CN114709131B - 一种半导体金属剥离工艺中的角度控制方法 - Google Patents

一种半导体金属剥离工艺中的角度控制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114709131B
CN114709131B CN202210627301.1A CN202210627301A CN114709131B CN 114709131 B CN114709131 B CN 114709131B CN 202210627301 A CN202210627301 A CN 202210627301A CN 114709131 B CN114709131 B CN 114709131B
Authority
CN
China
Prior art keywords
positive photoresist
silicon dioxide
layer
hydrofluoric acid
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202210627301.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114709131A (zh
Inventor
不公告发明人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
China Resources Microelectronics Holding Co ltd
Runxin Perception Technology (Nanchang) Co.,Ltd.
Original Assignee
Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd filed Critical Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd
Priority to CN202210627301.1A priority Critical patent/CN114709131B/zh
Publication of CN114709131A publication Critical patent/CN114709131A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114709131B publication Critical patent/CN114709131B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00349—Creating layers of material on a substrate
    • B81C1/00373—Selective deposition, e.g. printing or microcontact printing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0331—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers for lift-off processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明公开了一种半导体金属剥离工艺中的角度控制方法，涉及半导体技术领域，方法包括：在基片表面沉积二氧化硅；在二氧化硅表面涂布正性光刻胶；在正性光刻胶表面遮挡图形化掩膜版后，对正性光刻胶进行曝光；对正性光刻胶进行显影，去掉曝光部分的正性光刻胶；采用湿法刻蚀对二氧化硅层进行刻蚀，使二氧化硅层形成与光刻胶层同样的刻蚀图形；向所得器件表面沉积金属层；剥离器件表面的二氧化硅层、正性光刻胶层及正性光刻胶层表面的金属层。本发明采取二氧化硅取代LOR光刻胶，配合特定的刻蚀方法，在大幅度降低生产成本的同时，减少投影沉积副作用，最终可形成沉积金属侧面角度超30°的高质量产品。

Description

一种半导体金属剥离工艺中的角度控制方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体金属剥离工艺中的角度控制方法。
背景技术
半导体制造业中传统的光刻工艺大体步骤为：首先进行成膜，然后将涂布在基板上的光刻胶进行图形化曝光，显影除去曝光的光刻胶，接着进行刻蚀，最后将剩余光刻胶剥离，留在基板上的就是需要的成膜图形。传统的Lift-Off工艺大体步骤为：首先将涂布在基板上的光刻胶进行图形化曝光，显影除去曝光的光刻胶，然后进行成膜，最后将剩余光刻胶和上面的成膜一起剥离，剩余在基板上的就是需要的成膜图形。在当下半导体制造业中，尤其是MEMS（MEMS, Micro-Electro-Mechanical System，微电子机械***）传感器制造工艺中，Lift off（金属剥离）工艺变得越来越流行，其主要原因包括，Lift-Off工艺在理论上可以省掉刻蚀步骤，降低成本，而且可以利用Lift off 工艺实现一些特殊图形结构的搭建，如悬臂梁，空腔等结构。Lift off（金属剥离）工艺指基片经过涂覆光致抗蚀剂、曝光、显影后，以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩模，带胶蒸镀，溅镀等所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂的同时，把胶膜上的金属一起剥离干净，在基片上只剩下原刻出图形的金属。
在目前的Lift off（金属剥离）工艺中，采用Lift off工艺专用的光刻胶LOR 光刻胶来专门制造内缩（undercut），用来避免金属完全紧贴光刻胶沉积，造成后续Lift off工艺清洗光刻胶时，金属贴合光刻胶区域撕裂，顺势拔起需要保留部分的沉积金属。但是由于内缩，势必造成投影沉积的缺陷，而出现区金属拖尾效果，那这个拖尾越短越好，即侧面金属边界角度越接近90°越好。传统工艺遇到的问题是，由于需要保留部分的沉积金属厚度薄，则LOR相应需要比较薄，越薄的LOR光刻胶所需工艺难度增加，并且市场价格呈倍数增加，如可用于LOR 300nm厚度的光刻胶价格约为每升15000元人民币，用于LOR 200nm厚度的光刻胶就是每升32000元人民币。除此价格问题，还存在比较严重的技术壁垒，LOR是使用有机洗剂进行湿法刻蚀工艺，使其内缩,有机洗剂对正光刻胶也稍有侵蚀，就会导致开口处有明显喇叭口形态，从而放大投射沉积的副作用，使得金属沉积拖尾严重，角度常常会小于10°。难以复合生产应用需求。
发明内容
本发明是一种用于半导体滤波器Lift off 工艺时，当对图形角度有特别要求，需要特别控制时的加工方法。
为解决上述问题，本发明通过低成本物质取代高价LOR光刻胶，并改良内缩步骤采用的有机溶剂配方，提供了一种容易操作、成本低、缺陷小的半导体Lift off工艺中的角度控制方法，具体方案如下：
一种半导体Lift off工艺中的角度控制方法，包括以下步骤：
S1、在基片表面沉积二氧化硅；
S2、在所得器件的二氧化硅表面涂布正性光刻胶；
S3、在所得器件的正性光刻胶表面遮挡图形化掩膜版后，对正性光刻胶进行曝光；
S4、对正性光刻胶进行显影，去掉曝光部分的正性光刻胶；
S5、采用湿法刻蚀对所得器件的二氧化硅层进行刻蚀，使二氧化硅层形成与光刻胶层同样的刻蚀图形；
S6、向所得器件表面沉积金属层；
S7、剥离器件表面的二氧化硅层、正性光刻胶层及正性光刻胶层表面的金属层。
优选地，S1所述二氧化硅沉积，温度为250-330℃，并通入Ar(氩气)，流量为800-1000sccm，工作压强0.2-0.3Pa；
优选地，S1所述二氧化硅沉积后，进行程序加热处理。
优选地，上述程序加热处理包括：300℃10s后550℃10s后400℃10s。
优选地，S1所述二氧化硅沉积厚度为60-300nm。
优选地，S2所述正性光刻胶涂布厚度为0.7-5μm。
优选地，S3还包括，曝光后100℃加热30s。
优选地，S3所述曝光，紫外光曝光时间为30s-60s，所述紫外光波长为300-400nm，功率为12-17mW/cm2。
优选地，S4所述显影，包括采用旋覆浸没的方式在显影液中进行显影：向所述正性光刻胶表面喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止90s，使所述正性光刻胶可溶解区域的正性光刻胶溶解；持续喷洒显影液并同时以50rpm/min的速度旋转器件，持续30s；继续喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止60s，以100rpm/min的速度旋转器件，使溶解有正性光刻胶的显影液和多余的显影液被甩出；向所述正性光刻胶喷洒去离子水，以100rpm/min的速度旋转器件甩干，重复喷洒去离子水并甩干操作2次，对器件进行清洗。
优选地，S4还包括，显影后130℃加热30s。
优选地，所述显影液可选用市面上销售的正性光刻胶显影液即可。进一步优选地，显影液可选择包括四甲基氢氧化铵、氢氧化钠中的一种或二种组分的正性光刻胶显影液。
优选地，S5所述湿法刻蚀，刻蚀液包括氢氟酸溶液。
优选地，S5所述氢氟酸溶液，包括去离子水和氢氟酸，二者体积比为(10-12):1。
优选地，S5所述刻蚀，包括：将所得器件浸没在氢氟酸溶液中，静置30-60min，超声2-5min，重复以上静置、超声步骤3-8次；去离子水洗涤后干燥（氮气吹干或甩干）。
优选地，S6所述沉积的金属包括半导体中常用的金属，包括Ti、Ni、Ag等。
优选地，S6所得沉积金属层，厚度为100-300nm，优选110nm。
优选地，S1所得二氧化硅层厚度大于S6所得沉积金属层厚度。
优选地，设二氧化硅层厚度为
Figure DEST_PATH_IMAGE001
，S6所得沉积金属层厚度为
Figure DEST_PATH_IMAGE002
，则
Figure DEST_PATH_IMAGE003
。
优选地，设正性光刻胶层厚度为
Figure DEST_PATH_IMAGE004
，沉积金属层厚度为
Figure 831249DEST_PATH_IMAGE002
，则
Figure DEST_PATH_IMAGE005
。
优选地，S7所述剥离，可采用目前实验室常用的任何剥离方法。
优选地，S7所述剥离，可采用沉积金属层单独剥离的方法：采用粘附力强的粘胶粘附在正性光刻胶层表面的金属层表面，撕拉该粘胶剥离正性光刻胶层表面的金属层，残留的正性光刻胶层和二氧化硅层另行剥离。
优选地，正性光刻胶层和二氧化硅层的剥离方法可采用剥离液超声辅助剥离，所述剥离液中包括体积百分比为25-35%vol的氢氟酸。
有益效果
本发明的有益效果在于：
本发明尤其适用于当对图形角度有特别要求，需要特别控制时的加工方法。本发明采取二氧化硅取代LOR光刻胶，二氧化硅沉积薄厚可控，最薄可至60nm，因此如本产品要求，可沉积60-300nm的二氧化硅层，相比于同等厚度的LOR光刻胶，首先成本极大幅度地得到降低，并且，在后续试验中，我们发现，采用二氧化硅替代LOR光刻胶，采用湿法刻蚀时的图形缺陷或异常问题得到了有效改善。另外，本发明采用二氧化硅代替LOR光刻胶，配合采用低浓度（10-12：1体积比）氢氟酸进行湿法腐蚀工艺取代原有机清洗剂，制造二氧化硅内缩（undercut），由于低浓度氢氟酸与上部分正光刻胶不产生任何反应，因此不会出现喇叭口形态，减少投影沉积副作用，最终可形成金属侧面角度超30°（本发明可达到33°-51°）。
附图说明
图1是本发明实施例9所得产品金属侧面角度电镜图；
图2是Liff off金属剥离工艺结构示意图；
图3是采用传统Liff off金属剥离工艺所得产品电镜图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
除非特别指出，以下实施例和对比例为平行试验，采用同样的处理步骤和参数。
实施例1
一种半导体Lift off工艺中的角度控制方法：
S1、在基片表面沉积二氧化硅；
S2、在所得器件的二氧化硅表面涂布正性光刻胶；
S3、在所得器件的正性光刻胶表面遮挡图形化掩膜版后，对正性光刻胶进行曝光；
S4、对正性光刻胶进行显影，去掉曝光部分的正性光刻胶；
S5、采用湿法刻蚀对所得器件的二氧化硅层进行刻蚀，使二氧化硅层形成与光刻胶层同样的刻蚀图形；
S6、向所得器件表面沉积金属层；
S7、剥离器件表面的二氧化硅层、正性光刻胶层及正性光刻胶层表面的金属层。
S1所述二氧化硅沉积，温度为250℃，并通入Ar(氩气)，流量为800sccm，工作压强0.2Pa；
S1所述二氧化硅沉积后，进行程序加热处理。
上述程序加热处理包括：300℃10s后550℃10s后400℃10s。
S3还包括，曝光后100℃加热30s。
S3所述曝光，紫外光曝光时间为60s，所述紫外光波长为300-400nm，功率为12-17mW/cm2。
S4所述显影，显影液包括0.8%wt氢氧化钠溶液。
S4所述显影，包括采用旋覆浸没的方式在显影液中进行显影：向所述正性光刻胶表面喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止90s，使所述正性光刻胶可溶解区域的正性光刻胶溶解；持续喷洒显影液并同时以50rpm/min的速度旋转器件，持续30s；继续喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止60s，以100rpm/min的速度旋转器件，使溶解有正性光刻胶的显影液和多余的显影液被甩出；向所述正性光刻胶喷洒去离子水，以100rpm/min的速度旋转器件甩干，重复喷洒去离子水并甩干操作2次，对器件进行清洗。
S4还包括，显影后130℃加热30s。
所述显影液选用市面上销售的或已经公开的其他正性光刻胶显影液替代均可，显影方法也可随之调整，鉴于本发明所保护的核心为整体发明思路及对金属沉积效果的改进，任何可用显影液及显影方法均在本发明思路范围之内。
S5所述湿法刻蚀，刻蚀液包括氢氟酸溶液。
S5所述氢氟酸溶液，包括去离子水和氢氟酸，二者体积比为12:1。
S5所述刻蚀，包括：将所得器件浸没在氢氟酸溶液中，静置40min，取出，重复以上浸没、取出步骤5次；去离子水洗涤后干燥（甩干）。
S6所述沉积的金属包括Ag。
S6所得沉积金属层，厚度为110nm。
S1所述二氧化硅沉积厚度为200nm。
S2所述正性光刻胶涂布厚度为1.7μm。
S7所述剥离，采用沉积金属层单独剥离的方法：采用粘附力强的粘胶粘附在正性光刻胶层表面的金属层表面，撕拉该粘胶剥离正性光刻胶层表面的金属层，残留的正性光刻胶层和二氧化硅层另行剥离。
正性光刻胶层和二氧化硅层的剥离方法可采用剥离液超声辅助剥离，所述剥离液中包括体积百分比为30%vol的氢氟酸。
实施例2
一种半导体Lift off工艺中的角度控制方法：
S1、在基片表面沉积二氧化硅；
S2、在所得器件的二氧化硅表面涂布正性光刻胶；
S3、在所得器件的正性光刻胶表面遮挡图形化掩膜版后，对正性光刻胶进行曝光；
S4、对正性光刻胶进行显影，去掉曝光部分的正性光刻胶；
S5、采用湿法刻蚀对所得器件的二氧化硅层进行刻蚀，使二氧化硅层形成与光刻胶层同样的刻蚀图形；
S6、向所得器件表面沉积金属层；
S7、剥离器件表面的二氧化硅层、正性光刻胶层及正性光刻胶层表面的金属层。
S1所述二氧化硅沉积，温度为330℃，并通入Ar(氩气)，流量为1000sccm，工作压强0.3Pa；
S1所述二氧化硅沉积后，进行程序加热处理。
上述程序加热处理包括：300℃10s后550℃10s后400℃10s。
S3还包括，曝光后100℃加热30s。
S3所述曝光，紫外光曝光时间为60s，所述紫外光波长为300-400nm，功率为12-17mW/cm2。
S4所述显影，显影液包括0.8%wt氢氧化钠溶液。
S4所述显影，包括采用旋覆浸没的方式在显影液中进行显影：向所述正性光刻胶表面喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止90s，使所述正性光刻胶可溶解区域的正性光刻胶溶解；持续喷洒显影液并同时以50rpm/min的速度旋转器件，持续30s；继续喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止60s，以100rpm/min的速度旋转器件，使溶解有正性光刻胶的显影液和多余的显影液被甩出；向所述正性光刻胶喷洒去离子水，以100rpm/min的速度旋转器件甩干，重复喷洒去离子水并甩干操作2次，对器件进行清洗。
S4还包括，显影后130℃加热30s。
所述显影液选用市面上销售的或已经公开的其他正性光刻胶显影液替代均可，显影方法也可随之调整，鉴于本发明所保护的核心为整体发明思路及对金属沉积效果的改进，任何可用显影液及显影方法均在本发明思路范围之内。
S5所述湿法刻蚀，刻蚀液包括氢氟酸溶液。
S5所述氢氟酸溶液，包括去离子水和氢氟酸，二者体积比为10:1。
S5所述刻蚀，包括：将所得器件浸没在氢氟酸溶液中，静置40min，取出，重复以上浸没、取出步骤5次；去离子水洗涤后干燥（甩干）。
S6所述沉积的金属包括Ag。
S6所得沉积金属层，厚度为110nm。
S1所述二氧化硅沉积厚度为130nm。
S2所述正性光刻胶涂布厚度为1.4μm。
S7所述剥离，采用沉积金属层单独剥离的方法：采用粘附力强的粘胶粘附在正性光刻胶层表面的金属层表面，撕拉该粘胶剥离正性光刻胶层表面的金属层，残留的正性光刻胶层和二氧化硅层另行剥离。
正性光刻胶层和二氧化硅层的剥离方法可采用剥离液超声辅助剥离，所述剥离液中包括体积百分比为30%vol的氢氟酸。
实施例3
一种半导体Lift off工艺中的角度控制方法：
S1、在基片表面沉积二氧化硅；
S2、在所得器件的二氧化硅表面涂布正性光刻胶；
S3、在所得器件的正性光刻胶表面遮挡图形化掩膜版后，对正性光刻胶进行曝光；
S4、对正性光刻胶进行显影，去掉曝光部分的正性光刻胶；
S5、采用湿法刻蚀对所得器件的二氧化硅层进行刻蚀，使二氧化硅层形成与光刻胶层同样的刻蚀图形；
S6、向所得器件表面沉积金属层；
S7、剥离器件表面的二氧化硅层、正性光刻胶层及正性光刻胶层表面的金属层。
S1所述二氧化硅沉积，温度为300℃，并通入Ar(氩气)，流量为1000sccm，工作压强0.2Pa；
S1所述二氧化硅沉积后，进行程序加热处理。
上述程序加热处理包括：300℃10s后550℃10s后400℃10s。
S3还包括，曝光后100℃加热30s。
S3所述曝光，紫外光曝光时间为60s，所述紫外光波长为300-400nm，功率为12-17mW/cm2。
S4所述显影，显影液包括0.8%wt氢氧化钠溶液。
S4所述显影，包括采用旋覆浸没的方式在显影液中进行显影：向所述正性光刻胶表面喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止90s，使所述正性光刻胶可溶解区域的正性光刻胶溶解；持续喷洒显影液并同时以50rpm/min的速度旋转器件，持续30s；继续喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止60s，以100rpm/min的速度旋转器件，使溶解有正性光刻胶的显影液和多余的显影液被甩出；向所述正性光刻胶喷洒去离子水，以100rpm/min的速度旋转器件甩干，重复喷洒去离子水并甩干操作2次，对器件进行清洗。
S4还包括，显影后130℃加热30s。
所述显影液选用市面上销售的或已经公开的其他正性光刻胶显影液替代均可，显影方法也可随之调整，鉴于本发明所保护的核心为整体发明思路及对金属沉积效果的改进，任何可用显影液及显影方法均在本发明思路范围之内。
S5所述湿法刻蚀，刻蚀液包括氢氟酸溶液。
S5所述氢氟酸溶液，包括去离子水和氢氟酸，二者体积比为10:1。
S5所述刻蚀，包括：将所得器件浸没在氢氟酸溶液中，静置40min，取出，重复以上浸没、取出步骤5次；去离子水洗涤后干燥（甩干）。
S6所述沉积的金属包括Ag。
S6所得沉积金属层，厚度为110nm。
S1所述二氧化硅沉积厚度为130nm。
S2所述正性光刻胶涂布厚度为1.4μm。
S7所述剥离，采用沉积金属层单独剥离的方法：采用粘附力强的粘胶粘附在正性光刻胶层表面的金属层表面，撕拉该粘胶剥离正性光刻胶层表面的金属层，残留的正性光刻胶层和二氧化硅层另行剥离。
正性光刻胶层和二氧化硅层的剥离方法可采用剥离液超声辅助剥离，所述剥离液中包括体积百分比为30%vol的氢氟酸。
实施例4
一种半导体Lift off工艺中的角度控制方法：
S1、在基片表面沉积二氧化硅；
S2、在所得器件的二氧化硅表面涂布正性光刻胶；
S3、在所得器件的正性光刻胶表面遮挡图形化掩膜版后，对正性光刻胶进行曝光；
S4、对正性光刻胶进行显影，去掉曝光部分的正性光刻胶；
S5、采用湿法刻蚀对所得器件的二氧化硅层进行刻蚀，使二氧化硅层形成与光刻胶层同样的刻蚀图形；
S6、向所得器件表面沉积金属层；
S7、剥离器件表面的二氧化硅层、正性光刻胶层及正性光刻胶层表面的金属层。
S1所述二氧化硅沉积，温度为300℃，并通入Ar(氩气)，流量为1000sccm，工作压强0.2Pa；
S1所述二氧化硅沉积后，进行程序加热处理。
上述程序加热处理包括：300℃10s后550℃10s后400℃10s。
S3还包括，曝光后100℃加热30s。
S3所述曝光，紫外光曝光时间为60s，所述紫外光波长为300-400nm，功率为12-17mW/cm2。
S4所述显影，显影液包括0.8%wt氢氧化钠溶液。
S4所述显影，包括采用旋覆浸没的方式在显影液中进行显影：向所述正性光刻胶表面喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止90s，使所述正性光刻胶可溶解区域的正性光刻胶溶解；持续喷洒显影液并同时以50rpm/min的速度旋转器件，持续30s；继续喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止60s，以100rpm/min的速度旋转器件，使溶解有正性光刻胶的显影液和多余的显影液被甩出；向所述正性光刻胶喷洒去离子水，以100rpm/min的速度旋转器件甩干，重复喷洒去离子水并甩干操作2次，对器件进行清洗。
S4还包括，显影后130℃加热30s。
所述显影液选用市面上销售的或已经公开的其他正性光刻胶显影液替代均可，显影方法也可随之调整，鉴于本发明所保护的核心为整体发明思路及对金属沉积效果的改进，任何可用显影液及显影方法均在本发明思路范围之内。
S5所述湿法刻蚀，刻蚀液包括氢氟酸溶液。
S5所述氢氟酸溶液，包括去离子水和氢氟酸，二者体积比为10:1。
S5所述刻蚀，包括：将所得器件浸没在氢氟酸溶液中，静置40min，超声3min，重复以上静置、超声步骤5次；去离子水洗涤后干燥（甩干）。
S6所述沉积的金属包括Ag。
S6所得沉积金属层，厚度为110nm。
S1所述二氧化硅沉积厚度为130nm。
S2所述正性光刻胶涂布厚度为1.4μm。
S7所述剥离，采用沉积金属层单独剥离的方法：采用粘附力强的粘胶粘附在正性光刻胶层表面的金属层表面，撕拉该粘胶剥离正性光刻胶层表面的金属层，残留的正性光刻胶层和二氧化硅层另行剥离。
正性光刻胶层和二氧化硅层的剥离方法可采用剥离液超声辅助剥离，所述剥离液中包括体积百分比为30%vol的氢氟酸。
实施例5
一种半导体Lift off工艺中的角度控制方法：
S1、在基片表面沉积二氧化硅；
S2、在所得器件的二氧化硅表面涂布正性光刻胶；
S3、在所得器件的正性光刻胶表面遮挡图形化掩膜版后，对正性光刻胶进行曝光；
S4、对正性光刻胶进行显影，去掉曝光部分的正性光刻胶；
S5、采用湿法刻蚀对所得器件的二氧化硅层进行刻蚀，使二氧化硅层形成与光刻胶层同样的刻蚀图形；
S6、向所得器件表面沉积金属层；
S7、剥离器件表面的二氧化硅层、正性光刻胶层及正性光刻胶层表面的金属层。
S1所述二氧化硅沉积，温度为300℃，并通入Ar(氩气)，流量为1000sccm，工作压强0.2Pa；
S1所述二氧化硅沉积后，进行程序加热处理。
上述程序加热处理包括：300℃10s后550℃10s后400℃10s。
S3还包括，曝光后100℃加热30s。
S3所述曝光，紫外光曝光时间为60s，所述紫外光波长为300-400nm，功率为12-17mW/cm2。
S4所述显影，显影液包括0.8%wt氢氧化钠溶液。
S4所述显影，包括采用旋覆浸没的方式在显影液中进行显影：向所述正性光刻胶表面喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止90s，使所述正性光刻胶可溶解区域的正性光刻胶溶解；持续喷洒显影液并同时以50rpm/min的速度旋转器件，持续30s；继续喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止60s，以100rpm/min的速度旋转器件，使溶解有正性光刻胶的显影液和多余的显影液被甩出；向所述正性光刻胶喷洒去离子水，以100rpm/min的速度旋转器件甩干，重复喷洒去离子水并甩干操作2次，对器件进行清洗。
S4还包括，显影后130℃加热30s。
所述显影液选用市面上销售的或已经公开的其他正性光刻胶显影液替代均可，显影方法也可随之调整，鉴于本发明所保护的核心为整体发明思路及对金属沉积效果的改进，任何可用显影液及显影方法均在本发明思路范围之内。
S5所述湿法刻蚀，刻蚀液包括氢氟酸溶液。
S5所述氢氟酸溶液，包括去离子水和氢氟酸，二者体积比为10:1。
S5所述刻蚀，包括：将所得器件浸没在氢氟酸溶液中，静置40min，超声3min，重复以上静置、超声步骤5次；去离子水洗涤后干燥（甩干）。
S6所述沉积的金属包括Ag。
S6所得沉积金属层，厚度为110nm。
S1所述二氧化硅沉积厚度为130nm。
设正性光刻胶层厚度为
Figure DEST_PATH_IMAGE006
，沉积金属层厚度为
Figure DEST_PATH_IMAGE007
，则
Figure DEST_PATH_IMAGE008
，本实施例取
Figure DEST_PATH_IMAGE009
，
Figure 873024DEST_PATH_IMAGE006
为1540nm。
S7所述剥离，采用沉积金属层单独剥离的方法：采用粘附力强的粘胶粘附在正性光刻胶层表面的金属层表面，撕拉该粘胶剥离正性光刻胶层表面的金属层，残留的正性光刻胶层和二氧化硅层另行剥离。
正性光刻胶层和二氧化硅层的剥离方法可采用剥离液超声辅助剥离，所述剥离液中包括体积百分比为30%vol的氢氟酸。
实施例6
一种半导体Lift off工艺中的角度控制方法：
S1、在基片表面沉积二氧化硅；
S2、在所得器件的二氧化硅表面涂布正性光刻胶；
S3、在所得器件的正性光刻胶表面遮挡图形化掩膜版后，对正性光刻胶进行曝光；
S4、对正性光刻胶进行显影，去掉曝光部分的正性光刻胶；
S5、采用湿法刻蚀对所得器件的二氧化硅层进行刻蚀，使二氧化硅层形成与光刻胶层同样的刻蚀图形；
S6、向所得器件表面沉积金属层；
S7、剥离器件表面的二氧化硅层、正性光刻胶层及正性光刻胶层表面的金属层。
S1所述二氧化硅沉积，温度为300℃，并通入Ar(氩气)，流量为1000sccm，工作压强0.2Pa；
S1所述二氧化硅沉积后，进行程序加热处理。
上述程序加热处理包括：300℃10s后550℃10s后400℃10s。
S3还包括，曝光后100℃加热30s。
S3所述曝光，紫外光曝光时间为60s，所述紫外光波长为300-400nm，功率为12-17mW/cm2。
S4所述显影，显影液包括0.8%wt氢氧化钠溶液。
S4所述显影，包括采用旋覆浸没的方式在显影液中进行显影：向所述正性光刻胶表面喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止90s，使所述正性光刻胶可溶解区域的正性光刻胶溶解；持续喷洒显影液并同时以50rpm/min的速度旋转器件，持续30s；继续喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止60s，以100rpm/min的速度旋转器件，使溶解有正性光刻胶的显影液和多余的显影液被甩出；向所述正性光刻胶喷洒去离子水，以100rpm/min的速度旋转器件甩干，重复喷洒去离子水并甩干操作2次，对器件进行清洗。
S4还包括，显影后130℃加热30s。
所述显影液选用市面上销售的或已经公开的其他正性光刻胶显影液替代均可，显影方法也可随之调整，鉴于本发明所保护的核心为整体发明思路及对金属沉积效果的改进，任何可用显影液及显影方法均在本发明思路范围之内。
S5所述湿法刻蚀，刻蚀液包括氢氟酸溶液。
S5所述氢氟酸溶液，包括去离子水和氢氟酸，二者体积比为10:1。
S5所述刻蚀，包括：将所得器件浸没在氢氟酸溶液中，静置40min，超声3min，重复以上静置、超声步骤5次；去离子水洗涤后干燥（甩干）。
S6所述沉积的金属包括Ag。
S6所得沉积金属层，厚度为110nm。
S1所述二氧化硅沉积厚度为130nm。
设正性光刻胶层厚度为
Figure DEST_PATH_IMAGE010
，沉积金属层厚度为
Figure DEST_PATH_IMAGE011
，则
Figure DEST_PATH_IMAGE012
，本实施例取
Figure DEST_PATH_IMAGE013
，
Figure 275930DEST_PATH_IMAGE010
为1650nm。
S7所述剥离，采用沉积金属层单独剥离的方法：采用粘附力强的粘胶粘附在正性光刻胶层表面的金属层表面，撕拉该粘胶剥离正性光刻胶层表面的金属层，残留的正性光刻胶层和二氧化硅层另行剥离。
正性光刻胶层和二氧化硅层的剥离方法可采用剥离液超声辅助剥离，所述剥离液中包括体积百分比为30%vol的氢氟酸。
实施例7
一种半导体Lift off工艺中的角度控制方法：
S1、在基片表面沉积二氧化硅；
S2、在所得器件的二氧化硅表面涂布正性光刻胶；
S3、在所得器件的正性光刻胶表面遮挡图形化掩膜版后，对正性光刻胶进行曝光；
S4、对正性光刻胶进行显影，去掉曝光部分的正性光刻胶；
S5、采用湿法刻蚀对所得器件的二氧化硅层进行刻蚀，使二氧化硅层形成与光刻胶层同样的刻蚀图形；
S6、向所得器件表面沉积金属层；
S7、剥离器件表面的二氧化硅层、正性光刻胶层及正性光刻胶层表面的金属层。
S1所述二氧化硅沉积，温度为300℃，并通入Ar(氩气)，流量为1000sccm，工作压强0.2Pa；
S1所述二氧化硅沉积后，进行程序加热处理。
上述程序加热处理包括：300℃10s后550℃10s后400℃10s。
S3还包括，曝光后100℃加热30s。
S3所述曝光，紫外光曝光时间为60s，所述紫外光波长为300-400nm，功率为12-17mW/cm2。
S4所述显影，显影液包括0.8%wt氢氧化钠溶液。
S4所述显影，包括采用旋覆浸没的方式在显影液中进行显影：向所述正性光刻胶表面喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止90s，使所述正性光刻胶可溶解区域的正性光刻胶溶解；持续喷洒显影液并同时以50rpm/min的速度旋转器件，持续30s；继续喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止60s，以100rpm/min的速度旋转器件，使溶解有正性光刻胶的显影液和多余的显影液被甩出；向所述正性光刻胶喷洒去离子水，以100rpm/min的速度旋转器件甩干，重复喷洒去离子水并甩干操作2次，对器件进行清洗。
S4还包括，显影后130℃加热30s。
所述显影液选用市面上销售的或已经公开的其他正性光刻胶显影液替代均可，显影方法也可随之调整，鉴于本发明所保护的核心为整体发明思路及对金属沉积效果的改进，任何可用显影液及显影方法均在本发明思路范围之内。
S5所述湿法刻蚀，刻蚀液包括氢氟酸溶液。
S5所述氢氟酸溶液，包括去离子水和氢氟酸，二者体积比为10:1。
S5所述刻蚀，包括：将所得器件浸没在氢氟酸溶液中，静置40min，超声3min，重复以上静置、超声步骤5次；去离子水洗涤后干燥（甩干）。
S6所述沉积的金属包括Ag。
S6所得沉积金属层，厚度为110nm。
S2所述正性光刻胶涂布厚度为1.4μm。
设二氧化硅层厚度为
Figure DEST_PATH_IMAGE014
，S6所得沉积金属层厚度为
Figure 139981DEST_PATH_IMAGE011
，则
Figure DEST_PATH_IMAGE015
，本实施 例取
Figure DEST_PATH_IMAGE016
，
Figure 875724DEST_PATH_IMAGE014
为143nm。
S7所述剥离，采用沉积金属层单独剥离的方法：采用粘附力强的粘胶粘附在正性光刻胶层表面的金属层表面，撕拉该粘胶剥离正性光刻胶层表面的金属层，残留的正性光刻胶层和二氧化硅层另行剥离。
正性光刻胶层和二氧化硅层的剥离方法可采用剥离液超声辅助剥离，所述剥离液中包括体积百分比为30%vol的氢氟酸。
实施例8
一种半导体Lift off工艺中的角度控制方法：
S1、在基片表面沉积二氧化硅；
S2、在所得器件的二氧化硅表面涂布正性光刻胶；
S3、在所得器件的正性光刻胶表面遮挡图形化掩膜版后，对正性光刻胶进行曝光；
S4、对正性光刻胶进行显影，去掉曝光部分的正性光刻胶；
S5、采用湿法刻蚀对所得器件的二氧化硅层进行刻蚀，使二氧化硅层形成与光刻胶层同样的刻蚀图形；
S6、向所得器件表面沉积金属层；
S7、剥离器件表面的二氧化硅层、正性光刻胶层及正性光刻胶层表面的金属层。
S1所述二氧化硅沉积，温度为300℃，并通入Ar(氩气)，流量为1000sccm，工作压强0.2Pa；
S1所述二氧化硅沉积后，进行程序加热处理。
上述程序加热处理包括：300℃10s后550℃10s后400℃10s。
S3还包括，曝光后100℃加热30s。
S3所述曝光，紫外光曝光时间为60s，所述紫外光波长为300-400nm，功率为12-17mW/cm2。
S4所述显影，显影液包括0.8%wt氢氧化钠溶液。
S4所述显影，包括采用旋覆浸没的方式在显影液中进行显影：向所述正性光刻胶表面喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止90s，使所述正性光刻胶可溶解区域的正性光刻胶溶解；持续喷洒显影液并同时以50rpm/min的速度旋转器件，持续30s；继续喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止60s，以100rpm/min的速度旋转器件，使溶解有正性光刻胶的显影液和多余的显影液被甩出；向所述正性光刻胶喷洒去离子水，以100rpm/min的速度旋转器件甩干，重复喷洒去离子水并甩干操作2次，对器件进行清洗。
S4还包括，显影后130℃加热30s。
所述显影液选用市面上销售的或已经公开的其他正性光刻胶显影液替代均可，显影方法也可随之调整，鉴于本发明所保护的核心为整体发明思路及对金属沉积效果的改进，任何可用显影液及显影方法均在本发明思路范围之内。
S5所述湿法刻蚀，刻蚀液包括氢氟酸溶液。
S5所述氢氟酸溶液，包括去离子水和氢氟酸，二者体积比为10:1。
S5所述刻蚀，包括：将所得器件浸没在氢氟酸溶液中，静置40min，超声3min，重复以上静置、超声步骤5次；去离子水洗涤后干燥（甩干）。
S6所述沉积的金属包括Ag。
S6所得沉积金属层，厚度为110nm。
S2所述正性光刻胶涂布厚度为1.4μm。
设二氧化硅层厚度为
Figure 167028DEST_PATH_IMAGE014
，S6所得沉积金属层厚度为
Figure 168482DEST_PATH_IMAGE011
，则
Figure 462323DEST_PATH_IMAGE015
，本实施 例取
Figure DEST_PATH_IMAGE017
，
Figure 459098DEST_PATH_IMAGE014
为187nm。
S7所述剥离，采用沉积金属层单独剥离的方法：采用粘附力强的粘胶粘附在正性光刻胶层表面的金属层表面，撕拉该粘胶剥离正性光刻胶层表面的金属层，残留的正性光刻胶层和二氧化硅层另行剥离。
正性光刻胶层和二氧化硅层的剥离方法可采用剥离液超声辅助剥离，所述剥离液中包括体积百分比为30%vol的氢氟酸。
实施例9
一种半导体Lift off工艺中的角度控制方法：
S1、在基片表面沉积二氧化硅；
S2、在所得器件的二氧化硅表面涂布正性光刻胶；
S3、在所得器件的正性光刻胶表面遮挡图形化掩膜版后，对正性光刻胶进行曝光；
S4、对正性光刻胶进行显影，去掉曝光部分的正性光刻胶；
S5、采用湿法刻蚀对所得器件的二氧化硅层进行刻蚀，使二氧化硅层形成与光刻胶层同样的刻蚀图形；
S6、向所得器件表面沉积金属层；
S7、剥离器件表面的二氧化硅层、正性光刻胶层及正性光刻胶层表面的金属层。
S1所述二氧化硅沉积，温度为300℃，并通入Ar(氩气)，流量为1000sccm，工作压强0.2Pa；
S1所述二氧化硅沉积后，进行程序加热处理。
上述程序加热处理包括：300℃10s后550℃10s后400℃10s。
S3还包括，曝光后100℃加热30s。
S3所述曝光，紫外光曝光时间为60s，所述紫外光波长为300-400nm，功率为12-17mW/cm2。
S4所述显影，显影液包括0.8%wt氢氧化钠溶液。
S4所述显影，包括采用旋覆浸没的方式在显影液中进行显影：向所述正性光刻胶表面喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止90s，使所述正性光刻胶可溶解区域的正性光刻胶溶解；持续喷洒显影液并同时以50rpm/min的速度旋转器件，持续30s；继续喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止60s，以100rpm/min的速度旋转器件，使溶解有正性光刻胶的显影液和多余的显影液被甩出；向所述正性光刻胶喷洒去离子水，以100rpm/min的速度旋转器件甩干，重复喷洒去离子水并甩干操作2次，对器件进行清洗。
S4还包括，显影后130℃加热30s。
所述显影液选用市面上销售的或已经公开的其他正性光刻胶显影液替代均可，显影方法也可随之调整，鉴于本发明所保护的核心为整体发明思路及对金属沉积效果的改进，任何可用显影液及显影方法均在本发明思路范围之内。
S5所述湿法刻蚀，刻蚀液包括氢氟酸溶液。
S5所述氢氟酸溶液，包括去离子水和氢氟酸，二者体积比为10:1。
S5所述刻蚀，包括：将所得器件浸没在氢氟酸溶液中，静置40min，超声3min，重复以上静置、超声步骤5次；去离子水洗涤后干燥（甩干）。
S6所述沉积的金属包括Ag。
S6所得沉积金属层，厚度为110nm。
设二氧化硅层厚度为
Figure 921303DEST_PATH_IMAGE001
，S6所得沉积金属层厚度为
Figure DEST_PATH_IMAGE018
，则
Figure DEST_PATH_IMAGE019
，本实施 例取
Figure DEST_PATH_IMAGE020
，
Figure 472370DEST_PATH_IMAGE001
为143nm。
设正性光刻胶层厚度为
Figure 802857DEST_PATH_IMAGE006
，沉积金属层厚度为
Figure 60663DEST_PATH_IMAGE007
，则
Figure DEST_PATH_IMAGE021
，本实施例取
Figure DEST_PATH_IMAGE022
，
Figure 785780DEST_PATH_IMAGE006
为1540nm。
S7所述剥离，采用沉积金属层单独剥离的方法：采用粘附力强的粘胶粘附在正性光刻胶层表面的金属层表面，撕拉该粘胶剥离正性光刻胶层表面的金属层，残留的正性光刻胶层和二氧化硅层另行剥离。
正性光刻胶层和二氧化硅层的剥离方法可采用剥离液超声辅助剥离，所述剥离液中包括体积百分比为30%vol的氢氟酸。
实施例10
一种半导体Lift off工艺中的角度控制方法：
S1、在基片表面沉积二氧化硅；
S2、在所得器件的二氧化硅表面涂布正性光刻胶；
S3、在所得器件的正性光刻胶表面遮挡图形化掩膜版后，对正性光刻胶进行曝光；
S4、对正性光刻胶进行显影，去掉曝光部分的正性光刻胶；
S5、采用湿法刻蚀对所得器件的二氧化硅层进行刻蚀，使二氧化硅层形成与光刻胶层同样的刻蚀图形；
S6、向所得器件表面沉积金属层；
S7、剥离器件表面的二氧化硅层、正性光刻胶层及正性光刻胶层表面的金属层。
S1所述二氧化硅沉积，温度为300℃，并通入Ar(氩气)，流量为1000sccm，工作压强0.2Pa；
S1所述二氧化硅沉积后，进行程序加热处理。
上述程序加热处理包括：300℃10s后550℃10s后400℃10s。
S3还包括，曝光后100℃加热30s。
S3所述曝光，紫外光曝光时间为60s，所述紫外光波长为300-400nm，功率为12-17mW/cm2。
S4所述显影，显影液包括0.8%wt氢氧化钠溶液。
S4所述显影，包括采用旋覆浸没的方式在显影液中进行显影：向所述正性光刻胶表面喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止90s，使所述正性光刻胶可溶解区域的正性光刻胶溶解；持续喷洒显影液并同时以50rpm/min的速度旋转器件，持续30s；继续喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止60s，以100rpm/min的速度旋转器件，使溶解有正性光刻胶的显影液和多余的显影液被甩出；向所述正性光刻胶喷洒去离子水，以100rpm/min的速度旋转器件甩干，重复喷洒去离子水并甩干操作2次，对器件进行清洗。
S4还包括，显影后130℃加热30s。
所述显影液选用市面上销售的或已经公开的其他正性光刻胶显影液替代均可，显影方法也可随之调整，鉴于本发明所保护的核心为整体发明思路及对金属沉积效果的改进，任何可用显影液及显影方法均在本发明思路范围之内。
S5所述湿法刻蚀，刻蚀液包括氢氟酸溶液。
S5所述氢氟酸溶液，包括去离子水和氢氟酸，二者体积比为10:1。
S5所述刻蚀，包括：将所得器件浸没在氢氟酸溶液中，静置40min，超声3min，重复以上静置、超声步骤5次；去离子水洗涤后干燥（甩干）。
S6所述沉积的金属包括Ag。
S6所得沉积金属层，厚度为110nm。
设二氧化硅层厚度为
Figure 886460DEST_PATH_IMAGE014
，S6所得沉积金属层厚度为
Figure 630425DEST_PATH_IMAGE011
，则
Figure 867372DEST_PATH_IMAGE015
，本实施 例取
Figure 936959DEST_PATH_IMAGE017
，
Figure 134722DEST_PATH_IMAGE014
为187nm。
设正性光刻胶层厚度为
Figure 807012DEST_PATH_IMAGE010
，沉积金属层厚度为
Figure 39410DEST_PATH_IMAGE011
，则
Figure 905997DEST_PATH_IMAGE012
，本实施例取
Figure DEST_PATH_IMAGE023
，
Figure 59898DEST_PATH_IMAGE010
为1540nm。
S7所述剥离，采用沉积金属层单独剥离的方法：采用粘附力强的粘胶粘附在正性光刻胶层表面的金属层表面，撕拉该粘胶剥离正性光刻胶层表面的金属层，残留的正性光刻胶层和二氧化硅层另行剥离。
正性光刻胶层和二氧化硅层的剥离方法可采用剥离液超声辅助剥离，所述剥离液中包括体积百分比为30%vol的氢氟酸。
实施例11
一种半导体Lift off工艺中的角度控制方法：
S1、在基片表面沉积二氧化硅；
S2、在所得器件的二氧化硅表面涂布正性光刻胶；
S3、在所得器件的正性光刻胶表面遮挡图形化掩膜版后，对正性光刻胶进行曝光；
S4、对正性光刻胶进行显影，去掉曝光部分的正性光刻胶；
S5、采用湿法刻蚀对所得器件的二氧化硅层进行刻蚀，使二氧化硅层形成与光刻胶层同样的刻蚀图形；
S6、向所得器件表面沉积金属层；
S7、剥离器件表面的二氧化硅层、正性光刻胶层及正性光刻胶层表面的金属层。
S1所述二氧化硅沉积，温度为300℃，并通入Ar(氩气)，流量为1000sccm，工作压强0.2Pa；
S1所述二氧化硅沉积后，进行程序加热处理。
上述程序加热处理包括：300℃10s后550℃10s后400℃10s。
S3还包括，曝光后100℃加热30s。
S3所述曝光，紫外光曝光时间为60s，所述紫外光波长为300-400nm，功率为12-17mW/cm2。
S4所述显影，显影液包括0.8%wt氢氧化钠溶液。
S4所述显影，包括采用旋覆浸没的方式在显影液中进行显影：向所述正性光刻胶表面喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止90s，使所述正性光刻胶可溶解区域的正性光刻胶溶解；持续喷洒显影液并同时以50rpm/min的速度旋转器件，持续30s；继续喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止60s，以100rpm/min的速度旋转器件，使溶解有正性光刻胶的显影液和多余的显影液被甩出；向所述正性光刻胶喷洒去离子水，以100rpm/min的速度旋转器件甩干，重复喷洒去离子水并甩干操作2次，对器件进行清洗。
S4还包括，显影后130℃加热30s。
所述显影液选用市面上销售的或已经公开的其他正性光刻胶显影液替代均可，显影方法也可随之调整，鉴于本发明所保护的核心为整体发明思路及对金属沉积效果的改进，任何可用显影液及显影方法均在本发明思路范围之内。
S5所述湿法刻蚀，刻蚀液包括氢氟酸溶液。
S5所述氢氟酸溶液，包括去离子水和氢氟酸，二者体积比为10:1。
S5所述刻蚀，包括：将所得器件浸没在氢氟酸溶液中，静置40min，超声3min，重复以上静置、超声步骤5次；去离子水洗涤后干燥（甩干）。
S6所述沉积的金属包括Ag。
S6所得沉积金属层，厚度为110nm。
设二氧化硅层厚度为
Figure 801458DEST_PATH_IMAGE014
，S6所得沉积金属层厚度为
Figure 622783DEST_PATH_IMAGE011
，则
Figure 299752DEST_PATH_IMAGE015
，本实施 例取
Figure DEST_PATH_IMAGE024
，
Figure 65583DEST_PATH_IMAGE014
为143nm。
设正性光刻胶层厚度为
Figure 220621DEST_PATH_IMAGE010
，沉积金属层厚度为
Figure 286666DEST_PATH_IMAGE011
，则
Figure 134536DEST_PATH_IMAGE012
，本实施例取
Figure DEST_PATH_IMAGE025
，
Figure 620619DEST_PATH_IMAGE010
为1650nm。
S7所述剥离，采用沉积金属层单独剥离的方法：采用粘附力强的粘胶粘附在正性光刻胶层表面的金属层表面，撕拉该粘胶剥离正性光刻胶层表面的金属层，残留的正性光刻胶层和二氧化硅层另行剥离。
正性光刻胶层和二氧化硅层的剥离方法可采用剥离液超声辅助剥离，所述剥离液中包括体积百分比为30%vol的氢氟酸。
实施例12
一种半导体Lift off工艺中的角度控制方法：
S1、在基片表面沉积二氧化硅；
S2、在所得器件的二氧化硅表面涂布正性光刻胶；
S3、在所得器件的正性光刻胶表面遮挡图形化掩膜版后，对正性光刻胶进行曝光；
S4、对正性光刻胶进行显影，去掉曝光部分的正性光刻胶；
S5、采用湿法刻蚀对所得器件的二氧化硅层进行刻蚀，使二氧化硅层形成与光刻胶层同样的刻蚀图形；
S6、向所得器件表面沉积金属层；
S7、剥离器件表面的二氧化硅层、正性光刻胶层及正性光刻胶层表面的金属层。
S1所述二氧化硅沉积，温度为300℃，并通入Ar(氩气)，流量为1000sccm，工作压强0.2Pa；
S1所述二氧化硅沉积后，进行程序加热处理。
上述程序加热处理包括：300℃10s后550℃10s后400℃10s。
S3还包括，曝光后100℃加热30s。
S3所述曝光，紫外光曝光时间为60s，所述紫外光波长为300-400nm，功率为12-17mW/cm2。
S4所述显影，显影液包括0.8%wt氢氧化钠溶液。
S4所述显影，包括采用旋覆浸没的方式在显影液中进行显影：向所述正性光刻胶表面喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止90s，使所述正性光刻胶可溶解区域的正性光刻胶溶解；持续喷洒显影液并同时以50rpm/min的速度旋转器件，持续30s；继续喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止60s，以100rpm/min的速度旋转器件，使溶解有正性光刻胶的显影液和多余的显影液被甩出；向所述正性光刻胶喷洒去离子水，以100rpm/min的速度旋转器件甩干，重复喷洒去离子水并甩干操作2次，对器件进行清洗。
S4还包括，显影后130℃加热30s。
所述显影液选用市面上销售的或已经公开的其他正性光刻胶显影液替代均可，显影方法也可随之调整，鉴于本发明所保护的核心为整体发明思路及对金属沉积效果的改进，任何可用显影液及显影方法均在本发明思路范围之内。
S5所述湿法刻蚀，刻蚀液包括氢氟酸溶液。
S5所述氢氟酸溶液，包括去离子水和氢氟酸，二者体积比为10:1。
S5所述刻蚀，包括：将所得器件浸没在氢氟酸溶液中，静置40min，超声3min，重复以上静置、超声步骤5次；去离子水洗涤后干燥（甩干）。
S6所述沉积的金属包括Ag。
S6所得沉积金属层，厚度为110nm。
设二氧化硅层厚度为
Figure 579348DEST_PATH_IMAGE014
，S6所得沉积金属层厚度为
Figure 234320DEST_PATH_IMAGE011
，则
Figure 253091DEST_PATH_IMAGE015
，本实施 例取
Figure 259094DEST_PATH_IMAGE017
，
Figure 21513DEST_PATH_IMAGE014
为187nm。
设正性光刻胶层厚度为
Figure 671937DEST_PATH_IMAGE010
，沉积金属层厚度为
Figure 720665DEST_PATH_IMAGE011
，则
Figure 89329DEST_PATH_IMAGE012
，本实施例取
Figure 750380DEST_PATH_IMAGE025
，
Figure 786469DEST_PATH_IMAGE010
为1650nm。
S7所述剥离，采用沉积金属层单独剥离的方法：采用粘附力强的粘胶粘附在正性光刻胶层表面的金属层表面，撕拉该粘胶剥离正性光刻胶层表面的金属层，残留的正性光刻胶层和二氧化硅层另行剥离。
正性光刻胶层和二氧化硅层的剥离方法可采用剥离液超声辅助剥离，所述剥离液中包括体积百分比为30%vol的氢氟酸。
对比例1
一种半导体Lift off工艺中的角度控制方法：
S1、在基片表面沉积二氧化硅；
S2、在所得器件的二氧化硅表面涂布正性光刻胶；
S3、在所得器件的正性光刻胶表面遮挡图形化掩膜版后，对正性光刻胶进行曝光；
S4、对正性光刻胶进行显影，去掉曝光部分的正性光刻胶；
S5、采用湿法刻蚀对所得器件的二氧化硅层进行刻蚀，使二氧化硅层形成与光刻胶层同样的刻蚀图形；
S6、向所得器件表面沉积金属层；
S7、剥离器件表面的二氧化硅层、正性光刻胶层及正性光刻胶层表面的金属层。
S1所述二氧化硅沉积，温度为300℃，并通入Ar(氩气)，流量为1000sccm，工作压强0.2Pa；
S1所述二氧化硅沉积后，进行程序加热处理。
上述程序加热处理包括：300℃10s后550℃10s后400℃10s。
S3还包括，曝光后100℃加热30s。
S3所述曝光，紫外光曝光时间为60s，所述紫外光波长为300-400nm，功率为12-17mW/cm2。
S4所述显影，显影液包括0.8%wt氢氧化钠溶液。
S4所述显影，包括采用旋覆浸没的方式在显影液中进行显影：向所述正性光刻胶表面喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止90s，使所述正性光刻胶可溶解区域的正性光刻胶溶解；持续喷洒显影液并同时以50rpm/min的速度旋转器件，持续30s；继续喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止60s，以100rpm/min的速度旋转器件，使溶解有正性光刻胶的显影液和多余的显影液被甩出；向所述正性光刻胶喷洒去离子水，以100rpm/min的速度旋转器件甩干，重复喷洒去离子水并甩干操作2次，对器件进行清洗。
S4还包括，显影后130℃加热30s。
所述显影液选用市面上销售的或已经公开的其他正性光刻胶显影液替代均可，显影方法也可随之调整，鉴于本发明所保护的核心为整体发明思路及对金属沉积效果的改进，任何可用显影液及显影方法均在本发明思路范围之内。
S5所述湿法刻蚀，刻蚀液包括氢氟酸溶液。
S5所述氢氟酸溶液，包括去离子水和氢氟酸，二者体积比为10:1.2。
S5所述刻蚀，包括：将所得器件浸没在氢氟酸溶液中，静置40min，超声3min，重复以上静置、超声步骤5次；去离子水洗涤后干燥（甩干）。
S6所述沉积的金属包括Ag。
S6所得沉积金属层，厚度为110nm。
设二氧化硅层厚度为
Figure 615885DEST_PATH_IMAGE001
，S6所得沉积金属层厚度为
Figure 862058DEST_PATH_IMAGE018
，则
Figure 700701DEST_PATH_IMAGE019
，本实施 例取
Figure DEST_PATH_IMAGE026
，
Figure 919193DEST_PATH_IMAGE001
为187nm。
设正性光刻胶层厚度为
Figure 450669DEST_PATH_IMAGE006
，沉积金属层厚度为
Figure 652980DEST_PATH_IMAGE007
，则
Figure 560893DEST_PATH_IMAGE021
，本实施例取
Figure DEST_PATH_IMAGE027
，
Figure 398006DEST_PATH_IMAGE006
为1650nm。
S7所述剥离，采用沉积金属层单独剥离的方法：采用粘附力强的粘胶粘附在正性光刻胶层表面的金属层表面，撕拉该粘胶剥离正性光刻胶层表面的金属层，残留的正性光刻胶层和二氧化硅层另行剥离。
正性光刻胶层和二氧化硅层的剥离方法可采用剥离液超声辅助剥离，所述剥离液中包括体积百分比为30%vol的氢氟酸。
对比例2
一种半导体Lift off工艺中的角度控制方法：
S1、在基片表面沉积二氧化硅；
S2、在所得器件的二氧化硅表面涂布正性光刻胶；
S3、在所得器件的正性光刻胶表面遮挡图形化掩膜版后，对正性光刻胶进行曝光；
S4、对正性光刻胶进行显影，去掉曝光部分的正性光刻胶；
S5、采用湿法刻蚀对所得器件的二氧化硅层进行刻蚀，使二氧化硅层形成与光刻胶层同样的刻蚀图形；
S6、向所得器件表面沉积金属层；
S7、剥离器件表面的二氧化硅层、正性光刻胶层及正性光刻胶层表面的金属层。
S1所述二氧化硅沉积，温度为300℃，并通入Ar(氩气)，流量为1000sccm，工作压强0.2Pa；
S1所述二氧化硅沉积后，进行程序加热处理。
上述程序加热处理包括：300℃10s后550℃10s后400℃10s。
S3还包括，曝光后100℃加热30s。
S3所述曝光，紫外光曝光时间为60s，所述紫外光波长为300-400nm，功率为12-17mW/cm2。
S4所述显影，显影液包括0.8%wt氢氧化钠溶液。
S4所述显影，包括采用旋覆浸没的方式在显影液中进行显影：向所述正性光刻胶表面喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止90s，使所述正性光刻胶可溶解区域的正性光刻胶溶解；持续喷洒显影液并同时以50rpm/min的速度旋转器件，持续30s；继续喷洒过量显影液，使显影液布满整个正性光刻胶的表面，静止60s，以100rpm/min的速度旋转器件，使溶解有正性光刻胶的显影液和多余的显影液被甩出；向所述正性光刻胶喷洒去离子水，以100rpm/min的速度旋转器件甩干，重复喷洒去离子水并甩干操作2次，对器件进行清洗。
S4还包括，显影后130℃加热30s。
所述显影液选用市面上销售的或已经公开的其他正性光刻胶显影液替代均可，显影方法也可随之调整，鉴于本发明所保护的核心为整体发明思路及对金属沉积效果的改进，任何可用显影液及显影方法均在本发明思路范围之内。
S5所述湿法刻蚀，刻蚀液包括氢氟酸溶液。
S5所述氢氟酸溶液，包括去离子水和氢氟酸，二者体积比为13:1。
S5所述刻蚀，包括：将所得器件浸没在氢氟酸溶液中，静置40min，超声3min，重复以上静置、超声步骤5次；去离子水洗涤后干燥（甩干）。
S6所述沉积的金属包括Ag。
S6所得沉积金属层，厚度为110nm。
设二氧化硅层厚度为
Figure 834803DEST_PATH_IMAGE014
，S6所得沉积金属层厚度为
Figure 665356DEST_PATH_IMAGE011
，则
Figure 236015DEST_PATH_IMAGE015
，本实施 例取
Figure 570044DEST_PATH_IMAGE017
，
Figure 443322DEST_PATH_IMAGE014
为187nm。
设正性光刻胶层厚度为
Figure 620225DEST_PATH_IMAGE010
，沉积金属层厚度为
Figure 604362DEST_PATH_IMAGE011
，则
Figure 183111DEST_PATH_IMAGE012
，本实施例取
Figure 961711DEST_PATH_IMAGE025
，
Figure 127375DEST_PATH_IMAGE010
为1650nm。
S7所述剥离，采用沉积金属层单独剥离的方法：采用粘附力强的粘胶粘附在正性光刻胶层表面的金属层表面，撕拉该粘胶剥离正性光刻胶层表面的金属层，残留的正性光刻胶层和二氧化硅层另行剥离。
正性光刻胶层和二氧化硅层的剥离方法可采用剥离液超声辅助剥离，所述剥离液中包括体积百分比为30%vol的氢氟酸。
以上实施例、对比例所得金属侧面角度为各自5组平行实验角度取平均值，效果如下：二氧化硅内缩效果好，光刻胶均没有出现喇叭口形态，投影沉积副作用小，（示例见图3，为实施例9制备的金属层侧面角电镜照片其一）最终可形成金属侧面角度超30°（实施例1-10，金属侧面角依次为30°、31°、31°、33°、34°、33°、33°、33°、37°、42°、44°、39°），实施例3-12所得金属层图案准确，边缘清晰，其他膜层无残留。实施例1-3虽然金属侧面角度超30°，但所得图案偶见缺陷及边缘不光滑等。对比例1金属侧面角为19°（5组平行实验共取15组数据的平均值，每个样本测量3处），所得图案全部具缺陷及边缘不光滑等。对比例2所得图案全部具缺陷及边缘不光滑等，同样地，5组平行实验共取15组数据，每个样本测量3处，但金属侧面角范围跨度在11°-29°不等，且不具备参考意义，据观察，对比例2样本在正性光刻胶层和二氧化硅层的剥离中，对沉积金属层图案有明显的不可避免的破坏。可见，本发明采取的氢氟酸刻蚀浓度可有效保障图案完整准确，并获得较大的、稳定的金属侧面角。另外，本发明提供的特定的沉积金属层厚度、二氧化硅层厚度、正性光刻胶层厚度关系，在其他条件不变的情况下，大幅提高了金属侧面角度，并且我们针对以往的技术进行了研究，并没有发现厚度比例对金属侧面角造成影响的趋势或指向性报道，且单纯地限定其中二者之间的厚度关系，也不能达到如此效果，这是我们事先没有想到的，也切实提高了试验效果。
对照例 采用传统Lift off（金属剥离）——现有工艺：
在目前的Lift off（金属剥离）工艺中，如图2、图3所示，图中区域1金属和区域2金属为同时溅镀金属，区域1金属未来会被Liff off（剥离）掉，区域2金属为需要保留的金属，厚度仅为110nm。对于区域2金属，由于此块金属在滤波器制造中有特殊功能用途，因此区域2金属块宽度为声波波长一半的整数倍。因此区域2金属边界角度越接近90°越好。中间LOR光刻胶是Lift off工艺专用的光刻胶，它的存在是用来专门制造内缩（undercut），用来避免区域2金属完全紧贴光刻胶沉积，造成后续Lift off工艺清洗光刻胶时，金属贴合光刻胶区域撕裂，顺势拔起区域2金属。但是由于内缩，势必造成投影沉积的缺陷，而出现区域2金属拖尾效果，那这个拖尾越短越好，即侧面金属边界角度越接近90°越好（图2虚线圈出位置）。传统工艺遇到的问题是，由于区域2金属厚度薄，则LOR相应需要比较薄，越薄的LOR光刻胶所需工艺难度增加，并且市场价格呈倍数增加，如可用于LOR 300nm厚度的光刻胶价格约为每升15000元人民币，用于LOR 200nm厚度的光刻胶就是每升32000元人民币。除此价格问题，还存在比较严重的技术壁垒，LOR是使用有机洗剂进行湿法刻蚀工艺，使其内缩（图3方框圈出部分）,有机洗剂对正光刻胶也稍有侵蚀，就会导致开口处有明显喇叭口形态，从而放大投射沉积的副作用，使得金属沉积拖尾严重，角度常常会小于10°（如图3椭圆圈出部分，为7.13°）
以上对本发明优选的具体实施方式和实施例作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施方式和实施例，在本领域技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明构思的前提下作出各种变化。

Claims (4)

1.一种半导体金属剥离工艺中的角度控制方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、在基片表面沉积二氧化硅；
S2、在所得器件的二氧化硅表面涂布正性光刻胶；
S3、在所得器件的正性光刻胶表面遮挡图形化掩膜版后，对正性光刻胶进行曝光；
S4、对正性光刻胶进行显影，去掉曝光部分的正性光刻胶；
S5、采用湿法刻蚀对所得器件的二氧化硅层进行刻蚀，使二氧化硅层形成与光刻胶层同样的刻蚀图形；
S6、向所得器件表面沉积金属层；
S7、剥离器件表面的二氧化硅层、正性光刻胶层及正性光刻胶层表面的金属层；
S1所述沉积二氧化硅的厚度为60-300nm；S6所得沉积金属层，厚度为100-300nm；设所 得二氧化硅层厚度为
Figure 568593DEST_PATH_IMAGE001
，所得正性光刻胶层厚度为
Figure 26119DEST_PATH_IMAGE002
，所得沉积金属层厚度为
Figure 840492DEST_PATH_IMAGE003
，则
Figure 725271DEST_PATH_IMAGE004
；S5所述湿法刻蚀，刻蚀液包括氢氟酸溶液；S5所述氢 氟酸溶液，包括去离子水和氢氟酸，二者体积比为10:1到12:1；S5所述刻蚀，包括：将所得器 件浸没在氢氟酸溶液中，静置30-60min，超声2-5min，重复以上静置、超声步骤3-8次；去离 子水洗涤后干燥；S2所述正性光刻胶涂布厚度为0.7-5μm；S6所述沉积的金属包括半导体中 常用的金属，包括Ti、Ni、Ag。
2.根据权利要求1所述的半导体金属剥离工艺中的角度控制方法，其特征在于：S1所述沉积二氧化硅，温度为250-330℃，并通入氩气，流量为800-1000sccm，工作压强0.2-0.3Pa。
3.根据权利要求1所述的半导体金属剥离工艺中的角度控制方法，其特征在于：S1所述沉积二氧化硅后，进行程序加热处理。
4.根据权利要求3所述的半导体金属剥离工艺中的角度控制方法，其特征在于：所述程序加热处理包括：在300℃热处理10s后，在550℃热处理10s，然后在400℃热处理10s。
CN202210627301.1A 2022-06-06 2022-06-06 一种半导体金属剥离工艺中的角度控制方法 Active CN114709131B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210627301.1A CN114709131B (zh) 2022-06-06 2022-06-06 一种半导体金属剥离工艺中的角度控制方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210627301.1A CN114709131B (zh) 2022-06-06 2022-06-06 一种半导体金属剥离工艺中的角度控制方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114709131A CN114709131A (zh) 2022-07-05
CN114709131B true CN114709131B (zh) 2022-09-16

Family

ID=82177675

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210627301.1A Active CN114709131B (zh) 2022-06-06 2022-06-06 一种半导体金属剥离工艺中的角度控制方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114709131B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105304478A (zh) * 2015-10-15 2016-02-03 京东方科技集团股份有限公司 图案化金属膜层的方法、晶体管和阵列基板的制备方法
CN108288612A (zh) * 2017-01-09 2018-07-17 世界先进积体电路股份有限公司 电接触结构及其形成方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5554488A (en) * 1994-07-28 1996-09-10 Northern Telecom Limited Semiconductor device structure and method of formation thereof
CN100479102C (zh) * 2006-08-29 2009-04-15 中国科学院声学研究所 一种图形化铂/钛金属薄膜的剥离制备方法
CN114334616A (zh) * 2021-12-28 2022-04-12 中山大学南昌研究院 一种防止金属剥离残留的方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105304478A (zh) * 2015-10-15 2016-02-03 京东方科技集团股份有限公司 图案化金属膜层的方法、晶体管和阵列基板的制备方法
CN108288612A (zh) * 2017-01-09 2018-07-17 世界先进积体电路股份有限公司 电接触结构及其形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN114709131A (zh) 2022-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8894871B2 (en) Lithography method using tilted evaporation
JP6090777B2 (ja) ナノ構造体を表面に備える基板の製造方法
CN108389784B (zh) 图案化的金属层的制备方法
JP6045746B2 (ja) 誘導自己組織化ケモエピタキシ用途において有機フィルムを除去するためのトラック処理
CN111071985B (zh) 引入牺牲层的阳极氧化铝薄膜牢固金属纳米颗粒的方法
EP4354223A1 (en) Photolithography method based on bilayer photoresist
JP2010503993A (ja) リフトオフ・パターニング向けの向上したエッチング技法
CN114709131B (zh) 一种半导体金属剥离工艺中的角度控制方法
Takei Ultraviolet nano imprint lithography using fluorinated silicon-based resist materials
JP2006501523A (ja) ポリマー微細構造及びポリマー導波路の製造方法
CN112864004A (zh) 解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法
CN115440585A (zh) 金属纳米结构及其离子束刻蚀加工方法
US7585334B2 (en) Manufacturing method for molecular rulers
Zheng et al. Fabrication of gold nanostructures using wet lift-off without adhesion promotion
TWI790407B (zh) 抑制晶圓上的缺陷性、金屬微粒汙染、及膜成長的系統及方法
US20210394229A1 (en) Metal surface protection
CN114236659A (zh) 光栅及其制备方法、光波导
JP2689431B2 (ja) 二酸化珪素膜の選択形成方法
JP3589201B2 (ja) 薄膜パターニング方法、薄膜デバイスの製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
TW202025242A (zh) 藉由使用自組裝單層塗膜防止金屬汙染之方法及系統
KR20070071429A (ko) 다단계 습식 식각을 이용한 유리 미세 가공
TWI276915B (en) Photo-resist stripping process and equipment
CN114597287B (zh) 一种室温红外敏感薄膜的图案化方法
KR20240059188A (ko) 나노구조체 제조방법 및 이에 의하여 제조된 나노구조체
JP4734360B2 (ja) ナノ粒子薄膜、ナノ粒子薄膜の製造方法、ナノ粒子薄膜パターン形成方法および回路パターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230412

Address after: 1st Floor, Nanchang High tech Microelectronics Technology Park, No. 588 Tianxiang North Avenue, High tech Development Zone, Nanchang City, Jiangxi Province, 330224

Patentee after: Runxin Perception Technology (Nanchang) Co.,Ltd.

Patentee after: China Resources Microelectronics Holding Co.,Ltd.

Address before: 518049 room 801, building 3, Shenzhen new generation industrial park, No. 136, Zhongkang Road, Meidu community, Meilin street, Futian District, Shenzhen, Guangdong Province

Patentee before: Shenzhen Newsonic Technologies Co.,Ltd.