CN114683108A - 加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供加工方法，能够高效地对加工残留量不同的两个以上的被加工物进行加工。该加工方法包含如下的工序：阶梯差形成工序，在对两个以上的被加工物进行支承的基质的上表面形成与加工残留量对应的阶梯差；被加工物配设工序，在形成有该阶梯差的基质的上表面，在形成阶梯差的各平面上配设被加工物；基质保持工序，将基质的形成有阶梯差的阶梯差方向朝向X方向而将基质保持于该保持单元的保持面；定位工序，通过该Y方向进给单元将该圆盘磨具定位于期望的Y位置，并且通过该Z方向进给单元将该圆盘磨具定位于期望的Z位置；以及加工工序，通过该X方向进给单元使该圆盘磨具作用于两个以上的被加工物而实施加工。

Description

加工方法
技术领域
本发明涉及对加工残留量不同的两个以上的被加工物进行加工的加工方法。
背景技术
晶片由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等器件，该晶片在通过磨削装置对背面进行磨削而形成为期望的厚度之后，通过切割装置分割成各个器件芯片，并被用于移动电话、个人计算机等电子设备。
另外，近年来，进行将形成得比较厚的器件芯片高精度地磨削至期望的薄度的加工(例如参照专利文献1)，为了发现器件芯片的适当的厚度，例如将器件芯片加工成20μm、50μm、100μm的厚度，并对各厚度的器件芯片的性能例如跌落强度、耐热性、放热性等进行验证。
专利文献1：日本特开2001-351890号公报
但是，为了形成上述那样不同的厚度的器件芯片，在使用圆盘磨具对各器件芯片的正面进行切削而薄化的情况下，需要按照设定了不同的目标厚度的每个器件芯片改变圆盘磨具的加工残留量(＝目标厚度)而实施加工，存在生产率差的问题。另外，在将晶片的分割预定线半切割而验证适当的切入深度的情况下，也需要按照设定了不同的切入深度的每个试验晶片改变由圆盘磨具形成的切削刀具的加工残留量而实施加工，存在与上述同样的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供能够高效率地对加工残留量不同的两个以上的被加工物进行加工的加工方法。
为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供加工方法，使用加工装置对加工残留量在Z方向上不同的两个以上的被加工物进行加工，该加工装置具有：保持单元，其具有由X方向和与该X方向垂直的Y方向规定的对被加工物进行保持的保持面；加工单元，其在沿Y方向延伸的旋转轴上安装有对该保持单元所保持的被加工物实施加工的圆盘磨具；X方向进给单元，其将该保持单元和该加工单元在X方向上相对地进行加工进给；Y方向进给单元，其将该保持单元和该加工单元在Y方向上相对地进行分度进给；以及Z方向进给单元，其将该保持单元和该加工单元在与该保持面垂直的Z方向上相对地进行切入进给，其中，该加工方法包含如下的工序：阶梯差形成工序，在对两个以上的被加工物进行支承的基质的上表面形成与加工残留量对应的阶梯差；被加工物配设工序，在形成有该阶梯差的基质的上表面，在形成阶梯差的各平面上配设被加工物；基质保持工序，将基质的形成有阶梯差的阶梯差方向朝向X方向而将基质保持于该保持单元的保持面；定位工序，通过该Y方向进给单元将该圆盘磨具定位于期望的Y位置，并且通过该Z方向进给单元将该圆盘磨具定位于期望的Z位置；以及加工工序，通过该X方向进给单元使该圆盘磨具作用于两个以上的被加工物而实施加工。
本发明的加工方法使用加工装置对加工残留量在Z方向上不同的两个以上的被加工物进行加工，该加工装置具有：保持单元，其具有由X方向和与该X方向垂直的Y方向规定的对被加工物进行保持的保持面；加工单元，其在沿Y方向延伸的旋转轴上安装有对该保持单元所保持的被加工物实施加工的圆盘磨具；X方向进给单元，其将该保持单元和该加工单元在X方向上相对地进行加工进给；Y方向进给单元，其将该保持单元和该加工单元在Y方向上相对地进行分度进给；以及Z方向进给单元，其将该保持单元和该加工单元在与该保持面垂直的Z方向上相对地进行切入进给，其中，该加工方法包含如下的工序：阶梯差形成工序，在对两个以上的被加工物进行支承的基质的上表面形成与加工残留量对应的阶梯差；被加工物配设工序，在形成有该阶梯差的基质的上表面，在形成阶梯差的各平面上配设被加工物；基质保持工序，将基质的形成有阶梯差的阶梯差方向朝向X方向而将基质保持于该保持单元的保持面；定位工序，通过该Y方向进给单元将该圆盘磨具定位于期望的Y位置，并且通过该Z方向进给单元将该圆盘磨具定位于期望的Z位置；以及加工工序，通过该X方向进给单元使该圆盘磨具作用于两个以上的被加工物而实施加工，因此无需按照多个被加工物中的每个被加工物变更切入深度，能够提高生产率。另外，在制作用于对晶片的分割预定线进行半切割而验证适当的切入残留量的试验片时的生产率也提高。
附图说明
图1是适合本发明的加工方法的切割装置的整体立体图。
图2的(a)是将图1所述的切割装置中配设的主轴单元的一部分分解而示出的立体图，图2的(b)是将图2的(a)所示的主轴单元组装的状态的立体图。
图3是示出阶梯差形成工序的实施方式的立体图。
图4的(a)是示出被加工物配设工序的实施方式的立体图，图4的(b)是图4的(a)所示的基质的侧视图。
图5是示出基质保持工序的实施方式的立体图。
图6是示出定位工序的实施方式的立体图。
图7的(a)是示出加工工序的实施方式的侧视图，图7的(b)是通过加工工序形成的多个硅芯片的立体图。
图8是示出第2实施方式的定位工序的实施方式的立体图。
图9的(a)是示出第2实施方式的加工工序的实施方式的侧视图，图9的(b)是通过第2实施方式的加工工序形成的多个硅芯片的立体图。
标号说明
1：切割装置；2：基台；3：X方向进给单元；31：脉冲电动机；32：外螺纹杆；4：卡盘工作台机构；41：X方向移动基台；42：圆筒部件；43：罩部件；44：卡盘工作台；45：吸附卡盘；45a：保持面；5：支承框架；5a：前表面；50：开口；51：导轨；6：切削单元；61：Y方向移动基台；612：导轨；62：Z方向移动基台；63：主轴单元；631：单元壳体；632：旋转轴；632a：外螺纹部；632b：凸缘；633：圆盘磨具；634：磨具罩；635：伺服电动机；636：螺母；637：圆盘磨具；64：Y方向进给单元；64a：外螺纹杆；64b：脉冲电动机；65：Z方向进给单元；651：外螺纹杆；652：脉冲电动机；66：主轴单元支承部件；661：安装部；662：支承部；10A、10B、10C：硅芯片；12A、12B、12C：切削槽；20、22：基质；20A、22A：第1区域；20B、22B：第2区域；20C、22C：第3区域。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的加工方法的第1实施方式进行详细说明。
在图1中使用适合实施本实施方式的加工方法的切割装置1。图1所示的切割装置1具有基台2，在该基台2上配设有对被加工物进行保持的卡盘工作台机构4、门型的支承框架5以及作为对被加工物进行加工的加工单元发挥功能的切削单元6。
图示的卡盘工作台机构4具有配设于基台2的上表面且沿着箭头X所示的X方向相互平行地延伸设置的一对导轨2A、2A。在该一对导轨2A、2A上配设有X方向移动基台41。形成于X方向移动基台41的一对被引导槽411、411与一对导轨2A、2A卡合，由此按照X方向移动基台41能够在X方向上移动的方式构成。
在X方向移动基台41上配设有圆筒部件42，在该圆筒部件42的上端配设有作为对被加工物进行保持的保持单元发挥功能的卡盘工作台44。卡盘工作台44具有吸附卡盘45，该吸附卡盘45构成由X方向和与该X方向垂直的Y方向规定的对被加工物进行保持的保持面45a，由具有通气性的部件形成。在吸附卡盘45上连接有形成于上述的圆筒部件42的内部的省略图示的连通路和吸引单元。在圆筒部件42的上端部配设有罩部件43，该罩部件43具有供卡盘工作台44贯穿***的孔，罩部件43覆盖X方向移动基台41。卡盘工作台44通过省略图示的旋转驱动单元例如脉冲电动机进行旋转驱动。通过使该吸引单元进行动作，能够对卡盘工作台44的保持面45a提供吸引负压而对保持被加工物的基质20进行吸引保持。
卡盘工作台机构4具有用于将卡盘工作台41沿着一对导轨2A、2A在X方向上进行加工进给的X方向进给单元3。X方向进给单元3包含：外螺纹杆32，其平行地配设于一对导轨2A、2A之间，一端被轴承部2B支承为能够旋转；以及脉冲电动机31，其与外螺纹杆32的另一端连结，将该外螺纹杆32正转驱动或反转驱动。这样构成的X方向进给单元3使外螺纹杆32与形成于上述X方向移动基台41的下表面侧的省略图示的内螺纹部螺合。因此，X方向进给单元3通过使脉冲电动机31驱动而将外螺纹杆32正转驱动或反转驱动，能够使配设于上述X方向移动基台41上的卡盘工作台44沿着一对导轨2A、2A在X方向上移动。
图示的实施方式的切削装置1具有跨越上述的一对导轨2A、2A而沿着与X方向垂直的Y方向配设的门型的支承框架5。该支承框架5具有开口50，开口50允许以能够沿着一对导轨2A、2A移动的方式配设的卡盘工作台44的移动。在支承框架5的前表面5a的上方，与一对导轨51、51一起配设有切削单元6。切削单元6具有Y方向移动基台61、Z轴方向移动基台62以及主轴单元63。Y方向移动基台61在背面侧设置有与上述的一对导轨51、51卡合的省略图示的被引导槽，构成为通过使该被引导槽与一对导轨51、51卡合而能够沿着一对导轨51、51在Y方向上移动。另外，在Y方向移动基台61的前表面61a上沿着与上述的卡盘工作台44的保持面45a垂直的方向(箭头Z所示的方向)设置有一对导轨612、612。这样构成的Y方向移动基台61通过Y方向进给单元64沿着一对导轨51、51在Y方向上移动。Y方向进给单元64包含：外螺纹杆641，其平行地配设于一对导轨51、51之间，一端被轴承部52支承为能够旋转；以及脉冲电动机642，其与该外螺纹杆641的另一端连结，将该外螺纹杆641正转驱动或反转驱动。这样构成的Y方向进给单元64使外螺纹杆641与设置于Y方向移动基台61的后表面的省略图示的内螺纹部螺合。因此，Y方向进给单元64通过使脉冲电动机642驱动而将外螺纹杆641正转驱动或反转驱动，能够使Y方向移动基台61沿着一对导轨51、51在Y方向上移动。
上述Z方向移动基台62在后表面侧设置有与设置于上述Y方向移动基台61的前表面61a的一对导轨612、612卡合的被引导槽621、621，构成为通过使该被引导槽621、621与一对导轨612、612卡合而能够沿着该导轨612、612在作为切入进给方向的Z方向上移动。这样构成的Z方向移动基台62通过图示的Z方向进给单元65沿着一对导轨612、612在Z方向上移动。Z方向进给单元65包含：外螺纹杆651，其平行地配设于一对导轨612、612之间，一端被省略图示的轴承部支承为旋转自如；以及脉冲电动机652，其与外螺纹杆651的另一端连结，将该外螺纹杆651正转驱动或反转驱动。这样构成的Z方向进给单元65使外螺纹杆651与形成于Z方向移动基台62的后表面的省略图示的内螺纹部螺合。因此，Z方向进给单元65通过使脉冲电动机652驱动而将外螺纹杆651正转驱动或反转驱动，能够使Z方向移动基台62沿着一对导轨612、612在Z方向上移动。
在上述的Z方向移动基台62的前表面62a上安装有用于支承主轴单元63的主轴单元支承部件66。该主轴单元支承部件66形成为剖面L字状，包含安装在Z方向移动基台62的前表面62a上的安装部661以及从该安装部661的下端呈直角水平地延伸的支承部662，在该支承部662的下表面上安装有主轴单元63的单元壳体631。
在单元壳体631中，沿Y方向延伸的旋转轴632被支承为旋转自如。另外，在旋转轴632的一端侧的前端部安装有对被加工物实施加工的圆盘磨具633。圆盘磨具633的厚度形成为约2mm，外周端面平坦地形成(也一并参照图2)。在单元壳体631的前端部配设有覆盖该圆盘磨具633的磨具罩634。在单元壳体631的另一端部配设有使旋转轴632旋转驱动的伺服电动机635。如图2的(a)所示(为了便于说明，省略了磨具罩634)，在旋转自如地支承于主轴单元63的旋转轴632的前端形成有外螺纹部632a和凸缘632b，将旋转轴632的前端部***至圆盘磨具633的开口633a并将螺母636的内螺纹636a紧固于旋转轴632的外螺纹部632a上，由此如图2的(b)所示，圆盘磨具633被凸缘632b和螺母636夹持而固定于旋转轴632的前端部。
返回图1继续进行说明，在切割装置1中配设有省略图示的控制单元。在该控制单元上连接有上述的X方向进给单元3、Y方向进给单元64和Z方向进给单元65，根据从该控制单元指示的指示信号来控制X方向进给单元3、Y方向进给单元64和Z方向进给单元65的动作。在切割装置1中，除了上述结构以外，还配设有用于检测切削加工位置的拍摄单元等，但在图1中省略。
通过使上述的X方向进给单元3进行动作，能够将作为保持单元配设的卡盘工作台44和切削单元6在X方向上相对地进行加工进给，通过使Y方向进给单元64进行动作，能够将卡盘工作台44和切削单元6在Y方向上相对地进行分度进给，通过使Z方向进给单元65进行动作，能够将卡盘工作台44和切削单元6在与保持面45a垂直的Z方向上相对地进行切入进给。由此，能够将切削单元6的圆盘磨具633相对于卡盘工作台44所保持的被加工物的位置定位于期望的位置。
本实施方式的切割装置1具有大致如上所述的结构，下面说明通过切割装置1实施的对加工残留量在Z方向上不同的两个以上的被加工物进行加工的加工方法。
在实施本实施方式的加工方法时，首先实施阶梯差形成工序：在对两个以上的被加工物进行支承的基质20的上表面形成与加工残留量对应的阶梯差。更具体而言，例如准备图3的上方所示的板状的基质20。本实施方式的基质20例如是厚度为500μm的圆形的板材，由硅(Si)形成。另外，图3所示的基质20由圆形的板材形成，但本发明不限于此，也可以是其他形状例如四边形的板材。若准备了上述的基质20，则将基质20搬送至省略图示的磨削装置，在上表面20a侧由平行的虚线A、B划分的三个区域即第1区域20A、第2区域20B和第3区域20C中，对中央的第2区域20B按照相对于未实施磨削加工的第1区域20A例如低30μm的方式进行磨削而形成平面，形成相对于第1区域20A薄30μm的第2区域20B。另外，对由虚线B区分的与第2区域20B相邻的第3区域20C按照比第2区域20B例如低50μm的方式进行磨削而形成平面，形成比第1区域20A薄80μm的第3区域20C。由此，由图3的下部所示的立体图可理解，在基质20的上表面20a形成两个阶梯差，从而形成厚度在箭头R1所示的阶梯差方向(与虚线A、虚线B垂直的方向)上以两个阶段变化的基质20。
关于本发明的阶梯差形成工序，基质20不限于由上述的硅形成，例如也可以由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成。另外，在上述的实施方式的阶梯差形成工序中，准备具有一定的厚度(500μm)的圆板状的基质20，对上表面20a上的第2区域20B和第3区域20C进行磨削而进行薄化，由此形成了上述阶梯差，但本发明不限于此，例如也可以准备由图3的下方所示的基质20的第3区域20C的厚度(420μm)形成的圆形的板材，并将形成第1区域20A、第2区域20B的板材重叠地粘贴在该圆形的板材上，由此形成具有上述阶梯差的第1区域20A、第2区域20B、第3区域20C，从而形成图3的下方所示的基质20。
若实施了上述的阶梯差形成工序，则如图4所示，实施被加工物配设工序：在形成有该阶梯差的基质20的上表面20a，在形成阶梯差的各平面(第1区域20A～第3区域20C)上配设被加工物。本实施方式的被加工物例如是图4的(a)中概略地示出的硅芯片10A、10B、10C。硅芯片10A、10B、10C是模仿器件芯片的同一形状的芯片，例如是俯视时一条边为5mm见方的四边形状而高度为300μm的长方体。另外，对于附图所示的基质20、22的尺寸、阶梯差和硅芯片10A～10C等的尺寸，为了便于说明，夸张地示出。
若准备了上述的硅芯片10A～10C，则在基质20的上表面20a，在第1区域20A的平面上载置硅芯片10A，在第2区域20B的平面上载置硅芯片10B，在第3区域20C的平面上载置硅芯片10C，并将它们分别利用蜡等进行粘贴而固定。另外，硅芯片10A～10C优选如图4的(a)所示那样沿着阶梯差方向R1直线排列而配设。由图4的(b)可理解，在基质20的上表面20a形成有上述阶梯差，因此配设于第2区域20B的硅芯片10B配设在比配设于第1区域20A的硅芯片10A低30μm的位置。另外，配设于第3区域20C的硅芯片10C配设在比配设于第1区域20A的硅芯片10A低80μm的位置(比硅芯片10B低50μm的位置)。
若实施了上述的被加工物配设工序，则将基质20搬送至图1所示的切割装置1中而实施以下说明的基质保持工序。此时，卡盘工作台44如图1所示那样定位于搬出搬入被加工物的搬出搬入位置。这里，基质20如图5所示那样在基质20上使阶梯差方向R1朝向X方向而载置于卡盘工作台44的保持面45a上。接着，使省略图示的吸引单元进行动作而对该保持面45a提供吸引负压，将基质20吸引保持于保持面45a。
接着，使上述的Y方向进给单元64和Z方向进给单元进行动作而实施以下说明的定位工序。在实施定位工序时，首先使Y方向进给单元64进行动作而如图6所示那样使切削单元6的主轴单元63的位置在Y方向上移动，将切削单元6的圆盘磨具633定位于Y方向上的期望的初期位置(例如定位于与硅芯片10A～10C的近前侧的边10a、10b、10c的Y坐标一致的Y位置)，并且使上述的Z方向进给单元65进行动作而使主轴单元63在Z方向上移动而下降，定位于Z方向上的期望的初期位置，更具体而言如图7的(a)中双点划线所示那样将圆盘磨具633的下端定位于与距离卡盘工作台44的保持面45a为H1的Z坐标一致的Z位置。该H1是520μm，是对作为切削了硅芯片10A的上表面后所残留的加工残留量而设定的20μm加上基质20的第1区域20A的厚度即500μm而得到的。另外，在实施该定位工序时，卡盘工作台44可以定位于从图1所示的搬出搬入位置至实施切削加工的加工位置的近前侧之间的任意位置。
另外，在实施上述的定位工序时，在硅芯片10A～10C的位置不明的情况下，适当地实施对准工序。在实施对准工序的情况下，使用与上述的切削单元6一体地配设的拍摄单元(省略图示)，从上方拍摄配设于卡盘工作台20上的硅芯片10A～10C，对该硅芯片10A～10C的位置信息进行检测而存储于上述的控制单元，根据该位置信息而实施上述的定位工序。
若实施了上述的定位工序，则实施加工工序：通过上述的X方向进给单元3使圆盘磨具633作用于上述的硅芯片10A～10C而实施加工。更具体而言，首先使切削单元6的伺服电动机635进行动作，使圆盘磨具633在图6、图7的(a)中箭头R2所示的方向上旋转。接着，相对于通过上述定位工序定位于规定的位置的圆盘磨具633，使X方向移动单元3进行动作而使卡盘工作台44在X方向上移动，并使圆盘磨具633在箭头R3所示的方向上相对地移动，通过圆盘磨具633对配设于基质20的第1区域20A的硅芯片10A的正面的沿着近前侧的边10a的一部分进行切削。如上所述，圆盘磨具633的下端定位于距离卡盘工作台44的保持面45a为高度H1(＝520μm)的位置，硅芯片10A以300μm的厚度形成。因此，通过圆盘磨具633，将硅芯片10A从上表面切削280μm，加工残留量为20μm。接着，使X方向移动单元3进一步进行动作而使卡盘工作台44在X方向上移动。由此，通过圆盘磨具633对配设于基质20的第2区域20B的硅芯片10B的正面的近前侧的边10b的一部分进行切削。如上所述，第2区域20B的正面的高度设定得比第1区域20A的正面低30μm，因此通过圆盘磨具633对硅芯片10B进行切削时的加工残留量比硅芯片10A多30μm，为50μm。进而，使X方向进给单元3进行动作而使卡盘工作台44在X方向上移动，通过圆盘磨具633对配设于基质20的第3区域20C的硅芯片10C的正面的近前侧的边10c的一部分进行切削。如上所述，第3区域20C的正面的高度设定得比第1区域20A低80μm、比第2区域20B低50μm，因此通过圆盘磨具633对硅芯片10C进行切削时的加工残留量比硅芯片10A多80μm，为100μm。
如上所述，俯视时的硅芯片10A～10C的宽度(一条边)为5mm，与此相对，圆盘磨具633的厚度为2mm，因此在上述的一次的切削加工中，仅在硅芯片10A～10C的距离Y方向的端部2mm的范围进行切削。由此，之后使X方向移动单元3和Z方向进给单元65进行动作而将卡盘工作台44定位于上述的搬出搬入位置或搬出搬入位置侧的任意位置，并且将圆板磨具633定位于在上述的定位工序中将圆盘磨具633定位的Z方向上的期望的初期位置。并且，使Y方向进给单元64进行动作而将切削单元6的圆盘磨具633的位置在Y方向上分度进给1.95mm。然后，使伺服电动机635进行动作而使圆盘磨具633旋转，并且与上述同样地使X方向进给单元3进行动作，使定位于距离卡盘工作台44的保持面45a为高度H1的位置的圆盘磨具633在图7的(a)中箭头R3所示的方向上相对地移动，对硅芯片10A～10C的上表面进行切削。
如上所述一边实施分度进给一边重复多次(在上述例中为三次)切削加工，对硅芯片10A～10C的整个正面进行切削，由此完成该加工工序。其结果是，如图7的(b)所示，硅芯片10A～10C根据上述的加工残留量而形成为20μm、50μm、100μm的厚度。另外，通过上述的实施方式中的基质20上的第1区域20A、第2区域20B和第3区域20C形成的阶梯差为30μm、50μm，但本发明不限于此，能够与期望的厚度(加工残留量)对应而适当地设定阶梯差。
根据上述的实施方式，在对设定有不同的厚度即不同的加工残留量的多个硅芯片10A～10C进行加工时，无需按照每个芯片改变圆盘磨具633的切入进给量而能够提高生产率。
另外，在上述的第1实施方式中，示出下述例子：按照Z方向的加工残留量不同的方式在基质20上设定多个阶梯差，对硅芯片10A～10C的整个正面进行切削加工，形成厚度不同的三个硅芯片10A～10C，但本发明不限于此。例如在想要验证半切割时的适当的加工残留(切削残留)量的情况下也是有效的，关于半切割，在沿着被加工物的分割预定线从正面进行切削而形成切削槽时，保留下表面侧的一部分不进行切削。以下，对本发明的加工方法的第2实施方式进行说明。另外，在以下所说明的第2实施方式中，也使用图1所示的切割装置1，但在切削单元6的旋转轴632的前端部代替上述的圆盘磨具633而安装图8所示的厚度为50μm左右的圆盘磨具637(切削刀具)。
在第2实施方式中，首先准备与上述的第1实施方式同样的均匀的厚度(500μm)的圆形板状的基质22，并通过与上述同样的步骤实施阶梯差形成工序。如图8所示，通过该阶梯差形成工序，对基质22的上表面形成与对被加工物进行半切割时的加工残留量(切削残留量)对应的阶梯差，从而形成第1区域22A、第2区域22B、第3区域22C。另外，本实施方式的通过第1区域22A和第2区域22B形成的阶梯差以及通过第2区域22B和第3区域22C形成的阶梯差与上述的第1实施方式不同，均设定为50μm。本实施方式的被加工物如图8的上部所示那样是长方体形状的硅芯片10A～10C，该硅芯片10A～10C是与第1实施方式中使用的加工前的硅芯片10A～10C相同的形状和相同的尺寸的芯片。对于该硅芯片10A～10C，实施与第1实施方式中实施的同样的被加工物配设工序，在形成有阶梯差的基质22的上表面22a，在形成阶梯差的第1区域22A～第3区域22C的各平面上沿着阶梯差方向R1直线排列而配设硅芯片10A～10C。接着，通过与上述同样的步骤实施基质保持工序，使基质22的阶梯差方向R1朝向X方向而将基质22保持于上述的卡盘工作台44的保持面45a。
接着，实施定位工序：通过Y方向进给单元64将圆盘磨具637定位于期望的Y位置，并且通过Z方向进给单元65将圆盘磨具637定位于期望的Z位置。更具体而言，使Y方向进给单元64进行动作。如图8所示那样，使圆盘磨具637在Y方向上移动，定位于与硅芯片10A～10C的Y方向的中心的Y坐标一致的Y位置，并且使上述的Z方向进给单元65进行动作，使主轴单元63在Z方向上移动而下降，定位于Z方向的期望的位置，更具体而言如图9的(a)所示那样将圆盘磨具637的下端定位于与距离卡盘工作台44的保持面45a为H2的Z坐标一致的Z位置。该H2是600μm，是对作为在X方向上切削了硅芯片10A后残留的切削残留量而设定的100μm加上基质22的第1区域22A的厚度即500μm而得到的。另外，在实施该定位工序时，卡盘工作台44可以定位于从图1所示的搬出搬入位置至实施切削加工的加工位置的近前侧之间的任意位置。
若实施了上述的定位工序，则实施加工工序：通过X方向进给单元3使圆盘磨具637作用于上述的硅芯片10A～10C而实施加工。更具体而言，首先使切削单元6的伺服电动机635进行动作而使圆盘磨具637在图8中箭头R2所示的方向上旋转。接着，相对于通过上述定位工序定位于规定的位置的圆盘磨具637(图9的(a)中双点划线所示)，使X方向进给单元3进行动作而使定位于距离卡盘工作台44的保持面45a为高度H2的位置的圆盘磨具637在箭头R4所示的方向上相对地移动，对配设于基质22的第1区域22A的硅芯片10A的Y方向的中央进行切削。如上所述，圆盘磨具637的下端定位于距离卡盘工作台44的保持面45a为高度H2(＝600μm)的位置。由此，在硅芯片10A上形成距离上表面为200μm的深度的切削槽12A，切削槽12A中的切削残留量为100μm。
接着，使X方向移动单元3进一步进行动作，使卡盘工作台44在X方向上移动。由此，通过圆盘磨具637对配设于基质22的第2区域22B的硅芯片10B的Y方向的中央进行切削。如上所述，第2区域22B的正面的高度设定得比第1区域22A的正面低50μm，因此通过圆盘磨具637对硅芯片10B进行切削而形成距离上表面为150μm的深度的切削槽12B。由此，切削槽12B中的切削残留量比硅芯片10A多50μm，为150μm。进而，使X方向进给单元3进行动作而使卡盘工作台44在X方向上移动，通过圆盘磨具637对配设于基质22的第3区域22C的硅芯片10C的Y方向的中央进行切削而形成切削槽12C。如上所述，第3区域22C的正面的高度设定得比第1区域22A低100μm、比第2区域22B低50μm。由此，通过圆盘磨具637对硅芯片10C进行切削而形成距离上表面为100μm的深度的切削槽12C，切削槽12C中的切削残留量为200μm。通过以上，完成第2实施方式的加工工序。
根据上述的第2实施方式，通过X方向进给单元3使圆盘磨具637作用于三个被加工物(硅芯片10A～10C)而实施加工，由此实施Z方向上的切削残留量不同的加工。因此，即使在想要验证对晶片的分割预定线实施半切割时的适当的切削残留量(加工残留量)的情况下，也无需使Z方向进给单元65进行动作而变更对多个被加工物(硅芯片10A～10C)的切入深度，验证用的芯片的生产率提高。
另外，在上述的实施方式中，对基质20、22形成了配设三个被加工物的三个平面(第1区域20A～第3区域20C、第1区域22A～第3区域22C)，分别形成两个阶梯差，但本发明不限于此，可以形成与配设于基质20、22上的被加工物的数量对应的多个平面，并且通过各平面形成与加工残留量对应的阶梯差。

Claims (1)

1.一种加工方法，使用加工装置对加工残留量在Z方向上不同的两个以上的被加工物进行加工，
该加工装置具有：
保持单元，其具有由X方向和与该X方向垂直的Y方向规定的对被加工物进行保持的保持面；
加工单元，其在沿Y方向延伸的旋转轴上安装有对该保持单元所保持的被加工物实施加工的圆盘磨具；
X方向进给单元，其将该保持单元和该加工单元在X方向上相对地进行加工进给；
Y方向进给单元，其将该保持单元和该加工单元在Y方向上相对地进行分度进给；以及
Z方向进给单元，其将该保持单元和该加工单元在与该保持面垂直的Z方向上相对地进行切入进给，
其中，该加工方法包含如下的工序：
阶梯差形成工序，在对两个以上的被加工物进行支承的基质的上表面形成与加工残留量对应的阶梯差；
被加工物配设工序，在形成有该阶梯差的基质的上表面，在形成阶梯差的各平面上配设被加工物；
基质保持工序，将基质的形成有阶梯差的阶梯差方向朝向X方向而将基质保持于该保持单元的保持面；
定位工序，通过该Y方向进给单元将该圆盘磨具定位于期望的Y位置，并且通过该Z方向进给单元将该圆盘磨具定位于期望的Z位置；以及
加工工序，通过该X方向进给单元使该圆盘磨具作用于两个以上的被加工物而实施加工。
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