜过孔的微观形貌图，具体操作过程如下：
将如图3所示的基板的半成品放入等离子体刻蚀腔室中，向所述等离子体刻蚀腔室中通入SF6和O2，调节所述SF6的流量为1500sccm、所述O2的流量为800sccm、所述刻蚀压力为100Torr、所述射频信号源功率为5000W、所述射频偏压功率为3500W对Si3N4层21和Si3N4层22进行刻蚀，刻蚀完成后，在扫描电镜下获取Si3N4层21和Si3N4层22的介质膜过孔的微观形貌图，图4为该刻蚀条件下的Si3N4层21和Si3N4层22的介质膜过孔的微观形貌图。
然后，在含有第三气体的条件下对Si3N4层21和Si3N4层22进行刻蚀并获取刻蚀完成后的Si3N4层21和Si3N4层22的介质膜过孔的微观形貌图，具体操作过程如下：
将如图3所示的基板的半成品放入等离子体刻蚀腔室中，向所述等离子体刻蚀腔室中通入SF6、O2和Cl2，调节所述SF6的流量为1500sccm、所述O2的流量为800sccm、所述Cl2的流量为380sccm、所述刻蚀压力为100Torr、所述射频信号源功率为5000W、所述射频偏压功率为3500W对Si3N4层21和Si3N4层22进行刻蚀，刻蚀完成后，在扫描电镜下获取Si3N4层21和Si3N4层22的介质膜过孔的微观形貌图，图5为该刻蚀条件下的Si3N4层21和Si3N4层22的介质膜过孔的微观形貌图。
如图4所示，在不含第三气体的条件下对Si3N4层21和Si3N4层22进行刻蚀后获得的介质膜过孔在Si3N4层21和Si3N4层22的界面200处出现了明显的刻蚀倒角，如图5所示，在含有第三气体的条件下对Si3N4层21和Si3N4层22进行刻蚀后获得的介质膜过孔在Si3N4层21和Si3N4层22的界面200处并未出现刻蚀倒角，说明在介质膜过孔的刻蚀过程中，第三气体具有防止在介质膜与其它膜层的界面处出现倒角的作用。
本申请实施例还提供一种液晶显示面板，所述液晶显示面板的制备使用上述的介质膜过孔的刻蚀方法，由于所述液晶显示面板的制备使用上述的介质膜过孔的刻蚀方法，因此所述液晶显示面板的成品率高，使用性能良好。
本申请实施例还提供一种液晶显示器，所述液晶显示器包括上述的液晶显示面板、用来固定所述液晶显示面板的壳体以及用来为所述液晶显示面板通电的电路板。
以上仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种介质膜过孔的刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板上沉积介质膜后，得到所述基板的半成品，所述基板包括基材和栅极，所述介质膜位于所述栅极的上表面；
将所述半成品放入刻蚀机腔室中；
向所述刻蚀机腔室中通入第一气体、第二气体和第三气体后，对所述基板上的介质膜进行刻蚀，其中，所述第一气体为氟基气体，所述第二气体为氧气，所述第三气体为氯基气体，其中，所述第三气体调控刻蚀反应，以减弱各向同性刻蚀，增加各向异性刻蚀，所述第一气体的流量和所述第二气体的流量比为1.8～2.4，所述第一气体的流量和所述第三气体的流量比为5～10；
其中，所述对所述介质膜上的基板进行刻蚀的刻蚀条件包括：射频信号源功率为4000～6000W；
和/或，射频偏压功率为2000～6000W。
2.根据权利要求1所述的介质膜过孔的刻蚀方法，其特征在于，所述对所述介质膜进行刻蚀包括：
对所述第一气体、所述第二气体和所述第三气体进行等离子化形成等离子体；
采用所述等离子体对所述基板上的介质膜进行刻蚀。
3.根据权利要求1所述的介质膜过孔的刻蚀方法，其特征在于，所述第一气体包括六氟化硫、四氟化碳和三氟化氮中的至少任一种。
4.根据权利要求1所述的介质膜过孔的刻蚀方法，其特征在于，所述第三气体包括氯气、三氯化硼、四氯化硅和三氯硅烷中的至少任一种。
5.根据权利要求1所述的介质膜过孔的刻蚀方法，其特征在于，所述介质膜为氮化硅。
6.根据权利要求1所述的介质膜过孔的刻蚀方法，其特征在于，所述对所述介质膜上的基板进行刻蚀的刻蚀条件包括：
刻蚀压力为80～150mTorr。
7.一种液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板的制备使用权利要求1至6任一项所述的介质膜过孔的刻蚀方法。
8.一种液晶显示器，其特征在于，所述液晶显示器包括权利要求7所述的液晶显示面板。
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Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514247A (en) * | 1994-07-08 | 1996-05-07 | Applied Materials, Inc. | Process for plasma etching of vias |
| US5728608A (en) * | 1995-10-11 | 1998-03-17 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Tapered dielectric etch in semiconductor devices |
| JP2002246393A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メタル配線形成方法 |
| KR20080074504A (ko) * | 2007-02-09 | 2008-08-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그것의 제조 방법 |
| JP2009206130A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Panasonic Corp | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
| CN103050396A (zh) * | 2012-12-31 | 2013-04-17 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 多层介质刻蚀方法 |
| CN103199058A (zh) * | 2013-04-19 | 2013-07-10 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种通孔的刻蚀方法 |
| CN103413782A (zh) * | 2013-07-23 | 2013-11-27 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法和显示面板 |
| US9595451B1 (en) * | 2015-10-19 | 2017-03-14 | Applied Materials, Inc. | Highly selective etching methods for etching dielectric materials |
| CN106876407A (zh) * | 2017-02-07 | 2017-06-20 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 薄膜晶体管及制备方法 |
| CN111696863A (zh) * | 2019-03-15 | 2020-09-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 硅介质材料刻蚀方法 |
| CN112466750A (zh) * | 2020-11-18 | 2021-03-09 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 一种刻蚀方法、微oled及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100576497C (zh) * | 2006-12-20 | 2009-12-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 形成集成电路器件自对准接触的方法 |
| JP6385915B2 (ja) * | 2015-12-22 | 2018-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
-
2022
- 2022-06-07 CN CN202210635691.7A patent/CN115185129B/zh active Active
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514247A (en) * | 1994-07-08 | 1996-05-07 | Applied Materials, Inc. | Process for plasma etching of vias |
| US5728608A (en) * | 1995-10-11 | 1998-03-17 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Tapered dielectric etch in semiconductor devices |
| JP2002246393A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メタル配線形成方法 |
| KR20080074504A (ko) * | 2007-02-09 | 2008-08-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그것의 제조 방법 |
| JP2009206130A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Panasonic Corp | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
| CN103050396A (zh) * | 2012-12-31 | 2013-04-17 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 多层介质刻蚀方法 |
| CN103199058A (zh) * | 2013-04-19 | 2013-07-10 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种通孔的刻蚀方法 |
| CN103413782A (zh) * | 2013-07-23 | 2013-11-27 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法和显示面板 |
| US9595451B1 (en) * | 2015-10-19 | 2017-03-14 | Applied Materials, Inc. | Highly selective etching methods for etching dielectric materials |
| CN106876407A (zh) * | 2017-02-07 | 2017-06-20 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 薄膜晶体管及制备方法 |
| CN111696863A (zh) * | 2019-03-15 | 2020-09-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 硅介质材料刻蚀方法 |
| CN112466750A (zh) * | 2020-11-18 | 2021-03-09 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 一种刻蚀方法、微oled及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Oxide TFT-LCD工艺中金属钝化层Via Hole存在SiO_2残留问题研究;何方;姚奇;李燕龙;赵辉;;现代盐化工(第04期);第39-41页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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