CN114520239A - X射线平板探测器及其制作方法、探测装置、成像*** - Google Patents

X射线平板探测器及其制作方法、探测装置、成像*** Download PDF

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Abstract

本申请提供了一种X射线平板探测器及其制作方法、探测装置、成像***。X射线平板探测器包括：基底；背板层，位于基底上，包括若干薄膜晶体管，每一薄膜晶体管包括源漏极层。走线层，位于背板层远离基底一侧，包括若干连接线。感光器件层，位于走线层远离基底一侧，包括多个第一电极，每一第一电极通过一连接线与一薄膜晶体管的源漏极层，且感光器件层在基底上的正投影与背板层在基底上的正投影不重叠。本申请能够提高X射线平板探测器的填充率，进而能够提升X射线平板探测器的分辨率和探测性能；另外，连接线的设置能够进一步提升X射线平板探测器的分辨率，且能够实现背板层与不同尺寸的感光器件层的兼容，进而能够降低生产成本。

Description

X射线平板探测器及其制作方法、探测装置、成像***
技术领域
本申请涉及探测技术领域，具体为一种X射线平板探测器及其制作方法、探测装置、成像***。
背景技术
数字化X线摄影(Digital Radiography，DR)，是上世纪90年代发展起来的X线摄影新技术，以其更快的成像速度、更便捷的操作、更高的成像分辨率等显著优点，成为数字X线摄影技术的主导方向，并得到世界各国的临床机构和影像学专家认可。DR的技术核心是平板探测器，平板探测器是一种精密和贵重的设备，对成像质量起着决定性的作用。目前平板探测器主要分为两大类，一是间接式探测，一是直接式探测。
传统间接式X射线平板探测器主要包括：基底，依次设置在基底一侧的薄膜晶体管、光电二极管和闪烁层。其中，闪烁层用于将X射线转换为可见光，光电二极管用于将可见光转换为电荷载流子并存储，薄膜晶体管起到开关的作用，在外接扫描控制电路的控制下薄膜晶体管被逐行开启，光电二极管所存储的电荷载流子被读取并传输到数据处理电路。
但是，本申请的发明人发现，目前的X射线平板探测器，由于光电二极管与薄膜晶体管并行设置，光电二极管布置在像素区域，填充率受薄膜晶体管大小与金属线的制约，从而影响了X射线平板探测器的分辨率；另外，现有技术无法实现较大尺寸像素背板与不同尺寸的光电二极管的兼容问题，进而会增加生产成本。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种X射线平板探测器及其制作方法、探测装置、成像***，用于解决现有技术X射线平板探测器的填充率受薄膜晶体管大小与金属走线的制约而造成分辨率低的问题，以及解决现有技术X射线平板探测器生产成本较高的问题。
为了解决上述问题，本申请实施例主要提供如下技术方案：
在第一方面中，本申请实施例公开了一种X射线平板探测器，包括：
基底；
背板层，位于所述基底上，包括若干薄膜晶体管，每一所述薄膜晶体管包括源漏极层；
走线层，位于所述背板层远离所述基底一侧，包括若干连接线；
感光器件层，位于所述走线层远离所述基底一侧，包括多个第一电极，每一所述第一电极通过一所述连接线与一所述薄膜晶体管的源漏极层电连接，且所述感光器件层在所述基底上的正投影与所述背板层在所述基底上的正投影不重叠。
可选地，所述感光器件层在所述基底上的正投影面积小于所述背板层在所述基底上的正投影面积。
可选地，所述背板层包括钝化层；
所述钝化层位于所述薄膜晶体管远离所述基底一侧，覆盖所述基底，且设置有若干第一过孔，以暴露出每一所述薄膜晶体管的源极或漏极；
每一所述连接线通过所述第一过孔与一所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
可选地，所述走线层包括平坦层，位于所述感光器件层靠近所述基底一侧，覆盖所述连接线，且在预设位置处设置有若干贯穿该平坦层的第二过孔；
每一所述第一电极通过所述第二过孔与一所述连接线电连接。
可选地，所述感光器件层包括光电二极管和第二电极；
所述光电二极管位于所述第一电极远离所述基底一侧；
所述第二电极位于所述光电二极管远离所述第一电极一侧。
可选地，所述第一电极为条形电极，所述第二电极为面状电极；或者，
所述第一电极为条形电极，所述第二电极为条形电极，且所述第二电极在所述基底上的正投影区域覆盖所述第一电极在所述基底上的正投影区域。
可选地，所述X射线平板探测器还包括保护层，位于所述感光器件层远离所述基底一侧，且覆盖所述基底；
所述保护层在所述基底上的正投影面积大于所述感光器件层在所述基底上的正投影面积。
在第二方面中，本申请实施例公开了一种X射线平板探测装置，包括：多个阵列排列的如第一方面所述的X射线平板探测器；
相邻的所述X射线平板探测器采用拼接的方式连接，所述感光器件层靠近拼接位置处设置。
在第三方面中，本申请实施例公开了一种X射线成像***，包括：第一方面所述的X射线平板探测器；或，
第二方面所述的X射线平板探测装置。
在第四方面中，本申请实施例公开了一种X射线平板探测器的制作方法，包括：
提供一基底，通过构图工艺在所述基底上制作背板层，所述背板层包括薄膜晶体管和钝化层；
通过构图工艺在所述背板层远离所述基底一侧制作若干连接线，每一所述连接线通过贯穿所述钝化层的第一过孔与一所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接；
通过构图工艺在所述连接线远离所述基底一侧制作平坦层；
通过构图工艺在所述平坦层远离所述基底一侧制作感光器件层，所述感光器件层包括多个第一电极，每一所述第一电极通过贯穿所述平坦层的第二过孔与一所述连接线电连接，且所述感光器件层在所述基底上的正投影与所述背板层在所述基底上的正投影不重叠。
可选地，所述通过构图工艺在所述基底上制作背板层，包括：
在所述基底上制作一层缓冲层；
通过构图工艺在所述缓冲层上依次制作栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极；
通过构图工艺在所述源极和漏极上制作钝化层。
可选地，所述通过构图工艺在所述背板层远离所述基底一侧制作若干连接线，包括：
在所述钝化层上沉积一层金属层；
图形化所述金属层，形成若干连接线，每一所述连接线在所述基底上的正投影区域覆盖一所述第一过孔在所述基底上的正投影区域，以及覆盖一所述第二过孔在所述基底上的正投影区域。
可选地，所述通过构图工艺在所述平坦层远离所述基底一侧制作感光器件层，包括：
通过构图工艺在所述平坦层上制作若干第一电极，每一所述第一电极通过贯穿所述平坦层的第二过孔与一所述连接线电连接；
通过构图工艺在所述第一电极上制作光电二极管；
通过构图工艺在所述光电二极管上制作第二电极。
借由上述技术方案，本申请实施例提供的技术方案至少具有下列优点：
由于本申请实施例的X射线平板探测器包括的感光器件层位于走线层远离基底一侧，走线层位于背板层远离基底一侧，因此，本申请实施例中感光器件层与背板层两者在垂直于基底的方向上依次设置，与现有技术薄膜晶体管与感光器件层并列放置的方式相比，本申请实施例中的感光器件层的设计并不受薄膜晶体管的影响，从而能够提高X射线平板探测器的填充率，进而能够提升X射线平板探测器的分辨率和探测性能；另外，由于本申请实施例中每一第一电极通过一连接线与一薄膜晶体管的源漏极层电连接，感光器件层在基底上的正投影与背板层在基底上的正投影不重叠，因此本申请实施例通过连接线的设置，可以使得背板层中的像素与感光器件层中的像素不在同一垂直区域，进而能够进一步提升X射线平板探测器的分辨率，使得X射线平板探测器能够很好的应用在高分辨率应用场景，如乳腺探测和工业探测需求，且连接线的设置能够实现较大尺寸背板层与较小尺寸感光器件层的兼容，进而能够降低生产成本。
上述说明仅是本申请实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请实施例的具体实施方式。
附图说明
通过阅读下文可选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出可选实施方式的目的，而并不认为是对本申请实施例的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1为传统X射线平板探测器的结构示意图；
图2为本申请实施例的X射线平板探测器的结构示意图；
图3为本申请实施例的背板层的第一过孔的结构示意图；
图4为本申请实施例的感光器件层的第二过孔的结构示意图；
图5为本申请实施例的背板层和感光器件层连接后的结构示意图
图6为本申请实施例的感光器件层的拼接结构示意图；
图7为本申请实施例相邻的X射线平板探测器采用拼接的方式连接的结构示意图；
图8为本申请实施例的X射线平板探测器的制作方法的流程图。
附图标记介绍如下：
1-基底；2-缓冲层；3-栅极；4-栅极绝缘层；5-有源层；6-源漏极层；7-钝化层；8-第一电极；9-光电二极管；10-第二电极；11-保护层；20-X射线平板探测器；21-背板层；22-薄膜晶体管；23-连接线；25-平坦层；26-感光器件层；27-第一过孔；28-第二过孔。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
图1示出了传统X射线平板探测器的结构。如图1所示，X射线平板探测器的主体结构包括基底1，设置在基底上的薄膜晶体管，与薄膜晶体管并列设置的光电二极管9，以及位于光电二极管9上方的闪烁层(图中未示出)。薄膜晶体管包括栅极3、栅极绝缘层4、有源层5和源漏极层6，光电二极管9包括P型半导体层、N型半导体层，以及介于P型半导体层和N型半导体层之间的本征半导体层，第一电极8与薄膜晶体管的漏极连接，光电二极管9上设置有第二电极10。另外，基底1与薄膜晶体管之间设置有缓冲层2，第二电极10上设置有保护层(图中未示出)。
X射线平板探测器的工作原理是：X射线被处于其路径上的人体调制，调制后的X射线由闪烁层转换为可见光，可见光被光电二极管吸收并转换为电荷载流子，电荷载流子存储在存储电容或者光电二极管的自身电容中形成图像电荷，由外接扫描控制电路顺序接通每一行薄膜晶体管，以一行同时读出的方式将图像电荷输出到外部数据处理电路。经每一薄膜晶体管读出的图像电荷对应于入射X射线的剂量，通过外部数据处理电路处理可以确定每一像素点的电荷量，进而确定每一像素点的X射线剂量。
但是，本申请的发明人发现，由于薄膜晶体管投影上方的膜层均匀性差，段差约为
Figure BDA0002789934180000071
以上，造成进行像素设计时，光电二极管的有效感光面积不能覆盖薄膜晶体管，即目前采用的是薄膜晶体管与光电二极管并列放置的设计方式，这种设计方式会对平板探测器的填充率造成较大影响，从而影响了X射线平板探测器的分辨率和探测性能。
另外，本申请的发明人发现，目前若背板层(包括薄膜晶体管等膜层)的尺寸较大，而需要设计的X射线平板探测器的探测面的面积较小时，则需要重新制作尺寸较小的背板层，以与尺寸较小的光电二极管相匹配，进而满足X射线平板探测器对探测面的要求，现有技术无法实现背板层与不同尺寸的光电二极管的兼容问题，会导致生产成本的增加，且背板层的生产良率也会受到一定的影响。
为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种新的X射线平板探测器及其制作方法。
下面结合附图详细介绍本申请实施例提供的X射线平板探测器。
在第一方面中，本申请实施例公开了一种X射线平板探测器20，如图2所示，包括：基底1、背板层21、走线层和感光器件层26。背板层21，位于基底1上，包括若干薄膜晶体管22，每一薄膜晶体管22包括源漏极层6。走线层位于背板层21远离基底1一侧，包括若干连接线23和平坦层25。感光器件层26，位于走线层远离基底1一侧，包括多个第一电极8，每一第一电极8通过一连接线23与一薄膜晶体管22的源漏极层6电连接，且感光器件层26在基底1上的正投影与背板层21在基底1上的正投影不重叠。
由于本申请实施例的X射线平板探测器20包括的感光器件层26位于走线层远离基底1一侧，走线层位于背板层21远离基底1一侧，因此，本申请实施例中感光器件层26与背板层21两者在垂直于基底1的方向上依次设置，与现有技术薄膜晶体管与感光器件层并列放置的方式相比，本申请实施例中的感光器件层26的设计并不受薄膜晶体管22的影响，从而能够提高X射线平板探测器20的填充率，进而能够提升X射线平板探测器20的分辨率和探测性能；另外，由于本申请实施例中每一第一电极8通过一连接线23与一薄膜晶体管22的源漏极层6电连接，感光器件层26在基底1上的正投影与背板层21在基底1上的正投影不重叠，因此本申请实施例通过连接线23的设置，可以使得背板层21中的像素与感光器件层26中的像素不在同一垂直区域，进而能够进一步提升X射线平板探测器20的分辨率，使得X射线平板探测器能够很好的应用在高分辨率应用场景，如乳腺探测和工业探测需求，且连接线的设置能够实现较大尺寸背板层21与较小尺寸感光器件层26的兼容，进而能够降低生产成本。
需要说明的是，本申请实施例的薄膜晶体管22可以为非晶硅薄膜晶体管，或氧化物薄膜晶体管，或低温多晶硅薄膜晶体管，或有机晶体管。另外，本申请实施例的薄膜晶体管22可以为顶栅型薄膜晶体管，也可以为侧栅或底栅型薄膜晶体管。
可选地，如图2所示，本申请实施例中的感光器件层26在基底1上的正投影面积小于背板层21在基底1上的正投影面积。由于本申请的X射线平板探测器20设置了若干连接线23，使得薄膜晶体管22与感光器件层26能够通过连接线23电连接，通过连接线23可以改变感光器件层26在基底1上的正投影面积的位置。在本实施例中，感光器件层26在基底1上的正投影面积小于背板层21在基底1上的正投影面积，当需要探测的面积较小时，即当感光器件层26需要的设计尺寸较小时，本申请实施例通过连接线23的设置可以实现较大尺寸的背板层21与较小尺寸的感光器件层26的匹配连接，不需要再单独制作尺寸较小的背板层21，进而降低了生产成本。当然，在实际设计时，感光器件层26在基底1上的正投影面积也可以大于背板层21在基底1上的正投影面积，这样能够适用于不同要求的探测面积。
具体实施时，本申请实施例的X射线平板探测器可以为乳腺平板探测器，乳腺平板探测器一般用于乳腺癌的前期诊断，为了观察到乳腺的微小钙化，目前探测部件的像素大小为50～75微米，而目前与探测部件连接的背板层的像素大小为140微米，本申请实施例提供的X射线平板探测器通过连接线23的设置，可以使得背板层21中的像素与感光器件层26(即探测部件)中的像素不在同一垂直区域，实现较大尺寸背板层的像素与较小尺寸感光器件层26的像素的对应连接，进而实现高分辨率的X射线平板探测器。
可选地，如图2和图3所示，背板层21包括钝化层7。钝化层7位于薄膜晶体管22远离基底1一侧，覆盖基底1，且设置有若干第一过孔27，第一过孔27用以暴露出每一薄膜晶体管22的源极或漏极。每一连接线23通过第一过孔27与一薄膜晶体管22的源极或漏极电连接。
图3示出了本申请实施例的贯穿钝化层7的第一过孔27的排列结构。如图3所示，背板层21包括多个以阵列方式排列的第一空间，每一第一空间对应一背板层21的像素，每一第一空间内包括一个第一过孔27。具体地，该第一空间具有第一长度a和第一宽度b，例如第一长度a和第一宽度b的尺寸可以均为140微米。
可选地，如图2和图4所示，本申请实施例中的走线层包括平坦层25，平坦层25位于感光器件层26靠近基底1一侧，覆盖连接线23，且平坦层25在预设位置处设置有若干贯穿该平坦层25的第二过孔28；每一第一电极8通过第二过孔28与一连接线23电连接，这里的预设位置为第一电极8需要与连接线23进行连接的位置，该位置具体根据实际需要进行设定。平坦层25的设置解决了薄膜晶体管22位置处的膜层段差，能够使得薄膜晶体管22投影上方的膜层均匀性较好，进而使得感光器件层26能够与背板层21在垂直于基底1的方向上依次设置，从而能够提高X射线平板探测器20的填充率，进而能够提升X射线平板探测器20的分辨率和探测性能。
图4示出了本申请实施例的贯穿平坦层25的第二过孔28的排列结构。如图4所示，感光器件层26包括多个以阵列方式排列的第二空间，每一第二空间对应一感光器件层26的像素，每一第二空间内包括一个第二过孔28。具体地，该第二空间具有第二长度c和第二宽度d，例如本申请实施例中，第二长度c和第二宽度d的尺寸可以均为70微米，第二长度c和第二宽度d可以满足乳腺探测以及工业探测对于小像素的需求，但也可以根据不用要求对第二空间的面积进行修改。
在一种可选的实施例中，感光器件层26位于基底1的四角区域中的任一区域，如图5所示，感光器件层26可以位于基底1的右上角区域，当然，实际设计时，感光器件层26也可以位于基底1的右下角区域，或位于基底1的左上角区域，或位于基底1的左下角区域。在另一种可选的实施例中，感光器件层26也可以位于基底1的中间区域。感光器件层26与基底1的具***置关系根据实际需要进行设定，本申请实施例并不对此做限定。
可选地，如图2所示，感光器件层26包括光电二极管9和第二电极10。光电二极管9位于第一电极8远离基底1一侧。第二电极10位于光电二极管9远离第一电极8一侧。具体地，本申请实施例中，第一电极8的材料采用金属钼(Mo)，第一电极8沿垂直于基底1方向上的厚度为
Figure BDA0002789934180000102
第二电极10可以采用与第一电极8相同的材料，第二电极10沿垂直于基底1方向上的厚度为
Figure BDA0002789934180000101
光电二极管9包括P型半导体层、N型半导体层，以及介于P型半导体层和N型半导体层之间的本征半导体层，光电二极管9的具体结构与现有技术类似，这里不再赘述。
可选地，如图2所示，本申请实施例中第一电极8为条形电极，第二电极10为面状电极。或者，在另一个实施例中，第一电极8为条形电极，第二电极10为条形电极，且第二电极10在基底1上的正投影区域覆盖第一电极8在基底1上的正投影区域。
可选地，如图2所示，为了进一步保护感光器件层26，X射线平板探测器20还可以包括保护层11，位于感光器件层26远离基底1一侧，且覆盖基底1。保护层11在基底1上的正投影面积大于感光器件层26在基底1上的正投影面积。
基于同一发明构思，在第二方面中，本申请实施例公开了一种X射线平板探测装置，包括：多个阵列排列的如第一方面的X射线平板探测器20。相邻的X射线平板探测器20采用拼接的方式连接，感光器件层26靠近拼接位置处设置。由于第二方面的X射线平板探测装置包括了第一方面的X射线平板探测器20，使得第二方面的X射线平板探测装置具有与第一方面的X射线平板探测器20相同的有益效果。因此，第二方面的X射线平板探测装置的有益效果不再重复赘述。
实际应用中，为了增加X射线平板探测器20的探测面积，且同时能够实现背板层与不同尺寸的感光器件层26的兼容，本申请实施例中的感光器件层26可以采用拼接的方式进行设计，如图6所示，可以将四个面积较小的感光器件层26进拼接成一个面积较大的感光器件层。
具体地，如图7所示，图7中示出了相邻的X射线平板探测器20采用拼接的方式连接后的示意图，感光器件层26靠近拼接位置处设置，即感光器件层26位于整个X射线平板探测装置的中间区域，感光器件层26位于单个X射线平板探测器20的四角区域，本申请实施例中拼接后形成的X射线平板探测装置不仅能够进一步提高分辨率，且不会增加连接线的设计压力。
基于同一发明构思，在第三方面中，本申请实施例公开了一种X射线成像***包括：第一方面的X射线平板探测器20。或者，在另一个实施例中，本申请实施例的X射线成像***可以包括第二方面的X射线平板探测装置。由于第三方面的X射线成像***包括了第一方面的X射线平板探测器20或者第二方面的X射线平板探测装置，使得第三方面的X射线成像***具有与第一方面的X射线平板探测器20或者第二方面的X射线平板探测装置相同的有益效果。因此，第三方面的X射线成像***的有益效果不再重复赘述。
基于同一发明构思，在第四方面中，本申请实施例提供了一种X射线平板探测器20的制作方法。如图8所示，该方法包括：
S101：提供一基底1，通过构图工艺在基底1上制作背板层21，背板层21包括薄膜晶体管22和钝化层7。
S102：通过构图工艺在背板层21远离基底1一侧制作若干连接线23，每一连接线24通过贯穿钝化层7的第一过孔27与一薄膜晶体管22的源极或漏极电连接。
S103：通过构图工艺在连接线24远离基底1一侧制作平坦层25。
S104：通过构图工艺在平坦层25远离基底1一侧制作感光器件层26，感光器件层26包括多个第一电极8，每一第一电极8通过贯穿平坦层25的第二过孔28与一连接线23电连接，且感光器件层26在基底1上的正投影与背板层21在基底1上的正投影不重叠。
由于本申请实施例的X射线平板探测器10制作有平坦层25，使得感光器件层26与背板层21两者在垂直于基底1的方向上能够依次设置，与现有技术薄膜晶体管与感光器件层并列放置的方式相比，本申请实施例中的感光器件层26的设计并不受薄膜晶体管22的影响，从而能够提高X射线平板探测器20的填充率，进而能够提升X射线平板探测器20的分辨率和探测性能；另外，由于本申请实施例中感光器件层26包括的每一第一电极8通过贯穿平坦层25的第二过孔28与一连接线23电连接，可以使得背板层21中的像素与感光器件层26中的像素不在同一垂直区域，进而能够进一步提升X射线平板探测器20的分辨率，使得X射线平板探测器能够很好的应用在高分辨率应用场景，如乳腺探测和工业探测需求，且连接线的制作能够实现较大尺寸背板层21与较小尺寸感光器件层26的的兼容，进而能够降低生产成本。
可选地，通过构图工艺在基底1上制作背板层21，包括：
在基底1上制作一层缓冲层2；
通过构图工艺在缓冲层2上依次制作栅极3、栅极绝缘层4、有源层5、源极和漏极；
通过构图工艺在源极和漏极上制作钝化层7。
具体实施时，通过构图工艺在源极和漏极上制作钝化层7包括：在源极和漏极上涂覆一层绝缘膜层，之后对该绝缘膜层进行图形化，以形成钝化层7，钝化层7包括有多个贯穿该钝化层7的第一过孔27。另外，本申请实施例中缓冲层2、栅极3、栅极绝缘层4、有源层5、源极和漏极的具体制作方法均与现有技术类似，这里不再赘述。
可选地，通过构图工艺在背板层21远离基底1一侧制作若干连接线23，包括：
首先，在钝化层7上沉积一层金属层，例如在钝化层7上沉积一层金属铝(Al)或金属铜(Cu)。
接着，图形化金属层，形成若干连接线23，每一连接线23在基底1上的正投影区域覆盖一第一过孔27在基底1上的正投影区域，以及覆盖一第二过孔28在基底1上的正投影区域。具体地，如图2所示，经过图形化后形成的连接线23需要延伸至第一过孔27的位置，以及延伸至第二过孔28的位置，以使得连接线23的一端能够与薄膜晶体管22的源极或漏极连接，另一端能够与第一电极8连接。
可选地，通过构图工艺在平坦层25远离基底1一侧制作感光器件层26，包括：
通过构图工艺在平坦层25上制作若干第一电极8，每一第一电极8通过贯穿平坦层25的第二过孔28与一连接线23电连接；
通过构图工艺在第一电极8上制作光电二极管9；
通过构图工艺在光电二极管9上制作第二电极10。
具体实施时，通过构图工艺在第一电极8上制作光电二极管9包括：通过构图工艺在第一电极8上依次制作N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层。本申请实施例中第一电极8、光电二极管9和第二电极10的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。
应用本申请实施例所获得的有益效果包括：
1、本申请实施例的X射线平板探测器20包括的感光器件层26位于走线层远离基底1一侧，走线层位于背板层21远离基底1一侧，因此，本申请实施例中感光器件层26与背板层21两者在垂直于基底1的方向上依次设置，与现有技术薄膜晶体管与感光器件层并列放置的方式相比，本申请实施例中的感光器件层26的设计并不受薄膜晶体管22的影响，从而能够提高X射线平板探测器20的填充率，进而能够提升X射线平板探测器20的分辨率和探测性能；另外，由于本申请实施例中每一第一电极8通过一连接线23与一薄膜晶体管22的源漏极层6电连接，感光器件层26在基底1上的正投影与背板层21在基底1上的正投影不重叠，因此本申请实施例通过连接线23的设置，可以使得背板层21中的像素与感光器件层26中的像素不在同一垂直区域，进而能够进一步提升X射线平板探测器20的分辨率，使得X射线平板探测器能够很好的应用在高分辨率应用场景，如乳腺探测和工业探测需求，且连接线的设置能够实现较大尺寸背板层21与较小尺寸感光器件层26的兼容，进而能够降低生产成本。
2、本申请实施例的X射线平板探测装置，包括多个本申请实施例提供的X射线平板探测器20。相邻的X射线平板探测器20采用拼接的方式连接，感光器件层26靠近拼接位置处设置。这种设置方式能够增加X射线平板探测器的探测面积，进一步提高分辨率，且同时能够实现背板层与不同尺寸的感光器件层26的兼容。
本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (13)

1.一种X射线平板探测器，其特征在于，包括：
基底；
背板层，位于所述基底上，包括若干薄膜晶体管，每一所述薄膜晶体管包括源漏极层；
走线层，位于所述背板层远离所述基底一侧，包括若干连接线；
感光器件层，位于所述走线层远离所述基底一侧，包括多个第一电极，每一所述第一电极通过一所述连接线与一所述薄膜晶体管的源漏极层电连接，且所述感光器件层在所述基底上的正投影与所述背板层在所述基底上的正投影不重叠。
2.根据权利要求1所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述感光器件层在所述基底上的正投影面积小于所述背板层在所述基底上的正投影面积。
3.根据权利要求2所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述背板层包括钝化层；
所述钝化层位于所述薄膜晶体管远离所述基底一侧，覆盖所述基底，且设置有若干第一过孔，以暴露出每一所述薄膜晶体管的源极或漏极；
每一所述连接线通过所述第一过孔与一所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
4.根据权利要求2所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述走线层包括平坦层，位于所述感光器件层靠近所述基底一侧，覆盖所述连接线，且在预设位置处设置有若干贯穿该平坦层的第二过孔；
每一所述第一电极通过所述第二过孔与一所述连接线电连接。
5.根据权利要求2所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述感光器件层包括光电二极管和第二电极；
所述光电二极管位于所述第一电极远离所述基底一侧；
所述第二电极位于所述光电二极管远离所述第一电极一侧。
6.根据权利要求5所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述第一电极为条形电极，所述第二电极为面状电极；或者，
所述第一电极为条形电极，所述第二电极为条形电极，且所述第二电极在所述基底上的正投影区域覆盖所述第一电极在所述基底上的正投影区域。
7.根据权利要求1-6任一项所述的X射线平板探测器，其特征在于，还包括保护层，位于所述感光器件层远离所述基底一侧，且覆盖所述基底；
所述保护层在所述基底上的正投影面积大于所述感光器件层在所述基底上的正投影面积。
8.一种X射线平板探测装置，其特征在于，包括：多个阵列排列的如权利要求1-7任一项所述的X射线平板探测器；
相邻的所述X射线平板探测器采用拼接的方式连接，所述感光器件层靠近拼接位置处设置。
9.一种X射线成像***，其特征在于，包括：如权利要求1-7任一项所述的X射线平板探测器；或，包括如权利要求8所述的X射线平板探测装置。
10.一种X射线平板探测器的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基底，通过构图工艺在所述基底上制作背板层，所述背板层包括薄膜晶体管和钝化层；
通过构图工艺在所述背板层远离所述基底一侧制作若干连接线，每一所述连接线通过贯穿所述钝化层的第一过孔与一所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接；
通过构图工艺在所述连接线远离所述基底一侧制作平坦层；
通过构图工艺在所述平坦层远离所述基底一侧制作感光器件层，所述感光器件层包括多个第一电极，每一所述第一电极通过贯穿所述平坦层的第二过孔与一所述连接线电连接，且所述感光器件层在所述基底上的正投影与所述背板层在所述基底上的正投影不重叠。
11.根据权利要求10所述的X射线平板探测器的制作方法，其特征在于，所述通过构图工艺在所述基底上制作背板层，包括：
在所述基底上制作一层缓冲层；
通过构图工艺在所述缓冲层上依次制作栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极；
通过构图工艺在所述源极和漏极上制作钝化层。
12.根据权利要求11所述的X射线平板探测器的制作方法，其特征在于，所述通过构图工艺在所述背板层远离所述基底一侧制作若干连接线，包括：
在所述钝化层上沉积一层金属层；
图形化所述金属层，形成若干连接线，每一所述连接线在所述基底上的正投影区域覆盖一所述第一过孔在所述基底上的正投影区域，以及覆盖一所述第二过孔在所述基底上的正投影区域。
13.根据权利要求10所述的X射线平板探测器的制作方法，其特征在于，所述通过构图工艺在所述平坦层远离所述基底一侧制作感光器件层，包括：
通过构图工艺在所述平坦层上制作若干第一电极，每一所述第一电极通过贯穿所述平坦层的第二过孔与一所述连接线电连接；
通过构图工艺在所述第一电极上制作光电二极管；
通过构图工艺在所述光电二极管上制作第二电极。
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