CN114651326A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基底；第一内堤和第二内堤，被设置为在基底上彼此间隔开；第一电极，设置在第一内堤的一部分上；第二电极，被设置为覆盖第二内堤；以及发光元件，设置在第一电极与第二电极之间，其中，发光元件的一个端部在厚度方向上不与第一电极叠置，并且发光元件的另一端部在厚度方向上与第二电极叠置。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性已经稳步增加。响应于此，已经使用了诸如有机发光显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)等的各种类型的显示装置。
显示装置是用于显示图像的装置，并且包括显示面板(诸如有机发光显示面板或液晶显示面板)。发光显示面板可以包括发光元件(例如，发光二极管(LED))，并且发光二极管的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
发明内容
技术问题
本公开的方面提供了一种显示装置，所述显示装置包括具有不同宽度的电极和设置在电极之间的发光元件。
本公开的方面还提供了一种显示装置，其中，电极之间的分隔距离比一个电极与电压线之间的分隔距离大。
应该注意的是，公开的方面不限于此，并且根据以下描述，在此未提及的其他方面对于本领域普通技术人员而言将是明显的。
技术方案
根据公开的实施例，显示装置包括：基底；第一内堤和第二内堤，设置在基底上以彼此间隔开；第一电极和第二电极，第一电极设置在第一内堤的部分区域上并且第二电极被设置为覆盖第二内堤；以及发光元件，设置在第一电极与第二电极之间，其中，发光元件的一个端部在厚度方向上不与第一电极叠置，并且发光元件的另一端部在厚度方向上与第二电极叠置。
显示装置还可以包括与第一电极和发光元件的一个端部接触的第一接触电极以及与第二电极和发光元件的另一端部接触的第二接触电极。
发光元件的一个端部可以在厚度方向上与第一接触电极叠置，并且发光元件的另一端部可以在厚度方向上与第二接触电极叠置。
第一电极与第二电极之间的分隔距离可以比第一内堤与第二内堤之间的分隔距离大。
第一内堤可以包括一侧和面对第二内堤的另一侧，并且第一电极可以被设置为仅覆盖第一内堤的所述一侧。
第二电极可以被设置为覆盖第二内堤的面对第一内堤的一侧以及第二内堤的另一侧。
显示装置还可以包括设置在第一内堤与第二内堤之间的至少一个第三内堤，以及设置在第一电极与第二电极之间的至少一个第三电极，其中，第三电极可以设置在第三内堤的部分区域上。
第三内堤可以包括面对第一内堤的一侧和面对第二内堤的另一侧，并且第三电极可以被设置为仅覆盖第三内堤的所述一侧。
显示装置还可以包括设置在第三电极上的第三接触电极，其中，第三接触电极的在一个方向上测量的宽度可以比第三电极的在一个方向上测量的宽度大。
第三接触电极可以与设置在第一电极与第三电极之间的发光元件以及设置在第三电极与第二电极之间的发光元件接触。
所述显示装置还可以包括设置在基底上的第一电压线以及被设置为覆盖第一电压线的第一绝缘层，其中，第一内堤和第二内堤可以直接设置在第一绝缘层上。
第一电压线的至少部分区域可以被设置为在厚度方向上与第一内堤叠置，并且第二电极与第一电极之间的分隔距离可以比第二电极与第一电压线之间的分隔距离大。
第一内堤可以包括其上设置有第一电极的一侧和其上可以未设置有第一电极并且在厚度方向上与第一电压线叠置的另一侧。
显示装置还可以包括第二绝缘层，第二绝缘层被构造为覆盖第一内堤的另一侧和第二电极的面对第一电极的一侧，其中，发光元件可以设置在第二绝缘层上。
根据公开的实施例，一种显示装置包括：基底；数据导电层，设置在基底上并且包括第一电压线；第一绝缘层，被设置为覆盖数据导电层；第一电极和第二电极，设置在第一绝缘层上以彼此间隔开且彼此面对；以及发光元件，设置在第一电极与第二电极之间，其中，第一电极与第二电极之间的竖直距离可以比第二电极与第一电压线之间的竖直距离大。
显示装置还可以包括设置在第一绝缘层上的第一内堤以及与第一内堤间隔开且面对第一内堤的第二内堤，其中，第一电极可以被设置为覆盖第一内堤的一侧，并且第二电极可以被设置为覆盖第二内堤的面对第一内堤的一侧和第二内堤的另一侧。
第一电压线可以在厚度方向上与第一内堤的面对第二内堤的另一侧叠置。
显示装置还可以包括与第一电极和发光元件的一个端部接触的第一接触电极以及与第二电极和发光元件的另一端部接触的第二接触电极，其中，发光元件的一个端部可以在厚度方向上不与第一电极叠置，并且发光元件的另一端部可以在厚度方向上与第二电极叠置。
数据导电层还可以包括不同于第一电压线的第二电压线，第一电压线可以电连接到第一电极，并且第二电压线可以电连接到第二电极。
显示装置还可以包括设置在第一电极与第二电极之间的第三电极以及设置在第一电压线与第二电压线之间的第三电压线，其中，第二电极与第三电极之间的竖直距离可以比第二电极与第三电压线之间的竖直距离大。
其他实施例的细节包括在详细的描述和所附附图中。
有益效果
根据一个实施例的显示装置包括具有不同宽度的电极，并且电极之间的分隔距离可以比对准信号施加到其的电压线与一个电极之间的分隔距离大。在显示装置的制造工艺期间，形成在电极与电压线之间的电场的强度比形成在电极之间的电场的强度大，并且可以利用较强的电场将发光元件设置在电极之间。
因此，在根据一个实施例的显示装置中，发光元件可以以高的对准程度设置在电极之间。
根据实施例的效果不受上方例示的内容的限制，并且更多的各种效果包括在本公开中。
附图说明
图1是根据一个实施例的显示装置的平面图。
图2是示出根据一个实施例的显示装置的一个像素的示意性平面图。
图3是沿着图2的线I-I'截取的剖视图。
图4是根据一个实施例的发光元件的示意图。
图5是示出根据一个实施例的显示装置的制造工艺的一部分的剖视图。
图6是示出根据一个实施例的显示装置的制造工艺的一部分的平面图。
图7和图8是示出根据一个实施例的显示装置的制造工艺的一部分的剖视图。
图9是示出根据一个实施例的显示装置的制造工艺的一部分的平面图。
图10至图15是示出根据一个实施例的显示装置的制造工艺的一部分的剖视图。
图16是示出根据另一实施例的显示装置的一部分的剖视图。
图17和图18是示出图16的显示装置的制造工艺的一部分的剖视图。
图19是示出根据又一实施例的显示装置的一个子像素的平面图。
图20是示出图19的显示装置的一部分的剖视图。
图21至图26是示出图19的显示装置的制造工艺的一部分的剖视图和平面图。
图27是示出根据再一实施例的显示装置的一个子像素的平面图。
图28是示出根据再一实施例的显示装置的一个子像素的平面图。
图29是示出根据再一实施例的显示装置的一个子像素的平面图。
图30是沿着图29的线II-II'截取的剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述发明，在附图中示出了发明的优选实施例。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应该被解释为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将向本领域技术人员充分传达发明的范围。
还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。
将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
在下文中，将参照附图描述实施例。
图1是根据一个实施例的显示装置的示意性平面图。
参照图1，显示装置10显示视频或静止图像。显示装置10可以指提供显示屏的所有电子装置。例如，显示装置10可以包括提供显示屏的电视、笔记本、监视器、广告牌、物联网(IoT)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子管理器、电子书阅读器、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机、数码相机和摄像机等。
显示装置10包括提供显示屏的显示面板。显示面板的示例可以包括发光二极管(LED)显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板和场发射显示面板等。在下文中，尽管描述了其中应用作为显示面板的一个示例的LED显示面板的示例，但本发明不限于此，并且当相同的技术精神适用时，其可以应用于其他显示面板。
显示装置10的形状可以进行各种修改。例如，显示装置10可以具有诸如其横向边长的矩形形状、其纵向边长的矩形形状、正方形形状、其角部(顶点)为圆形的四边形形状、其他多边形形状和圆形形状等的形状。显示装置10的显示区域DPA的形状也可以类似于显示装置10的整体形状。在图1中，示出了显示装置10和显示区域DPA，显示装置10和显示区域DPA具有其横向边长的矩形形状。
显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA是其中可以显示有图像的区域，非显示区域NDA是其中不显示图像的区域。显示区域DPA可以指有效区域，非显示区域NDA可以指无效区域。显示区域DPA通常可以占据显示装置10的中心。
显示区域DPA可以包括多个像素PX。多个像素PX可以以矩阵形状设置。像素PX中的每个的形状在平面图中可以是矩形形状或正方形形状，但本发明不限于此，并且该形状可以是其每条边相对于一个方向倾斜的菱形形状。像素PX可以以条纹型或PenTile型交替地设置。此外，像素PX中的每个可以包括发射特定波长范围内的光的一个或更多个发光元件300，从而显示特定颜色。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以完全或部分地围绕显示区域DPA。显示区域DPA具有矩形形状，并且非显示区域NDA可以与显示区域DPA的四条边相邻地设置。非显示区域NDA可以构成显示装置10的边框。
图2是示出根据一个实施例的显示装置的一个像素的示意性平面图。图3是沿着图2的线I-I'截取的剖视图。
参照图2和图3，多个像素PX中的每个可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。第一子像素PX1可以发射第一颜色的光，第二子像素PX2可以发射第二颜色的光，并且第三子像素PX3可以发射第三颜色的光。第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是红色。然而，本发明不限于此，并且子像素PXn可以发射具有相同颜色的光。此外，在图2中，像素PX被示出为包括三个子像素PXn，但不限于此，并且可以包括更多数量的子像素PXn。
显示装置10的子像素PXn中的每个可以包括被限定为发光区域EMA的区域。第一子像素PX1可以包括第一发光区域EMA1，第二子像素PX2可以包括第二发光区域EMA2，并且第三子像素PX3可以包括第三发光区域EMA2。发光区域EMA可以被限定为其中设置有包括在显示装置10中的发光元件300以发射特定波长范围内的光的区域。发光元件300包括活性层330(见图4)，并且活性层330可以发射特定波长范围内的且没有方向性的光。从发光元件300的活性层330发射的光也可以在朝向发光元件300的包括其两个端部的侧表面的方向上发射。发光区域EMA可以包括其中设置有发光元件300的区域，并且可以包括与发光元件300相邻且通过其发射从发光元件300发射的光的区域。
此外，本发明不限于此，并且发光区域EMA还可以包括其中从发光元件300发射的光由于另一构件而被反射或折射以被发射的区域。可以在每个子像素PXn中设置多个发光元件300，并且其中设置有发光元件300的区域和与该区域相邻的区域可以形成发光区域EMA。
尽管未在附图中示出，但是显示装置10的子像素PXn中的每个可以包括被限定为除了发光区域EMA之外的区域的非发光区域。非发光区域可以是其中未设置有发光元件300并且从发光元件300发射的光不能到达从而不能发射光的区域。
图3仅示出了图2的第一子像素PX1的剖面，但是该剖面可以同样应用于其他像素PX或子像素PXn。图3示出了穿过设置在图2的第一子像素PX1中的发光元件300的一个端部和另一端部的剖面。
显示装置10可以包括设置在第一基底110上的电路元件层和显示元件层。半导体层、多个导电层和多个绝缘层设置在第一基底110上。多个导电层可以包括设置在第一绝缘层200下方以形成电路元件层的第一栅极导电层、第二栅极导电层、第一数据导电层、第二数据导电层，以及设置在第一绝缘层200上以形成显示元件层的电极和接触电极。多个绝缘层可以包括缓冲层115、第一栅极绝缘层130、第一保护层150、第一层间绝缘层170、第二层间绝缘层180、第一绝缘层200、第二绝缘层510、第三绝缘层520、第四绝缘层530以及第五绝缘层550等。
电路元件层可以包括电路元件和用于驱动发光元件300的多条线(诸如第一晶体管120、第二晶体管140、多条导线191和192以及导电图案196)，并且显示元件层可以包括发光元件300，并且包括第一电极210、第二电极220、第一接触电极261、第二接触电极262等。
第一基底110可以是绝缘基底。第一基底110可以由诸如玻璃、石英、聚合物树脂等的绝缘材料制成。此外，第一基底110可以是刚性基底，但也可以是可弯曲、可折叠、可卷曲等的柔性基底。
光阻挡层BML1和BML2可以设置在第一基底110上。光阻挡层BML可以包括第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2。第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2被设置为分别与第一晶体管120的第一有源材料层126和第二晶体管140的第二有源材料层146叠置。第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2可以包括光阻挡材料以防止光入射在第一有源材料层126和第二有源材料层146上。作为示例，第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2可以由阻挡光透射的不透明金属材料制成。然而，本发明不限于此，在一些情况下，可以省略光阻挡层BML1和BML2。尽管未在附图中示出，但是第一光阻挡层BML1可以电连接到下面将描述的第一晶体管120的第一源/漏电极123，并且第二光阻挡层BML2可以电连接到第二晶体管140的第一源/漏电极143。
缓冲层115可以完全设置在包括光阻挡层BML1和BML2的第一基底110上。缓冲层115可以形成在第一基底110上以保护像素PX的晶体管120和140免受渗透通过第一基底110的湿气的影响，并且可以执行表面平坦化功能，其中，第一基底110易受湿气渗透的影响。缓冲层115可以由交替堆叠的多个无机层形成。例如，缓冲层115可以由其中氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层和氮氧化硅(SiON)的一个或更多个无机层交替堆叠的多个层形成。
半导体层设置在缓冲层115上。半导体层可以包括第一晶体管120的第一有源材料层126和第二晶体管140的第二有源材料层146。第一有源材料层126和第二有源材料层146可以被设置为与下面将描述的第一栅极导电层的栅电极121和141等部分地叠置。
在示例性实施例中，半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。多晶硅可以通过使非晶硅结晶而形成。结晶方法的示例可以包括快速热退火(RTA)方法、固相结晶(SPC)方法、准分子激光退火(ELA)方法、金属诱导横向结晶(MILC)方法和顺序横向固化(SLS)方法等，但本发明不限于此。作为另一示例，第一有源材料层126和第二有源材料层146可以包括单晶硅、低温多晶硅、非晶硅等。当半导体层包括多晶硅时，第一有源材料层126可以包括第一掺杂区域126a、第二掺杂区域126b和第一沟道区域126c。第一沟道区域126c可以设置在第一掺杂区域126a与第二掺杂区域126b之间。第二有源材料层146可以包括第三掺杂区域146a、第四掺杂区域146b和第二沟道区域146c。第二沟道区域146c可以设置在第三掺杂区域146a与第四掺杂区域146b之间。第一掺杂区域126a、第二掺杂区域126b、第三掺杂区域146a和第四掺杂区域146b可以是其中第一有源材料层126和第二有源材料层146的部分区域掺杂有杂质的区域。
然而，第一有源材料层126和第二有源材料层146不必限于上述描述。在示例性实施例中，第一有源材料层126和第二有源材料层146可以包括氧化物半导体。在这种情况下，第一掺杂区域126a和第三掺杂区域146a可以是第一导电区域，第二掺杂区域126b和第四掺杂区域146b可以是第二导电区域。当第一有源材料层126和第二有源材料层146包括氧化物半导体时，该氧化物半导体可以是包括铟(In)的氧化物半导体。在一些实施例中，氧化物半导体可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铟镓锌锡(IGZTO)等。然而，本发明不限于此。
第一栅极绝缘层130设置在半导体层和缓冲层115上。第一栅极绝缘层130可以设置在包括半导体层的缓冲层115上。第一栅极绝缘层130可以用作第一晶体管120和第二晶体管140的栅极绝缘膜。第一栅极绝缘层130可以由诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的堆叠结构的无机材料制成。
第一栅极导电层设置在第一栅极绝缘层130上。第一栅极导电层可以包括第一晶体管120的第一栅电极121和第二晶体管140的第二栅电极141。第一栅电极121被设置为与第一有源材料层126的至少部分区域叠置，并且第二栅电极141被设置为与第二有源材料层146的至少部分区域叠置。例如，第一栅电极121可以被设置为在厚度方向上与第一有源材料层126的第一沟道区域126c叠置，并且第二栅电极141可以被设置为在厚度方向上与第二有源材料层146的第二沟道区域146c叠置。
第一栅极导电层可以由单层或多层形成，单层或多层由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或它们的合金制成。然而，本发明不限于此。
第一保护层150设置在第一栅极导电层上。第一保护层150可以被设置为覆盖第一栅极导电层以执行保护第一栅极导电层的功能。第一保护层150可以由诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的堆叠结构的无机材料形成。
第二栅极导电层设置在第一保护层150上。第二栅极导电层可以包括存储电容器的第一电容器电极160，第一电容器电极160被设置成使得其至少部分区域在厚度方向上与第一栅电极121叠置。第一电容器电极160和第一栅电极121可以在厚度方向上彼此叠置，并且第一保护层150置于第一电容器电极160与第一栅电极121之间，并且可以在第一电容器电极160和第一栅电极121之间形成存储电容器。第二栅极导电层可以由单层或多层形成，单层或多层由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金制成。然而，本发明不限于此。
第一层间绝缘层170设置在第二栅极导电层上。第一层间绝缘层170可以用作第二栅极导电层与设置在其上的其他层之间的绝缘膜。第一层间绝缘层170可以由诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的堆叠结构的无机材料制成。
第一数据导电层设置在第一层间绝缘层170上。第一栅极导电层可以包括第一晶体管120的第一源/漏电极123和第二源/漏电极124，以及第二晶体管140的第一源/漏电极143和第二源/漏电极144。
第一晶体管120的第一源/漏电极123和第二源/漏电极124可以通过穿透第一层间绝缘层170和第一栅极绝缘层130的接触孔分别与第一有源材料层126的第一掺杂区域126a和第二掺杂区域126b接触。第二晶体管140的第一源/漏电极143和第二源/漏电极144可以通过穿透第一层间绝缘层170和第一栅极绝缘层130的接触孔分别与第二有源材料层146的第三掺杂区域146a和第四掺杂区域146b接触。此外，第一晶体管120的第一源/漏电极123和第二晶体管140的第一源/漏电极143可以通过其他接触孔分别电连接到第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2。同时，在第一晶体管120的第一源/漏电极123和第二源/漏电极124以及第二晶体管140的第一源/漏电极143和第二源/漏电极144中，当一个电极是源电极时，另一电极可以是漏电极。然而，本发明不限于此，并且在第一源/漏电极123和143以及第二源/漏电极124和144中，当一个电极是漏电极时，另一电极可以是源电极。
第一数据导电层可以由单层或多层形成，单层或多层由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或它们的合金制成。然而，本发明不限于此。
第二层间绝缘层180可以设置在第一数据导电层上。第二层间绝缘层180可以完全设置在第一层间绝缘层170上，同时覆盖第一数据导电层，并且可以用于保护第一数据导电层。此外，第二层间绝缘层180可以用作第一数据导电层与设置在其上的第二数据导电层之间的绝缘膜。第二层间绝缘层180可以由诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的堆叠结构的无机材料制成。
第二数据导电层设置在第二层间绝缘层180上。第二数据导电层可以包括第一电压线191、第二电压线192和第一导电图案196。可以把要供应到第一晶体管120的高电位电压(第一电源电压VDD)施加到第一电压线191，并且可以把要供应到下面将描述的第二电极220的低电位电压(第二电源电压VSS)施加到第二电压线192。此外，如下面将描述的，第一电压线191和第二电压线192可以在显示装置10的制造工艺期间用于使发光元件300对准。
第一导电图案196可以通过形成在第二层间绝缘层180中的接触孔电连接到第一晶体管120的第一源/漏电极123。第一导电图案196也可以电连接到下面将描述的第一电极210，并且第一晶体管120可以通过第一导电图案196将从第一电压线191施加的第一电源电压VDD传输到第一电极210。同时，在附图中，第二数据导电层被示出为包括一条第一电压线191和一条第二电压线192，但本发明不限于此。第二数据导电层可以包括更多数量的第一电压线191和更多数量的第二电压线192。
第二数据导电层可以由单层或多层形成，单层或多层由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或它们的合金制成。然而，本发明不限于此。
第一绝缘层200设置在第二数据导电层上。第一绝缘层200可以包括有机绝缘材料并且执行表面平坦化功能。
内堤410和420、多个电极210和220、外堤450、多个接触电极261和262以及发光元件300设置在第一绝缘层200上。此外，多个绝缘层510、520、530和550可以进一步设置在第一绝缘层200上。
内堤410和420直接设置在第一绝缘层200上。内堤410和420可以包括与每个像素PX或子像素PXn的中心部分相邻地设置的第一内堤410和第二内堤420。
第一内堤410和第二内堤420可以被设置为在第一方向DR1上彼此间隔开并且彼此面对。此外，第一内堤410和第二内堤420可以在第二方向DR2上延伸，并且可以彼此间隔开并且在子像素PXn之间的边界处终止，以便不延伸到在第二方向DR2上相邻的另一子像素PXn。因此，第一内堤410和第二内堤420可以设置在每个子像素PXn中，以在显示装置10的整个表面上形成图案。通过将内堤410和420设置为彼此间隔开且彼此面对，其中设置有发光元件300的区域可以形成在内堤410和420之间。在附图中，示出了设置有一个第一内堤410和一个第二内堤420，但本发明不限于此。在一些情况下，内堤410和420中的每个可以被设置为多个，或者可以根据将在下面描述的电极210和220的数量进一步被设置为更多数量的其他内堤410和420。
此外，第一内堤410和第二内堤420中的每个可以具有其中第一内堤410和第二内堤420的至少部分相对于第一平坦化层180的上表面突出的结构。第一内堤410和第二内堤420中的每个的突出部分可以具有倾斜的侧表面，并且从设置在第一内堤410与第二内堤420之间的发光元件300发射的光可以朝向内堤410和420的倾斜的侧表面行进。如下面将描述的，当分别设置在内堤410和420上的电极210和220包括具有高反射率的材料时，从发光元件300发射的光可以从内堤410和420的侧表面反射以在相对于第一基底110向上的方向上发射。也就是说，内堤410和420可以提供其中设置有发光元件300的区域，并且同时可以用作使从发光元件300发射的光向上反射的反射分隔壁。在示例性实施例中，内堤410和420可以包括诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料，但本发明不限于此。
多个电极210和220设置在内堤410和420以及第一绝缘层200上。多个电极210和220可以包括设置在第一内堤410上的第一电极210和设置在第二内堤420上的第二电极220。
如图2中所示，第一电极210可以被设置为在每个子像素PXn中在第二方向DR2上延伸。第一电极210可以不延伸到在第二方向DR2上相邻的另一子像素PXn，并且可以被设置为与围绕每个子像素PXn的外堤450部分地间隔开。第一电极210的至少部分区域被设置为与外堤450叠置，这将在下面进行描述，并且第一电极210可以在与外堤450叠置的区域中电连接到第一晶体管120。例如，第一电极210可以通过形成在与外堤450叠置的区域中并且穿透第一平坦化层180的第一电极接触孔CNTD与第一导电图案196接触，并且通过此，第一电极210可以电连接到第一晶体管120的第一源/漏电极123。设置在每个子像素PXn中的第一电极210可以从相应的第一晶体管120接收不同的电信号。
第二电极220可以被设置为在每个子像素PXn中在第二方向DR2上延伸。与第一电极210不同，第二电极220可以被设置为延伸到在第二方向DR2上相邻的另一子像素PXn。也就是说，在第二方向DR2上相邻的多个子像素PXn可以共享一个第二电极220。第二电极220可以在在第二方向DR2上相邻的子像素PXn的边界处与外堤450部分地叠置，并且第二电极220可以在与外堤450叠置的区域中电连接到第二电压线192。例如，第二电极210可以通过形成在与外堤450叠置的区域中并且穿透第一平坦化层180的第二电极接触孔CNTS与第二电压线192接触。如附图中所示，在第一方向DR1上相邻的子像素PXn的第二电极220分别通过第二电极接触孔CNTS电连接到第二电压线192，并且第二电极220和第二电压线192可以接收相同的电信号。
然而，本发明不限于此。在一些情况下，第二电极220还可以包括在第一方向DR1上延伸的主干部分，并且在第一方向DR1上相邻的子像素PXn的第二电极220可以通过主干部分彼此电连接。在这种情况下，多个子像素PXn的第二电极220可以从第二电压线192接收相同的电信号。在这种情况下，第二电极220可以在位于其中设置有多个像素PX或子像素PXn的显示区域DPA的***部分处的非显示区域NDA中电连接到第二电压线192。
第一电极210和第二电极220可以分别设置在第一内堤410和第二内堤420上，并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开且彼此面对。多个发光元件300可以设置在第一内堤410与第二内堤420之间，并且发光元件300可以设置在第一电极210与第二电极220之间，并且同时发光元件300的至少一个端部可以电连接到第一电极210和第二电极220。
多个电极210和220可以电连接到发光元件300，并且可以接收预定电压以使发光元件300发射光。例如，多个电极210和220可以通过下面将描述的接触电极261和262电连接到发光元件300，并且可以通过接触电极261和262将施加到电极210和220的电信号传输到发光元件300。
在示例性实施例中，第一电极210可以是针对每个子像素PXn分开的像素电极，并且第二电极220可以是沿着每个子像素PXn公共地连接的共电极。第一电极210和第二电极220中的一个可以是发光元件300的阳极，并且第一电极210和第二电极220中的另一个可以是发光元件300的阴极。然而，本发明不限于此，并且可以能够与上述描述相反。
同时，根据一个实施例，第一电极210和第二电极220可以形成为具有不同的宽度。例如，第二电极220的在第一方向DR1上测量的宽度可以形成为比第二内堤420的在第一方向DR1上测量的宽度大，因此第二电极220可以被设置为覆盖第二内堤420的外表面。因此，第二电极220的下表面的一部分可以与第二内堤420接触，并且第二电极220的下表面的另一部分可以与第一绝缘层200接触。
另一方面，第一电极210的在第一方向DR1上测量的宽度可以形成为比第二电极220的在第一方向DR1上测量的宽度小，因此第一电极210可以形成在第一内堤410上，使得第一内堤410的外表面的一部分被暴露。第一内堤410和第二内堤420可以具有相同的宽度，并且第一电极210可以被设置为仅覆盖第一内堤410的一侧(例如，与第一内堤410的面对第二内堤420的另一侧相对的一侧)。因此，根据一个实施例，第一内堤410与第二内堤420之间的分隔距离可以比第一电极210与第二电极220之间的分隔距离小。
可以利用电极210和220中的每个在子像素PXn中形成电场，从而使发光元件300对准。可以经由通过向第一电极210和第二电极220施加对准信号而在第一电极210与第二电极220之间形成电场的工艺，将发光元件300设置在第一电极210与第二电极220之间。如下面将描述的，发光元件300可以通过喷墨工艺以分散在预定墨中的状态喷涂在第一电极210和第二电极220上，并且可以经由通过在第一电极210与第二电极220之间施加对准信号来向发光元件300施加介电泳力的方法在第一电极210与第二电极220之间对准。下面将参照其他附图提供其进一步的详细描述。
在此，施加到电极210和220中的每个的对准信号也可以同时施加到设置在第一绝缘层200下方的第二数据导电层(例如，第一电压线191和第二电压线192)。第一电极210和第二电极220设置在同一层，但是第二数据导电层的第一电压线191和第二电压线192设置在不同的层。根据设置在第二数据导电层上的第一绝缘层200的厚度，除了在第二电极220与第一电极210之间之外，还可以在第二电极220与第一电压线191之间形成电场。在此，根据第一电压线191的布置，形成在第二电极220与第一电压线191之间的电场的强度可以比形成在第一电极210与第二电极220之间的电场的强度高。因此，在显示装置10的制造工艺期间，发光元件300可以由于形成在第二电极220与第一电压线191之间的电场而受到具有较高强度的介电泳力，并且可以顺利地设置在第一电极210与第二电极220之间。
在根据一个实施例的显示装置10中，第一电极210可以被设置为仅覆盖第一内堤410的上表面的一部分，并且第一电极210与第二电极220之间的竖直距离可以比第二电极220与第一电压线191之间的竖直距离大。在显示装置10中，与通过仅在第一电极210与第二电极220之间形成电场来设置发光元件300时相比，可以以较高强度的电场设置发光元件300，并且设置在第一电极210与第二电极220之间的发光元件300的数量可以增加。此外，发光元件300可以在第一电极210与第二电极220之间以在一个方向上取向的状态被设置，并且以较高强度设置的发光元件300可以减少取向方向上的误差以改善对准程度。下面将提供对其的详细描述。
同时，电极210和220中的每个可以包括透明导电材料。作为示例，电极210和220中的每个可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)等的材料，但本发明不限于此。在一些实施例中，电极210和220中的每个可以包括具有高反射率的导电材料。例如，电极210和220中的每个可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)等的金属作为具有高反射率的材料。在这种情况下，入射在电极210和220中的每个上的光可以相对于每个子像素PXn在向上方向上被反射和发射。
此外，电极210和220中的每个可以以其中堆叠有一层或更多层的透明导电材料和具有高反射率的金属层的结构形成，或者形成为包括透明导电材料和金属层的单层。在示例性实施例中，电极210和220中的每个可以具有ITO/Ag/ITO/IZO的堆叠结构，或者可以是包括Al、Ni、镧(La)等的合金。然而，本发明不限于此。
在附图中，示出了一个第一电极210和一个第二电极220设置在每个子像素PXn中，但本发明不限于此。与内堤410和420类似，可以设置更多数量的第一电极210和第二电极220。此外，第一电极210和第二电极220不必具有在一个方向上延伸的形状，并且可以以各种结构设置。例如，第一电极210和第二电极220可以均具有部分弯曲或弯折的形状，并且第一电极210和第二电极220中的一个电极可以被设置为围绕第一电极210和第二电极220中的另一电极。只要第一电极210的至少部分区域和第二电极220的至少部分区域彼此间隔开以形成其中发光元件300将设置在其中间的区域，第一电极210和第二电极220的布置结构和形状就不受特别地限制。
第二绝缘层510设置在第一绝缘层200、第一电极210和第二电极220上。除了彼此间隔开的电极210和220之间或内堤410和420之间的区域之外，第二绝缘层510还可以相对于内堤410和420设置在与内堤410和420之间的区域相对的侧上。此外，第二绝缘层510被设置为部分地覆盖第一内堤410、第一电极210和第二电极220。例如，第二绝缘层510可以完全设置在包括第一电极210和第二电极220的第一绝缘层200上，并且可以被设置为暴露第一电极210和第二电极220中的每个的上表面的一部分。也就是说，可以在第二绝缘层510中形成部分地暴露第一电极210和第二电极220的开口(未示出)。第一电极210和第二电极220中的设置在内堤410和420上的一些可以由于开口而部分地暴露。
此外，如上所述，由于第一电极210被设置为仅覆盖第一内堤410的一侧，因此第二绝缘层510可以被设置为覆盖第一内堤410的另一侧(例如，第一内堤410的与第二内堤420间隔开且面对第二内堤420的一侧)。因此，根据一个实施例，第二绝缘层510的至少部分区域可以与第一内堤410直接接触。第二绝缘层510可以在第一内堤410的上表面的其中未设置有第一电极210的暴露区域中与第一内堤410接触。
第二绝缘层510可以保护第一电极210和第二电极220，并且同时使第一电极210与第二电极220绝缘。此外，可以防止设置在第二绝缘层510上的发光元件300因与其他构件直接接触而被损坏。然而，第二绝缘层510的形状和结构不限于此。
在示例性实施例中，可以在第一电极210与第二电极220之间在第二绝缘层510的上表面的一部分上形成台阶部分。在一些实施例中，第二绝缘层510可以包括无机绝缘材料，并且由于由设置在第二绝缘层510下方的电极210和220形成的台阶部分，被设置为部分地覆盖第一电极210和第二电极220的第二绝缘层510的上表面的一部分可以是台阶状的。可以在发光元件300与第二绝缘层510的上表面之间形成空的空间，发光元件300在第一电极210与第二电极220之间设置在第二绝缘层510上。空的空间可以填充有形成将在下面描述的第三绝缘层520的材料。
外堤450可以设置在第二绝缘层510上。如图2和图3中所示，外堤450可以设置在子像素PXn之间的边界处。外堤450可以被设置为在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸，以围绕内堤410和420以及电极210和220中的一些，以及其中在内堤410和420之间以及电极210和220之间设置有发光元件300的区域。也就是说，外堤450可以在显示区域DPA的整个表面上形成网格图案。
根据一个实施例，外堤450的高度可以比内堤410和420中的每个的高度大。与内堤410和420不同，外堤450可以使相邻的子像素PXn分离，并且同时在显示装置10的制造工艺期间在用于设置发光元件300的喷墨工艺中防止墨溢出到相邻的子像素PXn。也就是说，外堤450可以将用于其他子像素PXn的其中分散有其他发光元件300的墨分开，以防止墨彼此混合。像内堤410和420一样，外堤450可以包括聚酰亚胺(PI)，但本发明不限于此。
发光元件300可以设置在第一电极210与第二电极220之间，或者设置在第一内堤410与第二内堤420之间。发光元件300的一个端部可以电连接到第一电极210，并且发光元件300的另一端部可以电连接到第二电极220。发光元件300可以通过下面将描述的接触电极261和262分别电连接到第一电极210和第二电极220。
多个发光元件300可以被设置为彼此间隔开并且被对准为基本上彼此平行。发光元件300之间的分隔距离没有特别地限制。在一些情况下，多个发光元件300可以彼此相邻地设置以形成组，并且多个其他发光元件300可以在以预定间隔间隔开的状态下分组，并且可以具有不均匀的密度，但是可以在一个方向上定向和对准。此外，在示例性实施例中，发光元件300可以具有在一个方向上延伸的形状，并且每个电极(例如，第一电极210和第二电极220中的每个)延伸所沿的方向可以基本上垂直于发光元件300延伸所沿的方向。然而，本发明不限于此，并且发光元件300可以倾斜地设置而不垂直于电极中的每个延伸所沿的方向。
根据一个实施例的发光元件300可以包括具有不同材料的活性层330，以向外部发射不同波长范围内的光。根据一个实施例的显示装置10可以包括发射不同波长范围内的光的发光元件300。第一子像素PX1的发光元件300可以包括发射在中心波段处具有第一波长的第一光L1的活性层330，第二子像素PX2的发光元件300可以包括发射在中心波段处具有第二波长的第二光L2的活性层330，并且第三子像素PX3的发光元件300可以包括发射在中心波段处具有第三波长的第三光L3的活性层330。
因此，可以从第一子像素PX1发射第一光L1，可以从第二子像素PX2发射第二光L2，并且可以从第三子像素PX3发射第三光L3。在一些实施例中，第一光L1可以是具有从450nm至495nm的范围的中心波段的蓝光，第二光L2可以是具有从495nm至570nm的范围的中心波段的绿光，并且第三光L3可以是具有从620nm至752nm的范围的中心波段的红光。
然而，本发明不限于此。在一些情况下，第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以包括发射基本上相同颜色的光的相同类型的发光元件300。
发光元件300可以在电极210与220之间设置在第二绝缘层510上。例如，发光元件300可以设置在在内堤410和420之间设置的第二绝缘层510上。然而，本发明不限于此，并且尽管未在附图中示出，但是设置在每个子像素PXn中的至少一些发光元件300可以设置在除了形成在内堤410和420之间的区域之外的区域处(例如，内堤410和420与外堤450之间的区域)。此外，发光元件300可以被设置为使得其部分区域在厚度方向上与电极210和220中的每个叠置。如上所述，在根据一个实施例的显示装置10中，由于第一电极210被设置为仅覆盖第一内堤410的一侧，因此发光元件300的一个端部在厚度方向上不与第一电极210叠置，并且其另一端部在厚度方向上与第二电极220叠置以放置在第二电极220上。
同时，尽管未在附图中示出，但在发光元件300中，可以在平行于第一基底110或第一绝缘层200的上表面的方向上设置多个层。根据一个实施例的显示装置10的发光元件300可以具有在一个方向上延伸的形状并且具有其中多个半导体层在一个方向上顺序地设置的结构。发光元件300可以被设置为使得发光元件300沿其延伸的一个方向平行于第一绝缘层200，并且发光元件300中所包括的多个半导体层可以在平行于第一绝缘层200的上表面的方向上顺序地设置。然而，本发明不限于此。在一些情况下，当发光元件300具有不同的结构时，多个层可以设置在垂直于第一绝缘层200的方向上。下面将参照其他附图提供发光元件300的结构的详细描述。
第三绝缘层520可以部分地设置在在第一电极210与第二电极220之间设置的发光元件300上。例如，第三绝缘层520可以被设置为部分地围绕发光元件300的外表面，因此可以保护发光元件300，并且还可以用于在显示装置10的制造工艺期间固定发光元件300。在平面图中，设置在发光元件300上的第三绝缘层520的一部分可以具有在第一电极210与第二电极220之间在第二方向DR2上延伸的形状。作为示例，第三绝缘层520可以在每个子像素PXn中形成条纹型或岛型图案。
根据一个实施例，第三绝缘层520可以设置在发光元件300上，并且可以暴露发光元件300的一个端部和另一端部。发光元件300的暴露的端部可以与下面将描述的接触电极261和262接触。可以通过使用典型的掩模工艺通过使用形成第三绝缘层520的材料的图案化工艺来形成这种形状的第三绝缘层520。用于形成第三绝缘层520的掩模的宽度比发光元件300的长度小，并且将形成第三绝缘层520的材料图案化以暴露发光元件300的两个端部。然而，本发明不限于此。
此外，在示例性实施例中，第三绝缘层520的材料的一部分可以设置在发光元件300的下表面与第二绝缘层510之间。第三绝缘层520可以形成为填充在显示装置10的制造工艺期间形成的在第二绝缘层510与发光元件300之间的空间。因此，第三绝缘层520可以形成为围绕发光元件300的外表面。然而，本发明不限于此。
多个接触电极261和262以及第四绝缘层530可以设置在第三绝缘层520上。
如图2中所示，多个接触电极261和262可以均具有在一个方向上延伸的形状。多个接触电极261和262可以分别与电极210和220以及发光元件300接触，并且发光元件300可以通过接触电极261和262从第一电极210和第二电极220接收电信号。
接触电极261和262可以包括第一接触电极261和第二接触电极262。第一接触电极261和第二接触电极262可以分别设置在第一电极210和第二电极220的部分区域中。第一接触电极261可以设置在第一电极210上，第二接触电极262可以设置在第二电极220上，并且第一接触电极261和第二接触电极262可以均具有在第二方向DR2上延伸的形状。第一接触电极261和第二接触电极262可以在第一方向DR1上彼此间隔开且彼此面对，并且可以在每个子像素PXn的发光区域EMA中形成条纹图案。
在一些实施例中，第一接触电极261和第二接触电极262中的每个在一个方向上测量的宽度可以比第一电极210和第二电极220或第二电极分支部分220B中的每个在一个方向上测量的宽度小。第一接触电极261和第二接触电极262可以被设置为分别与发光元件300的一个端部和另一端部接触，并且同时地分别与第一电极210和第二电极220的上表面部分地接触。如上所述，第一电极210和第二电极220中的每个的上表面可以部分地被暴露，并且第一接触电极261和第二接触电极262可以分别与第一电极210和第二电极220的暴露的上表面接触。例如，第一接触电极261可以与第一电极210的位于第一内堤410上的一部分接触，并且第二接触电极262可以与第二电极220的位于第二内堤420上的一部分接触。然而，本发明不限于此，并且在一些情况下，第一接触电极261和第二接触电极262可以被设置为分别完全地覆盖第一电极210和第二电极220的上表面。
如图3中所示，第二接触电极262设置在第二电极220和第二绝缘层510上。第二接触电极262可以与发光元件300的另一端部和第二电极220的暴露的上表面接触。发光元件300的另一端部可以通过第二接触电极262电连接到第二电极220。发光元件300具有在发光元件300的在延伸方向上的两个端表面上被暴露的半导体层，并且第一接触电极261和第二接触电极262可以在端表面上与发光元件300接触，半导体层在端表面上被暴露。然而，本发明不限于此。在一些情况下，发光元件300的两个端侧表面可以被部分地被暴露。在显示装置10的制造工艺期间，可以在形成覆盖发光元件300的外表面的第二绝缘层520的工艺中部分地去除围绕发光元件300的半导体层的外表面的绝缘膜380(见图4)，并且发光元件300的暴露的侧表面可以与第一接触电极261和第二接触电极262接触。
在附图中，示出了一个第一接触电极261和一个第二接触电极262设置在一个子像素PXn中，但本发明不限于此。第一接触电极261和第二接触电极262的数量可以根据设置在每个子像素PXn中的第一电极210和第二电极220的数量而变化。
第四绝缘层530设置在第二接触电极262上。由于第四绝缘层530被设置为覆盖第二接触电极262，因此第四绝缘层530可以使第一接触电极261和第二接触电极262彼此电绝缘。具体地，第四绝缘层530可以被设置为覆盖第二接触电极262，并且可以不设置在发光元件300的另一端部上，使得发光元件300可以与第一接触电极261接触。第四绝缘层530可以在第三绝缘层520的上表面处与第二接触电极262和第三绝缘层520部分地接触。第四绝缘层530的在其中设置有第一电极210的方向上的侧表面可以与第三绝缘层520的一个侧表面对准。然而，本发明不限于此。
第一接触电极261设置在第一电极210、第三绝缘层520和第四绝缘层530上。第一接触电极261可以与发光元件300的一个端部和第一电极210的暴露的上表面接触。发光元件300的一个端部可以通过第一接触电极261电连接到第二电极210。
也就是说，第二接触电极262设置在第一电极220与第四绝缘层530之间，并且第一接触电极261可以设置在第四绝缘层530上。第一接触电极261可以与第三绝缘层520、第四绝缘层530、第一电极210和发光元件300部分地接触。第一接触电极261的在其中设置有第二电极220的方向上的一个端部可以设置在第四绝缘层530上。第一接触电极261和第二接触电极262可以由于第三绝缘层520和第四绝缘层530而彼此不接触。然而，本发明不限于此，并且在一些情况下，可以省略第四绝缘层530。
接触电极261和262可以包括导电材料。例如，接触电极261和262可以包括ITO、IZO、ITZO、铝(Al)等。然而，本发明不限于此。
第五绝缘层550可以完全地设置在第一基底110上。第五绝缘层550可用于保护设置在第一基底110上的构件免受外部环境的影响。
上面所描述的第二绝缘层510、第三绝缘层520、第四绝缘层530和第五绝缘层550中的每个可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在示例性实施例中，第二绝缘层510、第三绝缘层520、第四绝缘层530和第五绝缘层550可以均包括无机绝缘材料(诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)等)。此外，第二绝缘层510、第三绝缘层520、第四绝缘层530和第五绝缘层550可以均包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯撑树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、cardo树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂等作为有机绝缘材料。然而，本发明不限于此。
同时，发光元件300可以是发光二极管，并且具体地，可以是具有微米单位或纳米单位的尺寸并且由无机材料制成的无机发光二极管。无机发光二极管可以在两个电极之间对准，其中通过在彼此面对的两个电极之间在特定方向上形成电场来形成极性。发光元件300可以由于形成在两个电极上的电场而在两个电极之间对准。
根据一个实施例的发光元件300可以具有在一个方向上延伸的形状。发光元件300可以具有杆状、线状或管状等的形状。在示例性实施例中，发光元件300可以具有圆柱形状或杆状形状。然而，发光元件300的形状不限于此，发光元件300也可以具有立方体、长方体、诸如六角柱的多边形柱等的形状，或者具有在一个方向上延伸且具有部分倾斜的外表面的形状。因此，发光元件300可以具有各种形状。下面将描述的包括在发光元件300中的多个半导体可以具有其中半导体在一个方向上顺序地设置或堆叠的结构。
发光元件300可以包括掺杂有任何导电类型(例如，p型或n型)杂质的半导体层。半导体层可以接收从外部电源施加的电信号并且发射特定波长范围内的光。
图4是根据一个实施例的发光元件的示意图。
参照图4，发光元件300可以包括第一半导体层310、第二半导体层320、活性层330、电极层370和绝缘膜380。
第一半导体层310可以是n型半导体层。作为示例，当发光元件300发射蓝色波长范围内的光时，第一半导体层310可以包括具有化学式为AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，半导体材料可以是掺杂有n型杂质的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的一种或更多种。第一半导体层310可以掺杂有n型掺杂剂。作为示例，n型掺杂剂可以是Si、Ge、Sn等。在示例性实施例中，第一半导体层310可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第一半导体层310的长度可以在1.5μm至5μm的范围内，但本发明不限于此。
第二半导体层320设置在下面将描述的活性层330上。第二半导体层320可以是p型半导体。作为示例，当发光元件300发射蓝色波长范围或绿色波长范围内的光时，第二半导体层320可以包括具有化学式为AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，半导体材料可以是掺杂有p型杂质的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的一种或更多种。第二半导体层320可以掺杂有p型掺杂剂。作为示例，p型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Se、Ba等。在示例性实施例中，第二半导体层320可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第二半导体层320的长度可以在0.05μm至0.10μm的范围内，但本发明不限于此。
同时，第一半导体层310和第二半导体层320中的每个在附图中被示出为形成为一个层，但本发明不限于此。根据一些实施例，第一半导体层310和第二半导体层320中的每个还可以根据活性层330的材料而包括更多数量的层(例如，包覆层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层)。下面将参照其他附图提供其描述。
活性层330设置在第一半导体层310与第二半导体层320之间。活性层330可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当活性层330包括具有多量子阱结构的材料时，活性层330可以具有其中有量子层和阱层交替地堆叠的结构。响应于通过第一半导体层310和第二半导体层320施加的电信号，活性层330可以由于电子-空穴对的结合而发射光。作为示例，当活性层330发射蓝色波长范围内的光时，活性层330可以包括诸如AlGaN、AlGaInN等的材料。具体地，当活性层330具有其中量子层和阱层交替地堆叠的多量子阱结构时，量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料，并且阱层可以包括诸如GaN或AlInN的材料。在示例性实施例中，活性层330包括作为量子层的AlGaInN和作为阱层的AlInN。如上所述，活性层330可以发射具有从450nm至495nm的范围的中心波段的蓝光。
然而，本发明不限于此，并且活性层330可以具有其中具有大的带隙能量的半导体材料和具有小的带隙能量的半导体材料交替地堆叠的结构，或者根据发射的光的波长范围而包括其他Ⅲ族或Ⅴ族半导体材料。由活性层330发射的光不限于蓝色波长范围内的光，并且在一些情况下，活性层330也可以发射红色波长范围或绿色波长范围内的光。活性层330的长度可以在0.05μm至0.10μm的范围内，但本发明不限于此。
同时，从活性层330发射的光不仅可以发射到发光元件300的外表面，而且可以发射到发光元件300的在长度方向上的两个侧表面。从活性层330发射的光的方向性不限于一个方向。
电极层370可以是欧姆接触电极。然而，本发明不限于此，并且电极层370也可以是肖特基接触电极。发光元件300可以包括至少一个电极层370。尽管发光元件300在图4中被示出为包括单个电极层370，但本发明不限于此。在一些情况下，发光元件300可以包括更多数量的电极层370，或者可以省略电极层370。即使电极层370的数量变化或者进一步包括另一结构，也可以同样应用下面将提供的发光元件300的描述。
当发光元件300电连接到电极210和220或者接触电极261和262时，电极层370可以降低发光元件300与电极或接触电极之间的电阻。电极层370可以包括导电金属。例如，电极层370可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)之中的至少一种。此外，电极层370可以包括掺杂有n型或p型杂质的半导体材料。电极层370可以包括相同的材料或不同的材料，但本发明不限于此。
绝缘膜380被设置为围绕上面描述的多个半导体层和电极层的外表面。在示例性实施例中，绝缘膜380可以被设置为至少围绕活性层330的外表面，并且可以在发光元件300沿其延伸的一个方向上延伸。绝缘膜380可以用于保护构件。作为示例，绝缘膜380可以形成为围绕构件的侧表面部分并且使发光元件300的在长度方向上的两个端部暴露。
在附图中，绝缘膜380被示出为形成为在发光元件300的长度方向上延伸，以从第一半导体层310覆盖到电极层370的侧表面，但本发明不限于此。由于绝缘膜380仅覆盖包括活性层330的一些半导体层的外表面，或者仅覆盖电极层370的外表面的一部分，所以电极层370的外表面可以部分地暴露。此外，绝缘膜380的上表面可以在与发光元件300的至少一个端部相邻的区域中形成为圆形截面。
绝缘膜380的厚度可以在10nm至1.0μm的范围内，但本发明不限于此。优选地，绝缘膜380的厚度可以为约40nm。
绝缘膜380可以包括具有绝缘性质的材料(例如，氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)等)。因此，可以防止可能在活性层330与电信号通过其传输到发光元件300的电极直接接触时发生的电短路。此外，由于绝缘膜380保护包括活性层330的发光元件300的外表面，因此能够防止发光效率的劣化。
此外，在一些实施例中，可以对绝缘膜380的外表面进行表面处理。当制造显示装置10时，发光元件300可以通过以分散在预定墨中的状态喷射在电极上而对准。在此，为了保持使发光元件300分散在墨中而不与另一相邻的发光元件300聚集的状态，可以将绝缘膜380的表面处理为疏水性的或亲水性的。
发光元件300可以具有从1μm至10μm或者从2μm至6μm的范围(优选地在3μm至5μm的范围)的长度h。此外，发光元件300的直径可以在300nm至700nm的范围内，并且发光元件300的纵横比可以在1.2至100的范围内。然而，本发明不限于此，并且包括在显示装置10中的多个发光元件300可以根据活性层330的成分差异而具有不同的直径。优选地，发光元件300的直径可以具有约500nm的范围。
在根据一个实施例的显示装置10中，由于第一电极210被设置为仅覆盖第一内堤410的一侧(例如，与第一内堤410的面对第二内堤420的另一侧相对的一侧)，因此第一电极210与第二电极220之间的距离可以比第一内堤410与第二电极220之间的距离大。此外，设置在第一内堤410与第二内堤420之间的发光元件300可以在厚度方向上不与第一电极210叠置。
如上所述，在显示装置10中，由于第一电极210被设置为仅覆盖第一内堤410的一侧，因此第二电极220与第一电极210之间的竖直距离可以比第二电极220与第一电压线191之间的竖直距离大。因此，形成在第二电极220与第一电压线191之间的电场具有比形成在第二电极220与第一电极210之间的电场的强度高，并且由于高强度的电场，发光元件300可以以高对准程度设置。
在下文中，将参照其他附图描述显示装置10的制造工艺。在下文中，将详细描述显示装置10的制造工艺的顺序，并且将省略对形成每个构件的方法的描述。
图5是示出根据一个实施例的显示装置的制造工艺的一部分的剖视图。图6是示出根据一个实施例的显示装置的制造工艺的一部分的平面图。
首先，参照图5和图6，形成第一基底110、设置在第一基底110上的电路元件层和设置在电路元件层上的第一绝缘层200，并且在第一绝缘层200上形成内堤410和420、第一电极线210'和第二电极220。如上所述，电路元件层包括第一晶体管120、第二晶体管140、多条电压线191和192等。将省略其详细的描述。
具体地，在第一绝缘层200上形成第一内堤410和第二内堤420，并且在第一内堤410和第二内堤420上分别形成第一电极线210'和第二电极220。如上所述，第二电极220的在一个方向上测量的宽度形成为比第二内堤420的在一个方向上测量的宽度大，使得第二电极220被设置为覆盖第二内堤420的外表面。另一方面，第一电极线210'的在一个方向上测量的宽度形成为比第二电极220的在一个方向上测量的宽度小，使得第一电极线210'被设置为仅覆盖第一内堤410的一个侧表面。
同时，如图6中所示，在显示装置10的制造工艺期间，第一电极线210'可以形成为在第二方向DR2上延伸并且也设置在相邻的子像素PXn中。第一电极线210'和第二电极220也可以设置在位于显示区域DPA的***部分处的非显示区域NDA中，并且在设置发光元件300的工艺中，设置在非显示区域NDA中的第一电极线210'和第二电极220可以电连接到外部装置(未示出)以直接接收对准信号。此后，在后续工艺中，可以执行使第一电极线210'的部分区域断开的工艺，从而形成第一电极210。
图7和图8是示出根据一个实施例的显示装置的制造工艺的一部分的剖视图。
随后，参照图7，在第一绝缘层200上形成被设置为覆盖第一电极线210'和第二电极220的第二绝缘材料层510'，并且在第二绝缘材料层510'上形成外堤450。由于在图7的第二绝缘材料层510'中未形成开口(未示出)，因此第二绝缘材料层510'可以完全地覆盖第一电极线210'和第二电极220。在随后的工艺中，可以部分地蚀刻第一绝缘材料层510'，并且可以形成部分地暴露第一电极210和第二电极220中的每个的上表面的开口(未示出)，从而形成第二绝缘层510。
外堤450设置在第二绝缘材料层510'上的每个子像素PXn的边界处，以围绕内堤410和420。在设置发光元件300的工艺中，外堤450可以防止喷射在电极210和220上的墨溢出到另一相邻的子像素PXn。其描述与上述相同。
接着，参照图8，在第一电极线210'与第二电极220之间形成电场E，以使发光元件300在第一电极线210'与第二电极220之间对准。在一些实施例中，发光元件300可以通过喷墨工艺以分散在预定墨中的状态喷射在每个像素PX或子像素PXn中，并且可以通过在第一电极线210'与第二电极220之间形成电场E的工艺在电极210和220之间对准。当分散在墨中的发光元件300被喷射并且然后将对准信号施加到第一电极线210'和第二电极220(或者第一电压线191和第二电压线192)时，在它们之间形成电场E，并且发光元件300可以由于电场而受到介电泳力。已经受到介电泳力的发光元件300可以在第一电极线210'与第二电极220之间对准，同时发光元件300的取向方向和位置在墨中改变。
在此，第一电极线210'和第二电极220中的一个电极可以是接地的，并且交流(AC)电可以施加到另一电极。例如，当第一电极线210'接地并且AC电施加到第二电极220时，AC电可以直接施加到第二电极220而不是第二电压线VSSL。如上所述，在显示装置10的制造工艺期间，可以通过连接到第二电极220的线来执行将AC电施加到第二电极220的工艺，并且此后，可以执行使该线断开的工艺。
同时，可以在第一内堤410与第二内堤420之间(或者第一电极210与第二电极220之间)形成其中设置有发光元件300的对准区域AA。在对准区域AA中，可以由于施加到第一电极210和第二电极220(或者第一电压线191和第二电压线192)的对准信号而形成电场，并且发光元件300可以通过由于电场而受到介电泳力来设置在第一电极210与第二电极220之间。
如上所述，在根据一个实施例的显示装置10中，第一电极210或第一电极线210'与第二电极220之间的竖直距离W2(参见图7)可以比第二电极220与第一电压线191之间的竖直距离W1(参见图7)大。在设置发光元件300的工艺中，可以将对准信号施加到第一电极210、第二电极220、第一电压线191和第二电压线192中的每个。与第一电极210不同，由于第一电压线191设置在与第二电极220不同的层，因此第一电压线191与第二电极220之间的竖直距离W1可以形成为比第一电极210与第二电极220之间的竖直距离W2小。因此，可以在第一电压线191与第二电极220之间形成比在第一电极210与第二电极220之间形成的电场的强度高的强度的电场。发光元件300可以由于高强度的电场而受到强介电泳力，并且可以以高对准程度设置在电极210和220之间。
此外，由于第一电极210仅设置在第一内堤410的一侧上，而不设置在第一内堤410的与第二内堤420间隔开且面对第二内堤420的另一侧上，因此形成在第一电压线191与第二电极220之间的电场不会被第一电极210阻挡。也就是说，根据一个实施例，第一电极210被设置为覆盖第一内堤410的一侧，并且第一电压线191可以在厚度方向上与第一内堤410的其中未设置有第一电极210的另一侧叠置。第一电压线191可以在第一内堤410的另一侧处在厚度方向上不与第一电极210叠置。
同时，也可以在设置发光元件300的工艺中将对准信号施加到第二电压线192，并且尽管未在附图中示出，但是第一电压线191与第二电压线192之间的竖直距离可以比第一电压线191与第二电极220之间的竖直距离W1大。因此，当将对准信号施加到电极210和220中的每个以及电压线191和192中的每条时，可以在第一电压线191与第二电极220之间形成最强的电场。然而，本发明不限于此。
图9是示出根据一个实施例的显示装置的制造工艺的一部分的平面图。
接着，参照图9，将第一电极线210'的一部分断开以形成第一电极210。可以通过典型的图案化工艺执行使第一电极线210'断开的工艺。此外，尽管未在附图中示出，但是在第二电极220的情况下，也可以执行将连接在非显示区域NDA中并且向其施加有对准信号的线断开的工艺。
接着，形成设置在发光元件300上的第三绝缘层520、第四绝缘层530、第一接触电极261和第二接触电极262。
图10至图15是示出根据一个实施例的显示装置的制造工艺的一部分的剖视图。
首先，参照图10，在第二绝缘材料层510'上形成被设置为覆盖第二绝缘材料层510'的第三绝缘材料层520'。在后续的工艺中，可以将第三绝缘材料层520'的部分区域与第二绝缘材料层510'一起图案化，以形成第三绝缘层520。第三绝缘材料层520'可以完全地设置在第二绝缘材料层510'上，并且可以固定发光元件300，使得发光元件300在后续的工艺中不移位。
接着，参照图11和图12，将第二绝缘材料层510'和第三绝缘材料层520'部分地图案化以暴露第二电极220的一部分和发光元件300的一个端部，并且形成与暴露的第二电极220和发光元件300接触的第二接触电极262。第二电极220的设置在第二内堤420上的一部分可以被部分地暴露。可以通过典型的图案化工艺执行将第二绝缘材料层510'和第三绝缘材料层520'图案化的工艺以及形成第二接触电极262的工艺。将省略对其的详细描述。
接着，参照图13，形成被设置为覆盖第二接触电极262的上表面和第三绝缘材料层520'的第四绝缘材料层530'。在后续工艺中，可以将第四绝缘材料层530'与第三绝缘材料层520'一起部分地图案化以形成第四绝缘层530。
接着，参照图14和图15，将第二绝缘材料层510'、第三绝缘材料层520'和第四绝缘材料层530'中的每个的部分区域图案化，以暴露第一电极210和发光元件300的另一端部，并且形成与暴露的第一电极210和发光元件300接触的第一接触电极261。设置在第一内堤410上的第一电极210的一部分可以被部分地暴露。在本工艺中，可以将第二绝缘材料层510'、第三绝缘材料层520'和第四绝缘材料层530'图案化，以分别形成第二绝缘层510、第三绝缘层520和第四绝缘层530。
同时，在图10至图15中，第一接触电极261和第二接触电极262被示出为以包括形成第四绝缘层530的工艺的不同的工艺形成。然而，本发明不限于此，并且第一接触电极261和第二接触电极262可以在一个工艺中同时形成。这将在下面参照其他实施例详细描述。
随后，尽管未在附图中示出，但是形成被设置为覆盖设置在第一基底110上的构件的第五绝缘层550，从而制造根据一个实施例的显示装置10。
在下文中，将描述显示装置10的各种实施例。
图16是示出根据另一实施例的显示装置的一部分的剖视图。
参照图16，在根据一个实施例的显示装置10_1中，可以省略第四绝缘层530。本实施例与图3的实施例的不同之处在于省略了第四绝缘层530。在下文中，将省略重复的描述，并且将基于与上述内容的差异来提供描述。
在图16的显示装置10_1中，省略了第四绝缘层530，并且第一接触电极261_1可以直接设置在第三绝缘层520_1上。在一些实施例中，当第三绝缘层520_1包括有机绝缘材料时，第一接触电极261_1和第二接触电极262_1可以在一个工艺中同时形成。
图17和图18是示出图16的显示装置的制造工艺的一部分的剖视图。
参照图17和图18，如图17中所示，在将发光元件300设置在第一电极210与第二电极220之间之后，第一电极210和第二电极220中的每个的上表面的一部分可以在形成第三绝缘层520_1的工艺中同时被暴露。此后，可以在设置在发光元件300上的第三绝缘层520_1上同时形成第一接触电极261_1和第二接触电极262_1，但第一接触电极261_1和第二接触电极262_1彼此间隔开。因此，第一接触电极261_1的下表面的一部分可以与第三绝缘层520_1直接接触。在根据本实施例的显示装置10_1中，由于省略了第三绝缘层530，并且在一个工艺中同时形成第一接触电极261_1和第二接触电极262_1，因此可以减少显示装置10_1的制造工艺的数量。
同时，显示装置10可以包括更多数量的内堤410和420以及更多数量的电极210和220。
图19是示出根据又一实施例的显示装置的一个子像素的平面图。图20是示出图19的显示装置的一部分的剖视图。
参照图19和图20，根据一个实施例的显示装置10_2还可以包括：设置在第一内堤410_2与第二内堤420_2之间的第三内堤430_2和第四内堤440_2；设置在第一电极210_2与第二电极220_2之间的第三电极230_2和第四电极240_2；以及设置在第一接触电极261_2与第二接触电极262_2之间的第三接触电极263_2和第四接触电极264_2。本实施例与图2和图3的实施例的不同之处在于，还包括第三内堤430_2、第四内堤440_2、第三电极230_2和第四电极240_2。在下文中，将省略重复的描述，并且将基于与上述内容的差异来提供描述。
图24和图25的显示装置10_2还可以包括第三内堤430_2和第四内堤440_2。第三内堤430_2和第四内堤440_2可以具有与第一内堤410_2和第二内堤420_2的结构基本上相同的结构。也就是说，第三内堤430_2和第四内堤440_2在每个子像素PXn中在第二方向DR2上延伸，并且可以面对以在第一方向DR1上分别与第一内堤410_2和第二内堤420_2间隔开。例如，可以在第一方向DR1上从子像素PXn的一侧朝向子像素PXn的另一侧顺序地设置第一内堤410_2、第三内堤430_2、第四内堤440_2和第二内堤420_2以使第一内堤410_2、第三内堤430_2、第四内堤440_2和第二内堤420_2彼此间隔开。如下面将描述的，可以在第一内堤410_2、第三内堤430_2、第四内堤440_2和第二内堤420_2之间形成其中设置有发光元件300的对准区域AA，并且可以针对每个子像素PXn设置更多数量的发光元件300。
第三电极230_2设置在第三内堤430_2上，并且第四电极240_2设置在第四内堤440_2上。第三电极230_2和第四电极240_2可以均具有与第一电极210_2的形状类似的形状。第三电极230_2和第四电极240_2可以被设置为分别在第三内堤430_2和第四内堤440_2上在第二方向DR2上延伸，并且可以彼此间隔开并在第一方向DR1上彼此面对。例如，可以在第一方向DR1上从子像素PXn的一侧朝向子像素PXn的另一侧顺序地设置第一电极210_2、第三电极230_2、第四电极240_2和第二电极220_2以使第一电极210_2、第三电极230_2、第四电极240_2和第二电极220_2彼此间隔开。
然而，与第一电极210_2和第二电极220_2不同，第三电极230_2和第四电极240_2可以不电连接到设置在每个像素PX或子像素PXn中的电路元件或线。第一电极210_2可以通过第一导电图案196电连接到第一晶体管120，并且第二电极220_2可以电连接到第二电压线192_2，但是第三电极230_2和第四电极240_2可以是不电连接到第一晶体管120和第二电压线192_2的浮置电极。第三电极230_2和第四电极240_2可以是传输到第一电极210_2和第二电极220_2的电信号通过其流动而不是直接传输从电路元件或线施加的电信号的电极。
同时，根据一个实施例，第三电极230_2可以被设置为仅覆盖第三内堤430_2的一侧(例如，面对第一内堤410_2的一侧)，并且第四电极240_2可以被设置为仅覆盖第四内堤440_2的一侧(例如，面对第三内堤430_2的一侧)。以与第一电极210_2相同的方式，第三电极230_2和第四电极240_2也可以被设置为部分地暴露第三内堤430_2和第四内堤440_2。如下面将描述的，在显示装置10_2中，第二数据导电层可以包括更多数量的导电线，并且电极中的每个与线中的每条之间的竖直距离可以比电极210_2、220_2、230_2和240_2之间的竖直距离小。因此，第三电极230_2和第四电极240_2可以被设置为分别仅覆盖第三内堤430_2和第四内堤440_2的部分，以便不阻挡形成在电极中的每个与导电线中的每条之间的电场。下面将参照其他附图提供对其的详细描述。
还可以在第三电极230_2上设置第三接触电极263_2，并且还可以在第四电极240_2上设置第四接触电极264_2。与第一接触电极261_2和第二接触电极262_2不同，第三接触电极263_2和第四接触电极264_2可以具有比相应的电极大的宽度。根据一个实施例，第三接触电极263_2和第四接触电极264_2中的每个在一个方向上测量的宽度可以比第三电极230_2和第四电极240_2中的每个在一个方向上测量的宽度大。因此，第三接触电极263_2可以与设置在第一电极210_2与第三电极230_2之间的发光元件300以及设置在第三电极230_2与第四电极240_2之间的发光元件300同时接触。第四接触电极264_2可以与设置在第三电极230_2与第四电极240_2之间的发光元件300以及设置在第四电极240_2与第二电极220_2之间的发光元件300同时接触。
具体地，根据一个实施例，在显示装置10_2中，第三接触电极263_2可以包括第三-第一接触电极263a_2和第三-第二接触电极263b_2，并且第四接触电极264_2可以包括第四-第一接触电极264a_2和第四-第二接触电极264b_2。如图20中所示，第三-第一接触电极263a_2可以与设置在第一电极210_2与第三电极230_2之间的发光元件300的一个端部以及第三电极230_2接触，并且第三-第二接触电极263b_2可以与设置在第三电极230_2与第四电极240_2之间的发光元件300的一个端部以及第三电极230_2接触。此外，第四-第一接触电极264a_2可以与设置在第三电极230_2与第四电极240_2之间的发光元件300的另一端部以及第四电极240_2接触，并且第四-第二接触电极264b_2可以与设置在第四电极240_2与第二电极220_2之间的发光元件300的一个端部以及第四电极240_2接触。
在显示装置10_2的制造工艺期间，可以执行两次形成接触电极的工艺。在所述工艺之中，可以在形成第二接触电极262_2的工艺中同时形成第三-第一接触电极263a_2和第四-第一接触电极264a_2，并且可以在形成第一接触电极261_2的工艺中同时形成第三-第二接触电极263b_2和第四-第二接触电极264b_2。第三-第一接触电极263a_2和第三-第二接触电极263b_2可以均与第三电极230_2接触，并且同时可以彼此接触，从而形成一个第三接触电极263_2。在同一方面，第四-第一接触电极264a_2和第四-第二接触电极264b_2可以均与第四电极240_2接触，并且同时彼此接触，从而形成一个第四接触电极264_2。作为示例，第三-第一接触电极263a_2和第三-第二接触电极263b_2可以在第三电极230_2上彼此接触，并且第四-第一接触电极264a_2和第四-第二接触电极264b_2可以在第四电极240_2上彼此接触，但是在一些情况下，一个接触电极可以设置在另一个接触电极上以彼此接触。
然而，本发明不限于此。在一些情况下，第三-第一接触电极263a_2和第三-第二接触电极263b_2以及第四-第一接触电极264a_2和第四-第二接触电极264b_2可以分别与第三电极230_2和第四电极240_2接触，但是可以与其间隔开而不与其接触。即使第三电极230_2和第四电极240_2是浮置电极，发光元件300中的一些也可以通过第三接触电极263_2和第四接触电极264_2从第一电极210_2和第二电极220_2接收电信号。
当通过第一电极210_2传输电信号时，电信号可以传输到设置在第一电极210_2与第三电极230_2之间的发光元件300的一个端部。电信号可以传输到第三接触电极263_2和第三电极230_2，并且可以传输到设置在第三电极230_2与第四电极240_2之间的发光元件300。以相同的方式，电信号可以传输到第四接触电极264_2和第四电极240_2，并且可以传输到设置在第四电极240_2与第二电极220_2之间的发光元件300。设置在第三电极230_2与第四电极240_2之间的发光元件300可以仅分别通过第三电极230_2和第四电极240_2接收通过第一电极210_2和第二电极220_2中的每个传输的电信号，并且可以将这些电极串联连接。根据一个实施例的显示装置10_2还可以包括第三电极230_2和第四电极240_2，使得多个发光元件300中的一些可以串联连接，从而提高发光效率。
同时，在附图中，示出了设置有一个第三内堤430_2、一个第三电极230_2、一个第四内堤440_2和一个第四电极240_2，但本发明不限于此。在一些情况下，可以增加设置在第一电极210_2与第二电极220_2之间的第三电极230_2和第四电极240_2的数量，并且在一些实施例中，在它们之中，可以省略一个电极。显然，上面的描述类似地适用于第三内堤430_2和第四内堤440_2。
此外，由于显示装置10_2包括更多数量的电极，因此也可以在第二数据导电层上设置更多数量的导电线。第二数据导电层还可以包括第三电压线193_2和第四电压线194_2，并且在显示装置10_2的制造工艺期间，通过第三电压线193_2和第四电压线194_2施加的对准信号可以在多个对准区域AA中形成电场。
图21至图26是示出图19的显示装置的制造工艺的一部分的剖视图和平面图。
首先，参照图21和图22，在第一绝缘层200上形成第一内堤410_2、第二内堤420_2、第三内堤430_2和第四内堤440_2，并且形成分别设置在第一内堤410_2、第二内堤420_2、第三内堤430_2和第四内堤440_2上的第一电极线210'_2、第二电极220_2、第三电极线230'_2和第四电极线240'_2。用于其布置的描述与上述相同。例如，第二电极220_2形成为具有比第二内堤420_2的宽度大的宽度并且被设置为覆盖第二内堤420_2的外表面，并且第一电极线210'_2、第三电极线230'_2和第四电极线240'_2被设置为仅覆盖第一内堤410_2、第三内堤430_2和第四内堤440_2的相应一侧。可以在后续工艺中使第一电极线210'_2、第三电极线230'_2和第四电极线240'_2部分地断开，以分别形成第一电极210_2、第三电极230_2和第四电极240_2。
同时，除了第一电压线191_2和第二电压线192_2之外，第二数据导电层还可以包括第三电压线193_2和第四电压线194_2。可以以与第一电压线191_2相同的方式将第一电源电压VDD施加到第三电压线193_2，并且可以以与第二电压线192_2相同的方式将第二电源电压VSS施加到第四电压线194_2。如上所述，由于设置在第一绝缘层200上的电极之间的竖直距离形成为比电极中的每个与电压线中的每条之间的竖直距离大，因此可以在显示装置10_2的制造工艺期间在电极中的每个与电压线中的每条之间形成较强的电场。
参照图23和图24，首先，在第二电极220_2与第四电极线240'_2之间形成电场E，以使发光元件300在第四电极线240'_2与第二电极220_2之间对准。
可以在第二内堤420_2与第四内堤440_2之间形成第一对准区域AA1，可以在第四内堤440_2与第三内堤430_2之间形成第二对准区域AA2，并且可以在第三内堤430_2与第一内堤410_2之间形成第三对准区域AA3。如上所述，由于施加到电极220_2或电极线210'_2、230'_2和240'_2以及电压线191_2、192_2、193_2和194_2中的每个的对准信号，可以在对准区域AA1、AA2和AA3中的每个中形成电场，并且发光元件300可以通过由于电场而受到介电泳力来设置在第一电极210与第二电极220之间。
如上所述，在根据一个实施例的显示装置10_2中，一个电极和与其相邻的另一电极之间的竖直距离W2(图24)可以比所述一个电极和与其相邻的电压线之间的竖直距离W1(图24)大。
例如，第二电极220_2与设置在第四内堤440_2下方的第三电压线193_2之间的竖直距离W1可以形成为比第二电极220_2与第四电极线240'_2或第四电极240_2之间的竖直距离W2小。由于第四电极240_2或第四电极线240'_2仅设置在第四内堤440_2的一侧上，而不设置在第四内堤440_2的被设置为与第二内堤420_2间隔开并面对第二内堤420_2的另一侧上，因此形成在第三电压线193_2与第二电极220_2之间的电场可以不被第四电极240_2或第四电极线240'_2阻挡。也就是说，根据一个实施例，第四电极240_2被设置为覆盖第四内堤440_2的一侧，并且第三电压线193_2可以在厚度方向上与第四内堤440_2的其上未设置有第四电极240_2的另一侧叠置。在第四内堤440_2的另一侧处，第三电压线193_2可以不与第四电极240_2在厚度方向上叠置。
因此，可以在第三电压线193_2与第二电极220_2之间形成比第二电极220_2与第四电极240_2或第四电极线240'_2之间强度高的电场。发光元件300可以由于高强度的电场而受到强的介电泳力，并且可以以高的对准程度设置在电极之间。同时，第二电压线192_2与第三电压线193_2之间的竖直距离可以比第三电压线193_2与第二电极220_2之间的竖直距离W1大。其描述与上述相同。
在同一方面，第四电极240_2或第四电极线240'_2与设置在第三内堤430_2下方的第四电压线194_2之间的竖直距离W1可以形成为比第四电极240_2或第四电极线240'_2与第三电极线230'_2或第三电极230_2之间的竖直距离W2小。此外，第三电极230_2或第三电极线230'_2与设置在第一内堤410_2下方的第一电压线191_2之间的竖直距离W1可以形成为比第三电极230_2或第三电极线230'_2与第一电极线210'_2或第一电极210_2之间的竖直距离W2小。根据一个实施例，第三电极230_2可以被设置为覆盖第三内堤430_2的一侧，并且第四电压线194_2可以在厚度方向上与第三内堤430_2的其上未设置有第三电极230_2的另一侧叠置。在第三内堤430_2的另一侧处，第四电压线194_2可以不与第三电极230_2在厚度方向上叠置。
接着，参照图25和图26，发光元件300也在第二对准区域AA2和第三对准区域AA3中的每个中对准。在附图中，发光元件300被示出为以不同的工艺在对准区域AA1、AA2和AA3中的每个中对准，但本发明不限于此。在一些情况下，设置在第一对准区域AA1、第二对准区域AA2和第三对准区域AA3中的发光元件300可以在同一工艺中同时对准。
此后，尽管未在附图中示出，但是可以通过在发光元件300上形成第三绝缘层520、第一接触电极261_2、第二接触电极262_2、第三接触电极263_2、第四接触电极264_2、第四绝缘层530和第五绝缘层550来制造图19的显示装置10_2。将省略对其的详细描述。
此外，显示装置10可以包括更多数量的第一电极210和第二电极220，使得可以针对每个子像素PXn设置更多数量的发光元件300并且可以将更多数量的发光元件300并联连接。
图27是示出根据再一实施例的显示装置的一个子像素的平面图。
参照图27，根据一个实施例的显示装置10_3可以包括多个第一内堤410_3、多个第二内堤420_3、多个第一电极210_3和多个第二电极220_3，并且多个发光元件300可以设置在它们之间。本实施例与图2的实施例的不同之处在于，包括更多数量的内堤410_3和420_3以及电极210_3和220_3。在下文中，将省略重复的描述，并且将基于与上述内容的差异来提供描述。
在图27的显示装置10_3中，可以设置多个第一内堤410_3和多个第二内堤420_3，并且所述多个第一内堤410_3和所述多个第二内堤420_3可以在子像素PXn中在第一方向DR1上交替地设置。此外，可以设置多个第一电极210_3和多个第二电极220_3，并且所述多个第一电极210_3和所述多个第二电极220_3可以在第一方向DR1上交替地设置。可以将本实施例理解为其中在图2的实施例中在一个子像素PXn中进一步设置一对内堤410_3和420_3以及一对电极210_3和220_3的实施例。以相同的方式，还可以进一步设置一对第一接触电极261_3和第二接触电极262_3。尽管在附图中未示出，但是第二数据导电层还可以包括更多数量的第一电压线191和第二电压线192。在本实施例中，每个子像素PXn具有较大的面积，并且设置有更多数量的电极，使得每单位子像素PXn设置的发光元件300的数量增加。发光元件300中的每个可以彼此并联连接，并且每单位子像素PXn发射的光的量可以增加。
同时，在一些实施例中，第一电极210和第二电极220中的每个还可以包括在第一方向DR1上延伸的主干部分。
图28是示出根据再一实施例的显示装置的一个像素的平面图。
参照图28，在根据一个实施例的显示装置10_4中，第二电极220_4可以包括在第一方向DR1上延伸的第二电极主干部分220S_4和在第二方向DR2上从第二电极主干部分220S_4分支的第二电极分支部分220B_4。本实施例与图2的实施例的不同之处在于第二电极220_4的形状不同。在下文中，将省略重复的描述，并且将基于与上述内容的差异来提供描述。
在图28的显示装置10_4中，第二电极220_4可以包括第二电极主干部分220S_4。第二电极主干部分220S_4可以被设置为在第一方向DR1上延伸以与相邻的子像素PXn交叉，并且在第一方向DR1上相邻的子像素PXn或像素PX可以共享一个第二电极主干部分220S_4。从第二电极主干部分220S_4分支的第二电极分支部分220B_4可以设置在子像素PXn中的每个中。第二电极分支部分220B_4可以设置在第二内堤420上，并且可以与第一电极210间隔开并面对第一电极210。也就是说，图28的第二电极分支部分220B_4可以与图2的第二电极220基本上相同。
第二电极主干部分220S_4可以在第一方向DR1上延伸，并且还可以设置在位于显示区域DPA的***部分处的非显示区域NDA中。尽管在附图中未示出，但是与图2的实施例不同，不针对每个子像素PXn形成第二电极接触孔CNTS(图2)，并且第二电极220_4可以通过形成在非显示区域NDA中的第二电极接触孔CNTS电连接到第二电压线192。在根据本实施例的显示装置10_4中，共享一个第二电极主干部分220S_4的子像素PXn可以通过第二电极220_4接收相同的电信号(例如，第二电源电压VSS)。在这种情况下，可以不针对每个子像素PXn设置第二电压线192。
图29是示出根据再一实施例的显示装置的一个子像素的平面图。图30是沿着图29的线II-II'截取的剖视图。
参照图29和图30，根据一个实施例的显示装置10_5可以包括多个第一内堤410_5，并且第二内堤420_5可以设置在多个第一内堤410_5之间。此外，第一电极210_5可以包括第一电极主干部分210S_5和第一电极分支部分210B_5，并且第二电极220_5可以设置在第一电极分支部分210B_5之间。本实施例与图2和图3的实施例的不同之处在于，进一步包括多个第一内堤410_5和第一电极210_5。在下文中，将省略重复的描述，并且将基于与上述内容的差异来提供描述。
图26和图27的显示装置10_5可以包括多个第一内堤410_5，并且第二内堤420_5可以设置在多个第一内堤410_5之间。也就是说，第一内堤410_5和第二内堤420_5交替地设置在每个子像素PXn中，并且可以彼此间隔开并彼此面对。可以在第一内堤410_5与第二内堤420_5之间以及在第二内堤420_5与第一内堤410_5之间形成作为其中设置有发光元件300的区域的对准区域AA，使得可以设置更多数量的发光元件300。也就是说，可以将本实施例理解为其中在图2和图3的实施例中在第二内堤420_5的一侧上进一步设置在第一方向DR1上与第二内堤420_5的一侧间隔开的第一内堤410_5的实施例。
第一电极210_5可以包括在第一方向DR1上延伸的第一电极主干部分210S_5和在第二方向DR2上从第一电极主干部分210S_5分支的多个第一电极分支部分210B_5。第一电极分支部分210B_5可以均设置在第一内堤410_5上，并且可以通过第一电极主干部分210S_5彼此连接。第一电极210_5通过与外堤450叠置的区域中的第一电极接触孔CNTD电连接到第一晶体管120。
第二电极220_5的两侧可以均与第一电极分支部分210B_5中的每个间隔开并且面对第一电极分支部分210B_5中的每个。也就是说，可以将本实施例理解为其中在图2和图3的实施例中在第二电极220_5的一侧上进一步设置在第一方向DR1上与第二电极220_5的一侧间隔开的第一电极分支部分210B_5，并且第一电极分支部分210B_5通过第一电极主干部分210S_5彼此电连接的实施例。
此外，第一接触电极261_5可以分别设置在第一电极分支部分210B_5上。与图2不同，可以设置更多数量的第一接触电极261_5。
发光元件300设置在形成在第一内堤410_5与第二内堤420_5之间的对准区域AA1和AA2中的每个中，并且发光元件300中的每个的至少一个端部可以通过第一接触电极261_5电连接到第一电极分支部分210B_5。在本实施例中，设置在不同区域中的发光元件300可以在其至少一个端部上均电连接到第一电极分支部分210B_5，因此可以从第一电极210_5同时接收电信号。此外，设置在不同的对准区域AA1和AA2中的发光元件300中的每个的另一端部可以与第二接触电极262_5接触。根据一个实施例，第二接触电极262_5的在一个方向上测量的宽度可以形成为比第二电极220_5的在一个方向上测量的宽度大，并且第二接触电极262_5可以被设置为覆盖第二电极220_5。设置在不同的对准区域AA1和AA2中的发光元件300可以通过第二接触电极262_5电连接到第二电极220_5，并且可以从第二电压线192同时接收电信号。也就是说，本实施例的发光元件300可以并联连接。除了上面的描述之外，其他构件的描述与上面的描述相同，因此将省略对其的详细描述。
在总结详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在基本上不脱离发明的原理的情况下，可以对优选实施例进行许多变化和修改。因此，发明的所公开的优选实施例仅在一般性和描述性含义上使用，而不是为了限制的目的。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
第一内堤和第二内堤，设置在所述基底上以彼此间隔开；
第一电极和第二电极，所述第一电极设置在所述第一内堤的部分区域上，并且所述第二电极被设置为覆盖所述第二内堤；以及
发光元件，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，
其中，所述发光元件的一个端部在厚度方向上不与所述第一电极叠置，并且
所述发光元件的另一端部在所述厚度方向上与所述第二电极叠置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一接触电极，与所述第一电极和所述发光元件的所述一个端部接触；以及
第二接触电极，与所述第二电极和所述发光元件的所述另一端部接触。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述发光元件的所述一个端部在所述厚度方向上与所述第一接触电极叠置，并且
所述发光元件的所述另一端部在所述厚度方向上与所述第二接触电极叠置。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极与所述第二电极之间的分隔距离比所述第一内堤与所述第二内堤之间的分隔距离大。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述第一内堤包括一侧和面对所述第二内堤的另一侧，并且
所述第一电极被设置为仅覆盖所述第一内堤的所述一侧。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二电极被设置为覆盖所述第二内堤的面对所述第一内堤的一侧以及所述第二内堤的另一侧。
7.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
至少一个第三内堤，设置在所述第一内堤与所述第二内堤之间；以及
至少一个第三电极，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，
其中，所述第三电极设置在所述第三内堤的部分区域上。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述第三内堤包括面对所述第一内堤的一侧和面对所述第二内堤的另一侧，并且
所述第三电极被设置为仅覆盖所述第三内堤的所述一侧。
9.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述第三电极上的第三接触电极，
其中，所述第三接触电极的在一个方向上测量的宽度比所述第三电极的在所述一个方向上测量的宽度大。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第三接触电极与设置在所述第一电极与所述第三电极之间的发光元件以及设置在所述第三电极与所述第二电极之间的发光元件接触。
11.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一电压线，设置在所述基底上；以及
第一绝缘层，被设置为覆盖所述第一电压线，
其中，所述第一内堤和所述第二内堤直接设置在所述第一绝缘层上。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，
所述第一电压线的至少部分区域被设置为在所述厚度方向上与所述第一内堤叠置，并且
所述第二电极与所述第一电极之间的分隔距离比所述第二电极与所述第一电压线之间的分隔距离大。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一内堤包括其上设置有所述第一电极的一侧和其上未设置有所述第一电极并且在所述厚度方向上与所述第一电压线叠置的另一侧。
14.根据权利要求13所述的显示装置，所述显示装置还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层被构造为覆盖所述第一内堤的所述另一侧和所述第二电极的面对所述第一电极的一侧，
其中，所述发光元件设置在所述第二绝缘层上。
15.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
数据导电层，设置在所述基底上并且包括第一电压线；
第一绝缘层，被设置为覆盖所述数据导电层；
第一电极和第二电极，设置在所述第一绝缘层上以彼此间隔开且彼此面对；以及
发光元件，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，
其中，所述第一电极与所述第二电极之间的竖直距离比所述第二电极与所述第一电压线之间的竖直距离大。
16.根据权利要求15所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一内堤，设置在所述第一绝缘层上；以及
第二内堤，与所述第一内堤间隔开并且面对所述第一内堤，
其中，所述第一电极被设置为覆盖所述第一内堤的一侧，并且
所述第二电极被设置为覆盖所述第二内堤的面对所述第一内堤的一侧和所述第二内堤的另一侧。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第一电压线在厚度方向上与所述第一内堤的面对所述第二内堤的另一侧叠置。
18.根据权利要求16所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一接触电极，与所述第一电极和所述发光元件的一个端部接触；以及
第二接触电极，与所述第二电极和所述发光元件的另一端部接触，
其中，所述发光元件的所述一个端部在厚度方向上不与所述第一电极叠置，并且所述发光元件的所述另一端部在所述厚度方向上与所述第二电极叠置。
19.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
所述数据导电层还包括不同于所述第一电压线的第二电压线，
所述第一电压线电连接到所述第一电极，并且
所述第二电压线电连接到所述第二电极。
20.根据权利要求19所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第三电极，设置在所述第一电极与所述第二电极之间；以及
第三电压线，设置在所述第一电压线与所述第二电压线之间，
其中，所述第二电极与所述第三电极之间的竖直距离比所述第二电极与所述第三电压线之间的竖直距离大。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112133728B (zh) * 2020-09-23 2024-04-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示面板、显示装置和制作方法
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102608419B1 (ko) * 2016-07-12 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
KR102621662B1 (ko) * 2017-01-09 2024-01-09 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
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KR102415812B1 (ko) * 2017-09-22 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
KR102446139B1 (ko) * 2017-12-06 2022-09-22 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 장치 및 이의 제조 방법

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