CN114792740A - 半导体衬底层的制备方法及太阳能电池的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体提供一种半导体衬底层及太阳能电池的制备方法。所述半导体衬底层的制备方法包括：提供初始半导体衬底层；采用碱性溶液对所述初始半导体衬底层的表面进行第一制绒处理；进行所述第一制绒处理之后，采用金属催化化学刻蚀工艺对所述初始半导体衬底层的表面进行第二制绒处理。本发明在采用碱性溶液对所述初始半导体衬底层的表面进行第一制绒处理的基础上，采用金属催化化学刻蚀工艺对所述初始半导体衬底层的表面进行第二制绒处理，可以在碱制绒面的金字塔基础上，结合金属催化刻蚀择优刻蚀的特性，通过调整工艺参数制备出更低反射率的倒金字塔绒面。

Description

半导体衬底层的制备方法及太阳能电池的制备方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种半导体衬底层的制备方法及太阳能电池的制备方法。
背景技术
太阳能电池近年来发展迅速，其是一种将太阳辐射能通过光电效应或者光化学效应直接或间接转换成电能的装置。异质结电池是一种重要的太阳能电池类型，通过改变PN结的性能，使异质结电池的光电转换效率提高。另外，异质结电池具有温度系数好、可以双面发电、工艺温度低、光电转换效率高等特点，是非常具有市场竞争力的太阳能电池技术。
制绒是硅片形成良好衬底的重要制程，形成优良并且高效的硅衬底，可以提高太阳能电池的光电转换效率。这是由于在太阳能电池结构中，硅衬底是PN结界面的一部分，通过形成良好绒面结构可以使入射光在表面进行多次反射和折射，延长光程，增加光生载流子。目前异质结电池虽然转换效率高，但是由于非晶硅的寄生光吸收较大，以及绒面本身反射率也较高(约为10％-12％)，使得异质结电池的电流密度相比其他高效电池偏低，因此提高异质结电池的电流密度是提高异质结电池转换效率非常重要及可行的方案。
如何通过对绒面的优化来降低硅衬底的反射率，从而提高异质结电池的电流密度及转换效率，一直是太阳能电池领域不断探索的方向。
发明内容
因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有太阳能电池硅衬底反射率较高的缺陷，进而提供一种半导体衬底层的制备方法及太阳能电池的制备方法。
本发明提供一种半导体衬底层的制备方法，包括：提供初始半导体衬底层；采用碱性溶液对所述初始半导体衬底层的表面进行第一制绒处理；进行所述第一制绒处理之后，采用金属催化化学刻蚀工艺对所述初始半导体衬底层的表面进行第二制绒处理。
可选的，所述第一制绒处理采用的碱性溶液包括氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液。
可选的，所述碱性溶液的质量浓度为1％-10％。
可选的，所述第一制绒处理采用的温度为40摄氏度-80摄氏度，处理时间为5分-120分。
可选的，所述金属催化化学刻蚀工艺包括采用贵金属作为刻蚀剂，依次进行的镀件工步、挖孔工步、去除工步和扩孔工步。
可选的，所述镀件工步包括：将进行所述第一制绒处理之后的所述初始半导体衬底层置于含银溶液和氢氟酸溶液的混合溶液中，在所述初始半导体衬底层的表面分散沉积银颗粒。
可选的，所述镀件工步中的所述氢氟酸溶液的质量浓度为0.5％-30％，所述镀件工步中的所述含银溶液中银的质量浓度为0.0001％-5％，所述镀件工步中的所述氢氟酸溶液和所述含银溶液的体积比为100-1000。
可选的，所述镀件工步的反应温度为5摄氏度-80摄氏度，所述镀件工步的反应时间为10秒-1000秒。
可选的，所述挖孔工步包括：将镀件工步之后的所述初始半导体衬底层置于氢氟酸溶液和过氧化氢溶液的混合溶液中，在所述初始半导体衬底层的表面形成孔洞绒面。
可选的，所述挖孔工步中的所述氢氟酸溶液的质量浓度为1％-50％，所述挖孔工步中的所述过氧化氢溶液的质量浓度为1％-50％，所述挖孔工步中的所述氢氟酸溶液和所述过氧化氢溶液的体积比为0.1-20。
可选的，所述挖孔工步的反应温度为10摄氏度-60摄氏度，所述挖孔工步的反应时间为10秒-1000秒。
可选的，所述去除工步包括：将挖孔工步之后的所述初始半导体衬底层置于过氧化氢溶液和氨水的混合溶液中，去除所述初始半导体衬底层的表面残留的银颗粒。
可选的，所述去除工步中的所述过氧化氢溶液的质量浓度为1％-25％，所述去除工步中的所述氨水的质量浓度为1％-30％，所述去除工步中的所述过氧化氢溶液和所述氨水的体积比为0.1-10。
可选的，所述去除工步的反应温度为5摄氏度-60摄氏度，所述去除工步的反应时间为10秒-1000秒。
可选的，所述扩孔工步包括：将去除工步之后的所述初始半导体衬底层置于氢氟酸溶液和硝酸溶液的混合溶液中，对所述初始半导体衬底层上形成的孔洞进行扩展并形成倒金字塔绒面。
可选的，所述扩孔工步中的所述氢氟酸溶液的质量浓度为5％-40％，所述扩孔工步中的所述硝酸溶液的质量浓度为5％-60％，所述扩孔工步中的所述氢氟酸溶液和所述硝酸溶液的体积比为0.1-10。
可选的，所述扩孔工步的反应温度为5摄氏度-60摄氏度，所述扩孔工步的反应时间为10秒-1000秒。
可选的，采用碱性溶液对所述初始半导体衬底层的表面进行第一制绒处理的步骤之前，还包括：去除所述初始半导体衬底层表面的损伤层。
可选的，采用金属催化化学刻蚀工艺对所述初始半导体衬底层的表面进行第二制绒处理的步骤之后，还包括：对所述初始半导体衬底层表面进行清洗处理。
本发明还提供一种太阳能电池的制备方法，包括：形成半导体衬底层，所述半导体衬底层采用上述的半导体衬底层的制备方法形成。
可选的，还包括：在所述半导体衬底层的一侧表面形成第一本征钝化层；在所述半导体衬底层的另一侧表面形成第二本征钝化层；在所述第一本征钝化层背离所述半导体衬底层的一侧表面形成第一掺杂半导体层；在所述第二本征钝化层背离所述半导体衬底层的一侧表面形成第二掺杂半导体层。
本发明技术方案，具有如下优点：
本发明的半导体衬底层的制备方法，包括：提供初始半导体衬底层；采用碱性溶液对所述初始半导体衬底层的表面进行第一制绒处理；进行所述第一制绒处理之后，采用金属催化化学刻蚀工艺对所述初始半导体衬底层的表面进行第二制绒处理。若在半导体衬底层上直接采用金属催化化学刻蚀工艺形成的绒面反射率比较高，不利于光线进入太阳能电池内部，会导致太阳能电池的电流密度降低。本发明在采用碱性溶液对所述初始半导体衬底层的表面进行第一制绒处理的基础上采用金属催化化学刻蚀工艺对所述初始半导体衬底层的表面进行第二制绒处理，可以在碱制绒面的金字塔基础上，结合金属催化化学刻蚀在(100)面择优刻蚀的特性，通过调整工艺参数制备出更低反射率的倒金字塔绒面。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中半导体衬底层的制备方法的流程示意图；
图2为本发明实施例中初始半导体衬底层在第一制绒处理后的表面形貌电镜照片；
图3为本发明实施例中初始半导体衬底层在依次进行第一制绒处理和第二制绒处理后的表面形貌电镜照片。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
实施例1
本实施例提供一种半导体衬底层的制备方法，如图1所示，包括如下步骤：
步骤S1：提供初始半导体衬底层；
步骤S2：采用碱性溶液对所述初始半导体衬底层的表面进行第一制绒处理；
步骤S3：进行所述第一制绒处理之后，采用金属催化化学刻蚀工艺对所述初始半导体衬底层的表面进行第二制绒处理。
如果采用常规方法，在半导体衬底层上直接采用金属催化化学刻蚀工艺形成绒面，绒面的反射率会比较高，不利于光线进入太阳能电池内部，致使太阳能电池的电流密度降低。本发明在采用碱性溶液对所述初始半导体衬底层的表面进行第一制绒处理的基础上采用金属催化化学刻蚀工艺对所述初始半导体衬底层的表面进行第二制绒处理，借助金属粒子辅助化学或电化学刻蚀半导体硅片的表面微结构，可以在所述初始半导体衬底层的表面形成圆润的更低反射率的倒金字塔绒面，有效降低绒面的反射率(至少可将表面反射率降低到10％以下)，进而提高太阳能电池的电流密度。
所述初始半导体衬底层的材料包括单晶硅。在其他实施例中，所述初始半导体衬底层的材料为其他的半导体材料，如多晶硅、锗或硅锗。
本实施例中，所述初始半导体衬底层的表面具有损伤区，所述损伤区是在切割硅棒原料以形成初始半导体衬底层的过程中造成的。因此优选的，采用碱性溶液对所述初始半导体衬底层的表面进行第一制绒处理的步骤之前，还包括：去除所述初始半导体衬底层表面的损伤层。形成所述初始半导体衬底层的切割过程会对表面造成损伤，若不去除损伤层会影响制绒效果，故优选在制绒前去除所述初始半导体衬底层表面的损伤层。
去除所述初始半导体衬底层表面的损伤层后，采用碱性溶液对所述初始半导体衬底层的表面进行第一制绒处理。本实施例中，所述第一制绒处理采用的碱性溶液包括氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液。在一个实施例中，所述碱性溶液的质量浓度为1％-10％，例如1％、2％、5％或10％。在一个实施例中，所述第一制绒处理采用的温度为40摄氏度-80摄氏度，例如40摄氏度、50摄氏度、60摄氏度、70摄氏度或80摄氏度，处理时间为5分-120分，例如5分、10分、30分、60分、80分、100分或120分。第一制绒处理可以在所述初始半导体衬底层的表面形成具有减反射功能的绒面，但是反射率较高，约为12％。
进行所述第一制绒处理的步骤之后，清洗掉绒面上残留的腐蚀液，采用金属催化化学刻蚀工艺对所述初始半导体衬底层的表面进行第二制绒处理。本实施例中，所述金属催化化学刻蚀工艺包括采用贵金属作为刻蚀剂，依次进行镀件工步、挖孔工步、去除工步和扩孔工步。以下以银为贵金属作为示例对具体的金属催化化学刻蚀工艺进行详细说明。
本实施例中，所述镀件工步包括：将进行所述第一制绒处理之后的所述初始半导体衬底层置于含银溶液和氢氟酸溶液的混合溶液中，在所述初始半导体衬底层的表面分散沉积银颗粒。在一个实施例中，所述镀件工步中的所述氢氟酸溶液的质量浓度为0.5％-30％，例如0.5％、1％、5％、10％、20％或30％，所述镀件工步中的所述含银溶液中银的质量浓度为0.0001％-5％，例如0.0001％、0.001％、0.005％、0.01％、0.05％、0.1％、0.5％、1％或5％，所述镀件工步中的所述氢氟酸溶液和所述含银溶液的体积比为100-1000，例如100、200、400、600、800或1000；优选的，所述镀件工步的反应温度为5摄氏度-80摄氏度，例如5摄氏度、10摄氏度、20摄氏度、40摄氏度、60摄氏度或80摄氏度，所述镀件工步的反应时间为10秒-1000秒，例如10秒、50秒、100秒、200秒、400秒、600秒、800秒或1000秒。
本实施例中，所述挖孔工步包括：将镀件工步之后的所述初始半导体衬底层置于氢氟酸溶液和过氧化氢溶液的混合溶液中，在所述初始半导体衬底层的表面形成孔洞绒面。挖孔工步利用氢氟酸溶液和过氧化氢溶液的混合溶液在沉积有银颗粒的正下方对所述初始半导体衬底的硅进行电化学腐蚀，银颗粒利用自身重力向下移动在未下降前的原位置形成孔洞。在一个实施例中，所述挖孔工步中的所述氢氟酸溶液的质量浓度为1％-50％，例如1％、5％、10％、20％、30％、40％或50％，所述挖孔工步中的所述过氧化氢溶液的质量浓度为1％-50％，例如1％、5％、10％、20％、30％、40％或50％，所述挖孔工步中的所述氢氟酸溶液和所述过氧化氢溶液的体积比为0.1-20，例如0.1、0.5、1、5、10或20；优选的，所述挖孔工步的反应温度为10摄氏度-60摄氏度，例如10摄氏度、20摄氏度、30摄氏度、40摄氏度、50摄氏度或60摄氏度，所述挖孔工步的反应时间为10秒-1000秒，例如10秒、50秒、100秒、200秒、400秒、600秒、800秒或1000秒。
本实施例中，所述去除工步包括：将挖孔工步之后的所述初始半导体衬底层置于过氧化氢溶液和氨水的混合溶液中，去除所述初始半导体衬底层的表面残留的银颗粒，即将孔洞形成后的所有银颗粒都去除。银颗粒可以溶解在过氧化氢溶液和氨水的混合溶液中形成银氨络离子，从而去除；并且，过氧化氢溶液和氨水的混合溶液不会腐蚀所述初始半导体衬底，不会对已形成的孔洞造成影响。在一个实施例中，所述去除工步中的所述过氧化氢溶液的质量浓度为1％-25％，例如1％、5％、10％、15％、20％或25％，所述去除工步中的所述氨水的质量浓度为1％-30％，例如1％、5％、10％、15％、20％、25％或30％，所述去除工步中的所述过氧化氢溶液和所述氨水的体积比为0.1-10，例如0.1、0.5、1、5或10；优选的，所述去除工步的反应温度为5摄氏度-60摄氏度，例如5摄氏度、10摄氏度、20摄氏度、30摄氏度、40摄氏度、50摄氏度或60摄氏度，所述去除工步的反应时间为10秒-1000秒，例如10秒、50秒、100秒、200秒、400秒、600秒、800秒或1000秒。
本实施例中，所述扩孔工步包括：将去除工步之后的所述初始半导体衬底层置于氢氟酸溶液和硝酸溶液的混合溶液中，通过合理控制扩孔溶液的工艺参数，对所述初始半导体衬底层上形成的孔洞进行扩展并形成倒金字塔绒面。通过调节扩孔工艺参数(例如氢氟酸溶液、硝酸溶液的溶液比例、以及反应时间和反应温度)，可以实现对所述初始半导体衬底层上绒面孔洞大小的调节。在一个实施例中，所述扩孔工步中的所述氢氟酸溶液的质量浓度为5％-40％，例如5％、10％、20％、30％或40％，所述扩孔工步中的所述硝酸溶液的质量浓度为5％-60％，例如5％、10％、20％、30％、40％、50％或60％，所述扩孔工步中的所述氢氟酸溶液和所述硝酸溶液的体积比为0.1-10，例如0.1、0.5、1、5或10；优选的，所述扩孔工步的反应温度为5摄氏度-60摄氏度，例如5摄氏度、10摄氏度、20摄氏度、30摄氏度、40摄氏度、50摄氏度或60摄氏度，所述扩孔工步的反应时间为10秒-1000秒，例如10秒、50秒、100秒、200秒、400秒、600秒、800秒或1000秒。
这里应该理解的是，除了上述示例的银颗粒，也可以采用其他贵金属，例如铜(Cu)或金(Au)，只是在形成孔洞的工艺参数和形成效果上会存在差异，另外还涉及到贵金属的成本和后续清洁难易程度。
在第一制绒处理后形成具有减反射功能的绒面基础上，采用金属催化化学刻蚀工艺进行第二制绒处理，可以制备出蜂窝状的倒金字塔结构绒面，更有利于光线的二次反射及二次以上反射，使反射率降低到约8％，采用这样的半导体衬底层制备太阳能电池，有利于提高短路电流，从而提高电池的光电转换效率。
第一制绒处理后形成的金字塔绒面如图2所示，第二制绒处理后形成的蜂窝状的倒金字塔结构绒面如图3所示。第二制绒处理中的银颗粒会优先在金字塔底部沉积，沉积后的挖孔主要依靠电化学反应(即通过反应过程中的电子等过程促进反应)进行，利用氢氟酸溶液和过氧化氢溶液的混合液在表面进行挖孔，同时银颗粒依靠自身重力下沉，在银颗粒未下降前的原位置形成孔洞。由于在不同晶面方向挖孔速度不同，最终形成蜂窝状的倒金字塔结构绒面。
本实施例中，采用金属催化化学刻蚀工艺对所述初始半导体衬底层的表面进行第二制绒处理的步骤之后，还包括：对所述初始半导体衬底层表面进行清洗处理。通过清洗可以去除所述初始半导体衬底层上的有机物、金属以及残留离子。
实施例2
本实施例提供一种太阳能电池的制备方法，包括：形成半导体衬底层，所述半导体衬底层采用所述的半导体衬底层的制备方法形成。在半导体衬底层的表面形成绒面结构，该绒面结构为微米级，在太阳能电池的层状结构中只是非常薄的一部分。通常情况下，太阳能电池的厚度尺寸为绒面结构的厚度尺寸的10000倍～100000倍。
可选的，还包括：在所述半导体衬底层的一侧表面形成第一本征钝化层；在所述半导体衬底层的另一侧表面形成第二本征钝化层；在所述第一本征钝化层背离所述半导体衬底层的一侧表面形成第一掺杂半导体层；在所述第二本征钝化层背离所述半导体衬底层的一侧表面形成第二掺杂半导体层。
为了证实本实施例的效果，对采用不同制绒方式的对照组和测试组的电池片进行了电性能测试。
提供对照组电池片，所述对照组电池片的形成过程包括：提供初始半导体衬底层；采用碱性溶液对初始半导体衬底层的表面进行第一制绒处理得到半导体衬底层；在半导体衬底层的一侧表面形成第一本征钝化层；在半导体衬底层的另一侧表面形成第二本征钝化层；在第一本征钝化层背离半导体衬底层的一侧表面形成第一掺杂半导体层；在第二本征钝化层背离半导体衬底层的一侧表面形成第二掺杂半导体层；在第一掺杂半导体层背离半导体衬底层的一侧表面形成第一透明导电氧化层；在第二掺杂半导体层背离半导体衬底层的一侧表面形成第二透明导电氧化层；在第一透明导电氧化层背离半导体衬底层的一侧表面形成第一栅电极；在第二透明导电氧化层背离半导体衬底层的一侧表面形成第二栅电极。
提供测试组电池片，所述测试组电池片的形成过程包括：提供初始半导体衬底层；采用碱性溶液对初始半导体衬底层的表面进行第一制绒处理；进行第一制绒处理之后，采用金属催化化学刻蚀工艺对初始半导体衬底层的表面进行第二制绒处理得到半导体衬底层；在半导体衬底层的一侧表面形成第一本征钝化层；在半导体衬底层的另一侧表面形成第二本征钝化层；在第一本征钝化层背离半导体衬底层的一侧表面形成第一掺杂半导体层；在第二本征钝化层背离半导体衬底层的一侧表面形成第二掺杂半导体层；在第一掺杂半导体层背离半导体衬底层的一侧表面形成第一透明导电氧化层；在第二掺杂半导体层背离半导体衬底层的一侧表面形成第二透明导电氧化层；在第一透明导电氧化层背离半导体衬底层的一侧表面形成第一栅电极；在第二透明导电氧化层背离半导体衬底层的一侧表面形成第二栅电极。
分别记录了对照组电池片和测试组电池片的开路电压VOC、短路电流密度JSC、填充因子FF和光电转换效率Eta，具体的参数变化情况如下表1所示。
表1对照组电池片和测试组电池片的电性能参数
V<sub>OC</sub>(mV) J<sub>SC</sub>(A/cm<sup>2</sup>) FF(％) Eta(％)
对照组电池片 746 10.43 84.8 24.07
测试组电池片 744 10.65 84.7 24.47
由表1中对照组电池片和测试组电池片的电性能参数对比可以看出，对照组电池片的短路电流密度JSC小于测试组电池片的短路电流密度JSC，对照组电池片的光电转换效率Eta小于测试组电池片的光电转换效率Eta.。测试组电池片相比于对照组电池片的制备区别条件在于测试组电池片在第一制绒处理后，还进行了第二制绒处理。根据上述数据，说明在第一制绒处理的基础上采用金属催化化学刻蚀工艺对初始半导体衬底层的表面进行第二制绒处理，电池片可以获得更好的电性能，也在一定程度上证明了电池片的半导体衬底层具有更低的反射率。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种半导体衬底层的制备方法，其特征在于，包括：
提供初始半导体衬底层；
采用碱性溶液对所述初始半导体衬底层的表面进行第一制绒处理；
进行所述第一制绒处理之后，采用金属催化化学刻蚀工艺对所述初始半导体衬底层的表面进行第二制绒处理。
2.根据权利要求1所述的半导体衬底层的制备方法，其特征在于，所述第一制绒处理采用的碱性溶液包括氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液；
优选的，所述碱性溶液的质量浓度为1％-10％；
优选的，所述第一制绒处理采用的温度为40摄氏度-80摄氏度，处理时间为5分-120分。
3.根据权利要求1所述的半导体衬底层的制备方法，其特征在于，所述金属催化化学刻蚀工艺包括采用贵金属作为刻蚀剂，依次进行镀件工步、挖孔工步、去除工步和扩孔工步。
4.根据权利要求3所述的半导体衬底层的制备方法，其特征在于，所述镀件工步包括：将进行所述第一制绒处理之后的所述初始半导体衬底层置于含银溶液和氢氟酸溶液的混合溶液中，在所述初始半导体衬底层的表面分散沉积银颗粒；
优选的，所述镀件工步中的所述氢氟酸溶液的质量浓度为0.5％-30％，所述镀件工步中的所述含银溶液中银的质量浓度为0.0001％-5％，所述镀件工步中的所述氢氟酸溶液和所述含银溶液的体积比为100-1000；
优选的，所述镀件工步的反应温度为5摄氏度-80摄氏度，所述镀件工步的反应时间为10秒-1000秒。
5.根据权利要求3所述的半导体衬底层的制备方法，其特征在于，所述挖孔工步包括：将镀件工步之后的所述初始半导体衬底层置于氢氟酸溶液和过氧化氢溶液的混合溶液中，在所述初始半导体衬底层的表面形成孔洞绒面；
优选的，所述挖孔工步中的所述氢氟酸溶液的质量浓度为1％-50％，所述挖孔工步中的所述过氧化氢溶液的质量浓度为1％-50％，所述挖孔工步中的所述氢氟酸溶液和所述过氧化氢溶液的体积比为0.1-20；
优选的，所述挖孔工步的反应温度为10摄氏度-60摄氏度，所述挖孔工步的反应时间为10秒-1000秒。
6.根据权利要求3所述的半导体衬底层的制备方法，其特征在于，所述去除工步包括：将挖孔工步之后的所述初始半导体衬底层置于过氧化氢溶液和氨水的混合溶液中，去除所述初始半导体衬底层的表面残留的银颗粒；
优选的，所述去除工步中的所述过氧化氢溶液的质量浓度为1％-25％，所述去除工步中的所述氨水的质量浓度为1％-30％，所述去除工步中的所述过氧化氢溶液和所述氨水的体积比为0.1-10；
优选的，所述去除工步的反应温度为5摄氏度-60摄氏度，所述去除工步的反应时间为10秒-1000秒。
7.根据权利要求3所述的半导体衬底层的制备方法，其特征在于，所述扩孔工步包括：将去除工步之后的所述初始半导体衬底层置于氢氟酸溶液和硝酸溶液的混合溶液中，对所述初始半导体衬底层上形成的孔洞进行扩展并形成倒金字塔绒面；
优选的，所述扩孔工步中的所述氢氟酸溶液的质量浓度为5％-40％，所述扩孔工步中的所述硝酸溶液的质量浓度为5％-60％，所述扩孔工步中的所述氢氟酸溶液和所述硝酸溶液的体积比为0.1-10；
优选的，所述扩孔工步的反应温度为5摄氏度-60摄氏度，所述扩孔工步的反应时间为10秒-1000秒。
8.根据权利要求1所述的半导体衬底层的制备方法，其特征在于，采用碱性溶液对所述初始半导体衬底层的表面进行第一制绒处理的步骤之前，还包括：去除所述初始半导体衬底层表面的损伤层。
9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体衬底层的制备方法，其特征在于，采用金属催化化学刻蚀工艺对所述初始半导体衬底层的表面进行第二制绒处理的步骤之后，还包括：对所述初始半导体衬底层表面进行清洗处理。
10.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
形成半导体衬底层，所述半导体衬底层采用根据权利要求1-9任一项所述的半导体衬底层的制备方法形成；
还至少包括：在所述半导体衬底层的一侧表面形成第一本征钝化层；在所述半导体衬底层的另一侧表面形成第二本征钝化层；在所述第一本征钝化层背离所述半导体衬底层的一侧表面形成第一掺杂半导体层；在所述第二本征钝化层背离所述半导体衬底层的一侧表面形成第二掺杂半导体层。
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