CN114975289B - 一种vdmos器件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种vdmos器件，包括壳体，所述壳体的内部设置有场效应晶体管本体，所述场效应晶体管本体的一端设置有针脚，所述针脚从所述壳体的内部穿过，所述壳体的内部设置有升降组件，所述升降组件与所述场效应晶体管本体相互卡接，所述升降组件的一侧固定连接有挡板，所述挡板分别位于所述场效应晶体管本体的两侧，所述壳体的内部设置有定位组件，所述定位组件与所述壳体固定连接。本发明通过定位块和定位槽的相互配合可以有效的对场效应晶体管本体进行固定，且在场效应晶体管本体整个安装过程中，工作人员需要将其***壳体内部即可完成，大大提高了场效应晶体管本体的安装效率，满足了人们的使用需求。

Description

一种vdmos器件
技术领域
本发明涉及vdmos领域，具体来说，涉及一种vdmos器件。
背景技术
VDMOS是垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管，场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属-氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
公开号为CN215008197U的中国实用新型专利文件，公开了一种高EAS的VDMOS器件，包括VDMOS管，所述VDMOS管的顶部套接有屏蔽层，且屏蔽层的外壁固定连接有隔温层，所述屏蔽层两侧内壁的中部固定连接有对称设置的自锁组件，且VDMOS管两侧的中部均开设有适配于自锁组件的卡槽。该实用新型在使用时，隔温层与密封条为VDMOS管共同构建密闭的隔温环境，使VDMOS管的管体温度不受散热元件影响而降温，可以维持高水平的雪崩击穿电压，屏蔽层则保护VDMOS管不受外界电场干扰，多角度提升VDMOS管的使用寿命，自锁组件无需额外的加固步骤，可以伴随隔温层和屏蔽层的下压过程自动锁合卡槽，降低器件的装配成本。
但是上述实用新型存在以下不足之处：在对VDMOS管安装的过程中操作过于复杂，还需要工作人员手动按压隔温层和屏蔽层，不便于工作人员对整个VDMOS管的快速安装，且在VDMOS管安装后仅仅通过自锁组件进行固定，对VDMOS管的固定效果较差，同时在VDMOS管安装使用时并不能对其起到良好的减震散热作用，导致VDMOS管的使用寿命下降，不能满足人们的使用需求。因此，亟需一种vdmos器件来解决上述问题。
发明内容
针对相关技术中的问题，本发明提出一种vdmos器件，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。
本发明的技术方案是这样实现的：
一种vdmos器件，包括壳体，所述壳体的内部设置有场效应晶体管本体，所述场效应晶体管本体的一端设置有针脚，所述针脚从所述壳体的内部穿过，所述壳体的内部设置有升降组件，所述升降组件与所述场效应晶体管本体相互卡接，所述升降组件的一侧固定连接有挡板，所述挡板分别位于所述场效应晶体管本体的两侧，所述壳体的内部设置有定位组件，所述定位组件与所述壳体固定连接，所述场效应晶体管本体的一侧外壁设置有减震组件，所述壳体的一侧外壁设置有散热组件，所述散热组件与所述减震组件形成固定连接。
进一步地，所述升降组件包括固定连接在所述壳体顶部内壁的固定杆，所述固定杆的下方设置有连接板，所述连接板的顶部外壁开设有滑槽，所述滑槽的数目为两组，所述滑槽的内部滑动连接有滑块，一组所述滑块的一侧外壁固定连接有第二伸缩杆，所述第二伸缩杆远离所述滑块的一端固定连接在所述滑槽的一侧内壁上，所述第二伸缩杆的圆周外壁套接有第一弹簧，所述滑块的顶部外壁固定连接有固定座，所述固定座的两侧内壁均转动连接有第一转轴，所述第一转轴的一端固定连接有第一调节杆，另一所述滑块的顶部外壁通过所述固定座连接有第二调节杆，所述第一调节杆与所述第二调节杆呈交叉设置，所述第一调节杆与所述第二调节杆的一侧均开设有转动槽，所述第一调节杆与所述第二调节杆的一侧均开设有销孔，所述销孔内部插接有销轴。
进一步地，所述连接板的一侧外壁固定连接有横杆，所述横杆的底部开设有限位槽，所述场效应晶体管本体的一端插接在所述限位槽内部。
进一步地，所述壳体的底部外壁开设有定位孔，所述定位孔的内部卡接有卡柱，所述卡柱远离所述定位孔的一端固定连接有底板，所述底板的底部外壁开设有通槽，所述针脚的一端从所述通槽的内部穿过。
进一步地，所述定位组件包括固定连接在所述壳体两侧内壁的第一伸缩杆，所述第一伸缩杆的输出端固定连接有定位块，所述第一伸缩杆的圆周外壁套接有第二弹簧，所述场效应晶体管本体的两侧外壁均开设有定位槽，所述定位块与所述定位槽相配合。
进一步地，所述定位块的一侧外壁固定连接有等距离分布的第一啮合块，所述定位槽的一侧内壁固定连接有等距离分布的第二啮合块，两组所述第二啮合块的间距与所述第一啮合块的宽度相同。
进一步地，所述定位块的一侧外壁开设有插槽，所述定位槽的一侧内壁固定连接有定位杆，所述插槽的内部设置有夹持组件。
进一步地，所述夹持组件包括开设在所述插槽两侧内壁的矩形槽，所述矩形槽的一侧内壁固定连接有第四弹簧，所述第四弹簧的一端固定连接有夹持板，所述夹持板的一侧外壁开设有弧形槽，所述定位杆包括矩形部和圆弧部，所述圆弧部位于所述定位杆的中部。
进一步地，所述减震组件包括固定连接在所述场效应晶体管本体一侧外壁的第三弹簧，所述第三弹簧远离所述场效应晶体管本体的一端与所述散热组件形成固定连接。
进一步地，所述散热组件包括开设在所述壳体一侧外壁的圆孔，所述圆孔在所述壳体的一侧呈等距离分布，所述圆孔的圆周内壁转动连接有第二转轴，所述第二转轴的一端固定连接有扰流板，所述扰流板的横截面为S型，所述扰流板与所述第三弹簧形成固定连接诶，所述扰流板的一端延伸至所述圆孔的外部。
本发明的有益效果：
本发明提供的一种vdmos器件，通过设置的升降组件和和定位组件，当工作人员需要对场效应晶体管本体进行安装时，可以首先打开位于壳体底部的底板，随后工作人员将场效应晶体管本体***壳体内部，在工作人员将场效应晶体管本体***壳体内部前通过挡板可以对定位块进行阻挡限位，此时定位块一端的第一伸缩杆和第二弹簧处于压缩状态，随后工作人员再将场效应晶体管本体***壳体内部的过程中会对横杆施加向壳体内部的压力，当横杆受到压力时会使第一调节杆和第二调节杆带动滑块在滑槽内部滑动，且在滑块滑动的过程通过第二伸缩杆和第一弹簧的共同作用可以起到良好的缓冲效果；
当横杆受到压力向壳体内部移动时可以带动挡板一同向内移动，当挡板移动时可以有效的解除其对定位块的限位作用，此时处于压缩状态的第二弹簧会立即恢复形变，通过第二弹簧恢复形变可以有效的将定位块弹入场效应晶体管两侧的定位槽内部，通过定位块和定位槽的相互配合可以有效的对场效应晶体管本体进行固定，且在场效应晶体管本体整个安装过程中，工作人员需要将其***壳体内部即可完成，大大提高了场效应晶体管本体的安装效率，满足了人们的使用需求。
本发明提供的一种vdmos器件，通过设置的定位组件和夹持组件，在定位块通过第二弹簧和第一伸缩杆的共同作用将其弹入定位槽内部时，由于两组第二啮合块的间距与第一啮合块的宽度相同，因此可以使固定连接在定位块一侧的第一啮合块卡接在两组第二啮合块内部，从而能够更进一步的提高定位块与定位槽卡接的稳定性，且在定位块***定位槽内部的过程中，固定连接在定位槽内部的定位杆会***插槽内部，从而来对定位块进一步固定，同时定位杆包括矩形部和圆弧部，且圆弧部位于定位杆的中部，因此在定位杆***插槽的过程中通过圆弧部可以有效的将夹持板挤开，而夹持板通过第四弹簧的作用可以使其抵紧定位杆的圆弧部，对定位杆起到良好的夹持固定效果。
本发明提供的一种vdmos器件，通过设置的减震组件和散热组件，由于场效应晶体管本体通过第三弹簧与壳体形成固定连接，因此在场效应晶体管本体受到震动时通过第三弹簧的作用可以对其起到良好的缓冲效果，有效的延长了场效应晶体管本体的使用寿命，且通过第三弹簧的震动可以使固定在其一端的扰流板发生转动，通过扰流板的转动可以加快壳体内部气体的流动速率，从而能够对场效应晶体管本体起到良好的散热效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的壳体内部结构示意图。
图2为本发明图1中A处放大结构示意图。
图3为本发明的整体结构示意图。
图4为本发明的壳体拆分结构示意图。
图5为本发明图4中B处放大结构示意图。
图6为本发明的底板拆分结构示意图。
图7为本发明的定位块结构示意图。
图8为本发明的定位组件平面剖视结构示意图。
图中：
1、壳体；2、转动槽；3、销轴；4、第一调节杆；5、横杆；6、第一伸缩杆；7、定位块；8、场效应晶体管本体；9、底板；10、通槽；11、针脚；12、挡板；13、滑槽；14、连接板；15、固定座；16、第一转轴；17、滑块；18、第一弹簧；19、第二伸缩杆；20、固定杆；21、第二弹簧；22、定位槽；23、卡柱；24、圆孔；25、扰流板；26、第三弹簧；27、第二转轴；28、定位孔；29、第一啮合块；30、插槽；31、夹持板；32、弧形槽；33、矩形槽；36、第四弹簧；37、第二啮合块；39、圆弧部；40、定位杆。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
根据本发明的实施例，
请参阅图1-8，一种vdmos器件，包括壳体1，壳体1的内部设置有场效应晶体管本体8，场效应晶体管本体8的一端设置有针脚11，针脚11从壳体1的内部穿过，壳体1的内部设置有升降组件，升降组件与场效应晶体管本体8相互卡接，升降组件的一侧固定连接有挡板12，挡板12分别位于场效应晶体管本体8的两侧，壳体1的内部设置有定位组件，定位组件与壳体1固定连接，场效应晶体管本体8的一侧外壁设置有减震组件，壳体1的一侧外壁设置有散热组件，散热组件与减震组件形成固定连接，升降组件包括固定连接在壳体1顶部内壁的固定杆20，固定杆20的下方设置有连接板14，连接板14的顶部外壁开设有滑槽13，滑槽13的数目为两组，滑槽13的内部滑动连接有滑块17，一组滑块17的一侧外壁固定连接有第二伸缩杆19，第二伸缩杆19远离滑块17的一端固定连接在滑槽13的一侧内壁上，第二伸缩杆19的圆周外壁套接有第一弹簧18，滑块17的顶部外壁固定连接有固定座15，固定座15的两侧内壁均转动连接有第一转轴16，第一转轴16的一端固定连接有第一调节杆4，另一滑块17的顶部外壁通过固定座15连接有第二调节杆，第一调节杆4与第二调节杆呈交叉设置，第一调节杆4与第二调节杆的一侧均开设有转动槽2，第一调节杆4与第二调节杆的一侧均开设有销孔，销孔内部插接有销轴3。
实施例二：
请参阅图1、3，连接板14的一侧外壁固定连接有横杆5，横杆5的底部开设有限位槽，场效应晶体管本体8的一端插接在限位槽内部，壳体1的底部外壁开设有定位孔28，定位孔28的内部卡接有卡柱23，卡柱23远离定位孔28的一端固定连接有底板9，底板9的底部外壁开设有通槽10，针脚11的一端从通槽10的内部穿过，由于底板9通过卡柱23与定位孔28相互卡接与壳体1形成固定连接，因此可以方便工作人员对场效应晶体管本体8的安装工作。
实施例三：
请参阅图7，定位组件包括固定连接在壳体1两侧内壁的第一伸缩杆6，第一伸缩杆6的输出端固定连接有定位块7，第一伸缩杆6的圆周外壁套接有第二弹簧21，场效应晶体管本体8的两侧外壁均开设有定位槽22，定位块7与定位槽22相配合，定位块7的一侧外壁固定连接有等距离分布的第一啮合块29，定位槽22的一侧内壁固定连接有等距离分布的第二啮合块37，两组第二啮合块37的间距与第一啮合块29的宽度相同当工作人员需要对场效应晶体管本体8进行安装时，可以首先打开位于壳体1底部的底板9，随后工作人员将场效应晶体管本体8***壳体1内部，在工作人员将场效应晶体管本体8***壳体1内部前通过挡板12可以对定位块7进行阻挡限位，此时定位块7一端的第一伸缩杆6和第二弹簧21处于压缩状态，随后工作人员再将场效应晶体管本体8***壳体1内部的过程中会对横杆5施加向壳体1内部的压力，当横杆5受到压力时会使第一调节杆4和第二调节杆带动滑块17在滑槽13内部滑动，且在滑块17滑动的过程通过第二伸缩杆19和第一弹簧18的共同作用可以起到良好的缓冲效果，当横杆5受到压力向壳体1内部移动时可以带动挡板12一同向内移动，当挡板12移动时可以有效的解除其对定位块7的限位作用，此时处于压缩状态的第二弹簧21会立即恢复形变，通过第二弹簧21恢复形变可以有效的将定位块7弹入场效应晶体管本体8两侧的定位槽22内部，通过定位块7和定位槽22的相互配合可以有效的对场效应晶体管本体8进行固定，且在场效应晶体管本体8整个安装过程中，工作人员需要将其***壳体1内部即可完成，大大提高了场效应晶体管本体8的安装效率，满足了人们的使用需求，在定位块7通过第二弹簧21和第一伸缩杆6的共同作用将其弹入定位槽22内部时，由于两组第二啮合块37的间距与第一啮合块29的宽度相同，因此可以使固定连接在定位块7一侧的第一啮合块29卡接在两组第二啮合块37内部，从而能够更进一步的提高定位块7与定位槽22卡接的稳定性。
实施例四：
请参阅图8，定位块7的一侧外壁开设有插槽30，定位槽22的一侧内壁固定连接有定位杆40，插槽30的内部设置有夹持组件，夹持组件包括开设在插槽30两侧内壁的矩形槽33，矩形槽33的一侧内壁固定连接有第四弹簧36，第四弹簧36的一端固定连接有夹持板31，夹持板31的一侧外壁开设有弧形槽32，定位杆40包括矩形部和圆弧部39，圆弧部39位于定位杆40的中部，在定位块7***定位槽22内部的过程中，固定连接在定位槽22内部的定位杆40会***插槽30内部，从而来对定位块7进一步固定，同时定位杆40包括矩形部和圆弧部39，且圆弧部39位于定位杆40的中部，因此在定位杆40***插槽30的过程中通过圆弧部39可以有效的将夹持板31挤开，而夹持板31通过第四弹簧36的作用可以使其抵紧定位杆40的圆弧部39，对定位杆40起到良好的夹持固定效果。
实施例五：
请参阅图4-6，减震组件包括固定连接在场效应晶体管本体8一侧外壁的第三弹簧26，第三弹簧26远离场效应晶体管本体8的一端与散热组件形成固定连接，散热组件包括开设在壳体1一侧外壁的圆孔24，圆孔24在壳体1的一侧呈等距离分布，圆孔24的圆周内壁转动连接有第二转轴27，第二转轴27的一端固定连接有扰流板25，扰流板25的横截面为S型，扰流板25与第三弹簧26形成固定连接诶，扰流板25的一端延伸至圆孔24的外部，由于场效应晶体管本体8通过第三弹簧26与壳体1形成固定连接，因此在场效应晶体管本体8受到震动时通过第三弹簧26的作用可以对其起到良好的缓冲效果，有效的延长了场效应晶体管本体8的使用寿命，且通过第三弹簧26的震动可以使固定在其一端的扰流板25发生转动，通过扰流板25的转动可以加快壳体1内部气体的流动速率，从而能够对场效应晶体管本体8起到良好的散热效果。
综上所述，借助于本发明的上述技术方案，当工作人员需要对场效应晶体管本体8进行安装时，可以首先打开位于壳体1底部的底板9，随后工作人员将场效应晶体管本体8***壳体1内部，在工作人员将场效应晶体管本体8***壳体1内部前通过挡板12可以对定位块7进行阻挡限位，此时定位块7一端的第一伸缩杆6和第二弹簧21处于压缩状态，随后工作人员再将场效应晶体管本体8***壳体1内部的过程中会对横杆5施加向壳体1内部的压力，当横杆5受到压力时会使第一调节杆4和第二调节杆带动滑块17在滑槽13内部滑动，且在滑块17滑动的过程通过第二伸缩杆19和第一弹簧18的共同作用可以起到良好的缓冲效果，当横杆5受到压力向壳体1内部移动时可以带动挡板12一同向内移动，当挡板12移动时可以有效的解除其对定位块7的限位作用，此时处于压缩状态的第二弹簧21会立即恢复形变，通过第二弹簧21恢复形变可以有效的将定位块7弹入场效应晶体管本体8两侧的定位槽22内部，通过定位块7和定位槽22的相互配合可以有效的对场效应晶体管本体8进行固定，且在场效应晶体管本体8整个安装过程中，工作人员需要将其***壳体1内部即可完成，大大提高了场效应晶体管本体8的安装效率，满足了人们的使用需求，在定位块7通过第二弹簧21和第一伸缩杆6的共同作用将其弹入定位槽22内部时，由于两组第二啮合块37的间距与第一啮合块29的宽度相同，因此可以使固定连接在定位块7一侧的第一啮合块29卡接在两组第二啮合块37内部，从而能够更进一步的提高定位块7与定位槽22卡接的稳定性，且在定位块7***定位槽22内部的过程中，固定连接在定位槽22内部的定位杆40会***插槽30内部，从而来对定位块7进一步固定，同时定位杆40包括矩形部和圆弧部39，且圆弧部39位于定位杆40的中部，因此在定位杆40***插槽30的过程中通过圆弧部39可以有效的将夹持板31挤开，而夹持板31通过第四弹簧36的作用可以使其抵紧定位杆40的圆弧部39，对定位杆40起到良好的夹持固定效果，由于场效应晶体管本体8通过第三弹簧26与壳体1形成固定连接，因此在场效应晶体管本体8受到震动时通过第三弹簧26的作用可以对其起到良好的缓冲效果，有效的延长了场效应晶体管本体8的使用寿命，且通过第三弹簧26的震动可以使固定在其一端的扰流板25发生转动，通过扰流板25的转动可以加快壳体1内部气体的流动速率，从而能够对场效应晶体管本体8起到良好的散热效果。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种vdmos器件，包括壳体(1)，其特征在于，所述壳体(1)的内部设置有场效应晶体管本体(8)，所述场效应晶体管本体(8)的一端设置有针脚(11)，所述针脚(11)从所述壳体(1)的内部穿过，所述壳体(1)的内部设置有升降组件，所述升降组件与所述场效应晶体管本体(8)相互卡接，所述升降组件的一侧固定连接有挡板(12)，所述挡板(12)分别位于所述场效应晶体管本体(8)的两侧，所述壳体(1)的内部设置有定位组件，所述定位组件与所述壳体(1)固定连接，所述场效应晶体管本体(8)的一侧外壁设置有减震组件，所述壳体(1)的一侧外壁设置有散热组件，所述散热组件与所述减震组件形成固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种vdmos器件，其特征在于，所述升降组件包括固定连接在所述壳体(1)顶部内壁的固定杆(20)，所述固定杆(20)的下方设置有连接板(14)，所述连接板(14)的顶部外壁开设有滑槽(13)，所述滑槽(13)的数目为两组，所述滑槽(13)的内部滑动连接有滑块(17)，一组所述滑块(17)的一侧外壁固定连接有第二伸缩杆(19)，所述第二伸缩杆(19)远离所述滑块(17)的一端固定连接在所述滑槽(13)的一侧内壁上，所述第二伸缩杆(19)的圆周外壁套接有第一弹簧(18)，所述滑块(17)的顶部外壁固定连接有固定座(15)，所述固定座(15)的两侧内壁均转动连接有第一转轴(16)，所述第一转轴(16)的一端固定连接有第一调节杆(4)，另一所述滑块(17)的顶部外壁通过所述固定座(15)连接有第二调节杆，所述第一调节杆(4)与所述第二调节杆呈交叉设置，所述第一调节杆(4)与所述第二调节杆的一侧均开设有转动槽(2)，所述第一调节杆(4)与所述第二调节杆的一侧均开设有销孔，所述销孔内部插接有销轴(3)。
3.根据权利要求2所述的一种vdmos器件，其特征在于，所述连接板(14)的一侧外壁固定连接有横杆(5)，所述横杆(5)的底部开设有限位槽，所述场效应晶体管本体(8)的一端插接在所述限位槽内部。
4.根据权利要求3所述的一种vdmos器件，其特征在于，所述壳体(1)的底部外壁开设有定位孔(28)，所述定位孔(28)的内部卡接有卡柱(23)，所述卡柱(23)远离所述定位孔(28)的一端固定连接有底板(9)，所述底板(9)的底部外壁开设有通槽(10)，所述针脚(11)的一端从所述通槽(10)的内部穿过。
5.根据权利要求4所述的一种vdmos器件，其特征在于，所述定位组件包括固定连接在所述壳体(1)两侧内壁的第一伸缩杆(6)，所述第一伸缩杆(6)的输出端固定连接有定位块(7)，所述第一伸缩杆(6)的圆周外壁套接有第二弹簧(21)，所述场效应晶体管本体(8)的两侧外壁均开设有定位槽(22)，所述定位块(7)与所述定位槽(22)相配合。
6.根据权利要求5所述的一种vdmos器件，其特征在于，所述定位块(7)的一侧外壁固定连接有等距离分布的第一啮合块(29)，所述定位槽(22)的一侧内壁固定连接有等距离分布的第二啮合块(37)，两组所述第二啮合块(37)的间距与所述第一啮合块(29)的宽度相同。
7.根据权利要求6所述的一种vdmos器件，其特征在于，所述定位块(7)的一侧外壁开设有插槽(30)，所述定位槽(22)的一侧内壁固定连接有定位杆(40)，所述插槽(30)的内部设置有夹持组件。
8.根据权利要求7所述的一种vdmos器件，其特征在于，所述夹持组件包括开设在所述插槽(30)两侧内壁的矩形槽(33)，所述矩形槽(33)的一侧内壁固定连接有第四弹簧(36)，所述第四弹簧(36)的一端固定连接有夹持板(31)，所述夹持板(31)的一侧外壁开设有弧形槽(32)，所述定位杆(40)包括矩形部和圆弧部(39)，所述圆弧部(39)位于所述定位杆(40)的中部。
9.根据权利要求8所述的一种vdmos器件，其特征在于，所述减震组件包括固定连接在所述场效应晶体管本体(8)一侧外壁的第三弹簧(26)，所述第三弹簧(26)远离所述场效应晶体管本体(8)的一端与所述散热组件形成固定连接。
10.根据权利要求9所述的一种vdmos器件，其特征在于，所述散热组件包括开设在所述壳体(1)一侧外壁的圆孔(24)，所述圆孔(24)在所述壳体(1)的一侧呈等距离分布，所述圆孔(24)的圆周内壁转动连接有第二转轴(27)，所述第二转轴(27)的一端固定连接有扰流板(25)，所述扰流板(25)的横截面为S型，所述扰流板(25)与所述第三弹簧(26)形成固定连接诶，所述扰流板(25)的一端延伸至所述圆孔(24)的外部。
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