CN114698253B - 一种基板侧面导线的制备方法及显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 58
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 58
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 34
- 239000013039 cover film Substances 0.000 claims description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 23
- 238000007688 edging Methods 0.000 claims description 11
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
- H05K3/0052—Depaneling, i.e. dividing a panel into circuit boards; Working of the edges of circuit boards
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/027—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
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Abstract
本发明的实施例公开了一种基板侧面导线的制备方法及显示装置,所述制备方法包括以下步骤:提供一基板,所述基板具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面和第一侧面,在靠近所述第一侧面的所述第一表面上设置有第一金属接触垫,在靠近所述第一侧面的所述第二表面上设置有第二金属接触垫;对所述基板的所述第一表面、第二表面和第一侧面进行镀膜形成整面金属膜层;涂布光阻层于所述整面金属膜层上;对所述光阻层进行曝光显影,在所述第一侧面和所述第一金属接触垫、第二金属接触垫上形成侧面光阻;将暴露的所述整面金属膜层去除;去除所述侧面光阻,位于所述侧面光阻下方的金属膜层形成侧面导线。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板领域,特别涉及一种基板侧面导线的制备方法及显示装置。
背景技术
当前拼接及无边框显示技术需求开发玻璃双面制程侧边金属走线工艺,而目前显示行业主要的双面制程侧边金属走线工艺包括银浆移印、PVD(物理气相沉积)+Laser(激光)和PVD+Lift Off(剥离),然而这三种工艺都存在一定的弊端。
银浆移印工艺一方面成本较高,银浆材料昂贵,并且银浆移印线路制作后精度不高,需要多次用镭射机台进行镭射修饰;另一方面,银浆走线容易破膜,短路比例高,良率较低。
PVD+Laser工艺的成本也较高,良率也较低,成本高也是因为线路制作后精度不高,需要多次用镭射机台进行镭射修饰,良率低是因为镭射后金属颗粒易重新凝结,导致线路的短路比例高,良率较低。
PVD+Lift Off工艺的光阻涂布均匀性差,滚涂及喷涂均较难实现光阻在基板侧边均匀涂布,因此线路的电阻均匀性也较差。
有鉴于此,实有必要开发一种新型的基板侧面导线的制备方法,用以解决现有技术中双面制程侧边金属走线工艺存在的成本较高、良率较低的问题。
发明内容
本发明的实施例提供一种新型的基板侧面导线的制备方法,用以解决现有技术中双面制程侧边金属走线工艺存在的成本较高、良率较低的技术问题。
为了解决上述技术问题,本发明的实施例公开了如下技术方案:
一方面,提供一种基板侧面导线的制备方法,包括以下步骤:提供一基板,所述基板具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面和第一侧面,在靠近所述第一侧面的所述第一表面上设置有第一金属接触垫,在靠近所述第一侧面的所述第二表面上设置有第二金属接触垫;对所述基板的所述第一表面、第二表面和第一侧面进行镀膜形成整面金属膜层;涂布光阻层于所述整面金属膜层上;对所述光阻层进行曝光显影,在所述第一侧面和所述第一金属接触垫、第二金属接触垫上形成侧面光阻;将暴露的所述整面金属膜层去除;去除所述侧面光阻,位于所述侧面光阻下方的金属膜层形成侧面导线。
所述制备方法应用于基板拼接及窄边框显示技术领域,也可以用于Micro LED及Mini LED显示技术领域。
除了上述公开的一个或多个特征之外,或者作为替代,在所述提供一基板的步骤和所述形成整面金属膜层的步骤之间还包括:制备第一遮盖膜于所述基板和所述第一金属接触垫上,制备第二遮盖膜于所述基板的所述第二表面和所述第二金属接触垫上;对所述基板的所述第一侧面与所述第一表面相接的的侧边进行磨边;对所述基板的所述第一侧面与所述第二表面相接的的侧边进行磨边;将所述第一遮盖膜和所述第二遮盖膜与所述基板分离。
对基板侧边磨边的目的是防止侧边太过尖锐,将侧边导线刺断。
在对基板侧边磨边的步骤前,在基板上设置第一遮盖膜和第二遮盖膜是为了在磨边时起到保护基板的作用。
除了上述公开的一个或多个特征之外,或者作为替代,将所述第一遮盖膜和所述第二遮盖膜与所述基板分离采用的方法包括激光剥离、机械剥离中的一种或几种。
除了上述公开的一个或多个特征之外,或者作为替代,所述第一遮盖膜和所述第二遮盖膜的材料包括聚酰亚胺、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、玻璃纸中的一种或几种。
除了上述公开的一个或多个特征之外,或者作为替代,所述第一遮盖膜的厚度范围为1μm~10μm,所述第二遮盖膜的厚度范围为1μm~10μm。所述第一遮盖膜的厚度可以为3μm或5μm或6μm或8μm,所述第一遮盖膜和所述第二遮盖膜在后续剥离过程中会去除,所以所述第一遮盖膜和所述第二遮盖膜设置较薄,便于在后续工艺中去除。
除了上述公开的一个或多个特征之外,或者作为替代,对所述基板的所述第一表面、第二表面和第一侧面进行镀膜采用的设备包括磁控溅射设备、真空蒸发镀膜、真空离子镀膜设备中的一种或几种。
除了上述公开的一个或多个特征之外,或者作为替代,对所述基板的所述第一表面、第二表面和第一侧面进行镀膜采用的金属材料包括铬、铜、铝、钛金属或其组合或合金。
除了上述公开的一个或多个特征之外,或者作为替代,将暴露的所述整面金属膜层去除采用的方法包括镭射、干蚀刻、湿蚀刻中的一种或几种。
除了上述公开的一个或多个特征之外,或者作为替代,去除所述侧面光阻的方法为溶解。
除了上述公开的一个或多个特征之外,或者作为替代,所述侧面导线将所述第一金属接触垫与所述第二金属接触垫连接。
除了上述公开的一个或多个特征之外,或者作为替代,所述第一表面为所述基板的正面像素区,所述第二表面为所述基板的背面线路区。
本发明中的侧面导线设置在显示装置的背面,从而能够减小显示装置框体的宽度,实现显示装置的无边框。
另一方面,本发明还提供一种显示装置,包括一基板,所述基板设置有侧面导线,所述侧面导线采用上述的基板侧面导线的制备方法制备而成。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果:本申请的制备工艺简单,由于光阻涂布、曝光、显影和去除暴露的金属膜层的精度可控,所以不需要像现有技术中需要多次用镭射机台进行镭射修饰,能够降低成本;并且,通过对基板的侧边进行磨边,能够避免线路在基板的侧面出现破损,改善侧面导线的电阻均匀性,提升良率。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的基板侧面导线的制备方法的流程图;
图2a为本发明实施例提供的基板侧面导线的制备方法的步骤1的剖视结构示意图;
图2b为本发明实施例提供的基板侧面导线的制备方法的步骤1的整体结构示意图;
图3a为本发明实施例提供的基板侧面导线的制备方法的步骤2的剖视结构示意图;
图3b为本发明实施例提供的基板侧面导线的制备方法的步骤2的整体结构示意图;
图4为本发明实施例提供的基板侧面导线的制备方法的步骤3的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的基板侧面导线的制备方法的步骤4的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的基板侧面导线的制备方法的步骤5的结构示意图;
图7为本发明实施例提供的基板侧面导线的制备方法的步骤6的结构示意图;
图8为本发明实施例提供的基板侧面导线的制备方法的步骤7的结构示意图;
图9为本发明实施例提供的基板侧面导线的制备方法的步骤8的结构示意图;
图10为本发明实施例提供的基板侧面导线的制备方法的步骤9的结构示意图。
附图标记:
基板-10; 第一表面-11;
第二表面-12; 第一侧面-13;
第一金属接触垫-20; 第二金属接触垫-30;
第一遮盖膜-40; 第二遮盖膜-50;
整面金属膜层60; 光阻层-70;
侧面光阻-80; 侧面导线-90。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
请参阅图1,图1为本实施例提供的基板侧面导线的制备方法的流程图,基板侧面导线的制备方法包括步骤1-步骤8。
步骤1:提供一基板10,基板10具有第一表面11、与第一表面11相对的第二表面12和第一侧面13,在靠近第一侧面13的第一表面11上设置有第一金属接触垫20,在靠近第一侧面13的第二表面12上设置有第二金属接触垫30。
请参阅图2a和图2b,2a和图2b分别为制备方法的步骤1的剖视结构示意图和整体结构示意图,其中,第一表面11为基板10的正面像素区,第二表面12为基板10的背面线路区。
步骤2:制备第一遮盖膜40于基板10和第一金属接触垫20上,制备第二遮盖膜50于基板的第二表面12和第二金属接触垫30上。
请参阅图3a和图3b,3a和图3b分别为制备方法的步骤2的剖视结构示意图和整体结构示意图,本实施例中,第一遮盖膜40和第二遮盖膜50的材料采用聚酰亚胺(Polyimide,PI)。在其他实施例中,第一遮盖膜40的材料也可以采用聚乙烯(polyethylene,PE)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、玻璃纸(PT)等耐高温材料。
因为第一遮盖膜40和第二遮盖膜50在后续剥离过程中会被去除,因此第一遮盖膜40的厚度较薄,第一遮盖膜40的厚度范围为1μm~10μm,第二遮盖膜50的厚度范围为1μm~10μm。在本实施例中,第一遮盖膜40的厚度为3μm,第二遮盖膜50的厚度为3μm。在其他实施例中,第一遮盖膜40的厚度也可以为5μm或6μm或8μm,第一遮盖膜40和第二遮盖膜50在的厚度较薄,便于在后续工艺中去除。
步骤3:对基板10的第一侧面13与第一表面11相接的的侧边进行磨边,对基板10的第一侧面13与第二表面12相接的的侧边进行磨边。
请参阅图4,图4是制备方法的步骤3的结构示意图,本实施例中,对基板侧边磨边的目的是防止侧边太过尖锐,将侧边导线刺断,能够避免线路在基板的侧面出现破损,改善侧面导线90的电阻均匀性,提升良率。
在对基板侧边磨边的步骤前,在基板上设置第一遮盖膜40和第二遮盖膜50是为了在磨边时起到保护基板的作用。
步骤4:将第一遮盖膜40和第二遮盖膜50与基板10分离。
请参阅图5,图5为制备方法的步骤4的结构示意图,在本实施例中,将第一遮盖膜40与基板10分离、将第二遮盖膜50与基板10分离采用的方法为激光剥离。在其他实施例中,将第一遮盖膜40与基板10分离、将第二遮盖膜50与基板10分离的方法也可以采用机械剥离。
步骤5:对基板10的第一表面11、第二表面12和第一侧面13进行镀膜形成整面金属膜层60。
请参阅图6,图6是制备方法的步骤3的结构示意图,本实施例中,对基板10的第一表面11、第二表面12和第一侧面13进行镀膜采用的设备为磁控溅射设备。在其他实施例中,对基板10的第一表面11、第二表面12和第一侧面13进行镀膜也可以采用真空蒸发镀膜及真空离子镀膜设备。
对基板10的第一表面11、第二表面12和第一侧面13进行镀膜采用的金属材料包括铬、铜、铝、钛金属,也可以是这些金属的组合或合金。
步骤6:涂布光阻层70于整面金属膜层60上。
请参阅图7,图7为制备方法的步骤6的结构示意图。
步骤7:对光阻层70进行曝光显影,在第一侧面13和第一金属接触垫20、第二金属接触垫30上形成侧面光阻80。
请参阅图8,图8为制备方法的步骤7的结构示意图。
步骤8:将暴露的整面金属膜层60去除。
请参阅图9,图9为制备方法的步骤8的结构示意图,在本实施例中,将暴露的整面金属膜层60去除采用的方法为镭射方法。在其他实施例中,将暴露的整面金属膜层60去除采用的方法也可以为干蚀刻或湿蚀刻方法。
步骤9:去除侧面光阻80,位于侧面光阻80下方的金属膜层形成侧面导线90。
请参阅图10,图10为制备方法的步骤9的结构示意图,在本实施例中,去除侧面光阻80的方法为溶解。侧面导线90将第一金属接触垫20与第二金属接触垫30连接。
本发明中的侧面导线90设置在显示装置的背面,从而能够减小显示装置框体的宽度,实现显示装置的无边框。
本实施例提供的制备方法应用于基板拼接及窄边框显示技术领域,也可以用于Micro LED及Mini LED显示技术领域。
申请的制备工艺简单,由于光阻涂布、曝光、显影和去除暴露的金属膜层的精度可控,所以不需要像现有技术中需要多次用镭射机台进行镭射修饰,能够降低成本;并且,通过对基板的侧边进行磨边,能够避免线路在基板的侧面出现破损,改善侧面导线90的电阻均匀性,提升良率。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括一基板,所述基板设置有侧面导线,所述侧面导线采用上述的基板侧面导线的制备方法制备而成。
以上对本发明实施例所提供的一种基板侧面导线的制备方法及显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种基板侧面导线的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一基板,所述基板具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面和第一侧面,在靠近所述第一侧面的所述第一表面上设置有第一金属接触垫,在靠近所述第一侧面的所述第二表面上设置有第二金属接触垫;
制备第一遮盖膜于所述基板和所述第一金属接触垫上,制备第二遮盖膜于所述基板的所述第二表面和所述第二金属接触垫上;
对所述基板的所述第一侧面与所述第一表面相接的的侧边进行磨边;
对所述基板的所述第一侧面与所述第二表面相接的的侧边进行磨边;
将所述第一遮盖膜和所述第二遮盖膜与所述基板分离;
对所述基板的所述第一表面、所述第二表面和所述第一侧面进行镀膜形成整面金属膜层;
涂布光阻层于所述整面金属膜层上;
对所述光阻层进行曝光显影,在所述第一侧面和所述第一金属接触垫、所述第二金属接触垫上形成侧面光阻;
将暴露的所述整面金属膜层去除;
去除所述侧面光阻,位于所述侧面光阻下方的金属膜层形成侧面导线。
2.如权利要求1所述的基板侧面导线的制备方法,其特征在于,将所述第一遮盖膜和所述第二遮盖膜与所述基板分离采用的方法包括激光剥离、机械剥离中的一种或几种。
3.如权利要求1所述的基板侧面导线的制备方法,其特征在于,所述第一遮盖膜的厚度范围为1μm~10μm。
4.如权利要求1所述的基板侧面导线的制备方法,其特征在于,所述第一表面为所述基板的正面像素区,所述第二表面为所述基板的背面线路区。
5.如权利要求1所述的基板侧面导线的制备方法,其特征在于,对所述基板的所述第一表面、第二表面和第一侧面进行镀膜采用的设备包括磁控溅射设备、真空蒸发镀膜、真空离子镀膜设备中的一种或几种。
6.如权利要求1所述的基板侧面导线的制备方法,其特征在于,对所述基板的所述第一表面、第二表面和第一侧面进行镀膜采用的金属材料包括铬、铜、铝、钛金属或其组合或合金。
7.如权利要求1所述的基板侧面导线的制备方法,其特征在于,将暴露的所述整面金属膜层去除采用的方法包括镭射、干蚀刻、湿蚀刻中的一种或几种。
8.如权利要求1所述的基板侧面导线的制备方法,其特征在于,去除所述侧面光阻的方法为溶解。
9.一种显示装置,包括一基板,其特征在于:所述基板设置有侧面导线,所述侧面导线采用如权利要求1-8任一项所述的基板侧面导线的制备方法制备而成。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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