CN114981716B - 显示基板、显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开的实施例提供了一种显示基板、显示面板和显示装置。所述显示基板包括:第一衬底,所述衬底上设置有多个子像素区域,所述多个子像素区域布置成阵列;以及反射层,设置在所述第一衬底的一侧,所述反射层远离所述第一衬底的表面被形成为具有多个第一凸起和多个第二凸起,所述第一凸起的尺寸大于所述第二凸起的尺寸。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体涉及一种显示基板、显示面板和显示装置。
背景技术
反射式液晶显示(LCD)技术利用反射层对入射到显示基板的光线进行反射,反射光经过液晶后到达观察者眼部,从而实现画面显示。反射式LCD技术减少了对背光的依赖,从而功耗显著降低。通常,反射层对入射光的漫反射性差,从而影响画面的均匀性。
发明内容
本公开的实施例提供了一种显示基板,包括:
第一衬底,所述衬底上设置有多个子像素区域,所述多个子像素区域布置成阵列;以及
反射层,设置在所述第一衬底的一侧,所述反射层远离所述第一衬底的表面被形成为具有多个第一凸起和多个第二凸起,所述第一凸起的尺寸大于所述第二凸起的尺寸。
例如,所述多个第一凸起和所述多个第二凸起沿第一方向和第二方向中的至少之一交替设置,所述第一凸起的尺寸是第二凸起的尺寸的4到6倍,其中所述第一方向为所述阵列的行方向,所述第二方向为所述阵列的列方向。
例如,所述多个第一凸起沿着第三方向排布,且沿第三方向至少两个相邻的第一凸起的尺寸不同;和/或
所述多个第一凸起沿着第四方向排布,且沿第四方向至少两个相邻的第一凸起的尺寸不同,其中所述第一方向、第二方向、第三方向和第四方向两两相交。
例如,所述第一凸起和第二凸起的高度在1.05μm±δ的范围内,所述高度为凸起的顶部到底部之间的距离,δ为允许的高度误差值。
例如,所述第一凸起和第二凸起的坡度在6度到12度的范围内。
例如,每个子像素区域内设有至少一个像素电极,所述反射层位于所述像素电极远离所述第一衬底的一侧或者靠近所述第一衬底的一侧,所述反射层为连续层,所述反射层在所述第一衬底上的投影覆盖所述多个子像素区域的像素电极在所述第一衬底上的投影。
例如,每个子像素区域内设有至少一个像素电极,所述反射层由导电材料形成,所述反射层包括多个彼此绝缘设置的反射部,至少一个反射部被复用为一个子像素区域中的像素电极。
例如,所述显示基板还包括:
绝缘层,所述绝缘层设置在所述反射层面向所述第一衬底的一侧,所述绝缘层远离所述第一衬底的表面被形成为具有多个凸起,所述反射层保形地形成在所述绝缘层远离所述第一衬底的一侧,使得所述反射层被形成为具有所述多个第一凸起和所述多个第二凸起。
例如,每个子像素区域中还设置有与所述像素电极连接的至少一个晶体管,所述晶体管包括栅极、第一极和第二极,所述第二极与复用为所述子像素区域内的像素电极的反射部电连接。
例如,所述绝缘层是连续设置的。
例如,所述绝缘层包括多个第一绝缘区和多个第二绝缘区,所述多个第一绝缘区和多个第二绝缘区沿第二方向交替设置,所述第一绝缘区内的凸起的密度大于所述第二绝缘区内的凸起的密度,所述第二方向为所述阵列的列方向。
例如,所述绝缘层是树脂层。
例如,所述显示基板还包括:钝化层,所述钝化层设置在所述绝缘层远离所述第一衬底的一侧。
例如,所述钝化层的材料为氮化硅,厚度在0.1微米至0.2微米之间。
例如,所述显示基板还包括:
多条栅极线,沿第一方向延伸,所述多条栅极线与所述晶体管的栅极同层设置,每条栅极线与所述阵列中至少一行子像素区域内的晶体管的栅极电连接,所述第一方向为所述阵列的行方向;以及
多条数据线,沿第二方向延伸,所述多条数据线与所述晶体管的第一极和第二极同层设置,每条数据线与所述阵列中至少一列子像素区域内的晶体管的第一极电连接,所述第二方向为所述阵列的列方向;
其中,所述多条栅极线和所述多条数据线交叉限定了所述多个子像素区域,至少一个子像素区域内的晶体管、与所述子像素区域内的晶体管电连接的栅极线的至少一部分以及与所述子像素区域内的晶体管电连接的数据线的至少一部分在所述第一衬底上的投影位于与所述子像素区域内的晶体管电连接的反射部在所述第一衬底上的投影内。
例如,每个子像素区域内还设置有第一公共电极;
所述显示基板还包括多条公共电极线,所述多条公共电极线沿所述第一方向延伸,并且与所述晶体管的栅极同层设置,至少一条公共电极线与所述阵列中至少一行子像素区域内的第一公共电极电连接,
其中每个子像素区域内的第一公共电极以及与所述第一公共电极电连接的公共电极线的至少一部分在所述第一衬底上的投影位于与所述子像素区域内的复用为像素电极的反射部在所述第一衬底上的投影内。
例如,反射部包括第一反射区和第二反射区,第一反射区表面平坦,第二反射区表面具有所述第一凸起和第二凸起。
例如,所述第一反射区在所述第一衬底上的投影覆盖所述晶体管的至少一部分在所述第一衬底上的投影。
例如,所述显示基板还包括至少一个间隔物,所述第一反射区在所述衬底上的投影与所述间隔物在所述第一衬底上的投影至少部分交叠。
例如,所述绝缘层中设有过孔,所述反射部通过所述过孔与晶体管的第二极电连接。
例如,每个反射部通过至少两个过孔与子像素区域内的晶体管的第二极电连接,所述至少两个过孔沿第五方向排列,所述第五方向相对于第一方向的角度在15度至45度的范围内。
例如,所述第一凸起和第二凸起各自在所述第一衬底上的投影具有圆形或椭圆形形状。
例如,所述反射层还包括第三凸起、第四凸起、第五凸起和第六凸起,所述第一凸起、第二凸起、第三凸起、第四凸起、第五凸起和第六凸起随机排布且尺寸互不相同,所述第一凸起、第二凸起、第三凸起、第四凸起、第五凸起和第六凸起各自的尺寸在13μm至18μm的范围内。
例如,所述反射层还包括第三凸起,所述第一凸起、第二凸起和第三凸起随机排布且尺寸互不相同,所述第一凸起、第二凸起和第三凸起各自的尺寸在16μm至18μm的范围内。
本公开的实施例还提供了一种掩膜板,包括多个透光区和位于透光区之间的不透光区,所述多个透光区具有至少三种尺寸。
例如,所述掩膜板包括布置成阵列的多个掩膜区,每个掩膜区包括第一组透光区和第二组透光区,
所述第一组透光区包括第一透光区、第二透光区、第三透光区、第四透光区和第五透光区,所述第一透光区和所述第三透光区具有第一尺寸,所述第二透光区和所述第四透光区具有第二尺寸,所述第五透光区具有第三尺寸;
所述第二组掩膜区包括所述第四透光区、所述第五透光区、第六透光区、第七透光区和第八透光区,所述第六透光区和所述第七透光区具有第四尺寸,所述第八透光区具有第三尺寸。
例如,所述第一透光区、第二透光区、第三透光区和第四透光区的几何中心连线形成第一矩形,其中所述第一透光区位于所述第一矩形的第一顶点,所述第二透光区位于所述第一矩形的第二顶点,所述第三透光区位于所述第一矩形的第三顶点,所述第四透光区位于所述第一矩形的第四顶点,所述第五透光区位于所述第一矩形中,其中所述第一矩形的所述第一顶点和所述第三顶点为互为对角顶点,所述第一矩形的第二顶点和所述第四顶点互为对角顶点;
所述第四透光区、第五透光区、第六透光区、第七透光区和第八透光区的几何中心连线形成第二矩形,其中所述第六透光区位于所述第二矩形的第一顶点,所述第五透光区位于所述第二矩形的第二顶点,所述第七透光区位于所述第二矩形的第三顶点,所述第八透光区位于所述第二矩形的第四顶点,所述第四透光区位于所述第二矩形中,其中所述第二矩形的所述第一顶点和所述第三顶点为互为对角顶点,所述第二矩形的第二顶点和所述第四顶点互为对角顶点。
例如,所述第一组透光区还包括第九透光区、第十透光区、第十一透光区和第十二透光区,所述第九透光区位于所述第一透光区和所述第二透光区之间,所述第十透光区位于所述第二透光区和所述第三透光区之间,所述第十一透光区位于所述第三透光区和所述第四透光区之间,所述第十二透光区位于所述第四透光区和所述第一透光区之间,
所述第二组透光区还包括所述第十一透光区、所述第十二透光区、第十三透光区和第十四透光区,所述第十一透光区位于所述第五透光区和所述第七透光区之间,所述第十二透光区位于所述第五透光区和所述第六透光区之间,所述第十三透光区位于所述第七透光区和所述第八透光区之间,所述第十四透光区位于所述第八透光区和所述第六透光区之间,
所述第九透光区、所述第十透光区、所述第十一透光区、所述第十二透光区、所述第十三透光区和所述第十四透光区具有第五尺寸,所述第五尺寸小于所述第一尺寸、第二尺寸、第三尺寸和第四尺寸中的每一个。
本公开的实施例还提供了一种显示面板,包括第一基板、第二基板以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶,其中所述第一基板由上述显示基板来实现。
例如,所述第二基板包括:
第二衬底;以及
第二公共电极,所述第二公共电极设置在所述第二衬底面向所述第一基板的一侧。
例如,所述第一基板面向所述第二基板的一侧还设有第一取向层,所述第二基板还包括:
偏光片,设置在所述第二衬底远离所述第一基板的一侧;
彩色滤光层,设置在所述第二衬底面向所述第一基板的一侧;
第二公共电极,设置在所述彩色滤光层面向所述第一基板的一侧;以及
第二取向层,设置在所述第二公共电极面向所述第一基板的一侧。
本公开的实施例还提供了一种显示装置,包括:
上述显示面板;以及
前置光源,所述前置光源设置在所述显示面板的第二基板远离所述第一基板的一侧,并且被配置为朝向所述第二基板发光。
附图说明
图1示出了反射式液晶显示技术的原理图。
图2示出了根据本公开实施例的显示基板的平面示意图。
图3示出了根据本公开一实施例的反射层的凸起的布局图。
图4示出了根据本公开另一实施例的反射层的凸起的布局图。
图5示出了根据本公开另一实施例的反射层的凸起的布局图。
图6出了根据本公开实施例的反射层的凸起的结构示意图。
图7A示出了根据本公开一实施例的显示基板中反射部所在区域的平面透视图。
图7B示出了图7A的显示基板沿AA线的截面图。
图7C示出了图7A的显示基板沿BB线的截面图。
图7D示出了图7A的显示基板的另一个示例沿AA线的截面图。
图7E示出了根据本公开另一实施例的显示基板的平面透视图。
图8示出了根据本公开一实施例的掩膜板的结构图。
图9示出了根据本公开一实施例的显示面板的截面图。
图10A示出了根据本公开另一实施例的显示基板中反射部所在区域的俯视图。
图10B示出了图10A的显示基板沿CC线的截面图。
图11示出了根据本公开另一实施例的显示面板的示意结构图。
图12示出了根据本公开实施例的显示装置的示意结构图。
图13A示出了根据本公开实施例的显示面板在白态下的光路原理图。
图13B示出了根据本公开实施例的显示装置在黑态下的光路原理图。
具体实施方式
虽然将参照含有本公开的较佳实施例的附图充分描述本公开,但在此描述之前应了解本领域的普通技术人员可修改本文中所描述的公开,同时获得本公开的技术效果。因此,须了解以上的描述对本领域的普通技术人员而言为一广泛的揭示,且其内容不在于限制本公开所描述的示例性实施例。
另外,在下面的详细描述中,为便于解释,阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地,一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。在其他情况下,公知的结构和装置以图示的方式体现以简化附图。
图1示出了反射式液晶显示技术的原理图。如图1所示,外部光线经过偏振片10、彩膜基板20和液晶30到达阵列基板40。阵列基板40在面向彩膜基板20的一侧设有反射层50,反射层50表面具有多个凸起或凹陷,使得相同方向的入射光经过反射层50反射后可以沿着不同方向反射(如图1中的箭头线所示)。反射光经过液晶30、彩膜基板20和偏振片10后到达观察者的眼部,从而使观察者能够看到画面。通常反射层50表面的凸起结构相同且周期排列,这就导致不同视角下反射率存在差异,影响了不同视角下显示的均一性。另外,由于凸起结构相同且周期排列,从而构成光栅,实际使用时会导致出现类似摩尔纹的彩环。
本公开实施例提供了一种显示基板、显示面板和显示装置。通过在反射层中设置不同尺寸的多个第一凸起和多个第二凸起,使得反射层的表面凸起的不规则性提高,从而提高对入射光的漫反射性,改善显示效果。
图2示出了根据本公开实施例的显示基板的平面示意图。
如图2所示,显示基板100包括衬底110,衬底110上设置有多条栅极线GATE和多条数据线DATA,多条栅极线GATE沿第一方向(图2中为x方向)延伸,多条数据线DATA沿不同于x方向的第二方向(图2中为y方向)延伸。多条栅极线GATE和多条数据线DATA交叉限定了多个子像素区域Pxl,每个子像素区域Pxl中设置有像素电极以及至少一个与该像素电极电连接的晶体管,例如薄膜晶体管。每条栅极线DATA与至少一个子像素区域Pxl的至少一个晶体管电连接,每条数据线DATA与至少一个子像素区域Pxl的至少一个晶体管电连接。一个子像素区域Pxl的至少一个晶体管在所连接的栅极线GATE处的栅极驱动信号的控制下开启,从而将所连接的数据线DATA处的数据信号输入该子像素区域Pxl中的像素电极实现显示。在图2中,衬底110包括显示区(如图2中虚线框所示)和位于显示区周边的周边区,上述子像素区域Pxl中的一个或多个位于显示区中,并通过栅极线GATE和数据线DATA从显示区引出。
如图2所示,显示基板100还包括反射层12。在一些实施例中,反射层12可以采用分块结构,包括多个彼此绝缘的反射部,每个反射部对应一个或多个子像素。例如在图2中,反射层12由导电材料形成,包括多个彼此绝缘设置的反射部120,至少一个反射部120被复用为一个子像素区域Pxl中的像素电极。在图2中所述多个反射部120分别设置在第一衬底110的一侧,与多个子像素区域Pxl一一对应。每个子像素区域Pxl中的晶体管可以与该子像素区域Pxl所对应的反射部120电连接,使得该反射部120被复用为该子像素区域中的像素电极。然而本公开的实施例不限于此,反射层12可以根据需要设置成其他形式。例如在一些实施例中,反射层120可以不被复用为像素电极,而是作为单独的层来起到反射作用。在这种情况下,反射层12可以位于子像素区域Pxl内的像素电极远离所述第一衬底的一侧或者靠近所述第一衬底的一侧,反射层12可以为连续层,这里所谓连续可以指的是反射层12为一体结构,不具有彼此分离的部分。反射层12也可以采用多个反射部形式的分块结构,每个反射部可以对应一个或多个子像素区域Pxl。例如反射层12在第一衬底上的投影可以覆盖多个子像素区域Pxl的像素电极在第一衬底上的投影。
根据本公开的实施例,反射层12远离第一衬底110的表面可以被形成为具有多个第一凸起和多个第二凸起,第一凸起的尺寸大于第二凸起的尺寸。下面将参考图3至图5来说明这些凸起的布局。
图3示出了根据本公开一实施例的反射层的凸起的布局图。如图3所示,反射层12A表面具有多个第一凸起和多个第二凸起,在图3中为了便于描述仅标注了虚线框范围内的8个第一凸起BP1至BP8以及6个第二凸起BP9至BP14(下文中还统称为凸起BP)。
如图3所示,第一凸起BP1至BP8与第二凸起BP9至BP14沿第一方向(x方向)和第二方向(y方向)中的至少之一交替设置。例如在x方向上,第一凸起BP3、BP4与第二凸起BP11、BP14交替设置,第一凸起BP5、BP6与第二凸起BP10、BP12交替设置;在y方向上第一凸起BP1、BP4与第二凸起BP12、BP13交替设置,第一凸起BP5、BP7与第二凸起BP9、BP11交替设置,以此类推。在一些实施例中,如图3所示,第一凸起BP1至BP8沿着第三方向(x’方向)和/或第四方向(y’方向)排布。第一方向、第二方向、第三方向和第四方向两两相交,例如x方向可以是子像素区域的阵列的行方向,y方向可以是子像素区域的阵列的列方向,x’方向相对于x方向的角度可以在30度至50度之间,例如45度,y’方向可以基本上垂直于x’方向。
第一凸起BP1至BP8的尺寸可以是第二凸起BP9至BP12的尺寸的4到6倍。例如第一凸起BP1至BP8各自的尺寸可以在5μm至10μm的范围内,第二凸起BP9至BP14各自的尺寸可以在1μm至2μm的范围内。这里所谓凸起的尺寸可以指的是凸起在第一衬底上的投影的尺寸。在图3中,第一凸起BP1至BP8在第一衬底上的投影可以随机地位椭圆形或圆形,第二凸起BP9至BP14在第一衬底上的投影基本上是圆形。对于椭圆形投影的凸起来说,凸起的尺寸可以由所述椭圆形的长轴或短轴的长度来表示,或者由长轴与短轴长度的平均值来表示;对于圆形投影的凸起来说,凸起的尺寸可以由圆形的直径来表示。当然本公开的实施例不限于此,第一凸起和第二凸起可以根据需要具备任何其他的形状,例如多边形、矩形、三角形甚至不规则形状
在一些实施例中,第一凸起BP1至BP8沿第三方向和/或第四方向上至少两个相邻的第一凸起的尺寸不同。例如第一凸起BP1和BP3的尺寸在8μm±α范围内,第一凸起BP2和BP4的尺寸在7μm±α范围内,第一凸起BP5和BP8的尺寸在9μm±α范围内,第一凸起BP6和BP7的尺寸在6μm±α范围内,其中α为允许的第一误差值。每个第二凸起BP9至BP14的尺寸可以在1.5μm±β范围内,其中β为允许的第二误差值。在一些实施例中,每个第二凸起与跟该第二凸起相邻的第一凸起之间存在一定的距离。这里所谓第一凸起与第二凸起相邻可以指的是二者在第一衬底上的投影在任意方向上相邻,所谓第一凸起与第二凸起之间的距离可以指的是二者在第一衬底上的投影的边缘之间的最短距离。例如第二凸起PB12在第一衬底上的投影与第一凸起PB5和PB6在第一衬底上的投影在x方向上相邻,与第一凸起PB1和PB4在第一衬底上的投影在y方向上相邻,第二凸起PB12与第一凸起PB1、PB4、PB5和PB6之间的距离基本相等(在图3中均由d表示)。该距离d可以在4μm±γ的范围内,其中γ为允许的第三误差值。
在反射层12A为连续层的情况下,反射层12A整体可以采用如图3所示的凸起布局;在反射层12A包括多个彼此绝缘的反射部的情况下,每个反射部可以采用如图3所示的凸起布局。
图4示出了根据本公开另一实施例的反射层的凸起的布局图。图4的反射层12B的凸起布局与图3的反射层12A类似,区别至少在于凸起的布局。为了简明起见,下面将主要对区别部分尽心详细描述。在图4中为了便于描述,仅标注了虚线框范围内的6个凸起S1至S6。
如图4所示,反射层12B在虚线框所示范围内包括多个凸起,所述多个凸起具有6种尺寸S1至S6。例如在图4的虚线框所示的范围内包括10个凸起,其中具有尺寸S1、尺寸S2、尺寸S4的凸起各一个,尺寸S3、尺寸S5和尺寸S6的凸起各两个。这10个凸起随机分布,使得任意两个相邻凸起的尺寸互不相同。尺寸S1至S6中的每一个可以在13μm至18μm的范围内,例如S1=18μm,S2=17μm,S3=16μm,S4=15μm,S5=14μm,S6=13μm。上述尺寸值允许一定的误差,例如在0至8μm范围的误差。通过这种方式,可以提高凸起布局的不规则性。在一些实施例中,如图4所示,虚线框所示范围内的凸起可以作为一个凸起单元,多个凸起单元可以周期排布,从而得到如图4所示的凸起布局。在反射层12B为连续层的情况下,反射层12B整体可以采用如图4所示的凸起布局;在反射层12B包括多个彼此绝缘的反射部的情况下,每个反射部可以采用如图4所示的凸起布局。
图5示出了根据本公开另一实施例的反射层的凸起的布局图。图5的反射层12C的凸起布局与图4的反射层12B的布局类似,区别至少在于凸起的布局。为了简明起见,下面将主要对区别部分进行详细描述。
如图5所示,反射层12C包括多个凸起,所述多个凸起具有3种尺寸S1至S3。例如在图5的虚线框所示的范围内包括5个凸起,其中具有尺寸S1和尺寸S2的凸起各两个,尺寸S3的凸起有一个。这5个凸起随机分布,使得任意两个相邻凸起的尺寸互不相同。尺寸S1至S3中的每一个可以在16μm至18μm的范围内,例如S1=18μm,S2=17μm,S3=16μm。上述尺寸值允许一定的误差,例如在0至8μm范围的误差。通过这种方式,同样可以提高凸起布局的不规则性。在一些实施例中,如图5所示,虚线框所示范围内的凸起可以作为一个凸起单元,多个凸起单元可以周期排布,从而得到如图5所示的凸起布局。在反射层12C为连续层的情况下,反射层12C整体可以采用如图5所示的凸起布局;在反射层12C包括多个彼此绝缘的反射部的情况下,每个反射部可以采用如图5所示的凸起布局。
在上述实施例中,凸起之间均具有一定的距离,该距离可以由凸起在第一衬底上的投影的边缘之间的最短距离来表示。然而本公开的实施例不限于此,在一些实施例中,每个凸起单元中相邻的凸起彼此接触,即距离可以为0或基本为0。在不同凸起单元之间,相邻凸起也可以距离为0或基本为0。
另外,在上述实施例中凸起单元BU均布置成阵列的形式,然而本公开的实施例不限于此,凸起单元BU可以根据需要以其他形式布局,例如随机排列或者呈预设图案排列。
图6示出了根据本公开实施例的反射层的凸起的结构示意图。图6的凸起结构适用于上述任意实施例中的任意凸起。
如图6所示,凸起可以具有平滑过渡的表面,凸起可以具有高度H和坡度θ。高度H可以为凸起的顶部到底部之间在垂直于反射层的方向上的距离。在本公开的实施例中,凸起的高度H可以在1.05μm±δ的范围内,δ为允许的高度误差值,例如在0至0.5μm的范围内的任意值。凸起的坡度θ可以由凸起的高度和凸起的尺寸来限定,例如tanθ=H/R,其中R表示凸起的尺寸的二分之一。例如对于圆形投影的凸起,所述凸起的尺寸包括所述圆形投影的直径,对于椭圆形投影的凸起,所述凸起的尺寸包括所述椭圆形投影的长轴长度、短轴长度或者所述长轴长度与所述短轴长度的平均值。在本公开的实施例中,凸起的坡度θ可以在6度到12度的范围内,例如9.5度,该数值允许一定的误差,例如0到3度的误差。
下面将参考图7A至图7D来描述本公开实施例的显示基板的结构。
图7A示出了根据本公开一实施例的显示基板中反射部所在区域的平面透视图,图7B示出了图7A的显示基板的一个示例沿AA线的截面图,图7C示出了图7A的显示基板的一个示例沿BB线的截面图。
如图7A和图7B所示,子像素区域Pxl中设置有包括晶体管,例如薄膜晶体管。在图7A和图7B中子像素区域Pxl中设置有两个晶体管,即,第一晶体管T1和第二晶体管T2,第一晶体管T1的栅极G1与栅极线GATE1电连接,第二晶体管T2的栅极G2与栅极线GATE2电连接,第一晶体管T1的第二极(例如漏极)D1与源漏层140电连接,第一晶体管T1的第一极(例如源极)S1与第二晶体管T2的第二极(例如漏极)D2电连接,第二晶体管T2的第一极(例如源极)S2与数据线DATA电连接。栅极线GATE1和GATE2沿第一方向(x方向)延伸,数据线DATA沿不同于第一方向的第二方向(y方向)延伸。
第一晶体管T1的栅极G1和第二晶体管T2的栅极G2设置在第一衬底110上。绝缘层130设置在第一衬底110上并且覆盖栅极G1和G2。第一晶体管T1的源极S1和漏极D1以及第二晶体管T2的源极S2和漏极D2设置在绝缘层130远离第一衬底110的一侧。第一晶体管T1的有源层NP1设置在第一晶体管T1的源极S1和漏极D1之间。第二晶体管T2的有源层NP2设置在第二晶体管T2的源极S2和漏极D2之间。栅极线GATE1和GATE2与第一晶体管T1的栅极G1和第二晶体管T2的栅极G2同层设置。数据线DATA与第一晶体管T1的源极S1和漏极D1以及第二晶体管T2的源极S2和漏极D2同层设置。
反射层可以采用上述任意实施例的凸起布局方式。在图7A中,反射层采用图2所示的分块结构,即包括多个反射部120,为了简明起见示出了一个反射部120,反射部120采用了如图3所示的凸起布局。在图7A中,反射部120被设计为在第一衬底上的投影具有矩形形状,反射部120在第一衬底上的投影的边长在190μm至200μm范围内。例如,反射部120在第一衬底上的投影可以设计成194μm×198μm的矩形。
如图7B所示,显示基板除了包括反射层12之外还包括绝缘层1201。由于图7B是针对反射层的一个反射部来截取的,因此在图7B中反射层12和反射部120的附图标记指代同一层。绝缘层1201可以是树脂层,其设置在反射层12靠近第一衬底110的一侧,可以覆盖源极S1和S2、漏极D1和D2、有源层NP1和NP2以及绝缘层130未被源极S1和S2、漏极D1和D2和有源层NP1和NP2覆盖的部分。绝缘层1201远离第一衬底110的表面被形式为具有多个凸起。反射层12保形地形成在绝缘层1201远离所述第一衬底的表面,从而使反射层12被形成为具有上述第一凸起和第二凸起。这里所谓保形可以指的是在绝缘层1201远离第一衬底110的一侧形成一定厚度的反射层12,该反射层12在不同位置的厚度近似一致,且小于一定阈值,因此可以形成与绝缘层1201的表面一致的凸起表面。在一些实施例中,绝缘层1201可以为连续层,而多个反射部120彼此分离。这里所谓连续可以指的是绝缘层1201为一体结构,不具有彼此分离的部分。
绝缘层1201可以通过半曝光(Half Tone)工艺来形成。例如在第一衬底110上形成各个子像素区域Pxl中的晶体管T1和T2之后得到的结构上涂覆感光树脂,然后对感光树脂进行曝光。利用掩膜板使感光树脂的不同部分接收不同剂量的光照,感光树脂受到光照的部分在随后的显影过程中被去除,从而形成了表面具有凸起的树脂层作为绝缘层1201。在Half Tone工艺中,可以在光照掩膜板的全曝光区域(也称作透光区)和不曝光区域(也称作透光区)外额外设计半曝光区域,此半曝光区域下方的树脂因曝光时接收的光照剂量低于全曝光区域下方的树脂,显影时仅部分表层树脂脱落。因光线衍射及工艺柔性,实际形成的形貌为均匀平滑过渡的凹凸结构。可以采用环氧树脂作为感光树脂,感光树脂的涂覆厚度可以在1.5μm至2.5μm的范围内,例如涂覆2.1μm厚度的感光树脂。曝光量可以在20mj至40mj的范围内,前烘温度可以在80C至1100C的范围内,前烘时间可以在100s至140s的范围内,显影时间可以在70s至100s的范围内。
在形成绝缘层1201之后,可以通过镀膜工艺在绝缘层1201上形成反射层12,反射层12的材料包括但不限于银、铝、氧化银或氧化铝等等,反射层12的厚度可以在0.08~0.14μm的范围内。
在一些实施例中,如图7A和图7B所示,子像素区域Pxl内还设置有第一公共电极150,第一公共电极150在第一衬底110上的投影与漏极D1在第一衬底110上的投影至少部分交叠,使得第一公共电极150与其上方的源漏层140形成存储电容。第一公共电极150设置在第一衬底110上,被绝缘层130覆盖。在一些实施例中,显示基板还可以包括多条公共电极线,每条公共电极线与至少一行子像素区域的公共电极连接以向其提供公共电压。如图7A和7B所示,公共电极线Vcom沿第一方向延伸,与第一公共电极150电连接,并且与驱动晶体管T1的栅极G1以及驱动晶体管T2的栅极G2同层设置。
在图7A和图7B中,子像素区域Pxl内的晶体管T1和T2的至少一部分以及限定该子像素区域Pxl的栅极线GATE1、GATE2的至少一部分和数据线DATA的至少一部分在第一衬底110上的投影可以位于该子像素区域Pxl对应的反射部120在第一衬底110上的投影内。在一些实施例中,在一个子像素区域内的第一公共电极150以及公共电极线Vcom的至少一部分在第一衬底110上的投影也可以位于与该子像素区域对应的反射部120在第一衬底110上的投影内。通过这种方式,可以使反射部120的覆盖面积尽可能大以提高反射效果,同时实现了反射部120之间的良好电隔离。
如图7A和7B所示,反射部120包括第一反射区RR1和第二反射区RR2。第一反射区RR1表面平坦,第二反射区RR2表面具有上述第一凸起和第二凸起(在图7A和图7B中统一由BP表示)。如图7B所示,第一反射区RR1内反射部120远离第一衬底110的表面大致平坦,这里所谓平坦可以相对于第二反射区RR2而言,第二反射区RR2内反射部120远离第一衬底110的表面到第一衬底110的平均距离大于第一反射区RR1内反射部120的表面到第一衬底110的平均距离。在一些实施例中,如图7B所示,第二反射区RR2内的凸起最高处与第一反射区RR1的表面可以平齐。
晶体管T1和T2的至少一部分在第一衬底110上的投影位于第一反射区RR1在第一衬底110上的投影内。例如在图7A中,第二晶体管T2整体以及第一晶体管T1的栅极G1和源极S1在第一衬底110上的投影位于第一反射区RR1在第一衬底110上的投影内;第一晶体管T1的漏极D1的一部分在第一衬底110上的投影位于第一反射区RR1在第一衬底110上的投影内。在一些实施例中,数据线DATA的至少一部分在第一衬底110上的投影也可以位于第一反射区RR1在第一衬底110上的投影内。
由于反射部120由导电材料制成,反射部120的凸起BP之间形成的凹陷表面如果与下方晶体管T1、T2之间的距离过近会对晶体管T1和T2各电极上的信号造成干扰。通过在晶体管T1和T2上方设置表面平坦的第一反射区RR1,可以避免反射部120上的凸起BP对晶体管T1和T2造成信号干扰。另外,由于相比于栅极线GATA来说,数据线DATA在垂直于显示基板的方向上与反射部120之间的距离较近且中间层较少,反射部120的凸起PB之间的凹陷表面容易对下方数据线DATA上的信号造成干扰,通过在数据线DATA上方设置表面平坦的第一反射区RR1,可以减小这种干扰。
在一些实施例中,绝缘层1201中还可以设有过孔,如图7A所示的过孔VIA1和VIA2,反射部120通过过孔VIA1和VIA2与第一晶体管T1的漏极D1电连接。图7C示出了其中一个过孔VIA1来进行说明。如图7C所示,第一晶体管T1的漏极D1至少部分地通过过孔VIA1从绝缘层1201外露,反射部120覆盖过孔VIA1的侧壁以及漏极D1的外露部分,从而实现与第一晶体管T1的漏极D1的电连接。过孔VIA2处反射层12与漏极D1搭接的方式与过孔VIA1处的一致,这里不再赘述。通过设置两个过孔VIA1和VIA2,可以在其中一个过孔损坏的情况下使用另外一个过孔。
图7D示出了图7A的显示基板的另一个示例沿AA线的截面图。图7D与图7C类似,区别至少在于还包括钝化层1202。如图7D所示,钝化层1202设置在绝缘层1201与反射层12之间。钝化层1202的材料包括但不限于氮化硅,通过设置钝化层1202,可以缓解或避免反射层12从绝缘层120剥离。钝化层1202的厚度可以在工艺允许的范围内尽可能小,例如钝化层1202的厚度可以在0.1μm至0.2μm之间,例如为0.15微米。对应多个反射部120的钝化层1202可以彼此连续,当然也可以设置成彼此独立的形式。过孔VIA1和VIA2可以穿透钝化层1202以便实现反射部120与源漏层140的电连接,这里不再赘述。
图7E示出了根据本公开另一实施例的显示基板的平面透视图,其中示出了多个子像素区域Pxl对应的绝缘层结构。如图7E所示,绝缘层包括多个第一绝缘区IR1和多个第二绝缘区IR2,多个第一绝缘区IR1和多个第二绝缘区IR2沿第二方向(y方向)交替设置。如图7E所示,第一绝缘区IR1内的凸起的密度大于第二绝缘区内的凸起的密度。这里所谓绝缘区内的凸起的密度可以指的是绝缘区内凸起的数量除以绝缘区在第一衬底上的投影的面积。绝缘层1201中的凸起对应于反射层中的上述第一凸起和第二凸起。
如图7E所示,显示基板还包括至少一个间隔物,为了便于描述仅对其中4个间隔物PS1至PS4进行了标注(下文统称PS)。在图7E中,反射层12的上述第一反射区RR1在所述衬底上的投影与间隔物PS1至PS4在第一衬底上的投影至少部分交叠。例如第一反射区RR1包括第一子部分RR1_1、第二子部分RR1_2和第三子部分RR1_3,其中第一子部分RR1_1在第一衬底上的投影与间隔物PS1和PS4部分交叠,第二子部分RR1_2在第一衬底上的投影与间隔物PS2在第一衬底上的投影部分交叠,第三子部分RR1_3在第一衬底上的投影与间隔物PS3在第一衬底上的投影部分交叠。
如图7E所示,绝缘层在对应于每个反射部的区域内设有至少两个过孔,例如在第一绝缘区IR1内设有过孔VIA1和VIA2,过孔VIA1和VIA2孔沿第五方向(如图7E中的点划线所示)排列,所述第五方向相对于第一方向(x方向)的角度在15度至45度的范围内。
图8示出了根据本公开一实施例的掩膜板的结构图。
如图8所示,掩膜板800包括多个透光区(如图8中的圆形区域所示,为了便于描述仅对其中部分透光区CP1至CP14进行了标注)和位于透光区之间的不透光区(如图8中除了圆形区域以外的区域)。多个透光区CP1至CP14(下文还统称为透光区CP)具有至少三种尺寸,所述多个透光区CP1至CP14中任意两个相邻透光区的尺寸彼此不同
在一些实施例中,如图8所示,掩膜板800可以包括多个掩膜区BU,多个掩膜区BU以阵列的形式排布,图8中为了简明起见,仅对其中一个掩膜区BU进行了标记。在一些实施例中,相邻掩膜区BU之间的距离可以相等。每个掩膜区BU包括多组透光区,例如在图3中,每个掩膜区BU包括第一组透光区和第二组透光区,其中第一组透光区包括第一透光区CP1、第二透光区CP2、第三透光区CP3、第四透光区CP4和第五透光区CP5,第二组透光区包括第四透光区CP4、所述第五透光区CP5、第六透光区CP6、第七透光区CP7和第八透光区CP8。多组透光区之间共用至少一个透光区,例如在图8中第一组透光区和第二组透光区之间共用第四透光区CP4和第五透光区PB5。
每组透光区中至少两个透光区的尺寸互不相同,例如在图8中,第一透光区CP1和第三透光区CP 3具有第一尺寸,第二透光区CP2和第四透光区CP4具有第二尺寸,第五透光区CP5和第八透光区CP8具有第三尺寸,第六透光区CP6和第七透光区CP7具有第四尺寸。
在一些实施例中,每个透光区CP在第一衬底110上的投影可以为各种合适的形状,包括但不限于为圆形、椭圆形、多边形、矩形、三角形等等。对于圆形投影的透光区,所述透光区的尺寸可以为所述圆形投影的直径;对于椭圆形投影的透光区,所述透光区的尺寸可以为所述椭圆形投影的长轴长度、短轴长度或者所述长轴长度与所述短轴长度的平均值;对于多边形、矩形或三角形投影的透光区来说,透光区的尺寸可以为多边形、矩形或三角形的边长。当然本公开的实施例不限于此,透光区CP的尺寸可以由透光区CP在第一衬底110上的投影的任何形状特征来表征。在图3中,各个透光区CP在第一衬底110上的投影均为圆形,第一尺寸在8μm±α范围内,第二尺寸在7μm±α范围内,第三尺寸在9μm±α范围内,第四尺寸在6μm±α范围内,其中α为允许的第一误差值。α可以根据需要来设置,例如可以设置为0至5μm内的任意值。
在一些实施例中,如图8所示,第一透光区CP1、第二透光区CP2、第三透光区CP3和第四透光区CP4的几何中心连线形成第一矩形B1(如图8中的实线框所示),第四透光区CP4、第五透光区CP5、第六透光区CP6、第七透光区CP7和第八透光区CP8的几何中心连线形成第二矩形B2(如图8中的实线框所示)。
第一透光区CP1位于第一矩形B1的第一顶点,第二透光区CP2位于第一矩形B1的第二顶点,第三透光区CP3位于第一矩形B1的第三顶点,第四透光区CP4位于第一矩形B1的第四顶点,第五透光区CP5位于第一矩形B1中,其中第一矩形B1的所述第一顶点和第三顶点为互为对角顶点,第一矩形B1的第二顶点和所述第四顶点互为对角顶点。
第六透光区CP6位于第二矩形B2的第一顶点,第五透光区CP5位于所述第二矩形B2的第二顶点,第七透光区CP7位于第二矩形B2的第三顶点,第八透光区CP8位于第二矩形B2的第四顶点,第四透光区CP4位于第二矩形B2中,其中第二矩形B2的第一顶点和第三顶点为互为对角顶点,第二矩形B2的第二顶点和第四顶点互为对角顶点。通过在每组透光区中将尺寸相等的透光区设置在矩形的一组对角并将两个矩形部分地叠加来得到透光区单元,使得透光区单元内部任意两个相邻透光区的尺寸是不同的。这里所谓相邻可以为沿任意方向相邻,例如透光区CP5和CP7沿y方向相邻,透光区CP6和CP5沿x方向相邻,再例如透光区CP5和CP1沿y’方向相邻,透光区CP5和CP2沿x’方向相邻,等等。
通过将透光区单元布置成阵列且反射层中任意两个相邻透光区的尺寸也不相同,提高了掩膜板的透光区布局的不规则性,从而可以提高掩膜板对光的漫反射性。另外,由于在任意方向不同尺寸的透光区形成的光栅周期及反射角度不同,可以效减轻彩环现象。
在一些实施例中,如图8所示,第一组透光区除了包括第一透光区CP1至第五透光区CP5之外还可以包括第九透光区CP9、第十透光区CP10、第十一透光区CP11和第十二透光区CP12,第二组透光区除了包括第四透光区CP4至第八透光区CP8之外还包括第十一透光区CP11、所述第十二透光区CP12、第十三透光区CP13和第十四透光区CP14。第九透光区CP9位于9第一透光区CP1和第二透光区CP2之间,第十透光区CP10位于第二透光区CP2和第三透光区CP3之间,第十一透光区CP11位于第三透光区CP3和第四透光区CP4之间,第十二透光区CP12位于第四透光区CP4和所述第一透光区CP1之间。第十一透光区CP11同时还位于第五透光区CP5和第七透光区CP7之间,第十二透光区CP12同时还位于第五透光区CP5和第六透光区CP6之间,第十三透光区CP13位于第七透光区CP7和第八透光区CP8之间,第十四透光区CP14位于第八透光区CP8和第六透光区CP11之间。
第九透光区CP9至第十四透光区CP14中的每一个在第一衬底110上的投影为圆形。第九透光区CP9至第十四透光区CP14中的每一个可以具有第五尺寸。第五尺寸可以小于第一尺寸、第二尺寸、第三尺寸和第四尺寸中的每一个。例如第五尺寸可以在1.5μm±β范围内,其中β为允许的第二误差值。图8中,第九透光区至所述第十四透光区中的每一个与相邻透光区之间存在一定的距离d,该距离d可以在4μm±γ的范围内,其中γ为允许的第三误差值。这里所谓透光区之间的距离d可以指的是在掩膜板800所在的平面内透光区的边缘之间的距离。通过在大尺寸的透光区CP1、CP5、CP6、CP11之间设置小尺寸的透光区CP9至CP14,使得掩膜板800中的透光区尽可能密集地分布,从而所形成的反射层上的凸起尽可能密集地分布,提高了反射层的反射性。
可以使用根据本公开实施例的掩膜板来形成根据本公开实施例的反射层,例如可以采用上述掩膜板800来形成图3所示的反射层,掩膜板的透光区CP1至CP14与反射层的凸起BP1至BP14一一对应。
图9示出了根据本公开一实施例的显示面板的截面图。
如图9所示,显示面板900包括第一基板910、第二基板920以及位于第一基板910和第二基板920之间的液晶930。
第一基板910可以由上述任意实施例的显示基板来实现,例如以上参考图7A至图7E描述的显示基板来实现。
第二基板920包括第二衬底9201和第二公共电极9202。第二公共电极9202设置在第二衬底9201面向第一基板910的一侧。在一些实施例中,间隔物PS设置在第一基板910面向第二基板920的一侧以确保第一基板910与第二基板PS之间的间距。
在显示面板900工作时,向第二公共电极9202施加公共电压,而施加在第二晶体管T2的源极S2上的数据电压通过树脂层1201中的过孔被提供至反射部120,从而在反射部120与第二公共电极9202之间形成用于使液晶930偏转的电场。由于第二基板920中未设置彩色滤光层和偏光片,显示面板900可以配置为进行黑白显示。例如对于每个子像素Pxl可以设置两个数据电压,在第一数据电压下,反射部120与第二公共电极9202之间的电场使得液晶930沿平行于第一基板910和第二基板920的方向偏转,从而阻挡光线从第一基板910向第二基板920传输,子像素Pxl显示黑色;在第二数据电压下,反射部120与第二公共电极9202之间的电场使得液晶930沿垂直于第一基板910和第二基板920的方向偏转偏转,从而使反射部120反射的光线完全透过液晶930从第二基板1200射出,子像素Pxl显示白色。当然本公开的实施例不限于此,第一数据电压和第二数据电压可以互换使用,例如在一些实施例中可以在第一数据电压下显示白色,在第二数据电压下显示黑色,与显示面板实际的设置有关。
图10A示出了根据本公开另一实施例的显示基板中反射部所在区域的俯视图,图10B示出了图10A的显示基板沿CC线的截面图。图10A和图10B的显示基板与图7A至图7E类似,区别至少在于反射部和子像素区域的结构以及二者的位置关系。为了简明起见,下面将主要对区别部分进行详细说明。
图10A和图10B的子像素区域内设置有晶体管T’,例如晶体管T’可以为薄膜晶体管。晶体管T’的栅极G电连接栅极线GATE’,源极S电连接数据线DATA’,漏极D经由树脂层1021中的通孔VIA’与反射部1020电连接,绝缘层1300覆盖栅极G。
反射部1020设计成不规则形状,使得晶体管T’的至少一部分(例如晶体管T’的漏极的一部分以及栅极和源极)以及与晶体管T’电连接的数据线DATA’和栅极线GATE’在第一衬底1010上的投影位于反射部1020在第一衬底1010上的投影之外。通过这种方式,使得反射部1020不遮挡晶体管T’以及与其电连接的数据线DATA’和栅极线GATE’,从而减小反射部1020对晶体管T’的信号干扰。
图11示出了根据本公开另一实施例的显示面板的示意结构图。
显示面板1100包括第一基板1110、第二基板1120以及位于第一基板1110和第二基板1120之间的液晶1130,其中第一基板1110可以由上述任意实施例的显示基板来实现,例如由以上参考图7A至图7E描述的显示基板来实现,或者由以上参考图10A和图10B描述的显示基板来实现。
第一基板面1110向第二基板1120的一侧还设有第一取向层1111。第二基板1120可以包括第二衬底1121、偏光片1122、彩色滤光层1123、第二公共电极1124和第二取向层1125。偏光片1123设置在第二衬底1121远离第一基板1110的一侧。彩色滤光层1123设置在第二衬底1121面向第一基板1110的一侧。第二公共电极1124设置在彩色滤光层1123面向第一基板1110的一侧。第二取向层1125设置在第二公共电极1124面向第一基板1110的一侧。彩色滤光层1123中可以设置有彩色滤光片和黑矩阵,从而可以实现彩色显示。
图12示出了根据本公开实施例的显示装置的示意结构图。
如图12所示,显示装置1200包括显示面板1210和前置光源1220。在图12中,显示面板1210包括第一基板1211、第二基板1212以及位于第一基板1211和第二基板1212之间的液晶1213。显示面板1210可以由上述任意实施例的显示面板来实现,例如以上参考图9或图11描述的显示面板。前置光源1220设置在第二基板1212远离第一基板1211的一侧,并且被配置为朝向所述第二基板1212发光。显示装置1200可以被实现为各种电子设备,包括但不限于需要较长待机时间的智能穿戴设备、手机、电脑、广告屏等等。
图13A示出了根据本公开实施例的显示面板在黑态下的光路原理图。图13B示出了根据本公开实施例的显示面板在白态下的光路原理图。在图13A和图13B的显示面板可以由上述任意实施例的显示面板来实现,包括第一基板1310、第二基板1320以及位于二者之间的液晶1330。第二基板1320可以实现为类似于以上参考图11描述的第二基板1120,在第二基板1320的第二衬底1321和偏光片1322之间还设置有第一延迟片1323和第二延迟片1324。第一延迟片1323可以为λ/2延迟片,第二延迟片1324可以为λ/4延迟片,其中λ表示光的波长。
显示面板的子像素可以具有白态、黑态以及介于白态和黑态之间的灰阶状态。通过向液晶1330施加电压来控制液晶1330的偏转,从而实现各种显示状态。
如图13A所示,在对液晶1330施加0电场时,即对液晶1330施加第一电压时,外界环境光经过偏光片1322后转变为线偏光,经λ/2延迟片1323后该线偏光的偏振方向转过一定角度(但仍为线偏光),经λ/4延迟片1324后变为圆偏振光(例如为右旋)。此时如图13A所示的液晶1330可以等效为一个λ/4延迟片1324,圆偏光经过液晶1330后变为线偏光,此线偏光经反射层1311反射后依旧为线偏光,但偏振方向发生变化。当该偏振光经过液晶1330后变为圆偏光(右旋),依次经λ/4延迟片1324、λ/2延迟片1323后变为线偏光,且偏振方向与偏光片1322透过轴一致,从而实现亮态。
图13B所示,在对液晶1330加电时,即向液晶1330施加第二电压时,液晶分子长轴与光线传播方向平行,光线经过液晶1330时不发生双折射。首先,外界环境光经过偏光片1322后转变为线偏光,经λ/2延迟片1323后该线偏光的偏振方向转过一定角度(但仍为线偏光),经λ/4延迟片1324后变为圆偏振光(例如为右旋)。此右旋圆偏光经反射层1311反射后其旋向反向,也即经金属反射层1311反射后右旋圆偏光变为左旋,经λ/4延迟片1324、λ/2延迟片1323后变为线偏光,但偏振方向与上偏光片透过轴垂直,从而光线无法射出,表现为暗态。
本领域的技术人员可以理解,上面所描述的实施例都是示例性的,并且本领域的技术人员可以对其进行改进,各种实施例中所描述的结构在不发生结构或者原理方面的冲突的情况下可以进行自由组合。
在详细说明本公开的较佳实施例之后,熟悉本领域的技术人员可清楚的了解,在不脱离随附权利要求的保护范围与精神下可进行各种变化与改变,且本公开亦不受限于说明书中所举示例性实施例的实施方式。
Claims (30)
1.一种显示基板,包括:
第一衬底,所述第一衬底上设置有多个子像素区域,所述多个子像素区域布置成阵列;以及
反射层,设置在所述第一衬底的一侧,所述反射层远离所述第一衬底的表面被形成为具有多个第一凸起和多个第二凸起,所述第一凸起的尺寸大于所述第二凸起的尺寸;
绝缘层,所述绝缘层设置在所述反射层面向所述第一衬底的一侧,所述绝缘层远离所述第一衬底的表面被形成为具有多个凸起,所述反射层保形地形成在所述绝缘层远离所述第一衬底的一侧,使得所述反射层被形成为具有所述多个第一凸起和所述多个第二凸起;
其中,所述绝缘层包括多个第一绝缘区和多个第二绝缘区,所述多个第一绝缘区和多个第二绝缘区沿第二方向交替设置,所述第一绝缘区内的凸起的密度大于所述第二绝缘区内的凸起的密度,所述第二方向为所述阵列的列方向。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述多个第一凸起和所述多个第二凸起沿第一方向和第二方向中的至少之一交替设置,所述第一凸起的尺寸是第二凸起的尺寸的4到6倍,其中所述第一方向为所述阵列的行方向,所述第二方向为所述阵列的列方向。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其中,所述多个第一凸起沿着第三方向排布,且沿第三方向至少两个相邻的第一凸起的尺寸不同;和/或
所述多个第一凸起沿着第四方向排布,且沿第四方向至少两个相邻的第一凸起的尺寸不同,其中所述第一方向、第二方向、第三方向和第四方向两两相交。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述第一凸起和第二凸起的高度在1.05μm±δ的范围内,所述高度为凸起的顶部到底部之间的距离,δ为允许的高度误差值。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述第一凸起和第二凸起的坡度在6度到12度的范围内。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其中,每个子像素区域内设有至少一个像素电极,所述反射层位于所述像素电极远离所述第一衬底的一侧或者靠近所述第一衬底的一侧,所述反射层为连续层,所述反射层在所述第一衬底上的投影覆盖所述多个子像素区域的像素电极在所述第一衬底上的投影。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其中,每个子像素区域内设有至少一个像素电极,所述反射层由导电材料形成,所述反射层包括多个彼此绝缘设置的反射部,至少一个反射部被复用为一个子像素区域中的像素电极。
8.根据权利要求1所述的显示基板,其中,每个子像素区域中还设置有与像素电极连接的至少一个晶体管,所述晶体管包括栅极、第一极和第二极,所述第二极与复用为所述子像素区域内的像素电极的反射部电连接。
9.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述绝缘层是连续设置的。
10.根据权利要求9所述的显示基板,其中,所述绝缘层是树脂层。
11.根据权利要求1所述的显示基板,还包括:钝化层,所述钝化层设置在所述绝缘层远离所述第一衬底的一侧。
12.根据权利要求11所述的显示基板,其中,所述钝化层的材料为氮化硅,厚度在0.1微米至0.2微米之间。
13.根据权利要求8所述的显示基板,还包括:
多条栅极线,沿第一方向延伸,所述多条栅极线与所述晶体管的栅极同层设置,每条栅极线与所述阵列中至少一行子像素区域内的晶体管的栅极电连接,所述第一方向为所述阵列的行方向;以及
多条数据线,沿第二方向延伸,所述多条数据线与所述晶体管的第一极和第二极同层设置,每条数据线与所述阵列中至少一列子像素区域内的晶体管的第一极电连接,所述第二方向为所述阵列的列方向;
其中,所述多条栅极线和所述多条数据线交叉限定了所述多个子像素区域,至少一个子像素区域内的晶体管、与所述子像素区域内的晶体管电连接的栅极线的至少一部分以及与所述子像素区域内的晶体管电连接的数据线的至少一部分在所述第一衬底上的投影位于与所述子像素区域内的晶体管电连接的反射部在所述第一衬底上的投影内。
14.根据权利要求8所述的显示基板,其中,
每个子像素区域内还设置有第一公共电极;
所述显示基板还包括多条公共电极线,所述多条公共电极线沿第一方向延伸,并且与所述晶体管的栅极同层设置,至少一条公共电极线与所述阵列中至少一行子像素区域内的第一公共电极电连接,
其中所述第一方向为所述阵列的行方向,每个子像素区域内的第一公共电极以及与所述第一公共电极电连接的公共电极线的至少一部分在所述第一衬底上的投影位于与所述子像素区域内的复用为像素电极的反射部在所述第一衬底上的投影内。
15.根据权利要求8所述的显示基板,其中,反射部包括第一反射区和第二反射区,第一反射区表面平坦,第二反射区表面具有所述第一凸起和第二凸起。
16.根据权利要求15所述的显示基板,其中,所述第一反射区在所述第一衬底上的投影覆盖所述晶体管的至少一部分在所述第一衬底上的投影。
17.根据权利要求15所述的显示基板,还包括至少一个间隔物,所述第一反射区在所述第一衬底上的投影与所述间隔物在所述第一衬底上的投影至少部分交叠。
18.根据权利要求8所述的显示基板,其中,所述绝缘层中设有过孔,所述反射部通过所述过孔与晶体管的第二极电连接。
19.根据权利要求8所述的显示基板,其中,每个反射部通过至少两个过孔与子像素区域内的晶体管的第二极电连接,所述至少两个过孔沿第五方向排列,所述第五方向相对于第一方向的角度在15度至45度的范围内。
20.根据权利要求1至19中任一项所述的显示基板,其中,所述第一凸起和第二凸起各自在所述第一衬底上的投影具有圆形或椭圆形形状。
21.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述反射层还包括第三凸起、第四凸起、第五凸起和第六凸起,所述第一凸起、第二凸起、第三凸起、第四凸起、第五凸起和第六凸起随机排布且尺寸互不相同,所述第一凸起、第二凸起、第三凸起、第四凸起、第五凸起和第六凸起各自的尺寸在13μm至18μm的范围内。
22.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述反射层还包括第三凸起,所述第一凸起、第二凸起和第三凸起随机排布且尺寸互不相同,所述第一凸起、第二凸起和第三凸起各自的尺寸在16μm至18μm的范围内。
23.一种用于制作权利要求1-22中任一项所述显示基板的掩膜板,所述掩膜板用于形成表面具有凸起的绝缘层,所述掩膜板包括多个透光区和位于透光区之间的不透光区,所述多个透光区具有至少三种尺寸;
其中,任意两个相邻所述透光区的尺寸彼此不同。
24.根据权利要求23所述的掩膜板,其中,所述掩膜板包括布置成阵列的多个掩膜区,每个掩膜区包括第一组透光区和第二组透光区,
所述第一组透光区包括第一透光区、第二透光区、第三透光区、第四透光区和第五透光区,所述第一透光区和所述第三透光区具有第一尺寸,所述第二透光区和所述第四透光区具有第二尺寸,所述第五透光区具有第三尺寸;
所述第二组透光区包括所述第四透光区、所述第五透光区、第六透光区、第七透光区和第八透光区,所述第六透光区和所述第七透光区具有第四尺寸,所述第八透光区具有第三尺寸。
25.根据权利要求24所述的掩膜板,其中,所述第一透光区、第二透光区、第三透光区和第四透光区的几何中心连线形成第一矩形,其中所述第一透光区位于所述第一矩形的第一顶点,所述第二透光区位于所述第一矩形的第二顶点,所述第三透光区位于所述第一矩形的第三顶点,所述第四透光区位于所述第一矩形的第四顶点,所述第五透光区位于所述第一矩形中,其中所述第一矩形的所述第一顶点和所述第三顶点为互为对角顶点,所述第一矩形的第二顶点和所述第四顶点互为对角顶点;
所述第四透光区、第五透光区、第六透光区、第七透光区和第八透光区的几何中心连线形成第二矩形,其中所述第六透光区位于所述第二矩形的第一顶点,所述第五透光区位于所述第二矩形的第二顶点,所述第七透光区位于所述第二矩形的第三顶点,所述第八透光区位于所述第二矩形的第四顶点,所述第四透光区位于所述第二矩形中,其中所述第二矩形的所述第一顶点和所述第三顶点为互为对角顶点,所述第二矩形的第二顶点和所述第四顶点互为对角顶点。
26.根据权利要求25所述的掩膜板,其中,
所述第一组透光区还包括第九透光区、第十透光区、第十一透光区和第十二透光区,所述第九透光区位于所述第一透光区和所述第二透光区之间,所述第十透光区位于所述第二透光区和所述第三透光区之间,所述第十一透光区位于所述第三透光区和所述第四透光区之间,所述第十二透光区位于所述第四透光区和所述第一透光区之间,
所述第二组透光区还包括所述第十一透光区、所述第十二透光区、第十三透光区和第十四透光区,所述第十一透光区位于所述第五透光区和所述第七透光区之间,所述第十二透光区位于所述第五透光区和所述第六透光区之间,所述第十三透光区位于所述第七透光区和所述第八透光区之间,所述第十四透光区位于所述第八透光区和所述第六透光区之间,
所述第九透光区、所述第十透光区、所述第十一透光区、所述第十二透光区、所述第十三透光区和所述第十四透光区具有第五尺寸,所述第五尺寸小于所述第一尺寸、第二尺寸、第三尺寸和第四尺寸中的每一个。
27.一种显示面板,包括第一基板、第二基板以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶,其中所述第一基板由根据权利要求1至22中任一项所述的显示基板来实现。
28.根据权利要求27所述的显示面板,其中,所述第二基板包括:
第二衬底;以及
第二公共电极,所述第二公共电极设置在所述第二衬底面向所述第一基板的一侧。
29.根据权利要求28所述的显示面板,其中,所述第一基板面向所述第二基板的一侧还设有第一取向层,所述第二基板还包括:
偏光片,设置在所述第二衬底远离所述第一基板的一侧;
彩色滤光层,设置在所述第二衬底面向所述第一基板的一侧;
第二公共电极,设置在所述彩色滤光层面向所述第一基板的一侧;以及
第二取向层,设置在所述第二公共电极面向所述第一基板的一侧。
30.一种显示装置,包括:
根据权利要求27至29中任一项所述的显示面板;以及
前置光源,所述前置光源设置在所述显示面板的第二基板远离所述第一基板的一侧,并且被配置为朝向所述第二基板发光。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000193968A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Optrex Corp | 光反射性基板およびその製造方法と反射型液晶表示素子 |
CN1497313A (zh) * | 2002-09-30 | 2004-05-19 | ������������ʽ���� | 有源矩阵型电光装置和电子仪器 |
CN1794053A (zh) * | 2004-12-24 | 2006-06-28 | 京东方显示器科技公司 | 液晶显示装置的制造方法 |
CN104991377A (zh) * | 2015-08-03 | 2015-10-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、液晶显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI314236B (en) * | 2005-03-01 | 2009-09-01 | Au Optronics Corp | Substrate for liquid crystal display and the method making the same |
JP4572821B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2010-11-04 | セイコーエプソン株式会社 | グレイスケールマスク、マイクロレンズの製造方法 |
CN104280942B (zh) * | 2014-10-31 | 2017-07-04 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种掩模板 |
US10504930B2 (en) * | 2016-11-18 | 2019-12-10 | Hannstar Display Corporation | Reflective liquid crystal display panel |
CN111796452A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-10-20 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板 |
-
2020
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JP2000193968A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Optrex Corp | 光反射性基板およびその製造方法と反射型液晶表示素子 |
CN1497313A (zh) * | 2002-09-30 | 2004-05-19 | ������������ʽ���� | 有源矩阵型电光装置和电子仪器 |
CN1794053A (zh) * | 2004-12-24 | 2006-06-28 | 京东方显示器科技公司 | 液晶显示装置的制造方法 |
CN104991377A (zh) * | 2015-08-03 | 2015-10-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、液晶显示面板及显示装置 |
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