CN115117582B - 一种太赫兹波导结构、雷达***及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及太赫兹雷达技术领域，尤其是涉及一种太赫兹波导结构、雷达***及电子设备，包括中间波导腔体、集成波导腔体、第一波导腔体盖、以及多个第二波导腔体盖，中间波导腔体上设有通孔，通孔内有第一导体；集成波导腔体具有多个外壁面，外壁面和第二波导腔体盖之间设有第三电路波导腔，集成波导腔体内设有信号传输通道，信号传输通道内设有第二导体。本发明通过第一导体、通孔、第二导体和信号传输通道之间的配合，替换了原有组合式波导结构中的转角、扭转波导结构，不仅有效降低了波导腔体的加工难度，还提高波导腔体的空间利用率，让太赫兹发射电路末端和太赫兹接收电路末端之间的高度隔离，实现了太赫兹雷达***前端的小型化集成设置。

Description

一种太赫兹波导结构、雷达***及电子设备

技术领域

本发明涉及太赫兹雷达技术领域，尤其是涉及一种太赫兹波导结构、雷达***及电子设备。

背景技术

太赫兹成像***可以实现高分辨率成像、微小目标探测、复杂环境下的目标探测以及隐身目标探测，可用于战场环境侦察、公共场所安全检查、医学疾病诊断、无损探伤等领域。

太赫兹雷达是太赫兹成像***中一种重要成像方式，在现有太赫兹雷达***中，发射机和接收机是分离的模块，发射机包含本振驱动电路，太赫兹前级倍频器和太赫兹末级倍频器等电路，每个电路对应单独模块的波导结构，通过波导法兰进行连接；而接收机是另一条链路，包含分谐波混频器，本振驱动倍频器，驱动倍频放大器等，同样每个电路对应单独模块的波导结构，通过波导法兰进行连接；此外，由于太赫兹电路体积较小，通常在微米级，而波导法兰为国际标准尺寸，单个电路法兰盘均在2厘米左右，而现有波导腔体结构中，一个波导腔体内只能对应设置一个电路，这不仅造成波导腔体结构内部空间的极大浪费，同时对于基于波导结构的太赫兹雷达***，还会造成整个太赫兹雷达***中波导法兰数量多，连接繁琐，体积大等问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种太赫兹波导结构、雷达***及电子设备，来解决现有技术中存在的上述技术问题，主要包括以下三个方面：

本申请第一方面提供了一种太赫兹波导结构，包括中间波导腔体、集成波导腔体、第一波导腔体盖、以及多个第二波导腔体盖，

中间波导腔体上设置有贯穿中间波导腔体的通孔，通孔内设置有第一导体，第一导体和通孔之间设置有第一绝缘层，通孔的两端分别与第一波导腔体盖、集成波导腔体对应设置，中间波导腔体和第一波导腔体盖之间设置有第一电路波导腔，中间波导腔体和集成波导腔体之间设置有第二电路波导腔，第一导体用于实现第一电路波导腔和第二电路波导腔之间的信号传输连接；

集成波导腔体具有多个与第二波导腔体盖对应的外壁面，外壁面和第二波导腔体盖之间设置有第三电路波导腔，集成波导腔体内设置有信号传输通道，所述外壁面上设置有与信号传输通道对应的通道口，信号传输通道内设置有第二导体，所述第二导体与信号传输通道之间设置有第二绝缘层，第二导体用于实现第二电路波导腔和第三电路波导腔之间的信号传输连接。

进一步地，在第一波导腔体盖和集成波导腔体之间设置有至少两个中间波导腔体时，第一波导腔体盖、中间波导腔体和集成波导腔体沿纵向依次排布，相邻的两个中间波导腔体之间设置有第四电路波导腔，所述第一导体用于实现第一电路波导腔、第二电路波导腔和第四电路波导腔中至少两者的连接。

进一步地，所述太赫兹波导结构还包括第一探针过度结构和第二探针过度结构，第一探针过度结构用于与第一导体配合实现第一电路波导腔、第二电路波导腔和第四电路波导腔中至少两者的连接，第二探针过度结构用于与第二导体配合实现第二电路波导腔和第三电路波导腔的信号传输连接。

进一步地，所述第一导体与第一探针过度结构金丝键合连接，第二导体与第二探针过度结构金丝键合连接。

进一步地，所述第一电路波导腔至少部分设置在第一波导腔体盖和/或中间波导腔体上；第二电路波导腔至少部分设置在中间波导腔体和/或集成波导腔体上，第三电路波导腔至少部分设置在第二波导腔体盖和/或集成波导腔体上；相邻的两个中间波导腔体中，第四电路波导腔至少部分设置在在上中间波导腔体和/或在下中间波导腔体上。

进一步地，所述第一导体、通孔中至少一者与第一绝缘层连接；第二导体、信号传输通道中至少一者与第二绝缘层连接。

进一步地，所述第一波导腔体盖与中间波导腔体可拆卸连接，所述第二波导腔体盖和集成波导腔体可拆卸连接。

进一步地，所述太赫兹波导结构包括两个第三电路波导腔，两个第三电路波导腔位于集成波导腔体两个相对的外壁面。

本申请第二方面提供了一种太赫兹雷达***，包括信号源、本振驱动电路、太赫兹发射电路末端、太赫兹接收电路末端、以及上述的太赫兹波导结构，所述信号源设置在第一电路波导腔内，本振驱动电路设置在第二电路波导腔内，太赫兹发射电路末端、太赫兹接收电路末端分别设置在不同的第三电路波导腔内，信号源的信号输出端通过第一导体与本振驱动电路的信号输入端连接，太赫兹发射电路末端的信号输入端、太赫兹接收电路末端的信号输入端通过第二导体分别与本振驱动电路的信号输出端连接。

本申请第三方面提供了一种电子设备，包括上述的太赫兹波导结构、或上述的太赫兹雷达***。

本发明相对于现有技术至少具有如下技术效果：

本发明一种太赫兹波导结构、雷达***及电子设备，通过第一导体和通孔配合的关系，以及第二导体和信号传输通道配合的关系替换了原有组合式波导结构中的转角、扭转波导结构，有效降低了波导腔体的加工难度；此外，通过将集成波导腔体的多个外壁面上开设第三电路波导腔来安装太赫兹发射电路末端和太赫兹接收电路末端，不仅有效提高波导腔体的空间利用率，还有效保证太赫兹发射电路末端和太赫兹接收电路末端的独立设置，以及太赫兹发射电路末端和太赫兹接收电路末端之间的高度隔离，实现了太赫兹雷达***前端的小型化集成设置。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例1中太赫兹波导结构的结构示意图；

图2是图1中第一电路波导腔、第二电路波导腔和第三电路波导腔的连接结构示意图；

图3是图2中第一电路波导腔、第二电路波导腔分别与第一导体的连接结构示意图；

图4是图2中第二导体与一个第三电路波导腔的连接结构示意图；

图5是图1中信号传输通道的结构示意图；

图6是图5中A处的局部放大图；

图7是图1中第一波导腔体盖的结构示意图；

图8是另一种太赫兹波导结构的结构示意图；

图9是图1中第一电路波导腔、第二电路波导腔、第三电路波导腔和第四电路波导腔的连接结构示意图；

图10是实施例2中太赫兹雷达***的电路连接示意图；

图中：

10、第一波导腔体盖；20、中间波导腔体；30、集成波导腔体；40、第二波导腔体盖；110、第一电路波导腔；120、通孔；121、第一导体；122、第一绝缘层；130、第一探针过度结构；210、第二电路波导腔；230、第二探针过度结构；310、第三电路波导腔；320、信号传输通道；321、第二导体；322、第二绝缘层；323、通道口；324、第一信号孔；325、第二信号孔；330、外壁面；410、第四电路波导腔；510、信号源；520、第一太赫兹倍频器；530、太赫兹放大器；540、第二太赫兹倍频器；550、发射机天线；560、太赫兹分谐波混频器；570、接收机天线；810、金丝键合。

具体实施方式

以下的说明提供了许多不同的实施例、或是例子，用来实施本发明的不同特征。以下特定例子所描述的元件和排列方式，仅用来精简的表达本发明，其仅作为例子，而并非用以限制本发明。

为使本发明实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之上或之下可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征之上、上方和上面包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征之下、下方和下面包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

实施例1：

本申请实施例提供了一种太赫兹波导结构，如图1和图2所示，包括中间波导腔体20、集成波导腔体30、第一波导腔体盖10、以及多个第二波导腔体盖40，

中间波导腔体20上设置有贯穿中间波导腔体的通孔120，通孔120内设置有第一导体121，第一导体121和通孔120之间设置有第一绝缘层122，通孔120的两端分别与第一波导腔体盖10、集成波导腔体30对应设置，中间波导腔体20和第一波导腔体盖10之间设置有第一电路波导腔110，中间波导腔体20和集成波导腔体30之间设置有第二电路波导腔210，第一导体121用于实现第一电路波导腔110和第二电路波导腔210之间的信号传输连接；

集成波导腔体30具有多个与第二波导腔体盖40对应的外壁面330，外壁面330和第二波导腔体盖40之间设置有第三电路波导腔310，集成波导腔体30内设置有信号传输通道320，所述外壁面330上设置有与信号传输通道320对应的通道口323，信号传输通道320内设置有第二导体321，所述第二导体321与信号传输通道320之间设置有第二绝缘层322，第二导体321用于实现第二电路波导腔210和第三电路波导腔310之间的信号传输连接。

相比微带线等传统传输线，矩形波导结构具有功率容量大、传输损耗低、主模传输等优势；但是，由于矩形波导结构是在纯金属上进行微机械铣削加工，加工灵活性差，转角、扭转波导结构加工十分困难，这也造成传统太赫兹电路在波导腔体上多是单层电路；此外，太赫兹电路体积较小，通常在微米级，而波导法兰为国际标准尺寸，单个电路法兰盘均在2厘米左右，现有多数太赫兹电路在一个波导腔体内只有一个电路，这就不仅造成内部空间的浪费，特别是在将波导腔体应用于太赫兹雷达***，还导致了太赫兹雷达***中波导法兰数量多，连接繁琐，体积大等问题；而本实施例通过将原有波导法兰的上、下波导腔体组合的结构，改为中间波导腔体20、集成波导腔体30、第一波导腔体盖10、以及多个第二波导腔体盖40组合构成一个的波导结构，让原有一个波导结构内只能设置一个电路波导腔改为包含多个电路波导腔，在安装太赫兹雷达***时，可以选择将太赫兹雷达***的信号源510安装在第一电路波导腔110内，而本振驱动电路安装在第二电路波导腔210内，太赫兹发射电路末端、太赫兹接收电路末端分别设置在不同的第三电路波导腔310内，即太赫兹发射电路末端设置在一个第三电路波导腔310内，太赫兹接收电路末端设置在另一个的第三电路波导腔310内，让信号源510通过第一导体121与本振驱动电路信号传输连接，本振驱动电路信号通过第二导体321分别与太赫兹发射电路末端、太赫兹接收电路末端连接，就可以实现太赫兹雷达***前端所有电路集成在一个波导结构中，实现太赫兹雷达***三维堆叠小型化设置；同时，对于中间波导腔体20和集成波导腔体30，一方面由于采用了第一导体121和通孔120配合的关系，以及第二导体321和信号传输通道320配合的关系替换了原有组合式波导结构中的转角、扭转波导结构，有效降低了波导腔体的加工难度，另一方面，通过将集成波导腔体30的多个外壁面330上开设第三电路波导腔310来安装太赫兹发射电路末端和太赫兹接收电路末端，不仅有效提高波导腔体的空间利用率，还有效保证太赫兹发射电路末端和太赫兹接收电路末端的独立设置，以及太赫兹发射电路末端和太赫兹接收电路末端之间的高度隔离，实现了太赫兹雷达***前端的小型化集成设置。

具体地，如图5和6所示，信号传输通道320包括第一信号孔324和多个第二信号孔325，第一信号孔324与第二电路波导腔210所在外壁面330上的通道口323对应设置，第二信号孔325与第三电路波导腔310所在外壁面330上的通道口323对应设置，多个第二信号孔325分别与第一信号孔324连通。优选地，第一信号孔324和第二信号孔325之间的夹角为90°。优选地，第二信号孔325的中轴线位于同一平面，第一信号孔324的中轴线与所有第二信号孔325的中轴线所在平面垂直。通过将第一信号孔324和第二信号孔325之间的夹角设置为90°，方便在集成波导腔体30上对第一信号孔324和第二信号孔325进行加工，降低集成波导腔体30的加工难度。

具体地，如图8和9所示，在第一波导腔体盖10和集成波导腔体30之间设置有至少两个中间波导腔体20时，第一波导腔体盖10、中间波导腔体20和集成波导腔体30沿纵向依次排布，相邻的两个中间波导腔体20之间设置有第四电路波导腔410，所述第一导体121用于实现第一电路波导腔110、第二电路波导腔210和第四电路波导腔410中至少两者的连接。

在将本申请实施例中太赫兹波导结构应用于太赫兹***电路时，对于需要四个现有波导结构才能实现组合联用的太赫兹***电路，利用第一电路波导腔110来承载第一部分太赫兹***电路，第二电路波导腔210承载第二部分太赫兹***电路，第三电路波导腔310承载第三和第四部分太赫兹***电路，按太赫兹***电路中第一、二、三、四部分太赫兹***电路沿信号传输方向的连接次序，通过第一导体121、第二导体321对第一电路波导腔110、第二电路波导腔210、第三电路波导腔310进行连接，让四部分太赫兹***电路通过第一导体121、第二导体321实现信号传输，就能完成对太赫兹***电路集成在一个波导结构内；同理，对于需要四个以上现有波导结构才能实现组合联用的太赫兹***电路，如图8和9所示，相应地增加中间波导腔体20数量，按太赫兹***电路中各个电路部分的信号传输方向，将各部分电路依次安装在第一电路波导腔110、第四电路波导腔410、第二电路波导腔210和第三电路波导腔310中，然后第一导体121、第二导体321进行信号传输连接，就能将太赫兹***电路集成在一个波导结构内，相较于现有技术，不仅提高了波导腔体内部空间利用率，还有效缩减了波导腔体的使用数量，实现太赫兹***电路的小型化集成设置。

需要说明的是，太赫兹***电路一般由多个功能电路单元构成，所述功能电路单元是能够实现混频、倍频、放大、滤波、耦合中任一种功能的电路单元。

在一些实施例中，对于需要多个现有波导结构才能实现组合联用的太赫兹***电路，可以采用本实施例波导结构与现有波导结构组合使用来承载太赫兹***电路的方式来实现太赫兹***电路的集成。

具体地，如图2~4所示，所述太赫兹波导结构还包括第一探针过度结构130和第二探针过度结构230，第一探针过度结构130用于与第一导体121配合实现第一电路波导腔110、第二电路波导腔210和第四电路波导腔410中至少两者的连接，第二探针过度结构230用于与第二导体321配合实现第二电路波导腔210和第三电路波导腔310的信号传输连接。

具体地，所述第一波导腔体盖10和相邻中间波导腔体20之间设置有第一探针过度结构130，第一探针过度结构130靠近相邻第一电路波导腔110设置；两个相邻中间波导腔体20之间设置有第一探针过度结构130，第一探针过度结构130靠近相邻第四电路波导腔410设置；集成波导腔体30和相邻中间波导腔体20之间设置有第一探针过度结构130和第二探针过度结构230，第一探针过度结构130和第二探针过度结构230分别设置在第二电路波导腔210的两侧并靠近第二电路波导腔210设置；集成波导腔体30和第二波导腔体盖40之间设置有第二探针过度结构230，第二探针过度结构230靠近相邻第三电路波导腔310设置。

具体地，所述第一导体121与第一探针过度结构130金丝键合810连接，第二导体321与第二探针过度结构230金丝键合810连接，第一导体121通过金丝键合810与第二探针过度结构230连接，方便波导结构和太赫兹***电路之间的加工、拆分和组合。

具体地，所述第一电路波导腔110至少部分设置在第一波导腔体盖10和/或中间波导腔体20上；第二电路波导腔210至少部分设置在中间波导腔体20和/或集成波导腔体30上，第三电路波导腔310至少部分设置在第二波导腔体盖40和/或集成波导腔体30上；相邻的两个中间波导腔体20中，第四电路波导腔410至少部分设置在在上中间波导腔体20和/或在下中间波导腔体20上。优选地，所述第一电路波导腔110的一半设置在第一波导腔体盖10，第一电路波导腔110的另一半中间波导腔体20上；第二电路波导腔210的一半设置在中间波导腔体20，第二电路波导腔210的另一半设置在集成波导腔体30上，第三电路波导腔310的一半设置在第二波导腔体盖40，第三电路波导腔310的另一半设置在集成波导腔体30上；相邻的两个中间波导腔体20中，第四电路波导腔410的一半设置在上中间波导腔体20，第四电路波导腔410的另一半设置在下中间波导腔体20上。

在一些实施例中，可以选择第一波导腔体盖10和中间波导腔体20中的一者设置较少部分第一电路波导腔110，第一波导腔体盖10和中间波导腔体20中的另一者设置较多部分第一电路波导腔110；可以选择中间波导腔体20和集成波导腔体30中的一者设置较少部分第二电路波导腔210，中间波导腔体20和集成波导腔体30中的另一者设置较多部分第二电路波导腔210；可以选择第二波导腔体盖40和集成波导腔体30中的一者设置较少部分第三电路波导腔310，第二波导腔体盖40和集成波导腔体30中的另一者设置较多部分第三电路波导腔310；相邻的两个中间波导腔体20中，可以选择在上中间波导腔体20和在下中间波导腔体20中的一者设置较少部分第四电路波导腔410，上中间波导腔体20和在下中间波导腔体20中的另一者设置较多部分第四电路波导腔410。

具体地，所述第一导体121、通孔120中至少一者与第一绝缘层122连接；第二导体321、信号传输通道320中至少一者与第二绝缘层322连接。对于第一绝缘层122与第一导体121、通孔120中至少一者连接，在第一绝缘层122与第一导体121连接，可以选择现有的带绝缘包覆体的信号传输线，对于第一绝缘层122与通孔120连接，可以选择在通孔120内壁设置第一绝缘层122，具体可以通过喷涂或涂抹绝缘材料来设置第一绝缘层122；此外，对于第一绝缘层122同时与第一导体121、通孔120连接的情况，第一绝缘层122可以是一个绝缘体同时与通孔120、第一导体121连接，也可以是多个绝缘体的组合使用，示例行的，可以选择绝缘包覆体和喷涂绝缘材料共同作为第一绝缘层122，即采用带绝缘包覆体的信号传输线，配合通孔120内壁设置绝缘材料；同理，对于第二导体321、信号传输通道320中至少一者与第二绝缘层322连接中的第二绝缘层322也可以与第一绝缘层122采用相同技术手段。优选地，所述第一绝缘层122包覆在第一导体121上，第二绝缘层322包覆在第二导体321上。

具体地，所述第一波导腔体盖10与中间波导腔体20可拆卸连接，所述第二波导腔体盖40和集成波导腔体30可拆卸连接。优选地，第一波导腔体盖10与中间波导腔体20之间、第二波导腔体盖40和集成波导腔体30之间、以及相邻两个中间波导腔体20之间可以是螺栓连接，也可以是现有的波导法兰连接，还可以是外设框架对第一波导腔体盖10、中间波导腔体20、集成波导腔体30和第二波导腔体盖40进行紧箍或螺栓连接。

具体地，所述太赫兹波导结构包括两个第三电路波导腔310，两个第三电路波导腔310位于集成波导腔体30两个相对的外壁面，所述信号传输通道320包括两个第二信号孔325。优选地，如图1所示，可以选择将第二电路波导腔210设置在集成波导腔体30的顶外壁面330，将一个第三电路波导腔310设置在集成波导腔体30的前外壁面330，另一个第三电路波导腔310设置在集成波导腔体30的后外壁面330，两个第二信号孔325分别与前、后外壁面330对应，然后就可以将太赫兹雷达***的太赫兹发射电路末端安装在前外壁面330上的第三电路波导腔310中，太赫兹接收电路末端安装在后外壁面330上的第三电路波导腔310中，在有效保证太赫兹发射电路末端和太赫兹接收电路末端之间的高度隔离的基础上，还实现了太赫兹雷达***前端的小型化集成设置。

具体地，所述第一导体121与通孔120同轴设置，第二导体321与所在信号孔同轴设置，降低信号泄露风险。

优选地，所述集成波导腔体30上设置有电路波导腔的外壁面330的数量，不少于第二波导腔体盖40的数量。

实施例2：

本申请实施例提供了一种太赫兹雷达***，如图2和图10所示，包括信号源510、本振驱动电路、太赫兹发射电路末端、太赫兹接收电路末端、以及实施例1中的太赫兹波导结构，所述信号源设置在第一电路波导腔110内，本振驱动电路设置在第二电路波导腔210内，太赫兹发射电路末端、太赫兹接收电路末端分别设置在不同的第三电路波导腔310内，信号源510的信号输出端通过第一导体121与本振驱动电路的信号输入端连接，太赫兹发射电路末端的信号输入端、太赫兹接收电路末端的信号输入端通过第二导体321分别与本振驱动电路的信号输出端连接。

利用第一电路波导腔110安装信号源510，第二电路波导腔210安装本振驱动电路，两个第三电路波导腔310分别安装太赫兹发射电路末端、太赫兹接收电路末端，再通过第一导体121和通孔120配合，实现信号源510和本振驱动电路的同轴垂直互联，通过第二导体321和信号传输通道320配合，实现本振驱动电路分别和太赫兹发射电路末端、太赫兹接收电路末端的90°转弯同轴互联，将整个太赫兹雷达***集成到一个波导结构中，并保证了太赫兹发射电路末端和太赫兹接收电路末端之间的高度隔离，实现太赫兹雷达***前端的小型化三维堆叠集成设置。

具体地，所述信号源510为Ka频段倍频放大器。

具体地，所述本振驱动电路包括第一太赫兹倍频器520和太赫兹放大器530。优选地，第一太赫兹倍频器520为110GHz倍频器，太赫兹放大器530为110GHz放大器。

具体地，所述太赫兹发射电路末端包括第二太赫兹倍频器540和发射机天线550。

具体地，所述太赫兹接收电路末端包括太赫兹分谐波混频器560和接收机天线570。优选地，所述第二太赫兹倍频器540为220GHz倍频器，所述太赫兹分谐波混频器560为220GHz分谐波混频器。

实施例3：

本申请实施例提供了一种电子设备，包括实施例1中的太赫兹波导结构或实施例2中的太赫兹雷达***。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种太赫兹波导结构，其特征在于，包括中间波导腔体、集成波导腔体、第一波导腔体盖、以及多个第二波导腔体盖，

中间波导腔体上设置有贯穿中间波导腔体的通孔，通孔内设置有第一导体，第一导体和通孔之间设置有第一绝缘层，通孔的两端分别与第一波导腔体盖、集成波导腔体对应设置，中间波导腔体和第一波导腔体盖之间设置有第一电路波导腔，中间波导腔体和集成波导腔体之间设置有第二电路波导腔，第一导体用于实现第一电路波导腔和第二电路波导腔之间的信号传输连接；

集成波导腔体具有多个与第二波导腔体盖对应的外壁面，外壁面和第二波导腔体盖之间设置有第三电路波导腔，集成波导腔体内设置有信号传输通道，所述外壁面上设置有与信号传输通道对应的通道口，信号传输通道内设置有第二导体，所述第二导体与信号传输通道之间设置有第二绝缘层，第二导体用于实现第二电路波导腔和第三电路波导腔之间的信号传输连接。

2.如权利要求1所述的太赫兹波导结构，其特征在于，在第一波导腔体盖和集成波导腔体之间设置有至少两个中间波导腔体时，第一波导腔体盖、中间波导腔体和集成波导腔体沿纵向依次排布，相邻的两个中间波导腔体之间设置有第四电路波导腔，所述第一导体用于实现第一电路波导腔、第二电路波导腔和第四电路波导腔中至少两者的连接。

3.如权利要求2所述的太赫兹波导结构，其特征在于，所述太赫兹波导结构还包括第一探针过度结构和第二探针过度结构，第一探针过度结构用于与第一导体配合实现第一电路波导腔、第二电路波导腔和第四电路波导腔中至少两者的连接，第二探针过度结构用于与第二导体配合实现第二电路波导腔和第三电路波导腔的信号传输连接。

4.如权利要求3所述的太赫兹波导结构，其特征在于，所述第一导体与第一探针过度结构金丝键合连接，第二导体与第二探针过度结构金丝键合连接。

5.如权利要求2所述的太赫兹波导结构，其特征在于，所述第一电路波导腔至少部分设置在第一波导腔体盖和/或中间波导腔体上；第二电路波导腔至少部分设置在中间波导腔体和/或集成波导腔体上，第三电路波导腔至少部分设置在第二波导腔体盖和/或集成波导腔体上；相邻的两个中间波导腔体中，第四电路波导腔至少部分设置在在上中间波导腔体和/或在下中间波导腔体上。

6.如权利要求2~5任意一项所述的太赫兹波导结构，其特征在于，所述第一导体、通孔中至少一者与第一绝缘层连接；第二导体、信号传输通道中至少一者与第二绝缘层连接。

7.如权利要求2~5任意一项所述的太赫兹波导结构，其特征在于，所述第一波导腔体盖与中间波导腔体可拆卸连接，所述第二波导腔体盖和集成波导腔体可拆卸连接。

8.如权利要求2~5任意一项所述的太赫兹波导结构，其特征在于，所述太赫兹波导结构包括两个第三电路波导腔，两个第三电路波导腔位于集成波导腔体两个相对的外壁面。

9.一种太赫兹雷达***，其特征在于，包括信号源、本振驱动电路、太赫兹发射电路末端、太赫兹接收电路末端、以及权利要求1~8任意一项所述的太赫兹波导结构，所述信号源设置在第一电路波导腔内，本振驱动电路设置在第二电路波导腔内，太赫兹发射电路末端、太赫兹接收电路末端分别设置在不同的第三电路波导腔内，信号源的信号输出端通过第一导体与本振驱动电路的信号输入端连接，太赫兹发射电路末端的信号输入端、太赫兹接收电路末端的信号输入端通过第二导体分别与本振驱动电路的信号输出端连接。

10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1~8任意一项所述的太赫兹波导结构、或权利要求9所述的太赫兹雷达***。