CN114503297A - 第一和第二有机半导体层以及包括所述第一和第二有机半导体层的有机电子器件 - Google Patents

Abstract

本发明涉及第一和第二有机半导体层以及包括该第一和第二有机半导体层的有机电子器件，其中所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中a)所述第一有机半导体层包含：金属掺杂剂，和式(I)的化合物：

以及b)所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。

Description

第一和第二有机半导体层以及包括所述第一和第二有机半导 体层的有机电子器件

技术领域

本发明涉及第一和第二有机半导体层以及包括所述第一和第二有机半导体层的有机电子器件。本发明还涉及包括所述有机电子器件的显示装置。

背景技术

作为自发光器件的有机电子器件如有机发光二极管OLED具有宽视角、优异的对比度、快速的响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现。典型的OLED包括阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极，它们依次层叠在基底上。就此而言，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。

当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴经由HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合以产生激子。当激子从激发态下降到基态时发光。应当平衡空穴和电子的注入和流动，以使得具有上述结构的OLED具有优异的效率和/或长的寿命。

有机发光二极管的性能可以会受到半导体层的特性的影响，并且其中，可能会受到半导体层的有机材料的特性的影响。

特别是，需要开发能够增加电子迁移率并同时增加电化学稳定性的半导体层，使得有机电子器件如有机发光二极管可以应用于大尺寸平板显示器。

此外，需要开发能够在较高的电流密度下并且由此在较高的亮度下具有延长寿命的半导体层。特别是需要关于降低工作电压来开发有机半导体材料或半导体层，这对于降低例如移动显示装置的功率消耗和增加电池寿命很重要。

仍然需要改进有机半导体材料、半导体层以及其有机电子器件的性能，特别是通过改进其中包含的化合物的特性来实现增加的寿命。

发明内容

本发明的一个方面提供了一种有机电子器件，包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²相同或不同并且独立地选自氢、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基；

L是单键、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₁₈杂芳亚基、被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联苯亚基、被取代或未被取代的三联苯亚基、被取代或未被取代的蒽亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的二苯并噻吩亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的吡啶亚基、被取代或未被取代的苯基吡啶亚基、被取代或未被取代的喹啉亚基；

Ar³是选自被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基基团、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳亚基基团、被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、被取代或未被取代的吖啶亚基、被取代或未被取代的苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的苯并喹啉亚基、被取代或未被取代的菲啶亚基、被取代或未被取代的菲咯啉亚基、被取代或未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或被取代或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；

Ar⁴是独立地选自H、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S、O或C(R¹)₂；

n为0、1、2、3或4；

其中L、Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴和/或N的取代基独立地选自：

-H、C₆至C₁₈芳基、C₃至C₂₀杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、C₃至C₁₆支链烷基、C₃至C₁₆环状烷基、C₃至C₁₆支链烷氧基、C₃至C₁₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基、-PX³(R²)₂、D、F或CN；

-R¹和R²独立地选自C₆至C₁₂芳基、C₃至C₁₂杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基，并且

-两个R¹可以连接在一起以形成环，

-X³可以选自S或O；以及

b)所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。

如果没有另外说明，则杂原子可以单独选自N、O、S、B、Si、P、Se，优选地选自N、O和S，并且更优选为N。

根据一个实施方式，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²相同或不同并且独立地选自氢、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基；

L是被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₁₈杂芳亚基、被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联苯亚基、被取代或未被取代的三联苯亚基、被取代或未被取代的蒽亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的二苯并噻吩亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的吡啶亚基、被取代或未被取代的苯基吡啶亚基、被取代或未被取代的喹啉亚基；

Ar³是选自被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基基团、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳亚基基团、被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、被取代或未被取代的吖啶亚基、被取代或未被取代的苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的苯并喹啉亚基、被取代或未被取代的菲啶亚基、被取代或未被取代的菲咯啉亚基、被取代或未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或被取代或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；

Ar⁴是独立地选自H、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S、O或C(R¹)₂；

n为0、1、2、3或4；

其中L、Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴和/或N的取代基独立地选自：

-H、C₆至C₁₈芳基、C₃至C₂₀杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、C₃至C₁₆支链烷基、C₃至C₁₆环状烷基、C₃至C₁₆支链烷氧基、C₃至C₁₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基、-PX³(R²)₂、D、F或CN；

-R¹和R²独立地选自C₆至C₁₂芳基、C₃至C₁₂杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基，并且

-两个R¹可以连接在一起以形成环，

-X³可以选自S或O；以及

b)所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。

根据一个实施方式，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²相同或不同并且独立地选自氢、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基；

L是单键或被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₁₈杂芳亚基，优选地是被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₁₈杂芳亚基，所述基团选自被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联苯亚基、被取代或未被取代的三联苯亚基、被取代或未被取代的蒽亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的二苯并噻吩亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的吡啶亚基、被取代或未被取代的苯基吡啶亚基、被取代或未被取代的喹啉亚基；

Ar³是选自被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基基团、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳亚基基团的基团，优选地是被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基基团、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳亚基基团，所述基团选自被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、被取代或未被取代的吖啶亚基、被取代或未被取代的苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的苯并喹啉亚基、被取代或未被取代的菲啶亚基、被取代或未被取代的菲咯啉亚基、被取代或未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或被取代或未被取代的二萘并噻吩亚基；

Ar⁴是独立地选自H、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基的基团，优选地是被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基，所述基团选自未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基，或者具有式(II)或(III)，

其中所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S、O或C(R¹)₂；

n为0、1、2、3或4；

其中L、Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴和/或N的取代基独立地选自：

-H，或优选地选自C₆至C₁₈芳基、C₃至C₂₀杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、C₃至C₁₆支链烷基、C₃至C₁₆环状烷基、C₃至C₁₆支链烷氧基、C₃至C₁₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基、-PX³(R²)₂、D、F或CN；

-R¹和R²独立地选自C₆至C₁₂芳基、C₃至C₁₂杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基，并且

-两个R¹可以连接在一起以形成环，

-X³可以选自S或O；以及

b)所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。

根据一个实施方式，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²相同或不同并且独立地选自氢、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基；

L是单键或被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₁₈杂芳亚基，优选地所述被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳亚基、所述被取代或未被取代的C₃至C₁₈杂芳亚基选自被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联苯亚基、被取代或未被取代的三联苯亚基、被取代或未被取代的蒽亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的二苯并噻吩亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的吡啶亚基、被取代或未被取代的苯基吡啶亚基、被取代或未被取代的喹啉亚基；

Ar³是选自被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基基团、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳亚基基团的基团，优选地所述被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基基团、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳亚基基团选自被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、被取代或未被取代的吖啶亚基、被取代或未被取代的苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的苯并喹啉亚基、被取代或未被取代的菲啶亚基、被取代或未被取代的菲咯啉亚基、被取代或未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或被取代或未被取代的二萘并噻吩亚基；

Ar⁴是独立地选自H、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基的基团，优选地所述被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基选自未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基，或者具有式(II)或(III)，

其中所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S、O或C(R¹)₂；

n为0、1、2、3或4；

其中L、Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴和/或N的取代基独立地选自：

-C₆至C₁₈芳基、C₃至C₂₀杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、C₃至C₁₆支链烷基、C₃至C₁₆环状烷基、C₃至C₁₆支链烷氧基、C₃至C₁₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基、-PX³(R²)₂、D、F或CN；

-R¹和R²独立地选自C₆至C₁₂芳基、C₃至C₁₂杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基，并且

-两个R¹可以连接在一起以形成环，

-X³可以选自S或O；以及

b)所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。

根据一个实施方式，L是被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₁₈杂芳亚基、被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联苯亚基、被取代或未被取代的三联苯亚基、被取代或未被取代的蒽亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的二苯并噻吩亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的吡啶亚基、被取代或未被取代的苯基吡啶亚基、被取代或未被取代的喹啉亚基。

根据一个实施方式，L不为单键。

根据一个实施方式，L、Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴和/或N的取代基不为H。

根据一个实施方式，L、Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴和/或N的取代基独立地选自：

-C₆至C₁₈芳基、C₃至C₂₀杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、C₃至C₁₆支链烷基、C₃至C₁₆环状烷基、C₃至C₁₆支链烷氧基、C₃至C₁₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基、-PX³(R²)₂、D、F或CN；

-R¹和R²独立地选自C₆至C₁₂芳基、C₃至C₁₂杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基，并且

-两个R¹可以连接在一起以形成环，

-X³可以选自S或O。

如果没有另外说明，则H可以表示氢或氘。

如果没有另外说明，对于Ar³的基团成员的最后一个音节“亚基(ene)”在n＝0或专家认为的情况下可以是“基(yl)”。例如，对于n＝0，Ar³的基团成员可以理解或替换为“被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基基团、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基基团、被取代的吡嗪基、被取代的嘧啶基、被取代或未被取代的吖啶基、被取代或未被取代的苯并吖啶基、被取代或未被取代的二苯并吖啶基、被取代或未被取代的二苯并呋喃基、被取代或未被取代的咔唑基、被取代或未被取代的苯并喹啉基、被取代或未被取代的菲啶基、被取代或未被取代的菲咯啉基、被取代或未被取代的二萘并呋喃基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉基、或被取代或未被取代的二萘并噻吩基”。

根据一个实施方式，L可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基。

根据一个实施方式，其中所述第二有机半导体层可以包含至少一种轴烯化合物，其中所述轴烯化合物中吸电子基团的总量为13原子百分比至90原子百分比。

根据一个实施方式，其中所述吸电子基团可以选自卤素、腈、全卤化C₁至C₂₀烷基、全卤化C₆至C₂₀芳基、具有6至20个成环原子的全卤化杂芳基，优选地所述吸电子基团是氟离子、全氟化C₁至C₂₀烷基、全氟化C₆至C₂₀芳基、具有5至20个成环原子的全氟化杂芳基或CN。

根据一个实施方式，其中所述吸电子基团可以优选独立地选自氟、氯、溴和CN。

根据一个实施方式，其中所述第二有机半导体层可以包含至少一种轴烯化合物，其中所述轴烯化合物中吸电子基团的总量为13原子百分比至90原子百分比；并且其中所述吸电子基团可以选自卤素、腈、全卤化C₁至C₂₀烷基、全卤化C₆至C₂₀芳基、具有6至20个成环原子的全卤化杂芳基，优选地所述吸电子基团是氟离子、全氟化C₁至C₂₀烷基、全氟化C₆至C₂₀芳基、具有5至20个成环原子的全氟化杂芳基或CN。

根据一个实施方式，其中所述第二有机半导体层可以包含至少一种轴烯化合物，其中所述轴烯化合物中吸电子基团的总量为13原子百分比至90原子百分比；并且其中所述吸电子基团可以优选独立地选自氟、氯、溴和CN。

根据一个实施方式，所述有机电子器件可以包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层可以包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²可以相同或不同并且可以独立地选自氢、未被取代的C₅至C₁₇杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含至少一个未被取代的C₅至C₁₇杂芳基；

L可以是键、或被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联苯亚基、被取代或未被取代的三联苯亚基、被取代或未被取代的蒽亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的二苯并噻吩亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的吡啶亚基、被取代或未被取代的苯基吡啶亚基、被取代或未被取代的喹啉亚基；

Ar³可以是选自被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、被取代或未被取代的苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的苯并喹啉亚基、被取代或未被取代的菲啶亚基、被取代或未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或被取代或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；

Ar⁴可以是独立地选自H、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的吡啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中

X²可以选自S或O；

n可以为0、1、2或3；以及

b)所述第二有机半导体层可以包含至少一种轴烯化合物，其中所述轴烯化合物中吸电子基团的总量为13原子百分比至90原子百分比；优选地所述轴烯化合物是[3]-轴烯，并且进一步优选所述轴烯化合物是[3]-轴烯并选自基团A1至A21。

根据一个实施方式，所述有机电子器件可以包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层可以包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²可以相同或不同并且可以独立地选自氢、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基；

L是单键、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₁₈杂芳亚基、被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联苯亚基、被取代或未被取代的三联苯亚基、被取代或未被取代的蒽亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的二苯并噻吩亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的吡啶亚基、被取代或未被取代的苯基吡啶亚基、被取代或未被取代的喹啉亚基；

Ar³可以是选自被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基基团、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳亚基基团、被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、被取代或未被取代的吖啶亚基、被取代或未被取代的苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的苯并喹啉亚基、被取代或未被取代的菲啶亚基、被取代或未被取代的菲咯啉亚基、被取代或未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或被取代或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；

Ar⁴可以是独立地选自H、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S、O或C(R¹)₂；

n可以为0、1、2、3或4；

其中L、Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴和/或N的取代基独立地选自：

-H、C₆至C₁₈芳基、C₃至C₂₀杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、C₃至C₁₆支链烷基、C₃至C₁₆环状烷基、C₃至C₁₆支链烷氧基、C₃至C₁₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基、-PX³(R²)₂、D、F或CN；

-R¹和R²独立地选自C₆至C₁₂芳基、C₃至C₁₂杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基，并且

-两个R¹可以连接在一起以形成环，

-X³可以选自S或O；以及

b)所述第二有机半导体层可以包含至少一种轴烯化合物，其中所述轴烯化合物是[3]-轴烯，并且优选地所述轴烯化合物是[3]-轴烯并选自基团A1至A21。

根据一个实施方式，所述有机电子器件可以包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层可以包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²可以相同或不同并且可以独立地选自氢、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基；

L是单键、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₁₈杂芳亚基、被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联苯亚基、被取代或未被取代的三联苯亚基、被取代或未被取代的蒽亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的二苯并噻吩亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的吡啶亚基、被取代或未被取代的苯基吡啶亚基、被取代或未被取代的喹啉亚基；

Ar³可以是选自被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基基团、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳亚基基团、被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的苯并喹啉亚基、被取代或未被取代的菲啶亚基、被取代或未被取代的菲咯啉亚基、被取代或未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或被取代或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；

Ar⁴可以是独立地选自H、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S、O或C(R¹)₂；

n可以为0、1、2、3或4；

其中L、Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴和/或N的取代基独立地选自：

-H、C₆至C₁₈芳基、C₃至C₂₀杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、C₃至C₁₆支链烷基、C₃至C₁₆环状烷基、C₃至C₁₆支链烷氧基、C₃至C₁₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基、-PX³(R²)₂、D、F或CN；

-R¹和R²独立地选自C₆至C₁₂芳基、C₃至C₁₂杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基，并且

-两个R¹可以连接在一起以形成环，

-X³可以选自S或O；以及

b)所述第二有机半导体层可以包含至少一种轴烯化合物，优选地所述轴烯化合物是[3]-轴烯，并且还优选所述轴烯化合物是[3]-轴烯并选自基团A1至A21。

根据一个实施方式，所述有机电子器件可以包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层可以包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²可以相同或不同并且可以独立地选自氢、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基；

L是单键、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₁₈杂芳亚基、被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联苯亚基、被取代或未被取代的三联苯亚基、被取代或未被取代的蒽亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的二苯并噻吩亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的吡啶亚基、被取代或未被取代的苯基吡啶亚基、被取代或未被取代的喹啉亚基；

Ar³可以是选自被取代或未被取代的吖啶亚基、被取代或未被取代的苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并吖啶亚基的基团；

Ar⁴可以是独立地选自H、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S、O或C(R¹)₂；

n可以为0、1、2、3或4；

其中L、Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴和/或N的取代基独立地选自：

-H、C₆至C₁₈芳基、C₃至C₂₀杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、C₃至C₁₆支链烷基、C₃至C₁₆环状烷基、C₃至C₁₆支链烷氧基、C₃至C₁₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基、-PX³(R²)₂、D、F或CN；

-R¹和R²独立地选自C₆至C₁₂芳基、C₃至C₁₂杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基，并且

-两个R¹可以连接在一起以形成环，

-X³可以选自S或O；以及

b)所述第二有机半导体层可以包含至少一种轴烯化合物，优选地所述轴烯化合物是[3]-轴烯，并且还优选所述轴烯化合物是[3]-轴烯并选自基团A1至A21。

根据一个实施方式，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层可以包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²可以相同或不同并且可以独立地选自氢、未被取代的C₆至C₃₆芳基、未被取代的C₃至C₃₆杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含未被取代的C₃至C₃₆杂芳基；

L是单键、未被取代的C₆至C₁₈芳亚基、未被取代的C₃至C₁₈杂芳亚基、未被取代的苯亚基、未被取代的联苯亚基、未被取代的杂联苯亚基、未被取代的三联苯亚基、未被取代的杂三联苯亚基、未被取代的蒽亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的二苯并噻吩亚基、未被取代的咔唑亚基、未被取代的吡啶亚基、未被取代的苯基吡啶亚基、未被取代的喹啉亚基；

Ar³可以是选自未被取代的C₆至C₃₆芳基、未被取代的C₆至C₃₆芳亚基、未被取代的C₃至C₃₆杂芳基基团、未被取代的C₃至C₃₆杂芳亚基基团、被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、未被取代的吖啶亚基、未被取代的苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的咔唑亚基、未被取代的苯并喹啉亚基、未被取代的菲啶亚基、未被取代的菲咯啉亚基、未被取代的二萘并呋喃亚基、未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；

Ar⁴可以是独立地选自H、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S、O或C(R¹)₂；

n可以为0、1、2、3或4；

其中Ar⁴和/或N的取代基独立地选自：

-H、C₆至C₁₈芳基、C₃至C₂₀杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、C₃至C₁₆支链烷基、C₃至C₁₆环状烷基、C₃至C₁₆支链烷氧基、C₃至C₁₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基、-PX³(R²)₂、D、F或CN；

-R¹和R²独立地选自C₆至C₁₂芳基、C₃至C₁₂杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基，并且

-两个R¹可以连接在一起以形成环，

-X³可以选自S或O；以及

b)所述第二有机半导体层可以包含至少一种轴烯化合物，优选地所述轴烯化合物是[3]-轴烯，并且还优选所述轴烯化合物是[3]-轴烯并选自基团A1至A21。

根据一个实施方式，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层可以包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²可以相同或不同并且可以独立地选自氢、未被取代的C₆至C₃₆芳基、未被取代的C₃至C₃₆杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含未被取代的C₃至C₃₆杂芳基；

L是单键、未被取代的C₆至C₁₈芳亚基、未被取代的C₃至C₁₈杂芳亚基、未被取代的苯亚基、未被取代的联苯亚基、未被取代的杂联苯亚基、未被取代的三联苯亚基、未被取代的杂三联苯亚基、未被取代的蒽亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的二苯并噻吩亚基、未被取代的咔唑亚基、未被取代的吡啶亚基、未被取代的苯基吡啶亚基、未被取代的喹啉亚基；

Ar³可以是选自未被取代的C₆至C₃₆芳基、未被取代的C₆至C₃₆芳亚基、未被取代的C₃至C₃₆杂芳基基团、未被取代的C₃至C₃₆杂芳亚基基团、被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、未被取代的吖啶亚基、未被取代的苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的咔唑亚基、未被取代的苯并喹啉亚基、未被取代的菲啶亚基、未被取代的菲咯啉亚基、未被取代的二萘并呋喃亚基、未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；

Ar⁴是可以独立地选自H、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基、被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的联苯基、被取代或未被取代的萘基、被取代或未被取代的蒽基的基团；

n可以为0、1、2、3或4；

其中Ar⁴的取代基独立地选自：

-H、C₆至C₁₈芳基、C₃至C₂₀杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、C₃至C₁₆支链烷基、C₃至C₁₆环状烷基、C₃至C₁₆支链烷氧基、C₃至C₁₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基、-PX³(R²)₂、D、F或CN；

-R¹和R²独立地选自C₆至C₁₂芳基、C₃至C₁₂杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基，并且

-两个R¹可以连接在一起以形成环，

-X³可以选自S或O；以及

b)所述第二有机半导体层可以包含至少一种轴烯化合物，优选地所述轴烯化合物是[3]-轴烯，并且还优选所述轴烯化合物是[3]-轴烯并选自基团A1至A21。

根据一个实施方式，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层可以包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²可以相同或不同并且可以独立地选自氢、未被取代的C₆至C₃₆芳基、未被取代的C₃至C₃₆杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含未被取代的C₃至C₃₆杂芳基；

L是单键、未被取代的C₆至C₁₈芳亚基、未被取代的C₃至C₁₈杂芳亚基、未被取代的苯亚基、未被取代的联苯亚基、未被取代的杂联苯亚基、未被取代的三联苯亚基、未被取代的杂三联苯亚基、未被取代的蒽亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的二苯并噻吩亚基、未被取代的咔唑亚基、未被取代的吡啶亚基、未被取代的苯基吡啶亚基、未被取代的喹啉亚基；

Ar³可以是选自未被取代的C₆至C₃₆芳基、未被取代的C₆至C₃₆芳亚基、未被取代的C₃至C₃₆杂芳基基团、未被取代的C₃至C₃₆杂芳亚基基团、被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、未被取代的吖啶亚基、未被取代的苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的咔唑亚基、未被取代的苯并喹啉亚基、未被取代的菲啶亚基、未被取代的菲咯啉亚基、未被取代的二萘并呋喃亚基、未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；

Ar⁴是可以独立地选自H、未被取代的C₆至C₁₈芳基、未被取代的C₃至C₂₀杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基的基团；

n可以为0、1、2、3或4；以及

b)所述第二有机半导体层可以包含至少一种轴烯化合物，优选地所述轴烯化合物是[3]-轴烯，并且还优选所述轴烯化合物是[3]-轴烯并选自基团A1至A21。

根据一个实施方式，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层可以包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²可以相同或不同并且可以独立地选自氢、未被取代的C₆至C₃₆芳基、未被取代的C₃至C₃₆杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含未被取代的C₃至C₃₆杂芳基；

L是单键、未被取代的C₆至C₁₈芳亚基、未被取代的C₃至C₁₈杂芳亚基、未被取代的苯亚基、未被取代的联苯亚基、未被取代的杂联苯亚基、未被取代的三联苯亚基、未被取代的杂三联苯亚基、未被取代的蒽亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的二苯并噻吩亚基、未被取代的咔唑亚基、未被取代的吡啶亚基、未被取代的苯基吡啶亚基、未被取代的喹啉亚基；

Ar³可以是选自未被取代的C₆至C₃₆芳基、未被取代的C₆至C₃₆芳亚基、未被取代的C₃至C₃₆杂芳基基团、未被取代的C₃至C₃₆杂芳亚基基团、被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、未被取代的吖啶亚基、未被取代的苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的咔唑亚基、未被取代的苯并喹啉亚基、未被取代的菲啶亚基、未被取代的菲咯啉亚基、未被取代的二萘并呋喃亚基、未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；

Ar⁴是可以独立地选自H、未被取代的C₆至C₁₈芳基、未被取代的C₃至C₂₀杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中所述式(II)和(III)的基团是未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S或O；

n可以为0、1、2、3或4；以及

b)所述第二有机半导体层可以包含至少一种轴烯化合物，优选地所述轴烯化合物是[3]-轴烯，并且还优选所述轴烯化合物是[3]-轴烯并选自基团A1至A21。

根据一个实施方式，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层可以包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²可以相同或不同并且可以独立地选自氢、未被取代的C₆至C₃₆芳基、未被取代的C₃至C₃₆杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含未被取代的C₃至C₃₆杂芳基；

L是单键、未被取代的C₆至C₁₈芳亚基、未被取代的C₃至C₁₈杂芳亚基、未被取代的苯亚基、未被取代的联苯亚基、未被取代的杂联苯亚基、未被取代的三联苯亚基、未被取代的杂三联苯亚基、未被取代的蒽亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的二苯并噻吩亚基、未被取代的咔唑亚基、未被取代的吡啶亚基、未被取代的苯基吡啶亚基、未被取代的喹啉亚基；

Ar³可以是选自未被取代的C₆至C₃₆芳基、未被取代的C₆至C₃₆芳亚基、未被取代的C₃至C₃₆杂芳基基团、未被取代的C₃至C₃₆杂芳亚基基团、被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、未被取代的吖啶亚基、未被取代的苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的咔唑亚基、未被取代的苯并喹啉亚基、未被取代的菲啶亚基、未被取代的菲咯啉亚基、未被取代的二萘并呋喃亚基、未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；

Ar⁴是可以独立地选自H、未被取代的C₆至C₁₈芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基的基团；

n可以为0、1、2、3或4；以及

b)所述第二有机半导体层可以包含至少一种轴烯化合物，优选地所述轴烯化合物是[3]-轴烯，并且进一步优选所述轴烯化合物是[3]-轴烯并选自基团A1至A21。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)，C₃至C₃₆杂芳基、C₃至C₂₄杂芳基、C₃至C₂₀杂芳基、C₃至C₁₈杂芳亚基、C₁₂至C₂₅杂芳亚基、C₃至C₁₂杂芳基、C₃至C₁₂杂芳亚基的杂原子可以选自N、O或S。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)，杂芳基和/或杂芳亚基的杂原子可以选自N或O。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)，杂芳基和/或杂芳亚基的杂原子可以选自N。

根据另一个优选的实施方式，其中

a)所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含金属掺杂剂，和

-由下式(I)表示的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²可以相同或不同并且可以独立地选自氢、被取代或未被取代的C₅至C₁₇杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含至少一个被取代或未被取代的C₅至C₁₇杂芳基；

L可以是键、被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联苯亚基、被取代或未被取代的三联苯亚基、被取代或未被取代的蒽亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的二苯并噻吩亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的吡啶亚基、被取代或未被取代的苯基吡啶亚基、被取代或未被取代的喹啉亚基；

Ar³是可以选自被取代或未被取代的吡嗪亚基、被取代或未被取代的嘧啶亚基、被取代或未被取代的吖啶亚基、被取代或未被取代的苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的苯并喹啉亚基、被取代或未被取代的菲啶亚基、被取代或未被取代的菲咯啉亚基、被取代或未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或被取代或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；

Ar⁴是可以独立地选自H、被取代或未被取代的C₆至C₁₂芳基、被取代或未被取代的C₃至C₁₂杂芳基、被取代或未被取代的苯基、被取代或未被取代的联苯基、被取代或未被取代的萘基、被取代或未被取代的吡啶基、被取代或未被取代的蒽基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中

所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S或O；

n可以为0、1、2、3或4；

其中L、Ar¹、Ar²、Ar³和/或Ar⁴的取代基可以独立地选自：

C₆至C₁₂芳基、C₃至C₁₇杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、C₃至C₁₆支链烷基、C₃至C₁₆环状烷基、C₃至C₁₆支链烷氧基、C₃至C₁₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基、-PX³(R²)₂、D、F或CN，其中

R²独立地选自C₆至C₂₄芳基、C₃至C₂₃杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基，并且X³可以选自S和O；以及

b)所述第二有机半导体层可以包含至少一种轴烯化合物，优选地所述轴烯化合物是[3]-轴烯，并且还优选所述轴烯化合物是[3]-轴烯并选自基团A1至A21。

根据另一个优选的实施方式，其中

a)所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含金属掺杂剂，和

-由下式(I)表示的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²可以相同或不同并且可以独立地选自氢、被取代或未被取代的C₅至C₁₇杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含至少一个未被取代的C₅至C₁₇杂芳基；

L可以是键、未被取代的苯亚基、未被取代的联苯亚基、未被取代的杂联苯亚基、未被取代的三联苯亚基、未被取代的杂三联苯亚基、未被取代的蒽亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的二苯并噻吩亚基、未被取代的咔唑亚基、未被取代的吡啶亚基、未被取代的苯基吡啶亚基、未被取代的喹啉亚基；

Ar³是可以选自未被取代的吡嗪亚基、未被取代的嘧啶亚基、未被取代的吖啶亚基、未被取代的苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的咔唑亚基、未被取代的苯并喹啉亚基、未被取代的菲啶亚基、未被取代的菲咯啉亚基、未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；

Ar⁴是可以独立地选自H、未被取代的C₆至C₁₂芳基、未被取代的C₃至C₁₂杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的吡啶基、未被取代的蒽基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中

所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S或O；

n可以为0、1、2、3或4；以及

b)所述第二有机半导体层可以包含至少一种轴烯化合物，优选地所述轴烯化合物是[3]-轴烯，并且进一步优选所述轴烯化合物是[3]-轴烯并选自基团A1至A21。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)，n可以选自0、1、2、3或4，或者优选地n可以选自0、1、2或3，或者进一步优选n可以选自0、1或2，或者另外优选n可以选自0或1，此外优选n可以选自2或3。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)，R¹、R²可以独立地选自被取代或未被取代的C₁至C₁₆烷基、被取代或未被取代的C₆至C₁₂芳基、被取代或未被取代的C₃至C₁₇杂芳基。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)，R¹、R²可以独立地选自未被取代的C₆至C₁₈芳基、或未被取代的C₃至C₂₄杂芳基。根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)，R²可以优选独立地选自甲基。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)，Ar⁴可以独立地选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、吡啶基、喹啉基、喹唑啉基。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)，Ar⁴可以独立地选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)，Ar⁴可以独立地选自苯基和联苯基，并且更优选地选自苯基。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)：

-Ar¹和Ar²可以独立地选自氢、苯基、吡啶基、苯基吡啶基或喹啉基基团；或

-Ar¹是氢并且Ar²是吡啶基、苯基吡啶基或喹啉基基团；

-Ar¹是苯基并且Ar²是吡啶基、苯基吡啶基或喹啉基基团；

-Ar¹是氢并且Ar²是吡啶基基团；

-Ar¹是苯基并且Ar²是吡啶基基团；或

-Ar¹和Ar²是吡啶基基团。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)：

L可以是单键或可以选自未被取代的苯亚基、未被取代的联苯亚基、未被取代的三联苯亚基、未被取代的蒽亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的二苯并噻吩亚基、被取代的或未被取代的吡啶亚基、被取代或未被取代的苯基吡啶亚基，优选地L可以是单键或可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)：

L可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基，优选地L可以选自未被取代的苯亚基。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)，Ar³是可以选自被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的苯并喹啉亚基、被取代或未被取代的菲啶亚基、被取代或未被取代的菲咯啉亚基、被取代或未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或被取代或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)，Ar³是可以选自被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、未被取代的苯并吖啶亚基或未被取代的二苯并吖啶亚基的基团。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)：

-Ar⁴可以是选自H、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的吡啶基、未被取代的萘基、未被取代的二苯并呋喃基、未被取代的苯并呋喃基、未被取代的二苯并噻吩基、未被取代的苯并噻吩基的基团；或

-H。

根据另一个实施方式，所述第二有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第二有机半导体层可以包含至少一种轴烯化合物，其中优选地所述轴烯化合物是[3]-轴烯，并且此外优选地所述[3]-轴烯可以选自A1至A21：

根据一个实施方式，其中所述第二有机半导体层可以包含至少一种轴烯化合物，其中所述轴烯化合物中吸电子基团的总量为13原子百分比至90原子百分比；并且其中所述吸电子基团可以优选独立地选自氟、氯、溴和CN。

在本说明书中，所述轴烯化合物的总式中的吸电子基团的量以总式中原子总数的吸电子基团的原子百分比(原子％)给出。

为了定义和计算的清晰，总式以一个吸电子基团被计为一个原子单元(即使其由一个以上的原子组成)的方式进行简化。

根据本发明，吸电子基团被定义为仅选自氟、氯、溴和/或CN的基团。

在轴烯化合物的(简化)总式中，CN-基团被计为一个吸电子基团。

轴烯化合物的吸电子基团的量可以使用表A中给出的式计算。作为示例的轴烯化合物的吸电子基团的量示于表A中。

表A

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)，L可以独立地选自B1至B21：

其中星号“*”表示L的结合位置。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)，Ar³可以独立地选自E1至E9：

其中星号“*”表示Ar³与L的结合位置，并且如果n＝1、2、3或4，则Ar⁴键合到Ar³的碳，不包括Ar³与L的结合位置。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)，Ar⁴可以独立地选自氢或F1至F13：

其中星号“*”表示Ar⁴与Ar³的结合位置，并且Ar⁴键合到Ar³的碳，不包括Ar³与L的结合位置。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中根据式(I)，Ar³-(Ar⁴)_n可以独立地选自D1至D33：

其中

星号“*”表示Ar³与L的结合位置。

根据另一个实施方式，所述式(I)的化合物、所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含所述式(I)的化合物，其中所述式(I)的化合物可以选自G1至G53：

金属掺杂剂

本发明的金属掺杂剂可以具有以下特性：

(i)本发明的金属掺杂剂是n型电掺杂剂，和/或

(ii)n型电掺杂剂的目的是改进半导体器件的电性能，特别是降低器件中的电阻并因此降低器件的工作电压，和/或

(iii)金属掺杂剂不发光/基本上不发光，和/或

(iv)可以假定金属掺杂剂中的金属至少部分处于其基本元素形式，和/或

(v)存在于本发明的半导体材料/层中的金属的基本元素形式是可通过以下步骤获得的形式：金属的纯形式或合金的汽化以及通过以这种方式形成的金属蒸汽与由式(I)表示的化合物的蒸汽在固体载体上的共沉积，和/或

(vi)可以假定，从化学观点来看，以金属的基本元素形式存在的至少部分金属原子的氧化度为零。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层，其中所述金属掺杂剂的金属可以具有约≥0.7至约≤1.3的电负性(根据Pauling标度)，并且优选地所述金属掺杂剂具有约≥0.9至约≤1.2、还优选约≥1至约≤1.1的电负性。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含金属掺杂剂，其中所述金属掺杂剂是：

-选自碱金属、碱土金属和稀土金属的金属；

-选自Li、Na、Cs、Mg、Ca、Sr、Sm或Yb的金属；

-选自Li、Cs、Mg或Yb的金属；或

-选自Li或Yb的金属。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含金属掺杂剂，其中所述金属掺杂剂是选自碱金属、碱土金属和稀土金属的金属，优选地所述金属选自Li、Na、Cs、Mg、Ca、Sr、Sm或Yb，并且更优选地所述金属选自Li、Cs、Mg或Yb。

根据另一个实施方式，所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以包含金属掺杂剂，其中所述金属掺杂剂是选自Li或Yb的金属。

根据一个实施方式，其中所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以由式(I)的化合物和金属掺杂剂组成，其中所述金属掺杂剂是选自碱金属、碱土金属和稀土金属的金属，优选地所述金属选自Li、Na、Cs、Mg、Ca、Sr、Sm或Yb，并且更优选地所述金属选自Li、Cs、Mg或Yb。

根据一个实施方式，其中所述第一有机半导体层和/或所述有机电子器件的所述第一有机半导体层可以由式(I)的化合物和金属掺杂剂组成，其中所述金属掺杂剂是选自Li或Yb的金属。

所述式(I)的化合物和/或所述金属掺杂剂可以基本上不发光。

根据另一方面，第一有机半导体层可以包含至少一种本发明的组合物。

包含本发明的组合物的第一有机半导体层可以基本上不发光。

所述第一有机半导体层的厚度可以是约0.5nm至约100nm，例如约2nm至约40nm。当第一有机半导体层的厚度在这些范围内时，第一有机半导体层可以在不会显著增加工作电压的情况下具有改进的电荷传输能力。

包含本发明的组合物的第一有机半导体层可以具有强电子传输特性以增加电荷迁移率和/或稳定性。

根据一个实施方式，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层可以包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²可以相同或不同并且可以独立地选自氢、被取代或未被取代的C₅至C₁₇杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含至少一个未被取代的C₅至C₁₇杂芳基；

L可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基；

Ar³是可以选自未被取代的吡嗪亚基、未被取代的嘧啶亚基、未被取代的吖啶亚基、未被取代的苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的咔唑亚基、未被取代的苯并喹啉亚基、未被取代的菲啶亚基、未被取代的菲咯啉亚基、未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；

Ar⁴是可以独立地选自H、未被取代的C₆至C₁₂芳基、未被取代的C₃至C₁₂杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的吡啶基、未被取代的蒽基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中

所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S或O；

n可以为0、1、2、3或4；以及

b)所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。

根据一个实施方式，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层可以包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²是吡啶基基团；

L可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基；

Ar³是可以选自未被取代的吡嗪亚基、未被取代的嘧啶亚基、未被取代的吖啶亚基、未被取代的苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的咔唑亚基、未被取代的苯并喹啉亚基、未被取代的菲啶亚基、未被取代的菲咯啉亚基、未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；

Ar⁴是可以独立地选自H、未被取代的C₆至C₁₂芳基、未被取代的C₃至C₁₂杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的吡啶基、未被取代的蒽基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中

所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S或O；

n可以为0、1、2、3或4；以及

b)所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。

根据一个实施方式，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层可以包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹是氢并且Ar²是吡啶基基团；

L可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基；

Ar³是可以选自未被取代的吡嗪亚基、未被取代的嘧啶亚基、未被取代的吖啶亚基、未被取代的苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的咔唑亚基、未被取代的苯并喹啉亚基、未被取代的菲啶亚基、未被取代的菲咯啉亚基、未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；

Ar⁴是可以独立地选自H、未被取代的C₆至C₁₂芳基、未被取代的C₃至C₁₂杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的吡啶基、未被取代的蒽基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中

所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S或O；

n可以为0、1、2、3或4；以及

b)所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。

根据一个实施方式，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层可以包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²可以相同或不同并且可以独立地选自氢、被取代或未被取代的C₅至C₁₇杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含至少一个未被取代的C₅至C₁₇杂芳基；

L可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基；

Ar³是可以选自未被取代的吡嗪亚基、未被取代的嘧啶亚基、未被取代的吖啶亚基、未被取代的苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的咔唑亚基、未被取代的苯并喹啉亚基、未被取代的菲啶亚基、未被取代的菲咯啉亚基、未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；

Ar⁴是可以独立地选自H、未被取代的C₆至C₁₂芳基、未被取代的C₃至C₁₂杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的吡啶基、未被取代的蒽基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中

所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S或O；

n可以为0、1、2、3或4；以及

b)所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。

根据一个实施方式，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层可以包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²是吡啶基基团；

L可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基；

Ar³是可以选自未被取代的吡嗪亚基、未被取代的嘧啶亚基、未被取代的吖啶亚基、未被取代的苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的咔唑亚基、未被取代的苯并喹啉亚基、未被取代的菲啶亚基、未被取代的菲咯啉亚基、未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；

Ar⁴是可以独立地选自H、未被取代的C₆至C₁₂芳基、未被取代的C₃至C₁₂杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的吡啶基、未被取代的蒽基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中

所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S或O；

n可以为0、1、2、3或4；以及

b)所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。

根据一个实施方式，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层可以包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹是氢并且Ar²是吡啶基基团；

L可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基；

Ar³是可以选自未被取代的吡嗪亚基、未被取代的嘧啶亚基、未被取代的吖啶亚基、未被取代的苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并吖啶亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的咔唑亚基、未被取代的苯并喹啉亚基、未被取代的菲啶亚基、未被取代的菲咯啉亚基、未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；

Ar⁴是可以独立地选自H、未被取代的C₆至C₁₂芳基、未被取代的C₃至C₁₂杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的吡啶基、未被取代的蒽基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中

所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S或O；

n可以为0、1、2、3或4；以及

b)所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。

根据一个实施方式，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层可以包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²是吡啶基基团；

L可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基；

Ar³是选自被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基或被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉基的基团；

Ar⁴是可以独立地选自H、未被取代的C₆至C₁₂芳基、未被取代的C₃至C₁₂杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的吡啶基、未被取代的蒽基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中

所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S或O；

n可以为0、1、2、3或4；以及

b)所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。

根据一个实施方式，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层可以包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹是氢并且Ar²是吡啶基基团；

L可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基；

Ar³是选自被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基或被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉基的基团；

Ar⁴是可以独立地选自H、未被取代的C₆至C₁₂芳基、未被取代的C₃至C₁₂杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的吡啶基、未被取代的蒽基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中

所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S或O；

n可以为0、1、2、3或4；以及

b)所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。

式(I)的化合物

根据另一方面，化合物可以由下式(I)表示：

其中

Ar¹和Ar²可以相同或不同并且可以独立地选自氢、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基；

L是单键，或者L是被取代或未被取代的C₆至C₂₄芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳亚基、被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联苯亚基、被取代或未被取代的三联苯亚基、被取代或未被取代的萘亚基、被取代或未被取代的蒽亚基、二苯并呋喃亚基、二苯并噻吩亚基、咔唑亚基、吡啶亚基、苯基吡啶亚基、喹啉亚基；

Ar³是选自被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基或被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉基的基团；

Ar⁴是独立地选自H、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶亚基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²S、O或CR¹；

n可以为0、1、2、3或4；

其中如果L、Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴和/或N的取代基未键合到相邻基团，则独立地选自：

-H，或优选地C₆至C₁₈芳基、C₃至C₂₀杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、C₃至C₁₆支链烷基、C₃至C₁₆环状烷基、C₃至C₁₆支链烷氧基、C₃至C₁₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基、-PX²(R²)₂、D、F或CN；

-R²独立地选自C₆至C₁₂芳基、C₃至C₁₂杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基，并且

-X²可以选自S和O。

根据一个实施方式，其中所述化合物可以由下式(I)表示：

其中，

Ar¹和Ar²可以相同或不同并且可以独立地选自氢、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基；

L是单键，或者L是被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₁₈杂芳亚基、被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联苯亚基、被取代或未被取代的三联苯亚基、被取代或未被取代的蒽亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的二苯并噻吩亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的吡啶亚基、被取代或未被取代的苯基吡啶亚基、被取代或未被取代的喹啉亚基；

Ar³是选自被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基或被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉基的基团；

Ar⁴是独立地选自H、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基的基团，

n可以为0、1、2、3或4；

其中L、Ar¹、Ar²、Ar⁴和/或N的取代基独立地选自：

-H，或优选地C₆至C₁₈芳基、C₃至C₂₀杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、C₃至C₁₆支链烷基、C₃至C₁₆环状烷基、C₃至C₁₆支链烷氧基、C₃至C₁₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基、-PX³(R²)₂、D、F或CN；

-R²独立地选自C₆至C₁₂芳基、C₃至C₁₂杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基

-X³可以选自S和O；

其中Ar³和/或N的取代基独立地选自：

C₆至C₁₈芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、C₃至C₁₆支链烷基、C₃至C₁₆环状烷基、C₃至C₁₆支链烷氧基、C₃至C₁₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基、-PX³(R²)₂、D、F或CN。

根据另一方面，化合物可以由下式(I)表示：

其中

Ar¹和Ar²可以相同或不同并且可以独立地选自氢、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基，其中，所述Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基；其中Ar¹和/或Ar²经由碳原子键合到式(I)的吡啶基环或如果碳原子全部被取代，则经由N原子键合到式(I)的吡啶基环；

L可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基；

Ar³是选自被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基或被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉基的基团；

Ar⁴是独立地选自H、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶亚基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S、O或CR¹；

n可以为0、1、2、3或4；

其中Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴和/或N的取代基如果未键合到相邻基团则独立地选自：

-H，或优选地C₆至C₁₈芳基、C₃至C₂₀杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、C₃至C₁₆支链烷基、C₃至C₁₆环状烷基、C₃至C₁₆支链烷氧基、C₃至C₁₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基、-PX²(R²)₂、D、F或CN；

-R²独立地选自C₆至C₁₂芳基、C₃至C₁₂杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基，并且

-X²可以选自S和O。

根据另一方面，化合物可以由下式(I)表示：

其中，

Ar¹和Ar²是吡啶基基团；

L可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基；

Ar³是选自被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基或被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉基的基团；

Ar⁴是独立地选自H、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶亚基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S、O或CR¹；

n可以为0、1、2、3或4；

其中如果Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴和/或N的取代基未键合到相邻基团，则独立地选自：

-H，或优选地C₆至C₁₈芳基、C₃至C₂₀杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、C₃至C₁₆支链烷基、C₃至C₁₆环状烷基、C₃至C₁₆支链烷氧基、C₃至C₁₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基、-PX²(R²)₂、D、F或CN；

-R²独立地选自C₆至C₁₂芳基、C₃至C₁₂杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基，并且

-X²可以选自S和O。

根据另一方面，化合物可以由下式(I)表示：

其中，

Ar¹是氢并且Ar²是吡啶基基团；

L可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基；

Ar³是选自被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基或被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉基的基团；

Ar⁴是独立地选自H、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶亚基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S、O或CR¹；

n可以为0、1、2、3或4；

其中如果Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴和/或N的取代基未键合到相邻基团，则独立地选自：

-H，或优选地C₆至C₁₈芳基、C₃至C₂₀杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、C₃至C₁₆支链烷基、C₃至C₁₆环状烷基、C₃至C₁₆支链烷氧基、C₃至C₁₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基、-PX²(R²)₂、D、F或CN；

-R²独立地选自C₆至C₁₂芳基、C₃至C₁₂杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基，并且

-X²可以选自S和O。

根据另一方面，化合物可以由下式(I)表示：

其中，

Ar¹ Ar¹和Ar²是吡啶基基团；

L可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基；

Ar³是选自被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基或被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉基的基团；

Ar⁴是独立地选自H、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶亚基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S、O或CR¹；

n可以为0、1、2、3或4。

根据另一方面，化合物可以由下式(I)表示：

其中，

Ar¹是氢并且Ar²是吡啶基基团；

L可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基；

Ar³是选自被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基或被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉基的基团；

Ar⁴是独立地选自H、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶亚基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²可以选自NH、NR²、S、O或CR¹；

n可以为0、1、2、3或4。

根据另一方面，化合物可以由下式(I)表示：

其中，

Ar¹和Ar²独立地选自氢和吡啶基基团；其中Ar¹和Ar²中的至少一者是吡啶基基团；

L可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基；

Ar³是选自被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基或被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉基的基团；

Ar⁴是可以独立地选自H、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的吡啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中

X²选自S或O；

n可以为0、1、2或3。

根据另一方面，化合物可以由下式(I)表示：

其中，

Ar¹和Ar²是吡啶基基团；

L可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基；

Ar³是选自被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基或被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉基的基团；

Ar⁴是可以独立地选自H、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的吡啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中

X²选自S或O；

n可以为0、1、2或3。

根据另一方面，化合物可以由下式(I)表示：

其中，

Ar¹是氢并且Ar²是吡啶基基团；

L可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基；

Ar³是选自被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基或被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉基的基团；

Ar⁴是可以独立地选自H、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的吡啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中

X²选自S或O；

n可以为0、1、2或3。

根据一个实施方式，其中所述化合物可以由式(I)表示，其中L可以选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基。

根据一个实施方式，其中所述化合物可以由式(I)表示，其中L可以选自未被取代的苯亚基。

电子器件

根据另一方面，电子器件可以包括根据本发明的第一有机半导体层和第二有机半导体层。

根据另一方面，电子器件可以包括阳极、阴极和第一有机半导体层和第二有机半导体层，其中所述有机电子器件还包括至少一个发光层并且所述第一有机半导体层布置在所述至少一个发光层与所述阴极之间，并且所述第二有机半导体层布置在所述至少一个发光层与所述阳极之间。

根据另一方面，所述第一有机半导体层可以布置在所述至少一个发光层与所述阴极之间，并且所述第二有机半导体层可以布置在所述至少一个发光层与所述阳极之间，其中所述第一有机半导体层与所述阴极直接接触，所述第二有机半导体层与所述阳极直接接触。

根据另一方面，所述有机电子器件可以另外包括第一发光层和第二发光层，并且第一有机半导体层和第二有机半导体层布置在至少一个发光层与阴极之间，以及第一发光层与第二发光层之间；并且第一有机半导体层与第二有机半导体层直接接触。

本发明的电子器件还可以包括至少一个发光层，其中本发明的第一有机半导体层布置在至少一个发光层与阴极之间，优选地第一有机半导体层是电子传输层，并且第二有机半导体层是空穴注入层。

根据另一方面，所述有机电子器件可以另外包括电荷产生层(CGL)，其中CGL包括p型电荷产生层(p-CGL)和n型电荷产生层(n-CGL)，并且电荷产生层可以布置在至少一个发光层与阴极之间以及第一发光层与第二发光层之间。

根据另一方面，所述有机电子器件可以另外包括p型电荷产生层(CGL)，并且第一有机半导体层可以布置在至少一个发光层与阴极之间，并且第一有机半导体层与p型电荷产生层(CGL)直接接触，并且第二有机半导体层可以布置在第一有机半导体层与阴极之间。

包含本发明的式(I)的化合物和金属掺杂剂的第一有机半导体层可以具有强的电子传输特性以增加电荷迁移率和/或稳定性并由此改进电子器件的发光效率、电压特性和/或寿命特性，并且第二有机半导体层包含轴烯化合物并且所述轴烯化合物选自[3]-轴烯。

本发明的电子器件还可以包括光敏层，其中本发明的第一有机半导体层布置在光敏层与阴极层之间，优选地布置在发光层或光吸收层与阴极层之间，优选地第一有机半导体层是电子传输层，并且第二有机半导体层是空穴注入层。

根据一个实施方式的有机电子器件可以包括根据本发明的第一有机半导体层和第二有机半导体层、至少一个阳极层、至少一个阴极层和至少一个发光层。

根据一个实施方式，根据一个实施方式的有机电子器件可以包括根据本发明的第一有机半导体层和第二有机半导体层、至少一个阳极层、至少一个阴极层和至少一个发光层，其中第一有机半导体层可以布置在发光层与阴极层之间，并且第二有机半导体层可以布置在至少一个发光层与阳极之间。

根据本发明的有机电子器件可以是发光器件、薄膜晶体管、电池、显示装置或光伏电池，并且优选地是发光器件。发光器件可以是OLED。

根据一个实施方式，所述OLED可以具有以下层结构，其中层具有以下顺序：

阳极层、空穴注入层、任选的第一空穴传输层、任选的第二空穴传输层、发光层、包含根据本发明的式(I)的化合物和金属掺杂剂的第一电子传输层、包含至少一种根据本发明的轴烯化合物的空穴注入层、电子注入层和阴极层。

根据本发明的另一方面，提供了一种制造有机电子器件的方法，所述方法使用：

-至少一个沉积源，优选地两个沉积源并且更优选至少三个沉积源。

可以合适的沉积方法包括：

-经由真空热蒸发沉积；

-经由溶液处理沉积，优选地所述处理可以选自旋涂、印刷、流延；和/或

-狭缝式模头涂覆。

根据本发明的多种实施方式，提供了一种使用以下的方法：

-释放根据本发明的式(I)的化合物的第一沉积源，和

-释放至少一种金属掺杂剂的第二沉积源；

-释放轴烯化合物的第三沉积源，

所述方法包括形成第一有机半导体层的步骤；其中对于有机发光二极管(OLED)：

-通过从第一沉积源释放式(I)的化合物和从第二沉积源释放金属掺杂剂来形成第一有机半导体层。

所述方法包括形成第二有机半导体层的步骤；其中对于有机发光二极管(OLED)：

-通过从第三沉积源释放轴烯化合物来形成第一有机半导体层。

根据本发明的多种实施方式，所述方法还可以包括在阳极上形成发光层和在阳极和第一有机半导体层之间形成选自以下的至少一层：空穴传输层或空穴阻挡层。

根据本发明的多种实施方式，所述方法还可以包括形成有机发光二极管(OLED)的步骤，其中

-在基底上形成第一阳极电极，

-在第一阳极电极上形成第一空穴注入层，其中第一空穴注入层包含轴烯化合物，

-在第一空穴注入层上形成发光层，

-在发光层上形成电子传输层叠层结构，优选地在发光层上形成第一电子传输层并且在第一电子传输层上形成第二电子传输层，并且第二电子传输层可以包含根据本发明的式(I)的化合物和金属掺杂剂，

-并且最后，形成阴极，

-在第一阳极与发光层之间依次形成任选的空穴传输层、电子阻挡层，

-在电子传输层叠层结构与阴极之间形成任选的电子注入层。

根据本发明的一个实施方式，第一有机半导体层是电子传输层并且第二有机半导体层是空穴注入层。

根据本发明的一个实施方式，第一有机半导体层是电子传输层并且第二有机半导体层是空穴注入层和/或p型电荷产生层。

根据本发明的一个实施方式，第一有机半导体层是n型电荷产生层并且第二有机半导体层是空穴注入层。

根据本发明的一个实施方式，第一有机半导体层是n型电荷产生层并且第二有机半导体层是空穴注入层和/或p型电荷产生层。

根据本发明的一个实施方式，第一有机半导体层是电子传输层和/或n型电荷产生层并且第二有机半导体层是空穴注入层和/或p型电荷产生层。

根据本发明的多种实施方式，所述方法还可以包括在第一电子传输层上形成电子注入层。然而，根据本发明的OLED的多种实施方式，所述OLED可以不包括电子注入层。

根据本发明的另一方面，提供了一种电子器件，包括至少一个根据本申请通篇描述的任何实施方式的有机发光器件，优选地，所述电子器件可以包括本申请通篇描述的实施方式之一中的有机发光二极管。更优选地，所述电子器件是显示装置。

术语“轴烯”是指包含n-交叉共轭双键的脂环族有机化合物。轴烯可以包含可选自吸电子基团的取代基。

术语“吸电子基团”是指将电子吸引到自身的物质。吸电子基团的实例是卤素、腈等。

术语“有机金属络合物”是指包含一种或多种金属和一种或多种有机基团的化合物。所述金属可以经由共价键或离子键与所述有机基团结合。所述有机基团是指主要包含共价结合的碳和氢原子的基团。所述有机基团可以还包含选自N、O、S、B、Si、P、Se，优选地选自B、N、O和S的杂原子。

在本说明书的上下文中，术语“基本上不发光”是指式(I)的化合物和/或层和/或金属掺杂剂对来自器件的可见发光光谱的贡献相对于可见发光光谱小于10％，优选地小于5％。可见发光光谱是波长为约≥380nm至约≤780nm的发光光谱。优选地，第一有机半导体层或包括层的器件，其包含式(I)的化合物和至少一种选自Li、Na、Cs、Mg、Ca、Sr、Sm或Yb，优选地Li、Cs、Mg或Yb并且更优选地Li和Yb的金属。

术语“不含”、“不含有”、“不包含”不排除在沉积之前可以存在于化合物中的杂质。杂质对于本发明实现的目的没有技术影响。

工作电压，也称为U，在10毫安/平方厘米(mA/cm2)下以伏特(V)度量。

坎德拉/安培效率，也称为cd/A效率，在10毫安/平方厘米(mA/cm2)下以坎德拉/安培度量。

外量子效率，也称为EQE，以百分比(％)度量。

颜色空间由坐标CIE-x和CIE-y(国际照明委员会1931)描述。对于蓝色发光，CIE-y特别重要。CIE-y越小表示蓝色越深。

最高占据分子轨道、也称为HOMO，和最低未占分子轨道、也称为LUMO，以电子伏特(eV)度量。

标准起始温度以℃度量并且描述了VTE源温度，在该温度下，化合物在小于10^-5毫巴的压力下开始可测量的蒸发。

术语“OLED”、“有机发光二极管”、“有机发光器件”、“有机光电器件”和“有机光发光二极管”同时使用并且具有相同的含义。

术语“过渡金属”是指并包括元素周期表的d区中的任何元素，所述过渡金属包括元素周期表上的第3至12族元素。

术语“III至VI族金属”是指并包括元素周期表第III至VI族中的任何金属。

如本文所用，“重量百分比”、“wt-％”、“重量％”及其变体是指组成、组分、物质或试剂表示为相应电子传输层的组成、组分、物质或试剂的重量除以其组成的总重量并乘以100。应理解，选择相应电子传输层的所有组分、物质或试剂的总重量百分比的量，以使得其不超过100重量％。

如本文所用，“体积百分比”、“vol-％”、“体积％”及其变体是指元素金属、组成、组分、物质或试剂表示为相应电子传输层的元素金属、组分、物质或试剂的体积除以其相应电子传输层的总体积并乘以100。应理解，选择相应阴极层的所有元素金属、组分、物质或试剂的总体积百分比的量，以使得其不超过100体积％。

无论是否明确指出，本文中所有数值均假设由术语“约”修饰。如本文所用，术语“约”是指可发生的数值量变化。

无论是否由术语“约”修饰，权利要求书都包括所述量的等同量。

应当注意，除非内容另有明确说明，否则如在本说明书和权利要求书中所用，单数形式“一个”、“一种”、“该”和“所述”包括复数个/种指示物。

应当注意，如在本说明书和权利要求书中所用，如果没有另外定义，则“*”表示化学键合位置。

阳极电极和阴极电极可以描述为阳极/阴极或阳极电极/阴极电极或阳极电极层/阴极电极层。

在本说明书中，当没有另外提供定义时，“烷基基团”可以指脂族烃基团。烷基基团可以指不具有任何双键或三键的“饱和烷基基团”。烷基基团可以是直链、环状或支链的烷基基团。

烷基基团可以是C₁至C₁₆烷基基团，或者优选是C₁至C₁₂烷基基团。更具体地，烷基基团可以是C₁至C₁₄烷基基团，或者优选是C₁至C₁₀烷基基团或C₁至C₆烷基基团。例如，C₁至C₄烷基基团在烷基链中包含1至4个碳，并且可以选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。

烷基基团的具体实例可以是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、己基基团、环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团等。

在本说明书中，“芳基”和“芳亚基基团”可以指包含至少一个烃芳族部分的基团，并且烃芳族部分的所有元素可以具有形成共轭的p轨道，例如苯基基团、萘基基团、蒽基基团、菲基基团、芘基基团、芴基基团等。

术语“杂芳基”和“杂芳亚基”可以指具有至少一个杂原子的芳族杂环，并且芳族杂环的所有元素可以具有形成共轭的p轨道，例如吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、吡咯基、咔唑基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基基团等。优选地，芳族杂环不含sp³杂化碳原子。

术语“被取代或未被取代的杂芳基”、“被取代或未被取代的C₅至C₂₄杂芳基”、“被取代或未被取代的C₃至C₂₄杂芳基”、“被取代或未被取代的C₅至C₁₈杂芳基”、“被取代或未被取代的C₅至C₁₇杂芳基”、“被取代或未被取代的C₃至C₁₇杂芳基”、“被取代或未被取代的C₃至C₁₂杂芳亚基”等是指被取代或未被取代的杂芳基包含至少一个杂芳基环；或至少一个杂芳基环和至少一个非杂芳基环；或至少两个杂芳基环和至少一个非杂芳基环；或至少三个杂芳基环和至少一个非杂芳基环；或至少一个杂芳基环和至少两个非杂芳基环。被取代或未被取代的杂芳基的环可以是稠合的。

术语“杂芴环”是指二苯并[d,d]呋喃基、二苯并[b,d]噻吩基或二苯并[b,d]硒吩基基团。

杂原子可以选自N、O、S、B、Si、P、Se，优选地选自N、O和S。

杂芳亚基环可以包含至少1至3个杂原子。优选地，杂芳亚基环可以包含至少1至3个独立选自N、S和/或O的杂原子。

除了式(I)的化合物之外，还优选至少一个另外的杂芳基/杂芳亚基环可以包含至少1至3个N原子，或至少1至2个N原子，或至少一个N原子。

除了式(I)的化合物之外，还优选至少一个另外的杂芳基/杂芳亚基环可以包含至少1至3个O原子，或至少1至2个O原子或至少一个O原子。

除了式(I)的化合物之外，还优选至少一个另外的杂芳基/杂芳亚基环可以包含至少1至3个S原子，或至少1至2个S原子或至少一个S原子。

根据另一个优选的实施方式，根据式(I)的化合物可以包含：

-至少6至25个芳族环，优选地至少7至22个芳族环，还优选至少8至20个芳族环，此外优选至少9至15个芳族环并且更优选至少10至14个芳族环；其中

-至少2至5个、优选3至4个或2至3个是杂芳族环。

根据一个实施方式，根据式(I)的化合物：

-包含至少约6至约20个芳族环，优选地至少约7至约18个芳族环，还优选至少约9至约16个芳族环，此外优选至少约10至约15个芳族环并且更优选至少约11至约14个芳族环；和/或

-式(I)的化合物包含至少约2至约6个、优选地约3至约5个或约2至约4个杂芳族环，其中杂原子可以选自N、O、S。

根据一个实施方式，根据式(I)的化合物可以不含芴环并且不含杂芴环。

根据一个实施方式，根据式(I)的化合物可以不含螺环基团。

根据另一个优选的实施方式，式(I)的化合物包含至少2至7个、优选地2至5个、或2至3个杂芳族环。

根据另一个优选的实施方式，式(I)的化合物包含至少2至7个、优选地2至5个、或2至3个杂芳族环，其中至少一个芳族环是五元杂芳族环。

根据另一个优选的实施方式，式(I)的化合物包含至少3至7个、优选地3至6个、或3至5个杂芳族环，其中至少两个杂芳族环是五元杂芳族环。

根据一个实施方式，根据式(I)的化合物可以包含至少6至12个非杂芳族环和2至3个杂芳族环。

根据一个优选的实施方式，根据式(I)的化合物可以包含至少7至12个非杂芳族环和2至5个杂芳族环。

根据一个优选的实施方式，根据式(I)的化合物可以包含至少7至11个非杂芳族环和2至3个杂芳族环。

熔点

熔点(mp)由上述TGA-DSC测量的DSC曲线或单独的DSC测量(Mettler ToledoDSC822e，在纯氮气流下以10K/min的加热速率将样品从室温加热至熔融完全。将4mg至6mg的样品量置于40μL带盖的Mettler Toledo铝锅中，在盖中刺穿<1mm的孔)而确定的峰值温度。

根据另一个实施方式，所述式(I)的化合物可以具有约≥220℃且约≤380℃、优选地约≥260℃且约≤370℃、还优选约≥265℃且约≤360℃的熔点。

玻璃化转变温度

如在2010年3月发布的DIN EN ISO 11357中所述，在MettlerToledo DSC 822e差示扫描量热计中在氮气下并使用10K/min的加热速率测量玻璃化转变温度。

根据另一个实施方式，所述式(I)的化合物可以具有约≥105℃且约≤380℃、优选地约≥110℃且约≤350℃的玻璃化转变温度Tg。

标准起始温度

标准起始温度通过将100mg化合物装载到VTE源中来确定。作为VTE源，可以使用如由Kurt J.Lesker Company(www.lesker.com)或CreaPhys GmbH(http:// www.creaphys.com)提供的有机材料点源。在小于10^-5毫巴的压力下以15K/min的恒定速率加热VTE源，并使用热电偶测量源内部的温度。用QCM检测器检测化合物的蒸发，该检测器检测化合物在检测器的石英晶体上的沉积。石英晶体上的沉积速率以

/秒度量。为了确定标准起始温度，将沉积速率相对于VTE源温度作图。标准起始是在QCM检测器上发生明显沉积的温度。为了获得准确的结果，将VTE源加热和冷却三次，并且仅将第二次运行和第三次运行的结果用于确定标准起始温度。

为了实现对有机化合物的蒸发速率的良好控制，标准起始温度可以在200℃至255℃的范围内。如果标准起始温度低于200℃，则蒸发可能会太快，因此难以控制。如果标准起始温度高于255℃，则蒸发速率可能太低，这可能导致低的节拍时间，并且由于长时间暴露于高温下，VTE源中的有机化合物可能发生分解。

标准起始温度是化合物挥发性的间接量度。标准起始温度越高，化合物的挥发性越低。

根据另一个实施方式，所述式(I)的化合物可以具有约≥200℃且约≤260℃、优选地约≥220℃且约≤260℃、还优选约≥220℃且约≤260℃、另外优选约≥230℃且约≤255℃的标准起始温度T_RO。

偶极矩

含有N个原子的分子的偶极矩

由下式给出：

其中q_i和

是分子中原子i的部分电荷和位置。

所述偶极矩由半经验分子轨道方法确定。使用如在程序包TURBOMOLE V6.5(TURBOMOLE GmbH,Litzenhardtstrasse 19,76135Karlsruhe,德国)中实施的在气相中杂化泛函B3LYP与6-31G*基组来优化分子结构的几何结构。如果多于一种构象是可行的，则可以选择具有最低总能量的构象来确定分子的键长。

根据一个实施方式，根据式(I)的化合物可以具有在约≥0.4至约≤4、优选地约≥1.3至约≤3.8、还优选约≥1.4至约≤3.6的范围内的偶极矩(德拜)。

计算的HOMO和LUMO

HOMO和LUMO是使用程序包TURBOMOLE V6.5计算。通过在气相中应用杂化泛函B3LYP与6-31G*基组，确定分子结构的优化几何结构以及HOMO和LUMO能级。如果多于一种构象是可行的，则选择具有最低总能量的构象。

根据一个实施方式，根据式(I)的化合物可以具有在约-2.20eV至约-1.50eV、优选地约-2.1eV至约-1.70eV、还优选约-2.08eV至约-1.90eV、此外优选约-2.06eV至约-1.95eV的范围内的LUMO能级(eV)。

技术效果

令人惊讶的是，已发现根据本发明的包含第一有机半导体层和第二有机半导体层的有机电子器件通过优于本领域已知的有机电子器件解决了本发明的潜在问题，特别是在工作电压方面，这对于降低例如移动显示装置的功率消耗和延长电池寿命很重要。同时，cd/A效率，也称为电流效率，保持在相似或甚至改善的水平。高电流密度下的长寿命对于在高亮度下运行的装置的寿命很重要。

同样，令人惊讶地发现，落入本发明最宽定义范围内的一些化合物在有机电子器件中的玻璃化转变温度、标准起始温度和/或工作电压的所述性质方面表现特别好。这些化合物在本文中被讨论为特别优选的。

本发明对有机电子器件性能的有益效果可见于表3和表4。

阳极

用于阳极的材料可以是金属或金属氧化物，或有机材料，优选逸出功高于约4.8eV、更优选高于约5.1eV、最优选高于约5.3eV的材料。优选的金属是贵金属如Pt、Au或Ag，优选的金属氧化物是透明金属氧化物如ITO或IZO，其可有利地用于具有反射阴极的底部发射OLED中。

在包括透明金属氧化物阳极或反射性金属阳极的器件中，所述阳极可以具有约50nm至约100nm的厚度，而半透明金属阳极可能薄至约5nm至约15nm，并且不透明金属阳极可以具有约15nm至约150nm的厚度。

空穴注入层(HIL)

空穴注入层可以改进阳极与用于空穴传输层的有机材料之间的界面性质，并被施加在非平坦的阳极上，因此可以使阳极的表面平坦化。例如，空穴注入层可以包括一种材料，该材料的最高占据分子轨道(HOMO)的能级中值介于阳极材料的逸出功与空穴传输层的HOMO的能级之间，以调整阳极的逸出功与空穴传输层的HOMO的能级之间的差异。

当空穴传输区包括空穴注入层时，可以通过多种方法中的任一种在阳极上形成空穴注入层，所述方法例如真空沉积、旋涂、流延、Langmuir-Blodgett(LB)法等。

当使用真空沉积形成空穴注入层时，真空沉积条件可以根据用于形成空穴注入层的材料以及待形成的空穴注入层的所需结构和热性能而改变，并且例如真空沉积可以在约100℃至约500℃的温度、约10^-6Pa至约10^-1Pa的压力以及约0.1nm/sec至约10nm/sec的沉积速率下进行，但是沉积条件不限于此。

当使用旋涂形成空穴注入层时，涂布条件可以根据用于形成空穴注入层的材料以及待形成的空穴注入层的所需结构和热性能而改变。例如，涂布速率可以在约2000rpm至约5000rpm的范围内，并且在涂布之后进行热处理以去除溶剂的温度可以在约80℃至约200℃的范围内，但是涂布条件不限于此。

根据另一个实施方式，空穴注入层包含至少一种轴烯化合物，其中所述轴烯化合物是[3]-轴烯，并且优选地所述轴烯化合物是[3]-轴烯并选自基团A1至A21。

空穴注入层还可以包含p型掺杂剂以提高导电性和/或来自阳极的空穴注入。

p型掺杂剂

在另一方面，p型掺杂剂可以均匀地分散在空穴注入层中。

在另一方面，p型掺杂剂可以存在于空穴注入层中，其中越靠近阳极浓度越高而越靠近阴极浓度越低。

p型掺杂剂可以是醌衍生物或轴烯化合物中的一种，但不限于此。p型掺杂剂的非限制性实例是醌衍生物，例如四氰基醌二甲烷(TCNQ)，2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯并醌二甲烷(F4-TCNQ)，4,4',4″-((1E,1'E,1″E)-环丙烷-1,2,3-三亚基三(氰基甲基亚基))-三(2,3,5,6-四氟苄腈)。

根据另一个实施方式，包括包含根据本发明的组合物的第一有机半导体层的有机电子器件可以另外包括包含轴烯化合物和/或醌二甲烷化合物的层。

在另一个实施方式中，所述轴烯化合物和/或所述醌二甲烷化合物可以用一个或多个卤素原子和/或用一个或多个吸电子基团取代。吸电子基团可以选自腈基团、卤化烷基基团，或者选自全卤化烷基基团，或者选自全氟化烷基基团。吸电子基团的其它实例可以是酰基、磺酰基基团或磷酰基基团。

或者，酰基基团、磺酰基基团和/或磷酰基基团可以包含卤化和/或全卤化的烃基。在一个实施方式中，全卤化的烃基可以是全氟化烃基。全氟化烃基的实例可以是全氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟异丙基、全氟丁基、全氟苯基、全氟甲苯基；包含卤化烃基的磺酰基基团的实例可以是三氟甲基磺酰基、五氟乙基磺酰基、五氟苯基磺酰基、七氟丙基磺酰基、九氟丁基磺酰基等。

在一个实施方式中，所述轴烯和/或所述醌二甲烷化合物可以包含在空穴注入、空穴传输和/或空穴产生层中。

在一个实施方式中，所述轴烯化合物可以具有式(XX)和/或所述醌二甲烷化合物可以具有式(XXIa)或(XXIb)：

其中R^1″、R^2″、R^3″、R^4″、R^5″、R⁶、R⁷、R⁸、R¹¹、R¹²、R¹⁵、R¹⁶、R²⁰、R²¹可以独立地选自吸电子基团，并且R⁹、R¹⁰、R¹³、R¹⁴、R¹⁷、R¹⁸、R¹⁹、R²²、R²³和R²⁴可以独立地选自H、卤素和吸电子基团。可以适合使用的吸电子基团如上所述。

空穴传输层(HTL)

可以基于上述空穴注入层的形成条件来限定空穴传输层和电子阻挡层的形成条件。

电荷传输区的空穴传输部分的厚度可以是约10nm至约1000nm，例如约10nm至约100nm。当电荷传输区的空穴传输部分包括空穴注入层和空穴传输层时，空穴注入层的厚度可以是约10nm至约1000nm，例如约10nm至约100nm，并且空穴传输层的厚度可以是约5nm至约200nm，例如约10nm至约150nm。当电荷传输区的空穴传输部分、HIL和HTL的厚度在这些范围内时，可以在工作电压没有显著增加的情况下获得令人满意的空穴传输特性。

空穴传输区中使用的空穴传输基质材料没有特别限制。优选的是包含至少6个离域电子的共轭体系的共价化合物，优选包含至少一个芳族环的有机化合物，更优选包含至少两个芳族环的有机化合物，甚至更优选包含至少三个芳族环的有机化合物，最优选包含至少四个芳族环的有机化合物。在空穴传输层中广泛使用的空穴传输基质材料的典型实例是多环芳族烃、三芳亚基胺化合物和杂环芳族化合物。可用于空穴传输区的各个层中的空穴传输基质的前沿轨道能级的合适范围是众所周知的。就氧化还原对HTL基质/HTL基质的阳离子自由基的氧化还原电势而言，优选值(如果例如通过循环伏安法针对二茂铁/二茂铁正离子氧化还原对作为参考进行测量)可以在0.0-1.0V的范围内，更优选地在0.2-0.7V的范围内，甚至更优选地在0.3-0.5V的范围内。

缓冲层

电荷传输区的空穴传输部分还可以包括缓冲层。

可以适合使用的缓冲层公开在US 6 140 763、US 6 614 176和US2016/248022中。

缓冲层可以根据从EML发出的光的波长补偿光的光学共振距离，因此可以提高效率。

发光层(EML)

发光层可以通过使用真空沉积、旋涂、流延、LB法等形成在空穴传输区上。当使用真空沉积或旋涂形成发光层时，沉积和涂布的条件可以与形成空穴注入层的条件类似，但沉积和涂布的条件可以根据用于形成发光层的材料而改变。发光层可以包括发光体主体(EML主体)和发光体掺杂剂(另外的单纯发光体)。

发光层的厚度可以是约

至约

例如约

至约

当发光层的厚度在这些范围内时，发光层可以在工作电压没有显著增加的情况下具有改进的发光特性。

发光体主体

根据另一个实施方式，发光层可以包含式(I)的化合物作为发光体主体。

所述发光体主体化合物具有至少三个芳族环，其可以独立地选自碳环和杂环。

可以用作发光体主体的其它化合物是由下式400表示的蒽基质化合物：

在式400中，Ar₁₁₁和Ar₁₁₂可以各自独立地是被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳亚基基团；Ar₁₁₃至Ar₁₁₆可以各自独立地是被取代或未被取代的C₁-C₁₀烷基基团或被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳亚基基团；并且g、h、i和j可以各自独立地是0至4的整数。

在一些实施方式中，式400中的Ar₁₁₁和Ar₁₁₂可以各自独立地是苯亚基基团、萘亚基基团、菲亚基基团或芘亚基基团中的一者；或者

苯亚基基团、萘亚基基团、菲亚基基团、芴基基团或芘亚基基团，各自被苯基基团、萘基基团或蒽基基团中的至少一者取代。

在式400中，g、h、i和j可以各自独立地是0、1或2的整数。

在式400中，Ar₁₁₃至Ar₁₁₆可以各自独立地是以下中的一者：

-被苯基基团、萘基基团或蒽基基团中的至少一者取代的C₁-C₁₀烷基基团；

-苯基基团、萘基基团、蒽基基团、芘基基团、菲基基团或芴基基团；

-苯基基团、萘基基团、蒽基基团、芘基基团、菲基基团或芴基基团，各自被氘原子、卤素原子、羟基基团、氰基基团、硝基基团、氨基基团、脒基基团、肼基团、腙基团、羧基基团或其盐中的至少一者取代，

-磺酸基团或其盐，磷酸基团或其盐，

-C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、萘基基团、蒽基基团、芘基基团、菲基基团，或

-芴基基团

或

-式7或8

其中在式7和式8中，X可以选自氧原子和硫原子，但是本发明的实施方式不限于此。

在式7中，R₁₁至R₁₄中的任何一者用于与Ar₁₁₁键合。未用于与Ar₁₁₁键合的R₁₁至R₁₄以及R₁₅至R₂₀与R₁至R₈相同。

在式8中，R₂₁至R₂₄中的任何一者用于与Ar₁₁₁键合。未用于与Ar₁₁₁键合的R₂₁至R₂₄以及R₂₅至R₃₀与R₁至R₈相同。

优选地，EML主体包含一至三个选自N、O或S的杂原子。更优选地，EML主体包含选自S或O的一个杂原子。

发光体掺杂剂

掺杂剂以少量混合以引起发光，并且通常可以是诸如通过多次激发成三重态或更高态而发光的金属络合物的材料。掺杂剂可以是例如无机、有机或有机/无机化合物，并且可以使用其中一种或多种。

发光体可以是红色、绿色或蓝色发光体。

掺杂剂可以是荧光掺杂剂，例如三联芴，其结构如下所示。4.4'-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBI)、2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)和下面的化合物8是荧光蓝色掺杂剂的实例。

化合物8

掺杂剂可以是磷光掺杂剂，并且磷光掺杂剂的实例可以是包含Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或其组合的有机金属化合物。磷光掺杂剂可以是例如由式Z表示的化合物，但不限于此：

J₂MX(Z)。

在式Z中，M是金属，并且J和X相同或不同，并且是与M形成络合化合物的配体。

M可以是例如Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或其组合，并且J和X可以是例如双齿配体。

一个或多个发光层可以布置在阳极与阴极之间。为了提高整体性能，可以存在两个或更多个发光层。

电荷产生层

电荷产生层(也称为CGL)可以布置在第一发光层与第二发光层之间，并且如果存在第三发光层的话，可以布置在第二发光层与第三发光层之间。通常，CGL包含n型电荷产生层(也称为n-CGL或电子产生层)和p型电荷产生层(也称为p-CGL或空穴产生层)。中间层可以布置在n型CGL与p型CGL之间。

根据另一个实施方式，包含式(I)的化合物和金属掺杂剂的有机半导体层是n型电荷产生层。在另一个实施方式中，n型电荷产生层可以由根据本发明的式(I)的化合物和金属掺杂剂组成。

在另一方面，至少n型电荷产生层可以包含式(I)的化合物和金属掺杂剂，其中所述金属掺杂剂可以是选自Li、Na、Cs、Mg、Ca、Sr、Sm或Yb，优选地选自Li、Cs、Mg或Yb的金属。

在另一方面，至少一个n型电荷产生层可以包含式(I)的化合物和金属掺杂剂，其中所述金属掺杂剂可以是选自Li或Yb的金属。

p型CGL可以包含至少一种轴烯化合物，其中所述轴烯化合物是[3]-轴烯，并且优选地所述轴烯化合物是[3]-轴烯并选自基团A1至A21。

在另一方面，至少一个n型电荷产生层可以由式(I)的化合物和金属掺杂剂组成，其中所述金属掺杂剂可以选自Li或Yb。

电子传输层(ETL)

根据另一个实施方式，包含式(I)的化合物和金属掺杂剂的有机半导体层是电子传输层。在另一个实施方式中，电子传输层可以由根据本发明的式(I)的化合物和金属掺杂剂组成。

在另一个实施方式中，有机电子器件包含由两个或更多个电子传输层形成的有机层的叠层结构的电子传输区，其中至少一个电子传输层包含根据本发明的式(I)的化合物和金属掺杂剂。

在另一方面，至少一个电子传输层可以包含式(I)的化合物和金属掺杂剂，其中所述金属掺杂剂可以是选自Li、Na、Cs、Mg、Ca、Sr、Sm或Yb，优选地选自Li、Cs、Mg或Yb的金属。

在另一方面，至少一个电子传输层可以包含式(I)的化合物和金属掺杂剂，其中所述金属掺杂剂可以是选自Li或Yb的金属。

在另一个实施方式中，有机电子器件包含由两个或更多个电子传输层形成的有机层的叠层结构的电子传输区，其中至少一个电子传输层可以由根据本发明的式(I)的化合物和金属掺杂剂组成。

在另一方面，至少一个电子传输层可以由式(I)的化合物和金属掺杂剂组成，其中所述金属掺杂剂可以是选自Li或Yb的金属。

电子传输层可以包含一种或两种或更多种不同的式(I)的化合物和/或金属掺杂剂。

电子传输层的厚度可以是约0.5nm至约100nm，例如约2nm至约40nm。当电子传输层的厚度在这些范围内时，电子传输层可以在工作电压没有显著增加的情况下具有改进的电子传输能力。

电子注入层(EIL)

根据本发明的另一方面，有机电子器件还可以包括在电子传输层(第一ETL)与阴极之间的电子注入层。

电子注入层(EIL)可以促进电子从阴极的注入。

根据本发明的另一方面，电子注入层可以包含：

(i)正电性金属，其选自基本上为元素形式的碱金属、碱土金属和稀土金属，优选地选自Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Eu和Yb，更优选地选自Li、Na、Mg、Ca、Sr和Yb，甚至更优选地选自Li和Yb，最优选地Yb；和/或

(ii)碱金属络合物和/或碱金属盐，优选地Li络合物和/或盐，更优选地喹啉锂，甚至更优选地8-羟基喹啉锂。

电子注入层可以包含选自LiF、NaCl、CsF、Li₂O和BaO中的至少一种。

EIL的厚度可以是约0.1nm至约10nm，或约0.3nm至约9nm。当电子注入层的厚度在这些范围内时，电子注入层可以在工作电压没有显著增加的情况下具有令人满意的电子注入能力。

电子注入层可以包含根据本发明的式(I)的化合物和金属掺杂剂或由其组成。

阴极

用于阴极的材料可以是具有低逸出功的金属、合金或导电化合物，或其组合。用于阴极的材料的具体实例可以是锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、银(Ag)等。为了制造具有沉积在基底上的反射阳极的顶部发射发光器件，可以由例如氧化锡铟(ITO)、氧化铟锌(IZO)或银(Ag)形成阴极作为透光电极。

在包括透明金属氧化物阴极或反射金属阴极的器件中，所述阴极可以具有约50nm至约100nm的厚度，而半透明金属阴极可能薄至约5nm至约15nm。

基底

基底还可以设置在阳极下方或阴极上。基底可以是用于一般有机发光二极管中的基底，并且可以是玻璃基底或透明塑料基底，其具有强的机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、易于处理和耐水性。

在下文中，参考实施例对实施方式进行更详细的说明。然而，本公开不限于以下实施例。

附图说明

根据以下结合附图对示例性实施方式的描述，本发明的这些和/或其它方面和优点将变得清楚并且更容易理解，在所述附图中：

图1是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)的示意性截面图；

图2是根据本发明的一个示例性实施方式的OLED的示意性截面图。

图3是根据本发明的一个示例性实施方式的包括电荷产生层的串联OLED的示意性截面图。

图4是根据本发明的一个示例性实施方式的包括电荷产生层的串联OLED的示意性截面图。

具体实施方式

现在将详细参考本发明的示例性实施方式，本发明的实施例在附图中说明，其中相同的附图标记始终是指相同的元件。为了解释本发明的各方面，下面通过参考附图描述示例性实施方式。

在本文中，当第一元件被称为形成或设置在第二元件“上”时，第一元件可以直接设置在第二元件上，或者一个或多个其它元件可以设置在它们之间。当第一元件被称为“直接”形成或设置在第二元件“上”时，在它们之间没有设置其它元件。

图1是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)100的示意性截面图。OLED 100包括基底110、阳极120、空穴注入层(HIL)130、空穴传输层(HTL)140、发光层(EML)150、电子传输层(ETL)160、电子注入层(EIL)180和阴极190。电子传输层(ETL)160包含式(I)的化合物和金属掺杂剂或由其组成，并且空穴注入层(HIL)130包含轴烯化合物。

代替单一电子传输层160，可以使用任选的电子传输层叠层结构(ETL)。所述电子传输层叠层结构(ETL)包括第一电子传输层和第二电子传输层，其中第一电子传输层靠近EML布置并且第二电子传输层靠近阴极(190)布置。第一和/或第二电子传输层包含根据本发明的式(I)的化合物和金属掺杂剂。

图2是根据本发明的另一个示例性实施方式的OLED 100的示意性截面图。图2与图1的不同之处在于图2的OLED 100包括电子阻挡层(EBL)145和空穴阻挡层(HBL)155。参考图2，OLED 100包括基底110、阳极120、空穴注入层(HIL)130、空穴传输层(HTL)140、电子阻挡层(EBL)145、发光层(EML)150、空穴阻挡层(HBL)155、第一电子传输层(ETL)160和第二电子传输层(ETL)161、电子注入层(EIL)180和阴极190。电子传输层(ETL)160或电子传输层(ETL)160和电子注入层(EIL)180包含式(I)的化合物和金属掺杂剂或由其组成。空穴注入层(HIL)130可以包含轴烯化合物。

在上面的描述中，本发明的OLED 100的制造方法从基底110开始，在基底110上形成阳极120，在阳极120上依序形成空穴注入层130、空穴传输层140、任选的电子阻挡层145、发光层150、任选的空穴阻挡层155、至少一个第一电子传输层160和至少一个第二电子传输层161、任选的至少一个电子注入层180和阴极190，或以相反方式开始。

图3是根据本发明的另一个示例性实施方式的串联OLED 200的示意性截面图。图3与图2的不同之处在于图3的OLED 100还包括电荷产生层和空穴传输层(HTL)141。

参考图3，OLED 200包括基底110、阳极120、第一空穴注入层(HIL)130、第一空穴传输层(HTL)140、第一电子阻挡层(EBL)145、第一发光层(EML)150、第一空穴阻挡层(HBL)155、第一电子传输层(ETL)160、第二电子传输层(ETL)161、n型电荷产生层(n型CGL)185，其中第二电子传输层(ETL)160包含式(I)的化合物和金属掺杂剂、p型电荷产生层(p型GCL)135、第二空穴传输层(HTL)141和阴极190。电子传输层(ETL)160或电子传输层(ETL)160和电子注入层(EIL)180和/或n型电荷产生层(n型CGL)185包含式(I)的化合物和金属掺杂剂或由其组成。第一空穴注入层(HIL)130和/或p型电荷产生层(p型GCL)135可以包含轴烯化合物。

图4是根据本发明的另一个示例性实施方式的串联OLED 200的示意性截面图。图4与图2的不同之处在于图3的OLED 100还包括电荷产生层和第二发光层。

参考图4，OLED 200包括基底110、阳极120、第一空穴注入层(HIL)130、第一空穴传输层(HTL)140、第一电子阻挡层(EBL)145、第一发光层(EML)150、第一空穴阻挡层(HBL)155、第一电子传输层(ETL)160、n型电荷产生层(n型CGL)185(其可以包含式(I)的化合物和金属掺杂剂)、p型电荷产生层(p型GCL)135(其可以包含轴烯化合物)、第二空穴传输层(HTL)141、第二电子阻挡层(EBL)146、第二发光层(EML)151、第二空穴阻挡层(EBL)156、第二电子传输层(ETL)161、第二电子注入层(EIL)181和阴极190。电子传输层(ETL)160和任选的电子注入层(EIL)180和/或n型电荷产生层(n型CGL)185包含式(I)的化合物和金属掺杂剂或由其组成。空穴注入层(HIL)130和/或p型电荷产生层(p型GCL)135可以包含轴烯化合物。

在上面的描述中，本发明的OLED 200的制造方法从基底110开始，在基底110上形成阳极120，在阳极120上依序形成第一空穴注入层130、第一空穴传输层140、任选的第一电子阻挡层145、第一发光层150、任选的第一空穴阻挡层155、任选的至少一个第一电子传输层160、n型CGL 185、p型CGL 135、第二空穴传输层141、任选的第二电子阻挡层146、第二发光层151、任选的第二空穴阻挡层156、至少一个第二电子传输层161、任选的第二电子注入层(EIL)181和阴极19，或以相反方式开始。

在下文中，将参考实施例对实施方式进行更详细的说明。然而，本公开不限于以下实施例。现在将详细参考示例性方面。

式(I)的化合物的制备

用于合成式(I)的化合物的一般程序1

为了合成式(I)的化合物，用氮气冲洗烧瓶并装入试剂1(1.1当量)、试剂2(1当量)、K₂CO₃(2当量，溶解在脱气水中)、[1,1'-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯钯(II)(2mol％)。添加甲苯和乙醇的脱气混合物(5:1)并将反应混合物在氮气气氛下加热至回流，同时用TLC监测。冷却至室温后，通过抽滤分离所得沉淀物并用水(100mL)和甲醇(30mL)洗涤。为了进一步纯化，然后将粗产物溶解在二氯甲烷中并通过硅胶垫过滤。用另外的二氯甲烷冲洗后，将滤液减压浓缩并从甲醇(150mL)中沉淀。使所得沉淀物从100mL甲苯中重结晶。通过抽滤收集形成的沉淀物并用小部分甲苯洗涤，得到式(I)的化合物。通过浓缩甲苯母液进行沉淀分离另外的收获物。通过升华实现最终纯化。

用于合成式(I)的化合物的一般程序2

为了合成式(I)的化合物，将烧瓶用氮气冲洗并装入试剂(1)(1.1当量)、4'-氯-2,2':6',2″-三联吡啶(2)(1当量)、K₂CO₃(2当量，溶解在脱气水中)、[1,1'-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯钯(II)(2mol％)。添加甲苯和乙醇的脱气混合物(5:1)并将反应混合物在氮气气氛下加热至回流，同时用TLC监测。冷却至室温后，通过抽滤分离所得沉淀物并用水(100mL)和甲醇(30mL)洗涤。为了进一步纯化，然后将粗产物溶解在二氯甲烷中并通过硅胶垫过滤。用另外的二氯甲烷冲洗后，将滤液减压浓缩并从甲醇(150mL)中沉淀。使所得沉淀物从100mL甲苯中重结晶。通过抽滤收集形成的沉淀物并用小部分甲苯洗涤，得到式(I)的化合物。通过浓缩甲苯母液进行沉淀分离另外的收获物。通过升华实现最终纯化。

用于合成式(I)的化合物的一般程序3

为了合成式(I)的化合物，将烧瓶用氮气冲洗并装入试剂(1)(1.1当量)、试剂2(1当量)、K₂CO₃(2当量，溶解在脱气水中)、[1,1'-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯钯(II)(2mol％)。添加甲苯和乙醇的脱气混合物(5:1)并将反应混合物在氮气气氛下加热至回流，同时用TLC监测。冷却至室温后，通过抽滤分离所得沉淀物并用水(100mL)和甲醇(30mL)洗涤。为了进一步纯化，然后将粗产物溶解在二氯甲烷中并通过硅胶垫过滤。用另外的二氯甲烷冲洗后，将滤液减压浓缩并从甲醇(150mL)中沉淀。使所得沉淀物从100mL甲苯中重结晶。通过抽滤收集形成的沉淀物并用小部分甲苯洗涤，得到式(I)的化合物。通过浓缩甲苯母液进行沉淀分离另外的收获物。通过升华实现最终纯化。

用于合成式(I)的化合物的一般程序4

为了合成式(I)的化合物，将烧瓶用氮气冲洗并装入试剂(1)(1.1当量)、试剂2(1当量)、K₂CO₃(2当量，溶解在脱气水中)、[1,1'-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯钯(II)(2mol％)。添加甲苯和乙醇的脱气混合物(5:1)并将反应混合物在氮气气氛下加热至回流，同时用TLC监测。冷却至室温后，通过抽滤分离所得沉淀物并用水(100mL)和甲醇(30mL)洗涤。为了进一步纯化，然后将粗产物溶解在二氯甲烷中并通过硅胶垫过滤。用另外的二氯甲烷冲洗后，将滤液减压浓缩并从甲醇(150mL)中沉淀。使所得沉淀物从100mL甲苯中重结晶。通过抽滤收集形成的沉淀物并用小部分甲苯洗涤，得到式(I)的化合物。通过浓缩甲苯母液进行沉淀分离另外的收获物。通过升华实现最终纯化。

7-(3-([2,2'-联吡啶]-6-基)苯基)二苯并[c,h]吖啶的合成

为了合成7-(3-([2,2'-联吡啶]-6-基)苯基)二苯并[c,h]吖啶(化合物1)，用氮气冲洗烧瓶并装入7-(3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基)二苯并[c,h]吖啶(30g，62.3mmol)、6-溴-2,2'-联吡啶(16.1g，68.5mmol)、K3PO4(31.8g，150mmol，溶解在75mL脱气水中)、氯(巴豆基)(2-二环己基膦基-2',6'-二甲氧基联苯)钯(II)(0.76g，1.24mmol)。加入脱气的THF(310mL)，并且将反应混合物在氮气气氛下加热至60℃，同时用TLC监测。冷却至室温后，蒸馏去除溶剂。所得固体用CHCl3/H2O萃取。CHCl3溶液经MgSO4干燥并通过florisil垫过滤，用THF进行额外冲洗。减压浓缩THF溶液。通过抽滤收集沉淀物。干燥后获得12.5g MX1。通过升华实现最终纯化。HPLC 100％；m/z＝510.2([M+H]⁺)。

2,3,5-三苯基-6-(4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基)吡嗪的合成

将烧瓶用氮气冲洗并装入2-(4-溴苯基)-3,5,6-三苯基吡嗪(15.0g，32.4mmol)、双(频哪醇)二硼(9.04g，35.6mmol)、Pd(dppf)Cl2(0.71g，0.97mmol)和乙酸钾(9.5g，97.2mmol)。添加干燥且脱气的DMF(90mL)，并将反应混合物在氮气气氛下加热至100℃过夜。随后，真空去除所有挥发物，加入水(400mL)和二氯甲烷(1L)，并且有机相用水(3×400mL)洗涤。经MgSO4干燥后，有机相通过硅胶垫过滤。用额外的二氯甲烷(1L)冲洗后，将滤液减压浓缩至最小体积。加入甲醇(350mL)并将悬浮液在室温搅拌过夜。通过抽滤收集固体，干燥后得到15.9g(96％)的2,3,5-三苯基-6-(4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基)吡嗪。

2,3,5-三苯基-6-(3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基)吡嗪的合成

向烧瓶中装入1-(3-溴苯基)-2-苯基乙烷-1,2-二酮(36.6g，126.5mmol)、1,2-二苯基乙烷-1,2-二胺(38.7g，182.1mmol)和乙酸(320mL)。将混合物加热至75℃保持24小时。随后，将反应混合物减压浓缩至约100mL，然后小心地倒入饱和K2CO3水溶液(700mL)中。用二氯甲烷萃取三次后，将合并的有机相用盐水洗涤，经MgSO4干燥，并减压浓缩。粗产物通过柱色谱法(二氧化硅，正己烷/二氯甲烷8:2)纯化并用正己烷湿磨，干燥后得到38.8g(66％)的2,3,5-三苯基-6-(3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基)吡嗪。

4'-(3-(3,5,6-三苯基吡嗪-2-基)苯基)-2,2':6',2″-三联吡啶(G18)的代表性合成

为了合成4'-(3-(3,5,6-三苯基吡嗪-2-基)苯基)-2,2':6',2″-三联吡啶(化合物G18)，将烧瓶用氮气冲洗并装入2,3,5-三苯基-6-(3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基)吡嗪(1)(17.0g，33.0mmol)、4'-氯-2,2':6',2″-三联吡啶(2)(8.1g，30.0mmol)、K2CO3(8.29g，60mmol、溶解在30mL脱气水中)、[1,1'-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯钯(II)(0.44g，0.6mmol)。添加甲苯和乙醇的脱气混合物(5:1，180mL)，并将反应混合物在氮气气氛下加热至回流，同时用TLC监测。冷却至室温后，通过抽滤分离所得沉淀物并用水(100mL)和甲醇(30mL)洗涤。为了进一步纯化，然后将粗产物溶解在二氯甲烷中并通过硅胶垫过滤。用另外的二氯甲烷冲洗后，将滤液减压浓缩并从甲醇(150mL)中沉淀。使所得沉淀物从100mL甲苯中重结晶。通过抽滤收集形成的沉淀物并用小部分甲苯洗涤，得到7.8g化合物1。通过浓缩甲苯母液进行沉淀分离另外的产物。干燥后获得合并的11.6g化合物MX2。通过升华实现最终纯化。HPLC:99.96％，m/z＝616([M+H]+)。

通过遵循该示例性方案，改变试剂1，使用如表1和表2中给出的试剂和条件以及纯化改适，获得其它实施例如化合物G1至G3、G12、G36和G37，列出本发明的式(I)的化合物的性质。

表1

表2：本发明的式(I)的化合物的性质

用于制造OLED的一般程序1

p-CGL中使用的化合物

用作掺杂剂的化合物

底部发光器件

对于底部发光器件，实施例1至4和比较例1至2，将玻璃基底切成150mm×150mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇超声清洗5分钟，然后用纯水超声清洗5分钟，并再次用UV臭氧清洗30分钟，以制备第一电极。将90nm ITO在10^-5至10^-7毫巴的压力下沉积在玻璃基底上以形成阳极。

然后，根据本发明实施例1至4，将联苯-4-基(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-胺(CAS 1242056-42-3)与2,2',2″-(环丙烷-1,2,3-三亚基)三(2-(对氰基四氟苯基)乙腈)(A2)真空沉积在阳极上，以形成厚度为10nm的HIL。在比较例1至2中，HIL的形成方式与本发明实施例中相同，不同之处在于使用HAT-CN代替A2(表3)。

然后，将联苯-4-基(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-胺真空沉积在HIL上，以形成厚度为128nm的HTL。

然后将N,N-双(4-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)苯基)-[1,1':4',1″-三联苯]-4-胺(CAS 1198399-61-9)真空沉积在HTL上，以形成厚度为5nm的电子阻挡层(EBL)。

然后将97体积％H09(Sun Fine Chemicals,韩国)作为EML主体和3体积％BD200(Sun Fine Chemicals,韩国)作为荧光蓝色掺杂剂沉积在EBL上，以形成厚度为20nm的蓝色发光EML。

然后通过将2-(3'-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-[1,1'-联苯]-3-基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪沉积在发光层上，以形成厚度为5nm的空穴阻挡层。

然后，在根据实施例1至4和比较例1至2的空穴阻挡层上形成厚度为31nm的第一电子传输层。电子传输层可以包含99重量％的式1的基质化合物和1重量％的Li作为金属掺杂剂，或者电子传输层可以包含97重量％的式1的基质化合物和3重量％的Yb，参见表3。

在10^-7毫巴下，Al以0.01至

的速率蒸发，以形成厚度为100nm的阴极。

通过用载玻片封装器件来保护OLED叠层结构免受环境条件的影响。因此，形成空腔，该空腔包括用于进一步保护的吸气材料。

用于制造OLED的一般程序2

对于底部发光器件，实施例5至10和比较例3至5，将玻璃基底切成150mm×150mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇超声清洗5分钟，然后用纯水超声清洗5分钟，并再次用UV臭氧清洗30分钟，以制备第一电极。将90nm ITO在10^-5毫巴至10^-7毫巴的压力下沉积在玻璃基底上以形成阳极。

然后，根据本发明实施例5至10和比较例3至4(表4)，将97体积％联苯-4-基(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-胺(CAS 1242056-42-3)与3体积％2,2',2″-(环丙烷-1,2,3-三亚基)三(2-(对氰基四氟苯基)乙腈)(A2)真空沉积在阳极上，以形成厚度为10nm的HIL。

然后，将联苯-4-基(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-胺真空沉积在HIL上，以形成厚度为128nm的第一HTL。

然后将N,N-双(4-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)苯基)-[1,1':4',1″-三联苯]-4-胺(CAS 1198399-61-9)真空沉积在HTL上，以形成厚度为5nm的电子阻挡层(EBL)。

然后将97体积％H09(Sun Fine Chemicals,韩国)作为EML主体和3体积％BD200(Sun Fine Chemicals,韩国)作为荧光蓝色掺杂剂沉积在EBL上，以形成厚度为20nm的第一蓝色发光EML。

然后通过将2-(3'-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-[1,1'-联苯]-3-基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪沉积在发光层上，形成厚度为5nm的第一空穴阻挡层。

然后，通过沉积4'-(4-(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)萘-1-基)-[1,1'-联苯]-4-甲腈在空穴阻挡层上形成厚度为25nm的电子传输层。电子传输层(ETL)包含50重量％的基质化合物和50重量％的LiQ。

然后在ETL上形成厚度为15nm的n-CGL。n-CGL包含99重量％的式1基质化合物和1重量％的作为金属掺杂剂的Li，或者电子传输层可以包含97重量％的式1基质化合物和3重量％的Yb，参见表4。然后根据本发明实施例5至10(表4)，通过沉积联苯-4-基(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-胺(CAS1242056-42-3)与2,2',2″-(环丙烷-1,2,3-三亚基)三(2-(对氰基四氟苯基)乙腈)(A2)，在n-CGL上形成厚度为10nm的p-CGL。在比较例中，p-CGL以与本发明实施例中相同的方式形成在n-CGL上，不同之处在于使用HAT-CN代替A2。

然后，将联苯-4-基(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-胺真空沉积在p-CGL上，以形成厚度为10nm的第二HTL。

在10^-7毫巴下，Al以0.01至

的速率蒸发，以形成厚度为100nm的阴极。

通过用载玻片封装器件来保护OLED叠层结构免受环境条件的影响。因此，形成空腔，该空腔包括用于进一步保护的吸气材料。

为了评估本发明实施例与现有技术相比的性能，在20℃下测量电流效率。使用Keithley 2635源测量单元，通过输入以V计的电压并测量流过被测器件的以mA计的电流来确定电流-电压特性。施加到器件上的电压在0V和10V之间的范围内以0.1V的步长变化。同样，通过使用Instrument Systems CAS-140CT阵列光谱仪(由DeutscheAkkreditierungsstelle(DAkkS)校准)测量每个电压值的以cd/m²计的发光密度，来确定的发光密度-电压特性和CIE坐标。在10mA/cm²下的cd/A效率分别通过对发光密度-电压和电流-电压特性进行插值来确定。

使用Keithley 2400源表在环境条件(20℃)和30mA/cm²下测量装置的寿命LT，并以小时为单位记录。

使用校准的光电二极管测量装置的亮度。寿命LT定义为装置的亮度降低到其初始值的97％时的时间。

因此，可以看出ETL(实施例1至4)和n-CGL(实施例5至8)的材料在用于有机电子器件时可以确保有机电子器件的低驱动电压和高效率。

表3：包括包含式1化合物和金属掺杂剂的电子传输层2的OLED器件的性能

表3

表3显示，与含有包含式1化合物和金属掺杂剂的ETL以及包含HAT-CN的HIL的OLED器件相比，含有包含式(I)的化合物和金属掺杂剂的ETL以及包含HTM-1和作为掺杂剂的A2的HIL的OLED器件具有较低的工作电压(cd/A，在15mA/cm²下)。

表4：包括包含式(I)的化合物和金属掺杂剂的n-CGL的有机电子器件的性能

表4

表4显示，与含有包含式1化合物和金属掺杂剂的n-CGL以及包含HTM-1和HAT-CN的化合物的p-CGL的OLED器件相比，含有包含式(1)化合物和金属掺杂剂的n-CGL以及包含HTM-1和A2的p-CGL的OLED器件具有较低的工作电压(cd/A，在15mA/cm²下)。

总之，当第一有机半导体层可以包含式(I)的化合物和金属掺杂剂时，可以实现低工作电压(cd/A，在15mA/cm²下)和改进的寿命。

尽管已经结合目前认为是实用的示例性实施方式描述了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的实施方式，而相反，旨在涵盖包括在权利要求的实质和范围内的各种修改和等效布置。因此，上述实施方式应理解为示例性的，而不是以任何方式限制本发明。

Claims (15)

1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中

a)所述第一有机半导体层包含：

金属掺杂剂，和

式(I)的化合物：

其中，

Ar¹和Ar²相同或不同并且独立地选自氢、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基，其中，Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基；

L是单键、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₁₈杂芳亚基、被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联苯亚基、被取代或未被取代的三联苯亚基、被取代或未被取代的蒽亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的二苯并噻吩亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的吡啶亚基、被取代或未被取代的苯基吡啶亚基、被取代或未被取代的喹啉亚基；

Ar³是选自被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基基团、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳亚基基团、被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、被取代或未被取代的吖啶亚基、被取代或未被取代的苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的苯并喹啉亚基、被取代或未被取代的菲啶亚基、被取代或未被取代的菲咯啉亚基、被取代或未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或被取代或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团；

Ar⁴是独立地选自H、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²选自NH、NR²、S、O或C(R¹)₂；

n为0、1、2、3或4；

其中L、Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴和/或N的取代基独立地选自：

-H、C₆至C₁₈芳基、C₃至C₂₀杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、C₃至C₁₆支链烷基、C₃至C₁₆环状烷基、C₃至C₁₆支链烷氧基、C₃至C₁₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基、-PX³(R²)₂、D、F或CN；

-R¹和R²独立地选自C₆至C₁₂芳基、C₃至C₁₂杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基，并且

-两个R¹可以连接在一起以形成环

-X³选自S或O；以及

b)所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。

2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物，其中所述轴烯化合物中吸电子基团的总量为13原子百分比至90原子百分比。

3.根据权利要求1或2所述的有机电子器件，其中

-Ar¹和Ar²独立地选自氢、苯基、吡啶基、苯基吡啶基或喹啉基基团；或

-Ar¹是氢并且Ar²是吡啶基、苯基吡啶基或喹啉基基团；

-Ar¹是苯基并且Ar²是吡啶基、苯基吡啶基或喹啉基基团；

-Ar¹是氢并且Ar²是吡啶基基团；

-Ar¹是苯基并且Ar²是吡啶基基团；或

-Ar¹和Ar²是吡啶基基团。

4.根据前述权利要求1至3中的任一项所述的有机电子器件，其中

L是被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₁₈杂芳亚基，优选地是被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₁₈杂芳亚基，所述基团选自被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联苯亚基、被取代或未被取代的三联苯亚基、被取代或未被取代的蒽亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的二苯并噻吩亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的吡啶亚基、被取代或未被取代的苯基吡啶亚基、被取代或未被取代的喹啉亚基；或

L是单键；或

L选自未被取代的苯亚基、未被取代的联苯亚基、未被取代的三联苯亚基、未被取代的蒽亚基、未被取代的二苯并呋喃亚基、未被取代的二苯并噻吩亚基、未被取代的吡啶亚基、未被取代的苯基吡啶亚基，优选地L是单键或选自未被取代的苯亚基或未被取代的联苯亚基。

5.根据前述权利要求1至4中的任一项所述的有机电子器件，其中

Ar³是被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基基团、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳亚基基团，所述基团选自被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、被取代或未被取代的吖啶亚基、被取代或未被取代的苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的苯并喹啉亚基、被取代或未被取代的菲啶亚基、被取代或未被取代的菲咯啉亚基、被取代或未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基、或被取代或未被取代的二萘并噻吩亚基；或

Ar³是选自被取代的吡嗪亚基、被取代或未被取代的苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基的基团。

6.根据前述权利要求1至5中的任一项所述的有机电子器件，其中

-Ar⁴是H、或被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基，所述基团选自未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基，或者具有所述式(II)或(III)的基团；

-Ar⁴是选自H、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的吡啶基、未被取代的萘基、未被取代的二苯并呋喃基、未被取代的苯并呋喃基、未被取代的二苯并噻吩基、未被取代的苯并噻吩基；或

-H。

7.根据前述权利要求1至6中的任一项所述的有机电子器件，其中所述轴烯化合物是[3]-轴烯，并选自A1至A21：

8.根据前述权利要求1至7中的任一项所述的有机电子器件，其中所述金属掺杂剂是：

-选自碱金属、碱土金属和稀土金属的金属；

-选自Li、Na、Cs、Mg、Ca、Sr、Sm或Yb的金属；

-选自Li、Cs、Mg或Yb的金属；或

-选自Li或Yb的金属。

9.根据前述权利要求1至8中的任一项所述的有机电子器件，其中L独立地选自B1至B21：

其中星号“*”表示L的结合位置。

10.根据前述权利要求1至9中的任一项所述的有机电子器件，

其中，Ar³独立地选自E1至E9：

其中星号“*”表示Ar³与L的结合位置，并且如果n＝1、2、3或4，则Ar⁴键合到Ar³的碳上，不包括Ar³与L的结合位置。

11.根据前述权利要求1至10中的任一项所述的有机电子器件，其中Ar⁴独立地选自氢或F1至F13：

其中星号“*”表示Ar⁴与Ar³的结合位置，并且Ar⁴键合到Ar³的碳，不包括Ar³与L的结合位置。

12.根据前述权利要求1至11中的任一项所述的有机电子器件，其中所述式(I)的化合物选自G1至G53：

13.根据前述权利要求1至12中的任一项所述的有机电子器件，其中所述有机电子器件还包括至少一个发光层，并且所述第一有机半导体层布置在所述至少一个发光层与所述阴极之间，并且所述第二有机半导体层布置在所述至少一个发光层与所述阳极之间。

14.根据权利要求1至13所述的有机电子器件，其中所述电子器件是发光器件、薄膜晶体管、电池、显示装置或光伏电池，并且优选地是发光器件。

15.一种由下式(I)表示的化合物，

其中，

Ar¹和Ar²相同或不同并且独立地选自氢、被取代或未被取代的C₆至C₃₆芳基、被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基，其中，Ar¹和Ar²基团中的至少一者包含被取代或未被取代的C₃至C₃₆杂芳基；其中Ar¹和/或Ar²经由碳原子键合到式(I)的吡啶基环或如果碳原子全部被取代，则经由N原子键合到式(I)的吡啶基环；

L是单键，或者L是被取代或未被取代的C₆至C₂₄芳亚基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳亚基、被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联苯亚基、被取代或未被取代的三联苯亚基、被取代或未被取代的萘亚基、被取代或未被取代的蒽亚基、二苯并呋喃亚基、二苯并噻吩亚基、咔唑亚基、吡啶亚基、苯基吡啶亚基、喹啉亚基；

Ar³是选自被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉亚基或被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉基的基团；

Ar⁴是独立地选自H、被取代或未被取代的C₆至C₁₈芳基、被取代或未被取代的C₃至C₂₀杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶亚基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基的基团，或者具有式(II)或(III)，

其中所述式(II)和(III)的基团是被取代或未被取代的，并且X²选自NH、NR²、S、O或CR¹；

n为0、1、2、3或4；

其中如果L、Ar¹、Ar²、Ar³、Ar⁴和/或N的取代基未键合到相邻基团，则独立地选自：

-H、或C₆至C₁₈芳基、C₃至C₂₀杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、C₃至C₁₆支链烷基、C₃至C₁₆环状烷基、C₃至C₁₆支链烷氧基、C₃至C₁₆环状烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基、-PX²(R²)₂、D、F或CN；

-R²独立地选自C₆至C₁₂芳基、C₃至C₁₂杂芳基、C₁至C₁₆烷基、C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氟化的C₁至C₁₆烷氧基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷基、部分或全氘化的C₁至C₁₆烷氧基，并且

-X²选自S和O。

Images