CN115148827A - 一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法 - Google Patents

一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115148827A
CN115148827A CN202110337564.4A CN202110337564A CN115148827A CN 115148827 A CN115148827 A CN 115148827A CN 202110337564 A CN202110337564 A CN 202110337564A CN 115148827 A CN115148827 A CN 115148827A
Authority
CN
China
Prior art keywords
welding
small
chip
bus bar
solar cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110337564.4A
Other languages
English (en)
Inventor
邱新旺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd
Original Assignee
Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd filed Critical Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd
Priority to CN202110337564.4A priority Critical patent/CN115148827A/zh
Priority to US17/457,668 priority patent/US20220320364A1/en
Priority to EP21212493.7A priority patent/EP4068396A1/en
Priority to AU2021282523A priority patent/AU2021282523A1/en
Priority to PCT/CN2022/083100 priority patent/WO2022206609A1/zh
Publication of CN115148827A publication Critical patent/CN115148827A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H01L31/0201—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K9/00—Arc welding or cutting
    • B23K9/12—Automatic feeding or moving of electrodes or work for spot or seam welding or cutting
    • B23K9/127—Means for tracking lines during arc welding or cutting
    • B23K9/1272—Geometry oriented, e.g. beam optical trading
    • B23K9/1274—Using non-contact, optical means, e.g. laser means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0516—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • H01L31/188—Apparatus specially adapted for automatic interconnection of solar cells in a module

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法，所述方法包括如下步骤：先将背接触太阳电池小芯片组合件通过互连条焊接成相互连接的小电池串；再将小电池串经剪切或冲断工序冲成分开的小电池组件；然后小电池组件通过汇流条灵活焊接到达所需的组件成品长度；最后经后道剪切或冲断工序把汇流条冲断，使其成为正负串联或并联的电池组件。本发明使用了背接触太阳电池芯片，使得太阳电池芯片的焊接面在同一面，实现太阳电池芯片的互连条能快速连续的焊接工作，而不需要截断互连条，大大提高了工作效率，焊接汇流条时采用先焊接后剪切或冲断的工艺与传统的先切所需长度再焊接的工艺不同，减少了焊接工艺的难度，提高了生产效率，降低了生产成本。

Description

一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法
技术领域
本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法。
背景技术
传统的太阳能电池片互联条焊接工艺比较繁琐，因为太阳能的正负极在不同的一个平面，需要两面都焊接互联条，需先排放完负极的焊带，把芯片排上去后再在正极面排放焊带后切断焊带，把正负极面排放好焊带的芯片过串焊机串焊，因为双面同时焊接，使太阳能芯片在生产过程中产生不良品的概率大大的提高。
发明内容
针对上述问题，本发明提供了一种可以实现焊带快速连续的焊接，而焊带不需要截断，减少了焊接工艺的难度，提高了工作效率的背接触太阳电池芯片焊带焊接方法。
为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法，所述方法包括如下步骤：
将背接触太阳电池小芯片组合件通过互连条焊接成相互连接的小电池串；
将小电池串经剪切或冲断工序冲成分开的小电池组件；
小电池组件通过汇流条焊接到达所需的组件成品长度；
经后道剪切或冲断工序把汇流条冲断，使其成为正负串联或并联的电池组件。
进一步的，所述将背接触太阳电池小芯片组合件通过互连条焊接成相互连接的小电池串的方法为将背接触太阳电池小芯片组合件通过自动传送带传送至焊接工位；互连条由夹头夹住拉出所需焊接长度后，固定焊带的压块下压固定住互连条，使互连条平整的分布在小芯片组合件表面；红外焊接头下移接触互连条开始焊接，把互连条均匀牢固的与小芯片组合件焊点相熔合，第一组小芯片组合件焊接完成；红外焊接头和固定焊带的压块抬起，传送带自动前移一个芯片工位，夹头拉住互连条前端同时前移一个芯片工位，第二组小芯片组合件到位；固定焊带的压块下压固定住互连条，红外焊接头下移接触互连条开始第二组小芯片组合件焊接，同时第一组小芯片组合件前方的夹头松掉回到第二组小芯片组合件的前方，夹住互连条；第二组小芯片组合件焊接完成，固定焊带的压块和红外焊接头抬起，小芯片组合件与互连条同时前移一个芯片工位，重复上述焊接步骤，焊接成N组小芯片组合件相互连接的小电池串。
进一步的，所述小芯片组合件由排列好并贴有UV膜的5x13片电池小芯片贴合保护层组成。
进一步的，所述互连条设置在小芯片组合件下方进行焊接，所述小芯片组合件通过自动机械手臂上的真空吸盘吸取传送至焊接工位，小芯片组合件焊接面朝下，贴合保护层面朝上。
进一步的，所述小电池组件通过汇流条焊接到达所需的组件成品长度的方法为小电池组件经自动传送带传输到焊接工位，汇流条由夹头夹住拉到所需长度，固定汇流条的压块下压固定住汇流条，使汇流条与互连条紧密贴合；红外焊接头下移开始焊接，第一组小电池组件焊接完成；红外焊接头与固定汇流条的压块抬起，传送带自动前移一个芯片工位，夹头夹住汇流条前端同时前移一个芯片工位，第二组小电池组件到位；固定汇流条的压块下压固定住汇流条，红外焊接头下压进行第二组小电池组件焊接，同时第一组小电池组件前方的夹头松掉回到第二组小电池组件的前方，夹住汇流条；第二组小电池组件焊接完成，固定汇流条的压块和红外焊接头抬起，小电池组件与汇流条同时前移一个芯片工位，重复上述焊接步骤，直至到达所需的组件成品长度；
进一步的，所述汇流条为单层焊接或双层夹焊，双层夹焊时小电池组件上方和底部分别铺设汇流条。
进一步的，所述小电池组件串联连接时相邻的小电池组件一正一反进料，使焊接的时相邻小电池组件的正负极互相连接，达到每组小电池组件串联的效果。
由上述对本发明结构的描述可知，和现有技术相比，本发明具有如下优点：
1、本发明使用了背接触太阳电池芯片，使得太阳电池芯片的焊接面在同一面，可以实现太阳电池芯片的互连条能快速连续的焊接工作，实现正负极同面焊接，多主栅同时焊接，而不需要截断互连条，大大提高了工作效率；
2、本发明背接触太阳电池芯片的表面贴合了硬质保护层，降低了太阳电池芯片在生产过程中产生不良品的概率；
3、本发明生产的剪切或冲断成的小电池组件，由小电池组件可灵活的组成所需成品电池组件，焊接汇流条时采用先焊接后剪切或冲断的工艺与传统的先切所需长度再焊接的工艺不同，减少了焊接工艺的难度，提高了生产效率，降低了生产成本。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例15x13小芯片组合件结构示意图；
图2为本发明实施例1拉出所需焊接长度互连条的结构示意图；
图3为本发明实施例1压块下压固定住互连条，焊接头下移焊接的结构示意图；
图4为本发明实施例1焊接头和压块抬起，小芯片组合件和互连条前移一个芯片工位的结构示意图；
图5为本发明实施例1第二组小芯片组合件焊接的结构示意图；
图6为本发明实施例1焊接时，夹头回到第二组小芯片组合件的前方的结构示意图；
图7为本发明实施例1重复互连条焊接步骤的结构示意图；
图8为本发明实施例1焊接完成的小电池串结构示意图；
图9为本发明实施例1剪切或冲断成小电池组件的结构示意图；
图10本发明实施例1拉出所需焊接长度汇流条的结构示意图；
图11为本发明实施例1压块下压固定住汇流条，焊接头下移焊接的结构示意图；
图12为本发明实施例1焊接头和压块抬起，小电池组件和汇流条前移一个芯片工位的结构示意图；
图13为本发明实施例1小电池组件正负极交叉进料焊接的结构示意图；
图14为本发明实施例1第二组小电池组件焊接的结构示意图
图15为本发明实施例1焊接时，夹头回到第二组小电池组件的前方的结构示意图；
图16为本发明实施例1重复汇流条焊接步骤的结构示意图；
图17为本发明实施例1小电池组件焊接到达所需的组件成品长度的结构示意图；
图18为本发明实施例1剪切或冲断成串联的电池组件结构示意图；
图19为本发明一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法的流程图；
图20为本发明实施例2拉出所需焊接长度互连条的结构示意图；
图21为本发明实施例2吸取小芯片组合件放置在互连条上方的结构示意图；
图22为本发明实施例2压块下压固定住互连条，焊接头下移焊接的结构示意图；
图23为本发明实施例2焊接头和压块抬起，互连条前移一个芯片工位，抓取第二组小芯片组合件放置互连条上的结构示意图；
图24为本发明实施例2第二组小芯片组合件焊接的结构示意图；
图25为本发明实施例2焊接时，夹头回到第二组小芯片组合件的前方的结构示意图；
图26为本发明实施例2重复互连条焊接步骤的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
参考图1-图19，一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法，所述方法包括如下步骤：
S01、将背接触太阳电池小芯片组合件1通过互连条2焊接成相互连接的小电池串8；
所述小芯片组合件1由排列好并贴有UV膜的5x13片电池小芯片贴合保护层组成，将背接触太阳电池小芯片组合件1通过自动传送带传送至焊接工位，小芯片组合件焊接面朝上，贴合保护层面朝下；互连条2由夹头3夹住拉出所需焊接长度后，固定焊带的压块4下压固定住互连条2，使互连条2平整的分布在小芯片组合件1表面；红外焊接头5下移接触互连条2开始焊接，把互连条2均匀牢固的与小芯片组合件1焊点相熔合，第一组小芯片组合件1焊接完成；红外焊接头5和固定焊带的压块4抬起，传送带自动前移一个芯片工位，夹头3拉住互连条2前端同时前移一个芯片工位，第二组小芯片组合件1到位；固定焊带的压块4下压固定住互连条2，红外焊接头5下移接触互连条2开始第二组小芯片组合件1焊接，同时第一组小芯片组合件1前方的夹头3松掉回到第二组小芯片组合件1的前方，夹住互连条2；第二组小芯片组合件1焊接完成，固定焊带的压块4和红外焊接头5抬起，小芯片组合件1与互连条2同时前移一个芯片工位，重复上述焊接步骤，焊接成N组小芯片组合件1相互连接的小电池串8。
S02、将小电池串8经剪切或冲断工序冲成分开的小电池组件10；
S03、小电池组件10通过汇流条6焊接到达所需的组件成品长度；
小电池组件10经自动传送带传输到焊接工位，汇流条6由夹头夹住拉到所需长度，所述汇流条6采用双层夹焊，小电池组件10上方和底部分别铺设汇流条6，固定汇流条的压块4下压固定住汇流条6，使汇流条6与互连条2紧密贴合；红外焊接头5下移开始焊接，第一组小电池组件10焊接完成；红外焊接头5与固定汇流条的压块4抬起，传送带自动前移一个芯片工位，夹头3夹住汇流条6前端同时前移一个芯片工位，第二组小电池组件10到位；固定汇流条的压块4下压固定住汇流条6，红外焊接头5下压进行第二组小电池组件10焊接，同时第一组小电池组件10前方的夹头3松掉回到第二组小电池组件10的前方，夹住汇流条6；第二组小电池组件10焊接完成，固定汇流条的压块4和红外焊接头5抬起，小电池组件10与汇流条6同时前移一个芯片工位，重复上述焊接步骤，直至到达所需的组件成品长度；
S04、经后道剪切或冲断工序把汇流条6冲断，使其成为正负串联或并联的电池组件20。
电池组件20的长度可以按所需要功率增加或减少小电池组件10，所述小电池组件10串联连接时相邻的小电池组件10一正一反进料，使焊接的时相邻小电池组件10的正负极互相连接，达到每组小电池组件10串联的效果。
实施例2
参考图19-图26，一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法，所述方法包括如下步骤：
S01、将背接触太阳电池小芯片组合件1通过互连条2焊接成相互连接的小电池串8；
所述互连条2由夹头3夹住拉出所需焊接长度，所述小芯片组合件1由排列好并贴有UV膜的5x13片电池小芯片贴合保护层组成，将背接触太阳电池小芯片组合件1通过自动机械手臂上的真空吸盘吸取至焊接工位的互连条上，小芯片组合件焊接面朝下，贴合保护层面朝上；固定焊带的压块4下压固定住互连条2；红外焊接头5下移接触互连条2开始焊接，把互连条2均匀牢固的与小芯片组合件1焊点相熔合，第一组小芯片组合件1焊接完成；红外焊接头5和固定焊带的压块4抬起，夹头3拉住互连条2前端同时带动焊接完成的第一组小芯片组合件1前移一个芯片工位，机械手臂抓取第二组小芯片组合件1放置焊接工位的互连条2上；固定焊带的压块4下压固定住互连条2，红外焊接头5下移接触互连条2开始第二组小芯片组合件1焊接，同时第一组小芯片组合件1前方的夹头3松掉回到第二组小芯片组合件1的前方，夹住互连条2；第二组小芯片组合件1焊接完成，固定焊带的压块4和红外焊接头5抬起，互连条2同时前移一个芯片工位，机械手臂再次抓取一组小芯片组合件1放置焊接工位的互连条2上，重复上述焊接步骤，焊接成N组小芯片组合件1相互连接的小电池串8。
S02、将小电池串8经剪切或冲断工序冲成分开的小电池组件10；
S03、小电池组件10通过汇流条6焊接到达所需的组件成品长度；
S04、经后道剪切或冲断工序把汇流条6冲断，使其成为正负串联或并联的电池组件20。
本发明使用了背接触太阳电池芯片，使得太阳电池芯片的焊接面在同一面，可以实现太阳电池芯片的互连条能快速连续的焊接工作，实现正负极同面焊接，多主栅同时焊接，而不需要截断互连条，大大提高了工作效率；
本发明背接触太阳电池芯片的表面贴合了硬质保护层，降低了太阳电池芯片在生产过程中产生不良品的概率；
本发明生产的剪切或冲断成的小电池组件，由小电池组件可灵活的组成所需成品电池组件，焊接汇流条时采用先焊接后剪切或冲断的工艺与传统的先切所需长度再焊接的工艺不同，减少了焊接工艺的难度，提高了生产效率，降低了生产成本。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：
将背接触太阳电池小芯片组合件通过互连条焊接成相互连接的小电池串；
将小电池串经剪切或冲断工序冲成分开的小电池组件；
小电池组件通过汇流条焊接到达所需的组件成品长度；
经后道剪切或冲断工序把汇流条冲断，使其成为正负串联或并联的电池组件。
2.根据权利要求1所述一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法，其特征在于：所述将背接触太阳电池小芯片组合件通过互连条焊接成相互连接的小电池串的方法为将背接触太阳电池小芯片组合件通过自动传送带传送至焊接工位；互连条由夹头夹住拉出所需焊接长度后，固定焊带的压块下压固定住互连条，使互连条平整的分布在小芯片组合件表面；红外焊接头下移接触互连条开始焊接，把互连条均匀牢固的与小芯片组合件焊点相熔合，第一组小芯片组合件焊接完成；红外焊接头和固定焊带的压块抬起，传送带自动前移一个芯片工位，夹头拉住互连条前端同时前移一个芯片工位，第二组小芯片组合件到位；固定焊带的压块下压固定住互连条，红外焊接头下移接触互连条开始第二组小芯片组合件焊接，同时第一组小芯片组合件前方的夹头松掉回到第二组小芯片组合件的前方，夹住互连条；第二组小芯片组合件焊接完成，固定焊带的压块和红外焊接头抬起，小芯片组合件与互连条同时前移一个芯片工位，重复上述焊接步骤，焊接成N组小芯片组合件相互连接的小电池串。
3.根据权利要求2所述一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法，其特征在于：所述小芯片组合件由排列好并贴有UV膜的5x13片电池小芯片贴合保护层组成，所述小芯片组合件焊接面朝上，贴合保护层面朝下。
4.根据权利要求2所述一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法，其特征在于：所述互连条设置在小芯片组合件下方进行焊接，所述小芯片组合件通过自动机械手臂上的真空吸盘吸取传送至焊接工位，小芯片组合件焊接面朝下，贴合保护层面朝上。
5.根据权利要求1所述一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法，其特征在于：所述小电池组件通过汇流条焊接到达所需的组件成品长度的方法为小电池组件经自动传送带传输到焊接工位，汇流条由夹头夹住拉到所需长度，固定汇流条的压块下压固定住汇流条，使汇流条与互连条紧密贴合；红外焊接头下移开始焊接，第一组小电池组件焊接完成；红外焊接头与固定汇流条的压块抬起，传送带自动前移一个芯片工位，夹头夹住汇流条前端同时前移一个芯片工位，第二组小电池组件到位；固定汇流条的压块下压固定住汇流条，红外焊接头下压进行第二组小电池组件焊接，同时第一组小电池组件前方的夹头松掉回到第二组小电池组件的前方，夹住汇流条；第二组小电池组件焊接完成，固定汇流条的压块和红外焊接头抬起，小电池组件与汇流条同时前移一个芯片工位，重复上述焊接步骤，直至到达所需的组件成品长度。
6.根据权利要求4所述一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法，其特征在于：所述汇流条为单层焊接或双层夹焊，双层夹焊时小电池组件上方和底部分别铺设汇流条。
7.根据权利要求4所述一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法，其特征在于：所述小电池组件串联连接时相邻的小电池组件一正一反进料，使焊接的时相邻小电池组件的正负极互相连接，达到每组小电池组件串联的效果。
CN202110337564.4A 2021-03-30 2021-03-30 一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法 Pending CN115148827A (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110337564.4A CN115148827A (zh) 2021-03-30 2021-03-30 一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法
US17/457,668 US20220320364A1 (en) 2021-03-30 2021-12-05 Welding method for welding strip of back-contact solar cell chip
EP21212493.7A EP4068396A1 (en) 2021-03-30 2021-12-06 Welding method for welding strip of back-contact solar cell chip
AU2021282523A AU2021282523A1 (en) 2021-03-30 2021-12-09 Welding method for welding strip of back-contact solar cell chip
PCT/CN2022/083100 WO2022206609A1 (zh) 2021-03-30 2022-03-25 一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110337564.4A CN115148827A (zh) 2021-03-30 2021-03-30 一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115148827A true CN115148827A (zh) 2022-10-04

Family

ID=78821897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110337564.4A Pending CN115148827A (zh) 2021-03-30 2021-03-30 一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220320364A1 (zh)
EP (1) EP4068396A1 (zh)
CN (1) CN115148827A (zh)
AU (1) AU2021282523A1 (zh)
WO (1) WO2022206609A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117457773B (zh) * 2023-12-22 2024-04-16 广州高景太阳能科技有限公司 一种反光梯形汇流条以及梯形汇流条焊接机

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4443652A (en) * 1982-11-09 1984-04-17 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically interconnected large area photovoltaic cells and method of producing said cells
US4485264A (en) * 1982-11-09 1984-11-27 Energy Conversion Devices, Inc. Isolation layer for photovoltaic device and method of producing same
JP2003298095A (ja) * 2002-04-02 2003-10-17 Sharp Corp 太陽電池モジュールの製造方法
EP2105970A4 (en) * 2006-12-26 2015-08-05 Kyocera Corp SOLAR CELL MODULE
DE102010017180A1 (de) * 2010-06-01 2011-12-01 Solarworld Innovations Gmbh Solarzelle, Solarmodul, und Verfahren zum Verdrahten einer Solarzelle, und Kontaktdraht
US20140124013A1 (en) * 2012-11-08 2014-05-08 Cogenra Solar, Inc. High efficiency configuration for solar cell string
CN204230264U (zh) * 2014-09-28 2015-03-25 苏州中来光伏新材股份有限公司 无主栅高效率背接触太阳能电池背板及组件
JP6829680B2 (ja) * 2015-03-25 2021-02-10 ナミックス株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
US20160380120A1 (en) * 2015-06-26 2016-12-29 Akira Terao Metallization and stringing for back-contact solar cells
CN108687418B (zh) * 2017-04-04 2021-03-12 天合光能股份有限公司 一种太阳电池的焊带连接方法
CN107199383B (zh) * 2017-07-20 2022-11-29 天合光能股份有限公司 一种光伏串焊机及电池串的焊接方法
KR102374145B1 (ko) * 2017-08-21 2022-03-15 엘지전자 주식회사 태양 전지 패널
CN108723653B (zh) * 2018-06-28 2024-01-05 无锡奥特维科技股份有限公司 一种将背接触式电池片焊接成电池串的串焊机
CA3056092A1 (en) * 2018-09-20 2020-03-20 Robert R. Morrison Back rest assembly
CN110299431B (zh) * 2019-06-28 2020-12-29 苏州携创新能源科技有限公司 一种板块太阳能光伏组件加工工艺
CN111192940B (zh) * 2020-01-15 2021-06-08 杭州康奋威科技股份有限公司 两级焊接式ibc太阳能电池串焊接装置及其焊接方法
CN111203661B (zh) * 2020-01-15 2021-06-22 杭州康奋威科技股份有限公司 一种ibc太阳能电池串光焊接装置及其焊接方法
CN111185687B (zh) * 2020-01-15 2021-06-08 杭州康奋威科技股份有限公司 一种ibc太阳能电池串焊带焊接生产线及其生产方法

Also Published As

Publication number Publication date
AU2021282523A1 (en) 2022-10-20
US20220320364A1 (en) 2022-10-06
EP4068396A1 (en) 2022-10-05
WO2022206609A1 (zh) 2022-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108687418B (zh) 一种太阳电池的焊带连接方法
CN108878984A (zh) 一种锂电池热复合z字叠片装置及叠片方法
US20240145607A1 (en) Wire-based metallization and stringing for solar cells
CN115148827A (zh) 一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法
CN114744079B (zh) 光伏组件制作方法及光伏组件
CN114220879A (zh) 一种无主栅线电极的叠瓦电池组件及其制备方法
CN110649127B (zh) 一种叠瓦光伏组件制造***及其工作方法
CN111702489A (zh) 一种光伏组件专用串焊***及其运作方法
CN116705913B (zh) 一种无主栅太阳能光伏组件的生产方法及设备
CN112713225A (zh) 一种太阳能电池组件的加工工艺
CN104858516A (zh) 一种太阳能电池片焊接工艺方法
CN114770118A (zh) 一种电池串焊接设备及焊接方法
CN109093450A (zh) 软包电池转接片的焊接生产线及生产工艺
CN212265122U (zh) 一种光伏组件专用串焊***
CN212350775U (zh) 一种全自动铜弹片焊接机
CN210429859U (zh) 一种叠瓦光伏组件制造***
JP2017163056A (ja) 太陽電池モジュールの製造装置および太陽電池モジュールの製造方法
CN213560511U (zh) 一种小轴焊带接线设备
CN220278673U (zh) 一种汇流焊接设备
CN210306226U (zh) 一种汇流条焊接机构及电池串焊接设备
CN217371331U (zh) 一种电池串焊接设备
CN215966548U (zh) 切刀机构以及电池片串焊设备
CN114373833B (zh) 提高多主栅电池串汇流条焊接效率的方法
CN221327728U (zh) 一种ibc背接触太阳能电池组件导电背板
CN218333824U (zh) 一种太阳电池互连的免焊接汇流条

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination