CN114928335A - 一种低噪声音频放大器及设备 - Google Patents
一种低噪声音频放大器及设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114928335A CN114928335A CN202210350361.3A CN202210350361A CN114928335A CN 114928335 A CN114928335 A CN 114928335A CN 202210350361 A CN202210350361 A CN 202210350361A CN 114928335 A CN114928335 A CN 114928335A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- circuit
- audio amplifier
- resistor
- output
- noise
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 65
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 64
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 241000282412 Homo Species 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/181—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
- H03F3/183—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/181—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
- H03F3/183—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/185—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本申请实施例提供了一种低噪声音频放大器及设备,所述放大器包括:第一滤波电路,缓冲调节电路,第一反馈电路和信号放大电路;所述第一滤波电路包括第一电容和第一电阻,所述第一电容用于将输入音源的直流电平与音频放大器中芯片的直流电平进行隔离,所述缓冲调节电路设置在所述第一电容和第一电阻之间以降低音频放大器输出噪声,所述第一电阻远离第一电容一端与信号放大电路输入端连接,所述信号放大电路输出端与扬声器连接;所述第一反馈电路与所述信号放大电路并联设置,所述第一反馈电路第一端与所述信号放大电路输入端连接,所述第一反馈电路第二端与信号放大电路输出端连接,所述第一反馈电路用于将信号放大电路输出信号反馈给信号放大电路输入端。本申请实施例提供的音频放大器可以使低频音源不会被输入端衰减的情况下,同时降低了音频放大器的输出噪声。
Description
技术领域
本申请实施例音频放大器技术领域,具体涉及一种低噪声音频放大器及设备。
背景技术
噪声是音频放大器中一个非常重要的指标,噪声越低,音频放大器就越能分辨出极小的音源信号,其动态范围越宽广,输出的音乐也越清晰明了。
现有的音频放大器由于隔直电容的电容值都比较小,为了使低频音源能够更多得输入到音频放大器,就会导致音频放大器的输出噪声很大,所以急需研发一种音频放大器在保证低频音源不被衰减地进入到音频放大器的前提下做到低噪声输出,让消费者可以听到分辨度更清晰的音乐。
发明内容
为此,本申请实施例提供一种低噪声音频放大器及设备,以解决现有技术中低频音源进入音频放大器后,导致的音频放大器的输出噪声比较大的技术问题。
为了实现上述目的,本申请实施例提供如下技术方案:
根据本申请实施例的第一方面,本申请实施例提供了一种低噪声音频放大器,包括:第一滤波电路,缓冲调节电路,第一反馈电路和信号放大电路;
所述第一滤波电路包括第一电容和第一电阻,所述第一电容用于将输入音源的直流电平与音频放大器中芯片的直流电平进行隔离,所述缓冲调节电路设置在所述第一电容和第一电阻之间以降低音频放大器输出噪声,所述第一电阻远离第一电容一端与信号放大电路输入端连接,所述信号放大电路输出端与扬声器连接;
所述第一反馈电路与所述信号放大电路并联设置,所述第一反馈电路第一端与所述信号放大电路输入端连接,所述第一反馈电路第二端与信号放大电路输出端连接,所述第一反馈电路用于将信号放大电路输出信号反馈给信号放大电路输入端。
作为本申请一优选实施例,所述信号放大电路包括运算放大电路和功率放大电路,所述第一电阻远离第一电容一端与运算放大电路输入端连接,所述运算放大电路输出端与所述功率放大电路输入端连接,所述功率放大电路输出端与扬声器连接;
所述第一反馈电路第一端与所述运算放大电路的输入端连接,所述第一反馈电路第二端与功率放大电路输出端连接。
作为本申请一优选实施例,所述音频放大器还包括第二滤波电路,所述第二滤波电路包括第二电容和第二电阻,所述调节电路设置在所述第二电容和第二电阻之间以降低音频放大器输出噪声,所述第二电阻远离第二电容一端与信号放大电路输入端连接。
作为本申请一优选实施例,所述音频放大器还包括第二反馈电路,所述第二反馈电路第一端与所述信号放大电路输入端连接,所述第二反馈电路第二端与信号放大电路输出端连接,所述第二反馈电路用于将信号放大电路输出信号反馈给信号放大电路输入端。
作为本申请一优选实施例,所述音频放大器还包括第一积分电路,所述第一积分电路与所述运算放大电路并联设置,所述第一积分电路第一端与所述运算放大电路输入端连接,所述第一积分电路第二端与运算放大电路输出端连接。
作为本申请一优选实施例,所述音频放大器还包括第二积分电路,所述第二积分电路与所述运算放大电路并联设置,所述第二积分电路第一端与所述运算放大电路输入端连接,所述第二积分电路第二端与运算放大电路输出端连接。
作为本申请一优选实施例,所述缓冲调节电路为缓冲器。
作为本申请一优选实施例,所述缓冲器为CMOS晶体管的有源放大器组成。
与现有技术相比,由于在第一电容的电容值被限制的情况下,第一电阻的电阻值不能太小,否则低频音源就会进入音频放大器,所以就导致音频放大器的输出噪声会很大。本申请通过所述缓冲调节电路将第一电容和第一电阻进行隔离,所以所述第一电阻的电阻值已不受第一电容的限制,所以第一电阻可以选择一个阻值很小的电阻值以降低音频放大器的输出噪声;且所述缓冲调节电路对输入音源的阻抗很大,导致滤波电路的截止频率就很低,以使低频音源不会被输入端衰减,所以本申请实施例可以使低频音源不会被输入端衰减的情况下,同时降低了音频放大器的输出噪声。
第二方面,本申请实施例还提供了一种设备,包括第一方面所述的低噪声音频放大器。
与现有技术相比,本申请实施例提供一种设备的有益效果与第一方面提供的低噪声音频放大器相同,在此不再赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本申请的实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是示例性的,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图引伸获得其它的实施附图。
本说明书所绘示的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供熟悉此技术的人士了解与阅读,并非用以限定本申请可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本申请所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本申请所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。
图1为现有技术提供的一种低噪声音频放大器电路结构示意图;
图2为现有技术提供的另一种低噪声音频放大器电路结构示意图;
图3为现有技术中的滤波电路的截止频率的变化曲线图;
图4为本申请一个实施例提供的一种低噪声音频放大器电路结构示意图;
图5为本申请实施例的滤波电路截止频率的变化曲线图;
图6为本申请另一实施例提供的一种低噪声音频放大器电路结构示意图;
图7为本申请另一实施例提供的一种低噪声音频放大器电路结构示意图;
图8为本申请另一实施例提供的一种低噪声音频放大器电路结构示意图。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本申请的实施方式,熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点及功效,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
如图1所示的现有技术中提供的一种音频放大器,所述音频放大器包括第一滤波电路,第一反溃电路105和信号放大电路;
所述第一滤波电路包括第一电容101和第一电阻102,所述第一电阻102远离第一电容101的一端与信号放大电路输入端连接,所述信号放大电路输出端与扬声器连接,所述信号放大电路包括运算放大电路103和功率放大电路104,也就是说,所述第一电阻102远离第一电容101的一端与运算放大电路103连接,所述功率放大电路104输出端与扬声器106连接,第一电容101为隔直电容,用于将输入源的直流电平和音频放大器中芯片的直流电平进行隔离。
所述第一反馈电路105与所述信号放大电路并联设置,所述第一反馈电路105第一端与所述信号放大电路输入端连接,所述第一反馈电路105第二端与信号放大电路输出端连接,所述第一反馈电路105用于将信号放大电路输出信号反馈给信号放大电路输入端,在本申请实施例中,第一反溃电路105为电阻,其中,Vcmin为输入端共模电压,Vcmout为输出端共模电压。
在图1所示的现有技术提供的音频放大器中,音频放大器的输出噪声Vnoise_out通过以下公式(Ⅰ)进行计算:
其中,Vnoise_out为音频放大器的输出噪声,Rfb为第一反馈电路105的电阻值,Rin为第一电阻102的电阻值,Vnoise_opa为运算放大电路103的噪声值,k为玻尔兹曼常数,T为音频放大器中芯片内部温度。
其中,运算放大电路103的噪声Vnoise_opa主要由输入端晶体管热噪声和噪声组成,其中,f为信号放大电路的频率,f一般在20Hz到20kHz之间,也就是人可以听到的声音频率范围,在现代半导体制造工艺中,只要增加一定可接受面积和合适的电路设计,Vnoise_opa就会很小以至于在整个Vnoise_out计算中可以忽略不计,即:音频放大器的输出噪声Vnoise_out通过以下公式(Ⅱ)进行计算:
另外,音频放大器的放大增益由第一反馈电路105的电阻Rfb和第一电阻103的电阻Rin的比例来决定,即:当g=1时,对应的音频放大器的增益为0dB,g=10时,对应的音频放大器的增益为20dB,得到Vnoise_out计算公式(Ⅲ)如下:
通过公式(Ⅲ)可以看出,Rin的电阻值越小,其对应的电阻热噪声就越小,所以音频放大器输出的噪声就越小,在实际应用中,由于受制造工艺和成本的限制,第一电容101的电容值一般不会很大。
如图2所示,在图1的基础上,实现差分输入,增加了第二电容208,第二电阻209和第二反馈电路207,所述第二电阻209远离第二电容208的一端与信号放大电路输入端连接,所述信号放大电路输出端与扬声器206连接,所述信号放大电路包括运算放大电路203和功率放大电路204,也就是说,所述第二电阻209远离第二电容208的一端与运算放大电路203连接,所述功率放大电路204输出端与扬声器206连接,第二电容208为隔直电容,用于将输入音源的直流电平与音频放大器中芯片的直流电平进行隔离。
所述第二反馈电路207与所述信号放大电路并联设置,所述第二反馈电路207第一端与所述信号放大电路输入端连接,所述第二反馈电路207第二端与信号放大电路输出端连接,所述第二反馈电路207用于将信号放大电路输出信号反馈给信号放大电路输入端,在本申请实施例中,第二反溃电路207为电阻。
在图2所示的现有技术提供的音频放大器中,音频放大器的输出噪声Vnoise_out通过以下公式(Ⅳ)进行计算:
其中,Vnoise_out为音频放大器的输出噪声,其中,第一反馈电路205和第二反馈电路207的电阻值相同,Rfb为第一反馈电路205或第二反馈电路207的电阻值,其中,第一电阻102和第二电阻109的电阻值相同,Rin为第一电阻202或第二电阻209的电阻值,Vnoise_opa为运算放大电路203的噪声值,k为玻尔兹曼常数,T为音频放大器中芯片内部温度。
其中,运算放大电路203的噪声Vnoise_opa主要由输入端晶体管热噪声和噪声组成,其中,f为信号放大电路的频率,f一般在20Hz到20kHz之间,也就是人可以听到的声音频率范围,在现代半导体制造工艺中,只要增加一定可接受面积和合适的电路设计,Vnoise_opa就会很小以至于在整个Vnoise_out计算中可以忽略不计,即:音频放大器的输出噪声Vnoise_out通过以下公式(Ⅴ)进行计算:
另外,音频放大器的放大增益由第一反馈电路205的电阻Rfb和第一电阻203的电阻Rin的比例来决定,即:当g=1时,对应的音频放大器的增益为0dB,g=10时,对应的音频放大器的增益为20dB,得到Vnoise_out计算公式(Ⅳ)如下:
通过公式(Ⅳ)可以看出,Rin的电阻值越小,其对应的电阻热噪声就越小,所以音频放大器输出的噪声就越小,在实际应用中,第一电容201的电容值一般不会很大。
如图1和图3所示,图3为滤波电路的截止频率f-3db的变化曲线图,其中,横坐标f-3db为滤波电路的截止频率,纵坐标V为输入音频信号幅度,其中,如图1中,第一电容101和第一电阻102构成一个滤波电路,如图2中,第一电容201和第一电阻202构成一个滤波电路,第二电容208和第二电阻209构成一个滤波电路,其中,f-3db为滤波电路的截止频率,截止频率具体通过公式(Ⅶ)计算:
其中,在图1的音频放大器中,对于公式(Ⅶ)中的Rin为第一电阻101的电阻值,Cin为第一电容102的电容值。
在图2的音频放大器中,对于公式(Ⅶ)中的第一电阻102和第二电阻209的电阻值相同,Rin为第一电阻102或第二电阻209的电阻值,第一电容101和第二电容208的电容值相同,Cin为第一电容101或者第二电容208的电容值。
如果f-3db越低,就越允许更低频率的音频进入音频放大器而不会被衰减,所以导致音频放大器的输出噪声Vnoise_out就会很大。在Cin的电容值被限制的情况下,Rin不能太小,否则低频信号就进入了音频放大器,这就导致音频放大器的输出噪音Vnoise_out会很大。
为了解决现有技术的音频放大器在允许更低频率的音频进入音频放大器情况下,而导致的音频放大器的输出噪声比较大的技术问题,提出了本申请的低噪声音频放大器。
实施例1
如图4所示,本申请实施例提供了一种低噪声音频放大器,所述音频放大器包括:第一滤波电路,缓冲调节电路407,第一反溃电路107和信号放大电路;
所述第一滤波电路包括第一电容401和第一电阻402,所述调节电路407设置在所述第一电容401和第一电阻402之间以降低音频放大器的噪声,所述第一电阻401远离第一电容402的一端与信号放大电路输入端连接,所述信号放大电路输出端与扬声器406连接。
所述第一反溃电路405与信号放大电路并联设置以便将信号放大电路的输出信号反馈给信号放大电路输入端,所述第一反馈电路405第一端与所述信号放大电路输入端连接,所述第一反溃电路405第二端与信号放大电路输出端连接,在本申请实施例中,第一反溃电路405为电阻,本申请实施例提供的音频放大器的输出噪声Vnoise_out通过以下公式(Ⅷ)计算:
其中,Vnoise_out为音频放大器的输出噪声,Rfb为第一反馈电路405中电阻值,Rin为第一电阻402的电阻值,Vnoise_buf为缓冲调节电路407的噪声值,Vnoise_opa为运算放大电路403的噪声值。其中,运算放大电路403的噪声值Vnoise_opa主要由输入端晶体管热噪声和噪声组成,其中,f为信号放大电路的频率,f一般在20Hz到20kHz之间,也就是人可以听到的声音频率范围。
在本申请实施例中,所述缓冲调节电路407可以为缓冲器,所述缓冲器为CMOS晶体管的有源放大器组成,且不包括无源电阻,在现代半导体制造工艺中,只要增加一定可接受面积和合适的电路设计,功率放大电路404Vnoise_opa就会很小以至于在整个音频放大器的输出噪声Vnoise_out计算中可以忽略不计,另外,通过半导体制造工艺可以将缓冲调节电路307噪声Vnoise_buf设计到很小,以至于缓冲调节电路307噪声Vnoise_buf在整个音频放大器的输出噪声Vnoise_out计算中可以忽略不计,所以本申请实施例中,音频放大器的输出噪声Vnoise_out通过以下公式(Ⅸ)计算:
另外,音频放大器的放大增益g由第一反馈电路405的电阻Rfb和第一电阻303的电阻Rin的比例来决定,即:当g=1时,对应的音频放大器的增益为0dB,g=10时,对应的音频放大器的增益为20dB,得到Vout_noise计算公式(Ⅲ)如下:
由于缓冲调节电路407为CMOS晶体管的有源放大器组成,所以对输入音源的阻抗很大,导致滤波电路的截止频率就很低,以使低频音源不会被输入端衰减,滤波电路的截止频率f-3db的通过公式(Ⅳ)计算:
其中,Cin为第一电容402的电容值,Rin为第一电阻403的电阻值。
图5为截止频率f-3db的变化曲线图,其中,横坐标f-3db为滤波电路的截止频率,纵坐标V为输入音频信号幅度,由于本申请实施例在所述第一电容401和第一电阻402之间设置缓冲调节电路407,所述缓冲调节电路407起到将第一电容401和第一电阻402进行隔离作用,所述滤波电路中的第一电阻402的电阻值已不受输入端的滤波电路第一电容401电容值Cin的限制,所以第一电阻402可以选择一个阻值很小的电阻值,从公式(Ⅲ)可以看出,音频放大器输出噪声Vout_noise很低,从而实现一种低噪声音频放大器,其中,第一电容401和第一电阻402构成一个滤波电路。
在本申请一实施例中,所述信号放大电路包括运算放大电路403和功率放大电路404,所述第一电阻401远离第一电容402的一端与运算放大电路403输入端连接,所述运算放大电路403的输出端与所述功率放大电路404输入端连接,所述功率放大电路404输出端与扬声器306连接;所述第一反溃电路405与所述运算放大电路403和功率放大电路404并联设置以便将将信号放大电路的输出信号反馈给信号放大电路输入端,所述第一反馈电路405第一端与所述运算放大电路403的输入端连接,所述第一反溃电路405第二端与功率放大电路404的输出端连接。
通过运算放大电路403将输入音频信号进行放大以便输出音频,通过功率放大电路404将输入的音源的频率进行放大,
本申请实施例提供的音频放大器可以使低频音源不会被输入端衰减的情况下,同时降低了音频放大器的输出噪声。
实施例2
如图6所示,在实施例4的基础上,所述音频放大器还包括,第一积分电路608,所述第一积分电路608与所述运算放大电路603和功率放大电路604并联设置,所述第一积分电路608第一端与所述运算放大电路603的输入端连接,所述第一积分电路608第二端与运算放大电路604输出端连接,通过第一积分电路608将滤波电路输出的信号进行累加处理后运算并输出。
本实施例中,音频放大器的输出噪声Vout_noise计算公式与实施例一相同,滤波电路的截止频率f的变化曲线图也与实施例一相同,在此不再赘述。
在本申请实施例中,由于缓冲调节电路607为CMOS晶体管的有源放大器组成,所以对输入音源的阻抗很大,导致滤波电路的截止频率就很低,以使低频音源不会被输入端衰减。所述缓冲调节电路607起到将第一电容601和第一电阻602进行隔离的作用,所述滤波电路中的第一电阻602的阻值已不受输入端的滤波电路第一电容601电容值Cin的限制,所以第一电阻602可以选择一个阻值很小的电阻值,所以可以使低频音源不会被输入端衰减的情况下,同时降低了音频放大器的输出噪声。
本申请实施例提供的音频放大器可以使低频音源不会被输入端衰减的情况下,同时降低了音频放大器的输出噪声。
实施例3
如图7所示,在实施例4的基础上中,为了实现差分音源输入,所述音频放大器还包括第二滤波电路,所述第二滤波电路包括第二电容709和第二电阻710,所述缓冲调节电路707设置在所述第二电容709和第二电阻710之间以调节第一滤波电路的截止频率以便低频音源不被衰减,所述第二电阻710远离第一电容709的一端与运算放大电路703输入端连接。
在本申请一实施例中,所述音频放大器还包括第二反溃电路711,所述第二反溃电路711与所述运算放大电路703和功率放大电路704并联设置,所述第二反馈电阻第一端与所述运算放大电路703的输入端连接,所述第二反溃电路711第二端与功率放大电路704的输出端连接,通过所述第二反溃电路611与信号放大电路并联设置以便将信号放大电路的输出信号反馈给信号放大电路输入端,在本申请实施例中,第二反馈电路711为电阻,音频放大器的输出噪声Vnoise_out通过以下公式(Ⅳ)进行计算:
其中,Vnoise_out为音频放大器的输出噪声,其中,第一反馈电路705和第二反馈电路707的电阻值相同,Rfb为第一反馈电路705或第二反馈电路707的电阻值,其中,第一电阻702和第二电阻709的电阻值相同,Rin为第一电阻702或第二电阻709的电阻值,Vnoise_opa为运算放大电路703的噪声值,信号放大电路的频率,k为玻尔兹曼常数,T为音频放大器中芯片内部温度。
其中,功率放大电路的噪声Vnoise_opa主要由输入端晶体管热噪声和噪声组成,其中,f为信号放大电路的频率,f一般在20Hz到20kHz之间,也就是人可以听到的声音频率范围,在现代半导体制造工艺中,只要增加一定可接受面积和合适的电路设计,Vnoise_opa就会很小以至于在整个Vnoise_out计算中可以忽略不计,即:音频放大器的输出噪声Vnoise_out通过以下公式(Ⅴ)进行计算:
另外,音频放大器的放大增益由第一反馈电路705的电阻Rfb和第一电阻103的电阻Rin的比例来决定,即:当g=1时,对应的音频放大器的增益为0dB,g=10时,对应的音频放大器的增益为20dB,得到Vnoise_out计算公式(Ⅳ)如下:
通过公式(Ⅳ)可以看出,Rin的电阻值越小,其对应的电阻热噪声就越小,所以音频放大器输出的噪声就越小,在实际应用中,第一电容101的电容值一般不会很大。
其中,滤波电路的截止频率f-3db的变化曲线图与实施例一相同,在此不再赘述。
在本申请实施例中,在本申请实施例中,由于缓冲调节电路707为CMOS晶体管的有源放大器组成,所以对输入音源的阻抗很大,导致滤波电路的截止频率就很低,以使低频音源不会被输入端衰减。所述缓冲调节电路707起到将第一电容701和第一电阻702进行隔离作用,所述滤波电路中的第一电阻702的阻值已不受输入端的滤波电路第一电容701电容值Cin的限制,所以第一电阻702可以选择一个阻值很小的电阻值,所以可以使低频音源不会被输入端衰减的情况下,同时降低了音频放大器的输出噪声。
本申请实施例提供的音频放大器可以使低频音源不会被输入端衰减的情况下,同时降低了音频放大器的输出噪声。
实施例4
如图8所示,在实施例7的基础上,所述音频放大器还包括,第一积分电路808和第二积分电路812,所述第二积分电路812与所述运算放大电路803和功率放大电路804并联设置,所述第二积分电路812第一端与所述运算放大电路803的输入端连接,所述第二积分电路812第二端与运算放大电路803的输出端连接,通过第二积分电路812将滤波电路输出的信号进行累加处理后运算并输出。
第一积分电路808,所述第一积分电路808与所述运算放大电路803和功率放大电路804并联设置,所述第一积分电路808第一端与所述运算放大电路803的输入端连接,所述第一积分电路808第二端与运算放大电路803输出端连接,通过第一积分电路808将滤波电路输出的信号进行累加处理后运算并输出。
在本申请实施例中,第一积分电路808和第二积分电路812为电容。
本实施例中,音频放大器的输出噪声Vout_noise计算公式与实施例一相同,滤波电路的截止频率f的变化曲线图也与实施例一相同,在此不再赘述。
在本申请实施例中,由于缓冲调节电路807为CMOS晶体管的有源放大器组成,所以对输入音源的阻抗很大,导致滤波电路的截止频率就很低,以使低频音源不会被输入端衰减。所述缓冲调节电路807起到将第一电容801和第一电阻802进行隔离的作用,所述滤波电路中的第一电阻802的阻值已不受输入端的滤波电路第一电容801电容值Cin的限制,所以第一电阻802可以选择一个阻值很小的电阻值,所以可以使低频音源不会被输入端衰减的情况下,同时降低了音频放大器的输出噪声。
本申请实施例提供的音频放大器可以使低频音源不会被输入端衰减的情况下,同时降低了音频放大器的输出噪声。
第二方面,本申请实施例还提供了一种设备,包括第一方面所述的低噪声音频放大器。
与现有技术相比,本申请实施例提供一种设备的有益效果与第一方面提供的低噪声音频放大器相同,在此不再赘述。
虽然,上文中已经用一般性说明及具体实施例对本申请作了详尽的描述,但在本申请基础上,可以对之作一些修改或改进,这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此,在不偏离本申请精神的基础上所做的这些修改或改进,均属于本申请要求保护的范围。
Claims (9)
1.一种低噪声音频放大器,其特征在于,包括:第一滤波电路,缓冲调节电路,第一反馈电路和信号放大电路;
所述第一滤波电路包括第一电容和第一电阻,所述第一电容用于将输入音源的直流电平与音频放大器中芯片的直流电平进行隔离,所述缓冲调节电路设置在所述第一电容和第一电阻之间以降低音频放大器输出噪声,所述第一电阻远离第一电容一端与信号放大电路输入端连接,所述信号放大电路输出端与扬声器连接;
所述第一反馈电路与所述信号放大电路并联设置,所述第一反馈电路第一端与所述信号放大电路输入端连接,所述第一反馈电路第二端与信号放大电路输出端连接,所述第一反馈电路用于将信号放大电路输出信号反馈给信号放大电路输入端。
2.如权利要求1所述的一种低噪声音频放大器,其特征在于,所述信号放大电路包括运算放大电路和功率放大电路,所述第一电阻远离第一电容一端与运算放大电路输入端连接,所述运算放大电路输出端与所述功率放大电路输入端连接,所述功率放大电路输出端与扬声器连接;
所述第一反馈电路第一端与所述运算放大电路的输入端连接,所述第一反馈电路第二端与功率放大电路输出端连接。
3.如权利要求1所述的一种低噪声音频放大器,其特征在于,所述音频放大器还包括第二滤波电路,所述第二滤波电路包括第二电容和第二电阻,所述调节电路设置在所述第二电容和第二电阻之间以降低音频放大器输出噪声,所述第二电阻远离第二电容一端与信号放大电路输入端连接。
4.如权利要求1所述的一种低噪声音频放大器,其特征在于,所述音频放大器还包括第二反馈电路,所述第二反馈电路第一端与所述信号放大电路输入端连接,所述第二反馈电路第二端与信号放大电路输出端连接,所述第二反馈电路用于将信号放大电路输出信号反馈给信号放大电路输入端。
5.如权利要求2所述的一种低噪声音频放大器,其特征在于,所述音频放大器还包括第一积分电路,所述第一积分电路与所述运算放大电路并联设置,所述第一积分电路第一端与所述运算放大电路输入端连接,所述第一积分电路第二端与运算放大电路输出端连接。
6.如权利要求5所述的一低噪声音频放大器,其特征在于,所述音频放大器还包括第二积分电路,所述第二积分电路与所述运算放大电路并联设置,所述第二积分电路第一端与所述运算放大电路输入端连接,所述第二积分电路第二端与运算放大电路输出端连接。
7.如权利要求1至6任一项所述的一种低噪声音频放大器,其特征在于,所述缓冲调节电路为缓冲器。
8.如权利要求7所述的一种低噪声音频放大器,其特征在于,所述缓冲器为CMOS晶体管的有源放大器组成。
9.一种设备,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的低噪声音频放大器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210350361.3A CN114928335A (zh) | 2022-04-04 | 2022-04-04 | 一种低噪声音频放大器及设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210350361.3A CN114928335A (zh) | 2022-04-04 | 2022-04-04 | 一种低噪声音频放大器及设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114928335A true CN114928335A (zh) | 2022-08-19 |
Family
ID=82805147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210350361.3A Pending CN114928335A (zh) | 2022-04-04 | 2022-04-04 | 一种低噪声音频放大器及设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114928335A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116668904A (zh) * | 2022-12-21 | 2023-08-29 | 荣耀终端有限公司 | 音频电路和电子设备 |
-
2022
- 2022-04-04 CN CN202210350361.3A patent/CN114928335A/zh active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116668904A (zh) * | 2022-12-21 | 2023-08-29 | 荣耀终端有限公司 | 音频电路和电子设备 |
CN116668904B (zh) * | 2022-12-21 | 2024-04-12 | 荣耀终端有限公司 | 音频电路和电子设备 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6888408B2 (en) | Preamplifier for two terminal electret condenser microphones | |
US8855335B2 (en) | Distortion suppression in high-level capable audio amplification circuit | |
US8958576B2 (en) | Dynamically biased amplifier | |
US8610497B2 (en) | System and method for capacitive signal source amplifier | |
US7110560B2 (en) | Electret condensor microphone preamplifier that is insensitive to leakage currents at the input | |
US7756279B2 (en) | Microphone preamplifier | |
US6822507B2 (en) | Adaptive speech filter | |
US5589799A (en) | Low noise amplifier for microphone | |
US9455671B2 (en) | System and method for capacitive signal source amplifier | |
US20130058506A1 (en) | Microphone Buffer Circuit With Input Filter | |
US8139790B2 (en) | Integrated circuit biasing a microphone | |
CN103138687A (zh) | 能处理高电平的音频放大电路中的失真抑制 | |
US7741905B2 (en) | Automatic gain control circuit | |
CN114928335A (zh) | 一种低噪声音频放大器及设备 | |
WO2006073607A1 (en) | Multifunction preamplifier microphone | |
US9332342B2 (en) | Microphone amplifier circuit | |
EP3329591B1 (en) | Electronic circuit for a microphone and microphone | |
JP3392645B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JP7065584B2 (ja) | 増幅回路 | |
WO2023032343A1 (ja) | マイクロホンモジュールおよびマイクロホン装置 | |
JPS6324714Y2 (zh) | ||
JPS6051804B2 (ja) | 増幅回路 | |
JPS6124317A (ja) | カツトオフ周波数可変型ロ−カツトフイルタ回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |