CN115000680B - 一种天线、移相器及通信设备 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种天线、移相器及通信设备。天线包括：第一金属电极、第二金属电极和光致介电变化层；第一金属电极和第二金属电极分别位于光致介电变化层相对的两侧；第一金属电极包括多个传输电极；传输电极用于传输电信号；光致介电变化层包括至少一个光致介电变化单元，且光致介电变化单元与传输电极交叠。本发明实施例提供的天线，为大规模商业化提供更多的可能。

Description

一种天线、移相器及通信设备

技术领域

本发明实施例涉及通信技术领域，尤其涉及一种天线、移相器及通信设备。

背景技术

天线是发射和接收电磁波的一个重要的无线电设备，可以说，没有天线就没有通信设备。

相控阵天线是对传统天线的升级，其能够根据目标快速灵活地改变天线波束和指向形状，能够对整个空间内的各频段电磁波进行发送和接收，即，可以对多个目标实现搜索、跟踪、捕获、识别等任务的精确完成。

其中，液晶相控阵天线是一种利用液晶的介电各向异性，通过控制液晶偏转方向来改变移相器的移相大小，从而调节相控阵天线的对准方向的天线，其具有小型化、宽频带、多波段以及高增益等特点，是一种更适合当前技术发展方向的天线，其在卫星接收天线、车载雷达、基站天线等领域有着广泛的应用前景。因此，液晶相控阵天线是目前研究最多的相控阵天线。然而，液晶天线成本高，售价昂贵，难以实现大规模商业化。

发明内容

本发明实施例提供一种新型的天线、移相器及通信设备，为大规模商业化提供更多的可能。

第一方面，本发明实施例提供了一种天线，该天线包括：第一金属电极、第二金属电极和光致介电变化层；

所述第一金属电极和所述第二金属电极分别位于所述光致介电变化层相对的两侧；

所述第一金属电极包括多个传输电极；所述传输电极用于传输电信号；

所述光致介电变化层包括至少一个光致介电变化单元，且所述光致介电变化单元与所述传输电极交叠。

第二方面，本发明实施例还提供了一种移相器，该移相器包括：第一金属电极、第二金属电极和光致介电变化层；

所述第一金属电极和所述第二金属电极分别位于所述光致介电变化层相对的两侧；

所述第一金属电极包括至少一个传输电极；所述传输电极用于传输电信号；

所述光致介电变化层包括至少一个光致介电变化单元，且所述光致介电变化单元与所述传输电极交叠。

第三方面，本发明实施例还提供了一种通信设备，该通信设备包括光源以及第一方面所述的天线或第二方面所述的移相器。

本发明实施例提供的天线、移相器及通信设备，通过在第一金属电极和第二金属电极之间设置光致介电变化层，通过控制光致介电变化层的介电常数改变，控制传输电极传输的电信号移相。该新型的天线、移相器及通信设备，为大规模商业化提供更多的可能。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种天线的俯视结构示意图；

图2是沿图1中A-A’的剖面结构示意图；

图3是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图；

图4是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图；

图5是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图；

图6是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图；

图7是沿图6中B-B’的剖面结构示意图；

图8是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图；

图9是本发明实施例提供的一种天线的部分膜层结构示意图；

图10是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图；

图11是沿图10中C-C’的剖面结构示意图；

图12是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图；

图13是沿图12中D-D’的剖面结构示意图；

图14是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图；

图15是沿图14中E-E’的剖面结构示意图；

图16是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图；

图17是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图；

图18是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图；

图19是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图；

图20是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图；

图21是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图；

图22是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图；

图23是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图；

图24是本发明实施例提供的一种移相器的俯视结构示意图；

图25是沿图24中F-F’的剖面结构示意图；

图26是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图；

图27是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图；

图28是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图；

图29是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图；

图30是沿图29中G-G’的剖面结构示意图；

图31是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图；

图32是本发明实施例提供的一种移相器的部分膜层结构示意图；

图33是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图；

图34是沿图33中H-H’的剖面结构示意图；

图35是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图；

图36是沿图35中I-I’的剖面结构示意图；

图37是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图；

图38是沿图37中J-J’的剖面结构示意图；

图39是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图；

图40是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图；

图41是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图；

图42是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图；

图43是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图；

图44是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图；

图45是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图；

图46是本发明实施例提供的一种通信设备的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

有鉴于背景技术中的问题，本发明实施例提供了一种天线，该天线包括：第一金属电极、第二金属电极和光致介电变化层；第一金属电极和第二金属电极分别位于光致介电变化层相对的两侧；第一金属电极包括多个传输电极；传输电极用于传输电信号；光致介电变化层包括至少一个光致介电变化单元，且光致介电变化单元与所述传输电极交叠。

本实施例提供的天线通过在第一金属电极和第二金属电极之间设置光致介电变化层，通过控制光致介电变化层的介电常数改变，控制传输电极传输的电信号移相。本实施例提供的天线结构，为大规模商业化提供更多的可能。

以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1是本发明实施例提供的一种天线的俯视结构示意图，图2是沿图1中A-A’的剖面结构示意图，如图1和图2所示，本发明实施例提供的天线100，包括：第一金属电极10、第二金属电极20和光致介电变化层30；第一金属电极10和第二金属电极20分别位于光致介电变化层30相对的两侧；第一金属电极10包括多个传输电极11；传输电极11用于传输电信号；光致介电变化层30包括至少一个光致介电变化单元31，且光致介电变化单元31与传输电极11交叠。其中，图1仅以光致介电变化层30包括一个光致介电变化单元31为例进行的说明，光致介电变化层30包括一个光致介电变化单元31时，光致介电变化单元31例如可以为一整层结构。

其中，例如可以通过控制光强控制光致介电变化单元31的介电常数发生改变；也可以采用波长控制光致介电变化单元31的介电常数变化，本实施例对此不作限定，只要可以改变光致介电变化单元31的介电常数即可。

本实施例中，传输电极11用于传输电信号，第二金属电极20例如被提供固定电位，例如，第二金属电极20接地设置。在电信号的传输过程中，会由于，光致介电变化单元31介电常数的改变(光致介电变化单元31受到光强或波长等影响后其介电常数发生改变)，使得传输电极11和第二金属电极20之间构成的电容的电容值发生改变，导致传输电极11传输的电信号的相位发生变化，如此，改变了电信号的相位，实现电信号的移相功能。本实施例不对光致介电变化单元31的材料进行限定，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择，只要可以通过光致介电变化单元31介电常数的改变，对传输电极11上传输的电信号进行移相，改变电信号的相位即可。示例性的，光致介电变化单元31的材料可以包括偶氮染料或偶氮聚合物等。

可以理解的是，光致介电变化单元31与传输电极11交叠，可以是光致介电变化单元31与传输电极11部分交叠；也可以是传输电极11与光致介电变化单元31重合；还可以是传输电极11位于光致介电变化单元31的投影内。还可以理解的是，光致介电变化单元31与传输电极11交叠，可以是沿光致介电变化单元31的厚度方向，光致介电变化单元31与传输电极11交叠。可选的，当传输电极11为平面的传输电极时，光致介电变化单元31与传输电极11交叠，可以是光致介电变化单元31在传输电极11所在平面的垂直投影与传输电极11交叠。

需要说明的是，图1以天线100包括四个传输电极11和一个光致介电变化单元31为例进行的说明，即光致介电变化单元31整层设置。在其他可选的实施例中，还可以包括多个光致介电变化单元31，其中，多个光致介电变化单元31与多个传输电极11一一对应设置，示例性的，图3是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图，如图3所示，光致介电变化层30包括四个光致介电变化单元31，每一光致介电变化单元31与一个传输电极11对应，且与该传输电极11交叠。

本申请提供的天线结构中，由于使用光致介电变化层30的介电常数的改变来改变信号，且，光致介电变化层30的介电常数的改变是通过光源的刺激产生，相比于液晶天线而言，不需要设置驱动电极控制液晶层的介电常数变化，因此，对于天线结构而言，在制程上可以避免制作驱动电极，能够进一步降低生产成本。

可选的，继续参见图2，光致介电变化层30的厚度为H，即光致介电变化单元31的厚度为H，其中，10μm≤H≤1000μm。

将光致介电变化单元31的厚度设置在10μm到100μm之间，即不会因为光致介电变化单元31的厚度过厚导致传输电极11传输的电信号在光致介电变化单元31中损耗，也不会因为光致介电变化单元31的厚度过薄使得电信号的带宽太窄，限制天线的应用，例如，传输至传输电极11的电信号的带宽为5GHz±0.5GHz之间，即4.5GHz-5.5Ghz之间，相同结构下，如果光致介电变化单元31的厚度过薄，使得传输电极11传输电信号的频率只能在5Ghz±0.2GHz之间，即4.8GHz-5.2Ghz之间，如此，电信号的带宽变窄，损耗部分电信号，限制天线的应用；此外，如果光致介电变化单元31的厚度过薄，则工艺波动性对光致介电变化单元31的厚度影响增大，对传输电极11和第二金属电极20之间构成的电容的电容值的影响增大，进而影响传输电极11上传输的电信号进行移相，因此，本实施例将光致介电变化单元31的厚度设置在10μm～100μm之间，以在保证电信号正常传输的同时，还可以扩大该天线的应用范围以及确保传输电极11上传输的电信号移相。

可选的，传输电极11传输的电信号例如可以为高频信号，该高频信号的频率例如大于等于1GHz，如此，可以应用到卫星、基站等远距离高速传播的设备中，且由于该天线，在制程上可以避免制作驱动电极，即降低生产成本，因此具有较高的商业应用价值。

可以理解的是，传输电极11传输的电信号包括但不限于上述示例。

综上所述，本发明实施例提供的天线，通过在第一金属电极和第二金属电极之间设置光致介电变化层，通过控制光致介电变化层的介电常数改变，控制传输电极传输的电信号移相。该新型的天线，为大规模商业化提供更多的可能。

可选的，继续参见图1，本发明实施例提供的天线100还包括馈电网络12，馈电网络12与传输电极11同层设置，且馈电网络12与传输电极11电连接。

其中，馈电网络12呈树枝状分布且包括多个分支，一个分支与一个传输电极11电连接，馈电网络12把电信号传输至各个传输电极11，通过光强或波长控制光致介电变化单元31的介电常数改变，对传输电极11上的传输的电信号进行移相，从而实现电信号的移相功能。

本实施例中，馈电网络12与传输电极11同层设置，且馈电网络12与传输电极11电连接，相比于液晶天线中馈电网络传输的电信号通过液晶层耦合至传输电极，本技术方案由于馈电网络12直接与传输电极11电连接，可将电信号直接传输至传输电极11，无需耦合，如此，可以避免因为耦合造成电信号损耗的问题。

可选的，继续参见图1和图2，第一金属电极10还包括多个辐射体13；辐射体13、传输电极11和馈电网络12同层设置，且传输电极11与辐射体13电连接。

本实施例中，第一金属电极10包括辐射体13、传输电极11和馈电网络12，馈电网络12与传输电极11电连接，传输电极11与辐射体13电连接，如此，馈电网络12将电信号直接传输至传输电极11，无需耦合；然后电信号在传输电极11传输，与此同时，通过光强或波长控制光致介电变化单元31的介电常数改变，对传输电极11上的传输的电信号进行移相后直接通过辐射体13向外辐射信号，同样也无需耦合。相比于液晶天线中馈电网络传输的电信号通过液晶层耦合至传输电极，然后再通过液晶层耦合至辐射体，本实施例提供的技术方案，可以避免因两次耦合导致电信号损耗的问题。

此外，辐射体13、传输电极11和馈电网络12同层设置，可以通过一道制程工艺同时形成，能够大大降低生产成本，更有利于大规模商业化应用。

可选的，图4是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图，如图4所示，传输电极11的形状包括线状；线状包括相互连接的多段，至少两段的延伸方向相交。

本实施例中，传输电极11的形状为线状，如此传输电信号的路径加长，光致介电变化单元31对电信号的影响增大；此外，当传输电极11的形状为线状时，光源可以设置在传输电极11背离光致介电变化层30的一侧，所谓光源即为发出的光(光强或波长)可以控制光致介电变化单元31的介电常数发生改变的结构，如此，相比于传输电极11的形状为块状，本实施例提供的传输电极11，使得光源的设置位置变得灵活。

需要说明的是，当传输电极11的形状为线状时，图4以传输电极11的形状为蛇形为例，但不构成对本申请的限定，本领域技术人员可以根据实际情况就行设置。在其他可选的实施例中，传输电极11的形状还可以为多段直线段连接而成的W形，例如参见图5；或者相互连接的U形等(图中未示出)。

可选的，继续参见图4，当传输电极11的形状为线状时，传输电极11的线宽为W，其中，10μm≤W≤500μm。

这样设置的好处在于，既可以保证电信号在传输电极11中正常传输，同时还不会因为传输电极11的线宽过宽，对传输电极11下方的光致介电变化单元31造成遮挡而导致设置在传输电极11背离光致介电变化层30的一侧的光源发射的光(光强或波长)无法照射至传输电极11下方的光致介电变化单元31，进而导致光致介电变化单元31的介电常数无法改变。

可选的，图6是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图，图7是沿图6中B-B’的剖面结构示意图，如图6和图7所示，光致介电变化层30包括多个光致介电变化单元31；第二金属电极20包括多个第一镂空区21，第一镂空区21包括至少一个第一镂空结构22；至少一个第一镂空结构22与光致介电变化单元31交叠，且每一光致介电变化单元31均与第一镂空结构22交叠。

本实施例中，每一光致介电变化单元31对应至少一个第一镂空结构22，且每一光致介电变化单元31均与第一镂空结构22交叠，如此，光源可以设置在第二金属电极20背离光致介电变化层30的一侧。具体的：光源发出的光(光强或波长)通过第一镂空结构22照射至光致介电变化单元31，以控制光致介电变化单元31的介电常数发生改变。本实施例提供的技术方案，即便传输电极11的形状为块状，也可以控制传输电极11下方光致介电变化单元31的介电常数发生改变。

可以理解的是，当第二金属电极20包括多个第一镂空区21，第一镂空区21包括至少一个第一镂空结构22时，传输电极11的形状并不限于为块状，传输电极11的形状为线状时，同样适用于该结构，即当传输电极11的形状为线状时，光源可以设置在传输电极11背离光致介电变化层30的一侧；也可以设置在第二金属电极20背离光致介电变化层30的一侧。

需要说明的是，图6是光致介电变化层30包括四个光致介电变化单元31，且第二金属电极20包括四个第一镂空区21，以及每个第一镂空区21均包括九个第一镂空结构22(即每个光致介电变化单元31对应的第一镂空结构22的数量相等)为例进行的说明。在其他可选的实施例中，每个光致介电变化单元31对应的第一镂空结构22的数量可以不等，示例性的，图8是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图，如图8所示，四个光致介电变化单元31包括第一光致介电变化单元311、第二光致介电变化单元312、第三光致介电变化单元313和第四光致介电变化单元314；其中，第一光致介电变化单元311与三个第一镂空结构22交叠，第二光致介电变化单元312与五个第一镂空结构22交叠，第三光致介电变化单元313与七个第一镂空结构22交叠，以及第四光致介电变化单元314与九个第一镂空结构22交叠。

可选的，继续参见图6和图7，第一镂空结构22的尺寸大于等于2.5μm且小于等于25μm。

示例性的，如图6和图7所示，当第一镂空结构22的形状包括圆形时，该第一镂空结构22的直径C1例如大于等于2.5μm且小于等于25μm。当第一镂空结构22的形状包括正方形(图中未示出)时，该第一镂空结构22的边长的尺寸大于等于2.5μm且小于等于25μm。将第一镂空结构22的尺寸设置为大于等于2.5μm且小于等于25μm，既可以避免当第一镂空结构22的尺寸过小导致光源发出的光无法照射至光致介电变化单元31，同时还可以避免过大的第一镂空结构22导致传输电极11传输的电信号通过第一镂空结构22向外泄露。

可选的，图9是本发明实施例提供的一种天线的部分膜层结构示意图，如图9所示，当每一光致介电变化单元31均与第一镂空结构22交叠时，本发明实施例提供的天线100还包括透光导电层40，该透光导电层40位于光致介电变化层30与第二金属电极20之间。

其中，透光导电层40例如可以为透明导电层，即光源发射的光可以通过该透明导电层照射至光致介电变化单元31。此时透明导电层的材料例如可以为氧化铟锡。透光导电层40并不限于为透明的导电层，还可以为仅能透过光致介电变化单元31能够响应的光的导电层，所谓光致介电变化单元31能够响应的光可以是当该光照射至光致介电变化单元31时，光致介电变化单元31的介电常数发生改变，例如，光致介电变化单元31能够响应的光为蓝光，则透光导电层40可以透过蓝光即可。

本实施例中，通过在光致介电变化层30与第二金属电极20之间设置透光导电层40，通过设置透光导电层40，既可以使得光照射至光致介电变化单元31，以使光致介电变化单元31的介电常数改变，又可以防止传输电极11传输的信号通过第一镂空结构22向外泄露。

在上述各方案的基础上，可选的，本发明实施例提供的天线还包括至少一层衬底基板；衬底基板与光致介电变化单元同层设置；和/或，衬底基板与光致介电变化单元异层设置且交叠。

其中，衬底基板的材料例如可以聚酰亚胺、玻璃或液晶聚合物中的一种。可以理解的是，衬底基板的材料包括但不限于上述示例，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择。

本实施例中，可以在衬底基板上形成天线中的其它膜层结构，通过衬底基板例如可以对天线进行支撑。

示例性的，图10是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图，图11是沿图10中C-C’的剖面结构示意图，如图10和图11所示，本实施例提供的天线100包括一层衬底基板50，该衬底基板50与光致介电变化层30同层设置。可选的，图10所示的天线100的制备步骤例如可以为：先在一支撑层(图中未示出)上形成第二金属电极20；然后在第二金属电极20背离支撑层一侧设置衬底基板50，衬底基板50包括多个凹槽结构，多个凹槽结构均贯穿衬底基板50；然后在每个凹槽结构内均设置光致介电变化单元31；再在衬底基板50背离第二金属电极20的一侧形成第一金属电极10。其中，如果天线100包括支撑层时，无需剥离支撑层；如果天线100无需支撑层时，则可以在形成第一金属电极10后将支撑层剥离，如图10和图11所示。

示例性的，图12是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图，图13是沿图12中D-D’的剖面结构示意图，如图12和图13所示，本实施例提供的天线100包括一层衬底基板50，该衬底基板50位于光致介电变化层30与第二金属电极20之间，且沿光致介电变化单元31的厚度方向，衬底基板50与光致介电变化单元31交叠。需要说明的是，衬底基板50为透光材料，可以是透光的有机衬底，或者是透光的无机衬底。具体地，例如：衬底基板50可以为玻璃基板，或者，聚酰亚胺基板，或者，聚甲基丙烯酸甲酯基板，或者，聚苯乙烯基板等。

示例性的，图14是本发明实施例提供的又一种天线的俯视结构示意图，图15是沿图14中E-E’的剖面结构示意图，如图14和图15所示，本发明实施例提供的天线100还包括两层衬底基板50；其中一衬底基板50a与光致介电变化单元31同层设置；另一衬底基板50b与光致介电变化单元31异层设置且交叠。

需要说明的是，图10、图12和图14仅以传输电极11的形状为线状为例进行的说明，但不构成对本申请的限定，本领域技术人员可以根据实际情况进行设置。

还需要说明的是，当衬底基板与光致介电变化单元同层设置；或者，衬底基板与光致介电变化层异层设置且交叠；或者，其中一衬底基板与光致介电变化层同层设置；其他衬底基板与光致介电变化层异层设置且交叠时，上述内容中分别示出的是一种示例。但是当天线还包括至少一层衬底基板；衬底基板与光致介电变化单元同层设置；和/或，衬底基板与光致介电变化单元异层设置且交叠的具体实施方式还包括多种，下面就典型示例进行说明，下述内容均以传输电极11的形状为线状为例。下述内容均不属于对本发明的限制。

可选的，图16是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图，如图16所示，至少一层衬底基板50包括两层衬底基板；两层衬底基板50包括第一衬底基板51和第二衬底基板52；第一衬底基板51与光致介电变化层30异层设置且交叠，第二衬底基板52与光致介电变化层30异层设置且交叠，且第一衬底基板51和第二衬底基板52分别位于光致介电变化层30的两侧。例如，第一衬底基板51位于光致介电变化层30和第一金属电极10之间，第二衬底基板52位于光致介电变化层30和第二金属电极20之间。本实施例提供的天线结构简单，如此，在制备天线100时，可以简化工艺步骤，提高天线100的制备效率。

可选的，图17是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图，如图17所示，至少一层衬底基板50包括两层衬底基板；两层衬底基板50包括第一衬底基板51和第二衬底基板52；第一衬底基板51与光致介电变化层30异层设置且交叠，第二衬底基板52与光致介电变化层30异层设置且交叠，且第一衬底基板51和第二衬底基板52分别位于光致介电变化层30的两侧；天线100还包括第一粘合层61和第二粘合层62；第一衬底基板51和光致介电变化层30之间设置有第一粘合层61；第二衬底基板52和光致介电变化层30之间设置有第二粘合层62。

其中，第一粘合层61和第二粘合层62例如可以包括OC光学胶等。

需要说明的是，在本实施方式中，光致介电变化层30与第一衬底基板51和第二衬底基板52之间均采用粘结的方式固定，此时，光致介电变化层30为膜片结构，因此，光致介电变化层30直接与第一衬底基板51和第二衬底基板52较为光滑的一侧粘结能够提高光致介电变化层30的平整性，从而使得各个传输电极11对应位置的光致介电变化层30厚度相同。

示例性的，图17所示的天线的制备步骤例如可以为：先在第一衬底基板51上形成第一金属电极10，以及在第二衬底基板52上形成第二金属电极20；然后通过第二粘合层62将光致介电变化层30贴合在第二衬底基板52背离第二金属电极20的一侧；然后通过第一粘合层61将第一衬底基板51贴合在光致介电变化层30背离第二粘合层62的一侧，其中，第一衬底基板51上的第一金属电极10位于第一粘合层61背离光致介电变化层30的一侧。

可以理解的是，当天线为图17所示的结构时，天线的制备步骤包括但不限于上述示例。

可选的，图18是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图，如图18所示，至少一层衬底基板50包括两层衬底基板；两层衬底基板50包括第一衬底基板51和第二衬底基板52；第一衬底基板51与光致介电变化层30异层设置且交叠，第二衬底基板52与光致介电变化层30异层设置且交叠，且第一衬底基板51和第二衬底基板52分别位于光致介电变化层30的两侧；天线100还包括封框结构70，位于第一衬底基板51和第二衬底基板52之间；第一衬底基板51、第二衬底基板52和封框结构70形成容纳空间，容纳空间内设置有光致介电变化单元31。

封框结构70例如可以为封框胶。封框胶具有粘性，且常态下可塑性很强，当通过光照或者其他方式固化又具有机械性能。因此，在第一衬底基板51和第二衬底基板52之间可以通过封框胶进行密封，当光致介电变化单元31为流体状态时，可以防止光致介电变化单元31泄漏。

本实施例中，通过第一衬底基板51、第二衬底基板52和封框结构70形成容纳空间，将光致介电变化单元31设置于容纳空间内，此时设置的光致介电变化单元31可以为流体状态，也可以为固态，如此，可以使得光致介电变化单元31的材料在选取时扩大选取范围，使得光致介电变化单元31的材料选取更灵活。

可选的，图19是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图，如图19所示，与图18不同的是，图19中的第一衬底基板51位于第一金属电极10远离光致介电变化层30的一侧；第二衬底基板52位于第二金属电极20远离光致介电变化层30的一侧。而图18中，第一衬底基板51位于第一金属电极10靠近光致介电变化层30的一侧；第二衬底基板52位于第二金属电极20靠近光致介电变化层30的一侧。

示例性的，图18和图19所示的天线的制备步骤例如可以为：先在第一衬底基板51上形成第一金属电极10，以及在第二衬底基板52上形成第二金属电极20；将形成第一金属电极10的第一衬底基板51和形成第二金属电极20的第二衬底基板52进行对位贴合形成容纳空间，使得第一衬底基板51和第二衬底基板52之间有封框结构70和光致介电变化单元31，封框结构70围绕光致介电变化单元31设置。

在图19的实施方式中，第一金属电极10位于第一衬底基板51靠近光致介电变化单元31的一侧，能够进一步减少信号传输的损耗；同时第一衬底基板51的厚度无需限制，降低工艺要求。

可选的，图20是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图，如图20所示，至少一层衬底基板50包括两层衬底基板；两层衬底基板50包括第三衬底基板53和第四衬底基板54；第三衬底基板53与光致介电变化层30同层设置，第四衬底基板54位于光致介电变化层30的一侧；第三衬底基板53的材料包括聚酰亚胺，第四衬底基板54的材料包括玻璃或液晶聚合物。

示例性的，图20所示的天线的制备步骤例如可以为：提供一第四衬底基板54，其中第四衬底基板54为刚性基板，第四衬底基板54的材料例如可以为玻璃或液晶聚合物，在第四衬底基板54设置天线的其它膜层，而无需单独设置支撑层；然后在第四衬底基板54上例如采用涂布工艺将聚酰亚胺涂布在第四衬底基板54上，固化形成第三衬底基板53；然后对第三衬底基板53进行挖槽，形成多个凹槽结构，例如该凹槽结构贯穿第三衬底基板53；然后在凹槽结构内设置光致介电变化单元31；然后在第四衬底基板54上形成第二金属电极20，以及在第三衬底基板53上设置第一金属电极10。由于第四衬底基板54是刚性基板(玻璃或或液晶聚合物)，且第三衬底基板53的材料为聚酰亚胺，所以可以直接涂布工艺将聚酰亚胺涂布在第四衬底基板54，此时无需在第三衬底基板53和第四衬底基板54之间设置胶层，简化工艺步骤，降低天线的制作成本。

需要说明的是，图20以第四衬底基板54位于光致介电变化层30背离第一金属电极10的一侧进行的说明。在其他可选实施例中，第四衬底基板54还可以位于光致介电变化层30靠近第一金属电极10的一侧，例如，参见图21，此时，无需在第三衬底基板53和第四衬底基板54之间设置胶层。

可选的，图22是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图，如图22所示，衬底基板50与光致介电变化单元31异层设置且交叠；衬底基板50位于第二金属电极20背离第一金属电极10的一侧；第二金属电极20包括多个第二镂空结构23，第二镂空结构23在衬底基板50所在平面的垂直投影位于传输电极11在衬底基板50所在平面的垂直投影内；天线还包括第三金属电极80，位于衬底基板50背离第二金属电极20的一侧；第三金属电极80包括多个辐射体13；第二镂空结构23在衬底基板50所在平面的垂直投影位于辐射体13在衬底基板50所在平面的垂直投影内。

当天线为图22所示的结构时，天线的工作原理为：电信号在传输电极11上传输，与此同时，光致介电变化单元31受到光强或波长等影响后其介电常数发生改变，对传输电极11上传输的电信号进行移相，如此，改变了电信号的相位，最后电信号在第二金属电极20的第二镂空结构23处耦合到辐射体13，辐射体13向外辐射信号。需要说明的是，多个辐射体13为多个相互独立的辐射体13，每个辐射体13向外辐射信号。本实施例中，由于辐射体13与传输电极11分别位于不同的膜层，使得传输电极11的布线设置容易，降低工艺难度，且有利于设置更多辐射体13。

可选地，继续参考图22，在结构中，光致介电变化单元31的形成可以是通过涂布的工艺在衬底基板50设置有第二金属电极20的一侧形成。进一步地，当采用一定的方式对涂布的光致介电变化材料固化之后，可以继续在光致介电变化材料的表面形成第一金属电极10。其中，固化的方式可以选择静止、光固化或者热固化等，具体的需要根据光致介电变化材料的性质决定。

在上述各实施例中，可选的，当衬底基板50与光致介电变化单元31异层设置且交叠时，衬底基板50包括透光衬底基板。这样设置的好处在于，既可以使得光源发射的光通过该透光衬底基板50照射至光致介电变化单元51；同时还可以对天线起到支撑作用。

在上述各实施例中，可选的，图23是本发明实施例提供的又一种天线的部分膜层结构示意图，当衬底基板50与光致介电变化单元31异层设置且交叠时，光致介电变化单元31的厚度H1大于衬底基板50的厚度H2，如此，使得光致介电变化单元31对电信号的影响增大。

需要说明的是，图23仅以天线包括一层衬底基板50，且衬底基板50位于光致介电变化层30与第一金属电极10之间为例进行的说明，但不构成对本申请的限定，只要天线包括衬底基板50，且衬底基板50与光致介电变化单元31异层设置且交叠时，均可以满足上述厚度关系。

在上述各实施例中，可选的，例如参见图10和图11，衬底基板50与光致介电变化单元31同层设置；第一金属电极10还包括多个辐射体13；辐射体13在衬底基板50所在平面的垂直投影位于衬底基板50内。这样设置的好处在于，避免了电信号通过辐射体13向外辐射时，相位改变导致电信号难以辐射出去的问题。

需要说明的是，图10和图11仅以天线包括一层衬底基板50为例进行的说明，但不构成对本申请的限定，只要包括天线包括衬底基板50，且衬底基板50与光致介电变化单元31同层设置时，均可以满足上述位置关系。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种移相器。图24是本发明实施例提供的一种移相器的俯视结构示意图；图25是沿图24中F-F’的剖面结构示意图，如图24和图25所示，本发明实施例提供的移相器200包括：包括：第一金属电极10’、第二金属电极20’和光致介电变化层30’；第一金属电极10’和第二金属电极20’分别位于光致介电变化层30’相对的两侧；第一金属电极10’包括至少一个传输电极11’；传输电极11’用于传输电信号；光致介电变化层30’包括至少一个光致介电变化单元31’，且光致介电变化单元31’与传输电极11’交叠。图24仅以光致介电变化层30’包括一个光致介电变化单元31’为例进行的说明。

其中，例如可以通过控制光强控制光致介电变化单元31’的介电常数发生改变；也可以采用波长控制光致介电变化单元31’的介电常数变化，本实施例对此不作限定，只要可以改变光致介电变化单元31’的介电常数即可。

示例性的，传输电极11’用于传输电信号，第二金属电极20’例如被提供固定电位，例如，第二金属电极20’接地设置。在电信号的传输过程中，光致介电变化单元31’受到光强或波长等影响后其介电常数发生改变，使得传输电极11’和第二金属电极20’之间构成的电容的电容值发生改变，对传输电极11’上传输的电信号进行移相，如此，改变了电信号的相位，实现了电信号的移相功能。传输电极11’用于电信号的传输，同时在传输过程***号进行移相，第一馈电端12’和第二馈电端13’用于配合传输电极11’的两端实现传输电极11’上电信号的馈入和馈出。

其中，本实施例不对光致介电变化单元31’的材料进行限定，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择，只要可以通过光致介电变化单元31’介电常数的改变，对传输电极11’上传输的电信号进行移相，改变电信号的相位即可。示例性的，光致介电变化单元31’的材料可以包括偶氮染料或偶氮聚合物等。

可以理解的是，光致介电变化单元31’与传输电极11’交叠，可以是光致介电变化单元31’与传输电极11’部分交叠；也可以是传输电极11’所在的区域与光致介电变化单元31’所在的区域重合；还可以是传输电极11’位于光致介电变化单元31’的投影内。还可以理解的是，光致介电变化单元31’与传输电极11’交叠，可以是沿光致介电变化单元31’的厚度方向，光致介电变化单元31’与传输电极11’交叠。可选的，当传输电极11’为平面的传输电极时，光致介电变化单元31’与传输电极11’交叠，可以是光致介电变化单元31’在传输电极11’所在平面的垂直投影与传输电极11’交叠。

需要说明的是，图24以移相器200包括一个传输电极11’和一个光致介电变化单元31’为例进行的说明。在其他可选的实施例中，还可以包括多个光致介电变化单元31’，其中，多个光致介电变化单元31’与多个传输电极11’一一对应设置；或者，包括多个传输电极11’，且多个传输电极11’对应一个光致介电变化单元31’。示例性的，图26是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图，如图26所示，光致介电变化层30’包括四个光致介电变化单元31’，每一光致介电变化单元31’与一个传输电极11’对应，且与该传输电极11’交叠。图27是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图，如图27所示，移相器200包括三个传输电极11’，三个传输电极11’与一个光致介电变化单元31’对应，且三个传输电极11’均与该光致介电变化单元31’交叠。

本申请提供的移相器中，由于使用光致介电变化层30’的介电常数的改变来改变信号，且，光致介电变化层30’的介电常数的改变是通过光源的刺激产生，相比于现有技术中通过液晶层改变电信号的相位而言，不需要设置驱动电极控制液晶层的介电常数变化，因此，对于移相器而言，在制程上可以避免制作驱动电极，能够进一步降低生产成本。

可选的，继续参见图25，光致介电变化层30’的厚度为H，即光致介电变化单元31’的厚度为H，其中，10μm≤H≤1000μm。

将光致介电变化单元31’的厚度设置在10μm到100μm之间，即不会因为光致介电变化单元31’的厚度过厚导致传输电极11’传输的电信号在光致介电变化单元31’中损耗，也不会因为光致介电变化单元31’的厚度过薄使得电信号的带宽太窄，限制移相器的应用，例如，传输至传输电极11’的电信号的带宽为5GHz±0.5GHz之间，即4.5GHz-5.5Ghz之间，相同结构下，如果光致介电变化单元31’的厚度过薄，使得传输电极11’传输电信号的频率只能在5Ghz±0.2GHz之间，即4.8GHz-5.2Ghz之间，如此，电信号的带宽变窄，损耗部分电信号，限制移相器的应用；此外，如果光致介电变化单元31’的厚度过薄，则工艺波动性对光致介电变化单元31’的厚度影响增大，对传输电极11’和第二金属电极20’之间构成的电容的电容值的影响增大，进而影响传输电极11’上传输的电信号进行移相，因此，本实施例将光致介电变化单元31’的厚度设置在10μm～100μm之间，以在保证电信号正常传输的同时，还可以扩大该移相器的应用范围以及确保传输电极11’上传输的电信号移相。

可选的，传输电极11’传输的电信号例如可以为高频信号，该高频信号的频率例如大于等于1GHz，如此，可以应用到卫星、基站等远距离高速传播的设备中，且由于该移相器，在制程上可以避免制作驱动电极，即降低生产成本，因此具有较高的商业应用价值。

可以理解的是，传输电极11’传输的电信号包括但不限于上述示例。

综上所述，本发明实施例提供的移相器，通过在第一金属电极和第二金属电极之间设置光致介电变化层，通过控制光致介电变化层的介电常数改变，控制传输电极传输的电信号移相。该新型的移相器，为大规模商业化提供更多的可能。

可选的，继续参见图24，传输电极11’的形状包括线状；线状包括相互连接的多段，至少两段的延伸方向相交。

本实施例中，传输电极11’的形状为线状，传输电信号的路径加长，光致介电变化单元31’对电信号的影响增大；此外，当传输电极11’的形状为线状时，光源可以设置在传输电极11’背离光致介电变化层30’的一侧，所谓光源即为发出的光(光强或波长)可以控制光致介电变化单元31’的介电常数发生改变的结构，如此，使得光源的设置位置变得灵活。

需要说明的是，当传输电极11’的形状为线状时，图24以传输电极11’的形状为蛇形为例，但不构成对本申请的限定，本领域技术人员可以根据实际情况就行设置。在其他可选的实施例中，传输电极11’的形状还可以为多段直线段连接而成的W形，例如参见图28；或者相互连接的U形等(图中未示出)。

可选的，继续参见图24，当传输电极11’的形状为线状时，传输电极11’的线宽为W，其中，10μm≤W≤500μm。

这样设置的好处在于，既可以保证电信号在传输电极11’中正常传输，同时还不会因为传输电极11’的线宽过宽，对传输电极11’下方的光致介电变化单元31’造成遮挡而导致设置在传输电极11’背离光致介电变化层30’的一侧的光源发射的光(光强或波长)无法照射至传输电极11’下方的光致介电变化单元31’，进而导致光致介电变化单元31’的介电常数无法改变。

可选的，图29是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图，图30是沿图29中G-G’的剖面结构示意图，如图29和图30所示，光致介电变化层30’包括多个光致介电变化单元31’；第二金属电极20’包括多个第一镂空区21’，第一镂空区21’包括至少一个第一镂空结构22’；至少一个第一镂空结构22’与光致介电变化单元31’交叠，且每一光致介电变化单元31’均与第一镂空结构22’交叠。

本实施例中，每一光致介电变化单元31’对应至少一个第一镂空结构22’，且每一光致介电变化单元31’均与第一镂空结构22’交叠，如此，光源可以设置在第二金属电极20’背离光致介电变化层30’的一侧。光源发出的光(光强或波长)通过第一镂空结构22’照射至光致介电变化单元31’，以控制光致介电变化单元31’的介电常数发生改变。本实施例提供的技术方案，光源可以设置于传输电极11’背离光致介电变化层30’的一侧；也可以设置在第二金属电极20’背离光致介电变化层30’的一侧，即光源的设置位置变得灵活。

需要说明的是，图29是光致介电变化层30’包括四个光致介电变化单元31’，且第二金属电极20’包括四个第一镂空区21’，以及每个第一镂空区21’均包括十五个第一镂空结构22’为例进行的说明，即每个光致介电变化单元31’对应的第一镂空结构22’的数量相等。在其他可选的实施例中，每个光致介电变化单元31’对应的第一镂空结构22’的数量可以不等，示例性的，图31是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图，如图31所示，四个光致介电变化单元31’包括第一光致介电变化单元311’、第二光致介电变化单元312’、第三光致介电变化单元313’和第四光致介电变化单元314’；其中，第一光致介电变化单元311’与五个第一镂空结构22’交叠，第二光致介电变化单元312’与九个第一镂空结构22’交叠，第三光致介电变化单元313’与十二个第一镂空结构22’交叠，以及第四光致介电变化单元314’与十五个第一镂空结构22’交叠。

可选的，继续参见图29和图30，第一镂空结构22’的尺寸大于等于2.5μm且小于等于25μm。

示例性的，如图29和图30所示，当第一镂空结构22’的形状包括圆形时，该第一镂空结构22’的直径C1’例如大于等于2.5μm且小于等于25μm。当第一镂空结构22’的形状包括正方形(图中未示出)时，该第一镂空结构22’的边长的尺寸大于等于2.5μm且小于等于25μm。将第一镂空结构22’的尺寸设置为大于等于2.5μm且小于等于25μm，既可以避免当第一镂空结构22’的尺寸过小导致光源发出的光无法照射至光致介电变化单元31’，同时还可以避免过大的第一镂空结构22’导致传输电极11’传输的电信号通过第一镂空结构22’向外泄露。

可选的，图32是本发明实施例提供的一种移相器的部分膜层结构示意图，如图32所示，当每一光致介电变化单元31’均与第一镂空结构22’交叠时，本发明实施例提供的移相器200还包括透光导电层40’，该透光导电层40’位于光致介电变化层30’与第二金属电极20’之间。

其中，透光导电层40’例如可以为透明导电层，即光源发射的光可以通过该透明导电层照射至光致介电变化单元31’。此时透明导电层的材料例如可以为氧化铟锡。透光导电层40’并不限于为透明的导电层，还可以为仅能透过光致介电变化单元31’能够响应的光的导电层，所谓光致介电变化单元31’能够响应的光可以是当该光照射至光致介电变化单元31’时，光致介电变化单元31’的介电常数发生改变，例如，光致介电变化单元31’能够响应的光为蓝光，则透光导电层40’可以透过蓝光即可。

本实施例中，通过在光致介电变化层30’与第二金属电极20’之间设置透光导电层40’，通过设置透光导电层40’，既可以使得光照射至光致介电变化单元31’，以使光致介电变化单元31’的介电常数改变，又可以防止传输电极11’传输的信号通过第一镂空结构22’向外泄露。

在上述各方案的基础上，可选的，本发明实施例提供的移相器还包括至少一层衬底基板；衬底基板与光致介电变化单元同层设置；和/或，衬底基板与光致介电变化单元异层设置且交叠。

其中，衬底基板的材料例如可以聚酰亚胺、玻璃或液晶聚合物中的一种。可以理解的是，衬底基板的材料包括但不限于上述示例，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择。

本实施例中，可以在衬底基板上形成移相器中的其它膜层结构，通过衬底基板例如可以对移相器进行支撑。

示例性的，图33是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图，图34是沿图33中H-H’的剖面结构示意图，如图33和图34所示，本实施例提供的移相器200包括一层衬底基板50’，该衬底基板50’与光致介电变化单元31’同层设置。可选的，图33所示的移相器200的制备步骤例如可以为：先在一支撑层(图中未示出)上形成第二金属电极20’；然后在第二金属电极20’背离支撑层一侧设置衬底基板50’，衬底基板50’包括多个凹槽结构，多个凹槽结构均贯穿衬底基板50’；然后在每个凹槽结构内均设置光致介电变化单元31’；然后在衬底基板50’背离第二金属电极20’的一侧形成第一金属电极10’。其中，如果移相器200包括支撑层时，无需剥离支撑层；如果移相器200无需支撑层时，则可以在形成第一金属电极10’后将支撑层剥离，如图33和与34所示。

示例性的，图35是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图，图36是沿图35中I-I’的剖面结构示意图，如图35和图36所示，本实施例提供的移相器200包括一层衬底基板50’，该衬底基板50’位于光致介电变化层30’与第二金属电极20’之间，且沿光致介电变化单元31’的厚度方向，衬底基板50’与光致介电变化单元31’交叠。需要说明的是，衬底基板50’为透光材料，可以是透光的有机衬底，或者是透光的无机衬底。具体地，例如：衬底基板50’可以为玻璃基板，或者，聚酰亚胺基板，或者，聚甲基丙烯酸甲酯基板，或者，聚苯乙烯基板等。

示例性的，图37是本发明实施例提供的又一种移相器的俯视结构示意图，图38是沿图37中J-J’的剖面结构示意图，如图37和图38所示，本发明实施例提供的移相器200还包括两层衬底基板50’；其中一衬底基板50a’与光致介电变化单元31’同层设置；另一衬底基板50b’与光致介电变化单元31’异层设置且交叠。

需要说明的是，当衬底基板与光致介电变化单元同层设置；或者，衬底基板与光致介电变化层异层设置且交叠；或者，其中一衬底基板与光致介电变化层同层设置；其他衬底基板与光致介电变化层异层设置且交叠时，上述内容中分别示出的是一种示例。但是当移相器还包括至少一层衬底基板；衬底基板与光致介电变化单元同层设置；和/或，衬底基板与光致介电变化单元异层设置且交叠的具体实施方式还包括多种，下面就典型示例进行说明。下述内容均不属于对本发明的限制。

可选的，图39是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图，如图39所示，至少一层衬底基板50’包括两层衬底基板；两层衬底基板50’包括第一衬底基板51’和第二衬底基板52’；第一衬底基板51’与光致介电变化层30’异层设置且交叠，第二衬底基板52’与光致介电变化层30’异层设置且交叠，且第一衬底基板51’和第二衬底基板52’分别位于光致介电变化层30’的两侧。例如，第一衬底基板51’位于光致介电变化层30’和第一金属电极10’之间，第二衬底基板52’位于光致介电变化层30’和第二金属电极20’之间。本实施例提供的移相器200结构简单，如此，在制备移相器200时，可以简化工艺步骤，提高移相器200的制备效率。

可选的，图40是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图，如图40所示，至少一层衬底基板50’包括两层衬底基板；两层衬底基板50’包括第一衬底基板51’和第二衬底基板52’；第一衬底基板51’与光致介电变化层30’异层设置且交叠，第二衬底基板52’与光致介电变化层30’异层设置且交叠，且第一衬底基板51’和第二衬底基板52’分别位于光致介电变化层30’的两侧；移相器200还包括第一粘合层61’和第二粘合层62’；第一衬底基板51’和光致介电变化层30’之间设置有第一粘合层61’；第二衬底基板52’和光致介电变化层30’之间设置有第二粘合层62’。

其中，第一粘合层61’和第二粘合层62’例如可以包括OC光学胶等。

需要说明的是，在本实施方式中，光致介电变化层30’与第一衬底基板51’和第二衬底基板52’之间均采用粘结的方式固定，此时，光致介电变化层30’为膜片结构，因此，光致介电变化层30’直接与第一衬底基板51’和第二衬底基板52’较为光滑的一侧粘结能够提高光致介电变化层30’的平整性，从而使得各个传输电极11’对应位置的光致介电变化层30’厚度相同。

示例性的，图40所示的移相器的制备步骤例如可以为：先在第一衬底基板51’上形成第一金属电极10’，以及在第二衬底基板52’上形成第二金属电极20’；然后通过第二粘合层62’将光致介电变化层30’贴合在第二衬底基板52’背离第二金属电极20’的一侧；然后通过第一粘合层61’将第一衬底基板51’贴合在光致介电变化层30’背离第二粘合层62’的一侧，其中，第一衬底基板51’上的第一金属电极10’位于第一粘合层61’背离光致介电变化层30’的一侧。

可以理解的是，当移相器为图40所示的结构时，移相器的制备步骤包括但不限于上述示例。

可选的，图41是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图，如图41所示，至少一层衬底基板50’包括两层衬底基板；两层衬底基板50’包括第一衬底基板51’和第二衬底基板52’；第一衬底基板51’与光致介电变化层30’异层设置且交叠，第二衬底基板52’与光致介电变化层30’异层设置且交叠，且第一衬底基板51’和第二衬底基板52’分别位于光致介电变化层30’的两侧；移相器200还包括封框结构70’，位于第一衬底基板51’和第二衬底基板52’之间；第一衬底基板51’、第二衬底基板52’和封框结构70’形成容纳空间，容纳空间内设置有光致介电变化单元31’。

封框结构70’例如可以为封框胶。封框胶具有粘性，且常态下可塑性很强，当通过光照或者其他方式固化又具有机械性能。因此，在第一衬底基板51’和第二衬底基板52’之间可以通过封框胶进行密封，当光致介电变化单元31’为流体状态时，可以防止光致介电变化单元31’泄漏。

本实施例中，通过第一衬底基板51’、第二衬底基板52’和封框结构70’形成容纳空间，将光致介电变化单元31’设置于容纳空间内，此时设置的光致介电变化单元31’可以为流体状态，也可以为固态，如此，可以使得光致介电变化单元31’的材料在选取时范围扩大，使得光致介电变化单元31’的材料选取更灵活。

可选的，图42是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图，如图42所示，与图41不同的是，图42中的第一衬底基板51’位于第一金属电极10’远离光致介电变化层30’的一侧；第二衬底基板52’位于第二金属电极20’远离光致介电变化层30’的一侧。而图41中，第一衬底基板51’位于第一金属电极10’靠近光致介电变化层30’的一侧；第二衬底基板52’位于第二金属电极20’靠近光致介电变化层30’的一侧。

示例性的，图41和图42所示的移相器的制备步骤例如可以为：先在第一衬底基板51’上形成第一金属电极10’，以及在第二衬底基板52’上形成第二金属电极20’；将形成第一金属电极10’的第一衬底基板51’和形成第二金属电极20’的第二衬底基板52’进行对位贴合形成容纳空间，使得第一衬底基板51’和第二衬底基板52’之间有封框结构70’和光致介电变化单元31’，封框结构70’围绕光致介电变化单元31’设置。

在图42的实施方式中，第一金属电极10’位于第一衬底基板51’靠近光致介电变化单元31’的一侧，能够进一步减少信号传输的损耗；同时第一衬底基板51’的厚度无需限制，降低工艺要求。

可选的，图43是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图，如图43所示，至少一层衬底基板50’包括两层衬底基板；两层衬底基板50’包括第三衬底基板53’和第四衬底基板54’；第三衬底基板53’与光致介电变化层30’同层设置，第四衬底基板54’位于光致介电变化层30’的一侧；第三衬底基板53’的材料包括聚酰亚胺，第四衬底基板54’的材料包括玻璃或液晶聚合物。

示例性的，图43所示的移相器的制备步骤例如可以为：提供一第四衬底基板54’，其中第四衬底基板54’为刚性基板，第四衬底基板54’的材料例如可以为玻璃或液晶聚合物，在第四衬底基板54’设置移相器的其它膜层，而无需单独设置支撑层；然后在第四衬底基板54’上例如采用涂布工艺将聚酰亚胺涂布在第四衬底基板54’上，固化形成第三衬底基板53’；然后对第三衬底基板53’进行挖槽，形成多个凹槽结构，例如该凹槽结构贯穿第三衬底基板53’；然后在凹槽结构内设置光致介电变化单元31’；然后在第四衬底基板54’上形成第二金属电极20’，以及在第三衬底基板53’上设置第一金属电极10’。由于第四衬底基板54’是刚性基板(玻璃或或液晶聚合物)，且第三衬底基板53’的材料为聚酰亚胺，所以可以直接涂布工艺将聚酰亚胺涂布在第四衬底基板54’，此时无需在第三衬底基板53’和第四衬底基板54’之间设置胶层，简化工艺步骤，降低移相器的制作成本。

需要说明的是，图43以第四衬底基板54’位于光致介电变化层30’背离第一金属电极10’的一侧进行的说明。在其他可选实施例中，第四衬底基板54’还可以位于光致介电变化层30’靠近第一金属电极10’的一侧，例如，参见图44，此时，无需在第三衬底基板53’和第四衬底基板54’之间设置胶层。

在上述各实施例中，可选的，当衬底基板50’与光致介电变化单元31’异层设置且交叠时，衬底基板50’包括透光衬底基板。这样设置的好处在于，既可以使得光源发射的光通过该透光衬底基板50’照射至光致介电变化单元31’；同时还可以对移相器起到支撑作用。

在上述各实施例中，可选的，图45是本发明实施例提供的又一种移相器的部分膜层结构示意图，如图45所示，当衬底基板50’与光致介电变化单元31’异层设置且交叠时，光致介电变化单元31’的厚度H1’大于衬底基板50’的厚度H2’，如此，使得光致介电变化单元31’对电信号的影响增大。

需要说明的是，图45仅以移相器包括一层衬底基板50’，且衬底基板50’位于光致介电变化层30’与第一金属电极10’之间为例进行的说明，但不构成对本申请的限定，只要包括移相器包括衬底基板50’，且衬底基板50’与光致介电变化单元31’异层设置且交叠时，均可以满足上述厚度关系。

本发明实施例还提供了一种通信设备。该通信设备包括光源以及上述任意一项的天线；或者，该通信设备包括光源以及上述任意一项的移相器；其中，光源用于发出照射至光致介电变化层的光线，以使光致介电变化层的介电常数改变。该通信设备可以放于汽车内部使得汽车能够接受信号。

示例性的，图46是本发明实施例提供的一种通信设备的结构示意图，该通信设备1000包括光源300以及天线100；或者，该通信设备包括光源300以及移相器200。其中，光源300可以是和天线100/移相器200相互独立，也可以与天线100/移相器200结合到一起，对于光源300的具体设置方式，本申请实施例不做具体限制，只需要光源发光出的光线能够照射到传输电极对应位置处的光致介电变化单元即可。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (41)

1.一种天线，其特征在于，包括：第一金属电极、第二金属电极和光致介电变化层；

所述第一金属电极和所述第二金属电极分别位于所述光致介电变化层相对的两侧；

所述第一金属电极包括多个传输电极；所述传输电极用于传输电信号；

所述光致介电变化层包括至少一个光致介电变化单元，且所述光致介电变化单元与所述传输电极交叠；

所述光致介电变化层包括多个光致介电变化单元；

所述第二金属电极包括多个第一镂空区，所述第一镂空区包括至少一个第一镂空结构；所述至少一个第一镂空结构与所述光致介电变化单元交叠，且每一所述光致介电变化单元均与所述第一镂空结构交叠。

2.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述电信号的频率大于等于1GHz。

3.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述第二金属电极被提供固定电位。

4.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述传输电极的形状包括线状；所述线状包括相互连接的多段，至少两段的延伸方向相交。

5.根据权利要求4所述的天线，其特征在于，所述传输电极的线宽为W，其中，10μm≤W≤500μm。

6.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，还包括透光导电层，位于所述光致介电变化层与所述第二金属电极之间。

7.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述第一镂空结构的尺寸大于等于2.5μm且小于等于25μm。

8.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，还包括至少一层衬底基板；所述衬底基板与所述光致介电变化单元同层设置；和/或，所述衬底基板与所述光致介电变化单元异层设置且交叠。

9.根据权利要求8所述的天线，其特征在于，当所述衬底基板与所述光致介电变化单元异层设置且交叠时，所述衬底基板包括透光衬底基板。

10.根据权利要求8所述的天线，其特征在于，当所述衬底基板与所述光致介电变化单元异层设置且交叠时，所述光致介电变化层的厚度大于所述衬底基板的厚度。

11.根据权利要求8所述的天线，其特征在于，所述至少一层衬底基板包括两层衬底基板；所述两层衬底基板包括第一衬底基板和第二衬底基板；

所述第一衬底基板与所述光致介电变化层异层设置且交叠，所述第二衬底基板与所述光致介电变化层异层设置且交叠，且所述第一衬底基板和所述第二衬底基板分别位于所述光致介电变化层的两侧。

12.根据权利要求11所述的天线，其特征在于，还包括第一粘合层和第二粘合层；

所述第一衬底基板和所述光致介电变化层之间设置有所述第一粘合层；

所述第二衬底基板和所述光致介电变化层之间设置有所述第二粘合层。

13.根据权利要求11所述的天线，其特征在于，还包括封框结构，位于所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间；

所述第一衬底基板、所述第二衬底基板和所述封框结构形成容纳空间，所述容纳空间内设置有所述光致介电变化单元。

14.根据权利要求13所述的天线，其特征在于，所述第一衬底基板位于第一金属电极远离所述光致介电变化层的一侧；

所述第二衬底基板位于第二金属电极远离所述光致介电变化层的一侧。

15.根据权利要求8所述的天线，其特征在于，所述至少一层衬底基板包括两层衬底基板；所述两层衬底基板包括第三衬底基板和第四衬底基板；所述第三衬底基板与所述光致介电变化层同层设置，所述第四衬底基板位于所述光致介电变化层的一侧；

所述第三衬底基板的材料包括聚酰亚胺，所述第四衬底基板的材料包括玻璃或液晶聚合物。

16.根据权利要求8所述的天线，其特征在于，所述衬底基板与所述光致介电变化单元异层设置且交叠；

所述衬底基板位于所述第二金属电极背离所述第一金属电极的一侧；

所述第二金属电极包括多个第二镂空结构，所述第二镂空结构在所述衬底基板所在平面的垂直投影位于所述传输电极在所述衬底基板所在平面的垂直投影内；

还包括第三金属电极，位于所述衬底基板背离所述第二金属电极的一侧；所述第三金属电极包括多个辐射体；

所述第二镂空结构在所述衬底基板所在平面的垂直投影位于所述辐射体在所述衬底基板所在平面的垂直投影内。

17.根据权利要求8所述的天线，其特征在于，所述衬底基板与所述光致介电变化单元同层设置；

所述第一金属电极还包括多个辐射体；

所述辐射体在所述衬底基板所在平面的垂直投影位于所述衬底基板内。

18.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，还包括馈电网络，所述馈电网络与所述传输电极同层设置，且所述馈电网络与所述传输电极电连接。

19.根据权利要求18所述的天线，其特征在于，所述第一金属电极还包括多个辐射体；

所述辐射体、所述传输电极和馈电网络同层设置，且所述传输电极与所述辐射体电连接。

20.根据权利要求3所述的天线，其特征在于，所述第二金属电极接地设置。

21.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述光致介电变化单元的材料包括偶氮染料或偶氮聚合物。

22.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述光致介电变化层的厚度为H，其中，10μm≤H≤1000μm。

23.一种移相器，其特征在于，包括：第一金属电极、第二金属电极和光致介电变化层；

所述第一金属电极和所述第二金属电极分别位于所述光致介电变化层相对的两侧；

所述第一金属电极包括至少一个传输电极；所述传输电极用于传输电信号；

所述光致介电变化层包括至少一个光致介电变化单元，且所述光致介电变化单元与所述传输电极交叠；

所述光致介电变化层包括多个光致介电变化单元；

所述第二金属电极包括多个第一镂空区，所述第一镂空区包括至少一个第一镂空结构；所述至少一个第一镂空结构与所述光致介电变化单元交叠，且每一所述光致介电变化单元均与所述第一镂空结构交叠。

24.根据权利要求23所述的移相器，其特征在于，所述电信号的频率大于等于1GHz。

25.根据权利要求23所述的移相器，其特征在于，所述第二金属电极被提供固定电位。

26.根据权利要求23所述的移相器，其特征在于，所述传输电极的形状包括线状；所述线状包括相互连接的多段，至少两段的延伸方向相交。

27.根据权利要求26所述的移相器，其特征在于，所述传输电极的线宽为W，其中，10μm≤W≤500μm。

28.根据权利要求23所述的移相器，其特征在于，还包括透光导电层，位于所述光致介电变化层与所述第二金属电极之间。

29.根据权利要求23所述的移相器，其特征在于，所述第一镂空结构的尺寸大于等于2.5μm且小于等于25μm。

30.根据权利要求23所述的移相器，其特征在于，还包括至少一层衬底基板；所述衬底基板与所述光致介电变化单元同层设置；和/或，所述衬底基板与所述光致介电变化单元异层设置且交叠。

31.根据权利要求30所述的移相器，其特征在于，当所述衬底基板与所述光致介电变化单元异层设置且交叠时，所述衬底基板包括透光衬底基板。

32.根据权利要求30所述的移相器，其特征在于，当所述衬底基板与所述光致介电变化单元异层设置且交叠时，所述光致介电变化层的厚度大于所述衬底基板的厚度。

33.根据权利要求30所述的移相器，其特征在于，所述至少一层衬底基板包括两层衬底基板；所述两层衬底基板包括第一衬底基板和第二衬底基板；

所述第一衬底基板与所述光致介电变化层异层设置且交叠，所述第二衬底基板与所述光致介电变化层异层设置且交叠，且所述第一衬底基板和所述第二衬底基板分别位于所述光致介电变化层的两侧。

34.根据权利要求33所述的移相器，其特征在于，还包括第一粘合层和第二粘合层；

所述第一衬底基板和所述光致介电变化层之间设置有所述第一粘合层；

所述第二衬底基板和所述光致介电变化层之间设置有所述第二粘合层。

35.根据权利要求33所述的移相器，其特征在于，还包括封框结构，位于所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间；

所述第一衬底基板、所述第二衬底基板和所述封框结构形成容纳空间，所述容纳空间内设置有所述光致介电变化单元。

36.根据权利要求35所述的移相器，其特征在于，所述第一衬底基板位于第一金属电极远离所述光致介电变化层的一侧；

所述第二衬底基板位于第二金属电极远离所述光致介电变化层的一侧。

37.根据权利要求33所述的移相器，其特征在于，所述至少一层衬底基板包括两层衬底基板；所述两层衬底基板包括第三衬底基板和第四衬底基板；所述第三衬底基板与所述光致介电变化层同层设置，所述第四衬底基板位于所述光致介电变化层的一侧；

所述第三衬底基板的材料包括聚酰亚胺，所述第四衬底基板的材料包括玻璃或液晶聚合物。

38.根据权利要求25所述的移相器，其特征在于，所述第二金属电极接地设置。

39.根据权利要求23所述的移相器，其特征在于，所述光致介电变化单元的材料包括偶氮染料或偶氮聚合物。

40.根据权利要求23所述的移相器，其特征在于，所述光致介电变化层的厚度为H，其中，10μm≤H≤1000μm。

41.一种通信设备，其特征在于，包括光源以及权利要求1-22任一项所述的天线或权利要求23-40任一项所述的移相器；

所述光源用于发出照射至所述光致介电变化层的光线，以使所述光致介电变化层的介电常数改变。