CN115160157A

CN115160157A - 功能层材料、发光器件、发光基板及发光装置

Info

Publication number: CN115160157A
Application number: CN202210890528.5A
Authority: CN
Inventors: 高荣荣; 王丹; 陈磊
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2022-07-27
Filing date: 2022-07-27
Publication date: 2022-10-11
Also published as: WO2024022170A1

Abstract

本公开的实施例提供了一种功能层材料、发光器件、发光基板及发光装置，涉及显示技术领域，用于形成发光器件的功能层。该功能层材料包括：以sp3杂化的碳原子为中心而构成的化合物，该化合物包括：第一类化合物，第一类化合物选自如下通式(Ⅰ)所示结构中的任一种；

其中，a、b、m和n中至少一个不为0；A1和A2选自取代或未取代的次芳基、稠环次芳基及稠环次杂芳基中的任一种；B1和B2选自取代或未取代的亚烷基、亚芳基及亚杂芳基中的任一种；L1～L4分别独立的选自单键、取代或未取代的亚苯基、亚联苯基中的任一种，Ar1～Ar8分别独立的选自取代或未取代的烷基、芳基、杂芳基、稠环芳基及稠环杂芳基中的任一种；上述功能层材料形成的发光器件用于显示。

Description

功能层材料、发光器件、发光基板及发光装置

技术领域

本公开涉及显示及照明技术领域，尤其涉及一种功能层材料、发光器件、发光基板及发光装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)发光装置以其自发光、高发光效率等优点，成为近年来最具有潜力的新型发光装置。在OLED发光装置发光过程中，向OLED发光装置中包括的发光层发射来自阳极的空穴和来自阴极的电子，将这些电子和空穴组合形成电子空穴对，并将形成的电子空穴对从单重态转换为基态以发出光。

发明内容

本公开的实施例的目的在于提供一种功能层材料、发光器件、发光基板及发光装置，用于提高发光器件的寿命和效率。

为达到上述目的，本公开的实施例提供了如下技术方案：

一方面，提供一种功能层材料，功能层材料包括：以sp3杂化的碳原子为中心而构成的化合物。所述以sp3杂化的碳原子为中心而构成的化合物包括：第一类化合物，所述第一类化合物选自如下通式(Ⅰ)所示结构中的任一种。

其中，a、b、m和n的取值各自独立的选自0、1、2、3和4中的任一个，且a、b、m和n中至少一个不为0。

A1和A2相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的次芳基、取代或未取代的稠环次芳基以及取代或未取代的稠环次杂芳基中的任一种。

B1和B2相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的亚烷基、取代或未取代的亚芳基以及取代或未取代的亚杂芳基中的任一种。

L1、L2、L3和L4相同或不同，分别独立的选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的芴、取代或未取代的金刚烷以及取代或未取代的亚杂芳基中的任一种。

Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7和Ar8相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的稠环芳基以及取代或未取代的稠环杂芳基中的任一种。

上述第一类化合物可以用于形成发光器件的空穴传输功能层中的膜层，空穴传输功能层用于将空穴传输至发光层，通过含有第一类化合物的膜层作为空穴传输功能层，可以降低空穴传输势垒，从而提高发光器件的效率。

在一些实施例中，所述以sp3杂化的碳原子为中心而构成的化合物还包括：第二类化合物，所述第二类化合物选自如下通式(Ⅱ)所示结构中的任一种。

其中，e、f、o和p的取值各自独立的选自0、1、2、3和4中的任一个，且e、f、o和p中至少一个不为0。

X₁、X₂和X₃相同或不同，分别独立的选自-CR₃和N中的任一个，且X₁、X₂和X₃中至少一个为N。

R₁、R₂和R₃相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的芳基以及取代或未取代的杂芳基中的任一种。

在一些实施例中，A1和A2相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的苯、取代或未取代的萘、取代或未取代的菲、取代或未取代的苯并呋喃、取代或未取代的苯并噻吩、取代或未取代的二苯并呋喃以及取代或未取代的二苯并噻吩中的任一种。B1和B2相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的亚甲基、取代或未取代的金刚烷以及取代或未取代的环己烷中的任一种。

在一些实施例中，B1和B2能够键合成环。

在一些实施例中，所述第一类化合物为空穴型材料，用于传输空穴；所述第二类化合物为电子型材料，用于传输电子。

另一方面，提供一种发光器件，发光器件包括：至少两个发光单元，所述至少两个发光单元中的每个发光单元包括：发光层、设置于所述发光层一侧的第一类功能层、以及设置于所述发光层另一侧的第二类功能层。

其中，所述第一类功能层包括多个空穴传输功能层，所述多个空穴传输功能层中的至少两个空穴传输功能层包括如上任一实施例所述的第一类化合物。所述第二类功能层包括一个电子传输功能层，所述一个电子传输功能层包括如上任一实施例所述的第二类化合物。或者，所述第二类功能层包括多个电子传输功能层，所述多个电子传输功能层中的至少两个电子传输功能层包括如上任一实施例所述的第二类化合物。

在一些实施例中，发光器件还包括：设置于所述至少两个发光单元中相邻的两个发光单元之间的电荷产生单元，所述电荷产生单元包括空穴产生层和电子产生层。所述空穴产生层包括两种材料，所述两种材料中的至少一种为所述第一类化合物。

在一些实施例中，所述电子产生层包括第四主体材料，所述主体材料选自如下通式(Ⅲ)中的任一种。

其中，R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁、A₃和A₄相同或不同，分别独立的选自膦氧基、H、D、F、取代或未取代的C1～C18烷基、取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基，并且，R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁、A₃和A₄中至少一个为膦氧基。k和h取值各自独立的选自0、1、2、3、4和5中的任一个。

在一些实施例中，R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀和R₁₁中相邻的两个能够键合成环。h≥2，相邻的A₃能够键合成环。k≥2，相邻的A₄能够键合成环。

在一些实施例中，所述发光层包括：第一子像素膜层、第二子像素膜层和第三子像素膜层，所述第一子像素膜层、所述第二子像素膜层和所述第三子像素膜层沿第一方向排列设置。所述第一子像素膜层被配置为出射红色光、蓝色光和绿色光中的一种，所述第二子像素膜层被配置为出射红色光、蓝色光和绿色光中的另一种，所述第三子像素膜层被配置为出射红色光、蓝色光和绿色光中的最后一种。

在一些实施例中，所述第一类功能层包括空穴传输层和设置于所述空穴传输层和所述发光层之间的多个电子阻挡层。所述空穴传输层和所述多个电子阻挡层中至少两者含有所述第一类化合物。所述第二类功能层包括一个电子传输功能层，所述一个电子传输功能层为空穴阻挡层，所述空穴阻挡层含有所述第二类化合物。或者，所述第二类功能层包括多个电子传输功能层，所述多个电子传输功能层包括：空穴阻挡层和电子传输层，所述空穴阻挡层和所述电子传输层均含有所述第二类化合物。

在一些实施例中，所述多个电子阻挡层包括：第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和第三电子阻挡层，所述第一电子阻挡层、所述第二电子阻挡层和所述第三电子阻挡层沿所述第一方向排列设置。或，所述多个电子阻挡层包括：第一电子阻挡层和第二电子阻挡层，所述第二电子阻挡层设置于所述发光层和所述空穴传输层之间，所述第一电子阻挡层设置于所述第二电子阻挡层和所述第一子像素膜层之间。

在一些实施例中，所述第一子像素膜层被配置为出射红色光，所述第一电子阻挡层设置于所述第一子像素膜层和所述空穴传输层之间。所述第一电子阻挡层和所述空穴传输层均含有所述第一类化合物。

在一些实施例中，所述第一子像素膜层被配置为出射红色光，所述第一电子阻挡层设置于所述第一子像素膜层和所述空穴传输层之间。所述第二子像素膜层被配置为出射绿色光，所述第二电子阻挡层设置于所述第二子像素膜层和所述空穴传输层之间。所述第一电子阻挡层和所述第二电子阻挡层均含有所述第一类化合物。

在一些实施例中，所述多个电子阻挡层包括：第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和第三电子阻挡层。所述第一子像素膜层被配置为出射红色光，所述第一电子阻挡层设置于所述第一子像素膜层和所述空穴传输层之间。所述第二子像素膜层被配置为出射绿色光，所述第二电子阻挡层设置于所述第二子像素膜层和所述空穴传输层之间。所述第三子像素膜层被配置为出射蓝色光，所述第三电子阻挡层设置于所述第三子像素膜层和所述空穴传输层之间。其中，所述第一电子阻挡层的比表面积小于所述第二电子阻挡层的比表面积，且，所述第一电子阻挡层的比表面积小于所述第三电子阻挡层的比表面积。

在一些实施例中，所述第三子像素膜层的启亮电压，大于所述第二子像素膜层的启亮电压，所述第二子像素膜层的启亮电压，大于所述第一子像素膜层的启亮电压。

在一些实施例中，所述至少两个发光单元包括：第一发光单元和第二发光单元。所述第一发光单元、所述电荷产生单元和所述第二发光单元沿第二方向依次层叠设置，所述第二方向与所述第一方向垂直。所述第一发光单元的所述第一类功能层、所述发光层和所述第二类功能层沿所述第二方向层叠设置，所述第一发光单元的所述第一类功能层还包括空穴注入层，所述空穴注入层设置于所述空穴传输层远离所述发光层的一侧。

所述第二发光单元的所述第一类功能层、所述发光层和所述第二类功能层沿所述第二方向层叠设置，所述第二发光单元的所述第二类功能层包括空穴阻挡层和电子传输层，所述第二发光单元的所述第二类功能层还包括电子注入层，所述电子注入层设置于所述电子传输层远离所述发光层的一侧。

在一些实施例中，所述第一发光单元的子像素膜层和所述第二发光单元的子像素膜层出射相同颜色的光，所述第一发光单元的子像素膜层出射的光的波长，与所述第二发光单元的子像素膜层出射的光的波长差值小于或等于20nm。其中，所述子像素膜层包括所述第一子像素膜层、所述第二子像素膜层和所述第三子像素膜层中的任一种。

在一些实施例中，所述第一发光单元的空穴阻挡层与所述第二发光单元的空穴阻挡层的迁移率的比值，小于或等于10且大于或等于0.1。所述第一发光单元的空穴传输层与所述第二发光单元的空穴传输层的迁移率的比值，小于或等于10且大于或等于0.1。

在一些实施例中，所述空穴产生层的HOMO能级与所述第二发光单元的所述空穴传输层的HOMO能级之间的差值，小于或等于0.3eV。所述电子产生层的LUMO能级与所述第一发光单元的所述空穴阻挡层的LUMO能级之间的差值，小于或等于0.5eV。

在一些实施例中，所述电子产生层的偶极矩大于4D。

在一些实施例中，所述电子产生层还包括第四掺杂材料，所述第四掺杂材料包括碱金属及其氧化物、碱土金属及其氧化物和过渡金属及其氧化物中的任一种。

在一些实施例中，所述第一子像素膜层包括：至少一种第一主体材料和第一掺杂材料，所述至少一种第一主体材料包括：两种第一主体材料，所述两种第一主体材料为激基复合物、同分异构体和同系物中的任一种。

所述第二子像素膜层包括：至少两种第二主体材料和第二掺杂材料，所述至少两种第二主体材料包括：两种第二主体材料，所述两种第二主体材料为激基复合物、同分异构体和同系物中的任一种。

所述第三子像素膜层包括：至少一种第三主体材料和第三掺杂材料，所述至少一种第三主体材料包括两种第三主体材料，所述两种第三主体材料为激基复合物、同分异构体和同系物中的任一种。所述至少一种第三主体材料中的第三主体材料，至少一种所述第三主体材料含有蒽衍生物。

在一些实施例中，发光器件还包括：第一电极和第二电极，所述至少两个发光单元和所述电荷产生单元设置于所述第一电极和所述第二电极之间。

通过在空穴传输层和多个电子阻挡层中至少两者设置为含有以sp3杂化碳原子为中心而构成的具有空穴传输功能的第一类化合物，可以实现空穴传输层、电子阻挡层和发光层之间的能级匹配，降低空穴传输的势垒，提高空穴传输效率。

空穴阻挡层和电子传输层均含有以sp3杂化碳原子为中心而构成的第二类化合物，这样可以实现发光器件相邻功能层之间的最佳匹配，使得电子在第二类功能层的传输以及空穴在第一类功能层的传输更加容易。

发光器件的第一发光单元、电荷产生单元和第二发光单元中均含有以sp3杂化碳原子为中心而构成的化合物。通过合理的搭配电荷产生单元与其他功能层中材料的搭配，可以使得位于电荷产生单元两侧的发光层中的激子复合中心靠近发光层的中间，进而有助于提升激子的利用率。

又一方面，提供一种发光基板，发光基板包括如上任一实施例所述的发光器件。

上述发光基板具有与上述一些实施例中提供的发光器件相同的有益技术效果，在此不再赘述。

又一方面，提供一种发光装置，发光装置包括如上所述的发光基板。

上述发光装置具有与上述一些实施例中提供的发光器件相同的有益技术效果，在此不再赘述。

附图说明

为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。

图1为根据本公开一些实施例所提供的发光器件的结构图；

图2为根据本公开一些实施例所提供的发光器件的另一种结构图；

图3为根据本公开一些实施例所提供的发光器件的又一种结构图；

图4为根据本公开一些实施例所提供的发光器件制备方法的流程图；

图5为根据本公开一些实施例所提供的发光器件制备方法的部分流程图；

图6为根据本公开一些实施例所提供的发光基板的结构图；

图7为根据本公开一些实施例所提供的发光装置的结构图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。

以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。

“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。

应当理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板上时，可以是该层或元件直接在另一层或基板上，或者也可以是该层或元件与另一层或基板之间存在中间层。

本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。

在有机半导体领域，OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)技术已经成功应用在商业化的平板显示和照明产业中。OLED具有自发光的特点，不需要背光源，面板厚度薄、重量轻。同时，OLED还具有视角广、对比度大、响应时间快、工作温度范围宽和可柔性的优点。其中，叠层式OLED器件在OLED显示和照明领域中具有重要作用。

首先，由于OLED是电流驱动发光，在相同的电流密度驱动下，由n个相同发光单元组成叠层式OLED的发光亮度是单个发光单元组成的传统OLED的发光亮度的n倍。因此，叠层式OLED的电流效率是传统OLED的n倍。但是，叠层式OLED的驱动电压也是传统OLED的驱动电压的n倍，因此，叠层式OLED的功率及效率并没有显著提高。

其次，OLED显示与照明设备是以一定的亮度工作的，在相同的发光亮度下，驱动叠层式OLED的电流密度是传统OLED的电流密度的1/n。OLED的电流密度越大，老化越快，发光器件的寿命越短，因此，叠层式OLED的寿命会延长。

进一步的，随着有机发光器件的发展，应用于各有机材料层的各化合物的构成不同，对有机发光器件的整体性能会产生较大的差异。

由于叠层式OLED是由多个发光单元在发光面的垂直方向上由电荷产生层连接而成，电荷产生层结构在叠层式OLED中不仅仅起着连接各OLED单元的作用，在叠层式OLED中，高效的电荷产生、快速的电荷传输、有效的注入这三个过程缺一不可，均对发光器件的性能具有显著的影响。

因此，对于叠层式OLED中的发光单元，以及发光单元之间的电荷产生层，设置较合理的搭配，可以保证电荷的高效产生、注入和传输。

在相关技术中，OLED器件普遍采用HT材料(空穴传输型材料)和P-型掺杂剂共蒸得到空穴传输层，该类材料的横向电阻较小，尤其在P-型掺杂后电阻进一步变小。并且，对于不同颜色的子像素，例如红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，其启亮电压存在以下关系：蓝色>绿色>红色，因此，在低灰阶下，进行单个子像素点亮时，存在相邻的子像素也点亮的色彩串扰现象，使得OLED色纯度差，混色效果较严重，显示效果差。例如，在绿色子像素工作时，电荷横向流动到红色子像素，红色被点亮，从而导致色彩串扰。

基于此，本公开提供一种功能层材料，该功能层材料包括：以sp3杂化的碳原子为中心而构成的化合物。

示例性的，以sp3杂化碳原子(C)为中心而构成的化合物具有如下结构式所示的特点。

需要说明的是，sp3杂化是指一个原子同一电子层内由一个ns轨道和三个np轨道发生杂化的过程。原子发生sp3杂化后，上述ns轨道和np轨道便会转化成为四个等价的原子轨道，称为“sp3杂化轨道”。四个sp3杂化轨道的对称轴两两之间的夹角相同，皆为109°28'。

以上述碳原子(C)为例，碳原子(C)的已配对的2s电子拆开，其中1个电子跑到能量稍高的2p轨道中去，这一过程叫电子跃迁。接着进行杂化，一个2s轨道和3个2p轨道杂化，生成4个能量相等的sp3杂化轨道。因为是平均混合，每个sp3杂化轨道含有1/4的s轨道的成份和3/4的p轨道的成份，其中各有1个成单电子。最后这4个电子再与4个基团(例如，A1、A2、B1和B2)上的电子配对成键，从而形成上述以sp3杂化碳原子(C)为中心而构成的化合物。

在一些实施例中，以sp3杂化的碳原子为中心而构成的化合物包括：第一类化合物，第一类化合物选自如下通式(Ⅰ)所示结构中的任一种。

其中，a、b、m和n的取值各自独立的选自0、1、2、3和4中的任一个，且a、b、m和n中至少一个不为0。A1和A2相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的次芳基、取代或未取代的稠环次芳基以及取代或未取代的稠环次杂芳基中的任一种。B1和B2相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的亚烷基、取代或未取代的亚芳基以及取代或未取代的亚杂芳基中的任一种。

L1、L2、L3和L4相同或不同，分别独立的选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的芴、取代或未取代的金刚烷以及取代或未取代的亚杂芳基中的任一种。Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7和Ar8相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的稠环芳基以及取代或未取代的稠环杂芳基中的任一种。

需要说明的是，芳基可以为苯基，杂芳基可以为呋喃基、吡喃基、噻吩基、吡啶基等，稠环芳基可以为萘基、菲基等，稠环杂芳基可以为苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基等。并且，苯基是指苯环上一个碳原子的氢原子去掉后，剩下的基团的总称。亚苯基是指苯环上两个碳原子上的氢原子去掉后，剩下的基团的总称。次苯基是指苯环上三个碳原子的氢原子去掉后，剩下的基团的总称。对于其他例如稠环次芳基、稠环次杂芳基等的理解，可以参照上述内容，此处不再赘述。

a、b、m和n的取值分别独立的表示对应一种基团的数目。

示例性的，A1和A2相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的苯、取代或未取代的萘、取代或未取代的菲、取代或未取代的苯并呋喃、取代或未取代的苯并噻吩、取代或未取代的二苯并呋喃以及取代或未取代的二苯并噻吩中的任一种。B1和B2相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的亚甲基、取代或未取代的金刚烷以及取代或未取代的环己烷中的任一种。

通过A1、A2、B1和B2基团的设置，形成稳定结构的以sp3杂化碳原子为中心而构成的第一类化合物。通过与L1、L2、L3和L4相连接的含有N的基团的设置，使得该第一类化合物为空穴型材料，可以用于传输空穴。例如，如图1所示，在发光器件10的结构图中，第一类化合物用于形成空穴传输功能层21a中的膜层，例如第一电子阻挡层13a，空穴传输功能层21a用于将空穴传输至发光层14(关于发光器件10的结构介绍，见下述内容，此处不再赘述)。

以下介绍如通式(Ⅰ)所示结构中的第一类化合物的示例性结构。

在一些示例中，当a、m和n的取值分别为0、b的取值为1、L1选自单键时，第一类化合物的结构式可以如下式所示。

需要说明的是，上述结构式中的(1-x)，是每一种结构式的代称，并不是结构式结构的一部分，其中，x取正整数。

在如上述结构式(1-1)至(1-7)所示的第一类化合物，可以看出，B1和B2能够键合成环。例如，如上述结构式(1-1)所示的第一类化合物，B1和B2通过单键连接键合成环。如上述结构式(1-4)所示的第一类化合物，B1和B2通过连接一个氧原子(O)键合成环。

B1和B2键合成环，可以提高第一类化合物的刚性，也就是说，提高第一类化合物的稳定性。例如，采用第一类化合物通过蒸镀的方法形成膜层时，例如第一电子阻挡层13a(如图1所示)，可以保证材料的结构稳定，从而有效的保证形成的膜层具有良好的性能。

在一些示例中，当b和m的取值分别为0、a和n的取值为1、L2和L3选自单键时，第一类化合物的结构式可以如下式所示。

需要说明的是，以上列举的结构式是对第一类化合物的结构的示例，并不是对第一类化合物结构的限制。

以下介绍以sp3杂化碳原子(C)为中心而构成的另一种化合物的结构。

在一些实施例中，以sp3杂化的碳原子为中心而构成的化合物还包括：第二类化合物，第二类化合物选自如下通式(Ⅱ)所示结构中的任一种。

其中，e、f、o和p的取值各自独立的选自0、1、2、3和4中的任一个，且e、f、o和p中至少一个不为0。X₁、X₂和X₃相同或不同，分别独立的选自-CR₃和N中的任一个，且X₁、X₂和X₃中至少一个为N。R₁、R₂和R₃相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的芳基以及取代或未取代的杂芳基中的任一种。

需要说明的是，第二类化合物中的A1、A2、L1、L2、L3和L4的结构，可以参照第一类化合物中的关于A1、A2、L1、L2、L3和L4的结构的介绍。

也就是说，A1和A2相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的次芳基、取代或未取代的稠环次芳基以及取代或未取代的稠环次杂芳基中的任一种。B1和B2相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的亚烷基、取代或未取代的亚芳基以及取代或未取代的亚杂芳基中的任一种。

通过与L1、L2、L3和L4相连接的含有N的环状基团的设置，使得该第二类化合物为电子型材料，用于传输电子。例如，如图1所示，在发光器件10的结构图中，第二类化合物用于形成电子传输功能层41a中的膜层，例如空穴阻挡层15，电子传输功能层41a用于将电子传输至发光层14(关于发光器件10的结构介绍，见下述内容，此处不再赘述)。

以下介绍如通式(Ⅱ)所示结构中的第二类化合物的示例性结构。

在一些示例中，当e、f和o的取值分别为0、p的取值为1、L3选自亚联苯基时，第二类化合物的结构式可以如下式所示。

在一些示例中，当e、f和o的取值分别为0、p的取值为1、L3选自二苯并呋喃时，第二类化合物的结构式可以如下式所示。

在一些示例中，当e和o的取值分别为0、f和p的取值为1、L2和L3选自单键时，第二类化合物的结构式可以如下式所示。

在一些示例中，当e、f和o的取值分别为0、p的取值为1、L3选自单键时，第二类化合物的结构式可以如下式所示。

在一些示例中，当e、f和o的取值分别为0、p的取值为1、L3选自亚苯基或亚萘基时，第二类化合物的结构式可以如下式所示。

同理，上述结构式中的(2-x)，是每一种结构式的代称，并不是结构式结构的一部分，其中，x取正整数。

在如上所述的结构式(2-2)、(2-4)、(2-5)、(2-7)、(2-8)、(2-9)、(2-10)、(2-11)和(2-12)所示的第二类化合物，可以看出，B1和B2能够键合成环。例如，如上述结构式(2-2)所示的第二类化合物，B1和B2通过单键连接键合成环。如上述结构式(2-7)所示的第二类化合物，B1和B2通过连接一个氧原子(O)键合成环。

同理，B1和B2键合成环，可以提高第二类化合物的刚性，也就是说，提高第二类化合物的稳定性。例如，采用第二类化合物通过蒸镀的方法形成膜层时，例如空穴阻挡层15(如图1所示)，可以保证材料的结构稳定，从而有效的保证形成的膜层具有良好的性能。

需要说明的是，以上列举的结构式是对第二类化合物的结构的示例，并不是对第二类化合物结构的限制。

另一方面，如图1～图3所示，提供一种发光器件10，以下介绍发光器件10的结构。

在一些实施例中，如图1～图3所示，发光器件10包括：至少两个发光单元101，至少两个发光单元101中的每个发光单元101包括：发光层14、设置于发光层14一侧的第一类功能层21、以及设置于发光层14另一侧的第二类功能层41。

其中，第一类功能层21包括多个空穴传输功能层21a，多个空穴传输功能层21a中的至少两个空穴传输功能层21a包括如上任一实施例所述的第一类化合物。

第二类功能层41包括一个电子传输功能层41a，一个电子传输功能层41a包括如上任一实施例所述的第二类化合物。或者，第二类功能层41包括多个电子传输功能层41a，多个电子传输功能层41a中的至少两个电子传输功能层41a包括如上任一实施例所述的第二类化合物。

在一些示例中，如图1所示，发光器件10包括两个发光单元101，两个发光单元101分别为第一发光单元1和第二发光单元2。第一发光单元1和第二发光单元2均包括发光层14、设置于发光层14一侧的第一类功能层21、以及设置于发光层14另一侧的第二类功能层41。第一类功能层21用于传输空穴，第二类功能层41用于传输电子。

通过将发光器件10设置多个发光单元101，例如两个发光单元101，形成叠层的发光器件10，可以提高发光器件10的亮度，延长发光器件10的寿命。

示例性的，如图1所示，以发光器件10的第一发光单元1为例，第一发光单元1的第一类功能层21包括多个空穴传输功能层21a。例如，多个空穴传输功能层21a为空穴注入层11、空穴传输层12和电子阻挡层13，并且，电子阻挡层13可以包括第一电子阻挡层13a、第二电子阻挡层13b和第三电子阻挡层13c。在空穴注入层11、空穴传输层12、第一电子阻挡层13a、第二电子阻挡层13b和第三电子阻挡层13c形成的多个空穴传输功能层21a中，至少两个空穴传输功能层21a包括如上任一实施例所述的第一类化合物。

示例性的，如图1所示，以发光器件10的第二发光单元2为例，第二发光单元2的第一类功能层21包括多个空穴传输功能层21a。例如，多个空穴传输功能层21a包括空穴传输层12和电子阻挡层13，并且，电子阻挡层13可以包括第一电子阻挡层13a、第二电子阻挡层13b和第三电子阻挡层13c。在空穴传输层12、第一电子阻挡层13a、第二电子阻挡层13b和第三电子阻挡层13c形成的多个空穴传输功能层21a中，至少两个空穴传输功能层21a包括如上任一实施例所述的第一类化合物。

第一类化合物作为空穴传输型材料，可以实现空穴的传输，并且，通过至少两个空穴传输功能层21a包括第一类化合物的设置，可以调整空穴传输功能层21a之间的物性匹配，降低多个空穴传输功能层21a之间的空穴传输的能级差，保证空穴顺利的传输。

示例性的，如图1所示，以发光器件10的第一发光单元1为例，第一发光单元1的第二类功能层41包括一个电子传输功能层41a，电子传输功能层41a为空穴阻挡层15，空穴阻挡层15包括如上任一实施例所述的第二类化合物。以发光器件10的第二发光单元2为例，第二发光单元2的第二类功能层41包括多个电子传输功能层41a，例如，多个电子传输功能层41a分别为空穴阻挡层15、电子传输层16和电子注入层17，由空穴阻挡层15、电子传输层16和电子注入层17形成的多个电子传输功能层41a中，至少两个电子传输功能层41a包括如上任一实施例所述的第二类化合物。

第二类化合物作为电子传输型材料，可以实现电子的传输，并且，通过电子传输功能层41a包括第二类化合物的设置，可以降低电子传输能级差，保证电子顺利的传输。

通过在空穴传输功能层21a中设置具有空穴传输功能的第一类化合物，空穴传输功能层21a将空穴顺利的传输至发光层14，通过在电子传输功能层41a中设置具有电子传输功能的第二类化合物，电子传输功能层41a将电子顺利的传输至发光层14。

并且，通过多个空穴传输功能层21a均包括第一类化合物，及多个或一个电子传输功能层41a包括第二类化合物的设置，可以降低电荷(包括电子或者空穴)传输能级差。也就是说，多个功能层(包括空穴传输功能层21a或电子传输功能层41a)中含有相似的sp3杂化结构的材料，降低不同功能层之间空穴或电子的传输能极差，使得电子或空穴的注入和传输更加容易。

电子和空穴在发光层14中实现平衡，即电子和空穴在发光层10中相结合形成激子，然后出射光，从而提高了发光器件10的发光效率，而且可以降低发光器件10的启亮电压。

在一些实施例中，如图1～图3所示，发光器件10还包括设置于至少两个发光单元101中相邻的两个发光单元101之间的电荷产生单元3，电荷产生单元3包括空穴产生层32和电子产生层31。空穴产生层32包括两种材料，两种材料中的至少一种为第一类化合物。

在一些示例中，如图1所示，发光器件10包括第一发光单元1和第二发光单元2，第一发光单元1和第二发光单元2之间设置有电荷产生单元3，电荷产生单元不仅仅具有连接第一发光单元1和第二发光单元2的作用，通过电荷产生单元3设置，还有助于电荷(电子或空穴)的产生。

示例性的，空穴产生层32用于产生空穴，空穴产生层32产生的空穴通过第二发光单元2的空穴传输层12传输至第二发光单元2的发光层14。例如，通过在空穴产生层32中设置以sp3杂化碳原子为中心而构成的第一类化合物，且在第二发光单元2的空穴传输层12中设置以sp3杂化碳原子为中心而构成的第一类化合物，这样有利于空穴的调控，以及有利于空穴传输的平衡，可以使得空穴顺畅的注入到第二发光单元2的发光层14中。

示例性的，空穴产生层32中的一种材料为以sp3杂化碳原子为中心而构成的第一类化合物，空穴产生层32中的另一种材料为NPB(N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4-4'-二胺)、HATCN和三轴晞类化合物中的任一种，空穴产生层32中的另一种材料的结构式可以选自如下所示结构式中的任一种。

示例性的，如图1所示，电子产生层31用于产生电子，电子注入到第一发光单元1的发光层14中，与由空穴传输功能层21a传输至发光层14的空穴结合形成激子。

以下介绍电子产生层31中的材料的结构。

在一些实施例中，如图1所示，电子产生层31包括第四主体材料，第四主体材料选自如下通式(Ⅲ)中的任一种。

采用含有磷氧键的蒽衍生物作为电子产生层31的主体材料，有利于电子的注入，提高发光器件10的效率。

在一些示例中，电子产生层31中的第四主体材料的结构式可以如下式所示。

需要说明的是，选自如通式(Ⅲ)所示的第四主体材料结构式中的R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀和R₁₁中相邻的两个能够键合成环。当h≥2，相邻的A₃能够键合成环。k≥2，相邻的A₄能够键合成环。关于R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀和R₁₁中相邻的两个键合成环、相邻的A₃键合成环以及相邻的A₄键合成环，可以参照如通式(Ⅱ)所示结构中以及如通式(Ⅰ)所示结构中的B1和B2键合成环的介绍，此处不再赘述。

R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀和R₁₁中相邻的两个键合成环、相邻的A₃键合成环以及相邻的A₄键合成环，可以提高第四主体材料的结构刚性，也就是说，提高第四主体材料的稳定性。例如，采用第四主体材料通过蒸镀的方法形成膜层时，例如电子产生层31(如图1所示)，可以保证材料的结构稳定，从而有效的保证形成的膜层具有良好的性能。

通过测试含有磷氧键的蒽衍生物和未含有磷氧键的蒽衍生物(表示为对比N-CGL)材料的偶极矩和玻璃化转变温度Tg，可以对比两类材料的相关性能。其中，对比N-CGL的结构式如下式所示。

如上述结构式(3-4)和结构式(3-6)所示的第四主体材料，以及对比N-CGL的偶极矩和玻璃化转变温度Tg，如下述表1所示。

表1

材料	偶极矩(D)	Tg(℃)
			(3-4)	5.08	146
(3-6)	4.91	140
			对比N-CGL	3.96	120

需要说明的是，正、负电荷中心间的距离和电荷中心所带电量的乘积，叫做偶极矩。偶极矩越大，证明该材料具有较好的电子注入的功能。

玻璃化转变温度Tg的高低决定了材料在蒸镀工艺中热稳定性，Tg越高，材料热稳定性越好。例如，经DSC差示扫描量热仪在测试气氛为氮气，升温速率为10℃/min，温度范围为50℃～300℃的测试环境的检测下的玻璃化转变温度。

因此，通过表1可以看出，如上述结构式(3-4)和结构式(3-6)所示的第四主体材料，为含有磷氧键的蒽衍生物，其偶极矩大于对比N-CGL的偶极矩，表明含有磷氧键的蒽衍生物这一类材料具有较好的电子注入的功能。并且，如上述结构式(3-4)和结构式(3-6)所示的含有磷氧键的蒽衍生物的玻璃化转变温度Tg明显高于对比N-CGL的玻璃化转变温度Tg，因此，含有磷氧键的蒽衍生物作为电子产生层31的形成用材料具有较好的热稳定性。

在一些示例中，如图1～图3所示，电子产生层31的偶极矩大于4D，这样设置可以保证电子产生层31具有较好的电子注入特性。

在一些实施例中，电子产生层31还包括第四掺杂材料，第四掺杂材料包括碱金属及其氧化物、碱土金属及其氧化物和过渡金属及其氧化物中的任一种。

示例性的，碱金属包括元素周期表ⅠA族元素中所有的金属元素，包括锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)和钫(Fr)。碱金属的氧化物例如为氧化锂、氧化钠或氧化铯等。

示例性的，碱土金属指元素周期表中ⅡA族元素，包括铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等，碱土金属的氧化物例如氧化镁或氧化钡等。

电子产生层31的材料包括含有磷氧键的蒽衍生物作为主体材料，并添加碱金属及其氧化物、碱土金属及其氧化物和过渡金属及其氧化物中的任一种的掺杂剂，可以进一步的提高电子产生层31的电荷注入能力，提高发光器件10的发光效率。

在一些实施例中，如图1～图3所示，发光层14包括：第一子像素膜层14a、第二子像素膜层14b和第三子像素膜层14c，第一子像素膜层14a、第二子像素膜层14b和第三子像素膜层14c沿第一方向X排列设置，第一方向X与发光器件10出射光的方向G相垂直。

第一子像素膜层14a被配置为出射红色光、蓝色光和绿色光中的一种，第二子像素膜层14b被配置为出射红色光、蓝色光和绿色光中的另一种，第三子像素膜层14c被配置为出射红色光、蓝色光和绿色光中的最后一种。

示例性的，第一子像素膜层14a被配置为出射红色光，第二子像素膜层14b被配置为出射绿色光，第三子像素膜层14c被配置为出射蓝色光。

在一些实施例中，如图1所示，第一类功能层21包括空穴传输层12和设置于空穴传输层12和发光层14之间的多个电子阻挡层13，空穴传输层12和多个电子阻挡层13中至少两者含有第一类化合物。

在一些示例中，如图1所示，发光器件10的第一发光单元1的第一电极19为阳极，第一电极19、空穴传输层12、电子阻挡层13和发光层14沿第二方向Y依次设置，第二方向Y与第一方向X垂直设置，且第二方向Y与发光器件10出射光的方向G相平行。设置于阳极与发光层14之间的膜层用于传输空穴，将空穴传输至发光层14中，在空穴传输层12和多个电子阻挡层13中至少两者设置为含有以sp3杂化碳原子(C)为中心而构成的具有空穴传输功能的第一类化合物，可以实现空穴传输层12、电子阻挡层13和发光层14之间的能级匹配，降低空穴传输的势垒，提高空穴传输效率。

在一些实施例中，如图1所示，第二类功能层41包括一个电子传输功能层41a，一个电子传输功能层41a为空穴阻挡层15，空穴阻挡层15含有第二类化合物。即第二类化合物为含有以sp3杂化碳原子(C)为中心而构成的电子传输性材料。

在一些实施例中，如图2所示，第二类功能层41包括多个电子传输功能层41a，多个电子传输功能层41a包括：空穴阻挡层15和电子传输层16，空穴阻挡层15和电子传输层16均含有第二类化合物。

示例性的，如图2所示，发光器件10的第一发光单元1的第一电极19为阳极，第一电极19、空穴传输层12、电子阻挡层13、发光层14、空穴阻挡层15和电子传输层16沿第二方向Y依次设置，空穴传输层12和多个电子阻挡层13中至少两者设置为含有以sp3杂化碳原子(C)为中心而构成的第一类化合物，空穴阻挡层15和电子传输层16均含有以sp3杂化碳原子(C)为中心而构成的第二类化合物，这样可以实现发光器件10相邻功能层之间的最佳匹配，使得电子在第二类功能层41的传输以及空穴在第一类功能层21的传输更加容易，保证电子和空穴在发光层14中复合形成激子，然后发光，提高了发光器件10的发光效率。

在一些实施例中，如图1和图2所示，多个电子阻挡层13包括：第一电子阻挡层13a、第二电子阻挡层13b和第三电子阻挡层13c，第一电子阻挡层13a、第二电子阻挡层13b和第三电子阻挡层13c沿第一方向X排列设置。

或者，如图3所示，多个电子阻挡层13包括：第一电子阻挡层13a和第二电子阻挡层13b，第二电子阻挡层13b设置于发光层14和空穴传输层12之间，第一电子阻挡层13a设置于第二电子阻挡层13b和第一子像素膜层14a之间。

在一些示例中，如图1和图2所示，发光器件10的第一发光单元1和第二发光单元2的电子阻挡层13均包括沿第一方向X排列设置第一电子阻挡层13a、第二电子阻挡层13b和第三电子阻挡层13c，发光层14包括沿第一方向X排列设置第一子像素膜层14a、第二子像素膜层14b和第三子像素膜层14c。第一电子阻挡层13a与第一子像素膜层14a对应设置，第二电子阻挡层13b与第二子像素膜层14b对应设置，第三电子阻挡层13c与第三子像素膜层14c对应设置。

需要说明的是，对应设置，是指第一子像素膜层14a在空穴传输层12上的正投影，与第一电子阻挡层13a在空穴传输层12上的正投影相重合。关于第二电子阻挡层13b与第二子像素膜层14b对应设置，第三电子阻挡层13c与第三子像素膜层14c对应设置的理解，可以参照第一子像素膜层14a与第一电子阻挡层13a的对应关系的描述，此处不再赘述。

在一些示例中，如图3所示，发光器件10的第一发光单元1和第二发光单元2的电子阻挡层13均包括第一电子阻挡层13a和第二电子阻挡层13b，在空穴传输层12和第一子像素膜层14a之间，依次设置第二电子阻挡层13b和第一电子阻挡层13a，第二电子阻挡层13b和第一电子阻挡层13a由空穴传输层12指向第一子像素膜层14a的方向设置。第二电子阻挡层13b为整层设置，第一电子阻挡层13a仅设置于第二电子阻挡层13b和第一子像素膜层14a之间。这样设置，在点亮第二子像素膜层14b时，可以避免第一子像素膜层14a被点亮。

例如，第一子像素膜层14a被配置为出射红色光，由于不同颜色光的子像素膜层的启亮电压存在以下关系：蓝色>绿色>红色，因此，在第一子像素膜层14a和空穴传输层12之间设置第一电子阻挡层13a和第二电子阻挡层13b，在第二子像素膜层14b和第三子像素膜层14c与空穴传输层12之间均均设置第二电子阻挡层13b，可以防止第一子像素膜层14a被误点亮，避免串色干扰。

在一些实施例中，如图1和图2所示，第一子像素膜层14a被配置为出射红色光，第一电子阻挡层13a设置于第一子像素膜层14a和空穴传输层12之间，第一电子阻挡层13a和空穴传输层12均含有第一类化合物。

在一些示例中，如图1所示，发光器件10的第一发光单元1和第二发光单元2的第一类功能层21均包括：第一电子阻挡层13a、第二电子阻挡层13b、第三电子阻挡层13c和空穴传输层12。第一类功能层21的至少两个空穴传输功能层21a含有以sp3杂化碳原子(C)为中心而构成的第一类化合物，该至少两个空穴传输功能层21a为第一电子阻挡层13a和空穴传输层12。

在一些实施例中，如图1和图2所示，第一子像素膜层14a被配置为出射红色光，第一电子阻挡层13a设置于第一子像素膜层14a和空穴传输层12之间。第二子像素膜层14b被配置为出射绿色光，第二电子阻挡层13b设置于第二子像素膜层14b和空穴传输层12之间。第一电子阻挡层13a和第二电子阻挡层13b含有第一类化合物。

在一些示例中，如图1所示，发光器件10的第一发光单元1和第二发光单元2的第一类功能层21均包括：第一电子阻挡层13a、第二电子阻挡层13b、第三电子阻挡层13c和空穴传输层12。第一类功能层21的至少两个空穴传输功能层21a含有以sp3杂化碳原子(C)为中心而构成的第一类化合物，该至少两个空穴传输功能层21a为第一电子阻挡层13a和第二电子阻挡层13b。

在一些实施例中，如图1和图2所示，多个电子阻挡层13包括：第一电子阻挡层13a、第二电子阻挡层13b和第三电子阻挡层13c，第一子像素膜层14a被配置为出射红色光，第一电子阻挡层13a设置于第一子像素膜层14a和空穴传输层12之间。第二子像素膜层14b被配置为出射绿色光，第二电子阻挡层13b设置于第二子像素膜层14b和空穴传输层12之间。第三子像素膜层14c被配置为出射蓝色光，第三电子阻挡层13c设置于第三子像素膜层14c和空穴传输层12之间。其中，第一电子阻挡层13a的比表面积小于第二电子阻挡层13b的比表面积，且，第一电子阻挡层13a的比表面积小于第三电子阻挡层13c的比表面积。

在一些示例中，如图1所示，发光器件10的第一发光单元1和第二发光单元2的电子阻挡层13均包括：第一电子阻挡层13a、第二电子阻挡层13b和第三电子阻挡层13c。第一电子阻挡层13a的比表面积小于第二电子阻挡层13b的比表面积，并且，第一电子阻挡层13a的比表面积小于第三电子阻挡层13c的比表面积。

第三子像素膜层14c的启亮电压，大于第二子像素膜层14b的启亮电压，第二子像素膜层14b的启亮电压，大于第一子像素膜层14a的启亮电压。即启亮电压存在以下关系：蓝色>绿色>红色。

比表面积在一定程度上可以反应材料的横向电阻，比表面积越小，横向电阻越大。第一子像素膜层14a出射红色光，其启亮电压较低，通过设置第一子像素膜层14a的比表面积最小，增大其电阻，可以抑制色彩串扰问题。

在一些实施例中，如图1～图3所示，至少两个发光单元101包括：第一发光单元1和第二发光单元2，第一发光单元1、电荷产生单元3和第二发光单元2沿第二方向Y依次层叠设置，第二方向Y与第一方向X相垂直。

第一发光单元1的第一类功能层21、发光层14和第二类功能层41沿第二方向Y层叠设置，第一发光单元1的第一类功能层还包括空穴注入层11，空穴注入层11设置于空穴传输层12远离发光层14的一侧。

第二发光单元2的第一类功能层21、发光层14和第二类功能层41沿第二方向Y层叠设置，第二发光单元2的第二类功能层41包括空穴阻挡层15和电子传输层16，第二发光单元2的第二类功能层41还包括电子注入层17，电子注入层17设置于电子传输层16远离发光层14的一侧。

在一些实施例中，如图1～图3所示，发光器件10还包括第一电极19和第二电极20，至少两个发光单元101和所述电荷产生单元3设置于第一电极19和第二电极20之间。

基于以上对发光器件10结构的介绍，提供三种发光器件10的结构实施例。

如图1～图3所示，发光器件10均包括沿第二方向Y依次设置的第一电极19、第一发光单元1、电荷产生单元3、第二发光单元2和第二电极20。

实施例1

发光器件10的结构如图1所示。

发光器件10的第一发光单元1包括：空穴注入层11、空穴传输层12、电子阻挡层13、发光层14和空穴阻挡层15。

发光器件10的第二发光单元2包括：空穴传输层12、电子阻挡层13、发光层14、空穴阻挡层15、电子传输层16和电子注入层17。

电荷产生单元3的电子产生层31用于将电子注入第一发光单元1，电荷产生单元3的空穴产生层32用于将空穴注入第二发光单元2。

发光器件10包括沿第二方向Y依次设置的：第一电极19、空穴注入层11(5nm～30nm)、空穴传输层12(15nm～25nm)、电子阻挡层13、发光层14、空穴阻挡层15(5nm～15nm)、电子产生层31(15nm～25nm)、空穴产生层32(5nm～15nm)、空穴传输层12(15nm～25nm)、电子阻挡层13、发光层14、空穴阻挡层15(5nm～15nm)、电子传输层16(20nm～100nm)、电子注入层17(1nm～10nm)和第二电极20(10nm～20nm)。

其中，发光器件10的第一发光单元1和第二发光单元2的电子阻挡层13均包括：第一电子阻挡层13a(5nm～45nm)、第二电子阻挡层13b(10nm～25nm)和第三电子阻挡层13c(5nm～15nm)。发光器件10的第一发光单元1和第二发光单元2的发光层14均包括：第一子像素膜层14a(30nm～50nm)、第二子像素膜层14b(30nm～50nm)和第三子像素膜层14c(10nm～20nm)。

需要说明的是，膜层后面括号内的数值是指该膜层的厚度范围，例如，第一电子阻挡层13a(5nm～45nm)是指，第一电子阻挡层13a的厚度范围为5nm～45nm。其中，如图1所示，厚度是指该膜层在第二方向Y上的尺寸，例如，第一电子阻挡层13a在第二方向Y上的尺寸可以表示为尺寸d1。其他膜层的厚度范围可以参照第一电子阻挡层13a的厚度范围的介绍，此处不再赘述。

示例性的，如图1所示，发光器件10各膜层的厚度为：空穴注入层11(10nm)/空穴传输层12(19nm)/第一电子阻挡层13a(25nm)/第二电子阻挡层13b(15nm)/第三电子阻挡层13c(5nm)/第一子像素膜层14a(3wt％，42nm)/第二子像素膜层14b(10wt％，40nm)/第三子像素膜层14c(3wt％，15nm)/空穴阻挡层15(5nm)/电子产生层31(1wt％Yb，18nm)/空穴产生层32(5wt％，9nm)/空穴传输层12(19nm)/第一电子阻挡层13a(25nm)/第二电子阻挡层13b(15nm)/第三电子阻挡层13c(5nm)/第一子像素膜层14a(3wt％，42nm)/第二子像素膜层14b(10wt％，40nm)/第三子像素膜层14c(3wt％，15nm)/空穴阻挡层15(5nm)/电子传输层16(50wt％LIQ，35nm)/电子注入层17(1nm)/第二电极20(15nm)。

其中，第一子像素膜层14a(3wt％，42nm)中的3wt％是指第一掺杂材料在第一子像素膜层14a中的质量占比为3％，42nm是指第一子像素膜层14a的厚度为42nm。同理，第二子像素膜层14b(10wt％，40nm)中的10wt％是指第二掺杂材料在第二子像素膜层14b中的质量占比为10％，40nm是指第二子像素膜层14b的厚度为40nm。第三子像素膜层14c(3wt％，15nm)中的3wt％是指第三掺杂材料在第三子像素膜层14c中的质量占比为3％，15nm是指第三子像素膜层14c的厚度为15nm。

电子产生层31(1wt％Yb，18nm)中的1wt％Yb是指，在电子产生层31的第四掺杂材料采用镱(Yb)，第四掺杂材料在电子产生层31中的质量占比为3％。电子传输层16(50wt％LiQ，35nm)是指中的50wt％LiQ是指，八羟基喹啉锂(LiQ)在电子传输层16中的质量占比为50％，也就是说，电子传输层16中的第二类化合物和八羟基喹啉锂(LiQ)的质量比为1:1。其中，八羟基喹啉锂(LiQ)的结构式如下所示。

示例性的，可以将第一发光单元1的空穴传输层12、第一发光单元1的第一电子阻挡层13a、第一发光单元1的空穴阻挡层15、空穴产生层32、第二发光单元2的空穴传输层12、第二发光单元2的第一电子阻挡层13a、第二发光单元2的空穴阻挡层15和第二发光单元2的电子传输层16这八个膜层设置为含有以sp3杂化碳原子(C)为中心而构成的化合物。那么，发光器件10的第一发光单元1、电荷产生单元3和第二发光单元2中均含有以sp3杂化碳原子(C)为中心而构成的化合物。

即第一发光单元1的空穴传输层12、第一发光单元1的第一电子阻挡层13a、空穴产生层32、第二发光单元2的空穴传输层12和第二发光单元2的第一电子阻挡层13a设置为含有第一类化合物的膜层。第一发光单元1的空穴阻挡层15、第二发光单元2的空穴阻挡层15和第二发光单元2的电子传输层16设置为含有第二类化合物的膜层。

这样设计使得在叠层的发光器件10中，空穴产生层32与其他功能层(例如第一类功能层21和第二类功能层41)中均含有相似的化学结构，更有利于电荷的调控，以及有利于电荷传输的平衡。这样设计一方面可以使得电荷顺畅的注入到位于电荷产生单元3两侧的发光层14中。另一方面，有助于调控上下两个发光单元101中的激子复合区域，通过合理的搭配电荷产生单元3与其他功能层中材料的搭配，可以使得位于电荷产生单元3两侧的发光层14中的激子复合中心靠近发光层14的中间，进而有助于提升激子的利用率。

示例性的，可以将第一发光单元1的第一电子阻挡层13a、第一发光单元1的第二电子阻挡层13b、第一发光单元1的空穴阻挡层15、第二发光单元2的第一电子阻挡层13a、第二发光单元2的第二电子阻挡层13b、第二发光单元2的空穴阻挡层15和第二发光单元2的电子传输层16这七个膜层设置为含有以sp3杂化碳原子(C)为中心而构成的化合物。那么，发光器件10的第一发光单元1和第二发光单元2中含有以sp3杂化碳原子(C)为中心而构成的化合物。

即第一发光单元1的第一电子阻挡层13a、第一发光单元1的第二电子阻挡层13b、第二发光单元2的第一电子阻挡层13a、第二发光单元2的第二电子阻挡层13b设置为含有第一类化合物的膜层。第一发光单元1的空穴阻挡层15、第二发光单元2的空穴阻挡层15和第二发光单元2的电子传输层16设置为含有第二类化合物的膜层。

这样设计同样有利于电荷传输的平衡，使得位于电荷产生单元3两侧的发光层14中的激子复合中心靠近发光层14的中间，进而有助于提升激子的利用率。

需要说明的是，关于第一类化合物和第二类化合物的结构可以参照上述内容，此处不再赘述。

本实施例将第一发光单元1和第二发光单元2的空穴传输层12、第一电子阻挡层13a、第二电子阻挡层13b和第三电子阻挡层13c的厚度设置相同，只是一种示例，并不是对本实施例的限制。需要说明的是，第一发光单元1和第二发光单元2的空穴传输层12、第一电子阻挡层13a、第二电子阻挡层13b和第三电子阻挡层13c的厚度和材料可以不同。

实施例2

发光器件10的结构如图2所示。

发光器件10的第一发光单元1包括：空穴注入层11、空穴传输层12、电子阻挡层13、发光层14、空穴阻挡层15和电子传输层16。

发光器件10包括沿第二方向Y依次设置的：第一电极19、空穴注入层11、空穴传输层12、电子阻挡层13、发光层14、空穴阻挡层15、电子传输层16、电子产生层31、空穴产生层32、空穴传输层12、电子阻挡层13、发光层14、空穴阻挡层15、电子传输层16、电子注入层17和第二电极20。

其中，发光器件10的第一发光单元1和第二发光单元2的电子阻挡层13均包括：第一电子阻挡层13a、第二电子阻挡层13b和第三电子阻挡层13c。发光器件10的第一发光单元1和第二发光单元2的发光层14均包括：第一子像素膜层14a、第二子像素膜层14b和第三子像素膜层14c。

示例性的，可以将第一发光单元1的空穴传输层12、第一发光单元1的第一电子阻挡层13a、第一发光单元1的空穴阻挡层15、第一发光单元1的电子传输层16、空穴产生层32、第二发光单元2的空穴传输层12、第二发光单元2的第一电子阻挡层13a、第二发光单元2的空穴阻挡层15和第二发光单元2的电子传输层16这九个膜层设置为含有以sp3杂化碳原子(C)为中心而构成的化合物。

即第一发光单元1的空穴传输层12、第一发光单元1的第一电子阻挡层13a、空穴产生层32、第二发光单元2的空穴传输层12和第二发光单元2的第一电子阻挡层13a设置为含有第一类化合物的膜层。第一发光单元1的空穴阻挡层15、第一发光单元1的电子传输层16、第二发光单元2的空穴阻挡层15和第二发光单元2的电子传输层16设置为含有第二类化合物的膜层。

示例性的，可以将第一发光单元1的第一电子阻挡层13a、第一发光单元1的第二电子阻挡层13b、第一发光单元1的空穴阻挡层15、第一发光单元1的电子传输层16、第二发光单元2的第一电子阻挡层13a、第二发光单元2的第二电子阻挡层13b、第二发光单元2的空穴阻挡层15和第二发光单元2的电子传输层16这八个膜层设置为含有以sp3杂化碳原子(C)为中心而构成的化合物。

即第一发光单元1的第一电子阻挡层13a、第一发光单元1的第二电子阻挡层13b、第二发光单元2的第一电子阻挡层13a、第二发光单元2的第二电子阻挡层13b设置为含有第一类化合物的膜层。第一发光单元1的空穴阻挡层15、第一发光单元1的电子传输层16、第二发光单元2的空穴阻挡层15和第二发光单元2的电子传输层16设置为含有第二类化合物的膜层。

这样设计有利于电荷传输的平衡，使得位于电荷产生单元3两侧的发光层14中的激子复合中心靠近发光层14的中间，进而有助于提升激子的利用率。

本实施例在第一发光单元1中增设了电子传输层16，电子传输层16可以进一步增加电子传输的效率，进一步提高发光器件10的发光性能。

需要说明的是，关于本实施例所提供的发光器件10的各膜层的厚度，可以参照实施例1，此处不再赘述。

实施例3

发光器件10的结构如图3所示。

发光器件10包括沿第二方向Y依次设置的：第一电极19、空穴注入层11、空穴传输层12、电子阻挡层13、发光层14、空穴阻挡层15、电子产生层31、空穴产生层32、空穴传输层12、电子阻挡层13、发光层14、空穴阻挡层15、电子传输层16、电子注入层17和第二电极20。

其中，发光器件10的第一发光单元1和第二发光单元2的发光层14均包括：第一子像素膜层14a、第二子像素膜层14b和第三子像素膜层14c。

发光器件10的第一发光单元1和第二发光单元2的电子阻挡层13均包括：第一电子阻挡层13a和第二电子阻挡层13b。并且，第二电子阻挡层13b为整层设置，第一电子阻挡层13a仅设置于第二电子阻挡层13b和第一子像素膜层14a之间。

示例性的，可以将第一发光单元1的空穴传输层12、第一发光单元1的第一电子阻挡层13a、第一发光单元1的空穴阻挡层15、空穴产生层32、第二发光单元2的空穴传输层12、第二发光单元2的第一电子阻挡层13a、第二发光单元2的空穴阻挡层15和第二发光单元2的电子传输层16这八个膜层设置为含有以sp3杂化碳原子(C)为中心而构成的化合物。

示例性的，可以将第一发光单元1的第一电子阻挡层13a、第一发光单元1的第二电子阻挡层13b、第一发光单元1的空穴阻挡层15、第二发光单元2的第一电子阻挡层13a、第二发光单元2的第二电子阻挡层13b、第二发光单元2的空穴阻挡层15和第二发光单元2的电子传输层16这七个膜层设置为含有以sp3杂化碳原子(C)为中心而构成的化合物。

具体可以参照实施例1关于各膜层对于以sp3杂化碳原子(C)为中心而构成的化合物的选择，此处不再赘述。

需要说明的是，在图3中并不是真实的示出了发光器件10各个膜层的堆叠结构，只是用于说明其各个膜层堆叠设置的次序。由于第二电子阻挡层13b为整层设置，第一电子阻挡层13a仅设置于第二电子阻挡层13b和第一子像素膜层14a之间。因此，在图3中，发光层14和相邻的空穴阻挡层15之间显示出有空隙区域SS，实际在发光器件10的结构中不存在这样的空隙区域SS。在发光器件10的制备过程中，后形成的膜层会覆盖在前一膜层上，例如，后形成的空穴阻挡层15会直接覆盖在发光层14上。

本公开提供的实施例3不仅有利于电荷传输的平衡，使得位于电荷产生单元3两侧的发光层14中的激子复合中心靠近发光层14的中间，提升激子的利用率。还可以进一步得到防止第一子像素膜层14a被误点亮，避免串色干扰。

因此，上述实施例1～实施例3提供的发光器件10可以保证电荷的顺利产生、注入、传输，并在发光层14中实现平衡，从而使发光器件10的效率最大化。

需要说明的是，上述实施例1～实施例3提供的发光器件10是对发光器件10的各膜层设置的示例，并不是对发光器件10的结构的限制。

在一些实施例中，如图1～图3所示，第一发光单元1的子像素膜层和第二发光单元2的子像素膜层出射相同颜色的光。第一发光单元1的子像素膜层出射的光的波长，与第二发光单元2的子像素膜层出射的光的波长差值小于或等于20nm。其中，子像素膜层包括第一子像素膜层14a、第二子像素膜层14b和第三子像素膜层14c中的任一种。

示例性的，第一发光单元1的第一子像素膜层14a和第二发光单元2的第一子像素膜层14a被配置为出射红色光，第一发光单元1的第一子像素膜层14a出射的红色光的波长，与第二发光单元2的第一子像素膜层14a出射的红色光的波长差值小于或等于20nm。

示例性的，第一发光单元1的第二子像素膜层14b和第二发光单元2的第二子像素膜层14b被配置为出射绿色光，第一发光单元1的第二子像素膜层14b出射的绿色光的波长，与第二发光单元2的第二子像素膜层14b出射的绿色光的波长差值小于或等于20nm。

示例性的，第一发光单元1的第三子像素膜层14c和第二发光单元2的第三子像素膜层14c被配置为出射蓝色光，第一发光单元1的第三子像素膜层14c出射的蓝色光的波长，与第二发光单元2的第三子像素膜层14c出射的蓝色光的波长差值小于或等于20nm。

例如，第一发光单元1的发光层14和第二发光单元2的发光层14出射相同颜色光的子像素膜层，出射光的波长差值为5nm、10nm、15nm或20nm等，此处并不设限。

通过设置第一发光单元1的发光层14和第二发光单元2的发光层14出射相同颜色光的子像素膜层，出射光的波长差值小于或等于20nm，可以防止微腔效应引起的色分离，避免发生色偏问题。

在一些实施例中，如图1～图3所示，第一发光单元1的空穴阻挡层15与第二发光单元2的空穴阻挡层15的迁移率的比值，小于等于10且大于等于0.1。第一发光单元1的空穴传输层12与第二发光单元2的空穴传输层12的迁移率的比值，小于等于10且大于等于0.1。

示例性的，第一发光单元1的空穴阻挡层15与第二发光单元2的空穴阻挡层15的迁移率的比值为10、7、4、2、1、0.5或0.1等，此处并不设限。

示例性的，第一发光单元1的空穴传输层12与第二发光单元2的空穴传输层12的迁移率的比值为10、8、5、3、1、0.6或0.1等，此处并不设限。

通过设置第一发光单元1的空穴阻挡层15与第二发光单元2的空穴阻挡层15的迁移率的比值，小于等于10且大于等于0.1，第一发光单元1的空穴传输层12与第二发光单元2的空穴传输层12的迁移率的比值，小于等于10且大于等于0.1，可以使得第一发光单元1的电子和空穴的复合区域位于第一发光单元1的发光层14的中部，第二发光单元2的电子和空穴的复合区域位于第二发光单元2的发光层14的中部，使得发光器件10具有较好的发光效果。

在一些实施例中，如图1～图3所示，空穴产生层32的HOMO能级与第二发光单元2的空穴传输层12的HOMO能级之间的差值，小于或等于0.3eV。电子产生层31的LUMO能级与第一发光单元1的空穴阻挡层15的LUMO能级之间的差值，小于或等于0.5eV。

示例性的，空穴产生层32的HOMO能级与第二发光单元2的空穴传输层12的HOMO能级之间的差值为0.3eV、0.2eV、0.1eV或0eV等，此处并不设限。

示例性的，电子产生层31的LUMO能级与第一发光单元1的空穴阻挡层15的LUMO能级之间的差值为0.5eV、0.3eV、0.1eV或0eV等，此处并不设限。

通过设置空穴产生层32的HOMO能级与第二发光单元2的空穴传输层12的HOMO能级之间的差值，小于或等于0.3eV，可以降低能级传输势垒，提高空穴传输效率。通过设置电子产生层31的LUMO能级与第一发光单元1的空穴阻挡层15的LUMO能级之间的差值，小于或等于0.5eV，同样可以降低能级传输势垒，提高电子传输效率。

在一些实施例中，如图1～图3所示，第一子像素膜层14a包括：至少一种第一主体材料和第一掺杂材料，至少一种第一主体材料包括：两种第一主体材料，两种第一主体材料为激基复合物、同分异构体和同系物中的任一种。

第二子像素膜层14b包括：至少两种第二主体材料和第二掺杂材料，至少两种第二主体材料包括两种第二主体材料，两种第二主体材料为激基复合物、同分异构体和同系物中的任一种。

第三子像素膜层14c包括：至少一种第三主体材料和第三掺杂材料，至少一种第三主体材料包括两种第三主体材料，两种第三主体材料为激基复合物、同分异构体和同系物中的任一种。所述至少一种第三主体材料中的第三主体材料，至少一种第三主体材料含有蒽衍生物。

示例性的，第一子像素膜层14a被配置为出射红色光，第一子像素膜层14a的至少一种第一主体材料包括两种第一主体材料，两种第一主体材料为如下(RH-1)和(RH-2)结构式所示的材料。

如(RH-1)和(RH-2)结构式所示的两种第一主体材料可以形成激基复合物。

示例性的，第一子像素膜层14a包括一种第一主体材料，第一主体材料为如下(RH-3)结构式所示的材料。

示例性的，第二子像素膜层14b被配置为出射绿色光，第二子像素膜层14b的两种第二主体材料为如下(GH-1)和(GH-2)结构式所示的材料。

如(GH-1)和(GH-2)结构式所示的两种第二主体材料可以形成激基复合物。

示例性的，第三子像素膜层14c被配置为出射蓝色光，第三子像素膜层14c包括一种第三主体材料，第三主体材料为如下(BH-1)结构式所示的材料，结构式如(BH-1)所示的第三主体材料一般简写为ADN。

示例性的，第三子像素膜层14c包括多种第三主体材料，多种第三主体材料中的至少一种为蒽衍生物。其中，蒽的结构如下式所示，可以理解的是，蒽衍生物是指蒽上的氢原子(H)被取代后的化合物。

示例性的，第一掺杂材料和第二掺杂材料为磷光掺杂材料，第三掺杂材料为荧光掺杂材料或者磷光掺杂材料。

需要说明的是，磷光掺杂材料受激发后产生的单重态激子和三重态激子跃迁到基态时都能够发光，使得基于磷光发光的发光器件10的IQE(Internal Quantum Efficiency，内量子效率)达到100％。

荧光掺杂材料受激发后会以25∶75的比例产生单重态激子和三重态激子，25％的单重态激子跃迁到基态时放射荧光，75％的三重态激子跃迁到基态时不发光，但是其成本较低，且污染较小。

通过设置两种第一主体材料为激基复合物、同分异构体和同系物中的任一种，两种第二主体材料为激基复合物、同分异构体和同系物中的任一种，以及两种第三主体材料为激基复合物、同分异构体和同系物中的任一种，有利于提升激子的利用率，进而提升发光器件10的效率。

以下对发光器件10各个膜层形成用常用材料进行列举示例。

示例性的，如图1所示，第一电极19为阳极，采用高功函数的材料制成的单层透明电极，如透明氧化物ITO、IZO；也可以为ITO/Ag/ITO、Ag/IZO、CNT/ITO、CNT/IZO、GO/ITO、GO/IZO等等形成的复合电极。

示例性的，如图1所示，空穴注入层11的材料具体可以为无机的氧化物，例如钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物、锰氧化物等，也可以为强吸电子体系的掺杂物，例如F4TCNQ、HATCN等。还可以在空穴传输材料中进行P型掺杂，掺杂厚度为5～20nm，通过共蒸形成空穴注入层11。还可以为PPDN。其中，F4TCNQ、HATCN和PPDN的结构式如下所示。

示例性的，如图1所示，空穴传输层12的材料是具有良好的空穴传输特性，可以为芳胺类或者咔唑类材料，如NPB、TPD、BAFLP或DFLDPBi等，空穴传输层12的材料还可以为TCTA或TAPC。其中，NPB、TCTA和TAPC的结构式如下所示。

示例性的，如图1所示，电子阻挡层13的材料具有良好的空穴传输性，可以使用芳胺类或者咔唑类材料，例如CBP、PCzPA等。

示例性的，如图1所示，第一子像素膜层14a被配置为出射红色光，第一子像素膜层14a的第一主体材料可以选自DCM系列材料，如DCM、DCJTB，DCJTI等。第一掺杂材料可以为金属配合物，如Ir(piq)2(acac)、PtOEP、Ir(btp)2(acac)等。其中，Ir(piq)2(acac)的结构式如下所示。

示例性的，如图1所示，第二子像素膜层14b被配置为出射绿色光，第二子像素膜层14b的第二主体材料可选自如香豆素染料、喹吖啶铜类衍生物、多环芳香烃、二胺蒽类衍生物、咔唑衍生物，如DMQA、BA-NPB、Alq3等。第二掺杂材料可以为金属配合物等，如Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)等。其中，Ir(ppy)3的结构式如下所示。

示例性的，如图1所示，第三子像素膜层14c被配置为出射蓝色光，第三子像素膜层14c的第三主体材料可选自蒽衍生物ADN、MADN等。第三掺杂材料可为芘衍生物、芴衍生物、苝衍生物、苯乙烯基胺衍生物、金属配合物等，如TBPe、BDAVBi、DPAVBi、FIrpic等。其中，DPAVBi的结构式如下所示。

示例性的，如图1所示，空穴产生层32采用空穴型材料，例如可以为NPB、TPD等，空穴产生层32还可以设置掺杂剂，空穴产生层32的掺杂剂可以为HATCN、F4TCNQ等。电子产生层31的第四掺杂材料可以为诸如锂(Li)、钠(Na)、钾(K)或铯(Cs)之类的碱金属或者诸如镁(Mg)、锶(Sr)、钡(Ba)或镭(Ra)之类的碱土金属及其氧化物。

示例性的，如图1所示，空穴阻挡层15和电子传输层16一般为芳族杂环化合物，例如苯并咪唑衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并咪唑并菲啶衍生物等咪唑衍生物，嘧啶衍生物、三嗪衍生物等嗪衍生物，喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等包含氮六元环结构的化合物、BPhen、BCP等。也包括在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物，例如，OXD-7、TAZ或p-EtTAZ等，还包括TPBi等。其中，BPhen和TPBi的结构式如下所示。

示例性的，如图1所示，电子注入层17的材料一般为碱金属或者金属，例如LiF、Yb、Mg、Ca或者他们的化合物等。

示例性的，如图1所示，发光器件10可以制作形成于基板50上，基板50可选为任意透明的刚性或柔性的衬底材料，如玻璃、聚酰亚胺等。

以下介绍发光器件10的制备方法。

示例性的，以制备如图3所示的发光器件10为例，发光器件10的制备方法包括步骤S1～S4，制备步骤如图4所示，其结构参照图3所示。

S1：在带有第一电极19的基板50上形成第一发光单元1。

示例性的，第一发光单元1包括：空穴注入层11、空穴传输层12、电子阻挡层13、发光层14和空穴阻挡层15。其中，电子阻挡层13包括：第二电子阻挡层13b和第一电子阻挡层13a，发光层14包括：第一子像素膜层14a、第二子像素膜层14b和第三子像素膜层14c。

示例性的，在带有第一电极19的基板50上形成第一发光单元1之前，还包括步骤S0，步骤S0为：清洗带有第一电极19的基板50。

示例性的，第一电极19为阳极，第一电极19的材料为氧化铟锡(ITO)。

示例性的，基板50采用玻璃基板。

示例性的，将带有ITO的玻璃基板在清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮-乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份。

S2：在第一发光单元1远离基板50的一侧形成电荷产生单元3。

示例性的，电荷产生单元3包括：电子产生层31和空穴产生层32。

S3：在电荷产生单元3远离第一发光单元1的一侧形成第二发光单元2。

示例性的，第二发光单元2包括：空穴传输层12、电子阻挡层13、发光层14、空穴阻挡层15、电子传输层16和电子注入层17。其中，电子阻挡层13包括：第二电子阻挡层13b和第一电子阻挡层13a，发光层14包括：第一子像素膜层14a、第二子像素膜层14b和第三子像素膜层14c。

S4：在第二发光单元2远离电荷产生单元3的一侧形成第二电极20。

示例性的，第二电极20的材料采用MgAg合金，镁(Mg)和银(Ag)的质量比为1:9。

示例性的，采用蒸镀工艺形成第二电极20。

以下介绍形成第一发光单元1的步骤。步骤S1在带有第一电极19的基板50上形成第一发光单元1的具体步骤包括S11～S16，具体如图5所示，其结构可以参照图3所示。

S11：在第一电极19远离基板50的一侧形成空穴注入层11。

示例性的，空穴注入层11的材料包括，其中，NPB在空穴注入层11中的质量占比为5％。关于HATCN和NPB的结构可以参照上述内容，此处不再赘述。

示例性的，把上述带有第一电极19的基板50置于真空腔内，抽真空至1×10^-5Pa～1×10^-6Pa，在第一电极19远离基板50的一侧真空共蒸HATCN和NPB，形成空穴注入层11。

S12：在空穴注入层11远离第一电极19的一侧形成空穴传输层12。

示例性的，空穴传输层12的材料为NPB(N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4-4'-二胺)。

示例性的，在空穴注入层11远离第一电极19的一侧蒸镀NPB，形成空穴传输层12。

S13：在空穴传输层12远离空穴注入层11的一侧形成第二电子阻挡层13b。

示例性的，第二电子阻挡层13b的材料的结构式如下式所示，表示为(13b-1)。

示例性的，在空穴传输层12远离空穴注入层11的一侧蒸镀如(13b-1)结构式所示的材料，形成第二电子阻挡层13b。

S14：在第二电子阻挡层13b远离空穴传输层12的一侧，且在对应预形成第一子像素膜层14a的区域，形成第一电子阻挡层13a。

示例性的，第一电子阻挡层13a的材料采用TCTA，关于TCTA的结构式可以参照上述内容，此处不再赘述。

示例性的，在第二电子阻挡层13b远离空穴传输层12的一侧，且在预形成第一子像素膜层14a的区域，蒸镀TCTA，形成第一电子阻挡层13a。

S15：形成发光层14，发光层14包括第一子像素膜层14a、第二子像素膜层14b和第三子像素膜层14c。

示例性的，第一子像素膜层14a被配置为出射红色光，第一子像素膜层14a的材料包括两种第一主体材料，两种第一主体材料为如(RH-1)和(RH-2)结构式所示的材料。如(RH-1)和(RH-2)结构式所示的两种第一主体材料可以形成激基复合物。第一子像素膜层14a的材料还包括第一掺杂材料，第一掺杂材料采用Ir(piq)2(acac)，Ir(piq)2(acac)的结构式可以参照上述内容，此处不再赘述。

示例性的，在第一电子阻挡层13a远离第二电子阻挡层13b的一侧，蒸镀如(RH-1)和(RH-2)结构式所示的两种第一主体材料和Ir(piq)2(acac)形成的混合材料，形成第一子像素膜层14a。

示例性的，第二子像素膜层14b被配置为出射绿色光，第二子像素膜层14b的材料包括两种第二主体材料，两种第二主体材料为如(GH-1)和(GH-2)结构式所示的材料。如(GH-1)和(GH-2)结构式所示的两种第二主体材料可以形成激基复合物。第二子像素膜层14b还包括第二掺杂材料，第二掺杂材料采用Ir(ppy)3，第二掺杂材料的结构式可以参照上述内容，此处不再赘述。

示例性的，在第二电子阻挡层13b远离空穴传输层12的一侧，且在预形成第二子像素膜层14b的区域，蒸镀如(GH-1)和(GH-2)结构式所示的材料和Ir(ppy)3形成的混合材料，形成第二子像素膜层14b。

示例性的，第三子像素膜层14c被配置为出射蓝色光，第三子像素膜层14c包括一种第三主体材料，第三主体材料为如(BH-1)结构式所示的材料，如(BH-1)所示的结构式可以参照上述内容，此处不再赘述。第三子像素膜层14c还包括第三掺杂材料，第三掺杂材料的结构如下式所示，表示为(BD-1)。

示例性的，在第二电子阻挡层13b远离空穴传输层12的一侧，且在预形成第三子像素膜层14c的区域，蒸镀如(BH-1)结构式所示的材料和如(BD-1)结构式所示的材料的混合材料，形成第三子像素膜层14c。

第一子像素膜层14a、第二子像素膜层14b和第三子像素膜层14c形成发光层14。

S16：在发光层14远离第二电子阻挡层13b的一侧形成空穴阻挡层15。

示例性的，空穴阻挡层15的材料采用如下结构式所示的材料，表示为(HBL-1)。

示例性的，在发光层14远离第二电子阻挡层13b的一侧，蒸镀如(HBL-1)结构式所示的材料，形成空穴阻挡层15。

可以理解的是，形成空穴阻挡层15后，即得到了发光器件10的第一发光单元1。

以下介绍形成电荷产生单元3的步骤。步骤S2在第一发光单元1远离基板50的一侧形成电荷产生单元3的具体步骤包括S21～S22，具体如图5所示，其结构可以参照图3所示。

S21：在空穴阻挡层15远离发光层14的一侧形成电子产生层31。

示例性的，电子产生层31的材料采用结构式如(3-6)所示的材料和金属镱(Yb)的混合材料，金属镱(Yb)在电子产生层31中的质量占比为1％。如(3-6)所示的结构式可以参照上述内容，此处不再赘述。

示例性的，在空穴阻挡层15远离发光层14的一侧，沉积如(3-6)所示的结构式的材料和金属镱(Yb)的混合材料，形成电子产生层31。

S22：在电子产生层31远离空穴阻挡层15的一侧形成空穴产生层32。

示例性的，空穴产生层32采用结构式如(PCGL-1)所示的材料和三轴晞类化合物的混合材料，三轴晞类化合物在空穴产生层32中的质量占比为5％。其中，三轴晞类化合物的结构可以参照上述内容，此处不再赘述。如(PCGL-1)所示的结构式如下所述。

可以理解的是，形成空穴产生层32后，即得到了发光器件10的电荷产生单元3。

以下介绍形成第二发光单元2的步骤。步骤S3在电荷产生单元3远离第一发光单元1的一侧形成第二发光单元2的具体步骤包括S31～S37，具体如图5所示，其结构可以参照图3所示。

S31：在空穴产生层32远离电子产生层31的一侧形成空穴传输层12。

第二发光单元2的空穴传输层12的形成步骤可以参照步骤S12形成第一发光单元1的空穴传输层12的步骤，此处不再赘述。

S32：在空穴传输层12远离空穴产生层32的一侧形成第二电子阻挡层13b。

第二发光单元2的第二电子阻挡层13b的形成步骤可以参照步骤S13形成第一发光单元1的第二电子阻挡层13b的步骤，此处不再赘述。

S33：在第二电子阻挡层13b远离空穴传输层12的一侧，且在对应预形成第一子像素膜层14a的区域，形成第一电子阻挡层13a。

第二发光单元2的第一电子阻挡层13a的形成步骤可以参照步骤S14形成第一发光单元1的第一电子阻挡层13a的步骤，此处不再赘述。

S34：形成发光层14，发光层14包括第一子像素膜层14a、第二子像素膜层14b和第三子像素膜层14c。

第二发光单元2的发光层14的形成步骤可以参照步骤S15形成第一发光单元1的发光层14的步骤，此处不再赘述。

S35：在发光层14远离第二电子阻挡层13b的一侧形成空穴阻挡层15。

第二发光单元2的空穴阻挡层15的形成步骤可以参照步骤S16形成第一发光单元1的空穴阻挡层15的步骤，此处不再赘述。

S36：在空穴阻挡层15远离发光层14的一侧形成电子传输层16。

示例性的，电子传输层16的材料采用TPBi和LiQ的混合物。TPBi和LiQ的结构式参照上述内容，此处不再赘述。

示例性的，在空穴阻挡层15远离发光层14的一侧，真空蒸镀材料TPBi和LiQ的混合物，形成电子传输层16。

S37：在电子传输层16远离空穴阻挡层15的一侧形成电子注入层17。

示例性的，电子注入层17的材料采用金属镱(Yb)。

示例性的，在电子传输层16远离空穴阻挡层15的一侧，通过真空蒸镀金属镱(Yb)形成电子注入层17。

可以理解的是，形成电子注入层17后，即得到了发光器件10的第二发光单元2。

需要说明的是，上述制备方法形成的发光器件10的第一发光单元1和第二发光单元2相同功能的膜层的材料相同。例如，第一发光单元1的空穴传输层12和第二发光单元2的空穴传输层12材料相同，第一发光单元1的第二电子阻挡层13b和第二发光单元2的第二电子阻挡层13b材料相同，第一发光单元1的第一电子阻挡层13a和第二发光单元2的第一电子阻挡层13a材料相同，第一发光单元1的空穴阻挡层15和第二发光单元2的空穴阻挡层15材料相同。并不是对本公开实施例的限制。

可以理解的是，发光器件10的第一发光单元1和第二发光单元2相同功能的膜层的材料可以不同。且第一发光单元1和第二发光单元2所包括的第一类功能层21和第二类功能层41的结构和材料可以相同，也可以不同，此处并不设限。

以下对不同的实施例和对比例使用不同的材料形成的发光器件10的电压、发光效率和器件寿命进行对比。

实施例包括实施例4～实施例9，在以下的对比例和实施例中，发光器件10的结构以及发光器件10的测试条件均相同。

不同的是，对比例和实验例所采用的空穴阻挡层15(表示为HBL)、第一电子阻挡层13a(表示为REBL)、第二电子阻挡层13b(表示为GEBL)、空穴产生层32(表示为PCGL)、电子传输层16(表示为ETL)和空穴传输层12(表示为HTL)的材料不完全相同。

其中，在实施例4中，空穴阻挡层15(表示为HBL)的材料的结构式如(2-1)所示，第一电子阻挡层13a(表示为REBL)的材料的结构式如(1-13)所示，第二电子阻挡层13b(表示为GEBL)的材料的结构式如(1-1)所示，空穴产生层32(表示为PCGL)的材料的结构式如(1-7)所示，电子传输层16(表示为ETL)的材料的结构式如(2-8)所示，空穴传输层12(表示为HTL)的材料的结构式如(1-5)所示。

其中，在实施例5中，空穴阻挡层15(表示为HBL)的材料的结构式如(2-1)所示，第一电子阻挡层13a(表示为REBL)的材料的结构式如(1-13)所示，第二电子阻挡层13b(表示为GEBL)的材料采用对比GEBL，空穴产生层32(表示为PCGL)的材料的结构式如(1-7)所示，电子传输层16(表示为ETL)的材料的结构式如(2-8)所示，空穴传输层12(表示为HTL)的材料的结构式如(1-5)所示。

例如，对比GEBL可以采用芳胺类或者咔唑类材料，例如CBP、PCzPA等，即对比GEBL采用未含有以sp3杂化的碳原子为中心而构成的化合物。

其中，在实施例6中，空穴阻挡层15(表示为HBL)的材料的结构式如(2-1)所示，第一电子阻挡层13a(表示为REBL)的材料的结构式如(1-13)所示，第二电子阻挡层13b(表示为GEBL)的材料采用对比GEBL，空穴产生层32(表示为PCGL)的材料采用对比PCGL，电子传输层16(表示为ETL)的材料的结构式如(2-8)所示，空穴传输层12(表示为HTL)的材料的结构式如(1-5)所示。

例如，对比PCGL可以采用NPB(N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4-4'-二胺)，即对比PCGL采用未含有以sp3杂化的碳原子为中心而构成的化合物。

其中，在实施例7中，空穴阻挡层15(表示为HBL)的材料的结构式如(2-1)所示，第一电子阻挡层13a(表示为REBL)的材料采用对比REBL，第二电子阻挡层13b(表示为GEBL)的材料采用对比GEBL，空穴产生层32(表示为PCGL)的材料采用对比PCGL，电子传输层16(表示为ETL)的材料的结构式如(2-8)所示，空穴传输层12(表示为HTL)的材料的结构式如(1-5)所示。

例如，对比REBL采用芳胺类或者咔唑类材料，例如CBP、PCzPA等，即对比REBL采用未含有以sp3杂化的碳原子为中心而构成的化合物。

其中，在实施例8中，空穴阻挡层15(表示为HBL)的材料采用对比HBL，第一电子阻挡层13a(表示为REBL)的材料的结构式如(1-13)所示，第二电子阻挡层13b(表示为GEBL)的材料的结构式如(1-1)所示，空穴产生层32(表示为PCGL)的材料的结构式如(1-7)所示，电子传输层16(表示为ETL)的材料采用对比ETL，空穴传输层12(表示为HTL)的材料的结构式如(1-5)所示。

例如，对比HBL采用BPhen，BPhen的结构式可以参照上述内容，此处不再赘述。对比HBL采用未含有以sp3杂化的碳原子为中心而构成的化合物。对比ETL采用TPBi，TPBi的结构式可以参照上述内容，此处不再赘述。对比ETL采用未含有以sp3杂化的碳原子为中心而构成的化合物。

其中，在实施例9中，空穴阻挡层15(表示为HBL)的材料的结构式如(2-1)所示，第一电子阻挡层13a(表示为REBL)的材料采用对比REBL，第二电子阻挡层13b(表示为GEBL)的材料采用对比GEBL，空穴产生层32(表示为PCGL)的材料采用对比PCGL，电子传输层16(表示为ETL)的材料采用对比ETL，空穴传输层12(表示为HTL)的材料采用对比HTL。

例如，对比HTL采用NPB，NPB的结构式可以参照上述内容，此处不再赘述。对比HTL采用未含有以sp3杂化的碳原子为中心而构成的化合物。

其中，在对比例1中，空穴阻挡层15(表示为HBL)的材料采用对比HBL，第一电子阻挡层13a(表示为REBL)的材料采用对比REBL，第二电子阻挡层13b(表示为GEBL)的材料采用对比GEBL，空穴产生层32(表示为PCGL)的材料采用对比PCGL，电子传输层16(表示为ETL)的材料采用对比ETL，空穴传输层12(表示为HTL)的材料采用对比HTL。

为了更清楚的描述实施例和对比例所采用的空穴阻挡层15(表示为HBL)、第一电子阻挡层13a(表示为REBL)、第二电子阻挡层13b(表示为GEBL)、空穴产生层32(表示为PCGL)、电子传输层16(表示为ETL)和空穴传输层12(表示为HTL)的材料的结构式不同，采用表2更清楚的显示实施例和对比例所采用的空穴阻挡层15(表示为HBL)、第一电子阻挡层13a(表示为REBL)、第二电子阻挡层13b(表示为GEBL)、空穴产生层32(表示为PCGL)、电子传输层16(表示为ETL)和空穴传输层12(表示为HTL)的材料的结构式。

表2

	HBL	REBL	GEBL	PCGL	ETL	HTL
							实施例4	(2-1)	(1-13)	(1-1)	(1-7)	(2-8)	(1-5)
实施例5	(2-1)	(1-13)	对比GEBL	(1-7)	(2-8)	(1-5)
							实施例6	(2-1)	(1-13)	对比GEBL	对比PCGL	(2-8)	(1-5)
实施例7	(2-1)	对比REBL	对比GEBL	对比PCGL	(2-8)	(1-5)
							实施例8	对比HBL	(1-13)	(1-1)	(1-7)	对比ETL	(1-5)
实施例9	(2-1)	对比REBL	对比GEBL	对比PCGL	对比ETL	对比HTL
							对比例1	对比HBL	对比REBL	对比GEBL	对比PCGL	对比ETL	对比HTL

其中，如式(2-1)、(1-13)、(1-1)、(1-7)、(2-8)和(1-5)所示的材料的结构式参照上述内容，此处不再赘述。

基于以上材料，将实施例4～实施例9，以及对比例1所采用的材料制作成对应的膜层，对实验例4～实验例9以及对比例1的发光器件10进行电压(V)、发光效率(cd/A)和器件寿命(h)性能进行测试，数据结构以对比例1为参考，测试结果如下表3所示。

表3

	电压	发光效率	器件寿命
				实施例4	92％	119％	152％
实施例5	94％	117％	133％
				实施例6	97％	108％	128％
实施例7	96％	106％	111％
				实施例8	96％	105％	109％
实施例9	97％	102％	103％
				对比例1	100％	100％	100％

由表3可知，以对比例1中的测试数据作为参比，设定其电压、效率和寿命数据均为100％，实施例4～实施例9与对比例1相比，发光器件10的效率和寿命均明显提高，因此，采用含有以sp3杂化的碳原子为中心而构成的化合物形成发光器件10的功能层，发光器件10的光电性能提升。

本公开的一些实施例还提供了一种发光基板100，如图6所示，该发光基板100包括如上任一实施例所述的发光器件10。

上述发光基板100的有益效果与本公开上述实施例所提供的发光器件10的有益效果相同，此处不再赘述。

本公开的一些实施例提供了一种发光装置1000，如图7所示，该发光装置1000包括如上所述的发光基板100，当然还可以包括其他部件，例如可以包括用于向发光基板100提供电信号，以驱动该发光基板100发光的电路，该电路可以称为控制电路，可以包括与发光基板100电连接的电路板和/或IC(Integrate Circuit，集成电路)。

在一些实施例中，该发光装置1000可以为照明装置，此时，发光装置1000用作光源，实现照明功能。例如，发光装置1000可以是液晶显示装置中的背光模组，用于内部或外部照明的灯，或各种信号灯等。

在另一些实施例中，该发光装置1000可以为显示装置，此时，该发光基板100为显示基板，用于实现显示图像(即画面)功能。发光装置1000可以包括显示器或包含显示器的产品。其中，显示器可以是平板显示器(Flat Panel Display，FPD)，微型显示器等。若按照用户能否看到显示器背面的场景划分，显示器可以是透明显示器或不透明显示器。若按照显示器能否弯折或卷曲，显示器可以是柔性显示器或普通显示器(可以称为刚性显示器)。示例的，包含显示器的产品可以包括：计算机显示器，电视，广告牌，具有显示功能的激光打印机，电话，手机，个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)，膝上型计算机，数码相机，便携式摄录机，取景器，车辆，大面积墙壁，剧院的屏幕或体育场标牌等。

上述发光装置1000的有益效果与本公开上述实施例所提供的发光器件10的有益效果相同，此处不再赘述。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims

1.一种功能层材料，其特征在于，包括：以sp3杂化的碳原子为中心而构成的化合物；

所述以sp3杂化的碳原子为中心而构成的化合物包括：第一类化合物，所述第一类化合物选自如下通式(Ⅰ)所示结构中的任一种；

其中，a、b、m和n的取值各自独立的选自0、1、2、3和4中的任一个，且a、b、m和n中至少一个不为0；

A1和A2相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的次芳基、取代或未取代的稠环次芳基以及取代或未取代的稠环次杂芳基中的任一种；

B1和B2相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的亚烷基、取代或未取代的亚芳基以及取代或未取代的亚杂芳基中的任一种；

L1、L2、L3和L4相同或不同，分别独立的选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的芴、取代或未取代的金刚烷以及取代或未取代的亚杂芳基中的任一种；

2.根据权利要求1所述的功能层材料，其特征在于，所述以sp3杂化的碳原子为中心而构成的化合物还包括：第二类化合物，所述第二类化合物选自如下通式(Ⅱ)所示结构中的任一种；

其中，e、f、o和p的取值各自独立的选自0、1、2、3和4中的任一个，且e、f、o和p中至少一个不为0；

X₁、X₂和X₃相同或不同，分别独立的选自-CR₃和N中的任一个，且X₁、X₂和X₃中至少一个为N；

3.根据权利要求1或2所述的功能层材料，其特征在于，

A1和A2相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的苯、取代或未取代的萘、取代或未取代的菲、取代或未取代的苯并呋喃、取代或未取代的苯并噻吩、取代或未取代的二苯并呋喃以及取代或未取代的二苯并噻吩中的任一种；

B1和B2相同或不同，分别独立的选自取代或未取代的亚甲基、取代或未取代的金刚烷以及取代或未取代的环己烷中的任一种。

4.根据权利要求1所述的功能层材料，其特征在于，B1和B2能够键合成环。

5.根据权利要求2或4所述的功能层材料，其特征在于，所述第一类化合物为空穴型材料，用于传输空穴；所述第二类化合物为电子型材料，用于传输电子。

6.一种发光器件，其特征在于，包括：至少两个发光单元，所述至少两个发光单元中的每个发光单元包括：发光层、设置于所述发光层一侧的第一类功能层、以及设置于所述发光层另一侧的第二类功能层；

其中，所述第一类功能层包括多个空穴传输功能层，所述多个空穴传输功能层中的至少两个空穴传输功能层包括如权利要求1～5任一项所述的第一类化合物；

所述第二类功能层包括一个电子传输功能层，所述一个电子传输功能层包括如权利要求2～5任一项所述的第二类化合物中的一种；或，所述第二类功能层包括多个电子传输功能层，所述多个电子传输功能层中的至少两个电子传输功能层包括如权利要求2～5任一项所述的第二类化合物。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，还包括：设置于所述至少两个发光单元中相邻的两个发光单元之间的电荷产生单元，所述电荷产生单元包括空穴产生层和电子产生层；

所述空穴产生层包括两种材料，所述两种材料中的至少一种为所述第一类化合物。

8.根据权利要求7所述发光器件，其特征在于，所述电子产生层包括第四主体材料，所述主体材料选自如下通式(Ⅲ)中的任一种；

其中，R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁、A₃和A₄相同或不同，分别独立的选自膦氧基、H、D、F、取代或未取代的C1～C18烷基、取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基，并且，R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁、A₃和A₄中至少一个为膦氧基；

k和h取值各自独立的选自0、1、2、3、4和5中的任一个。

9.根据权利要求8所述发光器件，其特征在于，R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀和R₁₁中相邻的两个能够键合成环；

h≥2，相邻的A₃能够键合成环；

k≥2，相邻的A₄能够键合成环。

10.根据权利要求6或9所述的发光器件，其特征在于，所述发光层包括：第一子像素膜层、第二子像素膜层和第三子像素膜层，所述第一子像素膜层、所述第二子像素膜层和所述第三子像素膜层沿第一方向排列设置；

所述第一子像素膜层被配置为出射红色光、蓝色光和绿色光中的一种，所述第二子像素膜层被配置为出射红色光、蓝色光和绿色光中的另一种，所述第三子像素膜层被配置为出射红色光、蓝色光和绿色光中的最后一种。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，所述第一类功能层包括空穴传输层和设置于所述空穴传输层和所述发光层之间的多个电子阻挡层；

所述空穴传输层和所述多个电子阻挡层中至少两者含有所述第一类化合物；

所述第二类功能层包括一个电子传输功能层，所述一个电子传输功能层为空穴阻挡层，所述空穴阻挡层含有所述第二类化合物；或，所述第二类功能层包括多个电子传输功能层，所述多个电子传输功能层包括：空穴阻挡层和电子传输层，所述空穴阻挡层和所述电子传输层均含有所述第二类化合物。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于，所述多个电子阻挡层包括：第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和第三电子阻挡层，所述第一电子阻挡层、所述第二电子阻挡层和所述第三电子阻挡层沿所述第一方向排列设置；或，

所述多个电子阻挡层包括：第一电子阻挡层和第二电子阻挡层，所述第二电子阻挡层设置于所述发光层和所述空穴传输层之间，所述第一电子阻挡层设置于所述第二电子阻挡层和所述第一子像素膜层之间。

13.根据权利要求12所述的发光器件，其特征在于，所述第一子像素膜层被配置为出射红色光，所述第一电子阻挡层设置于所述第一子像素膜层和所述空穴传输层之间；

所述第一电子阻挡层和所述空穴传输层均含有所述第一类化合物。

14.根据权利要求12所述的发光器件，其特征在于，所述第一子像素膜层被配置为出射红色光，所述第一电子阻挡层设置于所述第一子像素膜层和所述空穴传输层之间；

所述第二子像素膜层被配置为出射绿色光，所述第二电子阻挡层设置于所述第二子像素膜层和所述空穴传输层之间；

所述第一电子阻挡层和所述第二电子阻挡层均含有所述第一类化合物。

15.根据权利要求11或14所述发光器件，其特征在于，所述多个电子阻挡层包括：第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和第三电子阻挡层；

所述第一子像素膜层被配置为出射红色光，所述第一电子阻挡层设置于所述第一子像素膜层和所述空穴传输层之间；

所述第三子像素膜层被配置为出射蓝色光，所述第三电子阻挡层设置于所述第三子像素膜层和所述空穴传输层之间；

其中，所述第一电子阻挡层的比表面积小于所述第二电子阻挡层的比表面积；且，所述第一电子阻挡层的比表面积小于所述第三电子阻挡层的比表面积。

16.根据权利要求15所述的发光器件，其特征在于，所述第三子像素膜层的启亮电压，大于所述第二子像素膜层的启亮电压；所述第二子像素膜层的启亮电压，大于所述第一子像素膜层的启亮电压。

17.根据权利要求11或16所述的发光器件，其特征在于，所述至少两个发光单元包括：第一发光单元和第二发光单元；

所述第一发光单元、所述电荷产生单元和所述第二发光单元沿第二方向依次层叠设置；所述第二方向与所述第一方向垂直；

所述第一发光单元的所述第一类功能层、所述发光层和所述第二类功能层沿所述第二方向层叠设置；所述第一发光单元的所述第一类功能层还包括空穴注入层，所述空穴注入层设置于所述空穴传输层远离所述发光层的一侧；

所述第二发光单元的所述第一类功能层、所述发光层和所述第二类功能层沿所述第二方向层叠设置；所述第二发光单元的所述第二类功能层包括空穴阻挡层和电子传输层，所述第二发光单元的所述第二类功能层还包括电子注入层，所述电子注入层设置于所述电子传输层远离所述发光层的一侧。

18.根据权利要求17所述发光器件，其特征在于，所述第一发光单元的子像素膜层和所述第二发光单元的子像素膜层出射相同颜色的光；所述第一发光单元的子像素膜层出射的光的波长，与所述第二发光单元的子像素膜层出射的光的波长差值小于或等于20nm；

其中，所述子像素膜层包括所述第一子像素膜层、所述第二子像素膜层和所述第三子像素膜层中的任一种。

19.根据权利要求18所述发光器件，其特征在于，所述第一发光单元的空穴阻挡层与所述第二发光单元的空穴阻挡层的迁移率的比值，小于或等于10且大于或等于0.1；

所述第一发光单元的空穴传输层与所述第二发光单元的空穴传输层的迁移率的比值，小于或等于10且大于或等于0.1。

20.根据权利要求16所述发光器件，其特征在于，所述空穴产生层的HOMO能级与所述第二发光单元的所述空穴传输层的HOMO能级之间的差值，小于或等于0.3eV；

所述电子产生层的LUMO能级与所述第一发光单元的所述空穴阻挡层的LUMO能级之间的差值，小于或等于0.5eV。

21.根据权利要求7或20所述发光器件，其特征在于，所述电子产生层的偶极矩大于4D。

22.根据权利要求21所述发光器件，其特征在于，所述电子产生层还包括第四掺杂材料，所述第四掺杂材料包括碱金属及其氧化物、碱土金属及其氧化物和过渡金属及其氧化物中的任一种。

23.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，所述第一子像素膜层包括：至少一种第一主体材料和第一掺杂材料，所述至少一种第一主体材料包括：两种第一主体材料，所述两种第一主体材料为激基复合物、同分异构体和同系物中的任一种；

所述第二子像素膜层包括：至少两种第二主体材料和第二掺杂材料，所述至少两种第二主体材料包括：两种第二主体材料，所述两种第二主体材料为激基复合物、同分异构体和同系物中的任一种；

所述第三子像素膜层包括：至少一种第三主体材料和第三掺杂材料，所述至少一种第三主体材料包括两种第三主体材料，所述两种第三主体材料为激基复合物、同分异构体和同系物中的任一种；所述至少一种第三主体材料中的第三主体材料，至少一种所述第三主体材料含有蒽衍生物。

24.根据权利要求7或23所述的发光器件，其特征在于，还包括：第一电极和第二电极，所述至少两个发光单元和所述电荷产生单元设置于所述第一电极和所述第二电极之间。

25.一种发光基板，其特征在于，包括如权利要求6～24任一项所述的发光器件。

26.一种发光装置，其特征在于，包括如权利要求25所述的发光基板。