CN114910844B - 磁场增强组件及磁场增强器件 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层和第三电极层。第一电介质层包括相对的第一表面和第二表面。第一电极层设置于第一表面。第一电极层包括第一子电极层、第二子电极层和连接于第一子电极层和第二子电极层之间的第一连接层。第二电极层和第三电极层宽度相等且相对间隔设置于第二表面。第二电极层、第一电介质层和第一子电极层构成第二结构电容。第三电极层、第一电介质层和第二子电极层构成第三结构电容。第一连接层的宽度小于第一子电极层的宽度。检测部位被所述第一电极层覆盖的区域减小，第一电极层的屏蔽效果减弱，反馈信号的传输能力增强，信号质量提高。

Description

磁场增强组件及磁场增强器件

技术领域

本申请涉及检测技术领域，特别是涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。

背景技术

传统MRI的射频线圈通过线圈谐振的方式采集人体反馈信号，人体反馈信号的强弱影响射频线圈采集到的信号质量，进而影响图像的信噪比和分辨率。人体反馈信号的强弱与静磁场强度相关。传统技术通过增加超构表面器件，增加人体反馈信号的磁场强度，进而提高射频线圈采集的信号质量。

但超构表面器件中连接层用于连接电极层以及其他器件。电极层的宽度与电极层的宽度相同，导致连接层覆盖面积较大，连接层屏蔽效果较强，人体反馈信号遇到连接层被阻断传播。连接层使得超构表面增强后的人体反馈信号不能传导至超构表面外部，不能被射频线圈采集，降低了图像质量。

发明内容

基于此，有必要针对连接层降低了图像质量的问题，提供一种磁场增强组件及磁场增强器件。

一种磁场增强组件，包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层和第三电极层。所述第一电介质层具有相对的第一端和第二端。所述第一电介质层包括相对的第一表面和第二表面。所述第一电极层设置于所述第一表面。所述第一电极层沿所述第一端向所述第二端延伸。所述第一电极层包括第一子电极层、第二子电极层和一个第一连接层。所述第一子电极层和所述第二子电极层宽度相同并相对间隔设置。所述第一连接层的一端与所述第一子电极层连接。所述第一连接层的另一端与所述第二子电极层连接。所述第一连接层的宽度小于所述第一子电极层的宽度。

所述第二电极层和所述第三电极层相对间隔设置于所述第二表面。所述第二电极层在所述第一电介质层的正投影与所述第一子电极层在所述第一电介质层的正投影部分重叠。所述第二电极层、所述第一电介质层和所述第一子电极层构成第二结构电容。所述第三电极层在所述第一电介质层的正投影与所述第二子电极层在所述第一电介质层的正投影部分重叠。所述第三电极层、所述第一电介质层和所述第二子电极层构成第三结构电容。

本申请实施例提供的所述磁场增强组件中的第二结构电容和所述第三结构电容通过所述第一连接层连接，形成谐振电路。所述磁场增强组件覆盖于检测部位，通过谐振的方式增强所述检测部位的反馈信号的磁场。本申请实施例提供的所述磁场增强组件中所述第一子电极层的宽度等于所述第二子电极层的宽度，且所述第一连接层的宽度小于所述第一子电极层的宽度。所述检测部位被所述第一电极层覆盖的区域减小，所述第一电极层的屏蔽效果减弱，反馈信号的传输能力增强，信号质量提高，信号被处理后形成的图像质量提高。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一个实施例中提供的所述磁场增强组件的侧视剖面图；

图2为本申请一个实施例中提供的所述磁场增强组件的俯视图；

图3为本申请另一个实施例中提供的所述磁场增强组件的结构示意图；

图4为本申请另一个实施例中提供的所述磁场增强组件的结构示意图；

图5为本申请另一个实施例中提供的所述磁场增强组件的结构示意图；

图6为本申请另一个实施例中提供的所述磁场增强组件的结构示意图；

图7为本申请另一个实施例中提供的所述磁场增强组件的结构示意图；

图8为本申请另一个实施例中提供的所述磁场增强组件的结构示意图；

图9为本申请另一个实施例中提供的所述磁场增强组件所在回路的磁场强度图；

图10为本申请另一个实施例中提供的所述磁场增强组件所在回路的效果对比图；

图11为本申请另一个实施例中提供的所述磁场增强器件的结构示意图；

图12为本申请另一个实施例中提供的所述磁场增强器件的结构示意图；

图13为本申请另一个实施例中提供的所述磁场增强器件的结构示意图；

图14为本申请另一个实施例中提供的所述磁场增强器件的结构示意图；

图15为本申请另一个实施例中提供的所述磁场增强器件的结构示意图；

图16为本申请另一个实施例中提供的所述磁场增强器件的结构示意图；

图17为本申请另一个实施例中提供的所述磁场增强器件的结构***图；

图18为本申请另一个实施例中提供的磁场强度对比图；

图19为本申请另一个实施例中提供的所述磁场增强器件的结构示意图；

图20为本申请另一个实施例中提供的所述磁场增强器件的结构***图。

附图标号：

磁场增强组件10；第一电介质层100；第一表面101；第二表面102；第一端103；第二端104；第一电极层110；第一子电极层111；第二子电极层112；第二电极层120；第三电极层130；第一连接层190；第二连接层191；第二方向a；第一方向b；第二结构电容302；第三结构电容303；第二谐振调节电路410；开关控制电路430；第一二极管431；第二二极管 432；外接电容440；第三外接电容443；第四控制电路600；第一耗尽型MOS管231；第二耗尽型MOS管；232；第七控制电路630；第三电容223；第一电感241；第一开关电路631；第三二极管213；第四二极管214；第五外接电容445；

磁场增强器件20；筒形支撑结构50；第三端51；第四端53；第一环形导电片510；第二环形导电片520；固定结构930；第一固定件931；第二固定件932；控制连接口513；第一连接端511；第二连接端512。

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。

本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

请参见图1和图2，本申请实施例提供一种磁场增强组件10，包括第一电介质层100、第一电极层110、第二电极层120和第三电极层130。所述第一电介质层100具有相对的第一端103和第二端104。第一电介质层100还包括相对的第一表面101和第二表面102。

所述第一电极层110设置于所述第一表面101。所述第一电极层110沿所述第一端103 向所述第二端104延伸。所述第一电极层110包括第一子电极层111、第二子电极层112和第一连接层190。所述第一子电极层111和所述第二子电极层112的宽度相同。所述第一子电极层111和所述第二子电极层112相对间隔设置。所述第一连接层190的一端与所述第一子电极层111连接。所述第一连接层190的另一端与所述第二子电极层112连接。所述第一连接层190的宽度小于所述第一子电极层111或所述第二子电极层112的宽度。

所述第二电极层120和第三电极层130相对间隔设置于所述第二表面102。所述第二电极层120在所述第一电介质层100的正投影与所述第一子电极层111在所述第一电介质层 100的正投影部分重叠。所述第二电极层120、所述第一电介质层100和所述第一子电极层 111构成第二结构电容302。所述第三电极层130在所述第一电介质层100的正投影与所述第二子电极层112在所述第一电介质层100的正投影部分重叠。所述第三电极层130、所述第一电介质层100和所述第二子电极层112构成第三结构电容303。

所述第二结构电容302和所述第三结构电容303通过所述第一连接层190连接，形成谐振电路。所述磁场增强组件10所在的器件覆盖于检测部位时，通过谐振的方式增强所述检测部位的反馈信号的磁场。本申请实施例提供的所述磁场增强组件10中，所述第一连接层190 的宽度小于所述第一子电极层111的宽度。所述检测部位被所述第一电极层110覆盖的区域减小，所述第一电极层110的屏蔽效果减弱，反馈信号的传输能力增强。所述射频线圈更容易接收反馈信号，进而使得接收的信号质量提高，信号被处理后形成的图像质量提高。

此外，所述磁场增强组件10为可减小耦合效应的超构表面阵列单元组件。多个所述超构表面阵列单元组件配合使用时，不同所述超构表面阵列单元组件中的所述第一连接层190之间相对重叠的区域减少，不同所述超构表面阵列单元组件中的所述第一连接层190与空气形成的杂散电容减小，耦合效应减小，信号质量提高。

所述第一电介质层100可以起到支撑所述第一电极层110、所述第二电极层120和第三电极层130的作用。所述第一电介质层100可以为绝缘材料。所述第一电介质层100可以为长方形的板状结构。所述第一电介质层100可以为绝缘材料。在一个实施例中，所述第一电介质层100的材料可以为玻璃纤维环氧树脂板。所述第一电极层110、所述第二电极层120和第三电极层130的材料可以由导电非磁性材料构成。在一个实施例中，所述第一电极层110、所述第二电极层120和所述第三电极层130的材料可以为金、银、铜等金属材料。由上述材料形成的所述第一电极层110、所述第二电极层120和所述第三电极层130具有良好的导电性能，且便于加工制作。

在一个实施例中，所述第一子电极层111、所述第二子电极层112和所述第一连接层190 同层铺设，缩减工艺，提高工作效率。

在一个实施例中，所述第一子电极层111和所述第二子电极层112的长度和宽度均相同。所述第二电极层120在所述第一电介质层100的正投影与所述第一子电极层111在所述第一电介质层100的正投影重叠。所述第三电极层130在所述第一电介质层100的正投影与所述第二子电极层112在所述第一电介质层100的正投影重叠。所述第二结构电容302和第三结构电容303的电容大小相等，电容值相同。所述磁场增强组件10的具有较高的对称性。所述磁场增强组件10所在的回路对反馈信号磁场的具有较好的增强效果。增强后的反馈信号磁场具有较高的均匀性，进而使得反馈信号具有较高的质量。

在一个实施例中，所述第一电介质层100的长度范围为200毫米到300毫米。在一个实施例中，所述第一电介质层100的长度为250毫米。所述第一电介质层100的宽度为10毫米到30毫米。在一个实施例中，所述第一电介质层100的宽度为15毫米。在一个实施例中，所述第一电介质层100的厚度为0.2毫米到2毫米。在一个实施例中，所述第一电介质层100 的厚度为0.51毫米。

由所述第一端103指向所述第二端104为第一方向b。所述第一方向a与所述第二方向 b垂直。所述第二子电极层112的宽度方向为第二方向a。

在一个实施例中，所述第一连接层190的电损耗占比小于所述磁场增强组件10的整体电损耗的1/2。所述第一连接层190的电损耗较小，所述磁场增强组件10的发热量较小。所述磁场增强组件10所在的回路的能量主要用来产生磁场，接收阶段磁场的增强效果较好。

在一个实施例中，所述第一连接层190的宽度是所述第一子电极层111的宽度的1/5至 1/2。在所述第一连接层190的宽度是所述第一子电极层111的宽度的1/5至1/2，能够保证所述磁场增强组件10中所述第一连接层190的电损耗占比小于整体电损耗的1/2。所述第一连接层190的电损耗较小，所述磁场增强组件10发热量较小。所述磁场增强组件10的能量主要用来产生磁场，接收阶段磁场的增强效果较好。

在一个实施例中，所述第一子电极层111和所述第二子电极层112的宽度为1毫米到30 毫米。所述第一连接层190为1毫米到15毫米。在一个实施例中，所述第一子电极层111和所述第二子电极层112的宽度为15毫米，所述第一连接层190的宽度为4毫米。

请一并参见图3，在一个实施例中，所述第一连接层190的延伸方向与所述第一方向b的夹角为锐角或钝角。所述第一方向b由所述第一端103指向所述第二端104。当磁场增强器件20包括筒形支撑结构50、第一环形导电片510、第二环形导电片520和多个所述磁场增强组件10时。所述筒形支撑结构50为圆筒结构时，多个所述磁场增强组件10间隔平行设置于所述筒形支撑结构50。多个所述磁场增强组件10并联连接。在所述磁场增强器件20中，相对的两个所述磁场增强组件10中的所述第一连接层190交错设置，平行重叠的部分减小。相对的两个所述磁场增强组件10中的所述第一连接层190与空气形成的杂散电容减小，耦合效应减小，信号质量提高。

请一并参见图4，在一个实施例中，所述第一连接层190的侧壁与所述第一子电极层111 或所述第二子电极112的侧壁的相交处设置弧形倒角。电流在所述第一子电极层111、所述第一连接层190和所述第二子电极层112中流通。所述第一连接层190的宽度小于所述第一子电极层112的宽度。电流在所述第一子电极层111与所述第一连接层190的连接处汇集，电流密度增大。所述第一连接层190的侧壁与所述第一子电极层111的侧壁的相交处设置弧形倒角，使得所述第一连接层190与所述第一子电极层111通过喇叭形结构连接，减缓电流密度的突变，减小所述第一连接层190的侧壁与所述第一子电极层111的侧壁的相交处的电流密度。所述第一连接层190与所述第一子电极层111连接处的电流密度减小，发热量减小，所述磁场增强组件10的使用寿命提高。

电流在所述第二子电极层112与所述第一连接层190的连接处汇集，电流密度增大。所述第一连接层190的侧壁与所述第二子电极层112的侧壁的相交处设置弧形倒角，使得所述第一连接层190与所述第二子电极层112连接处形成喇叭形结构。所述第一连接层190与所述第二子电极层112连接处形成喇叭形结构可以减缓电流密度的突变，进而减小所述第一连接层190的侧壁与所述第二子电极层112的侧壁的相交处的电流密度。所述第二子电极层112 与所述第一连接层190的连接处的电流密度减小，可以使发热量减小，进而可以延长所述磁场增强组件10的使用寿命。

请一并参见图5，在一个实施例中，所述第一电极层110还包括第二连接层191。所述第二连接层191的宽度小于所述第一子电极层111的宽度。所述第二连接层191设置于所述第一表面101。所述第二连接层191与所述第一连接层190平行间隔设置，且所述第一连接层 190与所述第二连接层191并联连接于所述第一子电极层111和所述第二子电极层112之间。所述第一连接层190与所述第二连接层191并联连接，能够减小所述第一连接层190和所述第二连接层191上流通的电流密度，减小发热量。所述磁场增强组件10采用多个连接层，可以提高连接层在宽度方向上磁场分布的均匀性，进而使得在连接层的宽度方向上所述磁场增强组件10对所述反馈信号磁场的增强效果一致性提高，信号质量提高。

在一个实施例中，所述第一连接层190的延伸方向与所述第二连接层191的延伸方向的夹角为锐角或钝角。当多个所述磁场增强组件10圆形阵列分布于所述筒形支撑结构50时，相对的两个所述磁场增强组件10中的所述第一连接层190和所述第二连接层191均交错设置，平行重叠的部分减小。相对的两个所述磁场增强组件10中的所述第一连接层190与空气形成的杂散电容减小，所述第二连接层191与空气形成的杂散电容减小，耦合效应减小，信号质量提高。

在一个实施例中，所述第一连接层190的延伸方向与所述第二连接层191不对称设置。可以理解的，所述第一连接层190的延伸方向与所述第二方向b的夹角不等于所述第一连接层190的延伸方向与所述第二方向b的夹角。当多个所述磁场增强组件10平行排列成筒状结构时，所述磁场增强组件10中的所述第一连接层190与其他的所述磁场增强组件10中的所述第二连接层191交错设置，平行重叠的部分减小。所述磁场增强组件10中的所述第一连接层190、其他的所述磁场增强组件10中的所述第二连接层191和空气形成的杂散电容减小，耦合效应进一步减小，信号质量进一步提高。

请一并参见图6，在一个实施例中，所述第一电极层110还包括第二连接层191。所述第二连接层191设置于所述第一表面101。所述第二连接层191的宽度小于所述第一子电极层 111的宽度。所述第一子电极层111、所述第一连接层190、所述第二连接层191和所述第二子电极层112沿所述第一电介质层100延伸的方向顺次排布。所述第一连接层190与所述第二连接层191间隔设置。所述第一连接层190与所述第一子电极层111连接。所述第二连接层191与所述第二子电极层112连接。所述磁场增强组件10还包括第二谐振调节电路410。所述第二谐振调节电路410的一端与所述第一连接层190连接。所述第二谐振调节电路410的另一端与所述第二连接层191连接。所述第二谐振调节电路410能够调节所述磁场增强组件10的电容值或电阻值。

在一个实施例中，所述第一连接层190和所述第二连接层191的长度和宽度均相同，提高所述磁场增强组件10结构的对称性，进而提高所述磁场增强组件10对所述反馈信号磁场的增强效果一致性，提高采集到的反馈信号(检测信号)的质量。

在一个实施例中，所述第二谐振调节电路410可以包括电容，所述电容的一端与所述第一连接层190连接，所述电容的另一端与所述第二连接层191连接。所述第二谐振调节电路 410通过添加电容可以减小所述第二结构电容302和所述第三结构电容303的分压，可以防止电磁感应产生的电压过大导致电容击穿。

请一并参见图7，在一个实施例中，所述磁场增强组件10还包括开关控制电路430。所述开关控制电路430的两端分别与所述第一子电极层111和所述第二电极层120连接。所述开关控制电路430用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。

所述开关控制电路430与所述第二结构电容302并联。因此，在射频发射阶段，所述开关控制电路430导通，所述第一子电极层111和所述第二电极层120电连接。射频接收阶段，所述开关控制电路430关断，所述第一子电极层111和所述第二电极层120之间断开。所述开关控制电路430的开启电压可以大于1伏。即当所述第一子电极层111和所述第二电极层两端的压差大于1伏时，所述开关控制电路430导通。当所述第一子电极层111和所述第二电极层120之间的压差小于1伏时，所述开关控制电路430断开。

在射频发射阶段，由于结构电容上的压差较大，所述开关控制电路430导通。所述第一子电极层111和所述第二电极层120电连接。此时所述第一子电极层111和所述第二电极层 120无法构成所述第二结构电容302。即所述磁场增强组件10所在的回路不具有谐振性能。因此，所述磁场增强组件10所在的回路无法对射频发射场起到增强的作用。

而在射频接收阶段，所述第一子电极层111和所述第二电极层120上的压差较小，所述开关控制电路430关断，所述第一子电极层111和所述第二电极层断开。此时所述第一子电极层111和所述第二电极层120构成所述第二结构电容302。因此所述磁场增强组件10在射频接收阶段具有良好的谐振频率。所述磁场增强组件10具有非线性响应特性。所述磁场增强组件10所在的回路可以对检测部位的反馈信号所形成的射频磁场起到增强的作用。

请一并参见图8，在一个实施例中，所述磁场增强组件10还包括外接电容440。所述外接电容440的两端分别与所述第一子电极层111和所述第二电极层120连接。所述外接电容 440可以为与所述第一子电极层111和所述第二电极层120并联的可调电容。所述外接电容 440与所述第三结构电容303配合可以调节所述磁场增强组件10的谐振性能。在射频接收阶段，所述外接电容440与所述第三结构电容303并联，且所述外接电容440设置于所述第一端103，所述第三结构电容303设置于所述第二端104，能够平衡所述磁场增强组件10在延伸方向上的磁场，使磁场均匀性提高，对反馈信号的射频磁场的增强程度一致性提高，提高检测信号的质量。

在一个实施例中，所述开关控制电路430包括第一二极管431和第二二极管432。所述第一二极管431的阳极与所述第一子电极层111连接。所述述第一二极管431的阴极与所述第二电极层120连接。所述第二二极管432的阴极与所述第一子电极层111连接，所述第二二极管432的阳极与所述第二电极层120连接。

可以理解，所述第一二极管431和所述第二二极管432的导通电压可以在0伏到1伏。在一个实施例中，所述第一二极管431和所述第二二极管432的导通电压可以为0.8V。

请一并参见图9，由于射频的交流特性。所述第一子电极层111和所述第二电极层120产生的感应电压也是交流电压。在射频发射阶段，由于所述第一子电极层111和所述第二电极层120之间的电压差已经超过所述第一二极管431和所述第二二极管432的导通电压。因此所述第一二极管431和所述第二二极管432总有一个处于导通状态，所述第一子电极层111 和所述第二电极层120电连接，不构成电容结构。此时，电流流经所述第一二极管431或所述第二二极管432，所述外接电容440被短路。所述第一子电极层111和所述第二电极层120 不能构成第三结构电容303。

而在射频接收阶段，由于所述第一子电极层111和所述第二电极层120之间的电压差小于所述第一二极管431和所述第二二极管432的导通电压。因此所述第一二极管431和所述第二二极管432均处于不导通的状态，所述第一子电极层111、所述外接电容440和所述第二电极层120串联连接。

射频发射阶段和射频接收阶段的磁场强度的变化，使得所述第一二极管431和所述第二二极管432的导通状态变化，进而使得所述磁场增强组件10的元件之间的连接关系改变，LC 振荡电路的谐振性能改变。

在一个实施例中，所述外接电容440为可调节电容。在射频接收阶段，通过调节所述外接电容440的电容值，可以改变所述磁场增强组件10的电路振荡新能，进而可以改变多个所述磁场增强组件10构成的回路的谐振频率。因此，通过调节所述外接电容440的电容值，可以使所述磁场增强组件10适用于不同工作频率的磁共振***。

请一并参见图10，基于现有技术和本申请实施例提供的磁场增强组件10的MRI图像增强效果图。

a为磁共振***通常采用的体线圈，其图像信噪比很低，颗粒感严重；

b当所述磁场增强组件10不设置所述开关控制电路430时，形成的图像中出现了很多伪影，这是由于磁场增强组件10干扰射频发射场导致的；

c由本申请实施例提供的磁场增强组件10构成的磁场增强组件10，其图像信噪比高，图像清晰细腻，并且没有引入伪影。因此，多个所述磁场增强组件10构成的磁场增强组件具有更好的序列普适性。

请一并参见图11，在一个实施例中，所述磁场增强组件10还包括第三外接电容443。所述外接电容440和所述第三外接电容443串联于所述第一子电极层111和所述第二电极层 120之间，且所述开关控制电路430并联连接于所述外接电容440的两端。所述开关控制电路430用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。

所述外接电容440和所述第三外接电容443可以为可调节电容，在射频发射阶段，由于所述第一子电极层111和所述第二电极层120上的压差较大，所述开关控制电路430导通。所述第三外接电容443连接在所述第一子电极层111和所述第二电极层120之间，通过调节所述第三外接电容443可以调节所述磁场增强组件10所在的回路在射频发射阶段的失谐程度。即所述磁场增强组件10在射频发射阶段的失谐程度可以通过所述第三外接电容443调节。通过所述第三外接电容443可以精确调节受测区域的磁场在加入所述磁场增强组件10构成的回路与加入所述磁场增强组件10之前的磁场强度相同，此时受测区域保持原来的磁场强度，能够消除所述磁场增强组件10所在回路对射频发射阶段的影响，使得所述磁场增强组件 10所在回路能够适用于所有的临床序列，提高了所述磁场增强组件10所在回路的临床实用性。

请一并参见图12，在一个实施例中。所述磁场增强组件10还包括第五外接电容445。所述第五外接电容445和所述开关控制电路430串联连接于所述第一子电极层111和所述第二子电极层112之间。所述第五外接电容445和所述开关控制电路430串联形成的电路与所述外接电容440并联。

因此，当所述开关控制电路430导通时，所述第五外接电容445和所述外接电容440并联于所述第一子电极层111和所述第二子电极层112。相比于两个电容串联，当所述磁场增强组件10的总容值相等时，所述第五外接电容445和所述外接电容440并联的容值更大，因此所需的所述第二结构电容302和所述第三结构电容303的容值可以较小，因此所述磁场增强组件10损耗降低。

在射频发射阶段，所述磁场增强组件10所在回路的谐振频率偏离磁共振***工作频率较远，因此通过调节所述第五外接电容445和所述外接电容440，能够保证在磁共振***的射频发射阶段，有无所述磁场增强组件10的磁场强度相同。可以理解，所述磁场增强组件10 的线性响应特性决定了其在射频发射和射频接收阶段具有相同谐振性能。

在射频发射阶段，所述第一子电极层111和所述第二子电极层112之间的电压差较大，所述开关控制电路430导通。所述外接电容440和所述第五外接电容445串联于所述第一子电极层111和所述第二子电极层112之间。

而在射频接收阶段，所述述第一子电极层111和所述第二子电极层112之间的电压差较小，所述开关控制电路430关断。只有所述外接电容440串联于所述第一子电极层111和所述第二子电极层112之间。通过调节所述外接电容440，能够调节所述磁场增强组件10所在回路的谐振频率，使得所述谐振频率与射频线圈的频率相等，从而大幅增强射频接收场，提高图像信噪比。

所述第五外接电容445和所述外接电容440并联后的电路可以通过所述第一连接层190 和所述第二连接层191连接。

通过调节所述外接电容440和所述第五外接电容445，能够使得所述磁场增强组件10所在的回路在射频接收阶段具有良好的谐振频率。最终使得所述磁场增强组件10所在的回路在接收阶段的谐振频率达到磁共振***的工作频率。

请一并参见图13，在一个实施例中，所述第二谐振调节电路410可以由第四控制电路600 替换。所述第四控制电路600连接于所述第一子电极层111与所述第二子电极层112之间。所述第四控制电路600的一端与所述第一子电极层111电连接。所述第四控制电路600的另一端与所述第二子电极层112电连接。所述第四控制电路600用于控制所述第一子电极层111 与所述第二子电极层112在射频发射阶段断开，且在射频接收阶段连接。在射频接收阶段，所述第四控制电路600使得所述第一子电极层111与所述第二子电极层112连接，形成LC振荡电路。在射频接收阶段，所述第四控制电路600使得所述第一子电极层111与所述第二子电极层112断开，无法形成LC振荡电路。

在一个实施例中，所述第二谐振调节电路410包括第一耗尽型MOS管231与第二耗尽型 MOS管232。所述第一耗尽型MOS管231的源极与所述第二子电极层112电连接。所述第一耗尽型MOS管231的栅极和漏极电连接。所述第二耗尽型MOS管232的栅极和漏极电连接，并与所述第一耗尽型MOS管231的栅极和漏极电连接。所述第二耗尽型MOS管232的源极与所述第一子电极层111电连接。

所述第一耗尽型MOS管231与所述第二耗尽型MOS管232串联。在射频发射阶段，射频线圈发射射频发射信号，磁场的场强较大。所述磁场增强组件10产生的感应电压较大。所述第一耗尽型MOS管231与所述第二耗尽型MOS管232之间的电压超过所述第一耗尽型MOS管231与所述第二耗尽型MOS管232的夹断电压，所述第一耗尽型MOS管231的源漏极不导通和所述第二耗尽型MOS管232的源漏极不导通。所述第二结构电容302和所述第三结构电容303之间几乎没有电流流通，所述磁场增强组件10产生的磁场减弱，进而减小所述磁场增强组件10对射频发射阶段磁场的影响，从而减小检测图像的伪影，提高检测图像的清晰度。

在射频接收阶段，检测部位发射反馈信号，磁场的场强较小。所述磁场增强组件10产生的感应电压较小。所述第一耗尽型MOS管231与所述第二耗尽型MOS管232之间的电压小于所述第一耗尽型MOS管231与所述第二耗尽型MOS管232的夹断电压，所述第一耗尽型MOS管231的源漏极导通和所述第二耗尽型MOS管232的源漏极导通。所述第二结构电容302和所述第三结构电容303连接，构成LC电路，可以增强磁场。

请一并参见图14，在一个实施例中，所述第二谐振调节电路410可以由第七控制电路630 替换。所述第七控制电路630包括第三电容223、第一电感241和第一开关电路631。所述第三电容223的一端与所述第一连接层190连接。所述第三电容223的另一端与所述第二连接层191连接。所述第一电感241的一端与所述第二连接层191连接。所述第一开关电路631 连接于所述第一电感241的另一端与所述第一连接层190之间。所述第一开关电路631用于在射频接收阶段时断开。所述第一开关电路631还用于在射频发射阶段时导通，以使所述第七控制电路630处于高阻状态。

所述磁场增强组件10中所述第一开关电路631用于在射频接收阶段时断开。所述第二结构电容302和所述第三结构电容303通过所述第三电容223连接。所述第一开关电路631和所述第一电感241不参与电路导通。所述第一开关电路631还用于在射频发射阶段时导通，所述第三电容223与所述第一电感241并联，使得所述第七控制电路630处于高阻状态。所述第二结构电容302和所述第三结构电容303之间断路。在射频发射阶段，所述第二结构电容302和所述第三结构电容303之间几乎没有电流流通，所述磁场增强组件10所在的回路产生的磁场减弱，进而减小所述磁场增强组件10所在的回路对射频信号发射阶段磁场的影响，从而减小检测图像的伪影，提高检测图像的清晰度。

所述第一开关电路631可以是通过控制电路控制。在一个实施例中，所述第一开关电路 631包括开关元件和控制端。所述开关元件的一端与所述第一电感241远离所述第二连接层 191的一端连接。所述开关元件的另一端与所述第一连接层190连接。控制端与外部的控制装置连接。所述控制端用于接收闭合和断开命令。在射频发射阶段，所述控制装置向所述控制端输出闭合命令。当所述控制端接收到闭合命令时，所述第一电感241与所述第一连接层 190导通。所述第一电感241与所述第三电容223并联连接，发生并联谐振，处于高阻状态；所述第一连接层190与所述第二连接层191之间几乎没有电流流通。

在射频接收阶段，所述控制装置向所述控制端输出闭合命令。当所述控制端接收到断开命令时，所述第一电感241与所述第一连接层190断开。所述第一连接层190、所述第三电容223与所述第二连接层191串联连接，构成谐振电路的一部分。

在一个实施例中，所述第一开关电路631包括第三二极管213和第四二极管214。所述第三二极管213的正极与所述第一连接层190连接。所述第三二极管213的负极与所述第一电感241的另一端连接。所述第四二极管214的正极与所述第一电感241的另一端连接，所述第四二极管214的负极与所述第一连接层190连接。

所述第三二极管213和所述第四二极管214反向并联连接。在射频发射阶段，射频线圈发射射频发射信号，磁场的场强较大。所述磁场增强组件10产生的感应电压较大。加载在所述第三二极管213和所述第四二极管214两端的电压正反交替。加载的电压超过所述第三二极管213和所述第四二极管214的开启电压，所述第三二极管213和所述第四二极管214导通。所述第三电容223与所述第一电感241并联，使得所述第七控制电路630处于高阻状态。射频信号发射阶段，所述第二结构电容302和所述第三结构电容303之间几乎没有电流流通，所述磁场增强组件10所在的回路产生的磁场减弱，进而减小所述磁场增强组件10所在的回路对射频信号发射阶段磁场的影响，从而减小检测图像的伪影，提高检测图像的清晰度。

在射频接收阶段，检测部位发射反馈信号，磁场的场强较小。所述磁场增强组件10产生的感应电压较小。加载的电压不能达到所述第三二极管213和所述第四二极管214的开启电压，所述第三二极管213和所述第四二极管214不导通。所述第二结构电容302和所述第三结构电容303通过所述第三电容223连接，多个所述磁场增强组件10组成的磁场增强器件20处于谐振状态，起到增强磁场的作用。

在一个实施例中，所述第三二极管213和所述第四二极管214的开启电压均在0至1V之间。在一个实施例中，所述第三二极管213和所述第四二极管214的开启电压相同，以使在所述磁场增强器件20在射频接收阶段连续增加磁场强度，提高反馈信号的稳定性。在一个实施例中，所述第三二极管213和所述第四二极管214的开启电压为0.8V。

在一个实施例中，所述第三二极管213和所述第四二极管214的型号相同，所述第三二极管213和所述第四二极管214导通后的压降相同，以使在所述磁场增强器件20在射频接收阶段磁场强度的增大幅度相同，进一步提高反馈信号的稳定性。

请一并参见图15，在一个实施例中，所述第一连接层190用于构成结构电感，替换所述第一电感241。则所述第七控制电路630的连接关系为：所述第三电容223的一端与所述第一连接层190靠近所述第一子电极层111的一端连接。所述第三电容223的另一端与所述第二连接层191连接。所述第一开关电路631连接于所述第一连接层190远离所述第一子电极层111的一端与所述第二连接层191之间。所述第一连接层190用于构成结构电感，无需外接电感，节约成本。

请参见图16和图17，本申请实施例提供一种磁场增强器件20，包括筒形支撑结构50、多个磁场增强组件10、第一环形导电片510和第二环形导电片520。所述筒形支撑结构50具有两个间隔相对的第三端51和第四端53。所述筒形支撑结构50包围形成一个检测空间。所述多个磁场增强组件10间隔设置于所述筒形支撑结构50。多个所述磁场增强组件10均沿着所述第三端51向所述第四端53延伸。所述第一子电极层111和所述第二电极层120靠近所述第一端103设置。所述第二子电极层112和所述第三电极层130靠近所述第二端104设置。所述第一环形导电片510设置于所述筒形支撑结构50，并靠近所述第三端51。所述第一环形导电片510与多个所述磁场增强组件10的所述第二电极层120电连接。所述第二环形导电片520设置于所述筒形支撑结构50，并靠近所述第四端53。所述第二环形导电片520与所述多个磁场增强组件10的所述第三电极层130电连接。

所述磁场增强组件10为上述任一实施例所述的磁场增强组件10。本申请实施例提供的所述磁场增强器件20中多个所述磁场增强组件10的所述第一连接层190通过所述第二环形导电片520并联连接，形成LC振荡电路。所述磁场增强器件20的谐振频率等于目标谐振频率，可以增强检测部位的反馈信号。所述磁场增强器件20覆盖于检测部位，所述第一电极层 110、所述第二电极层120和第三电极层130覆盖检测部位，形成屏蔽层，影响反馈信号向射频线圈传输。本申请实施例提供的所述磁场增强器件20中所述第一连接层190的宽度小于所述第一子电极层111的宽度。所述检测部位被所述第一电极层110覆盖的区域减小，所述第一电极层110的屏蔽效果减弱，反馈信号的传输能力增强。所述射频线圈更容易接收反馈信号，进而使得接收的信号质量提高，信号被处理后形成的图像质量提高。

此外，多个所述磁场增强组件10圆形阵列分布于所述筒形支撑结构50。所述筒形支撑结构50的结构对称，磁场分布均匀，对反馈信号的增强效果一致。此外，所述磁场增强器件 20能够套设于人体的手臂、腿部或手部等部位，距离检测部位较近，提高检测灵敏度。

所述筒形支撑结构50也可以代替为平板支撑结构或曲面支撑结构代替。所述第一环形导电片510和所述第二环形导电片520可以替换为直线导电片或曲线导电片，以适应平板支撑结构或曲面支撑结构。

请一并参见图18，图中的实线表示现有技术中的磁场增强器件在不同频率下磁场强度变化曲线。虚线表示本申请中的所述磁场增强器件20在不同频率下磁场强度变化曲线。在相同的谐振频率下，本申请中的所述磁场增强器件20的磁场强度大于现有技术中的磁场增强器件的磁场强度。因此，本申请中的所述磁场增强器件20可以较大的提高反馈信号的磁场强度，所述射频线圈更容易接收反馈信号，进而使得接收的信号质量提高，信号被处理后形成的图像质量提高。

在一个实施例中，所述第一连接层190的延伸方向与所述第一方向b的夹角为锐角或钝角。所述第一方向b由所述第一端103指向所述第二端104。多个所述的磁场增强组件10间隔平行设置于所述筒形支撑结构50。多个所述磁场增强组件10并联连接。在所述磁场增强器件20中，相对的两个所述磁场增强组件10中的所述第一连接层190交错设置，平行重叠的部分减小。相对的两个所述磁场增强组件10中的所述第一连接层190与空气形成的杂散电容减小，耦合效应减小，信号质量提高。

在一个实施例中，所述磁场增强器件20还包括多个固定结构930。所述多个固定结构930 设置于所述筒形支撑结构50的外表面，且圆形阵列排布。多个所述固定结构930用于一一固定所述磁场增强组件10。通过所述固定结构930可以使所述磁场增强组件10固定于所述筒形支撑结构50。

所述固定结构930可以为绑带或卡扣等。所述磁场增强组件10通过所述固定结构930可拆卸式固定于所述筒形支撑结构50。

在一个实施例中，所述固定结构930包括间隔设置的第一固定件931和第二固定件932。所述第一固定件931靠近所述第三端51设置。所述第二固定件932靠近所述第四端53设置。所述第一固定件931用于固定所述磁场增强组件10的一端。所述第二固定件932用于固定所述磁场增强组件10的另一端。所述第一固定件931和所述第二固定件932分别用于固定所述磁场增强组件10的两端。

在一个实施例中，所述第一固定件931和所述第二固定件932包括U型卡扣。所述第一固定件931和所述第二固定件932扣设于所述筒形支撑结构50的外表面。所述第一固定件931和所述第二固定件932的U形空间的开口朝向所述第三端51或所述第四端53。所述第一固定件931和所述第二固定件932的U形空间用于穿入所述磁场增强组件10。如需更换所述磁场增强组件10，仅需将所述磁场增强组件10抽离或***所述第一固定件931和所述第二固定件932的U形空间。

请一并参见图19和图20，在一个实施例中，所述第一环形导电片510包括控制连接口 513。所述控制连接口513包括第一连接端511和第二连接端512。所述第一连接端511和所述第二连接端512分别与相邻的两个所述磁场增强组件10的所述第三电极层130连接。所述第七控制电路630连接于所述第一连接端511和所述第二连接端512之间。可以理解的，所述第三电容223的一端与所述第一连接端511连接。所述第三电容223的另一端与所述第二连接端512连接。所述第一电感241的一端与所述第一连接端511连接。所述第一开关电路631连接于所述第一电感241的另一端与所述第二连接端512之间。所述第一开关电路631用于在射频接收阶段时断开。所述第一开关电路631还用于在射频发射阶段时导通，以使所述第七控制电路630处于高阻状态。

在射频接收阶段断开。所述第一开关电路631断开。所述第一连接端511和所述第二连接端512通过所述第三电容223连接。所述第一开关电路631和所述第一电感241不参与电路导通。所述磁场增强器件20与检测部位发射反馈信号的频率相同，所述磁场增强器件20 谐振，以增强反馈信号的磁场强度。

在射频信号发射阶段，所述第一开关电路631导通，所述第三电容223与所述第一电感 241并联，使得所述第七控制电路630处于高阻状态。所述第一连接端511和所述第二连接端512之间断路。所述磁场增强器件20中元件连接关系改变，谐振频率改变。所述磁场增强器件20的谐振频率不等于所述目标频率，所述磁场增强器件20不具有增强磁场的作用，从而减小检测图像的伪影，提高检测图像的清晰度。

在一个实施例中，所述第一环形导电片510包括多个间隔设置的所述控制连接口513和多个所述第七控制电路630。每个所述控制连接口513的两端分别与相邻的两个所述磁场增强组件10的所述第三电极层130。每个所述控制连接口513连接有一个所述第七控制电路630，以在发射阶段切断相邻两个所述磁场增强组件10之间的电流，减小相邻两个所述磁场增强组件10之间的感应电流对发射阶段射频磁场的影响。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：

第一电介质层（100），具有相对的第一端（103）和第二端（104），并包括相对的第一表面（101）和第二表面（102）；

第一电极层（110），设置于所述第一表面（101），并沿所述第一端（103）向所述第二端（104）延伸，所述第一电极层（110）包括第一子电极层（111）、第二子电极层（112）和一个第一连接层（190），所述第一子电极层（111）和所述第二子电极层（112）宽度相同并相对间隔设置，所述第一连接层（190）的一端与所述第一子电极层（111）连接，所述第一连接层（190）的另一端与所述第二子电极层（112）连接，所述第一连接层（190）的宽度小于所述第一子电极层（111）的宽度；所述第一电极层（110）还包括第二连接层（191），所述第二连接层（191）设置于所述第一表面（101），所述第二连接层（191）的宽度小于所述第一子电极层（111）的宽度，所述第二连接层（191）与所述第一连接层（190）平行间隔设置，且所述第一连接层（190）与所述第二连接层（191）并联连接于所述第一子电极层（111）和所述第二子电极层（112）之间;所述第一连接层（190）的延伸方向与所述第二连接层（191）的延伸方向的夹角为锐角或钝角;

第二电极层（120）和第三电极层（130），相对间隔设置于所述第二表面（102），所述第二电极层（120）在所述第一电介质层（100）的正投影与所述第一子电极层（111）在所述第一电介质层（100）的正投影部分重叠，所述第二电极层（120）、所述第一电介质层（100）和所述第一子电极层（111）构成第二结构电容（302），所述第三电极层（130）在所述第一电介质层（100）的正投影与所述第二子电极层（112）在所述第一电介质层（100）的正投影部分重叠，所述第三电极层（130）、所述第一电介质层（100）和所述第二子电极层（112）构成第三结构电容（303）。

2.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一连接层（190）的宽度是所述第一子电极层（111）的宽度的1/5至1/2。

3.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一连接层（190）的延伸方向与第一方向的夹角为锐角或钝角，所述第一方向由所述第一端（103）指向所述第二端（104）。

4.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一连接层（190）的侧壁与所述第一子电极层（111）的侧壁的相交处设置为弧形倒角。

5.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一电极层（110）还包括第二连接层（191），所述第二连接层（191）设置于所述第一表面（101），所述第二连接层（191）的宽度小于所述第一子电极层（111）的宽度，所述第一子电极层（111）、所述第一连接层（190）、所述第二连接层（191）和所述第二子电极层（112）沿所述第一电介质层（100）延伸的方向顺次排布，所述第二连接层（191）与所述第二子电极层（112）连接；

所述磁场增强组件（10）还包括第二谐振调节电路（410），所述第二谐振调节电路（410）的一端与所述第一连接层（190）连接，所述第二谐振调节电路（410）的另一端与所述第二连接层（191）连接。

6.如权利要求5所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第二谐振调节电路（410）包括电容，所述电容的一端与所述第一连接层（190）连接，所述电容的另一端与所述第二连接层（191）连接。

7.如权利要求5所述的磁场增强组件，其特征在于，所述磁场增强组件还包括开关控制电路（430）；其中，所述开关控制电路（430）的两端分别与所述第一子电极层（111）和所述第二电极层（120）连接，所述开关控制电路（430）用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。

8.如权利要求7所述的磁场增强组件，其特征在于，所述开关控制电路（430）包括第一二极管（431）和第二二极管（432），所述第一二极管（431）的阳极与所述第一子电极层（111）连接，所述第一二极管（431）的阴极与所述第二电极层（120）连接，所述第二二极管（432）的阴极与所述第一子电极层（111）连接，所述第二二极管（432）的阳极与所述第二电极层（120）连接。

9.如权利要求5所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第二谐振调节电路（410）包括第一耗尽型MOS管（231）与第二耗尽型MOS管（232），所述第一耗尽型MOS管（231）的源极与所述第二子电极层（112）电连接，所述第一耗尽型MOS管（231）的栅极和漏极电连接，所述第二耗尽型MOS管（232）的栅极和漏极电连接，并与所述第一耗尽型MOS管（231）的栅极和漏极电连接，所述第二耗尽型MOS管（232）的源极与所述第一子电极层（111）电连接。

10.一种磁场增强器件，其特征在于，包括：

筒形支撑结构（50），具有两个间隔相对的第三端（51）和第四端（53）；

多个磁场增强组件（10），间隔设置于所述筒形支撑结构（50），多个所述磁场增强组件（10）均沿着所述第三端（51）向所述第四端（53）延伸，所述磁场增强组件（10）包括：

第一电介质层（100），具有相对的第一端（103）和第二端（104），并包括相对的第一表面（101）和第二表面（102）；

第一电极层（110），设置于所述第一表面（101），并沿所述第一端（103）向所述第二端（104）延伸，所述第一电极层（110）包括第一子电极层（111）、第二子电极层（112）和一个第一连接层（190），所述第一子电极层（111）和所述第二子电极层（112）宽度相同并相对间隔设置，所述第一子电极层（111）靠近所述第一端（103）设置，所述第二子电极层（112）靠近所述第二端（104）设置，所述第一连接层（190）的一端与所述第一子电极层（111）连接，所述第一连接层（190）的另一端与所述第二子电极层（112）连接，所述第一连接层（190）的宽度小于所述第一子电极层（111）的宽度；所述第一电极层（110）还包括第二连接层（191），所述第二连接层（191）设置于所述第一表面（101），所述第二连接层（191）的宽度小于所述第一子电极层（111）的宽度，所述第二连接层（191）与所述第一连接层（190）平行间隔设置，且所述第一连接层（190）与所述第二连接层（191）并联连接于所述第一子电极层（111）和所述第二子电极层（112）之间;所述第一连接层（190）的延伸方向与所述第二连接层（191）的延伸方向的夹角为锐角或钝角;

第二电极层（120）和第三电极层（130），相对间隔设置于所述第二表面（102），所述第二电极层（120）在所述第一电介质层（100）的正投影与所述第一子电极层（111）在所述第一电介质层（100）的正投影部分重叠，所述第二电极层（120）、所述第一电介质层（100）和所述第一子电极层（111）构成第二结构电容（302），所述第三电极层（130）在所述第一电介质层（100）的正投影与所述第二子电极层（112）在所述第一电介质层（100）的正投影部分重叠，所述第三电极层（130）、所述第一电介质层（100）和所述第二子电极层（112）构成第三结构电容（303）；

第一环形导电片（510），设置于所述筒形支撑结构（50），并靠近所述第三端（51）；所述第一环形导电片（510）与多个所述磁场增强组件（10）的所述第二电极层（120）电连接；以及

第二环形导电片（520），设置于所述筒形支撑结构（50），并靠近所述第四端（53），所述第二环形导电片（520）与多个所述磁场增强组件（10）的所述第三电极层（130）电连接。