CN114497430A - 一种硅基oled制备阳极结构的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种硅基OLED制备阳极结构的方法，属于显示技术领域。硅基OLED制备阳极结构的方法包括：步骤一：在硅基背板上生成阳极反射层，阳极反射层的相邻两个第一台阶之间存在间隙；步骤二：在阳极反射层背离硅基背板的一侧上生成第一预设厚度的像素限定层，像素限定层填充阳极反射层的间隙且厚度超出阳极反射层的上表面；步骤三：通过研磨工艺将像素限定层的表面进行研磨，使像素限定层背离阳极反射层的一端表面水平且不能露出阳极反射层，且像素限定层的整体厚度大于阳极反射层的整体厚度，再将像素限定层进行图形化贯通开设PDL孔，PDL孔与第一台阶相对应；步骤四：依次制作阳极反射层所需的有机发光层、共阴极层和封装层。像素限定层填充间隙，通过该工艺方法消除第一台阶对共阴极层的影响，保证共阴极层不发生断线。

Description

一种硅基OLED制备阳极结构的方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种硅基OLED制备阳极结构的方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称为OLED)，因具有高亮度、全视角、响应速度快以及可柔性显示等优点，已在显示领域得到广泛应用。OLED通常包括相对设置的阳极和阴极，以及设在阳极和阴极之间的发光层。
在实际OLED生产中，按照不同需求，制作不同阳极结构满足产品需求。一般制作方式是在来料硅基背板上利用溅射技术制作一层金属薄膜作为反射层，再利用干法刻工艺制作所需阳极反射层图形，随着对产品高要求，PPI和功耗是消费者关注的重要指标，从产品的设计角度考虑，为了降低功耗，需要降低阳极反射层阻抗和增加图形密度。
为了满足阻抗的需求，阳极反射层的成膜膜厚相应增加，在刻蚀后出现阳极反射层角度大和台阶高的问题，导致蒸镀有机发光层和阴极时台阶覆盖性差，共阴极层金属阻抗变大或断线。同时导致OLED产品体现不亮点或亮度均一性差，降低了OLED产品的良率。
为此，亟需提供一种硅基OLED制备阳极结构的方法以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硅基OLED制备阳极结构的方法，避免共阴极层金属短线，提高硅基OLED的良率。
为实现上述目的，提供以下技术方案：
一种硅基OLED制备阳极结构的方法，包括以下步骤：
步骤一：在硅基背板上生成阳极反射层，所述阳极反射层的相邻两个第一台阶之间存在间隙；
步骤二：在所述阳极反射层背离所述硅基背板的一侧生成第一预设厚度的像素限定层，所述像素限定层填充所述阳极反射层的所述间隙且厚度超出所述阳极反射层的上表面；
步骤三：研磨所述像素限定层的表面，使所述像素限定层背离所述阳极反射层的一端面齐平，且所述像素限定层的整体厚度大于所述阳极反射层的整体厚度，在所述像素限定层上贯通开设PDL孔，所述PDL孔与所述第一台阶相对应；
步骤四：依次制作所述阳极反射层所需的有机发光层、共阴极层和封装层。
作为硅基OLED制备阳极结构的方法的可选方案，在所述步骤一中，先采用溅射技术在所述硅基背板上形成薄膜，再通过黄光和刻蚀工艺形成所述阳极反射层的所述第一台阶和所述间隙。
作为硅基OLED制备阳极结构的方法的可选方案，在所述步骤二中，采用化学气相沉积设备在所述阳极反射层上生成一层所述像素限定层。
作为硅基OLED制备阳极结构的方法的可选方案，所述第一预设厚度为所述阳极反射层厚度的1.5倍以上。
作为硅基OLED制备阳极结构的方法的可选方案，在所述步骤三中，采用化学机械抛光工艺研磨所述像素限定层的上表面。
作为硅基OLED制备阳极结构的方法的可选方案，在所述步骤三中，采用黄光和蚀刻工艺制作所述PDL孔。
作为硅基OLED制备阳极结构的方法的可选方案，所述PDL孔设置有多个，多个所述PDL孔与多个所述第一台阶一一对应设置。
作为硅基OLED制备阳极结构的方法的可选方案，所述有机发光层面向所述像素限定层的一侧间隔设置有多个第二台阶，所述第二台阶位于所述PDL孔内。
作为硅基OLED制备阳极结构的方法的可选方案，所述有机发光层面向所述共阴极层的一侧间隔设置有多个凹槽，所述共阴极层面向所述有机发光层的一侧间隔设置有多个第三台阶，多个所述第三台阶与多个所述凹槽一一对应设置，且所述第三台阶位于所述凹槽内。
作为硅基OLED制备阳极结构的方法的可选方案，在所述步骤四中，所述有机发光层和所述共阴极层均采用蒸镀设备制作。
与现有技术相比，本发明的有益效果：
本发明所提供的硅基OLED制备阳极结构的方法，在硅基背板上生成阳极反射层，由于阳极反射层上增加图形后产生多个相互间隔的第一台阶，阳极反射层的相邻两个第一台阶之间存在间隙；在阳极反射层背离硅基背板的一侧生成第一预设厚度的像素限定层，像素限定层填充阳极反射层的间隙且超出阳极反射层的上表面；研磨像素限定层，使像素限定层背离阳极反射层的一端面齐平，且像素限定层的整体厚度大于阳极反射层的整体厚度，在像素限定层上贯通开设PDL孔，PDL孔与第一台阶相对应；依次制作阳极反射层所需的有机发光层和共阴极层。像素限定层填充间隙且超出阳极反射层的上表面，消除第一台阶的高度差对共阴极层的影响，保证共阴极层不发生断线；研磨后的像素限定层的整体厚度大于阳极反射层的整体厚度，预留一定厚度的像素限定层保护阳极反射层，避免研磨设备腐蚀阳极反射层的表面，保证硅基OLED显示亮度均匀。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本发明实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
图1为硅基OLED制备阳极结构的方法的流程图；
图2为本发明实施例中硅基OLED的装配示意图；
图3为本发明实施例中硅基OLED的***示意图；
图4为本发明实施例中硅基背板和阳极反射层的结构示意图；
图5为本发明实施例中像素限定层未研磨之前的结构示意图；
图6为本发明实施例中像素限定层研磨后的结构示意图。
附图标记：
1、硅基背板；2、阳极反射层；3、像素限定层；4、有机发光层；5、共阴极层；51、第三台阶；
21、第一台阶；22、间隙；
31、PDL孔；
41、第二台阶；42、凹槽。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
为了满足阻抗的需求，阳极反射层的成膜膜厚相应增加，在刻蚀后出现阳极反射层角度大和台阶高的问题，导致蒸镀有机发光层和阴极时覆盖性差，共阴极金属阻抗变大或断线。同时导致OLED产品体现不亮点或亮度均一性差，降低了OLED产品的良率。
为了避免共阴极层金属短线，提高硅基OLED的良率，本实施例提供了一种硅基OLED制备阳极结构的方法，以下结合图1至图6对本实施例的具体内容进行详细描述。
如图1所示，该硅基OLED制备阳极结构的方法包括以下步骤：
步骤一：在硅基背板1上生成阳极反射层2，阳极反射层2的相邻两个第一台阶21之间存在间隙22，如图4所示；
步骤二：在阳极反射层2背离硅基背板1的一侧上生成第一预设厚度的像素限定层3，像素限定层3填充阳极反射层2的间隙22且厚度超出阳极反射层2的上表面，如图5所示；
步骤三：通过研磨工艺将像素限定层3进行研磨，使像素限定层3背离阳极反射层2的一端面齐平表面水平且不能露出阳极反射层2，且像素限定层3的整体厚度大于阳极反射层2的整体厚度，在像素限定层3上进行图形化贯通开设PDL孔31，PDL孔31与第一台阶21相对应，如图6所示；
步骤四：依次制作阳极反射层2所需的有机发光层4、共阴极层5和封装层，如图2所示。
简而言之，本发明所提供的硅基OLED制备阳极结构的方法，在硅基背板1上生成阳极反射层2，由于阳极反射层2上增加图形后产生多个相互间隔的第一台阶21，阳极反射层2的相邻两个第一台阶21之间存在间隙22；在阳极反射层2背离硅基背板1的一侧生成第一预设厚度的像素限定层3，像素限定层3填充阳极反射层2的间隙22且超出阳极反射层2的上表面；研磨像素限定层3，使像素限定层3背离阳极反射层2的一端面齐平，且像素限定层3的整体厚度大于阳极反射层2的整体厚度，在像素限定层3上贯通开设PDL(pixel definelayer)孔31，PDL孔31与第一台阶21相对应；依次制作阳极反射层2所需的有机发光层4和共阴极层5。像素限定层3填充间隙22且超出阳极反射层2的上表面，消除第一台阶21的高度差对共阴极层5的影响，保证共阴极层5不发生断线；研磨后的像素限定层3的整体厚度大于阳极反射层2的整体厚度，预留一定厚度的像素限定层3保护阳极反射层2，避免研磨设备腐蚀阳极反射层2的表面和硅基OLED出现Mura。Mura是指显示器亮度不均匀,造成各种痕迹的现象。
进一步地，如图1和图4所示，在步骤一中，先采用溅射技术在硅基背板1上形成薄膜，再通过黄光和刻蚀工艺在阳极反射层2上增加图形产生多个第一台阶21，并形成阳极反射层2的第一台阶21和间隙22。
进一步地，如图1和图5所示，在步骤二中，采用化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，CVD)设备在阳极反射层2上生成一层像素限定层3。
进一步地，如图5所示，第一预设厚度为阳极反射层2厚度的1.5倍以上。优选地，像素限定层3研磨前的厚度是阳极反射层2厚度的1.5倍-2倍之间。在制备完阳极反射层2后，制备像素限定层3的厚度是阳极反射层2的1.5倍-2倍，通过像素限定层3的厚度填充阳极反射层2之间的间隙22，降低台阶差。
进一步地，如图1、图5和图6所示，在步骤三中，采用化学机械抛光(ChemicalMechanical Polishing，CMP)工艺研磨像素限定层3的上表面。化学机械抛光采用将机械摩擦和化学腐蚀相结合的工艺。化学腐蚀-抛光液：首先是介于工件表面和抛光垫之间的抛光液中的氧化剂、催化剂等于工件表面材料进行化学反应，在工件表面产生一层化学反应薄膜；机械摩擦–抛光垫：然后由抛光液中的磨粒和由高分子材料制成的抛光垫通过机械作用将这一层化学反应薄膜去除，使工件表面重新裸露出来，然后再进行化学反应。整个过程是化学作用与机械作用的交替进行，最终完成对工件表面的抛光。研磨像素限定层3的厚度需要预留一定厚度的进行下一道工艺，主要在CMP工艺设备研磨过程中使用一些材料会腐蚀阳极反射层2，导致产品会出现Mura，预留一定厚度像素限定层3的无机薄膜是保护阳极反射层2表面，避免产品Mura出现。
进一步地，如图1和图6所示，在步骤三中，采用黄光和蚀刻工艺制作PDL孔31。
进一步地，PDL孔31设置有多个，多个PDL孔31与多个第一台阶21一一对应设置。
进一步地，如图2和图3所示，有机发光层4面向像素限定层3的一侧间隔设置有多个第二台阶41，第二台阶41位于PDL孔31内。通过在有机发光层4上间隔增设多个第二台阶41，使有机发光层4面向像素限定层3的一侧面的表面粗化处理，增大了有机发光层4与像素限定层3的贴合面积，保证有机发光层4与像素限定层3连接牢固。
进一步地，如图2和图3所示，有机发光层4面向共阴极层5的一侧间隔设置有多个凹槽42，共阴极层5面向有机发光层4的一侧间隔设置有多个第三台阶51，多个第三台阶51与多个凹槽42一一对应设置，且第三台阶51位于凹槽42内。通过在有机发光层4上间隔增设多个凹槽42，共阴极层5上间隔增设多个第三台阶51，使第三台阶51插到凹槽42内，增加了有机发光层4与共阴极层5的贴合面积，保证有机发光层4与共阴极层5连接牢固。
进一步地，在步骤四中，有机发光层4和共阴极层5均采用蒸镀设备制作。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所说的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种硅基OLED制备阳极结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：在硅基背板(1)上生成阳极反射层(2)，所述阳极反射层(2)的相邻两个第一台阶(21)之间存在间隙(22)；
步骤二：在所述阳极反射层(2)背离所述硅基背板(1)的一侧上生成第一预设厚度的像素限定层(3)，所述像素限定层(3)填充所述阳极反射层(2)的所述间隙(22)且厚度超出所述阳极反射层(2)的上表面；
步骤三：研磨所述像素限定层(3)的表面，使所述像素限定层(3)背离所述阳极反射层(2)的一端面齐平，且所述像素限定层(3)的整体厚度大于所述阳极反射层(2)的整体厚度，在所述像素限定层(3)上贯通开设PDL孔(31)，所述PDL孔(31)与所述第一台阶(21)相对应；
步骤四：依次制作所述阳极反射层(2)所需的有机发光层(4)、共阴极层(5)和封装层。
2.根据权利要求1所述的硅基OLED制备阳极结构的方法，其特征在于，在所述步骤一中，先采用溅射技术在所述硅基背板(1)上形成薄膜，再通过黄光和刻蚀工艺形成所述阳极反射层(2)的所述第一台阶(21)和所述间隙(22)。
3.根据权利要求1所述的硅基OLED制备阳极结构的方法，其特征在于，在所述步骤二中，采用化学气相沉积设备在所述阳极反射层(2)上生成一层所述像素限定层(3)。
4.根据权利要求3所述的硅基OLED制备阳极结构的方法，其特征在于，所述第一预设厚度为所述阳极反射层(2)厚度的1.5倍以上。
5.根据权利要求1所述的硅基OLED制备阳极结构的方法，其特征在于，在所述步骤三中，采用化学机械抛光工艺研磨所述像素限定层(3)的上表面。
6.根据权利要求5所述的硅基OLED制备阳极结构的方法，其特征在于，在所述步骤三中，采用黄光和蚀刻工艺制作所述PDL孔(31)。
7.根据权利要求6所述的硅基OLED制备阳极结构的方法，其特征在于，所述PDL孔(31)设置有多个，多个所述PDL孔(31)与多个所述第一台阶(21)一一对应设置。
8.根据权利要求2所述的硅基OLED制备阳极结构的方法，其特征在于，所述有机发光层(4)面向所述像素限定层(3)的一侧间隔设置有多个第二台阶(41)，所述第二台阶(41)位于所述PDL孔(31)内。
9.根据权利要求8所述的硅基OLED制备阳极结构的方法，其特征在于，所述有机发光层(4)面向所述共阴极层(5)的一侧间隔设置有多个凹槽(42)，所述共阴极层(5)面向所述有机发光层(4)的一侧间隔设置有多个第三台阶(51)，多个所述第三台阶(51)与多个所述凹槽(42)一一对应设置，且所述第三台阶(51)位于所述凹槽(42)内。
10.根据权利要求2所述的硅基OLED制备阳极结构的方法，其特征在于，在所述步骤四中，所述有机发光层(4)和所述共阴极层(5)均采用蒸镀设备制作。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108198952A (zh) * 2017-12-29 2018-06-22 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示屏及其制备方法
US20200119112A1 (en) * 2018-08-31 2020-04-16 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and method for manufacturing same
CN112259704A (zh) * 2020-10-21 2021-01-22 安徽熙泰智能科技有限公司 一种避免基板上阴极断裂的制程方法
CN112750889A (zh) * 2021-03-04 2021-05-04 安徽熙泰智能科技有限公司 一种自对准像素定义层结构及其加工方法
CN113054148A (zh) * 2021-03-16 2021-06-29 安徽熙泰智能科技有限公司 一种避免阴极断裂的pdl的制备方法
CN113299543A (zh) * 2021-05-21 2021-08-24 安徽熙泰智能科技有限公司 一种硅基Micro OLED微显示器件有机像素定义层及其制备方法
CN113540389A (zh) * 2021-07-19 2021-10-22 昆山梦显电子科技有限公司 一种oled阳极的制备方法
CN113793908A (zh) * 2021-09-08 2021-12-14 南京国兆光电科技有限公司 一种硅基有源矩阵式有机发光显示器及其制作方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108198952A (zh) * 2017-12-29 2018-06-22 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示屏及其制备方法
US20200119112A1 (en) * 2018-08-31 2020-04-16 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and method for manufacturing same
CN112259704A (zh) * 2020-10-21 2021-01-22 安徽熙泰智能科技有限公司 一种避免基板上阴极断裂的制程方法
CN112750889A (zh) * 2021-03-04 2021-05-04 安徽熙泰智能科技有限公司 一种自对准像素定义层结构及其加工方法
CN113054148A (zh) * 2021-03-16 2021-06-29 安徽熙泰智能科技有限公司 一种避免阴极断裂的pdl的制备方法
CN113299543A (zh) * 2021-05-21 2021-08-24 安徽熙泰智能科技有限公司 一种硅基Micro OLED微显示器件有机像素定义层及其制备方法
CN113540389A (zh) * 2021-07-19 2021-10-22 昆山梦显电子科技有限公司 一种oled阳极的制备方法
CN113793908A (zh) * 2021-09-08 2021-12-14 南京国兆光电科技有限公司 一种硅基有源矩阵式有机发光显示器及其制作方法

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