CN115148885A - 显示模组及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了显示模组及其制备方法、显示装置,包括衬底;发光层,所述发光层位于所述衬底一侧,所述发光层包括发光元件组,所述发光元件组包括至少两个相同颜色的发光元件;线栅结构,位于所述发光元件远离所述衬底一侧,所述线栅结构包括多个第一部,所述第一部之间具有狭缝,相邻两个不同发光元件的所述狭缝的延伸方向相交;所述第一部形成在所述发光元件的出光面上。通过在发光元件上直接形成线栅结构,使发光元件发出的光线直接转换为偏振光,实现偏振效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种显示模组及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着Mini-LED/Micro-LED做为新一代的显示技术的出现,就是将发光二极管(LED)结构设计进行薄膜化、微小化与阵列化形成微型化LED阵列的结构,其体积约为目前主流LED大小的1%。
Mini-LED也就是迷你发光二极管,与普通的LED相比,Mini-LED要小得多,仅为50-200微米。在同样的大屏尺寸内,Mini-LED的单位面积密度更高、光源单位尺寸更小,因而可以带来更高的亮度和可控的色域,画质更加鲜艳,能呈现更细致的显示画面。
Micro-LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元,将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于Micro-LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点,在显示方面与LCD、有机发光二极管(OLED)相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势,但需要在Micro-LED显示面板出光侧额外设置聚合物薄膜偏振器以实现偏振效果,但设置聚合物薄膜偏振器会增加起偏器材的层数,从而增加显示模组的整体厚度,并损失部分亮度,降低光效。
因此,亟需提供一种显示模组及其制备方法、显示装置,使发光元件发出的光线具有偏振光效果,结构轻薄且显示效果优良。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种显示模组,包括衬底;
发光层,所述发光层位于所述衬底一侧,所述发光层包括发光元件组,所述发光元件组包括至少两个相同颜色的发光元件;
线栅结构,位于所述发光元件远离所述衬底一侧,所述线栅结构包括多个第一部,所述第一部之间具有狭缝,相邻两个不同发光元件的所述狭缝的延伸方向相交;
所述第一部形成在所述发光元件的出光面上。
本发明还提供了一种包括上述显示模组的显示装置
本发明还提供了显示模组的制备方法,包括以下步骤:
提供基底;
在基底上制作发光元件组,其中,所述发光元件组包括至少两个颜色相同的发光元件;
在所述发光元件远离所述基底的一侧上形成线栅结构,所述线栅结构包括多个第一部,第一部之间包括狭缝,对应每个发光元件组中的相邻两个不同的发光元件上所述狭缝的延伸方向不同;
形成所述线栅结构后,对基底上的发光元件进行分割,形成独立的发光元件;
提供衬底,将分割后的所述发光元件转移至所述衬底上。
与现有技术相比,本发明提供的显示模组及其制备方法、显示装置,至少实现了如下的有益效果:
本发明提供的显示模组中通过发光层包括发光元件组,发光元件组包括至少两个相同颜色的发光元件;线栅结构,位于发光元件远离衬底一侧,线栅结构包括多个第一部,第一部之间具有狭缝,相邻两个不同发光元件的狭缝的延伸方向相交;第一部形成在发光元件的出光面上,一方面,可以在发光元件上集成偏振特性,使发光元件发出的光线直接转换为线偏振光,从而实现偏振效果;另一方面,在发光元件的出光面直接形成第一部,相比于现有技术中通过在发光显示屏外侧添加聚合物薄膜偏振器来实现偏振效果,本发明不需要在显示面板出光侧额外设置聚合物薄膜偏振器,能够减少显示模组中膜材层数,从而降低整体显示模组的厚度,同时相比于现有技术无需对应聚合物薄膜偏振器与LED之间的间距,此外,当LED背光时,能够有效地提升光效利用率。
当然,实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述,本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例,并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明提供的一种显示模组的截面图;
图2是本发明提供的线栅结构的一种的平面结构示意图;
图3是本发明提供的又一种显示模组的截面图;
图4是本发明提供的线栅结构的又一种的平面结构示意图;
图5是本发明提供的线栅结构的另一种的平面结构示意图;
图6是本发明提供的线栅结构的另一种的平面结构示意图;
图7是本发明提供的线栅结构的另一种的平面结构示意图;
图8是本发明提供的第二子线栅结构形成在第二发光元件上的结构示意图;
图9是本发明提供的一种显示装置的结构示意图;
图10是本发明提供的一种显示模组的制备方法的流程示意图;
图11是本发明提供的线栅结构的制作方法中步骤时S31的示意图;
图12是本发明提供的线栅结构的制作方法中步骤时S32的示意图;
图13是本发明提供的线栅结构的制作方法中步骤时S33的示意图;
图14是本发明提供的线栅结构的制作方法中步骤时S34的示意图;
图15是本发明提供的线栅结构的制作方法中将第一部形成在发光元件上的示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
由于LED发出的自然光线不具备偏振光特性,无法实现偏振光线自由切换,所以目前常用的LED三维图像成像技术,主要通过在发光显示屏外侧添加聚合物薄膜偏振器实现,例如,使用条状的吸收式线性偏振器。但是,使用该方式需将聚合物薄膜偏振器切成像素宽的条状,并水平、垂直或对角对齐,设置聚合物薄膜偏振器会增加显示模组厚度。
有鉴于此,本发明提供了一种显示模组及其制备方法、显示装置,能够使发光元件发出的光线具有偏振光效果。
图1是本发明提供的一种显示模组的截面图;图2是本发明提供的线栅结构的一种的平面结构示意图;图3是本发明提供的又一种显示模组的截面图;图4是本发明提供的线栅结构的又一种的平面结构示意图;参照图1-图4所示,本实施例提供一种显示模组100,包括衬底1;
发光层2,发光层2位于衬底1一侧,发光层2包括发光元件组20,发光元件组20包括至少两个相同颜色的发光元件201;
线栅结构3,位于发光元件201远离衬底1一侧,线栅结构3包括多个第一部30,第一部30之间具有狭缝31,相邻两个不同发光元件201的狭缝31的延伸方向相交;
第一部30形成在发光元件201的出光面上。
具体的,衬底1可以玻璃衬底1,也可以是聚酰亚胺(polyimide,PI)薄膜等聚合物衬底1或者包含PI等聚合物材料的衬底1。衬底1可以是柔性的,使得显示模组100可以是柔性的,在衬底1的下边框可以安装驱动芯片IC8和柔性电路板FPC9;
发光层2位于衬底1上,发光元件组20包括至少两个相同颜色的发光元件201,发光元件201可以包括阳极、阴极以及阳极和阴极之间的发光材料层(图中未示出);该发光元件201可以为Mini-LED或者Micro-LED,其中,Mini-LED是指尺寸在100μm量级的LED芯片,具备更优良的显示效果,响应速度有着数量级的提升,屏幕可以更轻薄,并且随着功耗的大幅度降低;Micro-LED指在一个芯片上集成高密度微小尺寸的LED阵列,可支持更高亮度、高动态范围以及广色域,以实现快速更新率、与更低功耗。且Micro-LED技术使用的无机氮化镓材料,可以降低对极化和封装层的要求,能让显示面板更薄。
线栅结构3位于发光元件201远离衬底1一侧,线栅结构3包括多个平行的第一部30,第一部30为凸出于发光元件201发光面的表面,该第一部30的材质可以为金属材质,如第一部30为金属线,如铝线,可以承受较高的温度;相邻第一部30之间具有狭缝31,狭缝31可以透过发光元件发出的大部分光线,相邻两个不同发光元件201的狭缝31的延伸方向不同,如相邻两个不同蓝光发光元件201包括第一蓝光发光元件201和第二蓝光发光元件201,第一蓝光发光元件201上的线栅结构3的第一部30沿第二方向Y布置,使第一蓝光发光元件201上的线栅结构3的狭缝31也沿第二方向Y布置,第二蓝光发光元件201上线栅结构3的第一部30沿第一方向X布置,使第二蓝光发光元件201上线栅结构3的狭缝31也沿第一方向X布置,也就是说,第一蓝光发光元件201上的狭缝31和第二蓝光发光元件201上的狭缝31之间具有夹角,可选地,该夹角可以为90°。
已知金属线栅偏振片是有许多平行的金属丝构成,能够透过偏振方向垂直于线栅方向(金属条延伸方向)的入射光,并且反射偏振方向平行于线栅方向的入射光,本实施例通过相邻两个线栅结构3上的第一部30设置为不同的延伸方向,使得相邻两个线栅结构3上的狭缝31设置为不同的延伸方向,从而使得相邻两个不同发光元件201所选择透过的偏振光的偏振方向不同,从而实现偏振效果,当应用在LED直显时,能够提高3D显示效果。
将第一部30直接制作在发光元件201的出光面上,如直接采用蒸镀工艺或者纳米压印工艺将第一部30直接形成在发光元件201的出光面上,相比于现有技术,除了可以将发光元件发出的光线转化为偏振光,还可以减少显示模组100中膜材层数,从而降低整体显示模组100的厚度。
需要说明的是:通常LED显示分两种,一种是LED直显,另一种是LED背光,其中,LED背光根据LED灯珠之间的间距有分为LED和液晶屏,以及Mini-LED和液晶屏,Mini-LED芯片体积更小,更密集,显示效果更清晰;LED直显为直接通过LED发光来显示,根据LED之间的间距分为普通间距的LED屏,小间距的LED屏、Mini-LED屏、Micro-LED屏,本发明既适用于LED显示面板,也适用于发光元件做背光。
当用于LED显示面板时,除了可以将发光元件发出的光线转化为偏振光,实现偏振效果,让人体的左右眼分别只能看到显示面板上叠加的横向、纵向图像中的一个,从而更有效提升3D显示效果,同时还可以减少显示模组100中膜材层数,从而降低整体显示模组100的厚度;
当用于LED背光时,由于发光元件201发出的光线直接经过线栅结构3过滤,大部分光线透过,一少部分光线被反射回去,被反射回去的光线在发光元件内经过一轮漫反射后,重新形成光线,形成后的光线再次经过线栅结构3过滤,大部分光线再次透过,一少部分光线再次被反射回去,依次叠加,从而更有效地提升光效利用率。
通过上述实施例可知,本发明提供的显示模组100,至少实现了如下的有益效果:
本实施例通过发光层2包括发光元件组20,发光元件组20包括至少两个相同颜色的发光元件201;线栅结构3,位于发光元件201远离衬底1一侧,线栅结构3包括多个第一部30,第一部30之间具有狭缝31,相邻两个不同发光元件201的狭缝31的延伸方向相交;第一部30形成在发光元件201的出光面上,一方面,可以在发光元件201上集成偏振特性,使发光元件201发出的光线直接转换为线偏振光,从而实现偏振效果;另一方面,在发光元件201的出光面直接形成第一部30,相比于现有技术中通过在发光显示屏外侧添加聚合物薄膜偏振器来实现偏振效果,本发明不需要在显示面板出光侧额外设置聚合物薄膜偏振器,能够减少显示模组100中膜材层数,从而降低整体显示模组100的厚度,同时相比于现有技术无需对应聚合物薄膜偏振器与LED之间的间距;此外,当用于LED背光时,能够有效地提升光效利用率。
在一些可选实施例中,继续参照图1和图2所示,发光元件组20包括第一发光元件组21、第二发光元件组22和第三发光元件组23,第一发光元件组21中发光元件201的发光波长为λ1,第二发光元件组22中发光元件201的发光波长为λ2,第三发光元件组23中发光元件201的发光波长为λ3,其中,λ1>λ2>λ3。
具体的,当LED作为直显时,显示面板包括发光层2时,发光元件组20包括发光元件组20包括第一发光元件组21、第二发光元件组22和第三发光元件组23,第一发光元件组21包括两个临近设置的第一发光元件211,临近设置的第一发光元件211上狭缝31的延伸方向相交;如第一发光元件组21中发光元件201的波长λ1可以为635-650nm,将第一发光元件组21限定为红色发光元件组20,红色发光元件组20包括临近设置红色发光元件201,红色发光元件201的发光波长可以为,如第一红色发光元件201和第二红色发光元件201,第一红色发光元件201上的线栅结构3中狭缝31的延伸方向与第二红色发光元件201上的线栅结构3中狭缝31的延伸方向不同,方向可以为两个线栅结构3中狭缝31的延伸方向相交,可选的,两个线栅结构3中狭缝31的延伸方向相互垂直,当临近两个第一红色发光元件201发出的光线经过方向不同的狭缝31,使透射出的光线的偏振方向各不相同,实现偏振效果;
第二发光元件组22包括两个临近设置的第二发光元件212,临近设置的第二发光元件212上狭缝31的延伸方向相交,如第二发光元件组22中发光元件201的波长λ2可以为530-550nm,将第二发光元件组22限定为绿色发光元件组20,绿色发光元件201包括临近设置的两个绿色发光元件201,如第一绿色发光元件201和第二绿色发光元件201,第一绿色发光元件201上的线栅结构3中狭缝31的延伸方向与第二绿色发光元件201上的线栅结构3中狭缝31的延伸方向不同,可以为两个线栅结构3中狭缝31的延伸方向相交,可选的,为两个线栅结构3中狭缝31的延伸方向相互垂直,当相邻两个第一绿色发光元件201发出的光线经过方向不同的狭缝31,使透射出的光线的偏振方向各不相同,实现偏振效果;
第三发光元件组23包括两个临近设置的第三发光元件201,临近设置的第三发光元件201上狭缝31的延伸方向相交,如第三发光元件组23中发光元件201的波长λ3可以为420-480nm,将第三发光元件组23限定为蓝色发光元件组20,蓝色发光元件组20包括临近设置的蓝色发光元件201,蓝色发光元件201的发光波长可以为,如第一蓝色发光元件201和第二蓝色发光元件201,第一蓝色发光元件201上的线栅结构3中狭缝31的延伸方向与第二蓝色发光元件201上的线栅结构3中狭缝31的延伸方向不同,可以为两个线栅结构3中狭缝31的延伸方向相交,可选的,为两个线栅结构3中狭缝31的延伸方向相互垂直,当相邻两个第一蓝色发光元件201发出的光线经过方向不同的狭缝31,使透射出的光线的偏振方向各不相同,实现偏振效果。
上述方案中,将线栅结构直接形成在发光元件上,一方面,使每组发光元件发出的光线直接转换为偏振光,从而实现偏振效果,进而更有效提升3D显示效果;另一方面,无需在显示面板上额外增加上偏振片和下偏振片,减少显示面板的膜层,从而降低整体显示模组的厚度。
在一些可选实施例中,继续参照图2和图3所示,包括相对设置的面板和背光模组,背光模组包括衬底1、发光层2和线栅结构3。
具体的,包括相对设置的面板和背光模组d,该面板可以为LED显示面板e,也可以为驱动芯片8;背光模组可以为直下式背光模组,该直下式背光模组至少包括衬底1和固定设置于衬底1一侧的多个阵列排布的发光元件201,该发光元件201可以为Mini-LED,在技术原理上,采用多个阵列排布的Mini-LED灯珠制作的直下式背光模组动态分区多,调光响应速度更快,控制精度更高,能大幅度提升动态分区背光响应的速度和每一个分区亮度,由于Mini-LED灯珠制作的直下式背光模组不像传统背光源需要导光板、反射膜等光学膜片,因此能削减背光模组的厚度;该直下式背光模组也可以沿垂直于Mini-LED出光面方向依次包括扩散板a、量子点膜层b和复合增亮膜层c,当LED作为背光时,将线栅结构3直接制作在发光元件201上,使发光元件201集成偏振特性,从而使发光元件201发出的光线形成偏振光,实现其偏振效果;由于发光元件201发出的光线直接经过线栅结构3过滤,实现大部分光线透过,一少部分光线被反射回去后被重新利用,从而更有效地提升光效利用率;此外,除了可以提升光效利用率,在每个发光元件201上直接制作的线栅结构3可以产生单个角度的偏振光,将产生单个角度的偏振光可以应用于车载背光源,通常车载背光源要求小视角,避免影响开车。
可选地,图4是本发明提供的线栅结构的又一种的平面结构示意图;
图5是本发明提供的线栅结构的另一种的平面结构示意图;图6是本发明提供的线栅结构的另一种的平面结构示意图;图7是本发明提供的线栅结构的另一种的平面结构示意图;参照图4-8所示,对应相邻两个发光元件201的狭缝31的延伸方向的夹角为75°-105°。
具体的,当显示面板包括发光层2时,对应相邻两个发光元件201的狭缝31的延伸方向的夹角基本为90°,如图4和图5,根据某些特定场景或特殊显示功能的需要,若对应相邻两个发光元件201的狭缝31的延伸方向的夹角大于105°或对应相邻两个发光元件201的狭缝31的延伸方向的夹角小于75°,都会导致3D显示效果变差,因此,将对应相邻两个发光元件201的狭缝31的延伸方向的夹角设置为75°-105°,有效地提升3D显示效果。
在一些可选实施例中,继续参照图4所示,线栅结构3包括第一子线栅结构32和第二子线栅结构33;发光元件组20至少包括第一发光元件211和第二发光元件212,第一子线栅结构32位于第一发光元件211,第二子线栅结构33位于第二发光元件212;
第一子线栅结构32具有多个第一子部34,沿第一方向X,相邻第一子部34之间具有第一间隔36;第二子线栅结构33具有多个第二子部35,沿第二方向Y,相邻第二子部35之间具有第二间隔37,其中,第三方向Z为由衬底1指向发光层2一侧,第一方向X和第二方向Y分别与第三方向Z相交。
具体的,线栅结构3包括第一子线栅结构32和第二子线栅结构33;发光元件组20至少包括第一发光元件211和第二发光元件212,第一子线栅结构32位于第一发光元件211,第二子线栅结构33位于第二发光元件212;
第一子线栅结构32具有多个第一子部34,多个第一子部34沿第一方向X排列且沿第二方向Y延伸,沿第一方向X,相邻第一子部34之间具有第一间隔36,第一发光元件211发出的光线经过第一间隔36透过大部分光,第二子线栅结构33具有多个第二子部35,多个第二子部35沿第一方向X延伸且沿第二方向Y排列,沿第二方向Y,相邻第二子部35之间具有第二间隔37,第二发光元件212发出的光线经过第二间隔37透过大部分光,其中,第三方向Z为由衬底1指向发光层2一侧,第一方向X和第二方向Y分别与第三方向Z相交,可选地,第一方向X和第二方向Y分别与第三方向Z垂直,上述第一子线栅结构32和第二子线栅结构33的整体结构比较简单,就是在第一发光元件211上直接形成多个第一子部34,相邻第一子部34之间具有第一间隔36,在第二发光元件212上直接形成多个第二子部35,相邻第二子部35之间具有第二间隔37,第一间隔36的延伸方向与第二间隔37的延伸方向不同,如第一间隔36的延伸方向可以为横向,而第二间隔37的延伸方向可以为纵向,通过第一子线栅结构32上第一间隙和第二子线栅结构33上的第二间隔为不同的延伸方向,从而使得第一发光元件211和第二发光元件212所选择透过的偏振光的偏振方向不同,从而更有效地提高3D显示效果。
在一些可选实施例中,继续参照图5所示,当显示面板包括发光层2时,发光元件组20包括第一发光元件组21、第二发光元件组22和第三发光元件组23,第一发光元件组21中发光元件201的发光波长为λ1,第二发光元件组22中发光元件201的发光波长为λ2,第三发光元件组23中发光元件201的发光波长为λ3,其中,λ1>λ2>λ3;
第一发光元件组21、第二发光元件组22和第三发光元件组23所对应的沿第一方向X上的第一间隔36的间距不同;第一发光元件组21、第二发光元件组22和第三发光元件组23所对应的沿第二方向Y上的第二间隔37的间距不同。
具体的,当LED作为直显时,显示面板包括发光层2时,发光元件组20包括发光元件组20包括第一发光元件组21、第二发光元件组22和第三发光元件组23,第一发光元件组21中发光元件201的发光波长为λ1,λ1可以为635-650nm,如第一发光元件组21为红色发光元件组20;第二发光元件组22中发光元件201的发光波长为λ2,λ2可以为530-550nm,如第二发光元件组22为绿色发光元件组20;第三发光元件组23中发光元件201的发光波长为λ3,λ3可以为420-480nm,第三发光元件组23为蓝色发光元件组20;
第一发光元件组21所对应的沿第一方向X上的第一间隔36以及沿第二方向Y上的第二间隔37的间距均为d1,第二发光元件组22所对应的沿第一方向X上的第一间隔36以及沿第二方向Y上的第二间隔37的间距均为d2,第三发光元件组23所对应的沿第一方向X上的第一间隔36以及沿第二方向Y上的第二间隔37的间距均为d3,其中,d1≠d2≠d3,由于不同波长的光线经过同宽度的线栅结构后偏振角度不一致,因此根据不同波长的光线设计不同间距的线栅结构3,能够使不同波长的光线经过线栅结构3后的偏振角度尽量保持一致,进一步提升3D显示效果。
可选地,继续参照图5所示,第一发光元件组21所对应的沿第一方向X上的第一间隔36和沿第二方向Y上的第二间隔37的间距均为d1,第二发光元件组22所对应的沿第一方向X上的第一间隔36和沿第二方向Y上的第二间隔37的间距均为d2,第三发光元件组23所对应的沿第一方向X上的第一间隔36和沿第二方向Y上的第二间隔37的间距均为d3,其中,d1>d2>d3,由于λ1>λ2>λ3,光线的波长λ越大,对应的沿第一方向X上的第一间隔36和沿第二方向Y上的第二间隔37的间距也越大,根据不同波长的发光元件201设计不同间距的线栅结构3,能够使不同波长的光线经过线栅结构3后的偏振角度尽量保持一致,提高3D显示效果。
可选地,继续参照图4所示,当显示面板包括发光层2时,发光元件组20包括第一发光元件组21、第二发光元件组22和第三发光元件组23,第一发光元件组21、第二发光元件组22和第三发光元件组23所对应的沿第一方向X上的第一间隔36的间距相同;第一发光元件组21、第二发光元件组22和第三发光元件组23所对应的沿第二方向Y上的第二间隔37的间距相同,采用此方案,便于制作。
可选地,当背光模组包括发光层2时,发光元件组20沿第一方向X上的第一间隔36的间距相同;发光元件组20沿第二方向Y上的第二间隔37的间距相同,采用此方案,便于制作。
可选地,继续参照图4和图5所示,沿第一方向X上,相邻第一间隔36之间的间距为30nm-150nm;
沿第二方向Y上,相邻第二间隔37之间的间距为30nm-150nm。
具体的,若相邻第一间隔36之间沿第一方向X的间距小于30nm,则不但会影响发光元件201的穿透率,还不利于制作,若相邻第一间隔36之间沿第一方向X的间距大于150nm,则发光元件201发出的光线起不到过滤作用,达不到偏振光特性,因此,将相邻第一间隔36之间沿第一方向X的间距为30nm-150nm,不但能够提高发光元件201的穿透率,而且便于制作,同时将发光元件201发出的光线通过线栅结构3后达到偏振光功能;优选地,相邻第一间隔36之间沿第一方向X的间距为100nm。
若相邻第二间隔37之间沿第二方向Y的间距小于30nm,则不但会影响发光元件201的穿透率,还不利于制作,若相邻第二间隔37之间沿第二方向Y的间距大于150nm,则发光元件201发出的光线起不到过滤作用,达不到偏振光特性,因此,将相邻第二间隔37之间沿第二方向Y的间距为30nm-150nm,不但能够提高发光元件201的穿透率,而且便于制作,同时将发光元件201发出的光线通过线栅结构3后达到偏振光功能;优选地,相邻第二间隔37之间沿第二方向Y的间距为100nm。
可选地,图8是本发明提供的第二子线栅结构形成在第二发光元件上的结构示意图;参照图8所示,沿第三方向Z上,第一子部34和第二子部35的高度分别为80-200nm。
具体的,若第一子部34和第二子部35沿第三方向Z的高度小于80,则发光元件201发出的光线达不到偏振光特性,若第一子部34和第二子部35沿第三方向Z的高度大于200nm,则增加线栅结构3的厚度,从而增加每个发光元件201的整体厚度,因此,将第一子部34和第二子部35沿第三方向Z的高度d4分别设计在80-200nm,不但使发光元件201发出的光线通过线栅结构3达到更好的偏振光,而且能够降低线栅结构3的厚度,从而降低每个发光元件201的整体厚度。
需要说明的是:第一子部34与第二子部35仅延伸方向不同,但两者的高度相同,也可以参考图8来示意第一子部34的高度。
本发明还提供一种显示装置,图9为本发明实施例提供的显示装置示意图,如图9所示,显示装置200包括本发明提供的任意一种显示模组100。本发明实施例提供的显示装置可以是任何具有显示功能的电子产品,包括但不限于以下类别:电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、手机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等。
图10是本发明提供的一种显示模组的制备方法的流程示意图;参照图10所示,本实施例提供一种显示模组的制备方法,包括以下步骤:
S1提供基底;
S2在基底上制作发光元件组,其中,发光元件组包括至少两个颜色相同的发光元件;
S3在发光元件远离基底的一侧上形成线栅结构,线栅结构包括多个第一部,第一部之间包括狭缝,对应每个发光元件组中的相邻两个不同的发光元件上狭缝的延伸方向不同;
S4形成线栅结构后,对基底上的发光元件进行分割,形成独立的发光元件;
S5提供衬底,将分割后的发光元件转移至衬底上。
具体的,显示模组的制备方法包括:S1提供基底,该基底可以为蓝宝石衬底;
S6在基底上制作发光元件组,其中,发光元件组包括至少两个颜色相同的发光元件,更具体地,采用GaN基LED外延片生长工艺在蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、N-GaN层、多量子阱和P-GaN层,完成GaN基外延层的制作;在第一图形化掩膜板的遮挡下,依次刻蚀P-GaN层、多量子阱,直至刻蚀到N-GaN层,暴露部分N-GaN层,得到台面;在第二图形化掩膜板的遮挡下,采用电感耦合等离子体刻蚀工艺,刻蚀GaN基外延层,直至刻蚀深入到蓝宝石衬底内,得到用于将多个发光元件201分隔呈阵列排布的深沟槽;利用化学气相沉积法(PECVD)或者磁控溅射技术在P-GaN层上、台面内及深沟槽内沉积绝缘层,作为P电极绝缘层;对P电极绝缘层进行刻蚀,得到P电极通孔;采用电子束蒸发方法在P电极绝缘层上及其通孔内淀积ITO导电层,并对ITO导电层进行刻蚀,得到多条用于引出P-GaN层的P电极ITO层,然后对P电极ITO层进行快速退火;利用PECVD或者磁控溅射技术在P电极绝缘层及P电极ITO层上沉积绝缘层,作为N电极绝缘层;对台面上方的P电极绝缘层和N电极绝缘层进行刻蚀,得到N电极通孔;采用电子束蒸发方法,在N电极绝缘层及其通孔内淀积氧化铟锡(ITO)导电层,并对ITO导电层进行刻蚀,得到多条用于引出N-GaN层的N电极ITO层,然后对N电极ITO层进行快速退火;对蓝宝石衬底背面进行研磨减薄,完成发光元件的制作,该发光元件可以为Mini-LED;
需要说明的是:上述发光元件的制作过程属于常规工艺,在此不再结合附图详细赘述;
S3利用蒸镀工艺或纳米压印工艺在发光元件的出光面上直接形成线栅结构,线栅结构包括多个第一部,第一部之间包括狭缝,对应每个发光元件组中的相邻两个不同的发光元件上狭缝的延伸方向不同,也就是说线栅结构与发光元件共用一个基板(蓝宝石衬底),相对于现有技术中贴偏光片,本实施例线栅结构直接加工在发光元件上,不但使发光元件上集成偏振效果,而且能够减小膜材层数,从而降低显示模组的厚度,
S4形成线栅结构后,对基底上的发光元件进行分割,形成独立的发光元件,其中,分割可以为完全独立的一颗颗发光元件,也可以为部分一个或部分成组,在发光元件上形成线栅结构后对发光元件进行分割,降低打件损伤风险;
S5提供衬底,将分割后的发光元件转移至衬底上,使发光元件与衬底上的薄膜晶体管进行电连接,其中,转移发光元件的方式可以为吸附抓取或载板抓取。
需要说明的是,制作显示面板时,先提供基板,在基板上制作发光层,在发光层的发光元件上直接形成线栅结构;然后对形成线栅结构后的发光元件进行分割,形成独立的发光元件;最后提供衬底,将独立的发光元件转移至衬底上进行电连接。
制作背光模组时,第一,先提供基板,在基板上制作发光层,在发光层的发光元件上直接形成线栅结构;第二,对形成线栅结构后的发光元件进行分割,形成独立的发光元件;第三,提供衬底,将独立的发光元件转移至衬底上进行电连接形成背光模组;第四,提供液晶显示面板,将液晶显示面板与背光模组相贴合;或者,提供控制面板,将控制面板与背光模组电连接。
通过上述实施例可知,本发明提供的显示模组的制作方法,至少实现了如下的有益效果:
本实施例通过在发光元件远离基底的一侧上形成线栅结构,线栅结构包括多个第一部,第一部之间包括狭缝,对应每个发光元件组中的相邻两个不同的发光元件上狭缝的延伸方向不同;形成线栅结构后,对基底上的发光元件进行分割,形成独立的发光元件;提供衬底,将分割后的发光元件转移至衬底上,一方面,将线栅结构直接加工在发光元件的发光面上,从而使发光元件集成偏振效果,另一方面,不仅能够降低打件损伤风险,而且还可以减少光学膜层的使用层数,从而降低显示模组的整体厚度。
可选地,图11是本发明提供的线栅结构的制作方法中步骤时S31的示意图;图12是本发明提供的线栅结构的制作方法中步骤时S32的示意图;
图13是本发明提供的线栅结构的制作方法中步骤时S33的示意图;图14是本发明提供的线栅结构的制作方法中步骤时S34的示意图;图15是本发明提供的线栅结构的制作方法中将第一部形成在发光元件上的示意图。参照图11-图15所示,本实施例提供在发光元件远离基底的一侧上形成线栅结构包括:
S31在发光元件201上形成光阻层4;
S32提供一纳米压印模板5,采用纳米压印模板5对光阻层4进行压印处理,得到光阻图案6,光阻图案6包括间隔设置的多个条形光阻膜层61以及位于多个条形光阻膜层61之间的多个第一间隔区域62;
S33采用物理气相沉积方法在发光元件201上设有光阻图案6的一面沉积金属材料,形成金属膜7,金属膜7沉积于多个条形光阻膜层61以及多个第一间隔区域62上;
S34剥离多个条形光阻膜层61,在剥离多个条形光阻膜层61的同时位于多个条形光阻膜层61上的金属膜7随之被去除,得到线栅结构,线栅结构包括多个第一部30,第一部30之间包括狭缝31。
上述方案为纳米压印技术与物理气相沉积方法将线栅结构直接形成在发光元件上,制程简单,同时制得的线栅结构具有更规整的结构以及更好的深宽比,可改善线栅结构的性能,提升偏振效果。
可选地,在发光元件远离基底的一侧上形成线栅结构包括:
在发光元件出光面涂上均匀厚度的光刻胶;
对涂上光刻胶的发光元件依次进行曝光、显影和刻蚀,得到线栅结构。
上述方案为蒸镀工艺,采用蒸镀工艺在发光元件的发光面上制作线栅,该工艺比较成熟,提升良品率,针对蒸镀工艺不结合附图进行一一赘述。
通过上述实施例可知,本发明提供的显示模组及其制备方法、显示装置,至少实现了如下的有益效果:
本发明通过发光层包括发光元件组,发光元件组包括至少两个相同颜色的发光元件;线栅结构,位于发光元件远离衬底一侧,线栅结构包括多个第一部,第一部之间具有狭缝,相邻两个不同发光元件的狭缝的延伸方向相交;第一部形成在发光元件的出光面上,一方面,可以在发光元件上集成偏振特性,使发光元件发出的光线直接转换为线偏振光,从而实现偏振效果;另一方面,在发光元件的出光面直接形成第一部,相比于现有技术中通过在发光显示屏外侧添加聚合物薄膜偏振器来实现偏振效果,本发明不需要在显示面板出光侧额外设置聚合物薄膜偏振器,能够减少显示模组中膜材层数,从而降低整体显示模组的厚度,同时相比于现有技术无需对应聚合物薄膜偏振器与LED之间的间距,此外,当用于LED背光时,能够有效地提升光效利用率。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上例子仅是为了进行说明,而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本发明的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (19)
1.一种显示模组,其特征在于,
包括衬底;
发光层,所述发光层位于所述衬底一侧,所述发光层包括发光元件组,所述发光元件组包括至少两个相同颜色的发光元件;
线栅结构,位于所述发光元件远离所述衬底一侧,所述线栅结构包括多个第一部,所述第一部之间具有狭缝,相邻两个不同发光元件的所述狭缝的延伸方向相交;
所述第一部形成在所述发光元件的出光面上。
2.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,
所述发光元件组包括所述发光元件组包括第一发光元件组、第二发光元件组和第三发光元件组,所述第一发光元件组中发光元件的发光波长为λ1,所述第二发光元件组中发光元件的发光波长为λ2,所述第三发光元件组中发光元件的发光波长为λ3,其中,λ1>λ2>λ3。
3.根据权利要求2所述的显示模组,其特征在于,所述第一发光元件组包括两个临近设置的所述第一发光元件,临近设置的所述第一发光元件上所述狭缝的延伸方向相交;
所述第二发光元件组包括两个临近设置的所述第二发光元件,临近设置的所述第二发光元件上所述狭缝的延伸方向相交;
所述第三发光元件组包括两个临近设置的所述第三发光元件,临近设置的所述第三发光元件上所述狭缝的延伸方向相交。
4.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,
包括相对设置的面板和背光模组,所述背光模组包括所述衬底、所述发光层和所述线栅结构。
5.根据权利要求1-4任一项所述的显示模组,其特征在于,对应相邻两个所述发光元件的所述狭缝的延伸方向的夹角为75°-105°。
6.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述线栅结构包括第一子线栅结构和第二子线栅结构;所述发光元件组至少包括第一发光元件和第二发光元件,所述第一子线栅结构位于第一发光元件,所述第二子线栅结构位于所述第二发光元件;
所述第一子线栅结构具有多个第一子部,沿第一方向,相邻所述第一子部之间具有第一间隔;所述第二子线栅结构具有多个第二子部,沿第二方向,相邻所述第二子部之间具有第二间隔,其中,第三方向为由所述衬底指向所述发光层一侧,所述第一方向和所述第二方向分别与所述第三方向相交。
7.根据权利要求6所述的显示模组,其特征在于,当显示面板包括发光层时,所述发光元件组包括第一发光元件组、第二发光元件组和第三发光元件组,所述第一发光元件组中发光元件的发光波长为λ1,所述第二发光元件组中发光元件的发光波长为λ2,所述第三发光元件组中发光元件的发光波长为λ3,其中,λ1>λ2>λ3;
所述第一发光元件组、所述第二发光元件组和所述第三发光元件组所对应的沿第一方向上的第一间隔的间距不同;所述第一发光元件组、所述第二发光元件组和所述第三发光元件组所对应的沿第二方向上的第二间隔的间距不同。
8.根据权利要求7所述的显示模组,其特征在于,所述第一发光元件组所对应的沿第一方向上的第一间隔和沿第二方向上的第二间隔的间距均为d1,所述第二发光元件组所对应的沿第一方向上的第一间隔和沿第二方向上的第二间隔的间距均为d2,所述第三发光元件组所对应的沿第一方向上的第一间隔和沿第二方向上的第二间隔的间距均为d3,其中,d1>d2>d3。
9.根据权利要求6所述的显示模组,其特征在于,当显示面板包括发光层时,所述发光元件组包括第一发光元件组、第二发光元件组和第三发光元件组,所述第一发光元件组、所述第二发光元件组和所述第三发光元件组所对应的沿第一方向上的第一间隔的间距相同;所述第一发光元件组、所述第二发光元件组和所述第三发光元件组所对应的沿第二方向上的第二间隔的间距相同。
10.根据权利要求6所述的显示模组,其特征在于,当背光模组包括发光层时,所述发光元件组沿第一方向上的第一间隔的间距相同;所述发光元件组沿第二方向上的第二间隔的间距相同。
11.根据权利要求7所述的显示模组,其特征在于,所述第一发光元件组为红色发光元件组,所述第二发光元件组为绿色发光元件组,所述第三发光元件组为蓝色发光元件组。
12.根据权利要求1-4任一项所述的显示模组,其特征在于,所述第一部的材质包括金属线。
13.根据权利要求6所述的显示模组,其特征在于,沿所述第一方向上,相邻所述第一间隔之间的间距为30nm-150nm;
沿所述第二方向上,相邻所述第二间隔之间的间距为30nm-150nm。
14.根据权利要求6所述的显示模组,沿所述第三方向上,所述第一子部和所述第二子部的高度分别为80-200nm。
15.根据权利要求1-4任一项所述的显示模组,所述发光元件为Mini-LED或者Micro-LED。
16.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至15任一项所述的显示模组。
17.一种显示模组的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供基底;
在基底上制作发光元件组,其中,所述发光元件组包括至少两个颜色相同的发光元件;
在所述发光元件远离所述基底的一侧上形成线栅结构,所述线栅结构包括多个第一部,第一部之间包括狭缝,对应每个发光元件组中的相邻两个不同的发光元件上所述狭缝的延伸方向不同;
形成所述线栅结构后,对基底上的发光元件进行分割,形成独立的发光元件;
提供衬底,将分割后的所述发光元件转移至所述衬底上。
18.根据权利要求17所述的一种显示模组的制备方法,其特征在于,所述在所述发光元件远离所述基底的一侧上形成线栅结构包括:
在所述发光元件上形成光阻层;
提供一纳米压印模板,采用所述纳米压印模板对所述光阻层进行压印处理,得到光阻图案,所述光阻图案包括间隔设置的多个条形光阻膜层以及位于多个条形光阻膜层之间的多个第一间隔区域;
采用物理气相沉积方法在所述发光元件上设有光阻图案的一面沉积金属材料,形成金属膜,所述金属膜沉积于多个条形光阻膜层以及多个第一间隔区域上;
剥离所述多个条形光阻膜层,在剥离多个条形光阻膜层的同时位于所述多个条形光阻膜层上的金属膜随之被去除,得到线栅结构。
19.根据权利要求17所述的一种显示模组的制备方法,其特征在于,所述在所述发光元件远离所述基底的一侧上形成线栅结构包括:
在所述发光元件出光面涂上均匀厚度的光刻胶;
对涂上光刻胶的发光元件依次进行曝光、显影和刻蚀,得到所述线栅结构。
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CN106684109A (zh) * | 2017-01-04 | 2017-05-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管显示面板及其制作方法、显示器 |
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CN109917581A (zh) * | 2019-03-05 | 2019-06-21 | 天马微电子股份有限公司 | 一种液晶显示面板及显示装置 |
US20210176451A1 (en) * | 2017-03-06 | 2021-06-10 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Three-dimensional display system and method |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106684109A (zh) * | 2017-01-04 | 2017-05-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管显示面板及其制作方法、显示器 |
CN106646904A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
US20210176451A1 (en) * | 2017-03-06 | 2021-06-10 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Three-dimensional display system and method |
CN108198841A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN109917581A (zh) * | 2019-03-05 | 2019-06-21 | 天马微电子股份有限公司 | 一种液晶显示面板及显示装置 |
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