CN114975712A - 一种微型led芯片质量检测结构及其检测方法 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 102
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 45
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 64
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 24
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 11
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- RZTLVZPNLOCEIO-UHFFFAOYSA-N C1=CCC1.C1(=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1=CCC1.C1(=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 RZTLVZPNLOCEIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZDQXPACWMCLKT-UHFFFAOYSA-N [Ni].[Sn].[Au] Chemical compound [Ni].[Sn].[Au] JZDQXPACWMCLKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
- G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2894—Aspects of quality control [QC]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
- H01L22/32—Additional lead-in metallisation on a device or substrate, e.g. additional pads or pad portions, lines in the scribe line, sacrificed conductors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种微型LED芯片质量检测结构及其检测方法，微型LED芯片质量检测结构的P型氮化镓层(5)表面具有内凹形成的并深入至N型氮化镓层(2)的第一凹槽(6)和第二凹槽(7)，第一凹槽(6)***为第一凸起(8)，第一凹槽(6)内圈为多个第二凸起(9)，第一凸起(8)上的N电极层(13)与第二凸起(9)上的P电极层(14)具有相同的水平高度；N电极层(13)是连接到一起的，P电极层(14)上具有检测层(17)。本发明先制备共N极微型LED芯片，然后在P极表面设置检测层(17)，检测时只需要将探测针与N极和检测层(17)接触，以此点亮所有合格的LED芯片。检测完后再利用洗铝液酸洗方法将检测层(17)去除，解决了LED检测的困难。
Description
技术领域
本发明专利属于微型LED技术领域，具体涉及一种微型LED芯片质量检测结构及其检测方法。
背景技术
Micro LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于micro LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点,在显示方面与LCD、OLED相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势.
Micro LED应用将从平板显示扩展到AR/VR/MR、空间显示、柔性透明显示、可穿戴/可植入光电器件、光通信/光互联、医疗探测、智能车灯等诸多领域。预计到2025年，基于Micro-LED技术的产品如高端电视机、手机、手表等将逐步上市，市场产值将超过28亿美元。到2035年，我国将实现基于Micro-LED的超大规模集成发光单元的显示模块，并实现Micro-LED在照明、空间三维显示、空间定位及信息通信高度集成***.
Micro LED未来将具有极大地应用前景，但是目前Micro LED制造成本问题，严重影响了其商用化的进程，原因主要就是巨量转移技术瓶颈仍然有待突破，传统的巨量转移是单颗转移单颗共晶焊接，单颗转移严重限制了Micro LED量产化进程，由于MicroLED分辨率更高，很小的一块Micro LED显示屏中就含有大量的LED晶片，比如一块0.39寸左右的Micro LED显示屏，其中含有的LED晶片大概有240万颗，如果选用单颗转移的方法，特别耗时和耗费劳动力，难以实施，而单颗共晶焊接又会大大降低产品合格率，原因在于，单颗共晶焊接是将一颗LED晶片转移过来后，通过加热控制基板，将其与控制基板焊接在一起，而下一颗LED晶片转移过来后，又会整体加热控制基板，将第二颗LED晶片与控制基板焊接在一起，而整体加热控制基板时又会导致第一颗LED晶片的焊接点熔化。发生二次多次熔化的问题，对LED晶片造成损坏，严重影响产品合格率。
更具体的说，现有技术中由于电路板侧加热共晶的方式是一粒一粒LED放置在控制基板上，每放一次就会重复加热一次，重复加热会损坏已经共晶的LED晶粒且难以实现LED巨量转移。本发明采用激光共晶焊接，共晶激光焊接是将整片LED阵列一次对位焊接在控制基板上，然后再揭掉蓝宝石衬底的一种共晶方法。本发明将具有多个LED晶片的微型LED芯片和控制基板对位并贴装在一起；利用激光共晶焊接***工作对焊接点加热并完成焊接。可以有效避免单颗Micro LED单颗转移共晶焊接点二次融化，对Micro LED造成损害。
然而由于微型LED芯片中P极(正极)位于所述LED发光层顶部，其的初始位置相对于N极(负极)多出了LED发光层的厚度，所以两者并不在一个平面上，这导致在共晶时，微型LED芯片中P极(正极)和控制基板的正极刚好接触，而微型LED芯片中N极(负极)由于少LED发光层的厚度，其和控制基板的负极无法接触，因为这个问题无法达到共晶效果。为了解决这个问题，如果要保证微型LED芯片的N极和P极是同一个高度的平面时，N极的厚度就要比P极多出一个LED发光层，这样就会导致，在激光共晶焊接的时候，P极已经熔化，而N极厚度太厚，还未熔化，为了保证N极熔化，又会导致加热时间太长，可能会对LED晶片造成损坏，所以说达不到两者既能与控制基板的正负极同时接触，且保证两者的厚度是一样的，可以同时熔化完成共晶。
除此之外，之前微型LED芯片的发光点之间具有间隙，在共晶时由于激光的加热，加压LED发光点两边是间隙导致其没有支撑，会造成LED的变形甚至垮塌，且不同LED发光点在发光时为不同的三原色中的一种，而两个LED发光点之间的间隙会互相影响造成混光，影响显示效果。
更为关键的一个问题是：由于很小的一块Micro LED显示屏中就含有大量的LED晶片，比如一块0.39寸左右的Micro LED显示屏，其中含有的LED晶片大概有240万颗，这造成对LED质量的检测也很困难，LED芯片的每个正极下面都具有独立的发光点，在LED分检时如果探测针单颗对应每个正极，电量LED发光点进行检测不切实际，因为LED发光点数量太大，另外之前是硬检测平台的方法检测，因为平整度及误差问题会导致有的LED正极不能与检测平台接触，所以不能准确实现对每个发光点的检测，另外即便是部分发光点不亮，也不确定是发光点的问题还是由于不平坦，该发光点正极没有与探测针接触的问题。
为了解决以上问题，提出本发明。
发明内容
本发明是为解决Micro LED共晶时正负极不在一个平面上的问题，由于我们的LED结构采用的是共负极结构，LED负极膜层与LED正极膜层不在同一平面，这就导致负极和正极金属共晶点不在同一平面的问题，在共晶时会因为这个问题无法达到共晶效果。另外LED与LED之间的空隙，没有填充，形成的空隙在共晶时由于激光的加热，加压LED两边没有支撑，会造成LED的变形甚至垮塌，且LED再发光时会互相影响造成混光，影响显示效果。因此本发明将LED负极引接到与正极同一平面的位置，并在LED发光点与LED发光点之间的间隙内填充抗红外线的材料，该材料可以在LED间形成一道挡墙，防止LED在共晶时因加热而变形甚至倒塌，也防止两侧LED发光点的光共混。
为了解决了LED检测的困难，本申请想到将多个N电极层13连接到一起，同时，将多个P电极层14连接到一起，在检测时只需要在LED正负电极上依据模块大小设置不同数量的检测探针，然后给LED正负极通电，以此点亮所有合格的LED芯片。检测完成后在通过刻蚀工艺将每个LED正极分开即可，但是实施过程中发现，将已经连接到一起的多个P电极层14分开非常困难，而且由于相邻P电极之间的间隙也是非常小的，在断开两者之间间隙的时候，往往会导致间隙两侧的P电极收到影响，这样就导致，虽然检测结束后已经判断出各LED发光点的质量情况，但是连接到一起的多个P电极层14分开过程中又导致P电极受损，再次出现该LED发光点不亮的情况，也就是说，出现了质检时合格，但是实际使用的LED芯片上存在LED发光点不亮的情况。
为了进一步解决LED检测的困难，本发明先制备微型LED芯片，然后在P电极层14表面设置检测层17，在检测时只需要在LED检测层17上依据模块大小设置不同数量的检测探针，然后给检测层17通电，以此点亮所有合格的LED芯片。检测完成后在通过洗铝液酸洗的方法将检测层17去除，解决了LED检测的困难。进一步的本发明检测层17形成的方法是用PVD设备镀制，去除的方法是洗铝液酸洗去除铝金属层，也就是说检测层17的形成和去除都非常简单，且不会对下层的N电极层13和P电极层14造成破坏，保证检测时质检结果合格，实际使用的LED芯片就是合格的。
本发明第一方面提供一种微型LED芯片质量检测结构，其为共负极共正极结构，其包括衬底1，以及从所述衬底1一侧依次向外延伸的U型氮化镓层2、N型氮化镓层3、发光层4和P型氮化镓层5；
所述P型氮化镓层5表面具有内凹形成的并深入至N型氮化镓层2的第一凹槽6和第二凹槽7，
所述第一凹槽6***为第一凸起8，所述第一凹槽6内圈为多个第二凸起9，多个所述第二凸起9通过第二凹槽7间隔；
所述P型氮化镓层5上具有绝缘层10，所述绝缘层10在所述第一凹槽6处具有第一开口11，所述绝缘层10在所述第二凸起9处具有第二开口12；
所述第一开口11处具有N电极层13，其与所述N型氮化镓层2接触，并从第一开口11处延伸至所述第一凸起8上；所述第二开口12处具有P电极层14，其与所述P型氮化镓层2接触；
所述第一凸起8上的N电极层13与所述第二凸起9上的P电极层14具有相同的水平高度；
所述N电极层13是连接到一起的，所述P电极层14上具有检测层17。
本发明第一凸起8上的N电极层13与所述第二凸起9上的P电极层14具有相同的水平高度。负极引出到与正极同一平面结构，由于Micro LED正极与负极不在同一镀层，在共晶无法将正负极同时焊接在一起。为了解决这一问题之前采用的方式是把位置较低的负极镀两层金属导电材料，使正负极理论上在同一平面上，这样做的缺点是镀层较厚不均匀，易产生漏焊及焊接接触点集中电流过大过热的现象，且在共晶时由于焊料过多加热后金属才料溢流的问题。所以我们改进了LED结构，在加工过程程中将Micro LED负极处的其他膜层保留，然后再镀一层金属才料作为引线将负极从与LED间的沟槽里引出到保留的负极磨层上。从底部引到与正极同一平面。这样做就可以最大限度保证正负极在同一平面上。共晶质量也会有质的提升。
优选地，所述P型氮化镓层5上还具有平坦导电层15；
所述平坦导电层15表面具有内凹形成的并深入至N型氮化镓层2的第一凹槽6和第二凹槽7，
所述第一凹槽6***为第一凸起8，所述第一凹槽6内圈为多个第二凸起9，多个所述第二凸起9通过第二凹槽7间隔；
所述平坦导电层15上具有绝缘层10，所述绝缘层10在所述第一凹槽6处具有第一开口11，所述绝缘层10在所述第二凸起9处具有第二开口12；
所述第一开口11处具有N电极层13，其与所述N型氮化镓层2接触，并从第一开口11处延伸至所述第一凸起8上；所述第二开口12处具有P电极层14，其与所述平坦导电层15接触；
所述第一凸起8上的N电极层13与所述第二凸起9上的P电极层14具有相同的水平高度。
本发明中远离所述衬底1一侧为方向上的“上”。
优选地，所述平坦导电层15的材料为ITO材料。所述平坦导电层15的作用在于，由于P型氮化镓层5表面不均匀，不平整，使得发光层4发光效果不好，而平坦导电层15起到的作用就是将P型氮化镓层5变平整，且具有导电的功能，以将P电极层14连通至所述P型氮化镓层2。
优选地，所述检测层17为导电金属层，选自金属铝材料。
优选地，所述第一凹槽7为一个，所述第二凹槽8为多个；形成的所述第一凸起8为一个，所述第二凸起9为多个。
优选地，所述第二凹槽8内还含有隔光体16。
优选地，所述隔光体16的材料为不吸收红外光的材料，选自但是不限于光刻胶，该材料是本领域常用的一种材料，是一种来源于双苯环丁烯的高分子聚合物。
所述隔光体16的作用有三点：1、聚光的作用，防止发光层4产生的光散失到第二凹槽7中；2、根据需要发光层4产生的光为红绿蓝三原色，而隔光体16可以避免两侧的不同颜色的光产生共混的问题；3、由于所述隔光体16的材料为不吸收红外光的材料，而所述微型LED芯片与控制基板共晶的时候采用的也正是红外激光共晶焊接，此处可以参考本申请人已申请的申请号为：2021106926206，名称为：一种微型LED芯片与控制基板激光共晶焊接装置及方法，的专利申请。所述隔光体16的材料为不吸收红外光的材料，所以在红外激光共晶焊接过程中，其不会受热熔化，从未保证微型LED芯片结构稳定。
优选地，所述衬底1选自蓝宝石材料，这个材料也是本领域常规使用的价格较低的衬底材料；N电极层13和P电极层14的材料为Ti(钛)Ni(镍)金锡AuSn；第一开口11和第二开口12的尺寸也很关键，要根据所镀面积以及LED耗电量所传输电流的大小确定，另外第二开口即P电极开口相对要小，因为开口太大会导致所所镀金属层平正面较小影响后续的共晶。
本发明第二方面提供一种本发明第一方面所述的微型LED芯片质量检测方法，先制备微型LED芯片，然后在其表面设置检测层17，具体包括以下步骤：
1.取所述衬底1，并在其表面依次外延U型氮化镓层2、N型氮化镓层3、发光层4和P型氮化镓层5；
2.在所述P型氮化镓层5表面具有内凹形成的并深入至N型氮化镓层2的第一凹槽6和第二凹槽7；
3.在所述P型氮化镓层5上形成绝缘层10；
4.在所述绝缘层10位于第一凹槽6处开设第一开口11，在所述第二凸起9处开设第二开口12；
5.形成N电极层13和P电极层14；
6.利用PVD设备通过在P电极上镀一层铝金属膜以使P电极层14表面形成将P电极层14连接到一起的检测层17，直接将检测装置的探测针与相连的N电极层13和检测层17接触，实现检测。
优选地，利用洗铝液酸洗的方法去除质量检测后的微型LED芯片质量检测结构表面的检测层17，将其作为微型LED芯片和控制基板共晶；所述控制基板包括控制基板主体以及位于所述控制基板主体上的一个控制基板负电极和多个控制基板正电极；将N电极层13和控制基板负电极对位，将P电极层14和控制基板正电极对位，然后将微型LED芯片与控制基板利用激光共晶焊接到一起。
控制基板的结构可以参考本申请人已申请的申请号为2021109313035，名称为一种微型LED芯片与控制基板共晶结构及其制备方法，的专利。同样的，该专利中对控制基板的表述同样适用于本发明。共晶焊接的装置可以参考本申请人已申请的申请号为：2021106926206，名称为：一种微型LED芯片与控制基板激光共晶焊接装置及方法，的专利申请。同样的，该专利中对共晶焊接装置的表述同样适用于本发明。
综上本发明的关键点在于：
关键点1：LED发光点之间填充BM胶，可以反射LED发出的光达到聚光防止散光的目的。这样可以杜绝LED发光点之间在发光时互相影响，降低屏幕的显示画面质量。BM胶为透明材质或不能吸收红外光的光刻材料。一面在激光共晶时吸收激光红外线，填充材料发热融化变形，激光波长为980nm的近红外光。
关键点2：将负极引出到与正极同一平面结构，由于Micro LED正极与负极不在同一镀层，在共晶无法将正负极同时焊接在一起。为了解决这一问题之前采用的方式是把位置较低的负极镀两层金属导电材料，使正负极理论上在同一平面上，这样做的缺点是镀层较厚不均匀，易产生漏焊及焊接接触点集中电流过大过热的现象，且在共晶时由于焊料过多加热后金属才料溢流的问题。所以本发明改进了LED结构，在加工过程程中将Micro LED负极处的其他膜层保留，然后再镀一层金属材料作为引线将负极从与LED发光点间的沟槽里引出到保留的负极膜层上。从底部引到与正极同一平面，这样做就可以最大限度保证正负极在同一平面上，共晶质量也会有质的提升。
关键点3.由于在LED分检时单颗LED点亮不切实际，因为数量太大，之前是硬检测平台的方法检测，因为平整度及误差问题会导致有的LED不能与检测平台接触，所以本发明先制备微型LED芯片，然后在P电极层(14)表面设置检测层17，在检测时只需要在LED检测层17上依据模块大小设置不同数量的检测探针，然后给相连的N电极层13和检测层17通电，以此点亮所有合格的LED芯片。检测完成后再通过洗铝液酸洗的方法将检测层17去除，解决了LED检测的困难。进一步的本发明检测层17形成的方法是PVD设备镀制，去除的方法是利用洗铝液酸洗的方法，也就是说检测层17的形成和去除都非常简单，且不会对下层的N电极层13和P电极层14造成破坏，保证检测时质检结果合格，实际使用的LED芯片就是合格的。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
1、本发明第一凸起8上的N电极层13与所述第二凸起9上的P电极层14具有相同的水平高度。负极引出到与正极同一平面结构，由于Micro LED正极与负极不在同一镀层，在共晶无法将正负极同时焊接在一起。为了解决这一问题之前采用的方式是把位置较低的负极镀两层金属导电材料，使正负极理论上在同一平面上，这样做的缺点是镀层较厚不均匀，易产生漏焊及焊接接触点集中电流过大过热的现象，且在共晶时由于焊料过多加热后金属才料溢流的问题。本发明改进了LED结构，在加工过程程中将Micro LED负极处的其他膜层保留，然后再镀一层金属才料作为引线将负极从与LED发光点间的沟槽里引出到保留的负极磨层上。从底部引到与正极同一平面，这样做就可以最大限度保证正负极在同一平面上，共晶质量也会有质的提升。
2、本发明先制备微型LED芯片，然后在其表面设置检测层17，在检测时只需要在LED检测层17上依据模块大小设置不同数量的检测探针，然后给相连的N电极层13和检测层17通电，以此点亮所有合格的LED芯片。检测完成后再通过洗铝液酸洗的方法将检测层17去除，解决了LED检测的困难。进一步的本发明检测层17形成的方法是PVD设备镀制，去除的方法是利用洗铝液酸洗的方法，也就是说检测层17的形成和去除都非常简单，且不会对下层的N电极层13和P电极层14造成破坏，保证检测时质检结果合格，实际使用的LED芯片就是合格的。
3、在本发明优选地实施方案中，所述P型氮化镓层5上还具有平坦导电层15，所述平坦导电层15的作用在于，由于P型氮化镓层5表面不均匀，不平整，使得发光层4发光效果不好，而平坦导电层15起到的作用就是将P型氮化镓层5变平整，且具有导电的功能，以将P电极层14连通至所述P型氮化镓层2。
4、在本发明优选地实施方案中，所述第二凹槽8内还含有隔光体16。所述隔光体16的材料为不吸收红外光的材料，选自光刻胶。所述隔光体16的作用有三点：1、聚光的作用，防止发光层4产生的光散失到第二凹槽7中；2、根据需要发光层4产生的光为红绿蓝三原色，而隔光体16可以避免两侧的不同颜色的光产生共混的问题；3、由于所述隔光体16的材料为不吸收红外光的材料，而所述微型LED芯片与控制基板共晶的时候采用的也正是红外激光共晶焊接，所述隔光体16的材料为不吸收红外光的材料，所以在红外激光共晶焊接过程中，其不会受热熔化，从未保证微型LED芯片结构稳定。
附图说明
图1为微型LED芯片质量检测结构的结构示意图。
图2为微型LED芯片的结构示意图。
附图标记的名称为：1-衬底、2-U型氮化镓层、3-N型氮化镓层、4-发光层、5-P型氮化镓层、6-第一凹槽、7-第二凹槽、8-第一凸起、9-第二凸起、10-绝缘层、11-第一开口、12-第二开口、13-N电极层、14-P电极层、15-平坦导电层、16-隔光体、17-检测层。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的详细描述。
本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本发明，而不应视为限定本发明的范围。实施例中未注明具体技术或条件者，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用材料或设备未注明生产厂商者，均为可以通过购买获得的常规产品。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本发明的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”到另一元件时，它可以直接连接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”可以包括无线连接。
在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。术语“内”、“上”、“下”等指示的方位或状态关系为基于附图所示的方位或状态关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”、“设有”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语包括技术术语和科学术语具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样定义，不会用理想化或过于正式的含义来解释。
所述的电极光阻是感光胶，是涂覆上去的。去掉电极光阻的方法是用药液浸泡并用清水清洗下来。
实施例1
参考图1。本实施例的微型LED芯片质量检测结构，其为共负极，但正极是分开的结构，其包括衬底1，以及从所述衬底1一侧依次向外延伸的U型氮化镓层2、N型氮化镓层3、发光层4和P型氮化镓层5；所述P型氮化镓层5表面具有内凹形成的并深入至N型氮化镓层2的第一凹槽6和第二凹槽7，所述第一凹槽6***为第一凸起8，所述第一凹槽6内圈为多个第二凸起9，多个所述第二凸起9通过第二凹槽7间隔；所述P型氮化镓层5上具有绝缘层10，所述绝缘层10在所述第一凹槽6处具有第一开口11，所述绝缘层10在所述第二凸起9处具有第二开口12；所述第一开口11处具有N电极层13，其与所述N型氮化镓层2接触，并从第一开口11处延伸至所述第一凸起8上；所述第二开口12处具有P电极层14，其与所述P型氮化镓层2接触；所述第一凸起8上的N电极层13与所述第二凸起9上的P电极层14具有相同的水平高度；第一凸起8上的N电极层13是连接到一起的，所述P电极层14上具有检测层17。
所述P型氮化镓层5上还具有平坦导电层15；所述平坦导电层15表面具有内凹形成的并深入至N型氮化镓层2的第一凹槽6和第二凹槽7，所述第一凹槽6***为第一凸起8，所述第一凹槽6内圈为多个第二凸起9，多个所述第二凸起9通过第二凹槽7间隔；所述平坦导电层15上具有绝缘层10，所述绝缘层10在所述第一凹槽6处具有第一开口11，所述绝缘层10在所述第二凸起9处具有第二开口12；所述第一开口11处具有N电极层13，其与所述N型氮化镓层2接触，并从第一开口11处延伸至所述第一凸起8上；所述第二开口12处具有P电极层14，其与所述平坦导电层15接触；所述第一凸起8上的N电极层13与所述第二凸起9上的P电极层14具有相同的水平高度。
本实施例中远离所述衬底1一侧为方向上的“上”。
所述平坦导电层15的材料为ITO材料。所述第一凹槽7为一个，所述第二凹槽8为多个；形成的所述第一凸起8为一个，所述第二凸起9为多个。
所述第二凹槽8内还含有隔光体16。所述隔光体16的材料为不吸收红外光的材料，选自光刻胶。所述衬底1选自蓝宝石材料；N电极层13和P电极层14的材料为Ti(钛)Ni(镍)金锡AuSn。
以上微型LED芯片具体的制备方法：
1.取已经外延有U型氮化镓层2、N型氮化镓层3、发光层4和P型氮化镓层5的物料，进行清洗；
2.在所述P型氮化镓层5上镀平坦导电层15ITO层；
3.在ITO层上上光阻；
4.利用曝光显影的方法曝光光阻；
5.在曝光形成的缺口处刻蚀ITO层；
6.去除光阻；
7.继续上光阻；
8.利用曝光显影的方法曝光光阻；
9.刻蚀LED，形成第一凹槽6和第二凹槽7；
10.去除光阻；
11.镀绝缘层10，SiO2层；
12.定义上的开口位置，继续上光阻；
13.利用曝光显影的方法曝光光；
14.刻蚀SiO2层；
15.去除光阻；
16.在所有凹槽中装填光刻胶，形成隔光体16；
17.去除第一凹槽6中的光刻胶，仅保留第二凹槽7内的光刻胶；
18.继续上光阻；
19.利用曝光显影的方法曝光光阻，在第一凹槽6处开设第一开口11，在所述第二凸起9处开设第二开口12；
20.在开口处镀电极层，形成N电极层13和P电极层14；
21.利用PVD设备在P电极层14表面形成置检测层17；
22.去除光阻得到微型LED芯片质量检测结构，图1。
23.利用洗铝液酸洗的方法去除质量检测后的微型LED芯片质量检测结构表面的检测层17，得到微型LED芯片，图2。
将本实施例的微型LED芯片与控制基板共晶。
所述控制基板包括控制基板主体以及位于所述控制基板主体上的一个控制基板负电极和多个控制基板正电极；
将N电极层13和控制基板负电极对位，将P电极层14和控制基板正电极对位，然后将微型LED芯片与控制基板利用激光共晶焊接到一起。
Claims (10)
1.一种微型LED芯片质量检测结构，其特征在于，其为共负极共正极结构，其包括衬底(1)，以及从所述衬底(1)一侧依次向外延伸的U型氮化镓层(2)、N型氮化镓层(3)、发光层(4)和P型氮化镓层(5)；
所述P型氮化镓层(5)表面具有内凹形成的并深入至N型氮化镓层(2)的第一凹槽(6)和第二凹槽(7)，
所述第一凹槽(6)***为第一凸起(8)，所述第一凹槽(6)内圈为多个第二凸起(9)，多个所述第二凸起(9)通过第二凹槽(7)间隔；
所述P型氮化镓层(5)上具有绝缘层(10)，所述绝缘层(10)在所述第一凹槽(6)处具有第一开口(11)，所述绝缘层(10)在所述第二凸起(9)处具有第二开口(12)；
所述第一开口(11)处具有N电极层(13)，其与所述N型氮化镓层(2)接触，并从第一开口(11)处延伸至所述第一凸起(8)上；所述第二开口(12)处具有P电极层(14)，其与所述P型氮化镓层(2)接触；
所述第一凸起(8)上的N电极层(13)与所述第二凸起(9)上的P电极层(14)具有相同的水平高度；
所述N电极层(13)是连接到一起的，所述P电极层(14)上具有检测层(17)。
2.根据权利要求1所述的微型LED芯片质量检测结构，其特征在于，所述P型氮化镓层(5)上还具有平坦导电层(15)；
所述平坦导电层(15)表面具有内凹形成的并深入至N型氮化镓层(2)的第一凹槽(6)和第二凹槽(7)，
所述第一凹槽(6)***为第一凸起(8)，所述第一凹槽(6)内圈为多个第二凸起(9)，多个所述第二凸起(9)通过第二凹槽(7)间隔；
所述平坦导电层(15)上具有绝缘层(10)，所述绝缘层(10)在所述第一凹槽(6)处具有第一开口(11)，所述绝缘层(10)在所述第二凸起(9)处具有第二开口(12)；
所述第一开口(11)处具有N电极层(13)，其与所述N型氮化镓层(2)接触，并从第一开口(11)处延伸至所述第一凸起(8)上；所述第二开口(12)处具有P电极层(14)，其与所述平坦导电层(15)接触；
所述第一凸起(8)上的N电极层(13)与所述第二凸起(9)上的P电极层(14)具有相同的水平高度。
3.根据权利要求2所述的微型LED芯片质量检测结构，其特征在于，所述平坦导电层(15)的材料为ITO材料。
4.根据权利要求1所述的微型LED芯片质量检测结构，其特征在于，所述检测层(17)为导电金属层，选自金属铝材料。
5.根据权利要求1所述的微型LED芯片质量检测结构，其特征在于，所述第一凹槽(7)为一个，所述第二凹槽(8)为多个；形成的所述第一凸起(8)为一个，所述第二凸起(9)为多个。
6.根据权利要求1所述的微型LED芯片质量检测结构，其特征在于，所述第二凹槽(8)内还含有隔光体(16)。
7.根据权利要求1所述的微型LED芯片质量检测结构，其特征在于，所述隔光体(16)的材料为不吸收红外光的材料，选自光刻胶。
8.根据权利要求1所述的微型LED芯片质量检测结构，其特征在于，所述衬底(1)选自蓝宝石材料；N电极层(13)和P电极层(14)的材料为钛、镍、金锡。
9.一种权利要求1-8所述的微型LED芯片质量检测方法，其特征在于，先制备微型LED芯片，然后在其表面设置检测层(17)，具体包括以下步骤：
(1)取所述衬底(1)，并在其表面依次外延U型氮化镓层(2)、N型氮化镓层(3)、发光层(4)和P型氮化镓层(5)；
(2)在所述P型氮化镓层(5)表面具有内凹形成的并深入至N型氮化镓层(2)的第一凹槽(6)和第二凹槽(7)；
(3)在所述P型氮化镓层(5)上形成绝缘层(10)；
(4)在所述绝缘层(10)位于第一凹槽(6)处开设第一开口(11)，在所述第二凸起(9)处开设第二开口(12)；
(5)形成N电极层(13)和P电极层(14)；
(6)通过在P电极上镀一层铝金属膜以使P电极层(14)表面形成将P电极层(14)连接到一起的检测层(17)，直接将检测装置的探测针与相连的N电极层(13)和检测层(17)接触，实现检测。
10.根据权利要求9所述的微型LED芯片质量检测方法，其特征在于，利用洗铝液酸洗的方法去除质量检测后的微型LED芯片质量检测结构表面的检测层(17)，将其作为微型LED芯片和控制基板共晶；
所述控制基板包括控制基板主体以及位于所述控制基板主体上的一个控制基板负电极和多个控制基板正电极；
将N电极层(13)和控制基板负电极对位，将P电极层(14)和控制基板正电极对位，然后将微型LED芯片与控制基板利用激光共晶焊接到一起。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210402200.4A CN114975712A (zh) | 2022-04-18 | 2022-04-18 | 一种微型led芯片质量检测结构及其检测方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114975712A true CN114975712A (zh) | 2022-08-30 |
Family
ID=82978107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210402200.4A Withdrawn CN114975712A (zh) | 2022-04-18 | 2022-04-18 | 一种微型led芯片质量检测结构及其检测方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114975712A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117080106A (zh) * | 2023-09-21 | 2023-11-17 | 北京海炬电子科技有限公司 | 一种用于led芯片巨量转移的实时共位检测装置及使用方法 |
-
2022
- 2022-04-18 CN CN202210402200.4A patent/CN114975712A/zh not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|---|
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| CN117080106B (zh) * | 2023-09-21 | 2024-02-06 | 北京海炬电子科技有限公司 | 一种用于led芯片巨量转移的实时共位检测装置及使用方法 |
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