CN114637425A - 显示面板、制作方法及显示装置 - Google Patents

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CN114637425A CN202210255408.8A CN202210255408A CN114637425A CN 114637425 A CN114637425 A CN 114637425A CN 202210255408 A CN202210255408 A CN 202210255408A CN 114637425 A CN114637425 A CN 114637425A
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周黎斌
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TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本申请公开一种显示面板、制作方法及显示装置。显示面板包括:基板;第一柔性基底层,设于基板上;金属层,设于第一柔性基底层上;无机层,设于金属层上;第二柔性基底层,设于无机层上,设有第一过孔穿透无机层暴露金属层的一部分;遮光层,设于第二柔性基底层上,沉积在第一过孔中与金属层接触;缓冲层,覆盖第二柔性基底层和遮光层,设有第二过孔暴露遮光层的一部分;电容驱动组合,设于缓冲层上,沉积在第二过孔中与遮光层接触;平坦层,设于电容驱动组合上,设有第三过孔暴露电容驱动组合的一部分;像素电极层,设于平坦层上,沉积在第三过孔中与电容驱动组合接触。本申请将第二柔性基底层作为电容介质,降低了柔性屏的厚度。

Description

显示面板、制作方法及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板、制作方法及显示装置。
背景技术
近年来,柔性基板因其轻薄,在显示领域应用非常广泛,当下显示器件受硬件限制,轻薄柔性显示需要引入基于面内的高精度触控。当下显示屏上外挂电容触控板,由于外挂会增加厚度,不利于当下柔性屏的弯折。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板、制作方法及显示装置,将第二柔性基底层作为电容介质,降低了柔性屏的厚度。
第一方面,本申请实施例提供一种显示面板,包括:
基板;
第一柔性基底层,设于所述基板上;
金属层,设于所述第一柔性基底层上;
无机层,设于所述金属层上;
第二柔性基底层,设于所述无机层上,所述第二柔性基底层设有第一过孔,且所述第一过孔穿透所述无机层暴露所述金属层的一部分;
遮光层,设于所述第二柔性基底层上,且所述遮光层沉积在所述第一过孔中与所述金属层接触;
缓冲层,所述缓冲层覆盖所述第二柔性基底层和所述遮光层,所述缓冲层设有第二过孔,且所述第二过孔暴露所述遮光层的一部分;
电容驱动组合,设于所述缓冲层上,且所述电容驱动组合沉积在所述第二过孔中与所述遮光层接触;
平坦层,设于所述电容驱动组合上,所述平坦层设有第三过孔,且所述第三过孔暴露所述电容驱动组合的一部分;
像素电极层,设于所述平坦层上,且所述像素电极层沉积在所述第三过孔中与所述电容驱动组合接触。
在一些实施例中,所述电容驱动组合包括:
有源层,设于所述缓冲层上;
栅极绝缘层,设于所述有源层上;
栅极层,设于所述栅极绝缘层上;
层间介电层,所述层间介电层覆盖所述缓冲层、所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极层,所述层间介电层设有第四过孔和第五过孔,且所述第四过孔暴露所述有源层的一部分,所述第五过孔与所述第二过孔连通;
源漏极层,设于所述层间介电层上,且所述源漏极层沉积在所述第四过孔中与所述有源层接触,同时所述源漏极层沉积在所述第五过孔和所述第二过孔中与所述遮光层接触;
所述平坦层覆盖所述层间介电层和所述源漏极层。
在一些实施例中,所述有源层包括沟道区和设于沟道区两侧的导体区,所述沟道区与所述栅极层相对设置,所述第四过孔包括第一类第四过孔和第二类第四过孔,所述第一类第四过孔暴露一侧导体区的一部分,所述第二类第四过孔暴露另一侧导体区的一部分,所述源漏极层沉积在所述第一类第四过孔和所述第二类第四过孔中。
在一些实施例中,所述源漏极层包括:
源极,设于所述层间介电层上,且所述源极沉积在所述第一类第四过孔中与所述有源层一侧的导体区接触;
漏极,设于所述层间介电层上,且所述漏极沉积在所述第二类第四过孔中与所述有源层另一侧的导体区接触,同时所述漏极沉积在所述第五过孔和所述第二过孔中与所述遮光层接触。
在一些实施例中,所述金属层包括至少一个金属激励块,所述遮光层沉积在所述第一过孔中与所述金属激励块接触。
在一些实施例中,所述有源层与所述遮光层相对设置。
第二方面,本申请提供一种显示面板制作方法,包括:
提供基板,在所述基板上涂布第一柔性基底层;
在所述第一柔性基底层上制作金属层,并进行图案化处理;
在所述金属层上沉积无机层;
在所述无机层上沉积第二柔性基底层,并在所述第二柔性基底层上蚀刻出第一过孔,所述第一过孔穿透所述无机层暴露所述金属层的一部分;
在所述第二柔性基底层上沉积遮光层,且所述遮光层沉积在所述第一过孔中与所述金属层接触;
在所述第二柔性基底层和所述遮光层上沉积缓冲层,并在所述缓冲层上蚀刻出第二过孔,所述第二过孔暴露所述遮光层的一部分;
在所述缓冲层上制备电容驱动组合,且所述电容驱动组合沉积在所述第二过孔中与所述遮光层接触;
在所述电容驱动组合上沉积平坦层,并在所述平坦层上蚀刻出第三过孔,所述第三过孔暴露所述电容驱动组合的一部分;
在所述平坦层上沉积像素电极层,且所述像素电极层沉积在所述第三过孔中与所述电容驱动组合接触。
在一些实施例中,所述在所述缓冲层上制备电容驱动组合,包括:
在所述缓冲层上沉积有源层;
在所述有源层上沉积栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层上沉积栅极层;
在所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极层上沉积层间介电层,并在所述第二电极绝缘层上蚀刻出第四过孔和第五过孔,所述第四过孔暴露所述有源层的一部分,所述第五过孔与所述第二过孔连通;
在所述层间介电层上沉积源漏极层,所述源漏极层沉积在所述第四过孔中与所述有源层接触,同时所述源漏极层沉积在所述第五过孔和所述第二过孔中与所述遮光层接触。
在一些实施例中,所述有源层包括沟道区和设于沟道区两侧的导体区,所述第四过孔包括第一类第四过孔和第二类第四过孔,所述第一类第四过孔和所述第二类第四过孔分别暴露所述两侧的导体区的一部分,所述在所述层间介电层上沉积源漏极层,包括:
在所述层间介电层上沉积源极,且所述源极沉积在所述第一类第四过孔中与所述有源层一侧的导体区接触;
在所述层间介电层上沉积漏极,且所述漏极沉积在所述第二类第四过孔中与所述有源层另一侧的导体区接触,同时所述漏极沉积在所述第五过孔和所述第二过孔中与所述遮光层接触。
第三方面,本申请提供一种显示装置,所述显示装置包括非显示区面板和上述任意一项所述的显示面板,所述显示面板对应显示区,所述非显示区面板与所述显示面板连接。
本申请实施例提供的显示面板、制作方法及显示装置,将第二柔性基底层作为电容介质,降低了柔性屏的厚度,通过金属层实施电容检测与高频电压激励,实现线性扫描激励和电容触控感知,达到高精度触控控制。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1是本申请一实施例中显示面板的结构截面示意图;
图2是本申请另一实施例中源极、漏极及栅极的连接示意图;
图3是本申请另一实施例中金属层的结构截面示意图;
图4是本申请另一实施例中源漏极层电容极线的示意图。
附图标号:
1、基板;2、第一柔性基底层;3、金属层;31、金属激励块;4、无机层;5、第二柔性基底层;51、第一过孔;6、遮光层;7、缓冲层;71、第二过孔;8、电容驱动组合;81、有源层;82、栅极绝缘层;83、栅极层;84、层间介电层;841、第四过孔;8411、第一类第四过孔;8412、第二类第四过孔;842、第五过孔;85、源漏极层;851、源极;852、漏极;9、平坦层;91、第三过孔;10、像素电极层。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参阅图1至图3,本申请实施例提供一种显示面板,显示面板依次包括基板1、第一柔性基底层2、金属层3、无机层4、第二柔性基底层5、遮光层6、缓冲层7、电容驱动组合8、平坦层9以及像素电极层10。基板1为其余各部件提供支撑,其余各部件依次沉积在基板1的同一侧,基板1可以为玻璃、石英、蓝宝石、树脂等常见的透明材料制作的基板1。
第一柔性基底层2设于基板1上,柔性基底材料是聚酰亚胺。在第一柔性基底层2上制作金属层3,并进行图案化处理。在金属层3上沉积无机层4,然后在无机层4上制备第二柔性基底层5,同样地柔性基底材料是聚酰亚胺,第二柔性基底层5作为电容触控的电容极板介质,降低了柔性屏的厚度。此外,金属层3的电容激励实现电容触控感知,金属层3需要与其它电子元器件接触,因此第二柔性基底层5设有第一过孔51,且第一过孔51穿透无机层4暴露金属层3的一部分。
在第二柔性基底层5上曝光、蚀刻处理,并制作遮光层6(LS层),遮光层6沉第一过孔51中与所述金属层3接触,也就是遮光层6部分连接下部金属层3,用于后续驱动。
遮光层6仅占据第二柔性基底层5的部分区域,因此在第二柔性基底层5和遮光层6远离基板1的一侧沉积缓冲层7(Buffer),缓冲层7同时覆盖第二柔性基底层5和遮光层6两者。同样地,遮光层6需要与其它电子元器件接触,用于后续驱动,因此缓冲层7设有第二过孔71,且第二过孔71暴露遮光层6的一部分。
在缓冲层7上设置电容驱动组合8,电容驱动组合8包括电容触控电路,用于通过TFT控制电容极板激励,因此电容驱动组合8沉积在第二过孔71中与遮光层6接触,以实现电容激励。
在电容驱动组合8上沉积平坦层9(Planarization Layer,PLN),同时平坦层9设有第三过孔91,第三过孔91暴露电容驱动组合8的一部分。在平坦层9上沉积像素电极层10(PE),且像素电极层10沉积在第三过孔91中与电容驱动组合8接触。
本实施例中通过金属层3实施电容检测与高频电压激励,金属层3电容激励可以控制为区域激励以及通过TFT控制,实现线性扫描激励和电容触控感知,达到精度触控控制。此外,将第二柔性基底层5作为电容介质,降低了柔性屏的厚度。
在一个实施例中,电容驱动组合8包括有源层81、栅极绝缘层82、栅极层83、层间介电层84以及源漏极层85。有源层81设于缓冲层7上,且有源层81仅占据缓冲层7的部分区域。栅极绝缘层82(Gate Insulator,GI)设于有源层81上,且栅极绝缘层82的涂布范围没有超过有源层81,即缓冲层7上没有栅极绝缘层82。栅极层83(Gate Metal,GE)设于栅极绝缘层82上,同样地,栅极层83的涂布范围没有超过栅极绝缘层82,即栅极绝缘层82和缓冲层7上都没有栅极绝缘层82。此外,遮光层6与有源层81相对设置,对有源层81进行遮挡。
因此,在栅极层83上沉积层间介电层84(Inter-layer Dielectric,ILD)时,层间介电层84覆盖缓冲层7、有源层81、栅极绝缘层82以及栅极层83。为了使得栅极能够与其它电子元件进行电连接,同时便于遮光层6与其它电子元器件接触,用于后续驱动,层间介电层84设有第四过孔841和第五过孔842,第四过孔841暴露有源层81的一部分,第五过孔842与第二过孔71连通暴露遮光层6的一部分。
在层间介电层84上设置源漏极层85(Source Drain,SD),源漏极层85一部分沉积在第四过孔841中与有源层81接触,源漏极层85另一部分沉积在第五过孔842和第二过孔71中与遮光层6接触。在源漏极层85制作时,布置如图4所示的源漏极层85电容极线,与金属层3电容极板形成电容,通过对金属层3激励,SD电容极感知实现位置触控感知。
由于源漏极层85仅占据层间介电层84部分区域,因此在电容驱动组合8上沉积平坦层9时,平坦层9同时覆盖层间介电层84和源漏极层85。平坦层9设有第三过孔91,由于是源漏极层85与外部电子元件电连接,因此第三过孔91暴露源漏极层85的一部分,对应地,设于平坦层9上的像素电极层10沉积在第三过孔91中与源漏极层85接触。
本实施例中金属层3电容激励块使用TFT(Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)连接,SD电容极线与金属层3电容激励实现电容触控感知。
在一个实施例中,有源层81包括沟道区(图中未示出)和设于沟道区两侧的导体区(图中未示出),沟道区与栅极层83相对设置,遮光层6与沟道区相对设置,且遮光层6的范围大于沟道区,以对沟道区进行遮挡,避免光线进入。
层间介电层84设置的第四过孔841包括第一类第四过孔8411和第二类第四过孔8412,其中第一类第四过孔8411暴露有源层81一侧导体区的一部分,第二类第四过孔8412暴露有源层81另一侧导体区的一部分,第一类第四过孔8411和第二类第四过孔8412相互之间不连通,源漏极层85沉积在第一类第四过孔8411中与有源层81一侧的导体区接触,同时源漏极层85沉积在第二类第四过孔8412中与有源层81另一侧的导体区接触。
在一个实施例中,源漏极层85包括源极851(Source)和漏极852(Drain),源极851和漏极852均设置在层间介电层84上,且源极851和漏极852相互之间不连通。其中,源极851沉积在第一类第四过孔8411中与有源层81一侧的导体区接触,漏极852沉积在第二类第四过孔8412中与有源层81另一侧的导体区接触,同时漏极852沉积在第五过孔842和第二过孔71中与遮光层6接触。对应地,设于平坦层9上的像素电极层10沉积在第三过孔91中与漏极852接触。
本实施例中,漏极852通过遮光层6与金属层3连接,金属层3电容激励控制为通过TFT控制,实现线性扫描激励,并通过SD电容极线实现电容触控感知。
在一个实施例中,在第一柔性基底层2上制作金属层3,并进行图案化处理,因此金属层3包括至少一个金属激励块31,遮光层6沉积在第一过孔51中与金属激励块31接触。金属层3电容激励控制为区域激励,实现线性扫描激励,并通过SD电容极线实现电容触控感知。
本实施例将柔性基底层作为电容介质,在显示区下部设计电容触控电路,同时通过TFT控制电容极板激励,可以通过程序控制特定区域以及线性扫描电容激励,从而实现高精度电容触控。
请参阅图1至图3,本申请实施例提供一种显示面板制作方法,该方法包括:
提供基板1,在所述基板1上涂布第一柔性基底层2;
在所述第一柔性基底层2上制作金属层3,并进行图案化处理;
在所述金属层3上沉积无机层4;
在所述无机层4上沉积第二柔性基底层5,并在所述第二柔性基底层5上蚀刻出第一过孔51,所述第一过孔51穿透所述无机层4暴露所述金属层3的一部分;
在所述第二柔性基底层5上沉积遮光层6,且所述遮光层6沉积在所述第一过孔51中与所述金属层3接触;
在所述第二柔性基底层5和所述遮光层6上沉积缓冲层7,并在所述缓冲层7上蚀刻出第二过孔71,所述第二过孔71暴露所述遮光层6的一部分;
在所述缓冲层7上制备电容驱动组合8,且所述电容驱动组合8沉积在所述第二过孔71中与所述遮光层6接触;
在所述电容驱动组合8上沉积平坦层9,并在所述平坦层9上蚀刻出第三过孔91,所述第三过孔91暴露所述电容驱动组合8的一部分;
在所述平坦层9上沉积像素电极层10,且所述像素电极层10沉积在所述第三过孔91中与所述电容驱动组合8接触。
在一个实施例中,所述在所述缓冲层7上制备电容驱动组合8,包括:
在所述缓冲层7上沉积有源层81;
在所述有源层81上沉积栅极绝缘层82;
在所述栅极绝缘层82上沉积栅极层83;
在所述有源层81、所述栅极绝缘层82以及所述栅极层83上沉积层间介电层84,并在所述第二电极绝缘层上蚀刻出第四过孔841和第五过孔842,所述第四过孔841暴露所述有源层81的一部分,所述第五过孔842与所述第二过孔71连通;
在所述层间介电层84上沉积源漏极层85,所述源漏极层85沉积在所述第四过孔841中与所述有源层81接触,同时所述源漏极层85沉积在所述第五过孔842和所述第二过孔71中与所述遮光层6接触。
在一个实施例中,所述有源层81包括沟道区和设于沟道区两侧的导体区,所述第四过孔841包括第一类第四过孔8411和第二类第四过孔8412,所述第一类第四过孔8411和所述第二类第四过孔8412分别暴露所述两侧的导体区的一部分,所述在所述层间介电层84上沉积源漏极层85,包括:
在所述层间介电层84上沉积源极851,且所述源极851沉积在所述第一类第四过孔8411中与所述有源层81一侧的导体区接触;
在所述层间介电层84上沉积漏极852,且所述漏极852沉积在所述第二类第四过孔8412中与所述有源层81另一侧的导体区接触,同时所述漏极852沉积在所述第五过孔842和所述第二过孔71中与所述遮光层6接触。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
本申请实施例提供一种显示装置,所述显示装置包括非显示区面板和上述任意实施例所述的显示面板,所述显示面板对应显示区,所述非显示区面板与所述显示面板连接。
本专利将柔性基底层作为电容介质,在显示区下部设计电容触控电路,同时通过TFT控制电容极板激励,可以通过程序控制特定区域以及线性电容激励,从而实现高精度电容触控。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板、制作方法及显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
第一柔性基底层,设于所述基板上;
金属层,设于所述第一柔性基底层上;
无机层,设于所述金属层上;
第二柔性基底层,设于所述无机层上,所述第二柔性基底层设有第一过孔,且所述第一过孔穿透所述无机层暴露所述金属层的一部分;
遮光层,设于所述第二柔性基底层上,且所述遮光层沉积在所述第一过孔中与所述金属层接触;
缓冲层,所述缓冲层覆盖所述第二柔性基底层和所述遮光层,所述缓冲层设有第二过孔,且所述第二过孔暴露所述遮光层的一部分;
电容驱动组合,设于所述缓冲层上,且所述电容驱动组合沉积在所述第二过孔中与所述遮光层接触;
平坦层,设于所述电容驱动组合上,所述平坦层设有第三过孔,且所述第三过孔暴露所述电容驱动组合的一部分;
像素电极层,设于所述平坦层上,且所述像素电极层沉积在所述第三过孔中与所述电容驱动组合接触。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述电容驱动组合包括:
有源层,设于所述缓冲层上;
栅极绝缘层,设于所述有源层上;
栅极层,设于所述栅极绝缘层上;
层间介电层,所述层间介电层覆盖所述缓冲层、所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极层,所述层间介电层设有第四过孔和第五过孔,且所述第四过孔暴露所述有源层的一部分,所述第五过孔与所述第二过孔连通;
源漏极层,设于所述层间介电层上,且所述源漏极层沉积在所述第四过孔中与所述有源层接触,同时所述源漏极层沉积在所述第五过孔和所述第二过孔中与所述遮光层接触;
所述平坦层覆盖所述层间介电层和所述源漏极层。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述有源层包括沟道区和设于沟道区两侧的导体区,所述沟道区与所述栅极层相对设置,所述第四过孔包括第一类第四过孔和第二类第四过孔,所述第一类第四过孔暴露一侧导体区的一部分,所述第二类第四过孔暴露另一侧导体区的一部分,所述源漏极层沉积在所述第一类第四过孔和所述第二类第四过孔中。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述源漏极层包括:
源极,设于所述层间介电层上,且所述源极沉积在所述第一类第四过孔中与所述有源层一侧的导体区接触;
漏极,设于所述层间介电层上,且所述漏极沉积在所述第二类第四过孔中与所述有源层另一侧的导体区接触,同时所述漏极沉积在所述第五过孔和所述第二过孔中与所述遮光层接触。
5.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述金属层包括至少一个金属激励块,所述遮光层沉积在所述第一过孔中与所述金属激励块接触。
6.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述有源层与所述遮光层相对设置。
7.一种显示面板制作方法,其特征在于,包括:
提供基板,在所述基板上涂布第一柔性基底层;
在所述第一柔性基底层上制作金属层,并进行图案化处理;
在所述金属层上沉积无机层;
在所述无机层上沉积第二柔性基底层,并在所述第二柔性基底层上蚀刻出第一过孔,所述第一过孔穿透所述无机层暴露所述金属层的一部分;
在所述第二柔性基底层上沉积遮光层,且所述遮光层沉积在所述第一过孔中与所述金属层接触;
在所述第二柔性基底层和所述遮光层上沉积缓冲层,并在所述缓冲层上蚀刻出第二过孔,所述第二过孔暴露所述遮光层的一部分;
在所述缓冲层上制备电容驱动组合,且所述电容驱动组合沉积在所述第二过孔中与所述遮光层接触;
在所述电容驱动组合上沉积平坦层,并在所述平坦层上蚀刻出第三过孔,所述第三过孔暴露所述电容驱动组合的一部分;
在所述平坦层上沉积像素电极层,且所述像素电极层沉积在所述第三过孔中与所述电容驱动组合接触。
8.如权利要求7所述的显示面板制作方法,其特征在于,所述在所述缓冲层上制备电容驱动组合,包括:
在所述缓冲层上沉积有源层;
在所述有源层上沉积栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层上沉积栅极层;
在所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极层上沉积层间介电层,并在所述第二电极绝缘层上蚀刻出第四过孔和第五过孔,所述第四过孔暴露所述有源层的一部分,所述第五过孔与所述第二过孔连通;
在所述层间介电层上沉积源漏极层,所述源漏极层沉积在所述第四过孔中与所述有源层接触,同时所述源漏极层沉积在所述第五过孔和所述第二过孔中与所述遮光层接触。
9.如权利要求8所述的显示面板制作方法,其特征在于,所述有源层包括沟道区和设于沟道区两侧的导体区,所述第四过孔包括第一类第四过孔和第二类第四过孔,所述第一类第四过孔和所述第二类第四过孔分别暴露所述两侧的导体区的一部分,所述在所述层间介电层上沉积源漏极层,包括:
在所述层间介电层上沉积源极,且所述源极沉积在所述第一类第四过孔中与所述有源层一侧的导体区接触;
在所述层间介电层上沉积漏极,且所述漏极沉积在所述第二类第四过孔中与所述有源层另一侧的导体区接触,同时所述漏极沉积在所述第五过孔和所述第二过孔中与所述遮光层接触。
10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括非显示区面板和如权利要求1-6任意一项所述的显示面板,所述显示面板对应显示区,所述非显示区面板与所述显示面板连接。
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