CN114815418B - 显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种阵列基板、显示面板及显示装置。所述阵列基板包括基板和设置于基板上的多个子像素,子像素包括像素电极,其中,基板在第一方向上被划分为多个区域,每个区域包括多个沿第一方向排列的像素电极;同一区域中的各个像素电极的狭缝角相同,多个区域中的像素电极的狭缝角在第一方向上逐渐减小,当采用该显示面板的显示装置采用侧入式背光模组时,由于第一方向上显示面板的温度逐渐降低,导致液晶层的穿透率逐渐增加,而阵列基板的多个区域中的像素电极的狭缝角在第一方向上逐渐减小,所述第一方向被定义为所述阵列基板使用时温度逐渐降低的方向,使得液晶层的穿透率逐渐减小,从而在显示装置工作时,弥补显示面板在第一方向上由于温度差异对液晶层穿透率的影响,使得显示面板的亮度均匀。
Description
技术领域
本申请涉及液晶显示技术领域,尤其是涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)已经成为日常生活工作中使用的主流显示器,液晶显示器根据其显示模式可以分为扭曲向列(Twisted Nematic,TN)型、垂直配向(Vertical Alignment,VA)型、平面转换(In-Plane-Switching,IPS)型等主流的显示器。
随着显示技术的发展,液晶显示器朝着便携性、薄型化的方向发展,故大多采用侧入式光源。然而,目前的采用侧入式光源的显示面板的亮度不均。
发明内容
本申请提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,以解决现有显示面板亮度不均的问题。
为解决上述技术问题,本申请提供的第一个技术方案为:提供一种阵列基板,包括基板和设置于所述基板上的多个子像素,所述子像素包括像素电极;其中,所述基板在第一方向上被划分为多个区域,每个区域包括多个沿所述第一方向排列的像素电极;同一区域中的各个像素电极的狭缝角相同,多个区域中的所述像素电极的狭缝角在所述第一方向上逐渐减小,所述第一方向被定义为所述阵列基板使用时温度逐渐降低的方向。
在一实施例中,在所述第一方向上,相邻两个区域中的所述像素电极的狭缝角的差值相等。
在一实施例中,在所述第一方向上,多个所述区域中所述像素电极的狭缝角的从45度开始减小,多个所述像素电极的最小狭缝角的范围为30度-40度。
在一实施例中,在所述第一方向上,在所述第一方向上,相邻两个区域中所述像素电极的狭缝角的差值为3度-6度。
在一实施例中,所述子像素还包括公共电极走线,所述公共电极走线与每个所述像素电极部分重叠形成存储电容,且在所述第一方向上,同一区域中的各个像素电极与所述公共电极走线的重叠面积相同,多个区域中的所述像素电极与所述公共电极走线的重叠面积在所述第一方向上逐渐减小。
为解决上述技术问题,本申请提供的第二个技术方案为:提供一种显示装置,包括第一基板、第二基板以及液晶层,所述第一基板与所述第二基板相对设置,所述第二基板为上述任意一项所述的阵列基板。
在一实施例中,每个区域中沿所述第一方向排列的所述像素电极的数量大于N,N大于等于10且小于等于20;所述显示面板还包括散射层,设置于所述第一基板上,且对应相邻两个区域的交界处,所述散射层用于调节相邻两个区域在交界处的亮度差异。
在一实施例中,所述散射层设置于所述第一基板远离所述第二基板的表面,且所述散射层在所述像素电极阵列上的投影位于相邻两个区域交界处。
在一实施例中,所述散射层在所述第二基板上的投影至少覆盖相邻两个所述区域交界处的相邻两个所述像素电极的部分。
为解决上述技术问题,本申请提供的第三个技术方案为:提供一种显示装置,包括显示面板,所述显示面板包括上述任一项所述的显示面板;侧入式背光模组,包括导光板和光源,其中,所述第一方向为从所述光源由近至远的方向。
本申请的有益效果,区别于现有技术的情况,本申请提供的显示面板及显示装置,包括基板和设置于基板上的多个子像素,子像素包括像素电极,其中,基板在第一方向上被划分为多个区域,每个区域包括多个沿第一方向排列的像素电极;同一区域中的各个像素电极的狭缝角相同,多个区域中的像素电极的狭缝角在第一方向上逐渐减小,当采用该显示面板的显示装置采用侧入式背光模组时,由于第一方向上显示面板的温度逐渐降低,导致液晶层的穿透率逐渐增加,而阵列基板的多个区域中的像素电极的狭缝角在第一方向上逐渐减小,使得液晶层的穿透率逐渐减小,从而在显示装置工作时,弥补显示面板在第一方向上由于温度差异对液晶层穿透率的影响,使得显示面板的亮度均匀。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
图1为本申请第一实施例提供的显示装置的结构示意图;
图2为本申请第一实施例提供的显示装置的剖视图;
图3为本申请第一实施例提供的显示装置的第一基板、第二基板的吸收轴与液晶分子的方位角与周期函数A的关系图;
图4为液晶分子的折射率差与温度的关系图;
图5为本申请第一实施例提供的显示装置的像素电极阵列的结构示意图;
图6为本申请第一实施例提供的显示装置的子像素的结构示意图;
图7A-图7C为本申请提供的显示装置的子像素的另一种结构示意图;
图8为本申请第二实施例提供的显示装置的剖视图;
图9为本申请第二实施例提供的显示装置的像素电极阵列与散射层的位置关系图。
附图标记说明:
显示装置-100,显示面板-10,第一基板-11,上偏光层-111,上玻璃基板-112,公共电极-113,彩色滤色层-114,黑色矩阵层-115,液晶层-12,液晶分子-120,第二基板-13,下偏光层 131,下玻璃基板-132,TFT结构层-133,子像素-135,数据线-1351,扫描线-1352,薄膜晶体管-1353,公共电极走线-1354,像素电极阵列-14,区域-141,第一区域-1411,第二区域-1412,第三区域-1413,像素电极-142,主干电极-1421,支路电极-1422,开口区域-1423,散射层-15,侧入式背光模组-20,导光板-21,出射面-211,反射面-212,光源-22,第一方向-A。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅用于解释本申请,而非对本申请的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本申请相关的部分而非全部结构。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本说明书的上述描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“固定”、“安装”、“相连”或“连接”等术语应该做广义的理解。例如,就术语“连接”来说,其可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,或者可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。因此,除非本说明书另有明确的限定,本领域技术人员可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
本申请中的术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。此外,术语“包括”和“具有”以及他们任何形变,意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元,而是可选地还包括没有列出的步骤或单元,或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
在本文中提及“实施例”意味着,结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语不一定均是指相同的实施例,也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解是,本文所描述的实施例可以与其他实施例结合。
采用侧入式光源的显示面板中,显示面板越靠近光源处的温度越高,越远离光源处的温度越低。由于温度越高,显示面板中的液晶层的穿透率越低,温度越低,显示面板中的液晶层12的穿透率越高,从而导致整个显示面板的亮度不均。为此,本申请提供一种采用侧入式光源但整个显示面板的亮度均匀的显示面板,以及采用该显示面板的显示装置。
参见图1-图9,图1为本申请第一实施例提供的显示装置的结构示意图;图2为本申请第一实施例提供的显示装置的剖视图;图3为本申请第一实施例提供的显示装置的第一基板、第二基板的吸收轴与液晶分子的方位角与周期函数A的关系图;图4为本申请一实施例提供的液晶分子的折射率差与温度的关系图;图5为本申请第一实施例提供的显示装置的像素电极阵列的结构示意图;图6为本申请第一实施例提供的显示装置的子像素的结构示意图;图7A-图7C为本申请提供的显示装置的子像素的另一种结构示意图;图8为本申请第二实施例提供的显示装置的剖视图;图9为本申请第二实施例提供的显示面板的像素电极阵列与散射层的位置关系图。
参见图1和图2,本申请第一实施例提供的显示装置100包括显示面板10和侧入式背光模组20。其中,显示面板10包括第一基板11、液晶层12和第二基板13;第一基板11和第二基板13相对设置,液晶层12设置于第一基板11与第二基板13之间;侧入式背光模组20包括导光板21和光源22。侧入式背光模组20还可以包括其他功能层,例如,反射层,此处不做限制。
具体的,显示装置100在工作时,光源22射出的光线通过导光板21进入显示面板10,进入显示面板10的这些光线会先经过第二基板13然后再经过液晶层12,液晶层12中的液晶分子120的排列方式会改变光线的偏振角度,最后这些光线经过第一基板11出射,从而显示出相应的画面。因此,我们只要改变加在液晶分子120上的电压值就可以控制最后出现的光线强度与色彩,这样就能在显示面板10上变化出具有不同色调的颜色组合。
参见图2,在本申请的第一实施例中,第一基板11包括层叠设置的上偏光层111、上玻璃基板112、公共电极113、彩色滤色层114以及黑色矩阵层115。第二基板13包括层叠设置的下偏光层131、基板132、TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)结构层133以及像素电极阵列14。第一基板11和第二基板13还可以包括其他功能层,例如配向层,此处不做限制。其中,第一基板11可以为彩膜基板,第二基板13可以为阵列基板,基板132可以为玻璃基板。
其中,第二基板13上形成有多个子像素135,每个子像素135包括数据线1351、扫描线1352、薄膜晶体管1353和像素电极142,其中,数据线1351、扫描线1352、薄膜晶体管1353设置于TFT结构层133中,薄膜晶体管1353的栅极和扫描线1352连接,薄膜晶体管1353的源极和漏接分别与数据线1351和像素电极142电连接,例如,薄膜晶体管1353的源极和数据线1351电连接,薄膜晶体管1353的漏极和像素电极142电连接。可以理解,第二基板13具有多个交叉设置的数据线1351和扫描线1352,多个交叉设置的数据线1351和扫描线1352定义多个像素区域,相邻的两个数据线1351和相邻的两个扫描线1352定义一个像素区域,每个像素区域内可以设置一个或多个像素电极142。本申请仅以每个像素区域内设置一个像素电极142为例进行说明。
如下为液晶层12的穿透率T公式:
(式1);
(式2);
(式3);
其中,为上偏光层111和下偏光层131的吸收轴与液晶分子120长轴之间的方位角,该角度由液晶光配向决定,/>为圆周率,/>为液晶分子120的折射率差,/>为液晶盒厚。
参见图3,A为一个周期性函数,对于VA显示模式来说,为了取最大的穿透率T,方位角一般设计为45°,此时A=1,式1可简化成式3。
由于采用侧入式背光模组20的显示装置100,显示面板10越靠近光源22处的温度越高,越远离光源22的第一方向A温度越低。参见图4,温度越高,液晶分子120的折射率差越低,显示面板10的亮度越低,从而导致显示面板10在远离光源22的第一方向A上,液晶层12的穿透率T逐渐变大,具体表现为显示面板10的亮度逐渐增大,导致亮度不均。
根据式1、式2和图4可知,在0度-45度范围内,方位角越大,液晶分子120的折射率越高,显示面板10的亮度越高。因此,为解决采用侧入式背光模组20导致显示面板10亮度不均的问题,参见图5,本申请提供的显示面板10中的第二基板13上的像素电极阵列14在第一方向A上被划分为多个区域141,每个区域141包括多个沿第一方向A排列的像素电极142;同一区域141中的各个像素电极142的狭缝角相同,多个区域141中的像素电极142的狭缝角在第一方向A上逐渐减小,使得显示面板10中的液晶层12在第一方向A上的穿透率T之间减小,从而弥补显示面板10在第一方向A上由于温度差异对显示面板10中的液晶层12的穿透率T的影响,保证显示面板10的亮度均匀。
参见图5和图6,为了使显示面板10具有更好的广视角特性,改善亮度不均的问题,本申请采用多畴VA技术(Multidomain Vertical Alignment,MVA),即将一个像素电极142划分为多个区域。具体的,像素电极142包括主干电极1421和与多个与主干电极1421连接的支路电极1422,主干电极1421的形状为十字形,主干电极1421将像素电极142划分为四个区域,任意一个区域中包括若干个平行设置的支路电极1422,支路电极1422与主干电极1421的夹角为像素电极142的狭缝角。多个像素电极142呈阵列设置,像素电极阵列14中与第一方向A平行的多个像素电极142为像素电极阵列14的行,与第一方向A垂直的多个像素电极142为像素电极阵列14的列,由于显示面板10的温度只与距离光源22的距离有关,像素电极阵列14中与光源22具有相同距离的同一列上的多个像素电极142与光源22的距离相同,即像素电极阵列14中同一列上的多个像素电极142的温度相同,因此,通过将像素电极阵列14在行的方向上被划分为多个区域141,且多个区域141中的像素电极142的狭缝角在行的方向上逐渐减小,从而保证整个显示面板10中的液晶层12的穿透率T基本相同,使得显示面板10的亮度均匀。其中,像素电极阵列14中行的数量和列的数量可以相同或不相同。例如,若显示面板10为正方形,则可以设置行和列的数量均相同;若显示面板10为长方形,则可以根据长方形的边长,设置行和列的数量不相同;若显示面板10为其他形状,例如圆形或椭圆形,则可以根据实际情况,设置多个像素电极142呈不同的阵列排布。其中,不同区域141中每列中的多个像素电极142的数量可以相同或不相同,例如,参见图5,像素电极阵列14在第一方向A上被划分为3个区域141,靠近光源22的第一区域1411中每行的像素电极142的数量为x个,远离光源22的第三区域1413中每行的像素电极142的数量为y个,位于两个区域141之间的第二区域1412中每行的像素电极142的数量为z个,具体可根据实际情况进行设置,只要保证多个区域141中的像素电极142的狭缝角在第一方向A上逐渐减小即可。
可以理解的,在对像素电极142施加电场的情况下,液晶分子120沿像素电极142的狭缝角方向翻转,即,在显示面板10工作状态下,液晶分子120的偏转角度与像素电极142的狭缝角的角度相同。而温度越低,液晶分子120的折射率差越大,显示面板10的穿透率T越大,为使得显示面板10在远离光源22的第一方向A上的穿透率T基本不变,通过在远离光源22的第一方向A上使多个区域141中的像素电极142的狭缝角逐渐减小,从而使得各区域141控制的液晶分子120的偏转角度逐渐减小,使得显示面板10在第一方向A上的穿透率T基本保持不变。具体的,本申请通过差异化补偿显示面板10在第一方向A上的穿透率T,弥补显示面板10在第一方向A上由于温度差异对显示面板10中液晶层12的穿透率T的影响,从而保证显示面板10的亮度均匀。
在本实施例中,每个区域141中沿第一方向A排列的像素电极142的数量大于N,N的数量具体根据像素电极阵列14中多个像素电极142被划分为区域141的数量决定。而由于每个区域141中包含多个像素电极142,多个区域141将像素电极阵列14划分为有限个单元,若相邻两个区域141中像素电极142的狭缝角过小,会导致在第一方向A上多个区域141中的像素电极142的狭缝角的变化较小,例如,像素电极阵列14在第一方向A上被划分为3个区域141,若相邻两个区域141中像素电极142的狭缝角的差值为0.5度,则在第一方向A上多个区域141中的像素电极142的狭缝角的变化量只有1.5度,对显示面板10中的液晶层12的穿透率T的补偿较小,导致显示面板10在第一方向A上的亮度仍然具有一定的差异。在本实施例中,在第一方向A上,相邻两个区域141中像素电极142的狭缝角的差值为3度-6度,具体可根据显示面板10的尺寸或温度在第一方向A上显示面板10的影响进行选择,从而弥补显示面板10在第一方向A上由于温度差异对显示面板10中的液晶层12的穿透率T的影响,使得显示面板10的亮度均匀。
在本实施例中,参见图6,在第一方向A上,多个区域141中的像素电极142的狭缝角从45度开始减小。例如,多个区域141的数量为三个,三个区域141中的像素电极142的狭缝角在第一方向A上依次为φ1、φ2、φ3,并且φ1>φ2>φ3。具体的,显示面板10越靠近光源22的位置温度越高且穿透率T越低,通过设置像素在靠近光源22处的狭缝角的角度为45度,最大程度的提高液晶层12靠近光源22处的穿透率T,即第一区域1411处的穿透率T。其中,φ1为45度,φ2为40度、φ3为35度,从而使得显示面板10在第一方向A上的穿透率T依次减弱,进而弥补显示面板10上不同温度对穿透率T提升带来的影响。其中,多个像素电极142的最小狭缝角的范围为30度-40度。例如,在第一方向A上,距离光源22最远处的像素电极142的狭缝角可以为40度、35度、30度等,具体可根据区域141的数量和相邻两个区域141中像素电极142的狭缝角的差值决定。
在本实施例中,多个区域141的数量为3-6个,具体可根据显示面板10的尺寸或温度在第一方向A上显示面板10的影响进行选择,例如,多个区域141在第一方向A上依次包括第一区域1411、第二区域1412和第三区域1413,将第二区域1412中的像素电极142的狭缝角设为标准狭缝角φ2,增加第一区域1411中的像素电极142的狭缝角φ1的角度,减小第三区域1413中的像素电极142的狭缝角φ3的角度,以此提升第一区域1411的穿透率T,降低第三区域1413的穿透率T,使得液晶层12在第一方向A上的穿透率T的基本相同,进而保证显示面板10的亮度均匀。可以理解,区域141的数量越多,像素电极142的狭缝角的变化值也越多,导致制备工艺复杂。
为使得显示面板10的亮度更加均匀,在本实施例中,在第一方向A上,相邻两个区域141中像素电极142的狭缝角的差值相等。例如,在第一方向A上,相邻两个区域141中的像素电极142的狭缝角的差值均为3度、4度、5度或6度。
参见图7A-图7C,图7A-图7C中所示的像素电极142只是作为示例性说明,具体结构与图6中所示的像素电极142的结构基本相同。
参见图7A,本申请提供的子像素135还包括公共电极走线1354,公共电极走线1354与每个像素电极142部分重叠形成存储电容,且在第一方向A上,同一区域中的各个像素电极142与公共电极走线1354的重叠面积相同,多个区域中的像素电极142与公共电极走线1354的重叠面积在第一方向A上逐渐减小。
具体的,公共电极走线1354设置于TFT结构层133中,例如,公共电极走线134与扫描线1352同层设置。公共电极113通过公共电极走线1354与每个子像素135电连接,公共电极走线1354与每个像素电极142之间配合形成存储电容,存储电容能够保持显示面板10亮度的稳定,存储电容的电容值越大,显示面板10的亮度保持的时间越久,通过在第一方向A上,设置同一区域中的各个像素电极142与公共电极走线1354的重叠面积相同,多个区域中的像素电极142与公共电极走线1354的重叠面积在第一方向A上逐渐减小,使得在第一方向A上多个区域的存储电容逐渐减小,进而差异化的弥补显示面板10上不同温度对穿透率T带来的影响,使得显示面板10的整体亮度更加均匀。
具体的,公共电极走线1354在每个像素电极142上的投影覆盖面积越大,公共电极走线1354与每个像素电极142之间形成的存储电容的电容值越大,参见图7A,本实施例在第一方向A上,设置第一区域1411中的每个像素电极142与公共电极走线1354的投影重叠面积为S1、设置第二区域1412中的每个的像素电极142与公共电极走线1354的投影重叠面积为S2、设置第三区域1413中的每个的像素电极142与公共电极走线1354的投影重叠面积为S3,并且S1>S2>S3。可以理解的,显示面板10越靠近光源22处的区域受温度的影响越大,本实施例通过在第一方向A上差异化设置多个区域中的像素电极142与公共电极走线1354的投影重叠面积,从而减小光源22对液晶层12不同区域的穿透率T的影响,使得显示面板10的亮度均匀。
在本实施例中,如图7A所示,像素电极142还具有用于流通光线的开口区域1423,光源22射出的光线通过开口区域1423进入到液晶层12,通过改变不同区域中像素电极142的大小,公共电极走线1354的大小不变,使得在第一方向A上,同一区域中的各个像素电极142与公共电极走线1354的重叠面积相同,多个区域中的像素电极142与公共电极走线1354的重叠面积在第一方向A上逐渐减小。其中,本申请中的开口区域1423指像素电极142未被金属层(例如、公共电极走线1354)覆盖的区域,开口区域1423内具有允许光线穿过的开口。在本实施例中,也可以在改变公共电极走线1354的大小,像素电极142的大小不变,使得在第一方向A上,同一区域中的各个像素电极142与公共电极走线1354的重叠面积相同,多个区域中的像素电极142与公共电极走线1354的重叠面积在第一方向A上逐渐减小。当然的,也可以不改变像素电极142和公共电极走线1354的大小,通过改变像素电极142和公共电极走线1354相对位置,使得在第一方向A上,同一区域中的各个像素电极142与公共电极走线1354的重叠面积相同,多个区域中的像素电极142与公共电极走线1354的重叠面积在第一方向A上逐渐减小,在此不做限定。
在显示面板10中还会存在耦合电容,例如像素电极142与数据线1351,或像素电极142与扫描线1352之间都会存在耦合电容。而耦合电容的作用与存储电容作用相反,耦合电容越大显示面板10的亮度保持的时间越短。为此,本申请还可以利用耦合电容来调整显示面板10的亮度均匀性。具体地,由于像素电极142与数据线1351之间的耦合电容较明显,而其他耦合电容可以忽略,本申请以像素电极142与数据线1351之间的耦合电容为例进行说明。本申请在第一方向A上,同一区域中的各个像素电极142与数据线1351之间的耦合电容相同,不同区域的像素电极142在第一方向A上与数据线1351之间的耦合电容越来越大。例如,参见图7B,本实施例在第一方向A上,三个区域中的像素电极142与数据线1351的距离依次为d1、d2、d3,并且d1>d2>d3。本申请通过在第一方向A上使得不同区域中的像素电极142的宽度(指沿第一方向A的尺寸)逐渐增大,可以在不影响显示面板10的开口率的情况下,使得像素电极142与数据线1351之间的距离逐渐减小。
可以理解,为了保持显示面板10的开口率不变,在第一方向A上,公共电极走线1354保持不变。如果仅仅使得像素电极142的宽度逐渐增大,会导致像素电极142与公共电极走线1354的重叠面积逐渐增大,即,存储电容逐渐增大。参见图7C,为此,本申请在第一方向A上使得不同区域的像素电极142的宽度逐渐增大的同时,使得像素电极142的长度(指沿与第一方向A垂直的方向的尺寸)逐渐减小,从而使得在第一方向A上不同区域中的子像素135的存储电容逐渐减小。
参见图8和图9,本申请第二实施例提供的显示装置100包括显示面板10和侧入式背光模组20。其中,显示面板10包括第一基板11、液晶层12和第二基板13;第一基板11和第二基板13相对设置,液晶层12设置于第一基板11与第二基板13之间;侧入式背光模组20包括导光板21和光源22。
本申请第二实施例提供的显示装置100与本申请第一实施例提供的显示装置100的结构基本相同,区别在于,本申请第二实施例提供的显示装置100还包括散射层15。具体地,散射层15对应相邻两个区域141的交界处设置。
在本实施例中,每个区域141中的像素电极142在第一方向A上的数量N大于等于10且小于等于20。具体的,若在第一方向A上,每个区域141中的像素电极142小于N个,例如小于10个,会增加产品的工艺难度;而若在第一方向A上,每个区域141中的像素电极142大于N个,例如大于20个,会使得被划分的区域141的数量减小,且由于每个区域141内的多列像素电极142均采用相同的狭缝角,若相邻两个区域141中的像素电极142的狭缝角的差值太小,且区域141的数量较少,则会使得补偿效果不明显,若相邻两个区域141中的像素电极142的角度差值太大,且区域141的数量较少,则会使得相邻两个区域141的交界处亮度会出现明显的突变。
在本申请的第二实施例中,为了降低穿透率T弥补后,相邻两个区域141之间存在亮度突变,参见图8,本实施例在第一实施例的基础上,显示面板10进一步还包括散射层15,散射层15对应相邻两个区域141的交界处设置,用于调节相邻两个区域141在交界处的亮度差异,减小相邻两个区域141之间存在亮度突变,使得显示面板10的亮度均匀。可以理解,由于每个区域141内的多列像素电极142均采用相同的狭缝角,而实际上每个区域141内的多列像素电极142对应的显示面板10温度也是不同的。因此,显示面板10对应每个区域141的区域的温度在第一方向A也是逐渐降低,显示面板10对应每个区域141的区域的亮度在第一方向A也是逐渐增高。因此,相邻两个区域141的交界处亮度会突变。例如,第一区域1411靠近第二区域1412的一侧为第一区域1411的亮度最大位置,而第二区域1412靠近第一区域1411的一侧为第一区域1411的亮度最小位置,因此,在第一区域1411和第二区域1412的交界处亮度会突变。具体地,散射层15为设置于第一基板11上的散射粒子层,散射粒子层可以对光线进行散射光线以起到模糊光线边界的作用,用于将相邻两个区域141的交界处两边不同光线强度的光线进行散射和混合,从而消除相邻两个区域141的交界处的亮度突变。通过设置散射层15在像素电极阵列14上的投影位于相邻两个区域141交界处,使得显示面板10上对应相邻两个区域141交界处两侧光线均匀。具体的,散射粒子层可以设置于上偏光层111远离第二基板13的表面,且散射粒子层在第二基板13上的投影位于相邻两个区域141交界处;散射粒子层也可以设置于黑色矩阵层115中的间隙,且散射粒子层在第二基板13上的投影位于相邻两个区域141交界处,从而使相邻两个区域141交界处的亮度均匀。
本实施例中,参见图9,散射层15在第二基板13上的投影至少覆盖相邻两个区域141交界处的相邻两个像素电极142的部分。例如,第一区域1411靠近第二区域1412的一侧为第一区域1411的亮度最大位置,而第二区域1412靠近第一区域1411的一侧为第一区域1411的亮度最小位置,因此,设置散射层15在第二基板13上的投影至少覆盖相邻两个区域141交界处的相邻两个像素电极142的部分,第一区域1411靠近第二区域1412的一侧的强光线与第二区域1412靠近第一区域1411的一侧的弱光线被散射层15混合成相同强度的光线并散射出去,从而消除相邻两个区域141的交界处的亮度突变。本实施例中,散射层15在第二基板13上的投影能够覆盖第一区域1411与第二区域1412的相邻的两列像素电极142之间的间隙,且能够覆盖第一区域1411靠近第二区域1412的一侧的像素电极142的至少部分,和第二区域1412靠近第一区域1411的一侧的像素电极的至少部分,以将相邻两个区域121交界处两侧不同光线强度的光线混合散射。在本实施例中,还可以设置散射层15在第二基板13上的投影覆盖第一区域1411靠近第二区域1412的一侧的像素电极142的面积大于覆盖第二区域1412靠近第一区域1411的一侧的像素电极142的面积,例如,散射层15在第二基板13上的投影完全覆盖第一区域1411靠近第二区域1412的一列的像素电极142,且散射层15在第二基板13上的投影覆盖第二区域1412靠近第一区域1411的一列的像素电极142的面积的一半,增加对强侧光线的散射占比,以提升弱侧光线的亮度,使得显示面板10的亮度均匀。
本申请提供的显示面板10及显示装置100,包括基板和设置于基板上的多个子像素135,子像素135包括像素电极142,其中,基板在第一方A上被划分为多个区域,每个区域包括多个沿第一方向A排列的像素电极142;同一区域中的各个像素电极142的狭缝角相同,多个区域中的像素电极142的狭缝角在第一方向A上逐渐减小,当采用该显示面板10的显示装置200采用侧入式背光模组20时,由于第一方向A上显示面板10的温度逐渐降低,导致液晶层12的穿透率T逐渐增加,而阵列基板的多个区域中的像素电极142的狭缝角在第一方向A上逐渐减小,使得液晶层12的穿透率T逐渐减小,从而在显示装置100工作时,弥补显示面板10在第一方向A上由于温度差异对液晶层12的穿透率T的影响,使得显示面板10的亮度均匀。
以上仅为本申请的实施方式,并非因此限制本申请的专利范围,凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种显示面板,包括:
第一基板;
第二基板,与所述第一基板相对设置;所述第二基板为阵列基板且包括基板和设置于所述基板上的多个子像素,所述子像素包括像素电极;
液晶层,设置于所述第一基板与所述第二基板之间;
其特征在于,所述基板在第一方向上被划分为多个区域,每个区域包括多个沿所述第一方向排列的像素电极;同一区域中的各个像素电极的狭缝角相同,多个区域中的所述像素电极的狭缝角在所述第一方向上逐渐减小使得所述液晶层在所述第一方向上的穿透率逐渐减小,所述第一方向被定义为所述阵列基板使用时温度逐渐降低的方向;多个区域在第一方向上依次包括第一区域、第二区域和第三区域;
进一步,所述显示面板还包括:
散射层,设置于所述第一基板上且对应相邻两个区域的交界处,所述散射层用于调节相邻两个区域在交界处的亮度差异;所述散射层在所述第二基板上的投影覆盖所述第一区域靠近第二区域的一侧的所述像素电极的面积大于覆盖所述第二区域靠近所述第一区域的一侧的所述像素电极的面积。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述像素电极包括主干电极和与多个与所述主干电极连接的支路电极,所述主干电极的形状为十字形,所述主干电极将所述像素电极划分为四个第一区域,任意一个所述第一区域中包括若干个平行设置的所述支路电极,所述支路电极与所述主干电极的夹角为所述子像素电极的狭缝角,在所述第一方向上,相邻两个区域中的所述像素电极的狭缝角的差值相等。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
在所述第一方向上,多个区域中所述像素电极的狭缝角的从45度开始减小,多个所述像素电极的最小狭缝角的范围为30度-40度。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
在所述第一方向上,相邻两个区域中所述像素电极的狭缝角的差值为3度-6度。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述子像素还包括公共电极走线,所述公共电极走线与每个所述像素电极部分重叠形成存储电容,且在所述第一方向上,同一区域中的各个像素电极与所述公共电极走线的重叠面积相同,多个区域中的所述像素电极与所述公共电极走线的重叠面积在所述第一方向上逐渐减小。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,
所述子像素还包括数据线和扫描线,所述公共电极走线与所述扫描线属于同层设置,所述公共电极走线为金属层;所述像素电极与所述数据线之间形成耦合电容,所述像素电极未被所述公共电极走线覆盖的区域定义为开口区域;
在所述第一方向上,所述公共电极走线保持不变,使得所述显示面板的开口率不变;在所述第一方向上,不同区域的所述像素电极的宽度逐渐增大,使得所述数据线与所述像素电极之间的距离逐渐减小,从而使得在所述第一方向上不同区域的所述数据线与所述像素电极之间的耦合电容逐渐增大,所述像素电极的宽度指沿所述第一方向的尺寸;且,在所述第一方向上,所述像素电极的长度逐渐减小,从而使得在所述第一方向上,不同区域的所述子像素的存储电容逐渐减小,所述像素电极的长度指沿与所述第一方向垂直的方向的尺寸。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
每个区域中沿所述第一方向排列的所述像素电极的数量大于N,N大于等于10且小于等于20。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述散射层设置于所述第一基板远离所述第二基板的表面。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述散射层在所述第二基板上的投影完全覆盖所述第一区域靠近所述第二区域的一列的所述像素电极,且所述散射层在所述第二基板上的投影覆盖所述第二区域靠近所述第一区域的一列的像素电极的面积的一半。
10.一种显示装置,其特征在于,包括:
显示面板,所述显示面板包括权利要求1-9任一项所述的显示面板;
侧入式背光模组,包括导光板和光源,其中,所述第一方向为从所述光源由近至远的方向。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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