CN115053764A - 一种高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法,其选择海拔大于1000米且小于等于1500m,春季、夏季和秋季日照时间均不低于8小时的区域作为种植地;并在大棚两侧设置防虫网和薄膜,控制高温和越冬管理过程,使霍山石斛在高海拔地区进行了种植,且病虫害发生率低,无化学农药肥料,有机种植,安全,高海拔种植,昼夜温差大,霍山石斛抗逆性强,产品品质好。
Description
技术领域
本发明涉及种植技术领域,具体涉及一种高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法。
背景技术
霍山石斛具有清音明目、养胃清热、增强免疫和抗御肿瘤的功效。随着霍山石斛需求量的增大和野生资源的减少,人工种植霍山石斛产业迅速发展,种植规模日益扩大,但是霍山石斛对生长环境要求极高,地方标准上显示,霍山石斛最佳种植海拔区间在300-900m,基本没有超过900m,大多数在海拔600m以下,在这种人工控制的温湿度、光照条件下,其病虫害发生率高,导致农残也高,同时昼夜温差较低,种植的霍山石斛品质欠佳。公开号为CN105612989A的中国专利申请文献中公开了一种高海拔种植霍山石斛的方法,其选择通风良好的阔叶林疏林地,海拔600-800m作为种植场地,充分利用高海拔地区的林地,但是其海拔仅为600-800m,昼夜温差仍不是很大。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种高海拔种植霍山石斛的方法。
本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题:
一种高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法,包括以下步骤:
A、海拔及位置选择
选择海拔大于1000米且小于等于1500m,春季、夏季和秋季日照时间均不低于8小时的区域作为种植地;
B、基础设施建设
(1)整地建棚:对选择的种植地进行整理,并在整理后的种植地上搭建大棚,并在相邻两大棚间开挖排水沟;其中,所述大棚的两肩部分别设有纵向的腰部卡槽,所述腰部卡槽正下方设有纵向的底部卡槽,在大棚两腰部卡槽以上的顶部范围内覆盖薄膜;在所述腰部卡槽与所述底部卡槽之间安装防虫网,在所述防虫网外覆盖一层薄膜一直延伸到大棚底部,所述薄膜下端安装卷膜器,能将薄膜卷起卡到腰部卡槽位置进行通风,需要保温时放到大棚底部;
(2)喷灌安装:在大棚纵梁下方纵向安装支撑件,使所述支撑件的高度与所述腰部卡槽的高度一致;在所述支撑件上安装微喷吊喷;
(3)铺设园艺地布:在地面上全棚铺设园艺地布;
(4)苗床搭建:沿大棚纵向方向,在所述微喷吊喷的正下方搭建苗床;
(5)基质铺设:先铺设一层铺设厚度为5cm、直径不超过5cm的松树皮或树心碎块,再铺设一层铺设厚度为5cm的树心锯末或直径不超过2cm的松树皮;
C、栽种
种植时间为3-6月;在3月份种植时,在棚内支撑件上方全棚拉上拉毛布,下午5点后放下大棚两边的薄膜进行保温,早上棚内气温超过28摄氏度时拉开两边的薄膜进行透风;栽种时4-6株种苗为一丛,按照行间距10cm×10cm间距进行种植;
D、日常养护
(1)浇水:在春季发芽的季节,每天对叶面进行多次喷雾补水,每次喷雾补水的时间不超过2min;当基质上面3cm深处湿度下降至60%以下时浇透水;在夏季时,每次浇水截止时间不超过上午11点;
(2)施肥:在栽种后的第2个月,采用发酵后的羊粪作为肥料,按每亩苗床100kg/次施加;栽种后的第二年开始每年按每亩苗床20-30kg/次的量施加三次发酵菜籽粕,其中施加时间分别为3月、6月、10月;
(3)除草:采用人工除草的方式;
E、高温及越冬管理
(1)高温预防:8月、9月进行高温预防,当苗床上方10-50cm处的温度超过28摄氏度时,将大棚两边的薄膜卷起来;将薄膜卷起后,若棚内苗床上方10~50cm高度处的温度超过35摄氏度时,在棚顶加装遮阳网;加装遮阳网后,若棚内温度超过30摄氏度时,将浇水的次数改为10-15天一次;
(2)越冬管理:在11月-次年3月,控制两边的薄膜,使薄膜白天卷起,夜间放下控制温度;10月开始控水,当最低温度高于0摄氏度低于10摄氏度时,每10-15天浇水一次;当最低温度低于零下5摄氏度,至少提前1周停止浇水,并在霍山石斛上面覆盖拉毛布;当最低气温高于5摄氏度时掀开拉毛布,最低气温高于10摄氏度时,开始浇透水,进入日常管理;
F、开春管理
当最低气温均为零上时,开始进行开春管理,具体包括如下操作:浇透苗床基质控制湿度;展开棚内拉毛布,放下两边的薄膜确保棚内温度上升;当棚内苗床上方50cm高度处的温度超过30摄氏度时,打开棚头以及两侧薄膜通风;当苗床上方50cm高度处的温度处于20-30℃之间时,每两天打开棚头和两边的薄膜通风一次,时间选择中午,每次通风时间半小时;当苗床上方50cm高处的温度低于20摄氏度时放下两边的薄膜并关闭棚头保温。
有益效果:选择了海拔大于1000米且小于等于1500m的地区作为种植地,昼夜温差大,病虫害发生率低;大棚两侧设置防虫网和薄膜,通过薄膜的卷起放下控制棚内的温度,使石斛正常生长,同时延长了石斛的生长期,积累更多的有效物质,并避免了大部分的病虫害;在支撑件上方覆盖拉毛布,拉毛布具有透气、吸水的特性,可以透散热气,夜间吸收冷凝水,保温可以让栽种时间提前15-30天不等,且可以保证栽种石斛的成活率及发芽率,温度低会影响发芽时间,过低会发生冻害,能提前保温,可以刺激石斛春季的复苏,可以延迟生长期;本发明拉毛布覆盖的位置在喷灌管子的上面,和腰部卡槽高度等同,在冬天时不动拉毛布的情况下可以对苗子进行浇水补水;全棚铺设地布进行物理防治,覆盖部分3-4年时间内99%不会长草;大棚顶部薄膜全覆盖,腰部加装防虫网,同时地面覆盖园艺地布;最大程度上减少了草的来源,在人工除草方面大量节约了人工;病虫害的发生多是因为高温高湿,高海拔地区昼夜温差大,在病害方面,像白娟病基本不会发生,而大棚顶部的薄膜,避免了雨水带来的病害来源;在虫害方面,霍山石斛主要是蜗牛和斜纹夜蛾的幼虫及稻飞虱,而在高海拔地区,没有田间稻谷等其他作物,避免了稻飞虱等一类虫害的来源,同时加装的防虫网避免了蛾类虫害的进入繁殖,高海拔的水源温度低,不适合蜗牛蛞蝓的繁殖,因此在高山区很少见;在种植初期无需遮阳网,通过大棚两边的薄膜的卷放调节棚内温度,且不进行完全控水,而是进行了适当控水,让基质始终保持适当的水分;多种措施使本发明实现昼夜温差大,病虫害发生率低,品质好,生长期长的效果。
优选地,在大棚搭建过程中,所述腰部卡槽距离地面1.5m;所述底部卡槽距离地面0.1-0.15m。
优选地,在大棚中间纵梁上安装落地支撑,落地支撑底部用砖块垫起。
优选地,所述防虫网选择不低于60目的防虫网;在所述防虫网外覆盖的薄膜的厚度不低于10丝。
有益效果:使用防虫网,在防虫的同时也防止草种子随风飘入。
优选地,所述支撑件为PE管;在喷灌安装过程中,按1.5-1.8m的间距在PE管上安装微喷吊喷,所述微喷吊喷的喷头喷洒直径为1.8-2.5m。
优选地,在苗床搭建过程中,所述苗床的高度为30-40cm,宽度为1.6m,任意相邻两苗床的间距为40cm。
有益效果:在高海拔区域栽种采用苗床栽种,避免冬季时大棚四周底部漏风导致冻害。
优选地,栽种过程中,在栽种前还包括将基质浇透水,以紧捂住基质少量滴水,松开基质即散为宜;所述种苗为生长健壮的霍山石斛瓶苗,种苗的单株高度不低于2cm,单株根不少于2条。
优选地,所述遮阳网遮阳率在50-60%。
优选地,所述树心锯末为松树树心锯末、杉树树心锯末中的一种或者两种的混合物。
有益效果:松树树心锯末、杉树树心锯末不易腐烂、不易生菌,且保水率高,在冬季能很好的控水。
优选地,选择海拔大于1200米且小于等于1300m的区域作为种植地。
优选地,所述排水沟的宽度不低于40cm,深度不低于30cm。
优选地,所述防虫网用卡丝或卡簧固定。
优选地,所述PE管的直径为25mm。
优选地,所述大棚有三条纵梁,任意相邻两条纵梁的平面投影距离为2m;两侧纵梁平面投影距离相邻大棚边的距离为1m。
优选地,所述园艺地布为黑色的园艺地布。
有益效果:大棚内的地面全覆盖,可减少杂草的生长。
优选地,所述菜籽粕为发酵3个月的物理压榨菜籽粕;且进行过筛处理,筛子的目数>10目。
优选地,树心锯末栽种时,要将树心锯末覆盖到种苗高度的一半,因为在后期浇水时,蓬松的树心锯末会下沉。
优选地,所述落地支撑为多个,且按2.5-3m的间距安装在中间的纵梁上。
优选地,所述种植地的实际长度依据地形而定。
优选地,还包括在棚头修建道路,根据需要的运输物资车辆设置宽度。
优选地,所述大棚包括多个拱杆、多个纵梁、两个腰部卡槽、两个底部卡槽和多个落地支撑;所述多个拱杆沿大棚长度方向间隔排列,所述纵梁纵向连接多个拱杆;所述纵梁位于大棚的顶部;所述腰部卡槽位于大棚的肩部,所述底部卡槽位于所述腰部卡槽的正下方;所述落地支撑安装在中间的纵梁上;在大棚两腰部卡槽以上的顶部范围内覆盖薄膜;在所述腰部卡槽与所述底部卡槽之间安装防虫网,在所述防虫网外面覆盖一层薄膜一直延伸至大棚底部,所述薄膜下端安装卷膜器;大棚采用直径为25mm的热镀锌钢管做拱杆,所述热镀锌钢管的壁厚不低于1.4mm;采用直径为32mm的热镀锌钢管制成纵梁,所述热镀锌钢管的壁厚不低于1.4mm;所述腰部卡槽距离地面1.5m,所述底部卡槽距离地面0.1-0.15m;任意相邻两落地支撑的距离为2.5-3m;在所述落地支撑底部用砖块垫起,防止冬季雪压。
优选地,所述微喷吊喷的喷头距离苗床不低于0.5m。
优选地,所述树心碎块由树心部分制成。
优选地,所述树心锯末是树心部分粉碎后的产品。
优选地,越冬管理过程中,其中温度的确定可以按照根据天气预报和实测温度进行比对得到,因为天气预报温度和高海拔温度还是有区别的。比如天气预报温度是10摄氏度,实际测量是5摄氏度,那么天气预报温度是5摄氏度时,我们就可以预估温度为0摄氏度,以此比对。
本发明的优点在于:
1、高海拔种植,病虫害发生率低,无化学农药肥料,有机种植,安全;
2、高海拔种植,昼夜温差大,霍山石斛抗逆性强,产品品质好,该方法种植的霍山石斛检测的石斛多糖达到37%,正常种植的霍山石斛多糖在25%-30%;
3、弥补了高海拔种植霍山石斛空白区域,扩大了霍山石斛小范围种植的面积;
4、以前高海拔种植生长不良,无成功先例,成活率不足50%,主要体现在越冬发生冻害死亡,该技术让霍山石斛在高海拔种植生长良好,种植成活率提升到92%以上。
附图说明
图1为本发明实施例1中大棚框架示意图;
图2为本发明实施例1中大棚苗床、吊喷、纵梁、拉毛布的位置示意图;
其中,1为纵梁、2为腰部卡槽、3为底部卡槽、4为落地支撑、5为拱杆、6为PE管、7为微喷吊喷、8为苗床、9为拉毛布的位置。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
下述实施例中所用的试验材料和试剂等,如无特殊说明,均可从商业途径获得。
实施例中未注明具体技术或条件者,均可以按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。
实施例1
一种高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法,包括以下步骤:
A、海拔及位置选择
(1)海拔:选择海拔为1500m的区域作为种植地;
(2)坡向:选择光线充足的地理位置,春夏秋季节日照时间均不低于8小时;
B、基础设施建设
(1)整地建棚
地块整理:将种植地整理成宽7m,长度在25m的地块;
大棚搭建:搭建的大棚框架结构如图1所示,大棚采用直径为25mm的热镀锌钢管做拱杆5,钢管壁厚为1.4mm,采用直径为32mm的热镀锌钢管做纵梁1,钢管壁厚为1.4mm;大棚宽度6m,中间最高顶部高度2.8m,大棚有三条纵梁1,相邻两纵梁1在地面的平面投影距离为2m,两侧两纵梁1在地面的平面投影到相邻大棚边的距离为1m;大棚的两肩部(拱杆的弯曲部分)分别设有纵向的腰部卡槽2,所述腰部卡槽2正下方设有纵向的底部卡槽3,所述腰部卡槽2距离地面1.5m,所述底部卡槽3距离地面0.1m;在大棚两腰部卡槽2以上的顶部范围内覆盖薄膜;在所述腰部卡槽2与所述底部卡槽3之间安装防虫网,所述防虫网用卡丝固定在腰部卡槽2与底部卡槽3里,防虫网选择60目防虫网,防虫网的作用在防虫的同时也防止草种子随风飘入;在所述防虫网外覆盖一层薄膜一直延伸到大棚底部,薄膜厚度为15丝,用卡丝将薄膜上端固定在腰部卡槽2上,所述薄膜下端安装卷膜器,能将薄膜卷起卡到腰部卡槽2位置进行通风,需要保温时放到大棚底部;在中间位置的纵梁1上按间距2.5m安装落地支撑4,落地支撑4所用钢管规格同纵梁1,落地支撑4底部用砖块垫起,防止冬季雪压;
沟渠建设:相邻两个大棚之间开挖排水沟,所述排水沟的宽度为40cm,深度为30cm;
道路建设:在棚头修建道路;
(2)喷灌安装:如图2所示,棚内安装3条纵向的直径为25mm的PE管6,分别悬挂在3条纵梁1下方,距离地面1.5m,高度与腰部卡槽2等同,在PE管6上间距1.8m安装微喷吊喷7,微喷喷头喷洒直径选择1.8m;
(3)铺设园艺地布:在地面上全棚铺设黑色的园艺地布;
(4)苗床搭建:在高海拔区域栽种采用苗床栽种,避免冬季时大棚四周底部漏风导致冻害,苗床8高度30cm,宽度1.6m,间距40cm,位于微喷吊喷7正下方;
(5)基质铺设:先铺设一层铺设厚度为5cm、直径不超过5cm的松树皮,再铺设一层铺设厚度为5cm、直径不超过2cm的松树皮;
C、栽种
(1)基质浇水:在栽种前将基质浇透水;
(2)种苗选择:选择生长健壮的霍山石斛瓶苗作为种苗,单株根不少于2条,瓶苗高度不低于2cm;
(3)栽种时间:种植时间为3月,由于是高海拔,气温较低,3月还有霜降,在3月种植时要采取防护措施,在棚内PE管6上方全棚拉上拉毛布9,防止夜间冷凝水到石斛叶片上,从而发生冻害,下午5点后大棚两边拉上薄膜进行保温,早上棚内气温超过28摄氏度时拉开两边的薄膜进行透风;
(4)栽种方法:栽种时4-6株为一丛,按照行间距10cm×10cm间距进行种植;
D、日常养护
(1)浇水:浇水要依据“干根湿芽”的原则,在春季发芽的季节,每天对叶面进行多次喷雾补水,每次喷雾补水的时间不超过2min。当基质上面3cm深处湿度下降至60%以下时浇透水。在夏季时,每次浇水截止时间不超过上午11点;
(2)施肥:在栽种第一年时采用发酵后的羊粪施肥,每亩苗床100kg/次,时间为栽种后的第2个月;栽种后第二年开始,采用发酵3个月的通过物理压榨的菜籽粕作为肥料,菜籽粕要过筛,避免大颗粒撒施不均匀,每亩苗床30kg/次,每年3次,时间为3月、6月、10月;
(3)除草:有机种植,采用人工除草的方式;
E、高温及越冬管理
由于是高海拔种植,昼夜温差大,因此病虫害发生率低,同时也对石斛生长影响,因此做好极端天气的预防工作,尽可能发挥昼夜温差大的作用,一是做好高温预防,集中在8、9月,二是做好越冬工作,集中在11月-次年3月;
(1)高温预防:8月、9月进行高温预防,当苗床上方50cm处的温度超过28摄氏度时,将大棚两边的薄膜卷起来;如果两边的薄膜卷起来之后,棚内苗床上方50cm高度处的温度超过35摄氏度时,在棚顶加装遮阳网,遮阳网遮阳率在60%,加装遮阳网后温度低于30摄氏度时还是正常浇水,若温度超过30℃时减少浇水的次数,改为10天一次;没有遮阳网时温度可以控制到35摄氏度以下时去除遮阳网;
(2)越冬管理:越冬管理关键在于温湿度、光照的控制
温度方面,控制两边的薄膜,白天卷起,夜间放下,控制温度,通过薄膜的控制可以让秋天时白天棚内温度达到20摄氏度以上,这样棚内正常浇水就可以让石斛正常的生长,夜间放下保温可以延长石斛的生长期,积累更多的有效物质;
湿度方面,10月开始控水,当最低温度高于0摄氏度低于10摄氏度时,减少到10天浇水一次,保持底层3cm厚的基质是潮湿的;当最低温度低于零下5摄氏度,提前1周停止浇水,并在霍山石斛上面覆盖拉毛布,避免夜间冷凝水下降到叶面发生冻害,当最低气温高于5摄氏度时即可掀开拉毛布,最低气温高于10摄氏度时,开始浇透水,进入日常管理。
F、开春管理
当最低气温均为零上时,就可以开始进行管理,通过薄膜保温让石斛提前进行浇水,刺激提前发芽,让石斛生长期延长;具体如下:
湿度控制:浇透苗床基质,确保基质全部浇透;
棚内拉毛布保持展开,可以吸收夜间的冷凝水,同时在白天时可以隔热,以免苗床上温度过高,同时也起保温作用;
温度控制:放下两边的薄膜保持薄膜到底,确保棚内温度上升。当棚内苗床上方50cm高度的温度超过30摄氏度时,打开棚头和两边的薄膜通风;当棚内苗床上方50cm高度的温度在20-30℃时,每两天打开棚头和两边的薄膜通风一次,时间选择中午,每次通风时间半小时即可;苗床上方50cm高的温度低于20摄氏度时放下两边的薄膜并关闭棚头保温;通过棚两边的薄膜高度对棚内温度进行微调。
实施例2
一种高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法,包括以下步骤:
A、海拔及位置选择
(1)海拔:选择海拔为1100m的区域作为种植地;
(2)坡向:选择光线充足的地理位置,春夏秋季节日照时间均不低于8小时;
B、基础设施建设
(1)整地建棚
地块整理:将种植地整理成宽7m,长度在25m的地块;
大棚搭建:搭建的大棚框架结构如图1所示,大棚采用直径为25mm的热镀锌钢管做拱杆5,钢管壁厚为1.4mm,采用直径为32mm的热镀锌钢管做纵梁1,钢管壁厚为1.4mm;大棚宽度6m,中间最高顶部高度2.8m,大棚有三条纵梁1,相邻两纵梁1在地面的平面投影距离为2m,两侧两纵梁1在地面的平面投影到相邻大棚边的距离为1m;大棚的两肩部(拱杆的弯曲部分)分别设有纵向的腰部卡槽2,所述腰部卡槽2正下方设有纵向的底部卡槽3,所述腰部卡槽2距离地面1.5m,所述底部卡槽3距离地面0.15m;在大棚两腰部卡槽2以上的顶部范围内覆盖薄膜;在所述腰部卡槽2与所述底部卡槽3之间安装防虫网,所述防虫网用卡丝固定在腰部卡槽2与底部卡槽3里,防虫网选择100目防虫网,防虫网的作用在防虫的同时也防止草种子随风飘入;在所述防虫网外覆盖一层薄膜一直延伸到大棚底部,薄膜厚度为10丝,用卡丝将薄膜上端固定在腰部卡槽2上,所述薄膜下端安装卷膜器,能将薄膜卷起卡到腰部卡槽2位置进行通风,需要保温时放到大棚底部;在中间位置的纵梁1上按间距3m安装落地支撑4,落地支撑4所用钢管规格同纵梁1,落地支撑4底部用砖块垫起,防止冬季雪压;
沟渠建设:相邻两个大棚之间开挖排水沟,所述排水沟的宽度为40cm,深度为35cm;
道路建设:在棚头修建道路;
(2)喷灌安装:如图2所示,棚内安装3条纵向的直径为25mm的PE管6,分别悬挂在3条纵梁1下方,距离地面1.5m,高度与腰部卡槽2等同,在PE管6上间距1.5m安装微喷吊喷7,微喷喷头喷洒直径选择2.5m;
(3)铺设园艺地布:在地面上全棚铺设黑色的园艺地布;
(4)苗床搭建:在高海拔区域栽种采用苗床栽种,避免冬季时大棚四周底部漏风导致冻害,苗床8高度40cm,宽度1.6m,间距40cm,位于微喷吊喷7正下方;
(5)基质铺设:基质选择保水率高的基质;先铺设一层铺设厚度为5cm、直径不超过5cm的树心碎块,再铺设一层铺设厚度为5cm的树心锯末;
C、栽种
(1)基质浇水:在栽种前将基质浇透水;
(2)种苗选择:选择生长健壮的霍山石斛瓶苗作为种苗,单株根不少于2条,瓶苗高度不低于2cm;
(3)栽种时间:种植时间为3月,由于是高海拔,气温较低,3月还有霜降,在3月种植时要采取防护措施,在棚内PE管6上方全棚拉上拉毛布9,防止夜间冷凝水到石斛叶片上,从而发生冻害,下午5点后大棚两边拉上薄膜进行保温,早上棚内气温超过28摄氏度时拉开两边的薄膜进行透风;
(4)栽种方法:栽种时4-6株为一丛,按照行间距10cm×10cm间距进行种植,树心锯末栽种时,要将树心锯末覆盖到种苗高度的一半,因为在后期浇水时,蓬松的树心锯末会下沉;
D、日常养护
(1)浇水:浇水要依据“干根湿芽”的原则,在春季发芽的季节,每天对叶面进行多次喷雾补水,每次喷雾补水的时间不超过2min。当基质上面3cm深处湿度下降至60%以下时浇透水。在夏季时,每次浇水截止时间不超过上午11点;
(2)施肥:在栽种第一年时采用发酵后的羊粪施肥,每亩苗床100kg/次,时间为栽种后的第2个月;栽种后第二年开始,采用发酵3个月的通过物理压榨的菜籽粕作为肥料,菜籽粕要过筛,避免大颗粒撒施不均匀,每亩苗床20kg/次,每年3次,时间为3月、6月、10月;
(3)除草:有机种植,采用人工除草的方式;
E、高温及越冬管理
由于是高海拔种植,昼夜温差大,因此病虫害发生率低,同时也对石斛生长影响,因此做好极端天气的预防工作,尽可能发挥昼夜温差大的作用,一是做好高温预防,集中在8、9月,二是做好越冬工作,集中在11月-次年3月;
(1)高温预防:8月、9月进行高温预防,当苗床上方20cm处的温度超过28摄氏度时,将大棚两边的薄膜卷起来;如果两边的薄膜卷起来之后,棚内苗床上方20cm高度处的温度超过35摄氏度时,在棚顶加装遮阳网,遮阳网遮阳率在50%,加装遮阳网后温度低于30摄氏度时还是正常浇水,若温度超过30℃时减少浇水的次数,改为15天一次;没有遮阳网时温度可以控制到35摄氏度以下时去除遮阳网;
(2)越冬管理:越冬管理关键在于温湿度、光照的控制
温度方面,控制两边的薄膜,白天卷起,夜间放下,控制温度,通过薄膜的控制可以让秋天时白天棚内温度达到20摄氏度以上,这样棚内正常浇水就可以让石斛正常的生长,夜间放下保温可以延长石斛的生长期,积累更多的有效物质;
湿度方面,10月开始控水,当最低温度高于0摄氏度低于10摄氏度时,减少到15天浇水一次,保持底层3cm厚的基质是潮湿的;当最低温度低于零下5摄氏度,提前10天停止浇水,并在霍山石斛上面覆盖拉毛布,避免夜间冷凝水下降到叶面发生冻害,当最低气温高于5摄氏度时即可掀开拉毛布,最低气温高于10摄氏度时,开始浇透水,进入日常管理。
F、开春管理
当最低气温均为零上时,就可以开始进行管理,通过薄膜保温让石斛提前进行浇水,刺激提前发芽,让石斛生长期延长;具体如下:
湿度控制:浇透苗床基质,确保基质全部浇透;
棚内拉毛布保持展开,可以吸收夜间的冷凝水,同时在白天时可以隔热,以免苗床上温度过高,同时也起保温作用;
温度控制:放下两边的薄膜保持薄膜到底,确保棚内温度上升。当棚内苗床上方50cm高度的温度超过30摄氏度时,打开棚头和两边的薄膜通风;当棚内苗床上方50cm高度的温度在20-30℃时,每两天打开棚头和两边的薄膜通风一次,时间选择中午,每次通风时间半小时即可;苗床上方50cm高的温度低于20摄氏度时放下两边的薄膜并关闭棚头保温;通过棚两边的薄膜高度对棚内温度进行微调。
实施例3
一种高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法,包括以下步骤:
A、海拔及位置选择
(1)海拔:选择海拔1400m的区域作为种植地;
(2)坡向:选择光线充足的地理位置,春夏秋季节日照时间均不低于8小时;
B、基础设施建设
(1)整地建棚
地块整理:将种植地整理成宽7m,长度在25m的地块;
大棚搭建:搭建的大棚框架结构如图1所示,大棚采用直径为25mm的热镀锌钢管做拱杆5,钢管壁厚为1.5mm,采用直径为32mm的热镀锌钢管做纵梁1,钢管壁厚为1.5mm;大棚宽度6m,中间最高顶部高度2.8m,大棚有三条纵梁1,相邻两纵梁1在地面的平面投影距离为2m,两侧两纵梁1在地面的平面投影到相邻大棚边的距离为1m;大棚的两肩部(拱杆的弯曲部分)分别设有纵向的腰部卡槽2,所述腰部卡槽2正下方设有纵向的底部卡槽3,所述腰部卡槽2距离地面1.5m,所述底部卡槽3距离地面0.12m;在大棚两腰部卡槽2以上的顶部范围内覆盖薄膜;在所述腰部卡槽2与所述底部卡槽3之间安装防虫网,所述防虫网用卡丝固定在腰部卡槽2与底部卡槽3里,防虫网选择80目防虫网,防虫网的作用在防虫的同时也防止草种子随风飘入;在所述防虫网外覆盖一层薄膜一直延伸到大棚底部,薄膜厚度为12丝,用卡丝将薄膜上端固定在腰部卡槽2上,所述薄膜下端安装卷膜器,能将薄膜卷起卡到腰部卡槽2位置进行通风,需要保温时放到大棚底部;在中间位置的纵梁1上按间距2.8m安装落地支撑4,落地支撑4所用钢管规格同纵梁1,落地支撑4底部用砖块垫起,防止冬季雪压;
沟渠建设:相邻两个大棚之间开挖排水沟,所述排水沟的宽度为45cm,深度为40cm;
道路建设:在棚头修建道路;
(2)喷灌安装:如图2所示,棚内安装3条纵向的直径为25mm的PE管6,分别悬挂在3条纵梁1下方,距离地面1.5m,高度与腰部卡槽2等同,在PE管6上间距1.6m安装微喷吊喷7,微喷喷头喷洒直径选择2m;
(3)铺设园艺地布:在地面上全棚铺设黑色的园艺地布;
(4)苗床搭建:在高海拔区域栽种采用苗床栽种,避免冬季时大棚四周底部漏风导致冻害,苗床8高度35cm,宽度1.6m,间距40cm,位于微喷吊喷7正下方;
(5)基质铺设:先铺设一层铺设厚度为5cm、直径不超过5cm的松树皮,再铺设一层铺设厚度为5cm、直径不超过2cm的松树皮;
C、栽种
(1)基质浇水:在栽种前将基质浇透水;
(2)种苗选择:选择生长健壮的霍山石斛瓶苗作为种苗,单株根不少于2条,瓶苗高度不低于2cm;
(3)栽种时间:种植时间为3月,由于是高海拔,气温较低,3月还有霜降,在3月种植时要采取防护措施,在棚内PE管6上方全棚拉上拉毛布9,防止夜间冷凝水到石斛叶片上,从而发生冻害,下午5点后大棚两边拉上薄膜进行保温,早上棚内气温超过28摄氏度时拉开两边的薄膜进行透风;
(4)栽种方法:栽种时4-6株为一丛,按照行间距10cm×10cm间距进行种植;
D、日常养护
(1)浇水:浇水要依据“干根湿芽”的原则,在春季发芽的季节,每天对叶面进行多次喷雾补水,每次喷雾补水的时间不超过2min。当基质上面3cm深处湿度下降至60%以下时浇透水。在夏季时,每次浇水截止时间不超过上午11点;
(2)施肥:在栽种第一年时采用发酵后的羊粪施肥,每亩苗床100kg/次,时间为栽种后的第2个月;栽种后第二年开始,采用发酵3个月的通过物理压榨的菜籽粕作为肥料,菜籽粕要过筛,避免大颗粒撒施不均匀,每亩苗床25kg/次,每年3次,时间为3月、6月、10月;
(3)除草:有机种植,采用人工除草的方式;
E、高温及越冬管理
由于是高海拔种植,昼夜温差大,因此病虫害发生率低,同时也对石斛生长影响,因此做好极端天气的预防工作,尽可能发挥昼夜温差大的作用,一是做好高温预防,集中在8、9月,二是做好越冬工作,集中在11月-次年3月;
(1)高温预防:8月、9月进行高温预防,当苗床上方10cm处的温度超过28摄氏度时,将大棚两边的薄膜卷起来;如果两边的薄膜卷起来之后,棚内苗床上方10cm高度处的温度超过35摄氏度时,在棚顶加装遮阳网,遮阳网遮阳率在55%,加装遮阳网后温度低于30摄氏度时还是正常浇水,若温度超过30℃时减少浇水的次数,改为14天一次;没有遮阳网时温度可以控制到35摄氏度以下时去除遮阳网;
(2)越冬管理:越冬管理关键在于温湿度、光照的控制
温度方面,控制两边的薄膜,白天卷起,夜间放下,控制温度,通过薄膜的控制可以让秋天时白天棚内温度达到20摄氏度以上,这样棚内正常浇水就可以让石斛正常的生长,夜间放下保温可以延长石斛的生长期,积累更多的有效物质;
湿度方面,10月开始控水,当最低温度高于0摄氏度低于10摄氏度时,减少到12天浇水一次,保持底层3cm厚的基质是潮湿的;当最低温度低于零下5摄氏度,提前2周停止浇水,并在霍山石斛上面覆盖拉毛布,避免夜间冷凝水下降到叶面发生冻害,当最低气温高于5摄氏度时即可掀开拉毛布,最低气温高于10摄氏度时,开始浇透水,进入日常管理。
F、开春管理
当最低气温均为零上时,就可以开始进行管理,通过薄膜保温让石斛提前进行浇水,刺激提前发芽,让石斛生长期延长;具体如下:
湿度控制:浇透苗床基质,确保基质全部浇透;
棚内拉毛布保持展开,可以吸收夜间的冷凝水,同时在白天时可以隔热,以免苗床上温度过高,同时也起保温作用;
温度控制:放下两边的薄膜保持薄膜到底,确保棚内温度上升。当棚内苗床上方50cm高度的温度超过30摄氏度时,打开棚头和两边的薄膜通风;当棚内苗床上方50cm高度的温度在20-30℃时,每两天打开棚头和两边的薄膜通风一次,时间选择中午,每次通风时间半小时即可;苗床上方50cm高的温度低于20摄氏度时放下两边的薄膜并关闭棚头保温;通过棚两边的薄膜高度对棚内温度进行微调。
实施例4
一种高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法,包括以下步骤:
A、海拔及位置选择
(1)海拔:选择海拔为1500m的区域作为种植地;
(2)坡向:选择光线充足的地理位置,春夏秋季节日照时间均不低于8小时;
B、基础设施建设
(1)整地建棚
地块整理:将种植地整理成地块;
大棚搭建:搭建的大棚框架结构如图1所示,大棚采用直径为25mm的热镀锌钢管做拱杆5,钢管壁厚为1.4mm,采用直径为32mm的热镀锌钢管做纵梁1,钢管壁厚为1.4mm;大棚宽度6m,中间最高顶部高度2.8m,大棚有三条纵梁1,相邻两纵梁1在地面的平面投影距离为2m,两侧两纵梁1在地面的平面投影到相邻大棚边的距离为1m;大棚的两肩部(拱杆的弯曲部分)分别设有纵向的腰部卡槽2,所述腰部卡槽2正下方设有纵向的底部卡槽3,所述腰部卡槽2距离地面1.5m,所述底部卡槽3距离地面0.13m;在大棚两腰部卡槽2以上的顶部范围内覆盖薄膜;在所述腰部卡槽2与所述底部卡槽3之间安装防虫网,所述防虫网用卡丝固定在腰部卡槽2与底部卡槽3里,防虫网选择150目的防虫网;在所述防虫网外覆盖一层薄膜一直延伸到大棚底部,薄膜厚度为20丝,用卡丝将薄膜上端固定在腰部卡槽2上,所述薄膜下端安装卷膜器,能将薄膜卷起卡到腰部卡槽2位置进行通风,需要保温时放到大棚底部;在中间位置的纵梁1上按间距3m安装落地支撑4,落地支撑4所用钢管规格同纵梁1,落地支撑4底部用砖块垫起;
沟渠建设:相邻两个大棚之间开挖排水沟,所述排水沟的宽度为40cm,深度为45cm;
道路建设:在棚头修建道路;
(2)喷灌安装:如图2所示,棚内安装3条纵向的直径为25mm的PE管6,分别悬挂在3条纵梁1下方,距离地面1.5m,高度与腰部卡槽2等同,在PE管6上间距1.6m安装微喷吊喷7,微喷喷头喷洒直径选择2m;
(3)铺设园艺地布:在地面上全棚铺设黑色的园艺地布;
(4)苗床搭建:采用苗床栽种,苗床8高度35cm,宽度1.6m,间距40cm,位于微喷吊喷7正下方;
(5)基质铺设:先铺设一层铺设厚度为5cm、直径不超过5cm的松树皮,再铺设一层铺设厚度为5cm的树心锯末;
C、栽种
(1)基质浇水:在栽种前将基质浇透水;
(2)种苗选择:选择生长健壮的霍山石斛瓶苗作为种苗,单株根不少于2条,瓶苗高度不低于2cm;
(3)栽种时间:种植时间为6月;
(4)栽种方法:栽种时4-6株为一丛,按照行间距10cm×10cm间距进行种植,树心锯末栽种时,要将树心锯末覆盖到种苗高度的一半;
D、日常养护
(1)浇水:浇水要依据“干根湿芽”的原则,在春季发芽的季节,每天对叶面进行多次喷雾补水,每次喷雾补水的时间不超过2min。当基质上面3cm深处湿度下降至60%以下时浇透水。在夏季时,每次浇水截止时间不超过上午11点;
(2)施肥:在栽种第一年时采用发酵后的羊粪施肥,每亩苗床100kg/次,时间为栽种后的第2个月;栽种后第二年开始,采用发酵3个月的通过物理压榨的菜籽粕作为肥料,菜籽粕要过筛,每亩苗床25kg/次,每年3次,时间为3月、6月、10月;
(3)除草:有机种植,采用人工除草的方式;
E、高温及越冬管理
一是做好高温预防,集中在8、9月,二是做好越冬工作,集中在11月-次年3月;
(1)高温预防:8月、9月进行高温预防,当苗床上方50cm处的温度超过28摄氏度时,将大棚两边的薄膜卷起来;如果两边的薄膜卷起来之后,棚内苗床上方50cm高度处的温度超过35摄氏度时,在棚顶加装遮阳网,遮阳网遮阳率在50%,加装遮阳网后温度低于30摄氏度时还是正常浇水,若温度超过30℃时减少浇水的次数,改为15天一次;没有遮阳网时温度可以控制到35摄氏度以下时去除遮阳网;
(2)越冬管理:
温度方面,控制两边的薄膜,白天卷起,夜间放下,控制温度;
湿度方面,10月开始控水,当最低温度高于0摄氏度低于10摄氏度时,减少到10天浇水一次,保持底层3cm厚的基质是潮湿的;当最低温度低于零下5摄氏度,提前1周停止浇水,并在霍山石斛上面覆盖拉毛布,当最低气温高于5摄氏度时即可掀开拉毛布,最低气温高于10摄氏度时,开始浇透水,进入日常管理。
F、开春管理
当最低气温均为零上时,就可以开始进行管理;具体如下:
湿度控制:浇透苗床基质,确保基质全部浇透;
棚内拉毛布保持展开;
温度控制:放下两边的薄膜保持薄膜到底,确保棚内温度上升。当棚内苗床上方50cm高度的温度超过30摄氏度时,打开棚头和两边的薄膜通风;当棚内苗床上方50cm高度的温度在20-30℃时,每两天打开棚头和两边的薄膜通风一次,时间选择中午,每次通风时间半小时即可;苗床上方50cm高的温度低于20摄氏度时放下两边的薄膜并关闭棚头保温。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法,其特征在于,包括以下步骤:
A、海拔及位置选择
选择海拔大于1000米且小于等于1500m,春季、夏季和秋季日照时间均不低于8小时的区域作为种植地;
B、基础设施建设
(1)整地建棚:对选择的种植地进行整理,并在整理后的种植地上搭建大棚,并在相邻两大棚间开挖排水沟;其中,所述大棚的两肩部分别设有纵向的腰部卡槽,所述腰部卡槽正下方设有纵向的底部卡槽,在大棚两腰部卡槽以上的顶部范围内覆盖薄膜;在所述腰部卡槽与所述底部卡槽之间安装防虫网,在所述防虫网外覆盖一层薄膜一直延伸到大棚底部,所述薄膜下端安装卷膜器,能将薄膜卷起卡到腰部卡槽位置进行通风,需要保温时放到大棚底部;
(2)喷灌安装:在大棚纵梁下方纵向安装支撑件,使所述支撑件的高度与所述腰部卡槽的高度一致;在所述支撑件上安装微喷吊喷;
(3)铺设园艺地布:在地面上全棚铺设园艺地布;
(4)苗床搭建:沿大棚纵向方向,在所述微喷吊喷的正下方搭建苗床;
(5)基质铺设:先铺设一层铺设厚度为5cm、直径不超过5cm的松树皮或树心碎块,再铺设一层铺设厚度为5cm的树心锯末或直径不超过2cm的松树皮;
C、栽种
种植时间为3-6月;在3月份种植时,在棚内支撑件上方全棚拉上拉毛布,下午5点后放下大棚两边的薄膜进行保温,早上棚内气温超过28摄氏度时拉开两边的薄膜进行透风;栽种时4-6株种苗为一丛,按照行间距10cm×10cm间距进行种植;
D、日常养护
(1)浇水:在春季发芽的季节,每天对叶面进行多次喷雾补水,每次喷雾补水的时间不超过2min;当基质上面3cm深处湿度下降至60%以下时浇透水;在夏季时,每次浇水截止时间不超过上午11点;
(2)施肥:在栽种后的第2个月,采用发酵后的羊粪作为肥料,按每亩苗床100kg/次施加;栽种后的第二年开始每年按每亩苗床20-30kg/次的量施加三次发酵菜籽粕,其中施加时间分别为3月、6月、10月;
(3)除草:采用人工除草的方式;
E、高温及越冬管理
(1)高温预防:8月、9月进行高温预防,当苗床上方10-50cm处的温度超过28摄氏度时,将大棚两边的薄膜卷起来;将薄膜卷起后,若棚内苗床上方10~50cm高度处的温度超过35摄氏度时,在棚顶加装遮阳网;加装遮阳网后,若棚内温度超过30摄氏度时,将浇水的次数改为10-15天一次;
(2)越冬管理:在11月-次年3月,控制两边的薄膜,使薄膜白天卷起,夜间放下控制温度;10月开始控水,当最低温度高于0摄氏度低于10摄氏度时,每10-15天浇水一次;当最低温度低于零下5摄氏度,至少提前1周停止浇水,并在霍山石斛上面覆盖拉毛布;当最低气温高于5摄氏度时掀开拉毛布,最低气温高于10摄氏度时,开始浇透水,进入日常管理;
F、开春管理
当最低气温均为零上时,开始进行开春管理,具体包括如下操作:浇透苗床基质控制湿度;展开棚内拉毛布,放下两边的薄膜确保棚内温度上升;当棚内苗床上方50cm高度处的温度超过30摄氏度时,打开棚头以及两侧薄膜通风;当苗床上方50cm高度处的温度处于20-30℃之间时,每两天打开棚头和两边的薄膜通风一次,时间选择中午,每次通风时间半小时;当苗床上方50cm高处的温度低于20摄氏度时放下两边的薄膜并关闭棚头保温。
2.根据权利要求1所述的高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法,其特征在于:在大棚搭建过程中,所述腰部卡槽距离地面1.5m;所述底部卡槽距离地面0.1-0.15m。
3.根据权利要求1所述的高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法,其特征在于:在大棚中间纵梁上安装落地支撑,落地支撑底部用砖块垫起。
4.根据权利要求1所述的高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法,其特征在于:所述防虫网选择不低于60目的防虫网;在所述防虫网外覆盖的薄膜的厚度不低于10丝。
5.根据权利要求1所述的高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法,其特征在于:所述支撑件为PE管;在喷灌安装过程中,按1.5-1.8m的间距在PE管上安装微喷吊喷,所述微喷吊喷的喷头喷洒直径为1.8-2.5m。
6.根据权利要求1所述的高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法,其特征在于:在苗床搭建过程中,所述苗床的高度为30-40cm,宽度为1.6m,任意相邻两苗床的间距为40cm。
7.根据权利要求1所述的高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法,其特征在于:栽种过程中,在栽种前还包括将基质浇透水;所述种苗为生长健壮的霍山石斛瓶苗,种苗的单株高度不低于2cm,单株根不少于2条。
8.根据权利要求1所述的高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法,其特征在于:所述遮阳网遮阳率在50-60%。
9.根据权利要求1所述的高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法,其特征在于:所述树心锯末为松树树心锯末、杉树树心锯末中的一种或者两种的混合物。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法,其特征在于:选择海拔大于1200米且小于等于1300m的区域作为种植地。
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王秀松;王诗文;: "霍山石斛林下仿野生栽培技术规程", 现代农业科技, no. 04, pages 91 - 93 * |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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