CN114669963B - 一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺 - Google Patents

一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN114669963B
CN114669963B CN202210304552.6A CN202210304552A CN114669963B CN 114669963 B CN114669963 B CN 114669963B CN 202210304552 A CN202210304552 A CN 202210304552A CN 114669963 B CN114669963 B CN 114669963B
Authority
CN
China
Prior art keywords
coating
camera module
light
periscopic camera
film layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202210304552.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114669963A (zh
Inventor
席龙龙
席冬冬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong Yupin Industrial Co ltd
Original Assignee
Guangdong Yupin Industrial Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong Yupin Industrial Co ltd filed Critical Guangdong Yupin Industrial Co ltd
Priority to CN202210304552.6A priority Critical patent/CN114669963B/zh
Publication of CN114669963A publication Critical patent/CN114669963A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114669963B publication Critical patent/CN114669963B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23P—METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
    • B23P15/00—Making specific metal objects by operations not covered by a single other subclass or a group in this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/10—Glass or silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/28—Acidic compositions for etching iron group metals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明属于摄像模组技术领域，尤其涉及一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺，至少包括如下步骤：蚀刻，将经过涂膜、曝光、显影处理的基材置于蚀刻液中进行蚀刻处理，得到具有通光孔的基板，且通光孔的内侧边缘形成有倒角结构；镀膜，在基板上采用等离子溅射镀膜工艺镀吸收膜层，镀膜过程中，使用治具遮蔽不镀膜区域，使得镀膜区域和倒角结构上均附着有吸收膜层；折弯，对镀膜后的基板进行冲压折弯操作，得到外壳框架；对第三步得到的外壳框架进行激光焊接，得到所需外壳。相对于现有技术，本发明可以在减少反射面积和降低反射率的双重作用下，使通光孔最大程度减少反光，从而抑制杂光的产生，而且膜层厚度小且可控，从而提高摄像头的画质和清晰度。

Description

一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺
技术领域
本发明属于摄像模组技术领域，尤其涉及一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺。
背景技术
目前，带有摄像功能的终端设备已经成为人们工作和生活中不可或缺的电子产品，如智能手机、平板电脑等。智能手机、平板电脑等对摄像头越来越高的需求使得摄像头成为智能手机、平板电脑重要的核心部件之一。
潜望式摄像头是一种用于拍摄远距离物体而设计的特殊结构的摄像头，其主要特性是焦距长、视角小，对于远距离的目标可实现清楚的拍摄，其通常包括摄像组件和反射镜，外界自然光经过反射镜反射后在摄像组件上成像。其中的摄像组件中需要用到外壳组件，其包含一个大的通光孔。为了减少通光孔及内部黑化反射率，现有技术一般通过丝印工艺印黑，但是现有技术中的外壳在400-800nm光波段的反射率较高，一般只能达到小于或等于2％，而且会有较多的杂光，从而使得摄像头的画质、清晰度无法满足人们越来越高的要求，影响用户体验。
有鉴于此，本发明旨在提供一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺，其先通过在通光孔的边缘蚀刻出倒角，同时采用镀膜工艺进行镀膜，再经过冲压弯折、焊接，得到潜望式摄像模组外壳，其在减少反射面积和降低反射率的双重作用下，使通光孔最大程度减少反光，从而抑制杂光的产生，而且膜层厚度小且可控，从而提高摄像头的画质和清晰度。
发明内容
本发明的目的在于：针对现有技术的不足，而提供一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺，其先通过在通光孔的边缘蚀刻出倒角，同时采用镀膜工艺进行镀膜，再经过冲压弯折、焊接，得到潜望式摄像模组外壳，其在减少反射面积和降低反射率的双重作用下，使通光孔最大程度减少反光，从而抑制杂光的产生，而且膜层厚度小且可控，从而提高摄像头的画质和清晰度。
为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺，至少包括如下步骤：
第一步，蚀刻，将经过涂膜、曝光、显影处理的基材置于蚀刻液中进行蚀刻处理，得到具有通光孔的基板，且所述通光孔的内侧边缘形成有倒角结构；
第二步，镀膜，在第一步得到的基板上采用等离子溅射镀膜工艺镀吸收膜层，镀膜过程中，使用治具遮蔽不镀膜区域，使得镀膜区域和倒角结构上均附着有吸收膜层；
第三步，折弯，对镀膜后的基板进行冲压折弯操作，得到外壳框架；
第四步，对第三步得到的外壳框架进行激光焊接，得到所需外壳。
作为本发明潜望式摄像模组外壳的制造工艺的一种改进，第一步所述蚀刻液为三氯化铁和盐酸的混合溶液，其中，三氯化铁的浓度为40％-60％；盐酸的浓度10％-20％。
作为本发明潜望式摄像模组外壳的制造工艺的一种改进，第一步中蚀刻处理的温度为40℃-50℃，所述蚀刻液的波美度为40-42，基材的运动速度为1.5米/分钟-2米/分钟。
作为本发明潜望式摄像模组外壳的制造工艺的一种改进，所述基材的材质为不锈钢或铜合金，且所述基材的厚度为0.02-0.3mm。
作为本发明潜望式摄像模组外壳的制造工艺的一种改进，所述倒角结构呈弧形倾斜状，且所述倒角结构的内侧边缘呈尖角形。
作为本发明潜望式摄像模组外壳的制造工艺的一种改进，尖角形的角度小于30°。
作为本发明潜望式摄像模组外壳的制造工艺的一种改进，所述通光孔的内侧表面呈锯齿形。
作为本发明潜望式摄像模组外壳的制造工艺的一种改进，从内向外，所述吸收膜层为交替设置的Ti层和二氧化硅层。
作为本发明潜望式摄像模组外壳的制造工艺的一种改进，所述等离子溅射镀膜工艺的具体条件为：温度为70℃-80℃，真空度为2.0e-3torr至3.0e-3torr，Ti的溅射速率为0.1nm/s-0.2nm/s，二氧化硅的溅射速率为0.3nm/s-0.7nm/s。吸收膜层是在高真空环境下通过等离子溅射镀膜形成的，由Ti和SiO2交替生成，由于Ti和SiO2采用等离子溅射镀膜形成的膜层具有较好的密度和硬度，从而使得镀膜后的外壳抗划伤性增强，反射率降低。由于等离子溅射镀膜是材料以分子的方式进行沉积，镀膜厚度较薄(总厚度小于1μm)，所以不会对零件的面形精度形成破坏。通过各层厚度优化组合形成，膜层结构具有较强的表面硬度，同时具备较好的减反射效果。
作为本发明潜望式摄像模组外壳的制造工艺的一种改进，所述吸收膜层的总厚度小于500nm，在400-800nm波长范围内，反射率小于或等于0.3％，所述吸收膜层的总厚度小于500nm，在400-800nm波长范围内，反射率小于或等于0.3％；Ti层和二氧化硅层的厚度比为(0.5-5)：1。
相对于现有技术，本发明先通过蚀刻工艺得到具有通光孔的基板，且通光孔的内侧边缘形成有倒角结构，且通过镀膜在倒角结构处设置吸收膜层，可以在减少反射面积和降低反射率的双重作用下，使通光孔最大程度减少反光，从而抑制杂光的产生，而且膜层厚度小且可控，从而提高摄像头的画质和清晰度。而且采用等离子溅射镀膜工艺镀制成的吸收膜层取代现有的丝印印黑工艺，能够得到反射率低、膜层Lab值稳定的吸收膜层。在镀膜过程中使用治具遮蔽不镀膜区域可以保障镀膜区域位置精确，冲压折弯则能够形成良好的折弯形状，采用激光无焊料焊接则能够保证焊接处不漏光，且结构可靠、美观。
附图说明
图1是本发明第一步处理后的基板结构示意图(多个基板相连)。
图2为本发明第一步处理后的单个基板的正视结构示意图。
图3为本发明中焊接后的外壳结构的正视结构示意图。
图4为本发明中焊接后的外壳结构的侧视结构示意图。
图5为图4中A部分的放大图。
图6为本发明中焊接后的外壳结构的立体图之一。
图7为本发明中焊接后的外壳结构的立体图之二。
图8为本发明中焊接后的外壳结构的后视结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围内。
如图1至图8所示，本发明提供了一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺，至少包括如下步骤：
第一步，蚀刻，将经过涂膜、曝光、显影处理的基材置于蚀刻液中进行蚀刻处理，得到具有通光孔1的基板2，且通光孔1的内侧边缘形成有倒角结构3；涂膜、曝光、显影处理可以保护无需蚀刻的区域不被蚀刻。
第二步，镀膜，在第一步得到的基板2上采用等离子溅射镀膜工艺镀吸收膜层5，镀膜过程中，使用治具遮蔽不镀膜区域，以保障镀膜区域位置精确，使得镀膜区域和倒角结构3上均附着有吸收膜层5；采用等离子溅射镀膜工艺制成的吸收膜层反射率小于或等于0.3％(在400-800nm波长范围内)，Lab值稳定，且膜厚小于或等于500nm，倒角结构3上附着吸收膜层5时可以降低光线反射率。
第三步，折弯，对镀膜后的基板2进行冲压折弯操作，形成良好折弯形状，得到外壳框架；
第四步，对第三步得到的外壳框架进行激光焊接，焊接处不漏光，且结构可靠、美观，得到所需外壳，然后将外壳置于专用包装盒中，以有效地保护外壳。
其中，第一步蚀刻液为三氯化铁和盐酸的混合溶液，其中，三氯化铁的浓度为40％-60％；盐酸的浓度10％-20％。
第一步中蚀刻处理的温度为40℃-50℃，蚀刻液的波美度为40-42，基材的运动速度为1.5米/分钟-2米/分钟。蚀刻液可以很好的蚀刻出带有倒角结构3的通光孔1。
基材的材质为不锈钢或铜合金，且基材的厚度为0.02-0.3mm。
倒角结构3呈弧形倾斜状，可以减少反射进入外壳腔体内部的光线，且倒角结构3的内侧边缘呈尖角形，该结构光线反射面积小。尖角形的角度小于30°。倒角结构3的设置使得反光截面量平均减少80％，以0.2mm料厚基材为例，截面反射光线量减少97.5％；倒角斜面坡度物理减少反射，同时，倒角斜面吸收膜层也可以减少反射，从而倒角结构3可以大大减少杂光。
通光孔1的内侧表面呈锯齿形，以打乱光线、散射，抑制杂光效果更好。
从内向外，吸收膜层5为交替设置的Ti层和二氧化硅层，即从基材往上，先是设置一层Ti层，然后再设置一层二氧化硅层，再设置一层Ti层，依次类推，Ti层的层数为1-10层，二氧化硅的层数为1-10层。该吸收膜层5可以大大降低外壳的反射率。
等离子溅射镀膜工艺的具体条件为：温度为70℃-80℃，真空度为2.0e-3torr至3.0e-3torr，Ti的溅射速率为0.1nm/s-0.2nm/s，二氧化硅的溅射速率为0.3nm/s-0.7nm/s。吸收膜层5是在高真空环境下通过等离子溅射镀膜形成的，由Ti和SiO2交替生成，由于Ti和SiO2采用等离子溅射镀膜形成的膜层具有较好的密度和硬度，从而使得镀膜后的外壳抗划伤性增强，反射率降低。由于等离子溅射镀膜是材料以分子的方式进行沉积，镀膜厚度较薄(总厚度小于1μm)，所以不会对零件的面形精度形成破坏。
吸收膜层5的总厚度小于500nm，在400-800nm波长范围内，反射率小于或等于0.3％；Ti层和二氧化硅层的厚度比为(0.5-5)：1。通过各层厚度优化组合形成，膜层结构具有较强的表面硬度，同时具备较好的减反射效果。
总之，本发明先通过蚀刻工艺得到具有通光孔1的基板2，且通光孔1的内侧边缘形成有倒角结构3，且通过镀膜在倒角结构3处设置吸收膜层5，可以在减少反射面积和降低反射率的双重作用下，使通光孔1最大程度减少反光，从而抑制杂光的产生，而且膜层厚度小且可控，从而提高摄像头的画质和清晰度。而且采用等离子溅射镀膜工艺镀制成的吸收膜层取代现有的丝印印黑工艺，能够得到反射率低、膜层Lab值稳定的吸收膜层。在镀膜过程中使用治具遮蔽不镀膜区域4可以保障镀膜区域位置精确，冲压折弯则能够形成良好的折弯形状，采用激光无焊料焊接则能够保证焊接处不漏光，且结构可靠、美观。
根据上述说明书的揭示和教导，本发明所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行变更和修改。因此，本发明并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式，对本发明的一些修改和变更也应当落入本发明的权利要求的保护范围内。此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本发明构成任何限制。

Claims (8)

1.一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺，其特征在于，至少包括如下步骤：
第一步，蚀刻，将经过涂膜、曝光、显影处理的基材置于蚀刻液中进行蚀刻处理，得到具有通光孔的基板，且所述通光孔的内侧边缘形成有倒角结构；
第二步，镀膜，在第一步得到的基板上采用等离子溅射镀膜工艺镀吸收膜层，镀膜过程中，使用治具遮蔽不镀膜区域，使得镀膜区域和倒角结构上均附着有吸收膜层；
第三步，折弯，对镀膜后的基板进行冲压折弯操作，得到外壳框架；
第四步，对第三步得到的外壳框架进行激光焊接，得到所需外壳；
所述倒角结构呈弧形倾斜状，且所述倒角结构的内侧边缘呈尖角形；
尖角形的角度小于30°。
2.根据权利要求1所述的潜望式摄像模组外壳的制造工艺，其特征在于：第一步所述蚀刻液为三氯化铁和盐酸的混合溶液，其中，三氯化铁的浓度为40％-60％；盐酸的浓度10％-20％。
3.根据权利要求2所述的潜望式摄像模组外壳的制造工艺，其特征在于：第一步中蚀刻处理的温度为40℃-50℃，所述蚀刻液的波美度为40-42，基材的运动速度为1.5米/分钟-2米/分钟。
4.根据权利要求1所述的潜望式摄像模组外壳的制造工艺，其特征在于：所述基材的材质为不锈钢或铜合金，且所述基材的厚度为0.02-0.3mm。
5.根据权利要求1所述的潜望式摄像模组外壳的制造工艺，其特征在于：所述通光孔的内侧表面呈锯齿形。
6.根据权利要求1所述的潜望式摄像模组外壳的制造工艺，其特征在于：从内向外，所述吸收膜层为交替设置的Ti层和二氧化硅层。
7.根据权利要求6所述的潜望式摄像模组外壳的制造工艺，其特征在于：所述等离子溅射镀膜工艺的具体条件为：温度为70℃-80℃，真空度为2.0e-3torr至3.0e-3torr，Ti的溅射速率为0.1nm/s-0.2nm/s，二氧化硅的溅射速率为0.3nm/s-0.7nm/s。
8.根据权利要求6所述的潜望式摄像模组外壳的制造工艺，其特征在于：所述吸收膜层的总厚度小于500nm；在400-800nm波长范围内，反射率小于或等于0.3％；Ti层和二氧化硅层的厚度比为(0.5-5)：1。
CN202210304552.6A 2022-03-26 2022-03-26 一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺 Active CN114669963B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210304552.6A CN114669963B (zh) 2022-03-26 2022-03-26 一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210304552.6A CN114669963B (zh) 2022-03-26 2022-03-26 一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114669963A CN114669963A (zh) 2022-06-28
CN114669963B true CN114669963B (zh) 2022-10-18

Family

ID=82075933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210304552.6A Active CN114669963B (zh) 2022-03-26 2022-03-26 一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114669963B (zh)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101396884A (zh) * 2007-09-26 2009-04-01 丰田合成株式会社 具有干涉色膜的设备用外壳及设备用装饰体
CN103227116A (zh) * 2013-03-29 2013-07-31 日月光半导体制造股份有限公司 透光壳体及其制造方法与应用其的光学组件
CN104102075A (zh) * 2013-04-02 2014-10-15 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 相机模组及其制造方法
CN104704422A (zh) * 2012-10-05 2015-06-10 日本电产三协株式会社 光学单元以及光学单元的制造方法
KR20180114804A (ko) * 2017-04-11 2018-10-19 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈 및 액체 렌즈의 제어 방법
CN109923472A (zh) * 2016-09-05 2019-06-21 Lg伊诺特有限公司 相机模块
CN111485199A (zh) * 2020-04-15 2020-08-04 浙江嘉美光电科技有限公司 一种微型晶圆摄像模组侧壁镀膜膜系及其加工工艺
CN212586577U (zh) * 2020-07-15 2021-02-23 广东誉品实业有限公司 一种防眩光金属遮光片
CN213028684U (zh) * 2020-09-09 2021-04-20 惠州市欧森纳斯科技有限公司 摄像模组以及摄像装置
CN114127629A (zh) * 2019-07-19 2022-03-01 凸版印刷株式会社 遮光板、照相机单元以及电子仪器

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009079498A2 (en) * 2007-12-17 2009-06-25 Omnivision Technologies, Inc. Reflowable camera module with integrated flash
CN112995443B (zh) * 2019-12-13 2022-09-02 宁波舜宇光电信息有限公司 潜望式摄像模组及其制造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101396884A (zh) * 2007-09-26 2009-04-01 丰田合成株式会社 具有干涉色膜的设备用外壳及设备用装饰体
CN104704422A (zh) * 2012-10-05 2015-06-10 日本电产三协株式会社 光学单元以及光学单元的制造方法
CN103227116A (zh) * 2013-03-29 2013-07-31 日月光半导体制造股份有限公司 透光壳体及其制造方法与应用其的光学组件
CN104102075A (zh) * 2013-04-02 2014-10-15 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 相机模组及其制造方法
CN109923472A (zh) * 2016-09-05 2019-06-21 Lg伊诺特有限公司 相机模块
KR20180114804A (ko) * 2017-04-11 2018-10-19 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈 및 액체 렌즈의 제어 방법
CN114127629A (zh) * 2019-07-19 2022-03-01 凸版印刷株式会社 遮光板、照相机单元以及电子仪器
CN111485199A (zh) * 2020-04-15 2020-08-04 浙江嘉美光电科技有限公司 一种微型晶圆摄像模组侧壁镀膜膜系及其加工工艺
CN212586577U (zh) * 2020-07-15 2021-02-23 广东誉品实业有限公司 一种防眩光金属遮光片
CN213028684U (zh) * 2020-09-09 2021-04-20 惠州市欧森纳斯科技有限公司 摄像模组以及摄像装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN114669963A (zh) 2022-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2020249075A1 (zh) 一种显示屏和电子设备
JP3734683B2 (ja) シールド材、シールド材の製造方法及び該シールド材を備えたプラズマディスプレイ装置
CN216852131U (zh) 一种潜望式摄像模组外壳结构
JP2007114776A (ja) 電気伝導性反射防止コーティング
CN112882137A (zh) 成像镜头、相机模块及电子装置
CN114669963B (zh) 一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺
US20100149672A1 (en) Optical filter and manufacturing method thereof
JP2006156927A (ja) プラズマディスプレイ用電磁波遮蔽フィルムおよびプラズマディスプレイ用保護板
JP2004241761A (ja) 電磁波遮蔽用シート、及びその製造方法
CN111342205A (zh) 装饰板及电子设备
CN219718370U (zh) 一种防眩光的潜望式摄像模组外壳结构
WO2000044029A1 (fr) Verre d'ecran cathodique et procede de production de ce dernier, et ecran cathodique
CN110806665B (zh) 阵列基板及显示面板
JP4152968B2 (ja) シールド材、その製造方法及び該シールド材を備えたプラズマディスプレイ装置
US20130020461A1 (en) Rearview mirror with monitor
JP2002008566A (ja) 光吸収性反射防止ガラス基体とその製造方法
CN114464607A (zh) 发光面板及其制备方法、显示装置
JP2000105311A (ja) プラズマディスプレイパネル用フィルター
CN112230311A (zh) 一种防眩光遮光片
CN115718333B (zh) 减反射膜、盖板结构及减反射膜的制造方法
JP2010048896A (ja) 光学系
KR20070054850A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널용 필름형 전면 필터 및 그의제조방법
WO2011122152A1 (ja) 電磁波遮蔽膜及び電磁波遮蔽部材
JP2000106044A (ja) 透明導電性フィルムの表面抵抗低下方法
CN218383367U (zh) 一种红外截止滤光片及摄像模组、电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant