CN114944316A - 粒子辐射设备及其操作方法和计算机程序产品 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于操作粒子辐射设备的方法。此外，本发明还涉及一种计算机程序产品和一种用于执行该方法的粒子辐射设备。在本发明中提出的是，通过操控第一放大器单元和第二放大器单元来从粒子辐射设备的第一放大倍率范围中选择一个放大倍率。如果在本发明中确定给定了原本可能促使粒子辐射设备切换为来自第二放大倍率范围的另一放大倍率的前提条件，则本发明恰好提出的是，在无需将放大倍率切换为来自第二放大倍率范围的放大倍率的情况下执行以下方法步骤，即：将模拟放大器信号从粒子辐射设备的放大器单元输送至扫描单元；通过使用扫描单元引导粒子射束经过物体；以及利用粒子射束对该物体进行成像、加工和/或分析。

Description

粒子辐射设备及其操作方法和计算机程序产品
技术领域
本发明涉及一种用于操作粒子辐射设备的方法，该粒子辐射设备对物体进行成像、分析和/或加工。此外，本发明还涉及一种计算机程序产品和一种用于执行该方法的粒子辐射设备。该粒子辐射设备例如被设计为电子辐射设备和/或离子辐射设备。
背景技术
电子辐射设备、尤其扫描电子显微镜(以下又被称为SEM)和/或透射电子显微镜(以下又被称为TEM)用于研究物体(以下又被称为样本)，以获得在特定条件下的特性和行为方面的认知。
在SEM的情况下，借助于射束发生器来产生电子射束(以下又被称为初级电子射束)并且通过射束引导***将其聚焦到待研究的物体上。初级电子射束借助于呈扫描装置形式的偏转装置被引导经过待研究的物体的表面。初级电子射束的电子在此与待研究的物体进行相互作用。作为相互作用的结果，尤其从物体发射电子(所谓的次级电子)并且将初级电子射束的电子返回散射(所谓的返回散射电子)。检测次级电子和返回散射电子并且将其用于形成图像。由此获得待研究物体的成像。此外，在相互作用中产生为了分析物体而借助于检测器来检测并且随后进行评估的相互作用辐射，例如X射线辐射和/或阴极发光。
在TEM的情况下，同样借助于射束发生器来产生初级电子射束并且借助于射束引导***将其引导到待研究的物体上。初级电子射束透射待研究的物体。在初级电子射束穿过待研究的物体时，初级电子射束的电子与待研究的物体的材料进行相互作用。穿透待研究的物体的电子通过由物镜和透射透镜(Projektiv)组成的***在光屏上或在检测器(例如相机)上成像。在此成像还可以在TEM的扫描模式下进行。这种TEM一般被称为STEM。另外可以提出，在待研究的物体处借助于另外的检测器来检测返回散射的电子和/或由待研究的物体发射的次级电子，以便将待研究的物体成像。
已知的是，将STEM和SEM的功能组合在单个粒子辐射设备中。由此，通过这种粒子辐射设备可以用SEM功能和/或STEM功能来研究物体。
此外，已知呈离子辐射柱形式的粒子辐射设备。借助于布置在离子辐射柱中的离子射束发生器来产生用于加工物体的离子。在加工时例如削磨物体的材料或者例如通过输送气体向物体上施加材料。附加于此或替代于此，将离子用于成像。
此外，从现有技术中已知，将组合设备用于研究物体，其中不仅可以将电子而且还可以将离子引导到待研究的物体上。例如已知的是，使SEM额外地配备离子辐射柱。借助于布置在离子辐射柱中的离子射束发生器来产生离子，这些离子用于制备物体(例如削磨物体的材料或将材料施加到物体上)或者还用于成像。为此用呈扫描装置形式的偏转装置使离子扫过物体。SEM在此尤其用于观察制备过程，但是也用于进一步研究所制备的或未制备的物体。
如上文已经提及的，从现有技术已知，粒子射束借助于呈扫描装置形式的偏转装置被引导经过待研究的物体的表面。已知的扫描装置具有控制单元、数字-模拟转换器、呈前置放大器形式的第一放大器单元、呈主放大器形式的第二放大器单元以及呈扫描单元形式的偏转单元。通过使用将控制单元与数字-模拟转换器相连的第一信号线路，将数字控制信号从控制单元引导至数字-模拟转换器。数字控制信号用来引导该粒子射束经过该物体。此外，基于数字控制信号，借助于数字-模拟转换器生成模拟控制信号。通过使用第二信号线路来将模拟控制信号从数字-模拟转换器引导至第一放大器单元。第二信号线路将数字-模拟转换器与第一放大器单元相连。基于模拟控制信号，借助于第一放大器单元生成模拟第一放大器信号。通过使用第三信号线路来将模拟第一放大器信号从第一放大器单元引导至第二放大器单元。第一放大器单元被布置在数字-模拟转换器与第二放大器单元之间。第三信号线路将第一放大器单元与第二放大器单元相连。基于模拟第一放大器信号，借助于第二放大器单元生成模拟第二放大器信号。通过使用第四信号线路来将模拟第二放大器信号从第二放大器单元引导至扫描单元。第四信号线路将第二放大器单元与扫描单元相连。然后通过使用扫描单元引导粒子射束经过物体。随后利用粒子射束对物体进行成像、加工和/或分析。
已知的扫描单元具有第一线圈单元和第二线圈单元。借助于第一线圈单元和第二线圈单元使粒子射束扫过物体表面。第一线圈单元在第一方向上起作用，并且第二线圈单元在与第一方向垂直地定向的第二方向上起作用。第一线圈单元包括第一线圈对。而第二线圈单元包括第二线圈对。
已知的扫描装置的上述第二放大器单元提供被用于操控第一线圈单元和第二线圈单元的模拟第二放大器信号。第一放大器单元和第二放大器单元能够这样***控，使得粒子辐射设备在第一放大倍率范围
Figure BDA0003497257810000031
内工作。换言之，粒子辐射设备具有来自第一放大倍率范围的放大倍率。第一放大倍率范围包括来自特定范围的放大倍率。例如，第一放大倍率范围包括处于10倍到至少500倍的范围内的放大倍率。此外，第一放大器单元和第二放大器单元能够这样***控，使得粒子辐射设备在第二放大倍率范围内工作。换言之，粒子辐射设备具有来自第二放大倍率范围的放大倍率。第二放大倍率范围包括来自特定范围的放大倍率。例如，第二放大倍率范围包括大于500倍到至少20000倍的放大倍率。
模拟第二放大器信号是交流电流。如果粒子辐射设备在来自第一放大倍率范围的较小的放大倍率(例如为10倍)下工作，则模拟第二放大器信号较大并且所具有的振幅处于几安培的范围、例如1A至3A的范围内。现在，粒子辐射设备的放大倍率选择得越大，为操控扫描单元所生成的且被输送给扫描单元的模拟第二放大器信号就越低。可能出现的情况是，在较大的放大倍率(例如大于500倍的放大倍率)下模拟第二放大器信号低到使得其出现在已知的扫描装置的电子背景噪声中。这可能导致在将粒子射束输送到物体上时出现错误。尤其可能出现的情况是，粒子射束不会准确地被引导到粒子射束实际上应被引导到的、物体所处的位置。这导致在对物体进行成像、加工和/或分析时出现错误。为了避免这些错误，已知将粒子辐射设备的放大倍率切换为另一放大倍率范围内的另一放大倍率。换言之，在切换期间这样操控第一放大器单元和第二放大器单元，使得粒子辐射设备不再在第一放大倍率范围内工作，而是在第二放大倍率范围内工作，使得模拟第二放大器信号不再出现在已知的扫描装置的电子背景噪声中。
然而，上述切换可能由于扫描装置的电子构件的电荷和不同负载而出现影响模拟第二放大器信号的干扰效应。这可能导致在利用粒子射束对物体进行成像、加工和/或分析时出现不期望的效果。尤其导致例如作为在由物体生成的图像中的跳跃(Sprung)而可见的成像误差。
发明内容
本发明所基于的目的在于，避免在利用粒子射束对物体进行成像、加工和/或分析时出现不期望的效果。
根据本发明，该目的通过具有下文所述特征的方法来实现。通过下文所述的特征给出一种具有程序代码的计算机程序产品，该程序代码在处理器中执行时控制粒子辐射设备以便执行该方法。此外，给出一种具有下文所述特征的用于对物体进行成像、分析和/或加工的粒子辐射设备。本发明的其他特征由以下的说明书、所附权利要求和/或附图得出。
根据本发明的方法用于操作粒子辐射设备，该粒子辐射设备利用具有带电粒子的粒子射束对物体进行成像、加工和/或分析。带电粒子例如是电子或离子。该粒子辐射设备例如被设计为电子辐射设备和/或离子辐射设备。
在根据本发明的方法中，通过使用该粒子辐射设备的控制单元操控第一放大器单元和第二放大器单元来从该粒子辐射设备的第一放大倍率范围中选择一个放大倍率。上述放大倍率基本上为物体的放大倍率。换言之，上述放大倍率是所生成的图像的大小与物体的实际大小彼此间的比值。例如，放大倍率处于10倍至2000000倍的总范围内。第一放大倍率范围和第二放大倍率范围是总范围的子范围。明确地指出，本发明不限于前述总范围。而是可以使用适合于本发明的任何针对放大倍率的总范围。
此外，在根据本发明的方法中，通过使用将该控制单元与该粒子辐射设备的数字-模拟转换器相连的第一信号线路，将数字控制信号从该控制单元输送至该数字-模拟转换器。该数字控制信号用于引导该粒子射束经过该物体。
此外，在根据本发明的方法中，基于该数字控制信号，借助于该数字-模拟转换器生成模拟控制信号。通过使用第二信号线路，将该模拟控制信号从该粒子辐射设备的数字-模拟转换器引导至第一放大器单元。该第二信号线路将该数字-模拟转换器与该第一放大器单元相连。
根据本发明的方法还包括：基于该模拟控制信号，借助于该第一放大器单元生成模拟第一放大器信号。通过使用第三信号线路，将该模拟第一放大器信号从该粒子辐射设备的第一放大器单元引导至第二放大器单元。该第一放大器单元被布置在该数字-模拟转换器与该第二放大器单元之间。该第三信号线路将该第一放大器单元与该第二放大器单元相连。基于该模拟第一放大器信号，借助于该第二放大器单元生成模拟第二放大器信号。
此外，在根据本发明的方法中，通过使用该粒子辐射设备的控制单元来确定从该第一放大倍率范围中选出的放大倍率与第二放大倍率范围的边界是否有偏差。在此，该第一放大倍率范围和该第二放大倍率范围是不同的。该第一放大倍率范围所包括的该粒子辐射设备的放大倍率小于来自该第二放大倍率范围的该粒子辐射设备的放大倍率。换言之，检查从第一放大倍率范围选出的放大倍率是否与第二放大倍率范围的边界相隔开，和/或从第一放大倍率范围选出的放大倍率是否处于介于第二放大倍率范围的边界与第一放大倍率范围的可预先给定的放大倍率之间的可预先给定的范围内。这将在下文中更详细地阐述。
根据本发明的方法还包括：确定该物体的表面上的、粒子射束应被引导到的像素的数量是否低于可预先给定的像素阈值。可预先给定的像素阈值例如是可预先给定的像素的数量(尤其4096或16384)。替代于此提出的是，像素阈值是像素的第一数量和像素的第二数量彼此间的比值，如在下文中更详细地阐述的。
已知第一放大倍率范围具有第一静态偏转区域，该第一静态偏转区域通过作为第二放大器信号的第一静态直流电流来实现。第一偏转区域是在物体上的借助于第一静态直流电流可以将粒子射束引导到其上的区域。此外，已知第二放大倍率范围具有第二静态偏转区域，该第二静态偏转区域通过作为第二放大器信号的第二静态直流电流来实现。第二偏转区域是在物体上的借助于第二静态直流电流可以将粒子射束引导到其上的区域。例如第一静态直流电流的幅值为1A。而第二静态直流电流的幅值例如为0.2A。如果现在粒子射束在第一放大倍率范围内所选择的偏转要求以大于0.2A的幅值进行操控，那么该偏转可能无法在第二放大倍率范围内实现。
现在在根据本发明的方法中提出的是，如果满足特定条件，则在无需将来自第一放大倍率范围的放大倍率切换到来自第二放大倍率范围的放大倍率的情况下执行特定步骤。
条件之一是：从第一放大倍率范围中选出的放大倍率与第二放大倍率范围的边界有上述偏差以及该偏差小于可预先给定的值。可预先给定的值例如是10，这表明可预先给定的值与上述边界相差的放大倍率值为10。边界和可预先给定的值界定边界范围。如果所选出的放大倍率处于这个边界范围内，那么所选出的放大倍率的偏差小于可预先给定的值。例如，上述边界是500倍的放大倍率，并且可预先给定的值是490倍的放大倍率。如果所选出的放大倍率处于500倍与490倍之间的范围内，那么所选出的放大倍率的偏差小于可预先给定的值。如果从第一放大倍率范围中选出的放大倍率与第二放大倍率范围的边界有上述偏差以及该偏差小于可预先给定的值，那么因此满足条件之一。
另一个条件是粒子射束应被引导到的像素的数量低于可预先给定的像素阈值。
如果给定了这些条件，则执行以下步骤：
-通过使用将该第二放大器单元与该粒子辐射设备的扫描单元相连的第四信号线路，将该模拟第二放大器信号从该第二放大器单元输送至该扫描单元；
-通过使用该扫描单元引导该粒子辐射设备的粒子射束经过该物体；以及
-利用该粒子射束对该物体进行成像、加工和/或分析。
因此本发明提出，即使模拟第二放大器信号可能出现在本发明所使用的电子构件的背景噪声中，也不执行切换。因此，本发明教导了与现有技术所提出的以及本领域技术人员实际所实施的恰好相反的内容。因此，避免了在进行切换时扫描装置的电子构件可能产生的电荷和不同负载，使得降低由此所导致的干扰效应。因此尤其避免了由于干扰效应而可能产生的成像误差。
在根据本发明的方法的实施方式中，附加地或替代性地提出的是，如果一方面所选出的第一放大倍率范围的放大倍率与第二放大倍率范围的边界有偏差以及该偏差小于可预先给定的值，并且如果另一方面像素的数量高于可预先给定的像素阈值或者与像素阈值相对应，则执行以下步骤：
-通过使用该粒子辐射设备的控制单元操控该第一放大器单元和该第二放大器单元来从该粒子辐射设备的第二放大倍率范围中选择一个放大倍率；
-通过使用将该第二放大器单元与该粒子辐射设备的扫描单元相连的该第四信号线路，将该模拟第二放大器信号从该第二放大器单元输送至该扫描单元；
-通过使用该扫描单元引导该粒子辐射设备的粒子射束经过该物体；以及
-利用该粒子射束对该物体进行成像、加工和/或分析。
因此，在像素的数量高于且不低于可预先给定的像素阈值时执行根据本发明的方法的这个实施方式所提出的方法步骤。
在根据本发明的方法的另一个实施方式中，附加地或替代性地提出的是，在确定该粒子射束应被引导到的像素的数量之前，通过将像素的数量从第一值调整为第二值来改变像素的数量。例如操控数字-模拟转换器，使得像素的数量从第一值变为第二值。尤其，第一值是像素的数量为1024。此外，第二值例如是像素的数量为4096。明确地指出，本发明不限于前述值。而是可以使用适合于本发明的任何值。附加地，在这个实施方式中提出的是，将该第二值与该第一值彼此间的比值用作像素阈值。例如将以下比值之一用作比值：大于或等于2、大于或等于4、大于或等于8。
根据本发明的另外的方法用于操作粒子辐射设备，该粒子辐射设备利用具有带电粒子的粒子射束对物体进行成像、加工和/或分析。带电粒子例如是电子或离子。该粒子辐射设备例如被设计为电子辐射设备和/或离子辐射设备。
在根据本发明的另外的方法中，通过使用该粒子辐射设备的控制单元操控第一放大器单元和第二放大器单元来从该粒子辐射设备的第一放大倍率范围中选择一个放大倍率。上述放大倍率基本上为物体的放大倍率。换言之，上述放大倍率是所生成的图像的大小与物体的实际大小彼此间的比值。例如，放大倍率处于10倍至2000000倍的总范围内。第一放大倍率范围和第二放大倍率范围是总范围的子范围。明确地指出，本发明不限于前述总范围。而是可以使用适合于本发明的任何针对放大倍率的总范围。
此外，在根据本发明的另外的方法中，通过使用将该控制单元与该粒子辐射设备的数字-模拟转换器相连的第一信号线路，将数字控制信号从该控制单元输送至该数字-模拟转换器。该数字控制信号用于引导该粒子射束经过该物体。
此外，在根据本发明的另外的方法中，基于该数字控制信号，借助于该数字-模拟转换器生成模拟控制信号。通过使用第二信号线路，将该模拟控制信号从该粒子辐射设备的数字-模拟转换器引导至第一放大器单元。该第二信号线路将该数字-模拟转换器与该第一放大器单元相连。
根据本发明的另外的方法还包括：基于该模拟控制信号，借助于该第一放大器单元生成模拟第一放大器信号。通过使用第三信号线路，将该模拟第一放大器信号从该粒子辐射设备的第一放大器单元引导至第二放大器单元。该第一放大器单元被布置在该数字-模拟转换器与该第二放大器单元之间。该第三信号线路将该第一放大器单元与该第二放大器单元相连。基于该模拟第一放大器信号，借助于该第二放大器单元生成模拟第二放大器信号。
此外，在根据本发明的方法中，通过使用该粒子辐射设备的控制单元来确定从该第一放大倍率范围中选出的放大倍率与第二放大倍率范围的边界是否有偏差。在此，该第一放大倍率范围和该第二放大倍率范围是不同的。该第一放大倍率范围所包括的该粒子辐射设备的放大倍率小于来自该第二放大倍率范围的该粒子辐射设备的放大倍率。换言之，检查从第一放大倍率范围选出的放大倍率是否与第二放大倍率范围的边界相隔开，和/或从第一放大倍率范围选出的放大倍率是否处于介于第二放大倍率范围的边界与第一放大倍率范围的可预先给定的放大倍率之间的可预先给定的范围内。这将在下文中更详细地阐述。
在根据本发明的另外的方法中还提出的是，确定该物体的表面上的、该粒子射束应被引导到的像素是否小于可预先给定的像素大小。例如确定该粒子射束应被引导到的所有像素或仅一部分像素是否小于可预先给定的像素大小。针对可预先给定的像素大小的示例在更下文中给出。
现在在根据本发明的另外的方法中提出的是，如果满足特定条件，则在无需将来自第一放大倍率范围的放大倍率切换到来自第二放大倍率范围的放大倍率的情况下执行特定步骤。
条件之一是：从第一放大倍率范围中选出的放大倍率与第二放大倍率范围的边界有上述偏差以及该偏差小于可预先给定的值。可预先给定的值例如是10，这表明可预先给定的值与上述边界相差的放大倍率值为10。边界和可预先给定的值界定边界范围。如果所选出的放大倍率处于这个边界范围内，那么所选出的放大倍率的偏差小于可预先给定的值。例如，上述边界是500倍的放大倍率，并且可预先给定的值是490倍的放大倍率。如果所选出的放大倍率处于500倍与490倍之间的范围内，那么所选出的放大倍率的偏差小于可预先给定的值。如果从第一放大倍率范围中选出的放大倍率与第二放大倍率范围的边界有上述偏差以及该偏差小于可预先给定的值，那么因此满足条件之一。
另一条件是，像素小于可预先给定的像素大小。
如果给定了这些条件，则执行以下步骤：
-通过使用将该第二放大器单元与该粒子辐射设备的扫描单元相连的第四信号线路，将该模拟第二放大器信号从该第二放大器单元输送至该扫描单元；
-通过使用该扫描单元引导该粒子辐射设备的粒子射束经过该物体；以及
-利用该粒子射束对该物体进行成像、加工和/或分析。
因此根据本发明的另外的方法也提出，即使模拟第二放大器信号可能出现在本发明所使用的电子构件的背景噪声中，也不执行切换。因此，本发明教导了与现有技术所提出的以及本领域技术人员实际所实施的恰好相反的内容。因此，避免了在进行切换时扫描装置的电子构件可能产生的电荷和不同负载，使得降低由此所导致的干扰效应。因此尤其避免了由于干扰效应而可能产生的成像误差。
在根据本发明的另外的方法的实施方式中，附加地或替代性地提出的是，如果一方面从第一放大倍率范围中选出的放大倍率与第二放大倍率范围的边界有上述偏差以及该偏差小于可预先给定的值，并且如果另一方面像素或像素的一部分大于可预先给定的像素大小或者具有可预先给定的像素大小，则执行以下步骤：
-通过使用该粒子辐射设备的控制单元操控该第一放大器单元和该第二放大器单元来从该粒子辐射设备的第二放大倍率范围中选择一个放大倍率；
-通过使用将该第二放大器单元与该粒子辐射设备的扫描单元相连的该第四信号线路，将该模拟第二放大器信号从该第二放大器单元输送至该扫描单元；
-通过使用该扫描单元引导该粒子辐射设备的粒子射束经过该物体；以及
-利用该粒子射束对该物体进行成像、加工和/或分析。
在根据本发明的另外的方法的另一个实施方式中，附加地或替代性地提出的是，将小于500nm、小于100nm、小于20nm、小于5nm或小于1nm的像素大小用作可预先给定的像素大小。明确地指出，本发明不限于前述像素大小。而是可以使用适合于本发明的任何像素大小。
根据本发明的还另外的方法用于操作粒子辐射设备，该粒子辐射设备利用具有带电粒子的粒子射束对物体进行成像、加工和/或分析。带电粒子例如是电子或离子。该粒子辐射设备例如被设计为电子辐射设备和/或离子辐射设备。
在根据本发明的还另外的方法中，通过使用该粒子辐射设备的控制单元操控第一放大器单元和第二放大器单元来从该粒子辐射设备的第一放大倍率范围中选择一个放大倍率。上述放大倍率基本上为物体的放大倍率。换言之，上述放大倍率是所生成的图像的大小与物体的实际大小彼此间的比值。例如，放大倍率处于10倍至2000000倍的总范围内。第一放大倍率范围和第二放大倍率范围是总范围的子范围。明确地指出，本发明不限于前述总范围。而是可以使用适合于本发明的任何针对放大倍率的总范围。
此外，在根据本发明的还另外的方法中，通过使用将该控制单元与该粒子辐射设备的数字-模拟转换器相连的第一信号线路，将数字控制信号从该控制单元输送至该数字-模拟转换器。该数字控制信号用于引导该粒子射束经过该物体。
此外，在根据本发明的另外的方法中，基于该数字控制信号，借助于该数字-模拟转换器生成模拟控制信号。通过使用第二信号线路，将该模拟控制信号从该粒子辐射设备的数字-模拟转换器引导至第一放大器单元。该第二信号线路将该数字-模拟转换器与该第一放大器单元相连。
根据本发明的还另外的方法还包括：基于该模拟控制信号，借助于该第一放大器单元生成模拟第一放大器信号。通过使用第三信号线路，将该模拟第一放大器信号从该粒子辐射设备的第一放大器单元引导至第二放大器单元。该第一放大器单元被布置在该数字-模拟转换器与该第二放大器单元之间。该第三信号线路将该第一放大器单元与该第二放大器单元相连。基于该模拟第一放大器信号，借助于该第二放大器单元生成模拟第二放大器信号。
此外，在根据本发明的方法中，通过使用该粒子辐射设备的控制单元来确定从该第一放大倍率范围中选出的放大倍率与第二放大倍率范围的边界是否有偏差。在此，该第一放大倍率范围和该第二放大倍率范围是不同的。该第一放大倍率范围所包括的该粒子辐射设备的放大倍率小于来自该第二放大倍率范围的该粒子辐射设备的放大倍率。换言之，检查从第一放大倍率范围选出的放大倍率是否与第二放大倍率范围的边界相隔开，和/或从第一放大倍率范围选出的放大倍率是否处于介于第二放大倍率范围的边界与第一放大倍率范围的可预先给定的放大倍率之间的可预先给定的范围内。这将在下文中更详细地阐述。
根据本发明的还另外的方法现在包括：用该控制单元确定在放大倍率从该粒子辐射设备的第一放大倍率范围中选出的情况下该粒子射束借助于偏转单元沿可预先给定的方向能够偏转多少距离。此外，用该控制单元检查在放大倍率来自该粒子辐射设备的第二放大倍率范围的情况下该粒子射束借助于该偏转单元沿该可预先给定的方向能够偏转的距离是否小于预先确定的距离。
现在，在根据本发明的还另外的方法中还提出的是，如果满足特定条件，则在无需将来自第一放大倍率范围的放大倍率切换到来自第二放大倍率范围的放大倍率的情况下执行特定步骤。
条件之一是：从第一放大倍率范围中选出的放大倍率与第二放大倍率范围的边界有上述偏差以及该偏差小于可预先给定的值。可预先给定的值例如是10，这表明可预先给定的值与上述边界相差的放大倍率值为10。边界和可预先给定的值界定边界范围。如果所选出的放大倍率处于这个边界范围内，那么所选出的放大倍率的偏差小于可预先给定的值。例如，上述边界是500倍的放大倍率，并且可预先给定的值是490倍的放大倍率。如果所选出的放大倍率处于500倍与490倍之间的范围内，那么所选出的放大倍率的偏差小于可预先给定的值。如果从第一放大倍率范围中选出的放大倍率与第二放大倍率范围的边界有上述偏差以及该偏差小于可预先给定的值，那么因此满足条件之一。
另一条件是，在放大倍率来自粒子辐射设备的第二放大倍率范围的情况下粒子射束借助于偏转单元沿可预先给定的方向能够偏转的距离小于预先确定的距离。
如果给定了这些条件，则执行以下步骤：
-通过使用将该第二放大器单元与该粒子辐射设备的扫描单元相连的第四信号线路，将该模拟第二放大器信号从该第二放大器单元输送至该扫描单元；
-通过使用该扫描单元引导该粒子辐射设备的粒子射束经过该物体；以及
-利用该粒子射束对该物体进行成像、加工和/或分析。
因此根据本发明的还另外的方法提出，即使模拟第二放大器信号可能出现在本发明所使用的电子构件的背景噪声中，也不执行切换。因此，本发明教导了与现有技术所提出的以及本领域技术人员实际所实施的恰好相反的内容。因此，避免了在进行切换时扫描装置的电子构件可能产生的电荷和不同负载，使得降低由此所导致的干扰效应。因此尤其避免了由于干扰效应而可能产生的成像误差。
在根据本发明的还另外的方法的实施方式中，附加地或替代性地提出的是，如果一方面从第一放大倍率范围中选出的放大倍率与第二放大倍率范围的边界有上述偏差以及该偏差小于可预先给定的值，并且如果另一方面在放大倍率来自粒子辐射设备的第二放大倍率范围的情况下该粒子射束借助于该偏转单元沿可预先给定的方向能够偏转的距离大于或正好等于预先确定的距离，则执行以下步骤：
-通过使用该粒子辐射设备的控制单元操控该第一放大器单元和该第二放大器单元来从该粒子辐射设备的第二放大倍率范围中选择一个放大倍率；
-通过使用将该第二放大器单元与该粒子辐射设备的扫描单元相连的该第四信号线路，将该模拟第二放大器信号从该第二放大器单元输送至该扫描单元；
-通过使用该扫描单元引导该粒子辐射设备的粒子射束经过该物体；以及
-利用该粒子射束对该物体进行成像、加工和/或分析。
在上述方法中的至少一个方法的一个实施方式中，附加地或替代性地提出的是，将该第一放大倍率范围与该第二放大倍率范围之间的边界用作该第二放大倍率范围的边界，其中该第一放大倍率范围和该第二放大倍率范围在该边界处交界。边界例如是与第一放大倍率范围和/或第二放大倍率范围相关联的值或子范围。
在上述方法中的至少一个方法的另一个实施方式中，附加地或替代性地提出的是，一方面将具有10倍到至少500倍的放大倍率的放大倍率范围用作第一放大倍率范围，以及另一方面将具有大于500倍的放大倍率的放大倍率范围用作第二放大倍率范围。附加地或替代性地提出的是，一方面将具有大于500倍到至少1000000倍的放大倍率的放大倍率范围用作第一放大倍率范围，以及另一方面将具有大于1000000倍的放大倍率的放大倍率范围用作第二放大倍率范围。
在上述方法中的至少一个方法的还另外的实施方式中，附加地或替代性地提出的是，将离子和/或电子用作带电粒子。
本发明还涉及一种具有程序代码的计算机程序产品，该程序代码可以加载到或被加载到粒子辐射设备的处理器中，其中程序代码在处理器中执行时控制粒子辐射设备，使得实施具有上述或下述特征中的至少一个特征的方法或具有上述或下述特征中的至少两个特征的组合的方法。
本发明还涉及一种用于对物体进行成像、分析和/或加工的粒子辐射设备。根据本发明的粒子辐射设备具有至少一个射束发生器，该至少一个射束发生器用于产生具有带电粒子的粒子射束。带电粒子例如是电子或离子。根据本发明的粒子辐射设备具有至少一个物镜，该至少一个物镜用于将该粒子射束聚焦到该物体上。
根据本发明的粒子辐射设备具有至少一个扫描装置，该至少一个扫描装置用于使该粒子射束扫过该物体。此外，根据本发明的粒子辐射设备还具有至少一个控制单元，该至少一个控制单元带有处理器，在该处理器中加载有计算机程序产品，该计算机程序产品具有上述或下述特征中的至少一个特征或者上述或下述特征中的至少两个特征的组合。
此外，根据本发明的粒子辐射设备具有至少一个数字-模拟转换器。数字-模拟转换器藉由第一信号线路与控制单元相连。此外设置有至少一个第一放大器单元，该至少一个第一放大器单元藉由第二信号线路与该数字-模拟转换器相连。根据本发明的粒子辐射设备还具有至少一个第二放大器单元，该至少一个第二放大器单元与该第一放大器单元藉由第三信号线路相连并且与该扫描装置藉由第四信号线路相连。此外，根据本发明的粒子辐射设备设有至少一个检测器，该至少一个检测器用于检测从该粒子射束与该物体的相互作用得到的相互作用粒子和/或相互作用辐射。根据本发明的粒子辐射设备还具有至少一个显示装置，该至少一个显示装置用于显示该物体的图像和/或分析结果。
在根据本发明的粒子辐射设备的另一个实施方式中，射束发生器被设计为第一射束发生器并且粒子射束被设计为具有第一带电粒子的第一粒子射束。另外，物镜被设计为第一物镜，该第一物镜用于将第一粒子射束聚焦到物体上。此外，根据本发明的粒子辐射设备具有至少一个第二射束发生器，该第二射束发生器用于产生具有第二带电粒子的第二粒子射束。根据本发明的粒子辐射设备还具有至少一个第二物镜，该至少一个第二物镜用于将第二粒子射束聚焦到物体上。
尤其提出的是，该粒子辐射设备被设计为电子辐射设备和/或离子辐射设备。
附图说明
下面结合附图描述本发明的另外的实用的实施方式和优点。在附图中：
图1示出了根据本发明的粒子辐射设备的示意图；
图2示出了根据本发明的另一个粒子辐射设备的示意图；
图3示出了根据本发明的又一个粒子辐射设备的示意图；
图4示出了根据本发明的粒子辐射设备的扫描装置的示意图；
图5示出了根据本发明的方法的实施方式的流程图；
图6示出了根据本发明的方法的另外的方法步骤的流程图；
图7示出了根据本发明的方法的再另外的方法步骤的流程图；
图8示出了根据本发明的方法的另一个实施方式的流程图；以及
图9示出了根据本发明的方法的实施方式的流程图。
具体实施方式
现在借助于呈SEM形式以及呈具有电子辐射柱和离子辐射柱的组合设备形式的粒子辐射设备来详细解说本发明。要明确地指出，本发明可以用在每种粒子辐射设备中，尤其在每种电子辐射设备和/或每种离子辐射设备中。
图1示出了SEM 100的示意图。SEM 100具有第一射束发生器，该第一射束发生器呈电子源101形式，该电子源被设计为阴极。另外SEM 100设有提取电极102以及阳极103，该阳极插接到SEM 100的射束引导管104的一端上。例如电子源101被设计为热场发射器。然而本发明并不受限于这种电子源101。而是可以使用适合于本发明的任何电子源。
从电子源101出来的电子形成初级电子射束。电子由于电子源101与阳极103之间的电势差而被加速到阳极电势。在此处展示的实施方式中阳极电势相对于样本室120的壳体的接地电势为100V至35kV，例如5kV至15kV，尤其8kV。但是替代地，阳极电势也可以处于接地电势。
在射束引导管104处布置有两个会聚透镜，即第一会聚透镜105和第二会聚透镜106。在此，从电子源101出发在朝向第一物镜107的方向上看，首先布置第一会聚透镜105，然后布置第二会聚透镜106。要明确地指出，SEM 100的另外的实施方式可以仅具有单一的会聚透镜。在阳极103与第一会聚透镜105之间布置有第一挡板单元108。第一挡板单元108与阳极103和射束引导管104一起处于高压电势(即阳极103的电势)或处于接地。第一挡板单元108具有多个第一挡板开口108A，在图1中展示了该多个第一挡板开口中的一个挡板开口。例如存在两个第一挡板开口108A。该多个第一挡板开口108A中的每个第一挡板开口都具有不同的开口直径。借助于调节机构(未展示)可以将所期望的第一挡板开口108A设定到SEM 100的光轴OA上。要明确地指出，在其他的实施方式中第一挡板单元108可以仅设有单一的第一挡板开口108A。在这种实施方式中可以不设置调节机构。第一挡板单元108此时被设计成位置固定的。在第一会聚透镜105与第二会聚透镜106之间布置有位置固定的第二挡板单元109。替代于此提出，可运动地形成第二挡板单元109。
第一物镜107具有极靴110，在这些极靴中设计有孔。将射束引导管104引导穿过这个孔。在极靴110中布置有线圈111。
在射束引导管104的下部区域中布置有静电减速装置。这个减速装置具有单独的电极112和管状电极113。管状电极113布置在射束引导管104的朝向物体125的端部上，该物体布置在可运动地设计的物体固持器114上。
管状电极113与射束引导管104一起处于阳极103的电势，而单独的电极112以及物体125处于相对于阳极103的电势更低的电势。在当前情况下，这是样本室120的壳体的接地电势。以这种方式，初级电子射束的电子可以制动到研究物体125所需的期望能量。
SEM 100还具有扫描装置115，通过该扫描装置可以将初级电子射束偏转并且使其扫描过(或扫过)物体125。在此，初级电子射束的电子与物体125发生相互作用。相互作用的结果是产生被检测到的相互作用粒子。作为相互作用粒子，尤其从物体125的表面发射电子——所谓的次级电子——或者将初级电子射束的电子返回散射——所谓返回散射电子。
物体125和单独的电极112还可以处于不同的且与接地不同的电势。由此可以设定初级电子射束相对于物体125的减速的位置。如果例如在相当接近物体125之处进行减速，则成像误差较小。
为了检测次级电子和/或返回散射电子，在射束引导管104中布置有检测器组件，该检测器组件具有第一检测器116和第二检测器117。第一检测器116在此沿着光轴OA布置在源侧，而第二检测器117在射束引导管104中沿着光轴OA布置在物体侧。第一检测器116和第二检测器117在SEM 100的光轴OA的方向上彼此错开地布置。第一检测器116以及第二检测器117分别具有贯通开口，初级电子射束可以穿过该贯通开口。第一检测器116和第二检测器117近似处于阳极103和射束引导管104的电势。SEM 100的光轴OA穿过相应的贯通开口延伸。
第二检测器117主要用于检测次级电子。次级电子在从物体125中离开时首先具有较小的动能和任意的运动方向。通过从管状电极113发出的强吸入场，次级电子在朝向第一物镜107的方向上加速。次级电子近似平行地进入第一物镜107中。次级电子的射束的束直径在第一物镜107中也保持较小。第一物镜107现在强烈作用于次级电子并且产生具有相对于光轴OA足够陡的角度的相对短的次级电子聚焦，使得次级电子在聚焦之后进一步彼此分散并且在第二检测器117的有效面积上命中第二检测器。相反，在物体125处返回散射的电子(即在从物体125中离开时相对于次级电子具有相对较高动能的返回散射电子)仅有很小一部分被第二检测器117记录。在从物体125中离开时返回散射电子的高动能和相对于光轴OA的角度导致返回散射电子的射束腰部，即具有最小直径的射束区域，位于第二检测器117附近。大部分返回散射电子穿过第二检测器117的贯通开口。第一检测器116因此基本上用于记录返回散射电子。
在SEM 100的另外的实施方式中，第一检测器116可以被设计为另外具有反向场格栅116A。反向场格栅116A布置在第一检测器116的指向物体125的一侧。反向场格栅116A相对于射束引导管104的电势具有负电势，使得仅具有高能量的返回散射电子穿过反向场格栅116A到达第一检测器116。附加地或替代地，第二检测器117具有另外的反向场格栅，该另外的反向场格栅类似于第一检测器116的前述的反向场格栅116A而设计并且具有类似的功能。
另外，SEM 100在样本室120中具有样本室检测器119，例如Everhart-Thornley检测器或者具有用金属涂覆的屏蔽光的检测面的离子检测器。
用第一检测器116、第二检测器117和样本室检测器119产生的检测信号用于产生物体125的表面的一个图像或者多个图像。
要明确地指出，第一挡板单元108和第二挡板单元109的挡板开口以及第一检测器116和第二检测器117的贯通开口被夸大地展示。第一检测器116和第二检测器117的贯通开口具有在0.5mm至5mm范围内的垂直于光轴OA的尺寸。例如，它们被设计为圆形的并且具有在1mm至3mm范围内的垂直于光轴OA的直径。
第二挡板单元109在这里所展示的实施方式中被构造为孔板并且设有用于使初级电子射束通过的第二挡板开口118，该第二挡板开口具有在5μm至500μm范围内、例如35μm的尺寸。替代于此，在另一个实施方式中提出，第二挡板单元109设有多个挡板开口，这些挡板开口可以被机械地向初级电子射束偏移或者在使用电和/或磁偏转元件的情况下初级电子射束可以到达这些挡板开口。第二挡板单元109被设计为压力分级板。这个压力分级板将布置有电子源101并且超高真空占主导(10-7hPa至10-12hPa)的第一区域与具有高真空(10- 3hPa至10-7hPa)的第二区域分开。第二区域是射束引导管104的导向样本室120的中间压力区域。
样本室120处于真空下。为了产生真空，在样本室120处布置有泵(未展示)。在图1中展示的实施方式中，样本室120在第一压力范围内或第二压力范围内工作。第一压力范围仅包括小于或等于10-3hPa的压力，而第二压力范围仅包括大于10-3hPa的压力。为了保证这些压力范围，样本室120在真空技术方面是封闭的。
物体固持器114被布置在样本台122上。样本台122形成为在三个彼此垂直布置的方向上可移动，即在x方向(第一载物台轴线)、y方向(第二载物台轴线)和z方向(第三载物台轴线)上。此外，样本台122可以围绕两条彼此垂直布置的旋转轴线(载物台旋转轴线)旋转。本发明不限于上述样本台122。而是，样本台122可以具有另外的平移轴线和旋转轴线，样本台122可以沿着这些平移轴线或绕这些旋转轴线运动。
SEM 100还具有第三检测器121，该第三检测器布置在样本室120中。更准确地说，当从电子源101观察时，第三检测器121沿着光轴OA布置在样本台122之后。样本台122和由此物体固持器114可以这样旋转，使得布置在物体固持器114上的物体125可以被初级电子射束透射。在初级电子射束穿过待研究的物体125时，初级电子射束的电子与待研究的物体125的材料进行相互作用。穿过待研究的物体125的电子由第三检测器121检测。
在样本室120处布置有辐射检测器500，通过该辐射检测器来检测相互作用辐射，例如X射线辐射和/或阴极发光。辐射检测器500、第一检测器116、第二检测器117和样本室检测器119与控制单元123相连，该控制单元具有监视器124。第三检测器121也与控制单元123相连。出于简洁原因，没有对其进行图示。控制单元123处理检测信号，这些检测信号由第一检测器116、第二检测器117、样本室检测器119、第三检测器121和/或辐射检测器500产生并且以图像的形式显示在监视器124上。
控制单元123还具有数据库126，在该数据库中存储有数据并且从该数据库中读出数据。此外，控制单元123还与扫描装置115相连。
SEM 100的控制单元123具有处理器。在该处理器中加载有带有程序代码的计算机程序产品，该程序代码在执行时实施用于操作SEM 100的方法。这将在再下文中详细解说。
图2示出了呈组合设备200形式的粒子辐射设备。组合设备200具有两个粒子辐射柱。一方面，组合设备200设有如在图1中已经展示的SEM 100，但是没有样本室120。而是将SEM 100布置在样本室201处。样本室201处于真空下。为了产生真空，在样本室201处布置有泵(未展示)。在图2中展示的实施方式中，样本室201在第一压力范围内或第二压力范围内工作。第一压力范围仅包括小于或等于10-3hPa的压力，而第二压力范围仅包括大于10-3hPa的压力。为了保证这些压力范围，样本室201在真空技术方面是封闭的。
在样本室201中布置有样本室检测器119，样本室检测器例如被设计为Everhart-Thornley检测器或离子检测器，并且样本室检测器具有屏蔽光的涂覆有金属的检测面。另外，样本室201中布置有第三检测器121。
SEM 100用于产生第一粒子射束，即在以上更靠前已经说明的初级电子射束，并且具有已经在上文提及的光轴，该光轴在图2中设有附图标记709并且在下文中又被称为第一射束轴线。另一方面，组合设备200设有离子辐射设备300，该离子辐射设备同样布置在样本室201处。离子辐射设备300同样具有光轴，该光轴在图2中设有附图标记710并且在下文中又被称为第二射束轴线。
SEM 100相对于样本室201竖直布置。相反，离子辐射设备300被布置为相对于SEM100倾斜约0°至90°的角度。在图2中例如展示了约50°的布置。离子辐射设备300具有呈离子射束发生器301形式的第二射束发生器。通过离子射束发生器301产生了离子，这些离子构成呈离子射束形式的第二粒子射束。借助于处于可预先给定的电势下的提取电极302来加速离子。然后，第二粒子射束穿过离子辐射设备300的离子光学器件，其中离子光学器件具有会聚透镜303和第二物镜304。第二物镜304最终产生离子探头，该离子探头聚焦到布置在物体固持器114处的物体125上。物体固持器114被布置在样本台122上。
在第二物镜304上方(即，在朝向离子射束发生器301的方向上)布置有可调节的或可选择的挡板306、第一电极组件307和第二电极组件308，其中第一电极组件307和第二电极组件308被设计为扫描电极。借助第一电极组件307和第二电极组件308，使第二粒子射束扫描过(或扫过)物体125的表面，其中第一电极组件307在第一方向上起作用，并且第二电极组件308在与第一方向相反的第二方向上起作用。因此例如在x方向上进行扫描。通过将第一电极组件307和第二电极组件308处的旋转了90°的另外的电极(未展示)，在与x方向垂直的y方向上进行扫描。
如上所述，物体固持器114布置在样本台122上。在图2中所示的实施例中，样本台122也形成为在三个彼此垂直布置的方向上可移动，即在x方向(第一载物台轴线)、y方向(第二载物台轴线)和z方向(第三载物台轴线)上。此外，样本台122可以围绕两条彼此垂直布置的旋转轴线(载物台旋转轴线)旋转。
在图2中示出的组合设备200的各个单元之间的距离被夸大地示出，以便更好地展示组合设备200的各个单元。
在样本室201处布置有辐射检测器500，通过该辐射检测器来检测相互作用辐射，例如X射线辐射和/或阴极发光。辐射检测器500与控制单元123相连，该控制单元具有监视器124。
控制单元123处理检测信号，这些检测信号由第一检测器116、第二检测器117(在图2中未示出)、样本室检测器119、第三检测器121和/或辐射检测器500产生并且以图像的形式显示在监视器124上。
控制单元123还具有数据库126，在该数据库中存储有数据并且从该数据库中读出数据。此外，控制单元123还与扫描装置115相连。
组合设备200的控制单元123具有处理器。在该处理器中加载有带有程序代码的计算机程序产品，该程序代码在执行时实施用于操作组合设备200的方法。这将在再下文中详细解说。
图3示出了根据本发明的粒子辐射设备的另一个实施方式的示意图。粒子辐射设备的这个实施方式设有附图标记400并且包括用于例如校正颜色失真和/或球形失真的反射镜校正器。粒子辐射设备400包括粒子辐射柱401，该粒子辐射柱形成为电子辐射柱并且基本上对应于经校正的SEM的电子辐射柱。然而，粒子辐射设备400不受限于具有反射镜校正器的SEM。而是粒子辐射设备可以包括任何类型的校正器单元。
粒子辐射柱401包括呈电子源402(阴极)形式的粒子射束发生器、提取电极403和阳极404。例如电子源402被设计为热场发射器。从电子源402离开的电子由于电子源402与阳极404之间的电势差而朝向阳极404加速。据此，呈电子射束形式的粒子射束沿着第一光轴OA1形成。
在粒子射束从电子源402中离开之后沿着射束路径引导粒子射束，该射束路径对应于第一光轴OA1。为了引导粒子射束，使用第一静电透镜405、第二静电透镜406和第三静电透镜407。
另外在使用射束引导装置的情况下沿着射束路径调节粒子射束。这个实施方式的射束引导装置包括源调节单元，该源调节单元具有沿着第一光轴OA1布置的两个磁性偏转单元408。此外，粒子辐射设备400包括静电射束偏转单元。在另外的实施方式中还被设计为四极杆的第一静电射束偏转单元409布置在第二静电透镜406与第三静电透镜407之间。第一静电射束偏转单元409同样布置在磁性偏转单元408之后。呈第一磁性偏转单元形式的第一多极单元409A布置在第一静电射束偏转单元409的一侧。此外，呈第二磁性偏转单元形式的第二多极单元409B布置在第一静电射束偏转单元409的另一个侧。第一静电射束偏转单元409、第一多极单元409A和第二多极单元409B被调节用于相对于第三静电透镜407的轴线和射束偏转装置410的入口窗口来调节粒子射束。第一静电射束偏转单元409、第一多极单元409A和第二多极单元409B可以如维恩过滤器(Wienfilter)一样共同作用。在射束偏转装置410的入口处布置有另外的磁性偏转元件432。
射束偏转装置410用作粒子射束偏转器，该粒子射束偏转器以特定方式偏转粒子射束。射束偏转装置410包括多个磁性扇区，即第一磁性扇区411A、第二磁性扇区411B、第三磁性扇区411C、第四磁性扇区411D、第五磁性扇区411E、第六磁性扇区411F和第七磁性扇区411G。粒子射束沿着第一光轴OA1进入射束偏转装置410并且通过射束偏转装置410向第二光轴OA2的方向偏转。射束借助于第一磁性扇区411A、第二磁性扇区411B和第三磁性扇区411C偏转30°至120°的角度。第二光轴OA2被定向成与第一光轴OA1的角度相同。射束偏转装置410还将沿着第二光轴OA2被引导的粒子射束偏转，确切地说是向第三光轴OA3的方向上。通过第三磁性扇区411C、第四磁性扇区411D和第五磁性扇区411E来提供射束偏转。在图3中的实施方式中，向第二光轴OA2和向第三光轴OA3的偏转通过将粒子射束偏转90°的角度来提供。因此第三光轴OA3与第一光轴OA1同轴地延伸。但是要指出的是，粒子辐射设备400在此描述的本发明中不限于90°的偏转角度。而是可以通过射束偏转装置410选择任何适合的偏转角度，例如70°或110°，使得第一光轴OA1与第三光轴OA3不同轴延伸。关于射束偏转装置410的另外的细节，参见WO 2002/067286 A2。
在粒子射束已经被第一磁性扇区411A、第二磁性扇区411B和第三磁性扇区411C偏转之后，沿着第二光轴OA2引导粒子射束。将粒子射束引导到静电反射镜414并且粒子射束在其通向静电反射镜414的路径上沿着第四静电透镜415、呈磁性偏转单元形式的第三多极单元416A、第二静电射束偏转单元416、第三静电射束偏转单元417和呈磁性偏转单元形式的第四多极单元416B前进。静电反射镜414包括第一反射镜电极413A、第二反射镜电极413B和第三反射镜电极413C。粒子射束的在静电反射镜414处返回反射的电子再次沿着第二光轴OA2前进并且再次进入射束偏转装置410。这些电子然后被第三磁性扇区411C、第四磁性扇区411D和第五磁性扇区411E偏转到第三光轴OA3。
粒子射束的电子从射束偏转装置410中离开并且沿着第三光轴OA3被引导至物体425，该物体应当被研究并且布置在物体固持器114中。在通向物体425的路径上，粒子射束被引导到第五静电透镜418、射束引导管420、第五多极单元418A、第六多极单元418B和物镜421。第五静电透镜418是静电的浸没透镜。粒子射束被第五静电透镜418制动或加速到射束引导管420的电势。
粒子射束通过物镜421聚焦到布置有物体425的焦平面中。物体固持器114布置在可运动的样本台424上。可运动的样本台424布置在粒子辐射设备400的样本室426中。样本台424形成为在三个彼此垂直布置的方向上可移动，即在x方向(第一载物台轴线)、y方向(第二载物台轴线)和z方向(第三载物台轴线)上。此外，样本台424可以围绕两条彼此垂直布置的旋转轴线(载物台旋转轴线)旋转。
样本室426处于真空下。为了产生真空，在样本室426处布置有泵(未展示)。在图3中展示的实施方式中，样本室426在第一压力范围内或第二压力范围内工作。第一压力范围仅包括小于或等于10-3hPa的压力，而第二压力范围仅包括大于10-3hPa的压力。为了保证这些压力范围，样本室426在真空技术方面是封闭的。
物镜421可以被设计为磁性透镜422和第六静电透镜423的组合。射束引导管420的末端也可以是静电透镜的电极。粒子辐射设备的粒子在其从射束引导管420离开之后被制动到物体425的电势。物镜421并不受限于磁性透镜422和第六静电透镜423的组合。而是物镜421可以采取任何适合的形式。例如物镜421还可以被设计为纯粹的磁性透镜或纯粹的静电透镜。
聚焦到物体425上的粒子射束与物体425发生相互作用。产生了相互作用粒子。尤其从物体425发射了次级电子或者在物体425处返回散射了返回散射电子。次级电子或返回散射电子再次被加速并且沿着第三光轴OA3被引导到射束引导管420中。次级电子和返回散射电子的轨迹尤其在粒子射束的射束走向的路程上在与粒子射束相反的方向上延伸。
粒子辐射设备400包括第一分析检测器419，该第一分析检测器沿着射束路径布置在射束偏转装置410与物镜421之间。在相对于第三光轴OA3成较大角度定向的方向上前进的次级电子被第一分析检测器419检测。相对于第三光轴OA3在第一分析检测器419的位置处具有小的轴间距的返回散射电子和次级电子(也就是说，在第一分析检测器419的位置处与第三光轴OA3具有小间距的返回散射电子和次级电子)进入射束偏转装置410并且被第五磁性扇区411E、第六磁性扇区411F和第七磁性扇区411G沿着检测射束路径427偏转到第二分析检测器428。偏转角度例如为90°或110°。
第一分析检测器419产生检测信号，这些检测信号基本上通过所发射的次级电子产生。由第一分析检测器419产生的检测信号被引导到控制单元123并且被用于获取关于所聚焦的粒子射束与物体425的相互作用范围的特性的信息。尤其通过使用扫描装置429来使所聚焦的粒子射束扫过物体425。通过由第一分析检测器419产生的检测信号，然后可以产生物体425的经扫描过的区域的图像并且该图像被显示在显示单元上。显示单元例如为布置在控制单元123处的监视器124。
第二分析检测器428也与控制单元123相连。第二分析检测器428的检测信号被引导到控制单元123并且用于产生物体425的经扫描过的区域的图像并且该图像被显示在显示单元上。显示单元例如为布置在控制单元123处的监视器124。
在样本室426处布置有辐射检测器500，通过该辐射检测器来检测相互作用辐射，例如X射线辐射和/或阴极发光。辐射检测器500与控制单元123相连，该控制单元具有监视器124。控制单元123处理辐射检测器500的检测信号并且以图像的形式将其显示在监视器124上。
控制单元123还具有数据库126，在该数据库中存储有数据并且从该数据库中读出数据。此外，控制单元123还与扫描装置429相连。
粒子辐射设备400的控制单元123具有处理器。在该处理器中加载有带有程序代码的计算机程序产品，该程序代码在执行时实施用于操作粒子辐射设备400的方法。
图4示出了根据图1的SEM 100的扫描装置115的实施方式。下面将阐述该实施方式。相对应的内容也适用于根据图3的粒子辐射设备400的扫描装置429。
扫描装置115具有数字-模拟转换器601。数字-模拟转换器601藉由第一信号线路701与控制单元123在传导技术上相连。数字-模拟转换器601例如被设计为具有8位分辨率、12位分辨率或16位分辨率的数字-模拟转换器。明确地指出，本发明不限于前述数字-模拟转换器。而是适合于本发明的任何类型的数字-模拟转换器都可以用于本发明。
此外，扫描装置115具有第一放大器单元602和第二放大器单元603。第一放大器单元602例如被设计为前置放大器。此外，第二放大器单元603例如被设计为主放大器。第一放大器单元602藉由第二信号线路702在传导技术上与数字-模拟转换器601相连接。此外，第一放大器单元602藉由第三信号线路703在传导技术上与第二放大器单元603相连接。据此，第一放大器单元602被布置在数字-模拟转换器601与第二放大器单元603之间。此外，扫描装置115具有扫描单元604，该扫描单元藉由第四信号线路704与第二放大器单元603在传导技术上相连接。
控制单元123不仅用来操控数字-模拟转换器601。而是控制单元123还藉由第一控制线路705与第一放大器单元602在传导技术上相连接。此外，控制单元123与第二放大器单元603藉由第二控制线路706在传导技术上相连接。此外，控制单元123与扫描单元604藉由第三控制线路707在传导技术上相连接。
扫描单元604具有第一线圈单元605和第二线圈单元606。借助于第一线圈单元605和第二线圈单元606来使初级电子射束扫过物体125的表面。第一线圈单元605在第一方向上起作用，并且第二线圈单元606在与第一方向垂直地定向的第二方向上起作用。第一线圈单元605包括第一线圈对607。而第二线圈单元606包括第二线圈对608。
图5示出了根据本发明的方法的实施方式的第一部分，该方法是用根据图1的SEM100来实施的。针对根据本发明的方法的该实施方式的执行，在以上更靠前所述的粒子辐射设备200和400的情况下对应的内容是适用的。
在方法步骤S1中选择SEM 100的放大倍率。放大倍率基本上为物体125的放大倍率。换言之，物体125的放大倍率是物体125的所生成的图像的大小与物体125的实际大小彼此间的比值。例如，放大倍率处于10倍至2000000倍的总范围内。例如，总范围具有四个子范围，即第一放大倍率范围、第二放大倍率范围、第三放大倍率范围和第四放大倍率范围。第一放大倍率范围例如包括处于10倍到500倍的范围内的放大倍率。而第二放大倍率范围包括处于大于500倍到10000倍的范围内的放大倍率。此外，第三放大倍率范围包括处于大于10000倍到1000000倍的范围内的放大倍率。此外，第四放大倍率范围包括处于大于1000000倍到2000000倍的范围内的放大倍率。明确地指出，本发明不限于上述对放大倍率范围的划分。而是适合于本发明的任何划分都可以用于对放大倍率范围的划分。在方法步骤S1中现在从放大倍率范围之一中选择一个放大倍率。这个放大倍率范围例如是第一放大倍率范围。通过借助于控制单元123操控第一放大器单元602和第二放大器单元603来进行选择。
在方法步骤S2中，通过使用第一信号线路701将数字控制信号从控制单元123输送至数字-模拟转换器601。数字控制信号用于引导初级电子射束经过物体125。换言之，数字控制信号用于将初级电子射束引导至应进行成像、加工和/或分析的物体125的位置。
在方法步骤S3中，现在基于该数字控制信号，借助于数字-模拟转换器601生成模拟控制信号。
在进一步的方法步骤S4中，通过使用第二信号线路702将模拟控制信号从数字-模拟转换器601引导至第一放大器单元602。此外，在方法步骤S5中，基于该模拟控制信号，借助于第一放大器单元602生成模拟第一放大器信号。
在方法步骤S6中，通过使用第三信号线路703将模拟第一放大器信号从第一放大器单元602引导至第二放大器单元603。随后在方法步骤S7中，基于该模拟第一放大器信号，借助于第二放大器单元603生成模拟第二放大器信号。
在方法步骤S8中，借助于控制单元123来确定从对应的放大倍率范围中选出的放大倍率与另外的放大倍率范围的边界是否有偏差。在此上述放大倍率范围是不同的。如果例如是从第一放大倍率范围选出放大倍率的并且另外的放大倍率范围是第二放大倍率范围，那么第一放大倍率范围与第二放大倍率范围是不同的。第一放大倍率范围所包括的SEM100的放大倍率小于来自第二放大倍率范围的SEM 100的放大倍率。换言之，在方法步骤S8中检查：从对应的放大倍率范围(例如第一放大倍率范围)选出的放大倍率是否与另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)的边界相隔开，和/或从对应的放大倍率范围(例如第一放大倍率范围)选出的放大倍率是否处于介于另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)的边界与对应的放大倍率范围(例如第一放大倍率范围)的可预先给定的放大倍率之间的可预先给定的范围内。将对应的放大倍率范围(例如第一放大倍率范围)与另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)之间的边界用作另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)的边界，其中对应的放大倍率范围(例如第一放大倍率范围)和另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)在该边界处交界。边界例如是与对应的放大倍率范围(例如第一放大倍率范围)和/或另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)相关联的值或子范围。上述可预先给定的放大倍率(即上述可预先给定的值)例如是与上述边界相差的放大倍率值为10。边界和可预先给定的值界定边界范围。如果所选出的放大倍率处于这个边界范围内，那么所选出的放大倍率的偏差小于可预先给定的值。例如，上述边界是500倍的放大倍率，并且可预先给定的值是490倍的放大倍率。如果所选出的放大倍率处于500倍与490倍之间的范围内，那么所选出的放大倍率的偏差小于可预先给定的值。
图6示出了根据本发明的方法的实施方式的第二部分。在方法步骤S9中，借助于控制单元123来确定物体125的表面上的、初级电子射束应被引导到的像素的数量是否低于可预先给定的像素阈值。像素阈值例如为可预先给定的像素的数量(尤其4096或16384)。替代于此提出的是，像素阈值是像素的第一数量和像素的第二数量彼此间的比值。例如，在上述确定像素的数量之前，通过借助于控制单元123将像素的数量从第一值调整为第二值来改变像素的数量。换言之，借助于控制单元123来使粒子射束应被引导到的像素的数量从第一值变为第二值。例如，借助于控制单元123操控数字-模拟转换器601，使得像素的数量从第一值变为第二值。尤其，第一值是像素的数量为1024。此外，第二值例如是像素的数量为4096。明确地指出，本发明不限于前述值。而是可以使用适合于本发明的任何值。附加地，例如提出的是，将该第二值与该第一值彼此间的比值用作像素阈值。例如将以下比值之一用作比值：大于或等于2、大于或等于4、大于或等于8。
在方法步骤S10中，现在检查从对应的放大倍率范围(例如第一放大倍率范围)中选出的放大倍率与另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)的边界是否有上述偏差以及该偏差是否小于可预先给定的值。如上文所述的，可预先给定的值例如是与上述边界相差的放大倍率值为10。边界和可预先给定的值界定边界范围。如果所选出的放大倍率处于这个边界范围内，那么所选出的放大倍率的偏差小于可预先给定的值。如果从对应的放大倍率范围(例如第一放大倍率范围)中选出的放大倍率与另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)的边界有上述偏差以及该偏差小于可预先给定的值，那么进行方法步骤S11。例如，上述边界是500倍的放大倍率，并且可预先给定的值是490倍的放大倍率。如果所选出的放大倍率处于500倍与490倍之间的范围内，那么所选出的放大倍率的偏差小于可预先给定的值。
在方法步骤S11中，检查像素的数量是否低于可预先给定的像素阈值。如果像素的数量低于可预先给定的像素阈值，那么在无需将来自对应的放大倍率范围(例如第一放大倍率范围)的放大倍率切换为来自另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)的放大倍率的情况下执行方法步骤S12至S14。在方法步骤S12中，通过使用第四信号线路704将模拟第二放大器信号从第二放大器单元603输送至扫描单元604。此外在方法步骤S13中，通过使用扫描单元604引导初级电子射束经过物体125。此外在方法步骤S14中，利用初级电子射束对物体125进行成像、加工和/或分析。
如果在方法步骤S10中确定从对应的放大倍率范围(例如第一放大倍率范围)中选出的放大倍率与另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)的边界有偏差以及该偏差大于可预先给定的值，那么在方法步骤S10后执行方法步骤S12至S14。
图7示出了根据本发明的方法的实施方式的第三部分。如果在方法步骤S11中确定像素的数量高于可预先给定的像素阈值，那么执行方法步骤S15至S18。在方法步骤S15中，通过使用控制单元123来操控第一放大器单元602和第二放大器单元603来从SEM 100的另一放大倍率范围、尤其另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)中选择一个放大倍率。此外在方法步骤S16中，通过使用第四信号线路704将模拟第二放大器信号从第二放大器单元603输送至扫描单元604。在方法步骤S17中，通过使用扫描单元604引导初级电子射束经过物体125。此外，在方法步骤S18中，利用初级电子射束对物体125进行成像、加工和/或分析。
图8示出了根据本发明的方法的另一个实施方式，该方法是用根据图1的SEM 100来实施的。针对根据本发明的方法的该实施方式的执行，在以上更靠前所述的粒子辐射设备200和400的情况下对应的内容是适用的。
根据本发明的方法的另一个实施方式同样具有已在图5中展示的并且在以上更靠前所阐述的方法步骤S1至S8。参考对应的实施方案。这些实施方案也适用于根据本发明的方法的另一个实施方式。
在方法步骤S8后，在根据本发明的方法的另一个实施方式中进行方法步骤S9A。在方法步骤S9A中，借助于控制单元123来确定物体125的表面上的、初级电子射束应被引导到的所有像素或一部分像素是否小于可预先给定的像素大小。例如，将小于500nm、小于100nm、小于20nm、小于5nm或小于1nm的像素大小用作可预先给定的像素大小。明确地指出，本发明不限于前述像素大小。而是可以使用适合于本发明的任何像素大小。
在方法步骤S10A中，现在检查从对应的放大倍率范围(例如第一放大倍率范围)中选出的放大倍率与另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)的边界是否有上述偏差以及该偏差是否小于可预先给定的值。可预先给定的值例如是与上述边界相差的放大倍率值为10。边界和可预先给定的值界定边界范围。如果所选出的放大倍率处于这个边界范围内，那么所选出的放大倍率的偏差小于可预先给定的值。如果从对应的放大倍率范围(例如第一放大倍率范围)中选出的放大倍率与另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)的边界有上述偏差以及该偏差小于可预先给定的值，那么进行方法步骤S11A。
在方法步骤S11A中，检查物体125的表面上的、粒子射束应被引导到的像素是否小于可预先给定的像素大小。如果像素小于可预先给定的像素大小，那么在无需将来自对应的放大倍率范围(例如第一放大倍率范围)的放大倍率切换为来自另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)的放大倍率的情况下执行方法步骤S12A至S14A。在方法步骤S12A中，通过使用第四信号线路704将模拟第二放大器信号从第二放大器单元603输送至扫描单元604。此外在方法步骤S13A中，通过使用扫描单元604引导初级电子射束经过物体125。此外在方法步骤S14A中，利用初级电子射束对物体125进行成像、加工和/或分析。
如果在方法步骤S10A中确定从对应的放大倍率范围(例如第一放大倍率范围)中选出的放大倍率与另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)的边界有偏差以及该偏差大于可预先给定的值，那么在方法步骤S10A后执行方法步骤S12A至S14A。
如果在方法步骤S11A中确定像素或像素的一部分大于可预先给定的像素大小或者具有可预先给定的像素大小，那么执行根据图7的方法步骤S15至S18。参考以上更靠前的也适用于这种情况的阐述。
图9示出了根据本发明的方法的还另外的实施方式，该方法是用根据图1的SEM100来实施的。针对根据本发明的方法的该实施方式的执行，在以上更靠前所述的两种粒子辐射设备200和400的情况下对应的内容是适用的。
根据本发明的方法的还另外的实施方式同样具有已在图5中展示的并且在以上更靠前所阐述的方法步骤S1至S8。参考对应的实施方案。这些实施方案也适用于根据本发明的方法的还另外的实施方式。
在方法步骤S8后，在根据本发明的方法的另外的实施方式中进行方法步骤S9B。在方法步骤S9B借助于控制单元123来确定：在放大倍率从SEM100的对应的放大倍率范围(例如第一放大倍率范围)中选出的情况下初级电子射束借助扫描单元604沿可预先给定的方向能够偏转多少距离。此外在方法步骤S9C中，用控制单元123来检查在放大倍率来自SEM100的另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)下初级电子射束借助扫描单元604沿可预先给定的方向能够偏转的距离是否大于预先确定的距离。
在方法步骤S10B中，现在检查从对应的放大倍率范围(例如第一放大倍率范围)中选出的放大倍率与另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)的边界是否有上述偏差以及偏差是否小于可预先给定的值。可预先给定的值例如是与上述边界相差的放大倍率值为10。边界和可预先给定的值界定边界范围。如果所选出的放大倍率处于这个边界范围内，那么所选出的放大倍率与边界的偏差小于可预先给定的值。如果从对应的放大倍率范围(例如第一放大倍率范围)中选出的放大倍率与另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)的边界有上述偏差以及该偏差小于可预先给定的值，那么进行方法步骤S11B。
在方法步骤S11B中检查在放大倍率来自SEM 100的另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)的情况下初级电子射束借助扫描单元604沿可预先给定的方向能够偏转的距离是否小于所确定的距离。如果初级电子射束能够偏转的距离小于所确定的距离，那么在无需将来自对应的放大倍率范围(例如第一放大倍率范围)的放大倍率切换为来自另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)的放大倍率的情况下执行方法步骤S12B至S14B。在方法步骤S12B中，通过使用第四信号线路704将模拟第二放大器信号从第二放大器单元603输送至扫描单元604。此外在方法步骤S13B中，通过使用扫描单元604引导初级电子射束经过物体125。此外在方法步骤S14B中，利用初级电子射束对物体125进行成像、加工和/或分析。
如果在方法步骤S10B中确定从对应的放大倍率范围(例如第一放大倍率范围)中选出的放大倍率与另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)的边界有偏差以及该偏差大于可预先给定的值，那么在方法步骤S10B后执行方法步骤S12B至S14B。
如果在方法步骤S11B中确定在放大倍率来自SEM 100的另外的放大倍率范围(例如第二放大倍率范围)的情况下初级电子射束借助扫描单元604沿可预先给定的方向能够偏转的距离大于所确定的距离或者正好是所确定的距离，那么执行根据图7的方法步骤S15至S18。参考以上更靠前的也适用于这种情况的阐述。
因此本发明提出，即使模拟第二放大器信号可能出现在扫描装置115的本发明所使用的电子构件的背景噪声中，也不针对放大倍率执行切换。因此，本发明教导了与现有技术所提出的以及本领域技术人员实际所实施的恰好相反的内容。
在本说明书中、附图中以及在权利要求中公开的本发明特征单独地以及以任意组合对于以其不同实施方式实现本发明而言是重要的。本发明并不受限于所说明的实施方式。本发明可以在权利要求的范围内并且在考虑到相关领域技术人员的知识的情况下改变。
附图标记清单
100 SEM
101 电子源
102 提取电极
103 阳极
104 射束引导管
105 第一会聚透镜
106 第二会聚透镜
107 第一物镜
108 第一挡板单元
108A 第一挡板开口
109 第二挡板单元
110 极靴
111 线圈
112 单独的电极
113 管状电极
114 物体固持器
115 扫描装置
116 第一检测器
116A 反向场格栅
117 第二检测器
118 第二挡板开口
119 样本室检测器
120 样本室
121 第三检测器
122 样本台
123 带有处理器的控制单元
124 监视器
125 物体
126 数据库
200 组合设备
201 样本室
300 离子辐射设备
301 离子射束发生器
302 离子辐射设备中的提取电极
303 会聚透镜
304 第二物镜
306 可调节的或可选择的挡板
307 第一电极组件
308 第二电极组件
400 具有校正器单元的粒子辐射设备
401 粒子辐射柱
402 电子源
403 提取电极
404 阳极
405 第一静电透镜
406 第二静电透镜
407 第三静电透镜
408 磁性偏转单元
409 第一静电射束偏转单元
409A 第一多极单元
409B 第二多极单元
410 射束偏转装置
411A 第一磁性扇区
411B 第二磁性扇区
411C 第三磁性扇区
411D 第四磁性扇区
411E 第五磁性扇区
411F 第六磁性扇区
411G 第七磁性扇区
413A 第一反射镜电极
413B 第二反射镜电极
413C 第三反射镜电极
414 静电反射镜
415 第四静电透镜
416 第二静电射束偏转单元
416A 第三多极单元
416B 第四多极单元
417 第三静电射束偏转单元
418 第五静电透镜
418A 第五多极单元
418B 第六多极单元
419 第一分析检测器
420 射束引导管
421 物镜
422 磁性透镜
423 第六静电透镜
424 样本台
425 物体
426 样本室
427 检测射束路径
428 第二分析检测器
429 扫描装置
432 另外的磁性偏转元件
500 辐射检测器
601 数字-模拟转换器
602 第一放大器单元
603 第二放大器单元
604 扫描单元
605 第一线圈单元
606 第二线圈单元
607 第一线圈对
608 第二线圈对
701 第一信号线路
702 第二信号线路
703 第三信号线路
704 第四信号线路
705 第一控制线路
706 第二控制线路
707 第三控制线路
709 第一射束轴线
710 第二射束轴线
OA 光轴
OA1 第一光轴
OA2 第二光轴
OA3 第三光轴
S1至S18 方法步骤
S9A至S14A 方法步骤
S9B至S14B 方法步骤
S9C 方法步骤

Claims (16)

1.一种用于操作粒子辐射设备(100，200，400)的方法，该粒子辐射设备利用具有带电粒子的粒子射束对物体(125，425)进行成像、加工和/或分析，其中该方法包括以下步骤：
-通过使用该粒子辐射设备(100，200，400)的控制单元(123)操控第一放大器单元(602)和第二放大器单元(603)来从该粒子辐射设备(100，200，400)的第一放大倍率范围中选择一个放大倍率；
-通过使用将该控制单元(123)与该粒子辐射设备(100，200，400)的数字-模拟转换器(601)相连的第一信号线路(701)，将数字控制信号从该控制单元(123)输送至该数字-模拟转换器(601)，其中该数字控制信号用来引导该粒子射束经过该物体(125，425)；
-基于该数字控制信号，借助该数字-模拟转换器(601)生成模拟控制信号；
-通过使用将该数字-模拟转换器(601)与该第一放大器单元(602)相连的第二信号线路(702)，将该模拟控制信号从该粒子辐射设备(100，200，400)的数字-模拟转换器(601)输送至该第一放大器单元(602)；
-基于该模拟控制信号，借助于该第一放大器单元(602)生成模拟第一放大器信号；
-通过使用第三信号线路(703)，将该模拟第一放大器信号从该粒子辐射设备(100，200，400)的第一放大器单元(602)输送至该第二放大器单元(603)，其中该第一放大器单元(602)被布置在该数字-模拟转换器(601)与该第二放大器单元(603)之间，并且其中该第三信号线路(703)将该第一放大器单元(602)与该第二放大器单元(603)相连；
-基于该模拟第一放大器信号，借助于该第二放大器单元(603)生成模拟第二放大器信号；
-通过使用该粒子辐射设备(100，200，400)的控制单元(123)来确定从该第一放大倍率范围中选出的放大倍率与第二放大倍率范围的边界是否有偏差，其中该第一放大倍率范围和该第二放大倍率范围是不同的，其中该第一放大倍率范围所包括的该粒子辐射设备(100，200，400)的放大倍率小于来自该第二放大倍率范围的该粒子辐射设备(100，200，400)的放大倍率；
-确定该物体(125，425)的表面上的、该粒子射束应被引导到的像素的数量是否低于可预先给定的像素阈值；以及
-如果(a)所选出的放大倍率与该第二放大倍率范围的边界有偏差以及该偏差小于可预先给定的值，并且如果(b)这些像素的数量低于该可预先给定的像素阈值，则在无需将该放大倍率切换到来自该第二放大倍率范围的放大倍率的情况下执行以下步骤：
(i)通过使用将该第二放大器单元(603)与该粒子辐射设备(100，200，400)的扫描单元(604)相连的第四信号线路(704)，将该模拟第二放大器信号从该第二放大器单元(603)输送至该扫描单元(604)；
(ii)通过使用该扫描单元(604)引导该粒子辐射设备(100，200，400)的粒子射束经过该物体(125，425)；以及
(iii)利用该粒子射束对该物体(125，425)进行成像、加工和/或分析。
2.根据权利要求1所述的方法，其中该方法包括以下步骤：如果(a)所选出的放大倍率与该第二放大倍率范围的边界有偏差以及该偏差小于可预先给定的值，并且如果(b)这些像素的数量大于该可预先给定的像素阈值，则执行以下步骤：
(i)通过使用该粒子辐射设备(100，200，400)的控制单元(123)操控该第一放大器单元(602)和该第二放大器单元(603)来从该粒子辐射设备(100，200，400)的第二放大倍率范围中选择一个放大倍率；
(ii)通过使用将该第二放大器单元(603)与该粒子辐射设备(100，200，400)的扫描单元(604)相连的该第四信号线路(704)，将该模拟第二放大器信号从该第二放大器单元(603)输送至该扫描单元(604)；
(iii)通过使用该扫描单元(604)引导该粒子辐射设备(100，200，400)的粒子射束经过该物体(125，425)；以及
(iv)利用该粒子射束对该物体(125，425)进行成像、加工和/或分析。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中该方法包括以下步骤：
-在确定该粒子射束应被引导到的像素的数量之前，通过将这些像素的数量从第一值调整为第二值来改变这些像素的数量；以及
-将该第二值与该第一值彼此间的比值用作像素阈值。
4.根据权利要求3所述的方法，其中该方法包括以下步骤中的一个步骤：
(i)将大于或等于2的比值用作比值；
(ii)将大于或等于4的比值用作比值；
(iii)将大于或等于8的比值用作比值。
5.一种用于操作粒子辐射设备(100，200，400)的方法，该粒子辐射设备利用具有带电粒子的粒子射束对物体(125，425)进行成像、加工和/或分析，其中该方法包括以下步骤：
-通过使用该粒子辐射设备(100，200，400)的控制单元(123)操控第一放大器单元(602)和第二放大器单元(603)来从该粒子辐射设备(100，200，400)的第一放大倍率范围中选择一个放大倍率；
-通过使用将该控制单元(123)与该粒子辐射设备(100，200，400)的数字-模拟转换器(601)相连的第一信号线路(701)，将数字控制信号从该控制单元(123)输送至该数字-模拟转换器(601)，其中该数字控制信号用来引导该粒子射束经过该物体(125，425)；
-基于该数字控制信号，借助该数字-模拟转换器(601)生成模拟控制信号；
-通过使用将该数字-模拟转换器(601)与该第一放大器单元(602)相连的第二信号线路(702)，将该模拟控制信号从该粒子辐射设备(100，200，400)的数字-模拟转换器(601)输送至该第一放大器单元(602)；
-基于该模拟控制信号，借助于该第一放大器单元(602)生成模拟第一放大器信号；
-通过使用第三信号线路(703)，将该模拟第一放大器信号从该粒子辐射设备(100，200，400)的第一放大器单元(602)输送至该第二放大器单元(603)，其中该第一放大器单元(602)被布置在该数字-模拟转换器(601)与该第二放大器单元(603)之间，并且其中该第三信号线路(703)将该第一放大器单元(602)与该第二放大器单元(603)相连；
-基于该模拟第一放大器信号，借助于该第二放大器单元(603)生成模拟第二放大器信号；
-通过使用该粒子辐射设备(100，200，400)的控制单元(123)来确定从该第一放大倍率范围中选出的放大倍率与第二放大倍率范围的边界是否有偏差，其中该第一放大倍率范围和该第二放大倍率范围是不同的，其中该第一放大倍率范围所包括的该粒子辐射设备(100，200，400)的放大倍率小于来自该第二放大倍率范围的该粒子辐射设备(100，200，400)的放大倍率；
-确定该物体(125，425)的表面上的、该粒子射束应被引导到的像素是否小于可预先给定的像素大小；以及
-如果(a)所选出的放大倍率与该第二放大倍率范围的边界有偏差以及该偏差小于可预先给定的值，并且如果(b)这些像素小于该可预先给定的像素大小，则在无需将该放大倍率切换到来自该第二放大倍率范围的放大倍率的情况下执行以下步骤：
(i)通过使用将该第二放大器单元(603)与该粒子辐射设备(100，200，400)的扫描单元(604)相连的第四信号线路(704)，将该模拟第二放大器信号从该第二放大器单元(603)输送至该扫描单元(604)；
(ii)通过使用该扫描单元(604)引导该粒子辐射设备(100，200，400)的粒子射束经过该物体(125，425)；以及
(iii)利用该粒子射束对该物体(125，425)进行成像、加工和/或分析。
6.根据权利要求5所述的方法，其中该方法包括以下步骤：如果(a)所选出的放大倍率与该第二放大倍率范围的边界有偏差以及该偏差小于可预先给定的值，并且如果(b)这些像素大于该可预先给定的像素大小，则执行以下步骤：
(i)通过使用该粒子辐射设备(100，200，400)的控制单元(123)操控该第一放大器单元(602)和该第二放大器单元(603)来从该粒子辐射设备(100，200，400)的第二放大倍率范围中选择一个放大倍率；
(ii)通过使用将该第二放大器单元(603)与该粒子辐射设备(100，200，400)的扫描单元(604)相连的该第四信号线路(704)，将该模拟第二放大器信号从该第二放大器单元(603)输送至该扫描单元(604)；
(iii)通过使用该扫描单元(604)引导该粒子辐射设备(100，200，400)的粒子射束经过该物体(125，425)；以及
(iv)利用该粒子射束对该物体(125，425)进行成像、加工和/或分析。
7.根据权利要求5或6所述的方法，其中该方法包括以下步骤：
(i)将小于500nm的像素大小用作可预先给定的像素大小；
(ii)将小于100nm的像素大小用作可预先给定的像素大小；
(iii)将小于20nm的像素大小用作可预先给定的像素大小；
(iv)将小于5nm的像素大小用作可预先给定的像素大小；
(v)将小于1nm的像素大小用作可预先给定的像素大小。
8.一种用于操作粒子辐射设备(100，200，400)的方法，该粒子辐射设备利用具有带电粒子的粒子射束对物体(125，425)进行成像、加工和/或分析，其中该方法包括以下步骤：
-通过使用该粒子辐射设备(100，200，400)的控制单元(123)操控第一放大器单元(602)和第二放大器单元(603)来从该粒子辐射设备的第一放大倍率范围中选择一个放大倍率；
-通过使用将该控制单元(123)与该粒子辐射设备(100，200，400)的数字-模拟转换器(601)相连的第一信号线路(701)，将数字控制信号从该控制单元(123)输送至该数字-模拟转换器(601)，其中该数字控制信号用来引导该粒子射束经过该物体(125，425)；
-基于该数字控制信号，借助该数字-模拟转换器(601)生成模拟控制信号；
-通过使用将该数字-模拟转换器(601)与该第一放大器单元(602)相连的第二信号线路(702)，将该模拟控制信号从该粒子辐射设备(100，200，400)的数字-模拟转换器(601)输送至该第一放大器单元(602)；
-基于该模拟控制信号，借助于该第一放大器单元(602)生成模拟第一放大器信号；
-通过使用第三信号线路(703)，将该模拟第一放大器信号从该粒子辐射设备(100，200，400)的第一放大器单元(602)输送至该第二放大器单元(603)，其中该第一放大器单元(602)被布置在该数字-模拟转换器(601)与该第二放大器单元(603)之间，并且其中该第三信号线路(703)将该第一放大器单元(602)与该第二放大器单元(603)相连；
-基于该模拟第一放大器信号，借助于该第二放大器单元(603)生成模拟第二放大器信号；
-通过使用该粒子辐射设备(100，200，400)的控制单元(123)来确定从该第一放大倍率范围中选出的放大倍率与第二放大倍率范围的边界是否有偏差，其中该第一放大倍率范围和该第二放大倍率范围是不同的，其中该第一放大倍率范围所包括的该粒子辐射设备(100，200，400)的放大倍率小于来自该第二放大倍率范围的该粒子辐射设备(100，200，400)的放大倍率；
-用该控制单元(123)确定在所选出的该粒子辐射设备(100，200，400)的放大倍率下该粒子射束借助于偏转单元(604)沿可预先给定的方向能够偏转多少距离；
-用该控制单元(123)检查在放大倍率来自该粒子辐射设备(100，200，400)的第二放大倍率范围的情况下该粒子射束借助于该偏转单元(604)沿该可预先给定的方向能够偏转的距离是否小于所确定的距离；
-如果(a)所选出的放大倍率与该第二放大倍率范围的边界有偏差以及该偏差小于可预先给定的值，并且如果(b)在放大倍率来自该粒子辐射设备(100，200，400)的第二放大倍率范围的情况下该粒子射束借助于该偏转单元(604)沿该可预先给定的方向能够偏转的距离小于所确定的距离，则在无需将该放大倍率切换到来自该第二放大倍率范围的放大倍率的情况下执行以下步骤：
(i)通过使用将该第二放大器单元(603)与该粒子辐射设备(100，200，400)的扫描单元(604)相连的第四信号线路(704)，将该模拟第二放大器信号从该第二放大器单元(603)输送至该扫描单元(604)；
(ii)通过使用该扫描单元(604)引导该粒子辐射设备(100，200，400)的粒子射束经过该物体(125，425)；以及
(iii)利用该粒子射束对该物体(125，425)进行成像、加工和/或分析。
9.根据权利要求8所述的方法，其中该方法包括以下步骤：如果(a)所选出的放大倍率与该第二放大倍率范围的边界有偏差以及该偏差小于可预先给定的值，并且如果(b)在放大倍率来自该粒子辐射设备(100，200，400)的第二放大倍率范围的情况下该粒子射束借助于该偏转单元(604)沿该可预先给定的方向能够偏转的距离大于所确定的距离，则执行以下步骤：
(i)通过使用该粒子辐射设备(100，200，400)的控制单元(123)操控该第一放大器单元(602)和该第二放大器单元(603)来从该粒子辐射设备(100，200，400)的第二放大倍率范围中选择一个放大倍率；
(ii)通过使用将该第二放大器单元(603)与该粒子辐射设备(100，200，400)的扫描单元(604)相连的该第四信号线路(704)，将该模拟第二放大器信号从该第二放大器单元(603)输送至该扫描单元(604)；
(iii)通过使用该扫描单元(604)引导该粒子辐射设备(100，200，400)的粒子射束经过该物体(125，425)；以及
(iv)利用该粒子射束对该物体(125，425)进行成像、加工和/或分析。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中将该第一放大倍率范围与该第二放大倍率范围之间的边界用作该第二放大倍率范围的边界，其中该第一放大倍率范围和该第二放大倍率范围在该边界处交界。
11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中使用以下步骤中的一个步骤：
(i)将具有10倍到至少500倍的放大倍率的放大倍率范围用作第一放大倍率范围，以及将具有大于500倍的放大倍率的放大倍率范围用作第二放大倍率范围；
(ii)将具有大于500倍到至少1000000倍的放大倍率的放大倍率范围用作第一放大倍率范围，以及将具有大于1000000倍的放大倍率的放大倍率范围用作第二放大倍率范围。
12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中将离子和/或电子用作带电粒子。
13.一种带有程序代码的计算机程序产品，该程序代码能够被加载到处理器(123)中并且该程序代码在执行时控制粒子辐射设备(100，200，400)，使得实施根据前述权利要求中至少一项所述的方法。
14.一种用于利用具有带电粒子的粒子射束对物体(125，425)进行成像、加工和/或分析的粒子辐射设备(100，200，400)，其中该粒子辐射设备(100，200，400)包括：
-至少一个射束发生器(101，301，402)，该至少一个射束发生器用于产生具有带电粒子的粒子射束；
-至少一个物镜(107，304，421)，该至少一个物镜用于将该粒子射束聚焦到该物体(125，425)上；
-至少一个扫描装置(115，429，604)，该至少一个扫描装置用于使该粒子射束扫过该物体(125，425)；
-至少一个控制单元(123)，该至少一个控制单元带有处理器，在该处理器中加载有根据权利要求13所述的计算机程序产品；
-至少一个数字-模拟转换器(601)，该至少一个数字-模拟转换器藉由第一信号线路(701)与该控制单元(123)相连；
-至少一个第一放大器单元(602)，该至少一个第一放大器单元藉由第二信号线路(702)与该数字-模拟转换器(601)相连；
-至少一个第二放大器单元(603)，该至少一个第二放大器单元藉由第三信号线路(703)与该第一放大器单元(602)相连并且藉由第四信号线路(704)与该扫描装置(115，429，604)相连；
-至少一个检测器(116，117，119，121，419，428，500)，该至少一个检测器用于检测从该粒子射束与该物体(125，425)的相互作用得到的相互作用粒子和/或相互作用辐射；以及
-至少一个显示装置(124)，该至少一个显示装置用于显示该物体(125，425)的图像和/或分析结果。
15.根据权利要求14所述的粒子辐射设备(200)，其中该射束发生器(101)被设计为第一射束发生器，并且该粒子射束被设计为具有第一带电粒子的第一粒子射束，其中该物镜(107)被设计为用于将该第一粒子射束聚焦到该物体(125)上的第一物镜，并且其中该粒子辐射设备还具有：
-至少一个第二射束发生器(301)，该至少一个第二射束发生器用于产生具有第二带电粒子的第二粒子射束；以及
-至少一个第二物镜(304)，该至少一个第二物镜用于将该第二粒子射束聚焦到该物体(125)上。
16.根据权利要求14或15所述的粒子辐射设备(100，200，400)，其中该粒子辐射设备(100，200，400)是电子辐射设备和/或离子辐射设备。
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JP4464857B2 (ja) 2005-04-05 2010-05-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
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