发明内容
本发明的目的在于提供一种干粒釉、具有时光印记效果的陶瓷砖及其制备方法,以使陶瓷砖同时具备耐污性能良好、亚光质感且表面纹理清晰的特点。
根据本发明的一个方面,提供一种干粒釉:干粒釉包括亚光干粒粉体、精雕保护釉和悬浮剂,按质量比计算,亚光干粒粉体:精雕保护釉:悬浮剂=30~40:10:50~60;精雕保护釉含有0.35~0.5 wt%偏硅酸钠和0.1~0.15 wt%甲基纤维素钠。
本发明提供的干粒釉中所包括的精雕保护釉中含有偏硅酸钠和甲基纤维素钠,基于此,利用上述的精雕保护釉加入到亚光干粒粉体中,能够向亚光干粒粉体中引入电解质Na+离子,改善由此所形成的釉料的亲水性,值得注意的是,与甲基纤维素钠相比,釉料的亲水性受偏硅酸钠的影响更为明显,而甲基纤维素钠的使用还能够提高釉料的悬浮特性。基于上述原因,将上述的亚光干粒粉体、精雕保护釉和悬浮剂混合得到本发明的干粒釉具备良好的亲水性能,当上述干粒釉施淋到砖坯表面的深刻墨水上面时,两者相互之间会产生明显的物理排斥,从而在砖坯表面沿着深刻墨水纹理形成凹凸微细纹理。
优选地,偏硅酸钠为九水偏硅酸钠。
优选地,按照质量百分比计算,制备精雕保护釉的原料包括65~75 wt%熔块、10~20wt%钾长石、1~3 wt%氧化锌、5~15 wt%石英,1~4 wt%氧化铝、0.35~0.5 wt%偏硅酸钠和0.1~0.15 wt%甲基纤维素钠。
优选地,在上述精雕保护釉的原料中,按照质量百分比计算,熔块的组分包括:高岭土5~15 wt%、钾长石20~30 wt%、钠长石10~30 wt%、方解石5~15 wt%、碳酸钡5~11 wt%、氧化锌2~6 wt%、碳酸锶3~7 wt%、氧化铝3~7 wt%。
优选地,上述精雕保护釉按照如下方法制备:将精雕保护釉所包括的原料混合后进行球磨,至形成细度在325目筛余为0.4—0.8%、含水率在55%--60%的釉浆。
优选地,悬浮剂包括以下物料组分:2~5 wt%甲基纤维素钠、3~10 wt%膨润土和溶剂余量。通过利用偏水性的膨润土复配悬浮剂,由此得到的悬浮剂与亚光干粒粉体混合制得的干粒釉具有较大的粘性,使其在煅烧过程中不易掉落,提高成品率。
优选地,在悬浮剂中,溶剂由水和乙二醇复配而成。
优选地,悬浮剂由甲基纤维素钠、乙二醇、膨润土、水按照以下质量比混合而成:甲基纤维素钠:乙二醇:膨润土:水=3:50:5:42。
优选地,亚光干粒粉体的物相组成包括钾钠长石类晶相、钙长石晶相、钡锶长石类晶相和锌铝尖晶石类晶相中的至少一种。符合上述物相组成的亚光干粒粉体具有较高的光线漫反射率,从而使得应用该亚光干粒粉体的干粒釉能够在板材表面形成良好的亚光效果。
优选地,制备亚光干粒粉体的原料包括高岭土6~10份、石英8~12份、方解石10~15份、滑石坭8~10份、碳酸钡10~15份、氧化锌4~7份、碳酸锶7~9份、钾长石10~18份和钠长石18~26份。
优选地,上述亚光干粒粉体按照如下步骤制备:将所需原料混合并置于1400~1550℃下高温烧成,使烧成所得物料在熔融状态下发生粹冷,将由此制得的熔块粉碎,得到上述亚光干粒粉体。对用于制备亚光干粒粉体原料按照步骤进行处理,会生成大量的钾钠长石类晶相、钙长石晶相、钡锶长石类晶相、锌铝尖晶石类晶相,使亚光干粒粉体具有良好的亚光光泽。
优选地,利用粉磨机对上述亚光干粒粉体进行圆珠化处理。在圆珠化处理的过程中,干粒粉体之间发生自磨,每个干粒之间进行相互碰撞,使每颗干粒原本具有的棱角进行磨损掉,得到表面比较圆润的干粒。
根据本发明的另一个方面,提供一种具有时光印记效果的陶瓷砖,该陶瓷砖自下而上,依次包括坯体层、面釉层、印花层和干粒釉层;所述干粒釉层由上述的干粒釉制备得到。
根据本发明的另一个方面,提供一种具有时光印记效果的陶瓷砖的制备方法,所述具有时光印记效果的陶瓷砖为上述的陶瓷砖,该制备方法包括以下工序:S1.压制砖坯,在砖坯表面形成凹凸不平的纹路;S2.在砖坯表面施淋面釉;S3.在砖坯表面利用深刻墨水打印形成图案纹理;S4.施淋干粒釉;S5.对砖坯进行煅烧,烧成后得到半成品;S6.对半成品进行精抛研磨,制得成品。
优选地,在S1中所形成的纹路的深度为0.01~0.03 mm。
优选地,在S2中,所使用的面釉的配方包括组分A和水、甲基纤维素钠和三聚磷酸钠;按质量百分比计算,组分A的原料包括:气刀土8~12 wt%、煅烧高岭土10~20 wt%、钾长石15~25 wt%、钠长石23~33 wt%、烧滑石4~8 wt%、硅灰石1~4 wt%、石英5~11 wt%、硅酸锆8~12wt%;按照质量比计算,组分A:水:甲基纤维素钠:三聚磷酸钠=100:40:0.15:0.3。
优选地,面釉的浆料性能满足325目筛余为0.6~0.8%、比重在1.88-1.92 g/ml。
优选地,在S2中,施淋面釉的操作满足面釉在砖坯表面的流速为33~38S/100ml,施釉量为250 g/㎡,所形成的釉层厚度为0.1~0.15 mm。
优选地,在S4中,干粒釉的施釉量为280~300 g/㎡。
优选地,在S5中,砖坯的烧成温度为1170~1190℃,烧成时间为50~60分钟。
优选地,S6包括以下操作:步骤一,利用碳化硅模具刷对半成品的表面进行刷抛;步骤二,利用沾有精抛研磨液的纤维擦对半成品的表面进行精抛,精抛研磨液中含有纳米SiO2。
在上述方案中,运用碳化硅模具刷先对砖坯表面进行刷抛,使砖坯表面变得平滑,再运用纤维擦和精抛研磨液进行精抛研磨,精抛研磨液中的研磨粒子在摩擦力的作用下,变为微粉状,容易填充进釉面的毛细孔中。
优选地,在S6的过程中,施加4.5~6 MPa压力。通过加压,能够进一步促进呈微粉状的研磨粒子进入釉面的毛细孔中,使釉面更加致密。将压力控制在上述范围内,形成的釉面效果最为符合陶瓷砖的釉面效果,如果压力过小,填充釉面毛细孔效果不够明显,如果压力过大,会造成釉面光泽度偏高。
优选地,在S6中:步骤一的刷抛时间为5~9分钟,步骤二的精抛时间为3~5分钟;所采用的碳化硅模具刷包括120目刷具和240目刷具;在S6的步骤一中,利用120目刷具对半成品刷抛2~4分钟,利用240目刷具对半成品刷抛3~5分钟。
通过设计精抛研磨过程中应用不同的刷具所对应的刷抛工序工艺参数,能够逼真地在陶瓷砖表面模拟大自然温度、雨水、生物等的侵蚀作用,在短短时间内把自然大理石经过岁月侵蚀后得到的自然效果复刻到陶瓷砖上,使陶瓷砖呈现出具有时光印记的仿真大理石效果。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例对本发明做进一步说明。需要指出的是,以下所述实施例旨在便于对本发明的理解,而对其不起任何限定作用。
实施例1
本实施例按照如下步骤制备具有时光印记的陶瓷砖:
S1. 压制砖坯
本实施例中用于压制砖坯的模具为750mm*1500mm规格的微起伏模具,选取经过长时间使用后具有细腻纹理的自然大理石,扫描其凹凸纹理,制作成电脑文件,再经过激光雕刻,把自然大理石的凹凸微起伏纹理雕刻到压机模具上,制成具有时光印记的陶瓷砖专用的模具纹理,在本实施例中,如图1所示,成型的微起伏模具深度为0.01mm,起伏坡度平均在10度左右。利用上述微起伏模具,选用常规仿古坯体粉料、大板坯体粉料或岩板坯体粉料,压制表面具有微起伏凹凸纹理的陶瓷砖坯,所用粉料及所制砖坯规格不影响所述陶瓷砖产品效果。在本实施例中,压制砖坯的压机压力控制在300bar,所得到的砖坯规格为750mm*1500mm。
S2.在砖坯表面施淋面釉
在本步骤中,所采用的面釉所使用的面釉的配方包括组分A和水、甲基纤维素钠和三聚磷酸钠;按质量百分比计算,组分A的原料包括:气刀土10 wt%、煅烧高岭土15 wt%、钾长石20 wt%、钠长石28 wt%、烧滑石6 wt%、硅灰石2.5 wt%、石英8 wt%、硅酸锆10 wt%,按照上述物料配比配制组分A;然后向组分A中加入按照组分A总质量的40%的水、0.15%的甲基纤维素钠和0.3%的三聚磷酸钠。对由此得到的浆料进行球磨,至浆料性能达到:325目筛余为0.7%、比重在1.88g/ml。对砖坯进行干燥处理,然后利用上述制得的面釉对砖坯进行施淋,施淋面釉过程中,面釉在砖坯表面的流速为35S/100ml,施釉量为250 g/㎡,所形成的釉层厚度为0.1 mm。
S3.墨水打印
施淋完面釉的砖坯经过工业打印机打印大理石图案,在图案表层打印深刻墨水,深刻墨水形成细纹理图型。
S4. 施淋干粒釉
在本步骤中,所采用的干粒釉由亚光干粒粉体、精雕保护釉和悬浮剂配制而成。
按质量份数称取以下组份制备上述亚光干粒粉体:高岭土8份、石英10份、方解石12份、滑石坭9份、碳酸钡12份、氧化锌5份、碳酸锶8份、钾长石14份、钠长石22份,上述物料中,钾长石和钠长石分别提供K2O、Na2O作为一价氧化物熔剂,同时,方解石提供的CaO、滑石坭提供的MgO、碳酸钡提供的BaO、碳酸锶提供的SrO以及上述物料中含有的氧化锌(ZnO)作为配方中的二价氧化物,由此利用多种一价氧化物、二价氧化物形成复合型熔剂,结合配方中的长石、石英、高岭土,经过熔块炉1400~1550℃的高温烧成,在熔融状态下流入冷水中进行粹冷,在急剧的温度下降下,熔融的液体遇冷形成熔块,熔块再经过破碎,过筛得到150~250目的干粒粉体,成品的亚光干粒粉体的物相分析如图2所示,经过上述烧成、粹冷的过程,生成了大量的钾钠长石类晶相、钙长石晶相、钡锶长石类晶相、锌铝尖晶石类晶相,上述晶相具有较高的光线漫反射率,从而使得成品的亚光干粒粉体具有良好的亚光光泽。对上述制得的亚光干粒粉体进行进一步的圆珠化处理:将亚光干粒粉体置入粉磨机,进行自磨,每个干粒之间进行相互碰撞,使每颗干粒原本具有的棱角进行磨损掉,得到表面比较圆润的干粒。
上述精雕保护釉由组分B和偏硅酸钠、甲基纤维素钠配制而成。按照质量份数计算,精雕保护釉的组分B包括按照质量百分比计算,用于配制上述精雕保护釉的熔块由以下物料组成:熔块70份、钾长石15份、氧化锌2份、石英10份、氧化铝3份;其中所述涉及的熔块的原料配方为:高岭土10 wt%、钾长石28 wt%、钠长石25 wt%、方解石10 wt%、碳酸钡13wt%、氧化锌4 wt%、碳酸锶5 wt%、氧化铝5 wt%。向组分B中按照其总质量的0.35%加入九水偏硅酸钠、按照其总质量的0.1%加入甲基纤维素钠。将用于制备精雕保护釉的物料进行混合后,进行球磨,至获得细度在325目筛余为0.4~0.8%,含水率在55%~60%的釉浆。在上述过程中,釉料中加入的九水偏硅酸钠和甲基纤维素钠,在球磨过程中分散到釉料中,使釉料中含有较多电解质,使精雕保护釉具有了较强的亲水性。
按照质量份数,称取甲基纤维素钠3份、乙二醇50份、膨润土5份、去离子水42份,将上述物料混合均匀,制得上述的悬浮剂。
将上述亚光干粒粉体、上述精雕保护釉和上述悬浮剂按亚光干粒粉体:精雕保护釉:悬浮剂=30:10:60的质量比例混合均匀得到干粒釉。利用由此制得的干粒釉在砖坯表面施淋,是施釉量约为280 g/m2。
S5.高温烧成
将施完干粒釉的砖坯放入窑炉烧成,烧成温度为1180℃,烧成时间为55分钟,经过烧成后得到半成品。
S6.精抛研磨
步骤一,利用碳化硅模具刷对所述半成品的表面进行刷抛。在本实施中中,所采用的碳化硅模具刷包括120目刷具和240目刷具,对每块半成品的刷抛均采用4组120刷具组(每组12块120目刷具,共48块)以及6组240目刷具组(每组12块120目刷具,共72块),先利用120目刷具组对半成品表面刷抛2分钟,然后利用240目刷具组对半成品表面刷抛3分钟。
步骤二,利用沾有精抛研磨液的纤维擦对所述半成品的表面进行精抛,所述精抛研磨液中含有纳米SiO2,以每6块纤维擦组成一个纤维擦组,对每块半成品均采用6组纤维擦组进行精抛,利用纤维擦沾取精抛研磨液,精抛时间为3分钟,在本步骤中,向砖坯表面施加5±0.5 MPa压力。
碳化硅磨具刷的设置如下:120目:4组,每组12块,共48块,240目:6组,每组12块,共72块。纤维擦共6组,每组6块纤维擦,共36个纤维擦。每块陶瓷砖经过碳化硅磨具刷时间如下:120目组共2分钟,240目共3分钟,纤维擦和精抛研磨液共3分钟。
经过上述精抛研磨的工序,在半成品的表面模拟大自然温度、雨水、生物等的侵蚀作用,在短短时间内把自然大理石经过岁月侵蚀后得到的自然效果复刻到陶瓷砖上,使陶瓷砖呈现出具有时光印记的仿真大理石效果。图3和图4所展示的即为成品的陶瓷砖实物效果图,从图中可以看出,本实施例制得的成品陶瓷砖的深刻效果比较理想,深刻裂纹的宽度约0.1 mm、深度为0.12~0.15 mm,能够逼真地模拟大理石的自然裂纹。
对本实施例制得的陶瓷砖成品与市售的普通亚光砖(对应专利《一种瓷质哑光陶瓷砖及其制备方法》,申请号为:CN202011394458.1)进行性能测试,并将测试结果进行比对,性能测试的检验标准为GB/T4100-2015《陶瓷砖附录G干压陶瓷砖》。测试结果如表1所示,与市售的陶瓷砖相比,本实施例所制得的陶瓷砖成品的光泽度较高,且具有更优异的防污性能、耐磨性能以及防滑性能。
实施例2
本实施例参考实施例1提供的原料及工艺方法制备陶瓷砖,与实施例1相比,本实施例的区别在于,将亚光干粒粉体、精雕保护釉和悬浮剂按亚光干粒粉体:精雕保护釉:悬浮剂=35:10:55的质量比例混合均匀得到干粒釉亚光干粒釉。方案中所涉及的其余配方配比及工艺参数与实施例1保持一致。本实施例制得的成品陶瓷砖的深刻效果比较理想,深刻裂纹的宽度约0.1 mm、深度为0.12~0.15 mm,与实施例1制得的成品陶瓷砖的深刻效果类似,能够逼真地模拟大理石的自然裂纹。
实施例3
本实施例参考实施例1提供的原料及工艺方法制备陶瓷砖,与实施例1相比,本实施例的区别在于,将亚光干粒粉体、精雕保护釉和悬浮剂按亚光干粒粉体:精雕保护釉:悬浮剂=40:10:60的质量比例混合均匀得到干粒釉亚光干粒釉。方案中所涉及的其余配方配比及工艺参数与实施例1保持一致。本实施例制得的成品陶瓷砖的深刻效果比较理想,深刻裂纹的宽度约0.1 mm、深度为0.12~0.15 mm,与实施例1制得的成品陶瓷砖的深刻效果类似,能够逼真地模拟大理石的自然裂纹。
实施例4
本实施例参考实施例1提供的原料及工艺方法制备陶瓷砖,与实施例1相比,本实施例的区别在于,所采用的精雕保护釉中不含有九水偏硅酸钠。本实施例所制得的成品陶瓷砖表面的深刻裂纹明显偏浅,深刻纹路的宽度约0.1 mm、深度为0.05~0.08 mm,与本实施例所制得的成品陶瓷砖相比,实施例1所制得的成品陶瓷砖的深刻效果明显更佳,能够更逼真地模拟大理石的自然裂纹。
实施例5
本实施例参考实施例1提供的原料及工艺方法制备陶瓷砖,与实施例1相比,本实施例的区别在于,采用无水偏硅酸钠等量替代实施例1的精雕保护釉中的九水偏硅酸钠。本实施例所制得的成品陶瓷砖表面的深刻裂纹偏浅,深刻纹路的宽度约0.1 mm、深度为0.07~0.10 mm,与本实施例所制得的成品陶瓷砖相比,实施例1所制得的成品陶瓷砖的深刻效果更佳,能够更逼真地模拟大理石的自然裂纹。
实施例6
本实施例参考实施例1提供的原料及工艺方法制备陶瓷砖,与实施例1相比,本实施例的区别在于,采用五水偏硅酸钠等量替代实施例1的精雕保护釉中的九水偏硅酸钠。本实施例所制得的成品陶瓷砖表面的深刻裂纹较浅,深刻纹路的宽度约0.1 mm、深度为0.09~0.12 mm,与本实施例所制得的成品陶瓷砖相比,实施例1所制得的成品陶瓷砖的深刻效果更佳,能够更逼真地模拟大理石的自然裂纹。
实施例7
本实施例参考实施例1提供的原料及工艺方法制备陶瓷砖,与实施例1相比,本实施例的区别在于,按照质量份数,称取甲基纤维素钠3份、乙二醇50份、去离子水42份,将上述物料混合均匀,制得本实施例中采用的悬浮剂。本实施例所采用的悬浮剂不含有膨润土,在陶瓷砖的烧制过程中,干粒釉有明显的掉落,由此使得本实施例制得的陶瓷砖成品与实施例1制得的陶瓷砖成品相比,明显缺乏厚重感。
实施例8
本实施例参考实施例1提供的原料及工艺方法制备陶瓷砖,与实施例1相比,本实施例的区别在于,在精抛研磨阶段的研磨时间有所改变,碳化硅磨具刷的设置如下:120目:4组,每组12块,共48块,240目:6组,每组12块,共72块。纤维擦共6组,每组6块纤维擦,共36个纤维擦。每块陶瓷砖经过碳化硅磨具刷时间如下:120目组共4分钟,240目共5分钟,纤维擦和精抛研磨液共5分钟。本实施例制得的成品陶瓷砖的深刻效果比较理想,深刻裂纹的宽度约0.1 mm、深度为0.12~0.15 mm,与实施例1制得的成品陶瓷砖的深刻效果类似,能够逼真地模拟大理石的自然裂纹。
实施例9
本实施例参考实施例1提供的原料及工艺方法制备陶瓷砖,与实施例1相比,本实施例的区别在于,在精抛研磨阶段的步骤二中,不向砖坯表面施加额外压力。与实施例1所制得的成品陶瓷砖相比,本实施例所制得的成品复古砖的表面致密性较差,其中的原因是在精抛研磨过程中省略了加压操作,造成精抛研磨液提供的研磨粒子对釉面毛细孔的填充效果不够明显。
实施例10
本实施例参考实施例1提供的原料及工艺方法制备陶瓷砖,与实施例1相比,本实施例的区别在于,在精抛研磨阶段的步骤二中,向砖坯表面施加6.5±0.5 MPa压力。在本实施例中,在精抛研磨阶段向砖坯表面施加的压力过大,与实施例1所制得的成品陶瓷砖相比,本实施例所制得的成品陶瓷砖的釉面光泽度偏高,哑光感较差,成品表面模拟大理石自然裂纹的逼真度较低。
对比例1
本实施例参考实施例1提供的原料及工艺方法制备陶瓷砖,与实施例1相比,本对比例的区别在于,本对比例对比实施例1凹凸模具选择常规生产所用的凹凸模具,深度为0.08mm,且起伏坡度稍大,其他各工序同实施例1相同。如图5所示,本对比例所生产的产品表面所形成的凹凸纹路稍偏深,尤其是图5的中间区域,可以明显看到深陷的纹路,在精抛研磨时,凹坑位置碳化硅磨具刷触及不到,造成产品的光泽度不够均匀。
对比例2
本实施例参考实施例1提供的原料及工艺方法制备陶瓷砖,与实施例1相比,本实施例的区别在于,干粒选用稍微亮光的干粒产品,来验证亮光干粒产品在经过同实施例1中同样的生产条件所达到的产品表面效果是否能达到时光印记的效果。如图6所示,本实施例所制得的陶瓷砖表面具有较深的凹陷纹路,另外,从图6的中间区域可以看到产品有明显的反光,由于干粒烧出后光泽度偏亮,经过刷抛后产品釉面光泽度偏高,达不到所述时光印记效果。
对比例3
本实施例参考实施例1提供的原料及工艺方法制备陶瓷砖,与实施例1相比,本实施例的区别在于,无采用精抛研磨工序,主要考察精抛研磨技术对时光印记效果的影响。本对比例在制备陶瓷砖的过程中无采用精抛研磨技术,由此,如图7所示,产品表面效果较为粗糙,且无精抛研磨后的细腻质感,可以从图7中看到明显的凹坑。
对比例4
本实施例参考实施例1提供的原料及工艺方法制备陶瓷砖,与实施例1相比,本实施例的区别在于,在精抛研磨阶段的研磨时间有所改变,碳化硅磨具刷的设置如下:120目:4组,每组12块,共48块,240目:6组,每组12块,共72块。纤维擦共6组,每组6块纤维擦,共36个纤维擦。每块陶瓷砖经过碳化硅磨具刷时间如下:120目组共1分钟,240目共1分钟,纤维擦和精抛研磨液共1分钟。相比于实施例1,本对比例在制备陶瓷砖的过程中,对砖体进行研磨时间较短,如图8所示,产品的表面手感效果稍为不够细腻,可以看到较深的凹陷纹路。
对比例5
本实施例参考实施例1提供的原料及工艺方法制备陶瓷砖,与实施例1相比,本实施例的区别在于,在精抛研磨阶段的研磨时间有所改变,碳化硅磨具刷的设置如下:120目:4组,每组12块,共48块,240目:6组,每组12块,共72块。纤维擦共6组,每组6块纤维擦,共36个纤维擦。每块陶瓷砖经过碳化硅磨具刷时间如下:120目组共5分钟,240目共7分钟,纤维擦和精抛研磨液共7分钟。相比于实施例1,本对比例在制备陶瓷砖的过程中对砖体表面进行研磨的时间过长,以至于由此制得的产品的表面有漏抛现象,图9展示了本对比例的成品效果图,图9中,黑框内的区域为漏抛的区域,可以看到该区域内的砖面比较粗糙,细腻感不足。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制,尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的实质和范围。