CN114689279A - 光电组件特性测量装置 - Google Patents
光电组件特性测量装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114689279A CN114689279A CN202011635851.5A CN202011635851A CN114689279A CN 114689279 A CN114689279 A CN 114689279A CN 202011635851 A CN202011635851 A CN 202011635851A CN 114689279 A CN114689279 A CN 114689279A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- measured
- micro
- detected
- focus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/02—Testing optical properties
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/02—Testing optical properties
- G01M11/0207—Details of measuring devices
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
本申请提供一种光电组件特性测量装置,包含物镜、焦点调整模块以及摄影模块。所述物镜设置于第一光路径上,用以接收第一待测光线,并将第一待测光线转换成第二待测光线。所述焦点调整模块设置于第一光路径上,用以接收第二待测光线以反射出第三待测光线,并且受控于测试指令调整第三待测光线聚焦在第二光路径上的第一位置或第二位置。所述摄影模块设置于第二光路径上,用以测量第三待测光线的光束特性。
Description
技术领域
本申请是关于一种电子组件的测量装置,特别是关于一种用于检查光电组件特性的测量装置。
背景技术
随着光电技术的进步,目前已知可以用许多介质产生雷射,例如可以通过气体、化学或半导体等介质产生雷射。目前市面上以通过半导体产生雷射较为常见,一般称此类半导体为雷射二极管。实务上,雷射二极管制造完成后,还需进行许多光学检测,以确保雷射质量的稳定。然而,在检测雷射二极管发出的雷射光时,许多测量项目需要经常性地移动物镜的物平面、成像镜的像平面或相机位置。例如,测量项目是相关光束特性的测量光束腰(beam waist)、发散角(divergence angle)及数值孔径(numerical aperture,NA)等近场参数时,会将物镜、成像镜或相机移动至少4个位置,才能取得这些光束特性的参数。于所属技术领域具有通常知识者可以明白,经常性地移动光学***中任何光学组件将导致***频繁震动,除了让测量条件不稳定之外,也容易产生测量上的误差。
据此,业界需要一种新的光电组件特性测量装置,除了要能够快速测量相关光束特性的参数之外,要能够避免在测量的过程移动光学组件,以保持光学***的稳定。
发明内容
本申请所要解决的技术问题在于提供一种光电组件特性测量装置,可以用于检测雷射二极管相关光束特性的多个近场参数,并且在测量的过程中可以保持光学***的稳定。
本申请提出一种光电组件特性测量装置,包含物镜、焦点调整模块以及摄影模块。所述物镜设置于第一光路径上,用以接收第一待测光线,并将第一待测光线转换成第二待测光线。所述焦点调整模块设置于第一光路径上,用以接收第二待测光线以反射出第三待测光线,并且受控于测试指令调整第三待测光线聚焦在第二光路径上的第一位置或第二位置。所述摄影模块设置于第二光路径上,用以测量第三待测光线的光束特性。
于一些实施例中,光电组件特性测量装置更可以包含分光镜,所述分光镜设置于物镜与焦点调整模块之间,将第三待测光线投射向摄影模块。此外,焦点调整模块可以包含反射式空间光调制器,反射式空间光调制器包含多个像素,每一个像素对应液晶单元,测试指令可以用以调整液晶单元的偏转角度。另外,光电组件特性测量装置更可以包含前偏单元以及检偏单元,前偏单元设置于物镜与分光镜之间,用以偏振第二待测光线。检偏单元设置于分光镜与摄影模块之间,用以过滤第三待测光线的噪声。
于一些实施例中,焦点调整模块可以包含基板、多个微支撑柱与可挠反射膜,所述多个微支撑柱连接于基板与可挠反射膜之间,测试指令用以调整所述多个微支撑柱的长度,以改变可挠反射膜聚焦第三待测光线的位置。此外,焦点调整模块可以包含微反射镜数组,微反射镜数组包含多个微反射镜,每一个微反射镜受控于测试指令以调整偏转角度,以改变微反射镜数组聚焦第三待测光线的位置。
综上所述,本申请提供的光电组件特性测量装置通过调整焦点调整模块聚焦待测光线的位置,便能够检测雷射二极管相关光束特性的多个近场参数,从而不需要移动光学***中的物镜或成像镜等光学组件,可以保持光学***的稳定。
有关本申请的其它功效及实施例的详细内容,配合图式说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是依据本申请一实施例的光电组件特性测量装置的架构示意图;
图2是依据本申请一实施例的焦点调整模块的架构示意图;
图3是依据本申请另一实施例的光电组件特性测量装置的架构示意图;
图4是依据本申请另一实施例的焦点调整模块的架构示意图;
图5是依据本申请再一实施例的光电组件特性测量装置的架构示意图;
图6是依据本申请又一实施例的光电组件特性测量装置的架构示意图。
符号说明
1:光电组件特性测量装置
10:物镜 12:焦点调整模块 120:可挠反射膜
120a:表面 122:基板 122a:表面
124:微支撑柱 126:间隔件 128:电极
14:摄影模块 16:分光镜 20:物镜
2:光电组件特性测量装置
22:焦点调整模块 220:基板 222a~222b:电极
224:透明盖板 226:液晶单元 24:摄影模块
26:分光镜 280:前偏单元 282:检偏单元
3:光电组件特性测量装置
30:物镜 32:焦点调整模块 34:摄影模块
36:分光镜 38:成像镜 40:物镜
4:光电组件特性测量装置
42:焦点调整模块 44:摄影模块 46:分光镜
48:成像镜 480:前偏单元 482:检偏单元
DUT:雷射二极管 D1~D3:距离 L1~L2:透镜
H0~H1:长度 P1:焦平面
具体实施方式
在下文的实施方式中所述的位置关系,包括:上,下,左和右,若无特别指明,皆是以图式中组件绘示的方向为基准。
请参阅图1,图1是依据本申请一实施例的光电组件特性测量装置的架构示意图。如图1所示,本实施例的光电组件特性测量装置1用于测量光电组件所发出光束的相关参数,而所述光电组件可以指的是一种雷射二极管DUT。本实施例不加以限制雷射二极管DUT的种类,例如所述光电组件也可以是气体雷射组件或化学雷射组件。在此,光电组件特性测量装置1可以用于测量雷射二极管DUT的光束特性,特别是用来测量雷射二极管DUT发出雷射光线的近场(near field)参数。例如,光电组件特性测量装置1可以用来测量雷射光线的光束腰(beam waist,W0)和、发散角(divergence angle,θ)及数值孔径(numericalaperture,NA)等近场参数。一般来说,测量雷射二极管DUT的近场参数时,光学***可能包含了可移动的物镜或成像镜,而所述物镜或成像镜会在一定范围内移动式扫描。不过,本实施例在此提出了一种不需要成像镜,且不用移动物镜的光学架构。图1所绘示的光电组件特性测量装置1具有物镜10、焦点调整模块12、摄影模块14以及分光镜16。在此,光电组件特性测量装置1包含了第一光路径和第二光路径,其中物镜10、焦点调整模块12以及分光镜16设置于第一光路径上,而摄影模块14以及分光镜16设置于第二光路径上,分光镜16恰好在第一光路径和第二光路径的交会处。以下将依序说明第一光路径以及第二光路径上的各个组件。
物镜10会对准雷射二极管DUT的发光侧,并用以接收雷射二极管DUT发出的雷射光线(第一待测光线)。图1中雷射二极管DUT到物镜10之间的点炼线,是用以示意第一待测光线沿着第一光路径进入光电组件特性测量装置1,并不用以限制实际上物镜10与雷射二极管DUT的尺寸,也不用以限制雷射二极管DUT发出第一待测光线的角度。有别于已经组装完成的雷射发射器,这里指的雷射二极管DUT还没有组装上适当的透镜,因此雷射二极管DUT所发出的雷射光线(第一待测光线)并不是平行光。于所属技术领域具有通常知识者可知,如果将光源摆放在凸透镜一侧焦平面上,通过凸透镜的光学特性,光源发出的光线可以被转换成平行光而从凸透镜的另一侧射出。于一个例子中,物镜10可以是凸透镜,且物镜10与雷射二极管DUT的距离可以是固定的。例如,雷射二极管DUT可以摆放在物镜10的入光侧焦平面上,从而可以将非平行的雷射光线(第一待测光线)转换成平行的雷射光线(第二待测光线)。换句话说,雷射二极管DUT与物镜10不会相对移动,且物镜10可以将第一待测光线转换成具有平行光束特性的第二待测光线。
如图1所绘示的例子,从物镜10方向来的第二待测光线会沿着第一光路径进入分光镜16,且入射分光镜16的第二待测光线可以穿透至焦点调整模块12。如图1中绘示的,由物镜10到分光镜16,再由分光镜16到焦点调整模块12之间的点炼线,是用以示意第二待测光线沿着第一光路径的行径路线。实务上,为了使光学***的体积缩小,或者为了让光学组件更容易被架设与调整,于所属技术领域具有通常知识者可以理解分光镜16的用途,本实施例在此不予赘述。在此,焦点调整模块12内部具有可以反射光线的组件(未绘示于图1)用以反射第二待测光线,本实施例将经焦点调整模块12反射后的光线称为第三待测光线。于一个例子中,进入焦点调整模块12之前的第二待测光线是平行光,离开焦点调整模块12的第三待测光线则会变成非平行光并且可以聚焦于特定位置。
承接上述,由于第三待测光线已经是非平行的雷射光线,会随着光线的前进而慢慢聚焦。以图1的例子来说,第二待测光线是垂直入射焦点调整模块12,从而离开焦点调整模块12的第三待测光线(反射后的第二待测光线)应该沿着原光轴回到分光镜16。接着,分光镜16接收到焦点调整模块12反射回来的第三待测光线后,会再将反射回来的第三待测光线导引向摄影模块16。换句话说,本实施例是利用焦点调整模块12聚焦光线,不需要另外加入成像镜,例如本实施例的光电组件特性测量装置1没有镜筒透镜(tube lens)。另外,因为雷射光线被物镜10转换成平行光(第二待测光线),理论上可以被传送到直线上的任意距离,也等于延长了第一光路径的长度。
于一个例子中,本实施例不限制物镜10到分光镜16之间的距离D1,例如有机会可以加长距离D1,从而在物镜10到分光镜16之间摆放更多种光学组件。然而,于所属技术领域具有通常知识者可知,平行光(第二待测光线)由于没有聚焦(没有焦点)的原因,从而没有办法有效成像。因此,焦点调整模块12内部需要有光学结构能够聚焦入射光,使得平行的雷射光线(第二待测光线)经过焦点调整模块12后,可以再被转换成非平行的雷射光线(第三待测光线),并让第三待测光线可以被成像,以利测量光束特性。实务上,焦点调整模块12可以将第三待测光线聚焦于多个焦点位置(可变焦点),为了说明焦点调整模块12内部的结构,以及说明焦点调整模块12如何改变第三待测光线聚焦的位置,请一并参阅图1与图2。
图2是依据本申请一实施例的焦点调整模块的架构示意图。如图所示,焦点调整模块12可以包含可挠反射膜120、基板122、多个微支撑柱124、多个间隔件126以及多个电极128。可挠反射膜120一侧的表面120a可以朝向分光镜16并且能够反射第二待测光线,可挠反射膜120的另一侧的多个位置可以分别连接一个微支撑柱124。在此,微支撑柱124的两端可以分别连接于基板122和可挠反射膜120之间,且微支撑柱124应该略具有弹性,本实施例不限制可挠反射膜120的材料。为了强化基板122的结构强度,基板122内部也可以设置有多个间隔件126,以避免微支撑柱124施加的应力损坏基板122。此外,基板122的表面122a上可以形成有微结构,微支撑柱124可以设置于微结构上。假设多个微支撑柱124在预设状态下等长,则被多个微支撑柱124支撑着的可挠反射膜120,于表面120a的形状会接近表面122a的形状。当然,如果多个微支撑柱124在预设状态下不等长,则表面120a的形状除了关联于表面122a的形状之外,还会关联于不同对应位置的微支撑柱124的预设长度。
于一个例子中,微支撑柱124可以受控于对应电极128的施加电压而形变,例如微支撑柱124可以缩紧或延长以调整长度。实务上,电极128的施加电压关联于焦点调整模块12收到的测试指令,例如测试指令可以设定或控制多个电极128要施加的电压,并由电压的大小决定微支撑柱124的长度。在此,不同位置的微支撑柱124的长度变化量有可能相同或不同,本实施例不加以限制。此外,由于微支撑柱124的一端连接着可挠反射膜120,当特定位置的微支撑柱124的长度改变,也会连带地使对应位置的可挠反射膜120被放松或拉紧。据此,可挠反射膜120每个位置会有不同的高低,使表面120a形成一个特定的曲面,而这个曲面可以对应一个特定的焦点。换句话说,本实施例便可以通过改变每个位置的微支撑柱124的长度,决定可挠反射膜120的弯曲程度,以改变第三待测光线的聚焦位置。
以实际的例子来说,假设可挠反射膜120中央的微支撑柱124长度是H0,可挠反射膜120边缘的微支撑柱124长度是H1。首先假设焦点调整模块12收到第一个测试指令,第一个测试指令可以指示对应电极128控制长度H0是10个距离单位,以及长度H1是12个距离单位,使得H0和H1的差距是2个距离单位。又假设焦点调整模块12收到下一个测试指令,而此测试指令可以指示长度H0是10个距离单位,以及长度H1是13个距离单位,便能使H0和H1的差距改变为3个距离单位。由上述可知,第一个测试指令可以让可挠反射膜120中央和边缘的微支撑柱124相差较小,此时表面120a较为弯曲程度较低(较平缓)。反之,第二个测试指令可以让可挠反射膜120中央和边缘的微支撑柱124相差较大,此时表面120a较为弯曲程度较高(较弯曲)。可知在两个测试指令下,可挠反射膜120的弯曲程度不同,第三待测光线的聚焦位置也会不同。
在焦点调整模块12一连串地改动表面120a较为弯曲程度时,会对应产生多个不同聚焦位置的第三待测光线,这些第三待测光线沿着原光轴的相反方向回到分光镜16后,都会被分光镜16反射到摄影模块14。摄影模块14和分光镜16设置于第二光路径上,且摄影模块14和分光镜16不会相对运动。于一个例子中,摄影模块14是通过多个不同聚焦位置的第三待测光线,来测量第三待测光线的光束特性。如图1中绘示的,分光镜16到摄影模块14之间的点炼线,是用以示意经过焦点调整模块12反射的第三待测光线,沿着第二光路径从分光镜16射出并进入摄影模块14。值得一提的是,本实施例不一定需要分光镜16,例如只要第三待测光线不是垂直出射焦点调整模块12(非沿着原光轴),那么从焦点调整模块12反射出的第三待测光线就有可能可以直接进入摄影模块14。换句话说,在没有分光镜16的情况下,只要计算第二待测光线的入射角与第三待测光线的出射角,并把摄影模块14摆放在正确位置,应可以很轻易地接收第三待测光线。本实施例是为了让说明书简单易懂,后续仍以图1中绘示的有分光镜16的光电组件特性测量装置1进行说明。
于一个例子中,假设分光镜16到摄影模块14之间的距离D3,而距离D2加上距离D3可以是焦点调整模块12默认的聚焦位置(例如第一位置)。实务上,摄影模块14会有可以取像的焦段(例如第二光路径上的一定距离范围),而焦点调整模块12调整表面120a的弯曲程度后,第三待测光线可以聚焦在新的位置(第二位置),第二位置应当还在摄影模块14可以取像的焦段内。换句话说,第三待测光线由于聚焦于摄影模块14可以取像的焦段内,故应能够成像于摄影模块14的镜头中,使得摄影模块14可以测量第三待测光线的光束特性,例如光束腰、发散角及数值孔径等近场参数。
当然,本申请的焦点调整模块不限制是可挠反射膜,例如还有可能是反射式空间光调制器。请一并参阅图3与图4,图3是依据本申请另一实施例的光电组件特性测量装置的架构示意图,图4是依据本申请另一实施例的焦点调整模块的架构示意图。如图所示,与前一实施例相同的是,图3所绘示的光电组件特性测量装置2同样具有物镜20、焦点调整模块22、摄影模块24以及分光镜26。并且,物镜20、焦点调整模块22以及分光镜26同样设置于第一光路径上,而摄影模块24以及分光镜26同样设置于第二光路径上。与前一实施例不相同的是,焦点调整模块22可以是一种反射式空间光调制器,而因为反射式空间光调制器是操作于偏振光,据此光电组件特性测量装置2还会包含有前偏单元280和检偏单元282。实务上,前偏单元280可以是一种光学偏振片(polarizer),设置于物镜20以及分光镜26之间,而检偏单元282可以是一种光学检偏片(analyzer),设置于分光镜26以及摄影模块24之间。
于一个例子中,物镜20同样会接收雷射二极管DUT发出的雷射光线(第一待测光线),并转换成平行的雷射光线(第二待测光线)。第二待测光线会穿过前偏单元280而具有偏振光的特性,并接着穿透分光镜26至焦点调整模块22。焦点调整模块22可以包含基板220、电极222a、电极222b以及透明盖板224,且电极222a和电极222b之间会填充液晶层,液晶层中会有多组液晶单元226。在此,每一组液晶单元226内可以包含了许多的液晶粒子,且不同的液晶单元226可依据所在位置而被定义在不同的像素中。并且,电极222a和电极222b可以精密控制每个像素对应的电压,本实施例不赘述电极如何施加电压控制像素中的液晶粒子。于所属技术领域具有通常知识者可知,液晶单元226中的液晶粒子会受控于电极222a和电极222b之间的电压差而改变旋转的角度。与前一个实施例类似的,第二待测光线会从透明盖板224进入焦点调整模块22,而多个测试指令可以设定或控制电极222a和电极222b要施加的多个电压,并由电压的大小决定液晶单元226折射第二待测光线的角度(或称液晶单元的偏转角度),以改变第二待测光线在焦点调整模块22内的行进方向。
基板220或电极222a朝向透明盖板224的一侧应可以反光,当第二待测光线穿过液晶层中的多个液晶单元226后,再由基板220或电极222a反射入射的第二待测光线。此时,被基板220或电极222a反射后的第二待测光线应当已非平行光,本实施例同样定义其为第三待测光线。与前述实施例相同,多个测试指令可以让多个第三待测光线有不同的聚焦位置,这些第三待测光线沿着原光轴的相反方向回到分光镜26后,都会被分光镜26反射向检偏单元282。在此,第三待测光线会穿过检偏单元282以过滤噪声并接着被摄影模块24接收。于一个例子中,分光镜26、检偏单元282和摄影模块24都设置于第二光路径上,且分光镜26、检偏单元282和摄影模块24不会相对运动。藉此,摄影模块24可以依据多个不同聚焦位置的第三待测光线,来测量第三待测光线的光束特性。
当然,于其他的例子中,焦点调整模块还可以包含微反射镜数组(图未示)。类似于图1的例子,本实施例和图1的差异在于焦点调整模块不必须包含可挠反射膜,而是把可挠反射膜替换成微反射镜数组。所述微反射镜数组可以由多个独立控制的微反射镜组成。在此,每一个微反射镜都可以受控于测试指令以调整偏转角度,从而以改变微反射镜数组聚焦第三待测光线的位置。于所属技术领域具有通常知识者可以理解,可挠反射膜会具有连续式的反射面,微反射镜数组可以是非连续式的反射面。然而,当每一个微反射镜极小时,只要多个微反射镜紧密排列,应当同样也可以实现前述实施例可挠反射膜的效果。据此,本实施例不再赘述微反射镜数组如何改变第三待测光线的聚焦位置。
此外,本申请还提出另外一种光电组件特性测量装置,请一并参阅图1与图5,图5是依据本申请再一实施例的光电组件特性测量装置的架构示意图。和图1绘示的实施例相同的是,图5所绘示的光电组件特性测量装置3同样具有物镜30、焦点调整模块32、摄影模块34以及分光镜36。其中,焦点调整模块32可以类似如图2的架构,本实施例在此不予赘述。与图1不相同的是,光电组件特性测量装置3还可以具备成像镜38、透镜L1以及透镜L2。在此,成像镜38和透镜L1设置于物镜30和分光镜36之间,并位于第一光路径中。于一个例子中,成像镜38可以是一种镜筒透镜(tube lens),从而由物镜30和成像镜38组成一个显微***,并具有固定的放大倍率。
以实际的例子来说,从物镜30方向来的第二待测光线会沿着第一光路径先进入成像镜38,成像镜38可以将第二待测光线聚焦在焦平面P1,而焦平面P1可以正好在透镜L1的焦点。于所属技术领域具有通常知识者可以理解,第二待测光线从焦平面P1的位置进入透镜L1后,透镜L1会将第二待测光线转成为平行光。接着,从透镜L1出射的第二待测光线,会入射分光镜36并穿透至焦点调整模块32。与前述的实施例相同,焦点调整模块32可以反射第二待测光线,经焦点调整模块32反射后的光线称为第三待测光线。于一个例子中,进入焦点调整模块32之前的第二待测光线是平行光,离开焦点调整模块32的第三待测光线则会变成非平行光并且可以聚焦于特定位置。
承接上述,由于第三待测光线已经是非平行的雷射光线,会随着光线的前进而慢慢聚焦。有别于图1,本实施例除了利用焦点调整模块32聚焦光线之外,更可以利用透镜L2再次聚焦第三待测光线,让分光镜36到摄影模块34之间的光程可以比图1中分光镜16到摄影模块14的光程更短。举例来说,透镜L2可以是一种凸透镜,而透镜L2的焦平面可以大致上就是摄影模块34的镜头位置,从而第三待测光线可以经过透镜L2聚焦于摄影模块34可以取像的焦段内。如前所述,由于第三待测光线成像于摄影模块34的镜头中,使得摄影模块34可以测量第三待测光线的光束特性,例如光束腰、发散角及数值孔径等近场参数。
于一个例子中,焦点调整模块32放置在透镜L1和透镜L2之间,用意是为了于光学上等同贴齐于物镜30的孔径(pupil),使得焦点调整模块32于变焦时无放大倍率变化。也就是说,焦点调整模块32可以视为放置在第一光路径中的中继孔径平面(relay pupilplane)上,中继孔径平面于光学上可以视为物镜30的孔径所在的平面(pupil plane)。由于图5绘示的例子中,摄影模块34接收到的第三待测光线消除了放大倍率的变化因素,故可减少演算或调校流程中需对不同聚焦位置进行放大倍率校正的时间,更有效提升***效能。
另外,本申请基于图3另提出一种光电组件特性测量装置,请一并参阅图3、图5与图6,图6是依据本申请又一实施例的光电组件特性测量装置的架构示意图。和图3绘示的实施例相同的是,图6所绘示的光电组件特性测量装置4同样具有物镜40、焦点调整模块42、摄影模块44以及分光镜46。并且,物镜40、焦点调整模块42以及分光镜46同样设置于第一光路径上,而摄影模块44以及分光镜46同样设置于第二光路径上。此外,焦点调整模块42同样可以是一种反射式空间光调制器,从而光电组件特性测量装置4也会包含有前偏单元480和检偏单元482。特别是,和图5所绘示的光电组件特性测量装置3相类似地,光电组件特性测量装置4也具备成像镜48、透镜L1以及透镜L2。在此,成像镜48、透镜L1以及透镜L2的原理和前一实施例相同,本实施例在此便不予赘述。于所属技术领域具有通常知识者可以理解,图6的摄影模块44接收到的第三待测光线同样也会消除了放大倍率的变化因素,故也同样可减少演算或调校流程中需对不同聚焦位置进行放大倍率校正的时间,更有效提升***效能。
综上所述,本申请提供的光电组件特性测量装置通过调整焦点调整模块聚焦待测光线的位置,便能够检测雷射二极管相关光束特性的多个近场参数,从而不需要移动光学***中的物镜或成像镜等光学组件,可以保持光学***的稳定。
以上所述的实施例及/或实施方式,仅是用以说明实现本申请技术的较佳实施例及/或实施方式,并非对本申请技术的实施方式作任何形式上的限制,任何本领域技术人员,在不脱离本申请内容所公开的技术手段的范围,当可作些许的更动或修饰为其它等效的实施例,但仍应视为与本申请实质相同的技术或实施例。
Claims (7)
1.一种光电组件特性测量装置,其特征在于,包含:
一物镜,设置于一第一光路径上,用以接收一第一待测光线,并将该第一待测光线转换成一第二待测光线;
一焦点调整模块,设置于该第一光路径上,用以接收该第二待测光线以反射出一第三待测光线,并且受控于一测试指令调整该第三待测光线聚焦在一第二光路径上的一第一位置或一第二位置;以及
一摄影模块,设置于该第二光路径上,用以测量该第三待测光线的一光束特性。
2.根据权利要求1所述的光电组件特性测量装置,其特征在于,更包含:
一分光镜,设置于该物镜与该焦点调整模块之间,用以将该第三待测光线投射向该摄影模块。
3.根据权利要求2所述的光电组件特性测量装置,其特征在于,该焦点调整模块包含一反射式空间光调制器,该反射式空间光调制器包含多个像素,每一该像素对应一液晶单元,该测试指令用以调整该液晶单元的偏转角度。
4.根据权利要求3所述的光电组件特性测量装置,其特征在于,更包含:
一前偏单元,设置于该物镜与该分光镜之间,用以偏振该第二待测光线;以及
一检偏单元,设置于该分光镜与该摄影模块之间,用以过滤该第三待测光线的噪声。
5.根据权利要求2所述的光电组件特性测量装置,其特征在于,该焦点调整模块包含一基板、多个微支撑柱与一可挠反射膜,该些微支撑柱连接于该基板与该可挠反射膜之间,该测试指令用以调整该些微支撑柱的长度,以改变该可挠反射膜聚焦该第三待测光线的位置。
6.根据权利要求2所述的光电组件特性测量装置,其特征在于,该焦点调整模块包含一微反射镜数组,该微反射镜数组包含多个微反射镜,每一该微反射镜受控于该测试指令以调整偏转角度,以改变该微反射镜数组聚焦该第三待测光线的位置。
7.根据权利要求1所述的光电组件特性测量装置,其特征在于,该第一待测光线由一雷射二极管提供。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011635851.5A CN114689279A (zh) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 光电组件特性测量装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011635851.5A CN114689279A (zh) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 光电组件特性测量装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114689279A true CN114689279A (zh) | 2022-07-01 |
Family
ID=82134381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011635851.5A Pending CN114689279A (zh) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 光电组件特性测量装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114689279A (zh) |
-
2020
- 2020-12-31 CN CN202011635851.5A patent/CN114689279A/zh active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102362657B1 (ko) | 웨이퍼 검사 | |
US8142179B2 (en) | Stereolithography apparatus | |
JP5630628B2 (ja) | 面位置検出装置、面位置検出方法、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
US9068952B2 (en) | Method and apparatus for producing and measuring dynamically focussed, steered, and shaped oblique laser illumination for spinning wafer inspection system | |
KR102144989B1 (ko) | 저 잡음, 높은 안정성, 심 자외선, 연속파 레이저 | |
JP5577625B2 (ja) | 面位置検出装置、露光装置、面位置検出方法およびデバイス製造方法 | |
WO2012021311A2 (en) | Dynamic wavefront control of a frequency converted laser system | |
KR20050109925A (ko) | 웨이퍼 결함 검출 시스템 | |
JP2021076853A (ja) | 光学系及び光学系を用いてマスク欠陥を補正する方法 | |
US20090021656A1 (en) | Exposure method and apparatus | |
US12000752B2 (en) | Deflectometry measurement system | |
US20200225588A1 (en) | Apparatus and method for detecting optimal focal plane of lithographic projection objective lens | |
US20090251676A1 (en) | Exposure apparatus and exposure method | |
US10394142B2 (en) | Scan reflective mirror monitoring system and method, focusing and leveling system | |
CN101140427A (zh) | 用于测量绘图位置的方法和装置以及绘制图像的方法和装置 | |
CN113891776B (zh) | 用于确定激光束的焦点位置的设备和方法 | |
US9442006B2 (en) | Method and apparatus for measuring the shape of a wave-front of an optical radiation field | |
TWI777345B (zh) | 光電元件特性測量裝置 | |
CN114689279A (zh) | 光电组件特性测量装置 | |
CN114509923A (zh) | 一种深紫外物镜设计中的调焦调平装置及其应用 | |
CN111176075B (zh) | 偏振像差检测装置、物镜测试台及光刻设备 | |
US20080123072A1 (en) | Projection Head Focus Position Measurement Method And Exposure Method | |
JP2011023603A (ja) | 露光装置 | |
WO2009093594A1 (ja) | 面位置検出装置、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2008076590A (ja) | 描画位置測定方法および装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |