CN114975802B - 发光器件、发光基板和发光装置 - Google Patents

发光器件、发光基板和发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114975802B
CN114975802B CN202110212633.9A CN202110212633A CN114975802B CN 114975802 B CN114975802 B CN 114975802B CN 202110212633 A CN202110212633 A CN 202110212633A CN 114975802 B CN114975802 B CN 114975802B
Authority
CN
China
Prior art keywords
type material
type
light
light emitting
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110212633.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114975802A (zh
Inventor
刘杨
孙玉倩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202110212633.9A priority Critical patent/CN114975802B/zh
Priority to PCT/CN2021/132170 priority patent/WO2022179210A1/zh
Priority to US17/927,463 priority patent/US20230200230A1/en
Publication of CN114975802A publication Critical patent/CN114975802A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114975802B publication Critical patent/CN114975802B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90—Multiple hosts in the emissive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H10K50/181—Electron blocking layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本公开涉及照明和显示技术领域，尤其涉及一种发光器件、发光基板和发光装置。可以使能量更高效地从主体材料向客体材料进行传递，提高发光效率。一种发光器件，包括：层叠的第一电极和第二电极；以及设置于第一电极和第二电极之间的发光层；所述发光层的材料包括主体材料和客体材料；其中，所述主体材料包括：p型材料和n型材料，所述p型材料和所述n型材料之间形成激基复合物；且所述p型材料和所述n型材料之间满足：|HOMOp型‑HOMOn型|≤0.2eV；其中，HOMOp型表示所述p型材料的HOMO能级，HOMOn型表示所述n型材料的HOMO能级。

Description

发光器件、发光基板和发光装置
技术领域
本公开涉及照明和显示技术领域，尤其涉及一种发光器件、发光基板和发光装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)具有自发光、广视角、反应时间快、发光效率高、工作电压低、基板厚度薄、可制作大尺寸与可弯曲式基板及制程简单等特性，被誉为下一代的“明星”显示技术。
发明内容
本发明的主要目的在于，提供一种发光器件、发光基板和发光装置。可以使能量更高效地从主体材料向客体材料进行传递，提高发光效率。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一方面，提供一种发光器件，包括：层叠的第一电极和第二电极；以及设置于第一电极和第二电极之间的发光层；所述发光层的材料包括主体材料和客体材料；其中，所述主体材料包括：p型材料和n型材料，所述p型材料和所述n型材料之间形成激基复合物；且所述p型材料和所述n型材料之间满足：
|HOMOp型-HOMOn型|≤0.2eV；
其中，HOMOp型表示所述p型材料的HOMO能级，HOMOn型表示所述n型材料的HOMO能级。
在一些实施例中，所述n型材料的HOMO能级低于所述p型材料的HOMO能级。
在一些实施例中，所述p型材料和所述n型材料之间满足：
|LUMOn型|-|LUMOp型|≥0.2eV；
其中，LUMOp型表示所述p型材料的LUMO能级，LUMOn型表示所述n型材料的LUMO能级。
在一些实施例中，所述p型材料的质量和所述n型材料的质量之比大于或等于2:8小于或等于8:2。
在一些实施例中，所述p型材料的HOMO能级大于或等于-5.8eV小于或等于-5.3eV；所述n型材料的HOMO能级大于或等于-6.0eV小于或等于-5.5eV。
在一些实施例中，所述p型材料的LUMO能级大于或等于-2.5eV小于或等于-2.0eV；所述n型材料的LUMO能级大于或等于-2.8eV小于或等于-2.3eV。
在一些实施例中，所述激基复合物的归一化荧光发射光谱与所述n型材料的归一化荧光发射光谱之间具有交叠区域，所述交叠区域的积分面积大于或等于所述n型材料的归一化荧光发射光谱的积分面积的90％。
在一些实施例中，所述激基复合物的归一化荧光发射光谱的峰值所对应的波长与所述n型材料的归一化荧光发射光谱的峰值所对应的波长之间的差值的绝对值小于或等于5nm。
在一些实施例中，所述n型材料的归一化荧光发射光谱所对应的波长范围为480nm～520nm。
在一些实施例中，所述激基复合物的归一化荧光发射光谱所对应的波长范围为480nm～520nm。
在一些实施例中，所述p型材料的归一化荧光发射光谱所对应的波长范围为400nm～460nm。
在一些实施例中，所述p型材料的空穴迁移率与所述n型材料的电子迁移率之比大于或等于1:100，小于或等于100:1。
在一些实施例中，所述p型材料的空穴迁移率大于或等于1×10-8cm2/v·s小于或等于1×10-4cm2/v·s；所述n型材料的电子迁移率大于或等于1×10-8cm2/v·s小于或等于1×10-4cm2/v·s。
在一些实施例中，所述p型材料选自如下通式(a)和通式(b)所示化合物中的任一种；
其中，R1、R2、R3和R4相同或不同，分别独立地选自氢、氘、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基，以及取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任一种；L1选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基，以及取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基中的任一种；Ar1和Ar2分别独立地选自取代或未取代的C6～C30的芳基，以及取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任一种；m、n、i、j分别独立地为0、1或2。
在一些实施例中，所述n型材料选自如下通式(i)、通式(ii)和通式(iii)所示化合物中的任一种；
其中，X选自C(R)或N，X1和X2相同或不同，分别独立地选自NR、O、S和Se中的任一种；R5、R6和R相同或不同，分别独立地选自氢、氘、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基，以及取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任一种；L3选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基，以及取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基中的任一种。
在一些实施例中，还包括：设置于所述第一电极和所述发光层之间的电子阻挡层；所述p型材料和所述电子阻挡层的材料之间满足：
|HOMOp型|-|HOMOG’|≤0.3eV；
其中，HOMOG’表示所述电子阻挡层的材料的HOMO能级。
在一些实施例中，还包括：设置于所述第二电极和所述发光层之间的空穴阻挡层；所述n型材料和所述空穴阻挡层的材料之间满足：
|LUMOHB|-|LUMOn型|≤0.3eV；
其中，LUMOHB表示所述空穴阻挡层的材料的LUMO能级，LUMOn型表示n型材料的LUMO能级。
另一方面，提供一种发光基板，包括：衬底；以及设置于所述衬底上的多个发光器件；其中，至少一个发光器件为如上所述的发光器件。
又一方面，提供一种发光装置，包括：如上所述的发光基板。
本发明实施例提供一种发光器件、发光基板和发光装置。该发光器件的发光层中的主体材料中，p型材料的HOMO能级和n型材料的HOMO能级较为接近，HOMO能级重叠程度大，与相关技术中以往的激基复合物的p型材料和n型材料的HOMO能级之差较大相比，可以提高主体材料的激子利用率，具有高的荧光量子效率，从而可以使能量更高效地从主体材料向客体材料进行传递，提高发光效率。并且，通过实验发现，包含p型材料和n型材料的该主体材料的发射光谱和n型材料的发射光谱之间具有较大交叠，与相关技术中以往的激基复合物的发射光谱相对于n型材料会出现明显红移相比，能够减少红移，从而能够进一步使能量更高效地从主体材料向客体材料进行传递，提高发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为根据一些实施例的发光基板的剖视结构图；
图2为根据一些实施例的发光基板的俯视结构图；
图3为根据一些实施例的p型材料、n型材料与电子阻挡层的材料和空穴阻挡层的材料之间的能级关系图；
图4为根据一些实施例的p型材料和n型材料的发射光谱，以及由p型材料和n型材料形成的激基复合物的发射光谱的归一化曲线图；
图5为相关技术提供的p型材料和n型材料的发射光谱，以及由p型材料和n型材料形成的激基复合物的发射光谱的归一化曲线图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
如本文所使用的那样，“约”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量***的局限性)所确定。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
本公开的一些实施例提供了一种发光装置，该发光装置包括发光基板，当然还可以包括其他部件，例如可以包括用于向发光基板提供电信号，以驱动该发光基板发光的电路，该电路可以称为控制电路，可以包括与发光基板电连接的电路板和/或IC(IntegrateCircuit，集成电路)。
在一些实施例中，该发光装置可以为照明装置，此时，发光装置用作光源，实现照明功能。例如，发光装置可以是液晶显示装置中的背光模组，用于内部或外部照明的灯，或各种信号灯等。
在另一些实施例中，该发光装置可以为显示装置，此时，该发光基板为显示基板，用于实现显示图像(即画面)功能。发光装置可以包括显示器或包含显示器的产品。其中，显示器可以是平板显示器(Flat Panel Display，FPD)，微型显示器等。若按照用户能否看到显示器背面的场景划分，显示器可以是透明显示器或不透明显示器。若按照显示器能否弯折或卷曲，显示器可以是柔性显示器或普通显示器(可以称为刚性显示器)。示例的，包含显示器的产品可以包括：计算机显示器，电视，广告牌，具有显示功能的激光打印机，电话，手机，个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)，膝上型计算机，数码相机，便携式摄录机，取景器，车辆，大面积墙壁，剧院的屏幕或体育场标牌等。
本公开的一些实施例提供了一种发光基板1，如图1所示，该发光基板1包括衬底11、设置在衬底11上的像素界定层12和多个发光器件13。其中，该像素界定层12具有多个开口Q，多个发光器件13可以与多个开口Q一一对应设置。这里的多个发光器件13可以是发光基板1包含的全部或部分发光器件13；多个开口Q可以是像素界定层12上的全部或部分开口。
在多个发光器件13中，至少一个发光器件13可以包括层叠设置的第一电极131和第二电极132，以及设置于第一电极131和第二电极132之间的发光层133。
在一些实施例中，如图1所示，该第一电极131可以为阳极，此时，该第二电极132为阴极。在另一些实施例中，该第一电极131可以为阴极，此时，该第二电极132为阳极。
在一些实施例中，阳极的材料可以选自高功函材料，如ITO(Indium Tin Oxides，氧化铟锡)、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)或复合材料(如Ag/ITO，Al/ITO，Ag/IZO或Al/IZO，其中，“Ag/ITO”命名由金属银电极和ITO电极堆叠的叠层结构)等，阴极的材料可以选自低功函材料，如金属Al、Ag或Mg，或者低功函的金属合金材料(如镁铝合金、镁银合金)等。
对于OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)的发光器件而言，该发光器件13的发光原理为：通过阳极和阴极连接的电路，利用阳极向发光层133注入空穴，阴极向发光层133注入电子，所形成的电子和空穴在发光层133中形成激子，激子通过辐射跃迁回到基态，发出光子。
如图1所示，为了提高电子和空穴注入发光层133的效率，发光器件13还可以包括：空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)134、电子传输层(Electronic TransportLayer，ETL)135、空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)136和电子注入层(ElectronicInjection Layer，EIL)137中的至少一个。示例的，发光器件13还可以包括设置于阳极和发光层133之间的空穴传输层(HTL)134，以及设置于阴极和发光层之间的电子传输层(ETL)135。为了进一步提高电子和空穴注入发光层133的效率，发光器件13还可以包括设置于阳极和空穴传输层134之间的空穴注入层(HIL)136，以及设置于阴极和电子传输层135之间的电子注入层(EIL)137。
在一些实施例中，电子传输层135可以选自具有良好电子传输特性的有机材料，也可以在有机材料中掺杂有LiQ3、Li和Ca等，厚度可以为10～70nm。空穴传输层134可以选自N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(N,N’-Bis-(1-naphthalenyl)-N,N’-bis-phenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine)和4,4′-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](4,4′-cyclohexylidenebis[N,N-bis(p-tolyl)aniline])中的任一种。
在另一些实施例中，电子注入层137的材料可以选自低功函金属，如Li、Ca和Yb等，或者金属盐LiF、LiQ3等，厚度可以为0.5～2nm。空穴注入层136的材料可以选自CuPc(Copper(II)phthalocyanine，酞菁铜)、HATCN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲，Hexaazatriphenylenehexacabonitrile)、MnO3等，也可以为在这些材料进行P型掺杂后的材料，厚度可以为5～30nm。
发光基板1上还可以设置连接各个发光器件13的驱动电路，驱动电路可以与控制电路连接，以根据控制电路输入的电信号，驱动各个发光器件13发光。该驱动电路可以为有源驱动电路或者无源驱动电路。
该发光基板1可以发白光、单色光(单一颜色的光)或颜色可调的光等。
在第一种示例中，该发光基板1可以发白光。此时，如图1所示，多个发光器件13可以包括发红光的发光器件13R、发绿光的发光器件13G和发蓝光的发光器件13B，通过控制发蓝光的发光器件13B、发红光的发光器件13R和发绿光的发光器件13G同时发光，即可实现发蓝光的发光器件13B、发红光的发光器件13R和发绿光的发光器件13G的混光，以使发光基板1呈现白光。
在该示例中，该发光基板1可用于照明，即可以应用于照明装置中。
在第二种示例中，该发光基板1可以发单色光。这时，有两种可能的情况，第一种情况，多个发光器件包括发红光的发光器件13R、发绿光的发光器件13G和发蓝光的发光器件13B，通过控制发单色光的发光器件发光即可使发光基板1发单色光。第二种情况，多个发光器件仅包括发单色光的发光器件，如发绿光的发光器件13G，通过控制多个发光器件发光，即可实现发光基板1发单色光。在该示例中，该发光基板1可用于照明，即可以应用于照明装置中，也可以用于显示单一色彩的图像或画面，即可应用于显示装置中。
在第三种示例中，该发光基板1可以发颜色可调的光(即彩色光)，该发光基板1与第一种示例所描述的多个发光器件13的结构相类似的，通过对各个发光器件13的亮度进行控制，即可对该发光基板1发出的混合光的颜色和亮度进行控制，从而实现彩色发光。
在该示例中，该发光基板1可用于显示图像或画面，即可应用于显示装置中，当然，该发光基板1也可以用于照明装置中。
在第三种示例中，以该发光基板1为显示基板为例，如全彩显示面板，如图2所示，该发光基板1包括显示区A和设置于显示区A周边的周边区S。显示区A包括多个亚像素区P，每个亚像素区P对应一个开口，一个开口对应一个发光器件，每个亚像素区P中设置有用于驱动对应的发光器件发光的像素驱动电路200。周边区S用于布线，如连接像素驱动电路200的栅极驱动电路100。
在一些实施例中，至少一个发光器件13的发光层的材料可以包括主体材料和客体材料，主体材料是具有与客体材料能够进行能量传递，可逆的电化学氧化还原电位，良好且匹配的空穴和电子传输能力，良好的热稳定性和成膜性质的材料，在发光层133中具有较大的占比。客体材例如可以为磷光发光材料等，在发光层133中的占比较小。
在一些实施例中，如图3所示，主体材料可以包括：p型材料10和n型材料20，p型材料10和n型材料20形成激基复合物。也即，该主体材料为双主体材料。
其中，激基复合物是指两个不同种分子或原子的聚集体，在激发态时两分子或原子作用较强，产生新的能级，发射光谱不同于单个物种，无精细结构。
在这些实施例中，p型材料10可以看作是电子给体材料，n型材料20可以看作是电子受体材料，p型材料10和n型材料20的共混膜在光致激发或电致激发条件下，形成激基复合物，此时，电子受体材料的激发态和电子给体材料的基态相互作用形成一个电荷转移态发光，发出区别于p型材料10的发射光谱和n型材料20的发射光谱的新的光谱。
在一些实施例中，p型材料10和n型材料20之间满足：
|HOMOp型-HOMOn型|≤0.2eV；
其中，HOMOp型表示p型材料10的HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital，最高占据分子轨道)能级，HOMOn型表示n型材料20的HOMO能级。
在这些实施例中，p型材料10的HOMO能级和n型材料20的HOMO能级较为接近，HOMO能级重叠程度大，与相关技术中以往的激基复合物的p型材料和n型材料的HOMO能级之差较大相比，可以提高主体材料的激子利用率，具有高的荧光量子效率，从而可以使能量更高效地从主体材料向客体材料进行传递，提高发光效率。并且，通过实验发现，包含p型材料10和n型材料20的该主体材料的发射光谱和n型材料20的发射光谱之间具有较大交叠，与相关技术中以往的激基复合物的发射光谱相对于n型材料会出现明显红移相比，能够减少红移，从而能够进一步使能量更高效地从主体材料向客体材料进行传递，提高发光效率。
在一些实施例中，如图3所示，n型材料20的HOMO能级低于p型材料10的HOMO能级。也即，n型材料20的HOMO能级比p型材料10的HOMO能级深。
在一些实施例中，p型材料10的HOMO能级大于或等于-5.8eV小于或等于-5.3eV；n型材料20的HOMO能级大于或等于-6.0eV小于或等于-5.5eV。
此时，在n型材料20的HOMO能级低于p型材料10的HOMO能级的情况下，在p型材料10的HOMO能级为-5.8eV时，n型材料20的HOMO能级可以为-5.9eV或者-6.0eV。在p型材料10的HOMO能级为-5.3eV时，n型材料20的HOMO能级可以为-5.4eV或者-5.5eV。在p型材料10的HOMO能级为-5.5eV时，n型材料20的HOMO能级可以为-5.6eV或者-5.7eV。
在一些实施例中，p型材料10和n型材料20之间满足：
|LUMOn型|-|LUMOp型|≥0.2eV；
其中，LUMOp型表示p型材料10的LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，最低未占分子轨道)能级，LUMOn型表示n型材料20的LUMO能级。
也即n型材料20的LUMO能级比p型材料10的LUMO能级深，且n型材料20的LUMO能级与p型材料10的LUMO能级相差较大。有利于使p型材料10和n型材料20之间形成激基复合物。
在一些实施例中，p型材料10的LUMO能级大于或等于-2.5eV小于或等于-2.0eV；n型材料20的LUMO能级大于或等于-2.8eV小于或等于-2.3eV。
此时，在n型材料20的LUMO能级低于p型材料10的LUMO能级的情况下，在p型材料10的LUMO能级为-2.5eV时，n型材料20的LUMO能级可以为-2.8eV或者-2.7eV。在p型材料10的HOMO能级为-2.0eV时，n型材料20的HOMO能级可以为-2.2eV、-2.3eV、-2.4eV、-2.5eV或者-2.8eV等。在p型材料10的HOMO能级为-2.3eV时，n型材料20的HOMO能级可以为-2.5eV、-2.6eV、-2.7eV或-2.8eV等。
其中，对上述p型材料10和n型材料20混合的质量之比不做具体限定，只要p型材料10和n型材料20混合之后可以形成激基复合物即可，根据激基复合物可以形成在两个界面之间，也可以共混在同一个膜层中，可以得知p型材料10和n型材料20的质量可以相当，也可以其中之一的质量远大于另一个的质量。
在一些实施例中，p型材料10的质量和n型材料20的质量之比大于或等于2:8小于或等于8:2。
在一些实施例中，如图4所示，激基复合物30的归一化荧光发射光谱与n型材料20的归一化荧光发射光谱之间具有交叠区域，交叠区域的积分面积大于或等于n型材料20的归一化荧光发射光谱的积分面积的90％。
在这些实施例中，通过实验发现，在p型材料10的质量和n型材料20的质量之比从小到大变化的情况下，激基复合物30的归一化荧光发射光谱与n型材料20的归一化荧光发射光谱的交叠区域的积分面积，均大于或等于n型材料20的归一化荧光发射光谱的积分面积的90％，在应用时，p型材料10和n型材料20以激基复合物的形式存在时，能够使能量更高效地从主体材料向客体材料进行传递，提高发光效率。
在一些实施例中，激基复合物的归一化荧光发射光谱的峰值所对应的波长与n型材料20的归一化荧光发射光谱的峰值所对应的波长之间的差值的绝对值小于或等于5nm。通过实验发现，在p型材料10的质量和n型材料20的质量之比从小到大变化的情况下，激基复合物30的归一化荧光发射光谱的峰值所对应的波长与n型材料20的归一化荧光发射光谱的峰值所对应的波长之间的差值的绝对值均小于或等于5nm。在应用时，同样能够使能量更高效地从主体材料向客体材料进行传递，提高发光效率。
在一些实施例中，n型材料20的归一化荧光发射光谱所对应的波长范围为480nm～520nm。n型材料20可以为发绿光的材料。也即，发光器件可以为发绿光的发光器件。
在一些实施例中，激基复合物30的归一化荧光发射光谱所对应的波长范围为480nm～520nm。由此可以得知，主体材料为发绿光的材料，而根据上述n型材料20的归一化荧光发射光谱的波长范围也为480nm～520nm，可以得知，主体材料的发射光谱与n型材料20的发射光谱几乎完全重叠，红移较小。
在一些实施例中，p型材料10的归一化荧光发射光谱所对应的波长范围为400nm～460nm。p型材料10可以为发蓝光的材料，便于实现能量转移。
在一些实施例中，p型材料10的空穴迁移率与n型材料20的电子迁移率之比大于或等于1:100，小于或等于100:1。根据p型材料10为空穴注入型材料，n型材料20为电子注入型材料，可以得知，该主体材料GH可以实现空穴和电子双注入，促使载流子传输平衡，而通过将p型材料10的空穴迁移率与n型材料20的电子迁移率之比限定在以上范围内，均能够满足使用要求。
在一些实施例中，p型材料10的空穴迁移率大于或等于1×10-8cm2/v·s小于或等于1×10-4cm2/v·s；n型材料20的电子迁移率大于或等于1×10-8cm2/v·s小于或等于1×10-4cm2/v·s。
在一些实施例中，p型材料10可以选自如下通式(a)和通式(b)所示化合物中的任一种；
其中，R1、R2、R3和R4相同或不同，分别独立地选自氘、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基，以及取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任一种；L1选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基，以及取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基中的任一种；Ar1选自取代或未取代的C6～C30的芳基，以及取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任一种，m、n、i、j分别独立地为0、1或2。
其中，在m、n、i、j均为0的情况下，通式(a)可以如下式(a_1)所示，通式(b)可以如下式(b_1)所示。
此时，通式(a)中两个咔唑基之间的连接可以如下式(a_11)、(a_12)、(a_13)和(a_14)所示。通式(b)中两个咔唑基之间的连接可以如下式(b_11)、(b_12)、(b_13)和(b_14)所示。
/>
在L1和L2均选自单键的情况下，通式(a)可以如下式(a_2)所示，在L1选自单键的情况下，通式(b)可以如下式(b_2)所示。
在一些实施例中，p型材料选自如下结构式中的任一种：
在一些实施例中，n型材料选自如下通式(i)、通式(ii)和通式(iii)所示化合物中的任一种。
其中，X选自C(R)或N，X1和X2相同或不同，分别独立地选自NR、O、S和Se中的任一种；R5、R6和R相同或不同，分别独立地选自氢、氘、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基，以及取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任一种；L3选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基，以及取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基的任一种。
其中，在X选自N，X1和X2均选自O的情况下，通式(i)可以如下式(i_1)所示，通式(ii)可以如下式(ii_1)所示，通式(iii)可以如下式(iii_1)所示。
/>
在R5和R6均选自氢的情况下，通式(i)可以如下式(i_2)所示，通式(ii)可以如下式(ii_2)所示，通式(iii)可以如下式(iii_2)所示。
在L3选自单键的情况下，通式(i)可以如下式(i_3)所示，通式(ii)可以如下式(ii_3)所示，通式(iii)可以如下式(iii_3)所示。
在这些实施例中，与相关技术中n型材料20相比，通过在n型材料20引入大的共轭的供电子基团，可以使n型材料20的HOMO能级变浅，从而使p型材料10和n型材料20的HOMO能级接近，HOMO轨道重叠程度较大，具有高的荧光量子效率，进而可以使能量更高效地从主体材料向客体材料传递，提高发光效率。
在一些实施例中，n型材料选自如下结构式中的任一种：
/>
在一些实施例中，如图1所示，发光器件13还包括：设置于第一电极131和发光层133之间的电子阻挡层(Electron Blocking Layer，EBL)138，电子阻挡层138可以位于空穴传输层134和发光层133之间。如图3所示，p型材料10和电子阻挡层138的材料之间满足：
|HOMOp型|-|HOMOG’|≤0.3eV；
其中，HOMOG’表示电子阻挡层138的材料的HOMO能级。
在这些实施例中，通过设置电子阻挡层138，能够对发光层133传输的电子起到阻挡其扩散的作用，将电子和空穴限制在发光区。而通过将p型材料的HOMO能级和电子阻挡层138的材料的HOMO能级之差限定在以上范围内，电子阻挡层138和p型材料10之间具有较小的HOMO能级差，可以降低空穴在电子阻挡层138和发光层133之间的注入势垒，从而降低工作电压。同时，较低的注入势垒也可以降低界面电荷堆积，延缓界面劣化，进而可延长器件寿命。
在一些实施例中，该电子阻挡层138的材料可以选自N-(9,9'-螺环[芴]-2-基)-N-(9,9-二苯基-9H-芴-3-基)二苯并[b，d]呋喃-3-胺(N-(9,9'-spirobi[fluoren]-2-yl)-N-(9,9-diphenyl-9H-fluoren-3-yl)dibenzo[b,d]furan-3-amine)。
在一些实施例中，如图1所示，发光器件13还包括：设置于第一电极131和发光层133之间的空穴阻挡层(Hole Blocking Layer，HBL)139。空穴阻挡层139可以位于电子传输层135和发光层133之间。如图3所示，n型材料20和空穴阻挡层139的材料之间满足：
|LUMOHB|-|LUMOn型|≤0.3eV；
其中，LUMOHB表示空穴阻挡层139的材料的LUMO能级，LUMOn型表示n型材料20的LUMO能级。
在这些实施例中，通过设置空穴阻挡层139，能够对发光层133传输的空穴起到阻挡其扩散的作用，将空穴限制在发光区。而通过将n型材料20的LUMO能级和空穴阻挡层139的材料的LUMO能级之差限定在以上范围内，空穴阻挡层139和n型材料20之间具有较小的LUMO能级差，可以降低电子在空穴阻挡层139和发光层133之间的注入势垒，从而降低工作电压。同时，较低的注入势垒也可以降低界面电荷堆积，延缓界面劣化，进而可延长器件寿命。
在一些实施例中，空穴阻挡层(Hole Blocking Layer，EBL)139的材料可以选自2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-Phenanthroline)。
为了对本公开提供的实施例的技术效果进行客观说明，以下，将通过如下对比例和实验例对本公开进行详细地示例性地描述。
其中，需要说明的是，在以下的对比例和实验例中，发光器件13均具有相同的结构：阳极/空穴注入层(HIL)136/空穴传输层(HTL)134/电子阻挡层(EBL)138/发光层133/空穴阻挡层(HBL)139/电子传输层(ETL)135/电子注入层(EIL)137/阴极。并且，除发光层133之外，其余功能层所选用的材料均相同。在此，阳极的材料选自ITO材料，空穴注入层136的材料选自CuPc，空穴传输层134的材料选自N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(N,N’-Bis-(1-naphthalenyl)-N,N’-bis-phenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine)，电子阻挡层138的材料选自N-(9,9'-螺环[芴]-2-基)-N-(9,9-二苯基-9H-芴-3-基)二苯并[b，d]呋喃-3-胺，空穴阻挡层139的材料选自2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉，电子传输层135的材料选自LiQ3，电子注入层137的材料选自LiF，阴极的材料选自镁银合金。另外，在以下的对比例和实验例中，发光层133中的主体材料中GH中的p型材料和n型材料的质量比均为5:5，并形成激基复合物，客体材料GD在发光层133中的质量占比均为10％。发光层133的厚度均为35nm。
对比例
在对比例中，发光层133中的主体材料GH中的p型材料10选自p_1所示结构，n型材料20选自n_1所示结构。客体材料GD选自如下GD所示结构。
实验例
在实验例中，发光层133中的主体材料GH中的p型材料10选自p_2所示结构，n型材料20选自n_2所示结构。客体材料GD与对比例的客体材料GD相同。
如下表1所示，为对比例和实验例中p型材料10和n型材料20的能级和迁移率的数据。
表1
名称 HOMO LUMO S1 T1 迁移率
p_1 -5.41 -2.14 3.06 2.92 空穴迁移率μh＝5.4×10-6
n_1 -5.86 -2.52 2.82 2.68 电子迁移率μe＝7.5×10-7
p_2 -5.39 -2.08 3.02 2.89 空穴迁移率μh＝6.4×10-6
n_2 -5.50 -2.48 2.43 2.28 电子迁移率μe＝5.8×10-7
如图5所示，为对比例中p型材料10和n型材料20的发射光谱，以及由p型材料10和n型材料20形成的激基复合物30的发射光谱的归一化曲线图，如图4所示，为实验例中p型材料10和n型材料20的发射光谱，以及由p型材料10和n型材料20形成的激基复合物30的发射光谱的归一化曲线图。
结合表1、图4和图5，可以得知，通过在n型材料20中引入大的共轭的供电子基团，使n型材料20的HOMO能级变浅，可以增大p型材料10和n型材料20的HOMO轨道的重叠程度，与相关技术中激基复合物30的发射光谱发生较大红移相比，激基复合物30的发射光谱与n型材料20的发射光谱几乎完全重叠，具有不同于以往的激基复合物30相对于n型材料20具有明显红移的发光特性。
对对比例和实验例所获得的发光器件13的驱动电压、电流效率、色坐标和寿命进行测试，得到如下表2所示结果。
表2
名称 驱动电压/V Cd/A CIEx CIEy LT95(h)
对比例 112％ 86％ 0.25 0.72 82％
实验例 100％ 100％ 0.25 0.72 100％
在表2中，驱动电压为通过通入相同的电流密度测得。Cd表示电流效率，单位为安培A，也为通过通入相同的电流密度测得。CIE是一种色度图，CIEx是色度图中色坐标的x值，CIEx是色度图中色坐标的y值。LT95(h)表示器件寿命，是指在电流密度相同的情况下，亮度衰减到初始亮度的95％对应的时间。
结合表1和表2，可以得知，通过在n型材料20中引入大的共轭的供电子基团，使n型材料20的HOMO能级变浅，可以增大p型材料10和n型材料20的HOMO轨道的重叠程度，使主体材料GH具有较高的荧光量子效率，可以使能量更高效地从主体材料GH向客体材料GD传递，从而能够降低驱动电压，提高发光效率和寿命。同时，通过色坐标对比发现，本公开的实施例不会对客体材料GD的发光时色纯度造成影响。
综上所述，通过在n型材料20中引入大的共轭的供电子基团，使n型材料20的HOMO能级变浅，增大p型材料10和n型材料20的HOMO轨道的重叠程度，不同于以往形成激基复合物30的p型材料10和n型材料20的HOMO能级差别较大，可以提高主体材料GH的激子利用率，使主体材料GH具有较高的荧光量子效率，在将其应用于发光器件时，可以大幅提高器件的发光效率，具有预料不到的技术效果。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：
层叠的第一电极和第二电极；以及
设置于第一电极和第二电极之间的发光层；
所述发光层的材料包括主体材料和客体材料；
其中，所述主体材料包括：p型材料和n型材料，所述p型材料和所述n型材料之间形成激基复合物；且所述p型材料和所述n型材料之间满足：
|HOMOp型-HOMOn型|≤0.2eV；
HOMOp型表示所述p型材料的HOMO能级，HOMOn型表示所述n型材料的HOMO能级；
所述p型材料和所述n型材料之间满足：
|LUMOn型|-|LUMOp型|≥0.2eV；
其中，LUMOp型表示所述p型材料的LUMO能级，LUMOn型表示所述n型材料的LUMO能级；
所述激基复合物的归一化荧光发射光谱与所述n型材料的归一化荧光发射光谱之间具有交叠区域，所述交叠区域的积分面积大于或等于所述n型材料的归一化荧光发射光谱的积分面积的90%。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述n型材料的HOMO能级低于所述p型材料的HOMO能级。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述p型材料的质量和所述n型材料的质量之比大于或等于2:8小于或等于8:2。
4.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述p型材料的HOMO能级大于或等于-5.8eV小于或等于-5.3eV；
所述n型材料的HOMO能级大于或等于-6.0eV小于或等于-5.5eV。
5.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述p型材料的LUMO能级大于或等于-2.5eV小于或等于-2.0eV；
所述n型材料的LUMO能级大于或等于-2.8eV小于或等于-2.3eV。
6.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述激基复合物的归一化荧光发射光谱的峰值所对应的波长与所述n型材料的归一化荧光发射光谱的峰值所对应的波长之间的差值的绝对值小于或等于5nm。
7.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述n型材料的归一化荧光发射光谱所对应的波长范围为480nm~520nm。
8.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述激基复合物的归一化荧光发射光谱所对应的波长范围为480nm~520nm。
9.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述p型材料的归一化荧光发射光谱所对应的波长范围为400nm~460nm。
10.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述p型材料的空穴迁移率与所述n型材料的电子迁移率之比大于或等于1:100，小于或等于100:1。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，
所述p型材料的空穴迁移率大于或等于1×10-8cm2/v·s小于或等于1×10-4cm2/v·s；
所述n型材料的电子迁移率大于或等于1×10-8cm2/v·s小于或等于1×10-4cm2/v·s。
12.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述p型材料选自如下通式（a）和通式（b）所示化合物中的任一种；
（a）
（b）
其中，R1、R2、R3和R4相同或不同，分别独立地选自氘、取代或未取代的C1~C10的烷基、取代或未取代的C6~C30的芳基，以及取代或未取代的C2~C30的杂芳基中的任一种；
L1选自单键、取代或未取代的C6~C30的亚芳基，以及取代或未取代的C2~C30的亚杂芳基中的任一种；
Ar1和Ar2分别独立地选自取代或未取代的C6~C30的芳基，以及取代或未取代的C2~C30的杂芳基中的任一种；
m、n、i、j分别独立地为0、1或2。
13.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，
所述n型材料选自如下通式（i）、通式（ii）和通式（iii）所示化合物中的任一种；
（i）
（ii）
（iii）
其中，X选自C(R)或N，X1和X2相同或不同，分别独立地选自NR、O、S和Se中的任一种；
R5、R6和R相同或不同，分别独立地选自氢、氘、取代或未取代的C1~C10的烷基、取代或未取代的C6~C30的芳基，以及取代或未取代的C2~C30的杂芳基中的任一种；
L3选自单键、取代或未取代的C6~C30的亚芳基，以及取代或未取代的C2~C30的亚杂芳基中的任一种。
14.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，还包括：设置于所述第一电极和所述发光层之间的电子阻挡层；
所述p型材料和所述电子阻挡层的材料之间满足：
|HOMOp型|-|HOMOG’|≤0.3eV；
其中，HOMOG’表示所述电子阻挡层的材料的HOMO能级。
15.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，还包括：设置于所述第二电极和所述发光层之间的空穴阻挡层；
所述n型材料和所述空穴阻挡层的材料之间满足：
|LUMOHB|-|LUMOn型|≤0.3eV；
其中，LUMOHB表示所述空穴阻挡层的材料的LUMO能级，LUMOn型表示n型材料的LUMO能级。
16.一种发光基板，其特征在于，包括：
衬底；以及
设置于所述衬底上的多个发光器件；
其中，至少一个发光器件为如权利要求1~15任一项所述的发光器件。
17.一种发光装置，其特征在于，包括：如权利要求16所述的发光基板。
CN202110212633.9A 2021-02-25 2021-02-25 发光器件、发光基板和发光装置 Active CN114975802B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110212633.9A CN114975802B (zh) 2021-02-25 2021-02-25 发光器件、发光基板和发光装置
PCT/CN2021/132170 WO2022179210A1 (zh) 2021-02-25 2021-11-22 发光器件、发光基板和发光装置
US17/927,463 US20230200230A1 (en) 2021-02-25 2021-11-22 Light-emitting device, light-emitting substrate and light-emitting apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110212633.9A CN114975802B (zh) 2021-02-25 2021-02-25 发光器件、发光基板和发光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114975802A CN114975802A (zh) 2022-08-30
CN114975802B true CN114975802B (zh) 2023-12-26

Family

ID=82973729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110212633.9A Active CN114975802B (zh) 2021-02-25 2021-02-25 发光器件、发光基板和发光装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230200230A1 (zh)
CN (1) CN114975802B (zh)
WO (1) WO2022179210A1 (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102655222A (zh) * 2011-02-28 2012-09-05 株式会社半导体能源研究所 发光元件
CN107710441A (zh) * 2015-06-17 2018-02-16 株式会社半导体能源研究所 铱配合物、发光元件、显示装置、电子设备以及照明装置
CN108232025A (zh) * 2018-01-31 2018-06-29 昆山国显光电有限公司 一种有机电致发光器件
CN110492009A (zh) * 2018-05-14 2019-11-22 江苏三月光电科技有限公司 一种基于激基复合物体系搭配含硼有机化合物的电致发光器件

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10240085B2 (en) * 2015-08-27 2019-03-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film and organic light-emitting device including the same
CN106920884B (zh) * 2015-12-25 2019-08-16 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有机电致发光器件
CN111916574B (zh) * 2020-08-21 2023-12-01 京东方科技集团股份有限公司 蓝光电致发光器件、显示面板及显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102655222A (zh) * 2011-02-28 2012-09-05 株式会社半导体能源研究所 发光元件
CN107710441A (zh) * 2015-06-17 2018-02-16 株式会社半导体能源研究所 铱配合物、发光元件、显示装置、电子设备以及照明装置
CN108232025A (zh) * 2018-01-31 2018-06-29 昆山国显光电有限公司 一种有机电致发光器件
CN110492009A (zh) * 2018-05-14 2019-11-22 江苏三月光电科技有限公司 一种基于激基复合物体系搭配含硼有机化合物的电致发光器件

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022179210A1 (zh) 2022-09-01
US20230200230A1 (en) 2023-06-22
CN114975802A (zh) 2022-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102108524B1 (ko) 유기전계발광소자
JP5698135B2 (ja) 白色燐光有機発光装置
JP7381286B2 (ja) 深いｈｏｍｏ（最高被占分子軌道）発光体デバイス構造
JP2016181725A (ja) 長寿命リン光発光有機発光デバイス（ｏｌｅｄ）構造
KR20080086825A (ko) 발광장치 및 전자기기
EP1400152A1 (en) Organic light-emitting element and display device
US11700756B2 (en) Energy efficient OLED TV
WO2022156313A1 (zh) 蓝色发光层形成用材料、发光器件、发光基板和发光装置
KR101777124B1 (ko) 백색 유기 발광 소자
US20190348628A1 (en) Integrated photobiomodulation device
CN113725377B (zh) 发光器件、发光基板及发光装置
WO2022188457A1 (zh) 发光器件、发光基板和发光装置
CN114975802B (zh) 发光器件、发光基板和发光装置
KR101101940B1 (ko) 이중 도핑을 이용한 고효율 진적색 인광 유기발광소자 및 그 제조 방법
KR20230048316A (ko) 개선된 발광 디바이스
US10411214B2 (en) Light emitting device, display device, and electronic device
CN118265417A (zh) 有机金属化合物和包括该有机金属化合物的有机发光二极管
CN118265428A (zh) 有机金属化合物和包括该有机金属化合物的有机发光二极管
CN118265427A (zh) 有机金属化合物和包括该有机金属化合物的有机发光二极管
CN118265418A (zh) 有机金属化合物和包括该有机金属化合物的有机发光二极管
CN118265419A (zh) 有机金属化合物和包括该有机金属化合物的有机发光二极管
CN118265416A (zh) 包括有机金属化合物和多种基质材料的有机发光装置
CN118102756A (zh) 包括有机金属化合物和多个基质材料的有机发光装置
CN118265414A (zh) 包括有机金属化合物和多个基质材料的有机发光二极管
CN118102755A (zh) 包括有机金属化合物和多个基质材料的有机发光二极管

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant