CN114690944A - 滤色器基板和包括该滤色器基板的盒内式触摸型显示装置 - Google Patents

滤色器基板和包括该滤色器基板的盒内式触摸型显示装置 Download PDF

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Abstract

本公开公开了一种滤色器基板和包括该滤色器基板的盒内式触摸型显示装置，其中低反射高电阻膜设置在滤色器基板的顶面上。由于低反射高电阻膜，产生了手指电容，形成了抗静电路径，并且提高了显示装置的反射率。

Description

滤色器基板和包括该滤色器基板的盒内式触摸型显示装置
技术领域
本公开涉及一种滤色器基板。更具体而言，本公开涉及一种具有低反射高电阻膜的滤色器基板。
此外，本公开涉及一种包括具有低反射高电阻膜的滤色器基板的盒内式触摸型显示装置。
背景技术
显示装置显示图像。近来，随着显示技术的发展，平板显示装置已经被广泛使用。平板显示装置包括液晶显示装置、有机电致发光显示装置和微LED显示装置。
平板显示装置响应于激励(即，施加到装置表面的触摸)而操作，以为用户提供便利。换言之，平板显示装置具有触摸面板的功能。
因此，包括触摸面板功能的平板显示装置应用于各种领域，包括诸如导航、工业终端、笔记本计算机、金融自动化设备和游戏机的监视器，诸如移动电话、MP3、PDA、PMP、PSP、便携式游戏机和DMB接收器的便携式终端，以及诸如冰箱、微波炉、洗衣机等的家用电器。
为了将触摸面板功能包括在平板显示装置中，存在制造单独的触摸屏(触摸面板)并将其附接到显示面板的方法，以及在显示面板上直接形成触摸元件的方法。
将单独的触摸屏附接到显示面板的方法可能是复杂的工艺，并且可能增加显示装置的厚度。
在显示面板上直接形成触摸元件的方法中，由于频繁的用户触摸，在滤色器基板上可能产生静电，因此触摸感测性能可能由于这种静电而劣化。
发明内容
提供本发明内容以便以简化的形式介绍将在以下具体实施方式中进一步描述的所选择的概念。本发明内容不旨在标识所要求保护的主题的所有关键特征或必要特征，也不旨在单独地用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
本公开的目的是提供一种具有优异的触摸感测效果和优异的静电放电效果的滤色器基板。
另外，本公开的目的是提供一种包括触摸检测效果和静电放电效果两者都优异的滤色器基板的盒内式触摸型显示装置。
根据本公开的目的不限于上述目的。可以从以下描述中理解根据本公开的上文未提及的其他目的和优点，并且从根据本公开的实施例中更清楚地理解这些其他目的和优点。此外，将容易理解，根据本公开的目的和优点可以通过如权利要求中公开的特征及其组合来实现。
本公开的一方面提供了一种滤色器基板，其包括：第一基板；滤色器，设置在第一基板的底面上；以及上层膜，设置在第一基板的顶面上，其中上层膜由In2O3制成，并且还包含在重量上占13％至15％的SiO2和在重量上占10％或更少的SnO2。
在滤色器基板的一个实施方式中，上层膜具有106至108Ω/sq的薄层电阻。
在滤色器基板的一个实施方式中，上层膜具有50至
Figure BDA0003407057340000021
的厚度。
在滤色器基板的一个实施方式中，滤色器基板还包括设置在上层膜的顶面上的偏振板。
本公开的另一方面提供了一种盒内式触摸型显示装置，其包括：装置基板，在所述装置基板中限定多个像素区域，其中在装置基板上设置薄膜晶体管和触摸线；以及滤色器基板，设置在装置基板上，其中滤色器基板包括：第一基板；滤色器，设置在第一基板的底面上；以及上层膜，设置在第一基板的顶面上，其中上层膜由In2O3制成，并且还包含在重量上占13％至15％的SiO2和在重量上占10％或更少的SnO2。
在盒内式触摸型显示装置的一个实施方式中，装置基板包括：第二基板；栅极线和数据线，设置在第二基板的顶面上并彼此交叉以限定像素区域；薄膜晶体管，设置在栅极线和数据线之间的交叉中；保护层，设置在薄膜晶体管的顶面上；像素电极，设置在保护层的顶面上并连接到薄膜晶体管的漏极电极；公共电极，与像素电极重叠；以及触摸线，电连接到公共电极。
在盒内式触摸型显示装置的一个实施方式中，公共电极被单独划分为多个触摸块，每个块包括多个像素区域中的一些像素区域。
在盒内式触摸型显示装置的一个实施方式中，每条触摸线电连接到公共电极的每个触摸块。
在盒内式触摸型显示装置的一个实施方式中，上层膜具有106至108Ω/sq的薄层电阻。
在盒内式触摸型显示装置的一个实施方式中，上层膜具有50至
Figure BDA0003407057340000031
的厚度。
在盒内式触摸型显示装置的一个实施方式中，盒内式触摸型显示装置还包括设置在上层膜的顶面上的偏振板。
根据本公开的效果可以如下，但是可以不限于此。
按照根据本公开的滤色器基板和包括该滤色器基板的盒内式触摸型显示装置，高电阻膜形成在滤色器基板的顶面上。在滤色器基板的顶面上的高电阻膜使得可以在接触滤色器基板的顶部的手指和装置基板的公共电极之间产生手指电容。
此外，根据本公开的滤色器基板和包括该滤色器基板的盒内式触摸型显示装置可以经由滤色器基板的顶面上的高电阻膜释放静电，使得可以不在高电阻膜上形成用于释放静电的单独的膜。
此外，在根据本公开的滤色器基板和包括该滤色器基板的盒内式触摸型显示装置中，形成在滤色器基板的顶面上的高电阻膜展现出低的可见光反射率，由此提高了盒内式触摸型显示装置的可视性。
除了上述效果之外，将与用于实施本公开的具体实施方式一起描述根据本公开的具体效果。
附图说明
图1示意性地示出了根据本公开的实施方式的滤色器基板。
图2示意性地示出了根据本公开的另一实施方式的滤色器基板。
图3示意性地示出了根据本公开的实施方式的盒内式触摸型显示装置。
图4示意性地示出了可以在根据本公开的实施方式的盒内式触摸型显示装置中使用的装置基板。
图5示意性地示出了触摸块和触摸线的结构。
图6是示出SiO2掺杂的In2O3膜的基于SiO2含量的折射率的测量结果的曲线图。
图7是示出在In2O3的重量占78％，SiO2的重量占17％，SnO2的重量占5％以及膜厚度为
Figure BDA0003407057340000041
的条件下，SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜的基于氧分压的薄层电阻、反射率和透射率的测量结果的曲线图。
图8是示出在In2O3的重量占81％，SiO2的重量占16％，SnO2的重量占3％以及膜厚度为
Figure BDA0003407057340000042
的条件下，SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜的基于氧分压的薄层电阻、反射率和透射率的测量结果的曲线图。
图9是示出在In2O3的重量占82％，SiO2的重量占15％，SnO2的重量占3％以及膜厚度为
Figure BDA0003407057340000043
的条件下，SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜的基于氧分压的薄层电阻、反射率和透射率的测量结果的曲线图。
图10是示出在In2O3的重量占78％，SiO2的重量占17％，SnO2的重量占5％以及膜厚度为
Figure BDA0003407057340000044
的条件下，SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜的基于氧分压的薄层电阻、反射率和透射率的测量结果的曲线图。
图11是示出在In2O3的重量占81％，SiO2的重量占16％，SnO2的重量占3％以及膜厚度为
Figure BDA0003407057340000045
的条件下，SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜的基于氧分压的薄层电阻、反射率和透射率的测量结果的曲线图。
图12是示出在In2O3的重量占82％，SiO2的重量占15％，SnO2的重量占3％以及膜厚度为
Figure BDA0003407057340000046
的条件下，SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜的基于氧分压的薄层电阻、反射率和透射率的测量结果的曲线图。
图13是示出在7kW和Ar 450sccm的条件下，SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜(T_1)的基于O2分压的薄层电阻、反射率和透射率的测量结果的曲线图。
图14是示出在60℃的温度和90％的相对湿度下，在图13中的4.8％的O2分压的条件下制造的SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜(T_1)的薄层电阻随时间的测量结果的曲线图。
图15是示出在8kW和Ar 450sccm的条件下，SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜(T_2)的基于O2分压的薄层电阻、反射率和透射率的测量结果的曲线图。
图16是示出在60℃的温度和90％的相对湿度下，在图15中的5.7％的O2分压的条件下制造的SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜(T_2)的薄层电阻随时间的测量结果的曲线图。
图17示出了ITO膜、T_1膜、T_2膜的基于波长的反射率测量结果。
具体实施方式
本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将参考后面结合附图详细描述的实施例而变得显而易见。然而，本公开不限于如下公开的实施例，而是可以以各种不同的形式实施。因此，阐述这些实施例仅是为了使本公开完整，并且将本公开的范围完全告知本公开所属技术领域的普通技术人员，并且本公开仅由权利要求的范围限定。
在用于描述本公开的实施例的附图中公开的形状、尺寸、比率、角度、数量等是示例性的，本公开不限于此。相同的附图标记在本文中表示相同的元件。此外，为了简化描述，省略了公知的步骤和元件的描述和细节。此外，在本公开的以下详细描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本公开的透彻理解。然而，应理解，可以在没有这些具体细节的情况下实施本公开。在其他实例中，没有详细描述公知的方法、过程、部件和电路，以免不必要地使本公开的各方面难以理解。
本文所用的术语仅为了描述特定实施例的目的，而不是旨在限制本公开。如在本文中所使用的，单数形式“一”和“一个”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。还应当理解，术语“包括”和“包含”在本说明书中使用时，指定所述的特征、整数、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、操作、元件、部件和/或其部分的存在或添加。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项的任何和所有组合。当在元素列表之前时，诸如“至少一个”的表达可以修饰整个列表的元素，并且可以不修饰列表的各个元素。在数值的解释中，即使没有明确的描述，其中的误差或公差也可能发生。
此外，还应当理解，当第一元件或层被称为存在于第二元件或层“上”时，第一元件可以直接设置在第二元件上，或者可以间接设置在第二元件上，其中第三元件或层设置在第一和第二元件或层之间。应理解，当元件或层被称为“连接到”或“耦合到”另一元件或层时，其可以直接在另一元件或层上，直接连接到或直接耦合到另一元件或层，或者可以存在一个或多个中间元件或层。此外，还应当理解，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，其可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个中间元件或层。
此外，如在本文中所使用的，当层、膜、区域、板等设置在另一层、膜、区域、板等“上”或其“顶部上”时，前者可以直接接触后者，或者可以在前者和后者之间设置又一层、膜、区域、板等。如在本文中所使用的，当层、膜、区域、板等直接设置在另一层、膜、区域、板等“上”或其“顶部上”时，前者直接接触后者，并且在前者和后者之间不设置又一层、膜、区域、板等。此外，如在本文中所使用的，当层、膜、区域、板等设置在另一层、膜、区域、板等“下面”或“下方”时，前者可以直接接触后者，或者可以在前者和后者之间设置又一层、膜、区域、板等。如在本文中所使用的，当层、膜、区域、板等直接设置在另一层、膜、区域、板等“下面”或“下方”时，前者直接接触后者，并且在前者和后者之间不设置又一层、膜、区域、板等。
在时间关系的描述中，例如，诸如“之后”、“随后”、“之前”等两个事件之间的时间在先关系，除非没有指示“直接在之后”、“直接在随后”或“直接在之前”，否则在其间可能发生另一事件。
应理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应当受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分。
本公开的各种实施例的特征可以部分地或完全地彼此组合，并且可以在技术上彼此相关联或彼此操作。实施例可以彼此独立地实施，并且可以以关联关系一起实施。
除非另有定义，否则本文中所使用的包括技术和科学术语的所有术语具有与本发明构思所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还应当理解，诸如在常用词典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义一致的含义，并且不应当以理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此定义。
在下文中，将参考附图详细描述根据本公开的滤色器基板和包括该滤色器基板的盒内式触摸型显示装置的优选实施方式。在附图中，相同的附图标记用于表示相同或相似的元件。
图1示意性地示出了根据本公开的实施方式的滤色器基板。
参考图1，滤色器基板100包括第一基板110、滤色器120和上层膜140。
第一基板110可以由玻璃或塑料制成。
滤色器120设置在第一基板110的底面上。更具体而言，第一基板110可以被划分为透光区域和遮光区域。滤色器120可以设置在透光区域中和第一基板110的底面上。黑矩阵130可以设置在遮光区域中和第一基板110的底面上。
上层膜140设置在第一基板110的顶面上。在本公开中，上层膜140执行触摸功能和静电放电功能。
在本公开中，上层膜140由含有在重量上占13％至15％的SiO2和在重量上占10％或更少的SnO2的In2O3制成。具有上述组分的上层膜可以表现出比ITO(氧化铟锡)更高的薄层电阻。
例如，当上层膜由薄层电阻为相对低的103Ω/sq的ITO材料制成时，上层膜可以执行静电放电功能，但是在接触滤色器基板的顶面的手指和装置基板的公共电极之间可能不产生手指电容，从而可能使触摸性能降低。相反，当不存在上层膜时，虽然可以产生手指电容，但是静电放电可能不发生。因此，必须提供单独的静电放电路径。因此，本发明人进行了大量的研究，并且发现当上层膜140的薄层电阻在106至108Ω/sq的范围内时，触摸功能和静电放电功能都可以很好地执行。
根据本公开，上层膜140基于作为透明导电材料的In2O3。
上层膜140中包括的SiO2用于增加上层膜140的电阻。特别是，在氧化物材料中，SiO2具有最低的折射率、高接合强度和大带隙，并且确保了与ITO相比的高电阻并提高了透射率。当SiO2的含量在重量上小于13％时，上层膜的透射率会降低，反射率会增加。相反，当SiO2的含量在重量上超过15％时，上层膜的薄层电阻可能太高，从而难以执行静电放电功能。
SnO2与In2O3一起防止上层膜的电阻变得过高。根据本公开，要求上层膜具有一定的高薄层电阻，SnO2可以不包括在上层膜中。当SnO2的含量在重量上超过10％且太高时，上层膜的透射率可能降低。
如上所述，结合工艺条件(例如，沉积过程中的氧分压)的由In2O3制成并包括在重量上占13％至15％的SiO2和在重量上占10％或更少的SnO2的上层膜140可以表现出106至108Ω/sq的薄层电阻。此外，上层膜140可以表现出97％或更大的透射率和9.5％或更小的反射率。
上层膜可以具有50至
Figure BDA0003407057340000081
(即，5至20nm)的厚度。120至
Figure BDA0003407057340000082
的厚度是更优选的。上层膜越薄，透射率越好。然而，当上层膜太薄(小于
Figure BDA0003407057340000083
)时，上层膜的薄层电阻大大增加，使得静电放电性能可能降低。在一个示例中，当上层膜的厚度超过
Figure BDA0003407057340000084
时，透射率可能降低，并且反射率可能增加。
图2示意性地示出了根据本公开的另一实施方式的滤色器基板。
图2所示的滤色器基板包括第一基板110、滤色器120和上层膜140，如在图1所示的滤色器基板中那样。
在一个示例中，图2所示的滤色器基板另外具有设置在上层膜140的顶面上的偏振板150。偏振板150允许从随机混合的非偏振光中选择线偏振光，并且使线偏振光沿特定方向从其透射通过。此外，偏振板150抑制了由于外部光的反射而导致的可见度的降低。
如上所述，当上层膜不存在时，不会通过第一基板发生静电放电。因此，偏振板涂覆有用于静电放电的导电材料。然而，根据本公开，可以经由上层膜140实现静电放电。因此，即使当偏振板包含在滤色器基板中时，也不需要在偏振板上涂覆用于静电放电的导电材料。
图3示意性地示出了根据本公开的实施方式的盒内式触摸型显示装置。
参考图3，根据本公开的盒内式触摸型显示装置包括滤色器基板100和装置基板200。
滤色器基板100设置在装置基板200的顶面上。
如上所述，滤色器基板100包括第一基板110、设置在第一基板的底面上的滤色器120和设置在第一基板的顶面上的上层膜140。
滤色器基板100的上层膜140基于In2O3，并且还包含在重量上占13％至15％的SiO2和在重量上占10％或更少的SnO2。
滤色器基板140的上层膜140可以具有106至108Ω/sq的薄层电阻。
此外，上层膜140可以具有50至
Figure BDA0003407057340000091
的厚度。
偏振板150可以另外设置在滤色器基板140的上层膜140的顶面上。
在装置基板200中，限定了多个像素区域。薄膜晶体管和触摸线设置在装置基板200的顶面上。根据本公开，其中用于传输触摸信号的触摸线设置在装置基板200的顶面上的显示装置被称为盒内型显示装置。
在图3中，液晶层300设置在滤色器基板100与装置基板200之间。此外，诸如盖玻璃的覆盖层400可以设置在滤色器基板100的顶面上。
图3示出了盒内式触摸型液晶显示装置的示例。然而，本公开不限于此，而是可以应用于盒内式触摸型OLED显示装置或盒内式触摸型微LED显示装置。
图4示意性地示出了可以在根据本公开的实施方式的盒内式触摸型显示装置中使用的装置基板200。
装置基板200的像素区域由彼此交叉并设置在第二基板201上的栅极线和数据线限定。薄膜晶体管设置在栅极线和数据线之间的交叉区域中。
栅极线(未示出)和从栅极线分支的栅电极221设置在第二基板201的顶面上。
栅极绝缘膜222设置在其上设置栅电极的第二基板201的顶面上。
有源层223设置在栅极绝缘膜222的顶面上。
从数据线224分支的源极电极224a和与源极电极间隔开的漏极电极224b设置在有源层223的顶面上。
在其上设置薄膜晶体管的栅极绝缘膜222上形成保护层225。保护层225可以由诸如SiO2和SiN的绝缘无机材料或者诸如PAC(光丙烯醛基化合物)的绝缘有机材料制成，并且可以由一层或多层构成。当保护层225具有多层结构时，优选其最顶层由PAC制成以用于平坦化。
像素电极230设置在保护层的顶面上。像素电极230经由接触孔连接到薄膜晶体管的漏极电极224b。
公共电极260与像素电极230和保护膜250重叠，同时***其间。在图4中，提供了公共电极260用作最顶层的结构(Vcom TOP结构)。然而，本公开不限于此。可以提供像素电极230用作最顶层的结构(PXL TOP结构)。
触摸线210电连接到公共电极260。触摸线210可以与数据线224重叠。图4示出了示例，其中附加保护膜240设置在其上设置像素电极230的保护膜225上，并且触摸线210设置在附加保护膜240的顶面上并与数据线224重叠。然而，这仅仅是示例。应用于已知的盒内型显示装置的任何触摸线都可以应用于本公开。
图5示意性地示出了触摸块和触摸线的结构。
在图5中，附图标记310表示数据驱动器，并且附图标记320表示MUX。数据驱动器310将从设置在外部***(未示出)中的定时控制IC输入的图像信号DATA转换为基于帧的数字图像数据R、G和B，并且将数字图像数据R、G和B转换为模拟数据电压并将其提供给显示装置。
如图5所示，可以将公共电极260划分为多个触摸块TB，每个触摸块TB对应于多个像素区域中的一些像素区域。触摸线210可以在触摸块的基础上电连接到公共电极。
如图4所示，触摸线210延伸跨过公共电极260的触摸块TB，并且设置在公共电极260的下方。因此，触摸线210感测当手指触摸块TB时发生的电容负载的变化，并且将该变化传送到感测电路。
触摸线210独立地连接到每个触摸块TB的公共电极260。公共电极260在显示期间内向每个像素区域提供公共电压，并且在非显示期间内向每个像素区域提供触摸感测信号，使得触摸线检测手指是否触摸公共电极260。
通过触摸线210提供的触摸感测信号可以是多个时钟信号CLK。当用户使用手指触摸显示区域时，在公共电极260的触摸块TB之间可以产生触摸电容。在这一点上，可以将根据用户触摸的触摸电容与参考电容彼此进行比较。然后，可以基于比较结果来检测用户的触摸位置。根据检测到的触摸位置执行操作。
在这一点上，经由触摸电容和基准电容之间的比较，识别发生用户触摸的位置的坐标。执行与触摸发生位置的坐标相对应的操作。
示例
在下文中，呈现优选示例以帮助理解本公开。然而，提供以下示例仅是为了使本领域技术人员更容易理解本公开。本公开不限于以下示例。
图6是示出SiO2掺杂的In2O3膜的基于SiO2含量的折射率的测量结果的曲线图。这可以基于下面的等式1来导出，其中具有多组成组分的材料的折射率分别基于具有折射率的材料之间的含量比来确定：
[等式1]
Figure BDA0003407057340000111
在这一点上，n12表示材料1和材料2的混合物的折射率，n1是指材料1的折射率，n2是指材料2的折射率，Φ1表示材料1的体积分数，并且Φ2表示材料2的体积分数。
参考图6，可以看出当应用折射率为1.95的In2O3和折射率为1.5的SiO2时，折射率随着SiO2含量的增加而降低。特别地，可以看出当所含的SiO2的体积分数为30％或更大(在重量上占约13％或更大)时，上层膜的折射率可以是1.8或更小。
图7是示出在In2O3的重量占78％，SiO2的重量占17％，SnO2的重量占5％和膜厚度为
Figure BDA0003407057340000112
的条件下，SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜的基于氧分压的薄层电阻、反射率和透射率的测量结果的曲线图。使用真空沉积法沉积由In2O3制成并掺杂有SiO2-SnO2的上层膜。
在图7至12中，薄层电阻的标度是对数标度。
参考图7，可以看出当在In2O3的重量占78％，SiO2的重量占17％，SnO2的重量占5％和膜厚度为
Figure BDA0003407057340000113
的条件下，在真空沉积过程中氧分压增加时，透射率增加，反射率降低，并且薄层电阻降低。然而，可以看出由于含有在重量上占17％的SiO2的事实，上层膜的电阻高于109Ω/sq。
图8是示出在In2O3的重量占81％，SiO2的重量占16％，SnO2的重量占3％和膜厚度为
Figure BDA0003407057340000114
的条件下，SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜的基于氧分压的薄层电阻、反射率和透射率的测量结果的曲线图。
参考图8，可以看出当在In2O3的重量占81％，SiO2的重量占16％，SnO2的重量占3％和膜厚度为
Figure BDA0003407057340000121
的条件下，在真空沉积压力过程中氧分压增加时，透射率增加，并且反射率降低。然而，即使在图8中，也可以看出由于包含在重量上占16％的SiO2，上层膜的电阻高于约108Ω/sq。
图9是示出在In2O3的重量占82％，SiO2的重量占15％，SnO2的重量占3％和膜厚度为
Figure BDA0003407057340000122
的条件下，SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜的基于氧分压的薄层电阻、反射率和透射率的测量结果的曲线图。
参考图9，可以看出当在In2O3的重量占82％，SiO2的重量占15％，SnO2的重量占3％和膜厚度为
Figure BDA0003407057340000123
的条件下，在真空沉积过程中氧分压增加时，透射率增加，并且反射率降低。此外，参考图9，可以看出当在体积上占2％的氧分压下执行真空沉积时，可以形成具有约107Ω/sq的薄层电阻的上层膜。
图10是示出在In2O3的重量占78％，SiO2的重量占17％，SnO2的重量占5％和膜厚度为
Figure BDA0003407057340000124
的条件下，SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜的基于氧分压的薄层电阻、反射率和透射率的测量结果的曲线图。
参考图10，可以看出当在78重量％In2O3的重量占78％，SiO2的重量占17％，SnO2的重量占5％和膜厚度为
Figure BDA0003407057340000125
的条件下，在真空沉积过程中氧分压增加时，透射率增加，反射率降低，并且薄层电阻降低。此外，可以看出当相互比较具有相同组分的图7和10时，随着上层膜厚度的减小，展现出相对高的透射率和相对低的反射率。
然而，参考图10，可以看出由于包含在重量上占17％的SiO2的事实，上层膜的电阻高于约1010Ω/sq。
图11是示出在In2O3的重量占81％，SiO2的重量占16％，SnO2的重量占3％和膜厚度为
Figure BDA0003407057340000126
的条件下，SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜的基于氧分压的薄层电阻、反射率和透射率的测量结果的曲线图。
参考图11，可以看出当在In2O3的重量占81％，SiO2的重量占16％，SnO2的重量占3％和膜厚度为
Figure BDA0003407057340000127
的条件下，在真空沉积过程中氧分压增加时，透射率增加，反射率降低，并且薄层电阻降低。此外，可以看出当相互比较具有相同组分的图8和11时，随着上层膜厚度的减小，展现出相对高的透射率和相对低的反射率。
然而，参考图11，可以看出由于包含在重量占16％的SiO2的事实，上层膜的电阻高于108Ω/sq。
图12是示出在In2O3的重量占82％，SiO2的重量占15％，SnO2的重量占3％和膜厚度为
Figure BDA0003407057340000131
的条件下，SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜的基于氧分压的薄层电阻、反射率和透射率的测量结果的曲线图。
参考图12，可以看出当在In2O3的重量占82％，SiO2的重量占15％，SnO2的重量占3％和膜厚度为
Figure BDA0003407057340000132
的条件下，在真空沉积过程中氧分压增加时，透射率增加，反射率降低，并且薄层电阻降低。此外，可以看出当相互比较具有相同组分的图9和12时，随着上层膜厚度的减小，展现出相对高的透射率和相对低的反射率。
此外，参考图12，可以看出在真空沉积过程中，在体积上占2％的氧分压的条件下，可以形成具有约107Ω/sq的薄层电阻的上层膜。这是由于含有在重量上占15％的SiO2。
参考图7-12的结果，可以看出当SiO2含量在重量上高于15％时，上层膜的薄层电阻显著高，而与其他条件无关。因此，难以获得106至108Ω/sq的目标薄层电阻。
当SiO2含量在重量上降低到15％时，透射率降低，并且反射率增加，而其变化小。减小膜厚度具有增加透射率和减小反射率的效果。因此，通过减小膜厚度可以使由于SiO2含量减少而引起的透射率降低和反射率增加最小化。
图13是示出在7kW和Ar 450sccm条件下，SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜(T_1)的基于O2分压的薄层电阻、反射率和透射率的测量结果的曲线图。
上层膜的组分为在重量上占82％的In2O3、在重量上占15％的SiO2、在重量上占3％的SnO2，并且膜厚度为
Figure BDA0003407057340000133
参考图13，可以看出当在7kW和Ar 450sccm条件下，在真空沉积过程中，随着氧分压增加，透射率趋于增加，并且反射率趋于降低，同时其变化小。此外，可以看出电阻值的变化不大。
图14是示出在60℃的温度和90％的相对湿度下，在图13中的4.8％的O2分压的条件下制造的SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜(T_1)的薄层电阻随时间的测量结果的曲线图。
参考图14，可以看出在高温和高湿度条件下，上层膜的顶面、中间面和底面中的每一个的薄层电阻、透射率和反射率中的每一个随时间的变化并不显著。
图15是示出在8kW和Ar 450sccm条件下，SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜(T_2)的基于O2分压的薄层电阻、反射率和透射率的测量结果的曲线图。图16是示出在60℃的温度和90％的相对湿度下，在图15中的5.7％的O2分压的条件下制造的SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜(T_2)的薄层电阻随时间的测量结果的曲线图。
上层膜的组分为在重量上占82％的In2O3、在重量上占15％的SiO2、在重量上占3％的SnO2，并且膜厚度为
Figure BDA0003407057340000141
参考图15，可以看出在8kW和Ar 450sccm的条件下，在真空沉积过程中，随着氧分压增加，透射率稍微增加，而反射率几乎没有变化。此外，可以看出电阻值的变化不大。
此外，参考图16，可以看出在高温和高湿度条件下，上层膜的顶面、中间面和底面中的每一个的薄层电阻、透射率和反射率中的每一个随时间的变化并不显著。
另外，基于图13和图15之间的比较结果，可以看出在真空沉积过程中施加的功率条件不会显著影响膜质量。
图17示出了ITO膜、T_1膜和T_2膜的基于波长的反射率测量结果。
参考图17，ITO膜在可见光区域(360至740nm的波长)的平均反射率展现为5.81％，而T_1和T_2膜的平均反射率分别展现为相对低的反射率5.47％和5.38％。
当将SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜应用于根据本公开的滤色器基板的上层膜时，可以实现比应用ITO上层膜时更低的反射率。因此，将SiO2-SnO2掺杂的In2O3膜应用于滤色器基板的上层膜的配置更适于实现低反射显示装置。
尽管已经参考附图更详细地描述了本公开的实施例，但是本公开不必限于这些实施例。在不脱离本公开的技术构思的范围内，可以以各种修改方式实现本公开。因此，本公开中公开的实施例不是旨在限制本公开的技术构思，而是旨在描述本公开。本公开的技术构思的范围不受实施例限制。因此，应理解，如上所述的实施例在所有方面都是说明性的而非限制性的。本公开的保护范围应当由权利要求来解释，并且本公开的范围内的所有技术构思应当被解释为包括在本公开的范围内。

Claims (10)

1.一种滤色器基板，包括：
第一基板；
滤色器，设置在所述第一基板的底面上；以及
上层膜，设置在所述第一基板的顶面上，
其中，所述上层膜包含在重量上占13％至15％的SiO2和在重量上占10％或更少的SnO2、以及In2O3的化合价。
2.根据权利要求1所述的滤色器基板，其中，所述上层膜具有106至108Ω/sq的薄层电阻。
3.根据权利要求1所述的滤色器基板，其中，所述上层膜具有50至
Figure FDA0003407057330000011
的厚度。
4.根据权利要求1所述的滤色器基板，其中，所述滤色器基板还包括设置在所述上层膜的顶面上的偏振板。
5.一种盒内式触摸型显示装置，包括：
装置基板，在所述装置基板中限定多个像素区域，其中，在所述装置基板上设置薄膜晶体管和触摸线；以及
滤色器基板，设置在所述装置基板上，
其中，所述滤色器基板包括：
第一基板；
滤色器，设置在所述第一基板的底面上；以及
上层膜，设置在所述第一基板的顶面上，
其中，所述上层膜包含在重量上占13％至15％的SiO2和在重量上占10％或更少的SnO2、以及In2O3的化合价。
6.根据权利要求5所述的盒内式触摸型显示装置，其中，所述装置基板包括：
第二基板；
栅极线和数据线，设置在所述第二基板的顶面上并彼此交叉以限定像素区域；
薄膜晶体管，设置在所述栅极线和所述数据线之间的交叉中；
保护层，设置在所述薄膜晶体管的顶面上；
像素电极，设置在所述保护层的顶面上并连接到所述薄膜晶体管的漏极电极；
公共电极，与所述像素电极重叠；以及
触摸线，电连接到所述公共电极。
7.根据权利要求6所述的盒内式触摸型显示装置，其中，所述公共电极被单独划分为多个触摸块，每个块包括多个像素区域中的一些像素区域，并且每条触摸线电连接到所述公共电极的每个触摸块。
8.根据权利要求5所述的盒内式触摸型显示装置，其中，所述上层膜具有106至108Ω/sq的薄层电阻。
9.根据权利要求5所述的盒内式触摸型显示装置，其中，所述上层膜具有50至
Figure FDA0003407057330000021
的厚度。
10.根据权利要求5所述的盒内式触摸型显示装置，其中，所述盒内式触摸型显示装置还包括设置在所述上层膜的顶面上的偏振板。
CN202111520298.5A 2020-12-28 2021-12-13 滤色器基板和包括该滤色器基板的盒内式触摸型显示装置 Pending CN114690944A (zh)

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