CN114551607B - 一种遮光层、复合膜层及其制备方法 - Google Patents

一种遮光层、复合膜层及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种遮光层、复合膜层及其制备方法，涉及放射性元素探测技术领域，本发明的遮光层，被配制于碲锌镉晶体表面，包括交替层叠的多个第一遮光层和第二遮光层，第一遮光层的致密度大于第二遮光层的致密度，第二遮光层的应力小于第一遮光层的应力。本发明提供的遮光层，通过多个第一遮光层和第二遮光层交替层叠的方式形成，实现了遮光层应力释放的同时，将对遮光层致密度的影响降低到最小，使得上述遮光层可以在低温条件下制备得到较大的厚度，且遮光性较好，与碲锌镉晶体的结合力较高。

Description

一种遮光层、复合膜层及其制备方法
技术领域
本发明涉及放射性元素探测技术领域，具体而言，涉及一种遮光层、复合膜层及其制备方法。
背景技术
随着人们对空气质量要求的日益提高，大气中气载放射性的监测受到了普遍的关注和重视，气载放射性的监测可以通过对放射性物质衰变时放射出来的α粒子进行探测确定。另外，在寻找铀矿及多金属矿床、寻找隐伏断裂、滑坡监测和石油天然气开采过程中含油气的层位边界的确定等应用领域，通常采用氡作为示踪剂，氡是一种放射性气体，衰变也会产生α粒子。CZT(碲锌镉)半导体探测器作为一种耐擦拭的α粒子能谱探测器，可以在上述领域得到广泛应用。
由于CZT半导体探测器的禁带宽度较小，对可见光较敏感。因此，可见光会引起CZT半导体探测器的信号输出，从而形成干扰。当光线浓度较高时会引起暗电流急剧增大，导致CZT半导体探测器无法正常工作。而测氡设备或气溶胶测量设备在工作过程中，需要进行实时抽气处理，而且由于管路的复杂性以及设备的成本等综合因素无法将CZT半导体探测器置于密闭的无光环境中。为了保证CZT半导体探测器的正常工作，需要对CZT半导体探测器的入射面进行避光处理。
在CZT晶体表面制备遮光层需要很厚的膜层(一般需要大于500nm厚度)，在镀膜过程中会导致膜层应力变大，膜层结合力降低，擦拭时膜层容易脱落，严重的会直接出现龟裂。现有的镀膜技术通常采用升高镀膜时腔体温度来提升致密度，通过镀膜后高温(>200℃)退火来降低应力，但是CZT晶体在高温时会出现电极向CZT扩散现象，会造成晶体电阻率降低，严重影响晶体性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种遮光层、复合膜层及其制备方法，其能够在低温(<100℃)条件下具有较大的厚度，且遮光效果较好，与碲锌镉晶体的结合力较高。
本发明的实施例是这样实现的：
一种遮光层，被配制于碲锌镉晶体表面，遮光层包括交替层叠的多个第一遮光层和第二遮光层，第一遮光层的致密度大于第二遮光层的致密度，第二遮光层的应力小于第一遮光层的应力。
可选的，作为一种可实施的方式，由遮光层靠近碲锌镉晶体的表层起，相邻的一个第一遮光层和一个第二遮光层为一组遮光单元，遮光层包括3-8组遮光单元。
可选的，作为一种可实施的方式，遮光层的可见光透光率小于1‰。
一种复合膜层，包括碲锌镉晶体和设置在碲锌镉晶体上的如上任意一项的遮光层。
可选的，作为一种可实施的方式，还包括设置在碲锌镉晶体和遮光层之间的接触层，接触层用于提高遮光层与碲锌镉晶体之间的结合力。
可选的，作为一种可实施的方式，遮光层远离碲锌镉晶体的表层为第二遮光层，复合膜层还包括设置在位于遮光层表层的第二遮光层上的耐擦拭层，耐擦拭层用于保护遮光层。
一种遮光层的制备方法，包括：提供基底材料，其中，基底材料为碲锌镉晶体；在基底材料表面交替层叠蒸镀多个第一遮光层和第二遮光层，其中，第一遮光层的镀膜速率小于第二遮光层的镀膜速率。
可选的，作为一种可实施的方式，提供基底材料，其中，基底材料为碲锌镉晶体包括：提供基底材料并将基底材料置于真空腔室内，其中，基底材料为碲锌镉晶体；在基底材料表面交替层叠蒸镀多个第一遮光层和第二遮光层，其中，第一遮光层的镀膜速率小于第二遮光层的镀膜速率包括：在基底材料表面交替层叠地以第一速率蒸镀多个第一遮光层，以第二速率蒸镀多个第二遮光层，其中，多个第一速率相等，多个第二速率随着蒸镀的次数阶梯式减小，第一速率小于第二速率。
可选的，作为一种可实施的方式，第一速率为0.01-0.05nm/s，第二速率为0.1-5nm/s。
可选的，作为一种可实施的方式，提供基底材料，其中，基底材料为碲锌镉晶体包括：提供基底材料并将基底材料置于真空腔室内，其中，基底材料为碲锌镉晶体；在基底材料表面蒸镀接触层；在基底材料表面交替层叠蒸镀多个第一遮光层和第二遮光层，其中，第一遮光层的镀膜速率小于第二遮光层的镀膜速率包括：在接触层表面交替层叠蒸镀多个第一遮光层和第二遮光层，其中，第一遮光层的镀膜速率小于第二遮光层的镀膜速率，遮光层远离接触层的表层为第二遮光层；在位于遮光层表层的第二遮光层上蒸镀耐擦拭层。
本发明实施例的有益效果包括：
本发明提供的遮光层，被配制于碲锌镉晶体表面，遮光层包括交替层叠的多个第一遮光层和第二遮光层，第一遮光层的致密度大于第二遮光层的致密度，第二遮光层的应力小于第一遮光层的应力。上述遮光层通过多个第一遮光层和第二遮光层交替层叠的方式形成，实现了遮光层应力释放的同时，将对遮光层致密度的影响降低到最小，使得上述遮光层可以在低温条件下制备得到较大的厚度，且遮光性较好，与碲锌镉晶体的结合力较高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明实施例提供的复合膜层的结构示意图之一；
图2为本发明实施例提供的复合膜层的结构示意图之二；
图3为本发明实施例提供的复合膜层的结构示意图之三；
图4为本发明实施例提供的遮光层的制备方法的流程图之一；
图5为本发明实施例提供的遮光层的制备方法的流程图之二；
图6为本发明实施例提供的遮光层的制备方法的流程图之三。
图标：100-遮光层；110-遮光单元；111-第一遮光层；112-第二遮光层；200-复合膜层；210-碲锌镉晶体；220-接触层；230-耐擦拭层。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本发明实施例提供一种遮光层100，被配制于碲锌镉晶体210表面，具体的，可以应用在CZT半导体探测器的表面，用于对可见光进行遮挡，以保证CZT半导体探测器的正常工作。
请参照图1至图3，一种遮光层100，被配制于碲锌镉晶体210表面，遮光层100包括交替层叠的多个第一遮光层111和第二遮光层112，第一遮光层111的致密度大于第二遮光层112的致密度，第二遮光层112的应力小于第一遮光层111的应力。
遮光层100为多层膜层，包括交替层叠的多个第一遮光层111和第二遮光层112，多个第一遮光层111和第二遮光层112的层叠方向(图2和图3中的A方向)垂直于碲锌镉晶体210的表面。遮光层100靠近碲锌镉晶体210表面的下表层可以为第一遮光层111或第二遮光层112，同样，遮光层100远离碲锌镉晶体210表面的上表层也可以为第一遮光层111或第二遮光层112。当遮光层100的上表层和下表层均为第一遮光层111或第二遮光层112时，遮光层100的层数为奇数；当遮光层100的上表层和下表层的其中一个为第一遮光层111，另一个为第二遮光层112时，遮光层100的层数为偶数。
第一遮光层111的致密度大于第二遮光层112的致密度，相同厚度的膜层，致密度越高，光透过率越低，遮光效果越好，故第一遮光层111用于保证遮光层100整体的遮光效果。第二遮光层112的应力小于第一遮光层111的应力，相同厚度的膜层，应力越小，结合力越好，故第二遮光层112用于使遮光层100整体的应力处于较低的水平，保证遮光层100与碲锌镉晶体210的结合力较高。实际应用时，若得到的遮光层100的透光率不符合要求，可以在制备遮光层100时，适当提高第一遮光层111的致密度或厚度，以降低遮光层100的透光率，提高遮光层100的遮光效果。若得到的遮光层100的结合力不符合要求，可以在制备遮光层100时，适当降低第二遮光层112的应力或厚度，以降低遮光层100的应力，提高遮光层100与碲锌镉晶体210之间的结合力。
需要说明的是，第一，本实施例中，对第一遮光层111和第二遮光层112的材料不作限定，第一遮光层111和第二遮光层112的材料可以为铝、硅等能够反射可见光且与碲锌镉晶体210能够结合，对alpha粒子的吸收率较低的材料。优选的，第一遮光层111和第二遮光层112的材料为铝，铝的遮光效果较好，对alpha粒子的遮挡较小且能够导电，形成的遮光层100能够应用在CZT半导体探测器的表面。
第二，本实施例中，对第一遮光层111和第二遮光层112的形成方式不作限定，示例地，第一遮光层111和第二遮光层112采用物理气相沉积的方式铺设在碲锌镉晶体210上方，通过控制第一遮光层111和第二遮光层112的蒸镀速率，实现对第一遮光层111和第二遮光层112致密度和应力的控制。
第三，本实施例中，对第一遮光层111和第二遮光层112的厚度不作限定，相邻的第一遮光层111和第二遮光层112的厚度可以相等，也可以不等，多个第一遮光层111或多个第二遮光层112的厚度可以相等，也可以不等，具体可以根据遮光层100的整体厚度、遮光效果和与碲锌镉晶体210的结合力进行调整。
第四，遮光层100的上表层和下表层可以根据遮光层100与外部结构的连接关系进行合理选择。示例地，若遮光层100的下表层需要直接覆盖在碲锌镉晶体210表面，则为了提高遮光层100与碲锌镉晶体210之间的结合力，优选的，遮光层100的下表层为第二遮光层112；若遮光层100的下表层通过其他同时与碲锌镉晶体210和遮光层100的结合力都较高的膜层间接覆盖在碲锌镉晶体210表面，则遮光层100的下表层为第一遮光层111或第二遮光层112均可；若遮光层100的上表层还需要覆盖其他膜层，则为了提高其他膜层与遮光层100之间的结合力，优选的，遮光层100的上表层为第二遮光层112；若遮光层100的上表层不再覆盖其他膜层，则遮光层100的上表层为第一遮光层111或第二遮光层112均可。
综上所述，上述遮光层100通过多个第一遮光层111和第二遮光层112交替层叠的方式形成，实现了遮光层100应力释放的同时，将对遮光层100致密度的影响降低到最小，使得上述遮光层100可以在低温条件下制备得到较大的厚度，且遮光性较好，与碲锌镉晶体210的结合力较高。
请参照图2和图3，可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，由遮光层100靠近碲锌镉晶体210的表层起，相邻的一个第一遮光层111和一个第二遮光层112为一组遮光单元110，遮光层100包括3-8组遮光单元110。
以遮光层100的下表层为起始层，每相邻的一个第一遮光层111和一个第二遮光层112组成一组遮光单元110，遮光层100共计包括3-8组遮光单元110，多组遮光单元110层叠设置。应理解，当遮光层100的层数为奇数时，遮光层100包括多组层叠设置的遮光单元110和覆盖在最远离碲锌镉晶体210表面的一组遮光单元110上的一层第一遮光层111或第二遮光层112；当遮光层100的层数为偶数时，遮光层100仅包括多组层叠设置的遮光单元110。
如图2所示，以遮光层100为12层膜层，下表层为第一遮光层111，上表层为第二遮光层112为例，此时，遮光层100包括6组遮光单元110，即遮光层100包括6个第一遮光层111和6个第二遮光层112，遮光层100沿层叠方向(图2中的A方向)依次为第一遮光层111、第二遮光层112、第一遮光层111、第二遮光层112、……、第一遮光层111、第二遮光层112。
如图3所示，以遮光层100为13层膜层，下表层为第二遮光层112，上表层也为第二遮光层112为例，此时，遮光层100包括6组遮光单元110和一个覆盖在最远离碲锌镉晶体210表面的一组遮光单元110表面的第二遮光层112，即遮光层100包括6个第一遮光层111和7个第二遮光层112，遮光层100沿层叠方向(图2中的A方向)依次为第二遮光层112、第一遮光层111、第二遮光层112、第一遮光层111、……、第一遮光层111、第二遮光层112。
可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，遮光层100的可见光透光率小于1‰。
当遮光层100的可见光透光率小于1‰时，遮光层100覆盖在CZT半导体探测器表面后，能够有效反射和吸收影响CZT半导体探测器工作的可见光，在尽可能少的遮挡alpha粒子的前提下，保证CZT半导体探测器的正常工作。
请参照图1至图3，一种复合膜层200，包括碲锌镉晶体210和设置在碲锌镉晶体210上的如上任意一项的遮光层100。
复合膜层200包括碲锌镉晶体210和形成于碲锌镉晶体210上的遮光层100，遮光层100可以直接覆盖在碲锌镉晶体210表面，也可以通过其他膜层间接覆盖在碲锌镉晶体210的表面。该复合膜层200包含与前述实施例中的遮光层100相同的结构和有益效果。遮光层100的结构和有益效果已经在前述实施例中进行了详细描述，在此不再赘述。上述复合膜层200可以应用于CZT半导体探测器的制备。
实际应用时，若得到的遮光层100的透光率不符合要求，可以在制备遮光层100时，适当降低第一遮光层111的蒸镀速率，以提高第一遮光层111的致密度，降低遮光层100的透光率，提高遮光层100的遮光效果。若得到的遮光层100的结合力不符合要求，可以在制备遮光层100时，适当提高第二遮光层112的蒸镀速率，以降低第二遮光层112的应力，提高遮光层100与碲锌镉晶体210之间的结合力。
可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，还包括设置在碲锌镉晶体210和遮光层100之间的接触层220，接触层220用于提高遮光层100与碲锌镉晶体210之间的结合力。
遮光层100通过接触层220覆盖在碲锌镉晶体210的表面，接触层220与碲锌镉晶体210之间的结合力大于遮光层100与碲锌镉晶体210之间的结合力，且接触层220与遮光层100之间也具有较好的结合力，如此设置，可以提高遮光层100与碲锌镉晶体210之间的结合力，降低复合膜层200出现龟裂和擦拭时膜层脱落的可能性。
可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，遮光层100远离碲锌镉晶体210的表层为第二遮光层112，复合膜层200还包括设置在位于遮光层100表层的第二遮光层112上的耐擦拭层230，耐擦拭层230用于保护遮光层100。
遮光层100在工作时可能会接触灰尘，灰尘会吸收alpha粒子，影响探测器测试，需要定期清洁，在遮光层100的表面设置耐擦拭层230，可以对遮光层100进行保护，以防止在擦拭清洁过程中损伤遮光层100，影响其遮光效果。为了保证遮光层100与耐擦拭层230之间具有较高的结合力，将遮光层100的上表层设置为应力较小的第二遮光层112。应理解，耐擦拭层230的硬度应大于遮光层100的硬度，化学稳定性应高于遮光层100的化学稳定性，且不与常用的清洁剂发生化学反应。
可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，遮光层100的材料为铝，耐擦拭层230的材料为铬。
铝作为形成遮光层100材料的优势在前述实施例中进行了详细描述，在此不再赘述。铬的硬度大于铝且不与擦拭复合膜层200的酒精等清洁剂反应，铬与铝之间具有较高的结合力，能够有效保护遮光层100且不易脱落。
请参照图4，一种遮光层100的制备方法，包括：
S100：提供基底材料，其中，基底材料为碲锌镉晶体。
S200：在基底材料表面交替层叠蒸镀多个第一遮光层和第二遮光层，其中，第一遮光层的镀膜速率小于第二遮光层的镀膜速率。
请结合参照图2和图3，在碲锌镉晶体210表面交替层叠蒸镀多个第一遮光层111和第二遮光层112，蒸镀速率的不同可以改变第一遮光层111和第二遮光层112单层的致密度和应力，蒸镀速率低，致密度高，应力大，蒸镀速率高，致密度低，应力低。通过低速蒸镀第一遮光层111，增加遮光层100的致密度，高速蒸镀第二遮光层112，降低遮光层100的应力。通过控制第一遮光层111和第二遮光层112的镀膜速率，调控遮光层100整体的致密度和应力。
需要说明的是，不同第一遮光层111的蒸镀速率可以相同，也可以不同，不同第一遮光层111的蒸镀速率可以相同，也可以不同，但是，第二遮光层112的最小蒸镀速率一定大于第一遮光层111的最大蒸镀速率。
上述遮光层100的制备方法，通过反复的高速、低速镀膜，实现遮光层100膜层应力释放的同时将对遮光层100致密度的影响降低到最小，实现了在低温(<100℃)条件下在碲锌镉晶体210表面制备厚度较大(一般大于500nm)的遮光层100且不会影响碲锌镉晶体210的性能，制备得到的遮光层100遮光效果好且与碲锌镉晶体210的结合力较高。
请参照图5，可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，提供基底材料，其中，基底材料为碲锌镉晶体包括：
S110：提供基底材料并将基底材料置于真空腔室内，其中，基底材料为碲锌镉晶体。
在基底材料表面交替层叠蒸镀多个第一遮光层和第二遮光层，其中，第一遮光层的镀膜速率小于第二遮光层的镀膜速率包括：
S210：在基底材料表面交替层叠地以第一速率蒸镀多个第一遮光层，以第二速率蒸镀多个第二遮光层，其中，多个第一速率相等，多个第二速率随着蒸镀的次数阶梯式减小，第一速率小于第二速率。
请结合参照图2和图3，将碲锌镉晶体210至于真空腔室内，利用物理气相沉积(PVD)镀膜技术，在碲锌镉晶体210表面交替层叠形成多个第一遮光层111和第二遮光层112。采用第一速率蒸镀第一遮光层111，第一速率不随蒸镀次数发生改变；采用第二速率蒸镀第二遮光层112，第二速率随着蒸镀次数的增加，呈现阶梯式减小，以防止处于上方的膜层因蒸镀速率过高而致密度处于较低水平，易发生氧化。但是，最小的第二速率仍旧大于第一速率。
蒸镀时，可以将碲锌镉晶体210悬挂于PVD镀膜机顶部的载物盘上，并在PVD镀膜机的坩埚内放入镀膜材料，然后将PVD镀膜机抽真空到5E-4Pa。将PVD镀膜机的蒸镀速率调节为第一速率，电子束轰击坩埚中待镀膜材料(如铝)使材料熔化、蒸发到碲锌镉晶体210表面以形成第一遮光层111。将PVD镀膜机的蒸镀速率调节为第二速率，电子束轰击坩埚中待镀膜材料使材料熔化、蒸发到第一遮光层111表面以形成第二遮光层112。重复上述步骤，直至形成完整的遮光层100。
可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，第一速率为0.01-0.05nm/s，第二速率为0.1-5nm/s。此时，制备得到的遮光层100的致密度和应力均处于较佳水平。
请参照图2和图3，示例地，以蒸镀厚度为500～1000nm的遮光层100为例，将遮光层100分为12层，包括6个第一遮光层111和6个第二遮光层112。6个第一遮光层111的蒸镀速率均为0.01-0.05nm/s，膜厚可以随着蒸镀次数阶梯式增加，例如，第一次蒸镀的第一遮光层111的厚度为25-50nm，第二次至第六次蒸镀的第一遮光层111的厚度为25-100nm。6个第二遮光层112的蒸镀速率随着蒸镀次数阶梯式增加，例如，第一次和第二次蒸镀第二遮光层112的蒸镀速率为3-5nm/s，第三次和第四次蒸镀第二遮光层112的蒸镀速率为1-4nm/s，第五次蒸镀第二遮光层112的蒸镀速率为0.5-2nm/s，第六次蒸镀第二遮光层112的蒸镀速率为0.1-0.5nm/s，第二遮光层112的膜厚也可以随着蒸镀次数阶梯式增加，例如，第一次蒸镀的第二遮光层112的厚度为25-50nm，第二次至第六次蒸镀的第二遮光层112的厚度为25-100nm。
请参照图6，可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，提供基底材料，其中，基底材料为碲锌镉晶体包括：
S110：提供基底材料并将基底材料置于真空腔室内，其中，基底材料为碲锌镉晶体。
S120：在基底材料表面蒸镀接触层。
在基底材料表面交替层叠蒸镀多个第一遮光层和第二遮光层，其中，第一遮光层的镀膜速率小于第二遮光层的镀膜速率包括：
S220：在接触层表面交替层叠蒸镀多个第一遮光层和第二遮光层，其中，第一遮光层的镀膜速率小于第二遮光层的镀膜速率，遮光层远离接触层的表层为第二遮光层。
S230：在位于遮光层表层的第二遮光层上蒸镀耐擦拭层。
请结合参照图2和图3，在碲锌镉晶体210上蒸镀遮光层100之前，先在碲锌镉晶体210表面蒸镀一层接触层220，接触层220用于提高遮光层100与碲锌镉晶体210之间的结合力，在接触层220上交替层叠蒸镀多个第一遮光层111和第二遮光层112，并以蒸镀第二遮光层112为结束，然后在最上层的第二遮光层112上蒸镀耐擦拭层230，以保护遮光层100。示例地，接触层220的材料为镍，遮光层100的材料为铝，耐擦拭层230的材料为铬。
蒸镀时，可以将碲锌镉晶体210悬挂于PVD镀膜机顶部的载物盘上，并在PVD镀膜机的坩埚内依次放入镀膜材料，即蒸镀接触层220的材料、蒸镀遮光层100的材料和蒸镀耐擦拭层230的材料。然后将PVD镀膜机抽真空到5E-4Pa，电子束轰击坩埚中待镀膜材料使材料熔化、蒸发到碲锌镉晶体210表面，更换镀层需要旋转坩埚至待镀膜材料再开始蒸镀。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种复合膜层，其特征在于，包括碲锌镉晶体和设置在所述碲锌镉晶体上的遮光层，所述遮光层包括交替层叠的多个第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层的致密度大于所述第二遮光层的致密度，所述第二遮光层的应力小于所述第一遮光层的应力，所述遮光层的厚度大于500nm。
2.根据权利要求1所述的复合膜层，其特征在于，由所述遮光层靠近所述碲锌镉晶体的表层起，相邻的一个所述第一遮光层和一个所述第二遮光层为一组遮光单元，所述遮光层包括3-8组所述遮光单元。
3.根据权利要求1所述的复合膜层，其特征在于，所述遮光层的可见光透光率小于1‰。
4.根据权利要求1所述的复合膜层，其特征在于，还包括设置在所述碲锌镉晶体和所述遮光层之间的接触层，所述接触层用于提高所述遮光层与所述碲锌镉晶体之间的结合力。
5.根据权利要求1所述的复合膜层，其特征在于，所述遮光层远离所述碲锌镉晶体的表层为第二遮光层，所述复合膜层还包括设置在位于所述遮光层表层的第二遮光层上的耐擦拭层，所述耐擦拭层用于保护所述遮光层。
6.一种复合膜层的制备方法，其特征在于，包括：
提供碲锌镉晶体；
在所述碲锌镉晶体表面交替层叠蒸镀多个第一遮光层和第二遮光层，其中，所述第一遮光层的镀膜速率小于所述第二遮光层的镀膜速率，多个所述第一遮光层和多个所述第二遮光层的总厚度大于500nm。
7.根据权利要求6所述的复合膜层的制备方法，其特征在于，包括：
提供碲锌镉晶体；
将所述碲锌镉晶体置于真空腔室内；
在所述碲锌镉晶体表面交替层叠地以第一速率蒸镀多个第一遮光层，以第二速率蒸镀多个第二遮光层，其中，多个所述第一速率相等，多个所述第二速率随着蒸镀的次数阶梯式减小，所述第一速率小于所述第二速率，多个所述第一遮光层和多个所述第二遮光层的总厚度大于500nm。
8.根据权利要求7所述的复合膜层的制备方法，其特征在于，所述第一速率为0.01-0.05nm/s，所述第二速率为0.1-5nm/s。
9.根据权利要求6所述的复合膜层的制备方法，其特征在于，包括：
提供碲锌镉晶体；
将所述碲锌镉晶体置于真空腔室内；
在所述碲锌镉晶体表面蒸镀接触层；
在所述接触层表面交替层叠蒸镀多个第一遮光层和第二遮光层，其中，所述第一遮光层的镀膜速率小于所述第二遮光层的镀膜速率，所述遮光层远离所述接触层的表层为所述第二遮光层，多个所述第一遮光层和多个所述第二遮光层的总厚度大于500nm；
在位于所述遮光层表层的第二遮光层上蒸镀耐擦拭层。
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